[go: up one dir, main page]

JP6842282B2 - 有機el表示装置 - Google Patents

有機el表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6842282B2
JP6842282B2 JP2016231113A JP2016231113A JP6842282B2 JP 6842282 B2 JP6842282 B2 JP 6842282B2 JP 2016231113 A JP2016231113 A JP 2016231113A JP 2016231113 A JP2016231113 A JP 2016231113A JP 6842282 B2 JP6842282 B2 JP 6842282B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel
light emitting
organic
emitting region
spacer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016231113A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018088354A (ja
Inventor
憲太 梶山
憲太 梶山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Display Inc filed Critical Japan Display Inc
Priority to JP2016231113A priority Critical patent/JP6842282B2/ja
Priority to US15/822,814 priority patent/US10411076B2/en
Publication of JP2018088354A publication Critical patent/JP2018088354A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6842282B2 publication Critical patent/JP6842282B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

本発明は、有機EL表示装置に関する。
有機EL表示装置の製造方法として、蒸着マスクを用いて発光する色ごとに順に有機EL素子が形成する方法が知られている。当該有機EL素子を形成する工程において、蒸着マスクに付着した異物等によって有機EL素子に傷が生じることを防止するため、蒸着マスクと有機EL素子の間に空間を設けるため、表示領域にスペーサ310が設けられることがある。
例えば、図6を用いて、スペーサ310が設けられた有機EL表示装置について説明する。図7(a)は、従来技術における、有機EL表示装置の画素700を平面的に見た図である。図7(a)に示すように、1画素700は、赤色の光を発する赤色発光領域304、緑色の光を発する緑色発光領域306、及び、青色の光を発する発光領域308を有する。また、各発光領域の間には、蒸着マスク702と有機EL素子の間の空間を確保するためのスペーサ310が配置される。
図7(b)は、図7(a)のVII-VII断面を示す図であり、有機EL素子を形成する際に蒸着マスク702が配置された状態を示す図である。図7(b)に示すように、各発光領域にはアノード電極が設けられる。また、各アノード電極の間には、アノード電極よりも高いリブ410及びスペーサ310が設けられる。
当該スペーサ310によって、アノード電極の上に形成された有機EL素子と蒸着マスク702との間に空間が確保される。そのため、蒸着マスク702に異物704が付着していたとしても、異物704によって有機EL素子(図では赤色有機EL素子412)と異物704が接触し、有機EL素子が傷つけられることを防止できる。
当該スペーサを配置する従来技術として、例えば、特許文献1は、赤色、緑色及び青色の光を発する発光領域を有する有機EL表示装置において、青色の発光領域の周囲に沿ってスペーサを配置する点を開示している。
また、特許文献2及び3は、赤色、緑色及び青色の光を発する発光領域を有する有機EL表示装置において、各発光領域の間の非発光領域にスペーサを配置する点を開示している。
米国特許第8994015号明細書 米国特許出願公開第2015/0162391号明細書 米国特許出願公開第2015/0200237号明細書
従来技術においては、1画素が大きかったことから、上記特許文献1乃至3のように画素の非発光領域にスペーサを配置することが可能であった。しかしながら、表示装置の高精細化に伴い、1画素の大きさが小さくなると、非発光領域にスペーサを配置することが困難となる。
この場合、スペーサが発光領域に配置されることによって発光領域の面積が小さくなる。発光領域の面積が小さくなると輝度が低下し、輝度の低下を補うために有機EL素子に流す電流を大きくすると寿命が短くなる。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、高精細でスペーサが発光領域に配置される場合であっても、視認性に対する影響の少ない青色の発光領域にスペーサが配置されることで、スペーサによる表示品位の低下を低減させた有機EL表示装置を提供することにある。
本発明の一態様は、第1画素及び第2画素を含む複数の画素を有する有機EL表示装置であって、前記複数の画素は、それぞれ、赤色の光を発する赤色発光領域を有する赤色副画素と、緑色の光を発する緑色発光領域を有する緑色副画素と、青色の光を発する青色発光領域を有する青色副画素と、を含み、前記第1画素に含まれる青色副画素は、前記第2画素に含まれる青色発光領域に相当する領域の一部に、スペーサが設けられることを特徴とする。
本発明の実施形態に係る有機EL表示装置を概略的に示す図である。 有機ELパネルを表示する側から見た構成を示す図である。 第1の実施形態における画素の配置レイアウトについて概略的に示す一例である。 有機ELパネルの断面について説明するための図である。 第2の実施形態における画素の配置レイアウトについて概略的に示す一例である。 第3の実施形態における画素の配置レイアウトについて概略的に示す一例である。 従来技術における蒸着マスクとスペーサの位置関係について説明する為の図である。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
図1は、本発明の実施形態に係る有機EL表示装置100の概略を示す図である。図に示すように、有機EL表示装置100は、上フレーム110及び下フレーム120に挟まれるように固定された有機ELパネル200を含むように構成されている。
図2は、図1の有機ELパネル200の構成を示す概略図である。図2に示すように、有機ELパネル200は、有機ELパネル200の外部から供給された画像信号に基づいて画像を表示する表示領域202と、表示領域202の周囲に配置された非表示領域と、を有する。非表示領域には、ドライバIC204と、垂直走査回路206と、端子部208と、電源線210と、走査線212と、画像信号線214と、が配置される。また、表示領域202には、電源線210と、走査線212と、画像信号線214と、サンプリングTFT(Thin Film Transistor)216と、保持容量218と、カソード電極220と、駆動TFT222と、有機EL素子224と、が配置される。
ドライバIC204は、例えば、画像信号線214に対して画素の階調値に対応する電流を流す。ドライバIC204によって、有機ELパネル200は、複数の画素によって構成される画像を、表示領域202に表示する。
端子部208は、有機ELパネル200の外部から電源や画像信号を供給するための端子が配置される。具体的には、端子部208は、ドライバIC204と電気的に接続された金属配線や、電源線210が配置される。そして、端子部208にFPC等が圧着されることによって、有機ELパネル200の外部から電源や画像信号が、FPCを介して有機ELパネル200に供給される。
電源線210は、非表示領域から表示領域202にかけて配置され、駆動TFT222と接続されて有機EL素子224に電流を供給する。具体的には、電源線210は、FPCを介して、外部から一定の電圧を印加される。また、電源線210は、駆動TFT222のソース端子またはドレイン端子と電気的に接続され、駆動TFT222がオン状態であるときに、有機EL素子224に電流を供給する。
走査線212は、非表示領域から表示領域202にかけて配置され、サンプリングTFT216のゲート端子と接続される。具体的には、走査線212は、垂直走査回路206とサンプリングTFT216のゲート端子とを電気的に接続し、垂直走査回路206から取得したゲート信号をサンプリングTFT216のゲート端子に供給する。
画像信号線214は、非表示領域から表示領域202にかけて配置され、サンプリングTFT216のソース端子又はドレイン端子の一方と接続される。具体的には、画像信号線214は、ドライバIC204とサンプリングTFT216のソース端子又はドレイン端子の一方とを電気的に接続し、ドライバIC204から供給された画像信号に応じた電圧をサンプリングTFT216のソース端子又はドレイン端子の一方に供給する。
垂直走査回路206は、各画素に配置されたサンプリングTFT216に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加する。具体的には、垂直走査回路206は、外部から供給された画像信号に基づいて、各画素に形成された有機EL素子224に電流を流すタイミングを生成し、当該タイミングに応じてサンプリングTFT216に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加する。
サンプリングTFT216は、有機EL素子224に電流を流すタイミングを制御する。具体的には、サンプリングTFT216は、ゲート端子に供給される走査線212の電圧に応じて、画像信号線214の電圧を保持容量218に供給することで、駆動TFT222に画像信号電圧を供給するタイミングを制御する。
保持容量218は、画像信号線214から供給された電圧を保持する。具体的には、保持容量218は、サンプリングTFT216がオン状態であるタイミングで、画像信号線214の電圧と同電位となる。その後、走査線212の電圧によって、サンプリングTFT216は、ソース端子とドレイン端子が電気的に遮断された状態となる。保持容量218は、次にサンプリングTFT216がオン状態となるまで、フローティング状態となるため、画像信号線214から供給された電圧を保持する。
カソード電極220は、有機EL素子224と電気的に接続される。具体的には、カソード電極220は、有機EL素子224と電気的に接続され、電源線210との間で電圧を印加されることにより、有機EL素子224に電流を供給する。
駆動TFT222は、サンプリングTFT216、保持容量218、電源線210、及び、有機EL素子224と接続される。具体的には、駆動TFT222のゲート端子は、サンプリングTFT216のソース端子又はドレイン端子、及び、保持容量218と電気的に接続される。駆動TFT222のソース端子又はドレイン端子の一方は、保持容量218及び電源線210と電気的に接続される。また、駆動TFT222のソース端子又はドレイン端子の他の一方は、有機EL素子224と電気的に接続される。そして、駆動TFT222は、保持容量218に印加された電圧に応じて、電源線210から供給される電流を有機EL素子224に供給する。
有機EL素子224は、電源線210から供給された電流によって発光する。具体的には、有機EL素子224は、保持容量218に保持された電圧に応じた電流が、駆動TFT222を介して電源線210から供給されることによって発光する。
[第1の実施形態]
続いて、表示領域202に形成される画素について説明する。図3は、第1の実施形態において、表示領域202に形成された画素の配置レイアウトについて概略的に示す図の一例である。
本実施形態における有機EL表示パネルは、複数の画素を有する。具体的には、有機EL表示パネルは、表示領域202に、それぞれ、赤色の光を発する赤色発光領域304を有する赤色副画素と、緑色の光を発する緑色発光領域306を有する緑色副画素と、青色の光を発する青色発光領域308を有する青色副画素と、をそれぞれ含む複数の画素を有する。各画素には、図面上左から順に、赤色副画素、緑色副画素、及び、青色副画素が配置される。
また、複数の画素は、第1画素300及び第2画素302を含み、第1画素300に含まれる青色副画素は、第2画素302に含まれる青色発光領域308に相当する領域の一部に、スペーサ310が設けられる。
具体的には、第2画素302に含まれる青色発光領域308は、第1画素300及び第2画素302に含まれる赤色発光領域304及び緑色発光領域306と同等の面積で形成される。一方、第1画素300に含まれる青色発光領域308は、第2画素302に含まれる青色発光領域308の上端部に相当する領域にスペーサ310が設けられる。従って、第1画素300の青色発光領域308は、第2画素302の青色発光領域308よりも小さくなる。
複数の画素は、それぞれ第1方向及び該第1方向と直行する第2方向に対してそれぞれ複数並んで配置される。具体的には、スペーサ310が設けられた第1画素300とスペーサ310が設けられていない第2画素302は、行方向(図3の右方向)及び列方向(図3の下方向)において、交互に配置される。なお、第1方向及び第2方向は、有機ELパネル200の行方向(図面上右方向)又は列方向(図面上下方向)であって、第1方向と第2方向のいずれが行方向であってもよい。
続いて、図3における第1画素300及び第2画素302のスペーサ310が配置された領域における断面構成について説明する。図4は、図3におけるIV−IV断面を示す図である。
図4に示すように、有機ELパネル200は、基板400と、基板400上に上側に向かって順に形成されたアンダーコート層402と、TFT回路層404と、アノード408と、リブ410と、赤色発光層412と、緑色発光層414と、カソード416と、スペーサ310と、封止膜418と、を含んで構成される。
アンダーコート層402は、例えば、絶縁材料で、基板400の表面にTFT回路層404のバッファ層として形成される。
TFT回路層404は、ソース配線、ドレイン配線、ゲート配線や半導体層を含んで構成されるトランジスタ406を有する。トランジスタ406は、図2に示すサンプリングTFT216または駆動TFT222である。なお、図4に示したソース配線がアノードと接続されたトランジスタは、駆動TFT222である。
アノード408は、駆動TFT222のソース配線又はドレイン配線の一方と接続される。具体的には、アノード電極は、駆動TFT222のソース配線又はドレイン配線の一方と電気的に接続され、駆動TFT222を介して電源線210から電流が供給される。
リブ410は、アノード408の周縁部を覆うように形成される。当該リブ410によって、アノード408とカソード416のショートを防止することができる。
赤色発光層412、緑色発光層414、及び、青色発光層(図示なし)は、アノード408の上層側に形成される。具体的には、赤色発光層412、緑色発光層414、及び、青色発光層は、ホール注入層、ホール輸送層、有機層、電子輸送層、及び、電子注入層、が積層されることによって形成される。有機層は、アノード408から注入されたホールと、カソード416から注入された電子とが再結合することにより発光する。
なお、図4に示す断面図では、第1画素300の青色発光層が形成される領域にスペーサ310が形成されているため、青色発光層が記載されていない。しかしながら、第1画素300の異なる位置及び第2画素302においては、青色副画素のアノード408の上層に青色発光層が形成される。
赤色発光層412に含まれる有機層は、赤色の光を発する有機材料を用いて形成される。同様に、緑色発光層414及び青色発光層に含まれる有機層は、それぞれ緑色及び青色の光を発する有機材料を用いて形成される。ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、及び、電子輸送層については従来技術と同様である為説明を省略する。
スペーサ310は、アノード408の上層に形成される。具体的には、スペーサ310は、第1画素300に含まれる青色副画素のアノード408の上層に、光を透過しない材料で形成される。当該スペーサ310によって、各発光層を蒸着によって形成する際に、蒸着マスクと既に蒸着された発光層との間の距離を確保することで、発光層に傷が生じる事態を防止する。
カソード416は、リブ410、スペーサ310並びに赤色発光層412、緑色発光層414及び青色発光層の上層に形成される。具体的には、例えば、カソード416は、リブ410、スペーサ310及び各発光層の上層にITO(Indium Tin Oxide)等の透明電極によって形成され、アノードとの間に電流を流すことによって、各発光層を発光させる。
封止膜418は、カソード416の上層に形成される。封止膜418は、水分等の有機EL素子224を劣化させる要因となる分子が各発光層に進入することを防止する。
上記のように、高精細でスペーサ310が発光領域に配置する場合であっても、視認性に対する影響の少ない青色副画素の発光領域にスペーサ310を配置することで、スペーサ310による表示品位の低下を低減させることができる。
[第2の実施形態]
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。第1の実施形態においては、各画素が、マトリクス状に配置される実施形態について説明したが、画素の配置レイアウトはこれに限られない。以下に、第2及び第3の実施形態について説明する。なお、第2及び第3の実施形態は、断面構成については、第1の実施形態と同様である為、当該説明を省略する。
図5は、第2の実施形態における、表示領域202に形成された画素の配置レイアウトについて概略的に示す図の一例である。
第2の実施形態において、複数の画素は、それぞれ第1方向、及び、該第1方向と直行する第2方向に対してそれぞれ複数並んで配置される。第1の実施形態と同様に、各画素には、図5の左側から順に赤色副画素、緑色副画素、及び、青色副画素が配置される。
第2方向のn番目に並ぶ各画素と、n+1番目に並ぶ各画素とは、第1方向に画素の幅の1/2ずれて配置される。具体的には、図5に示すように、列方向(図5の下方向)のn番目に行方向(図5の右方向)に並ぶ各画素と、列方向のn+1番目に行方向に並ぶ各画素は、行方向に画素の幅の1/2ずれて配置される。例えば、1行目に並ぶ各画素と、2行目に並ぶ各画素とは、行方向に画素の幅の1/2ずれて配置される。
また、第2方向のn番目に配置される画素は、第1方向に第1画素300と第2画素302が交互に配置される。具体的には、列方向のn番目に配置される画素は、行方向に第1画素300と第2画素302が交互に配置される。例えば、図5の1行目、3行目及び5行目に配置される画素は、行方向にスペーサ310が設けられた第1画素300とスペーサ310が設けられない第2画素302が交互に配置される。
さらに、第2方向のn+1番目に配置される画素は、第1方向に第2画素302が並べて配置される。具体的には、列方向のn+1番目に配置される画素は、行方向に第2画素302が並べて配置される。例えば、図5の2行目及び4行目に配置される画素は、行方向に、スペーサ310が設けられない第2画素302が並べて配置される。
上記のように、第2の実施形態で示す画素の配置レイアウトであっても、視認性に対する影響の少ない青色副画素の発光領域にスペーサ310を配置することで、スペーサ310による表示品位の低下を低減させることができる。
[第3の実施形態]
図6は、第3の実施形態における、表示領域202に形成された画素の配置レイアウトについて概略的に示す図の一例である。第3の実施形態において、複数の画素は、それぞれ第1方向、及び、該第1方向と直行する第2方向に対してそれぞれ並んで配置される。
第1画素300と第2画素302は、第1方向及び第2方向において、交互に配置される。具体的には、スペーサ310が設けられた第1画素300とスペーサ310が設けられていない第2画素302は、行方向(図6の右方向)及び列方向(図6の下方向)において、交互に配置される。
また、各画素において、青色副画素は、赤色副画素及び緑色副画素の第1方向側に配置され、緑色副画素は、赤色副画素の第2方向側に配置される。具体的には、第1画素300及び第2画素302において、青色副画素に含まれる青色発光領域308は、に含まれる赤色発光領域304及び緑色副画素に含まれる緑色発光領域306の行方向に配置される。
また、第2画素において、青色副画素は、スペーサ310の第2方向側に配置される。具体的には、第2画素において、青色副画素に含まれる青色発光領域308は、スペーサ310の列方向側、すなわち画素の右下部に配置される。なお、スペーサ310が、青色副画素の第2方向側に配置される構成としてもよい。この場合、青色副画素に含まれる青色発光領域308は、画素の右上部に配置される。
第1画素300及び第2画素302に含まれる青色発光領域308は、いずれも赤色発光領域304及び緑色発光領域306よりも大きく形成される。具体的には、第1画素300に含まれる赤色副画素は、各画素の左上側に配置され、緑色副画素は、各画素の左下側に配置される。
一方、青色副画素は、各画素の右側に形成され、赤色副画素及び緑色副画素の2倍程度の大きさで形成される。そのため、第2画素302に含まれる青色発光領域は、赤色発光領域304及び緑色発光領域306の2倍程度の大きさで形成される。
また、第2画素302に含まれる青色発光領域308も、第1画素300と同様に赤色発光領域304及び緑色発光領域306よりも大きく形成される。しかしながら、第1画素300に含まれる青色発光領域308は、第2画素302に含まれる青色発光領域308よりも、スペーサ310の面積だけ小さく形成される。
上記のように、第3の実施形態で示す画素の配置レイアウトであっても、視認性に対する影響の少ない青色副画素の発光領域にスペーサ310を配置することで、スペーサ310による表示品位の低下を低減させることができる。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
100 有機EL表示装置、110 上フレーム、120 下フレーム、200 有機ELパネル、202 表示領域、204 ドライバIC、206 垂直走査回路、208 端子部、210 電源線、212 走査線、214 画像信号線、216 サンプリングTFT、218 保持容量、220 カソード電極、222 駆動TFT、224 有機EL素子、300 第1画素、302 第2画素、304 赤色発光領域、306 緑色発光領域、308 青色発光領域、310 スペーサ、400 基板、402 アンダーコート層、404 TFT回路層、406 トランジスタ、408 アノード、410 リブ、412 赤色発光層、414 緑色発光層、416 カソード、418 封止膜、700 画素、702 蒸着マスク、704 異物。

Claims (4)

  1. 第1画素及び第2画素を含む複数の画素を有する有機EL表示装置であって、
    前記複数の画素は、それぞれ、赤色の光を発する赤色発光領域を有する赤色副画素と、緑色の光を発する緑色発光領域を有する緑色副画素と、青色の光を発する青色発光領域を有する青色副画素と、を含み、
    前記第1画素に含まれる青色副画素は、前記第2画素に含まれる青色発光領域に相当する領域の一部に、スペーサが設けられ
    前記スペーサによって、前記第1画素に含まれる青色発光領域は、前記第2画素に含まれる青色発光領域よりも小さいことを特徴とする有機EL表示装置。
  2. 前記複数の画素は、それぞれ第1方向及び該第1方向と直行する第2方向に対してそれぞれ複数並んで配置され、
    前記第1画素と前記第2画素は、前記第1方向及び第2方向において、交互に配置されることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
  3. 前記複数の画素は、それぞれ第1方向、及び、該第1方向と直行する第2方向に対してそれぞれ複数並んで配置され、
    前記第2方向のn番目に並ぶ前記各画素と、n+1番目に並ぶ前記各画素とは、前記第1方向に前記画素の幅の1/2ずれて配置され、
    前記第2方向のn番目に配置される画素は、前記第1方向に前記第1画素と前記第2画素が交互に配置され、
    前記第2方向のn+1番目に配置される画素は、前記第1方向に前記第2画素が並べて配置されることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
  4. 前記複数の画素は、それぞれ第1方向、及び、該第1方向と直行する第2方向に対してそれぞれ並んで配置され、
    前記第1画素と前記第2画素は、前記第1方向及び第2方向において、交互に配置され、
    前記各画素において、前記青色副画素は、前記赤色副画素及び前記緑色副画素の前記第1方向側に配置され、前記緑色副画素は、前記赤色副画素の前記第2方向側に配置され、
    前記第1画素及び前記第2画素に含まれる前記青色発光領域は、いずれも前記赤色発光領域及び前記緑色発光領域よりも大きい、ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
JP2016231113A 2016-11-29 2016-11-29 有機el表示装置 Active JP6842282B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016231113A JP6842282B2 (ja) 2016-11-29 2016-11-29 有機el表示装置
US15/822,814 US10411076B2 (en) 2016-11-29 2017-11-27 EL display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016231113A JP6842282B2 (ja) 2016-11-29 2016-11-29 有機el表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018088354A JP2018088354A (ja) 2018-06-07
JP6842282B2 true JP6842282B2 (ja) 2021-03-17

Family

ID=62190436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016231113A Active JP6842282B2 (ja) 2016-11-29 2016-11-29 有機el表示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10411076B2 (ja)
JP (1) JP6842282B2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10784238B2 (en) * 2017-03-08 2020-09-22 PlayNitride Inc. Display device including sub-pixel units of the same color type and different luminous areas
KR102344877B1 (ko) 2017-03-30 2021-12-30 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN108364988A (zh) * 2018-02-27 2018-08-03 京东方科技集团股份有限公司 触控显示基板及其制作方法、显示装置
CN111863889B (zh) * 2020-07-07 2022-07-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素排列结构、显示面板以及显示装置
KR20230107353A (ko) * 2020-11-23 2023-07-14 스냅 인코포레이티드 최적화된 전력 및 면적을 갖는 픽셀을 구동하기 위한 시스템 및 방법
KR20220086764A (ko) * 2020-12-16 2022-06-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2022141628A1 (zh) * 2021-01-04 2022-07-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及相关装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005100724A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd トップエミッション型有機el表示装置
JP5766422B2 (ja) * 2010-10-05 2015-08-19 株式会社Joled 有機el表示装置およびその製造方法
KR101845332B1 (ko) * 2011-06-13 2018-05-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102030799B1 (ko) * 2013-03-11 2019-10-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR20150005264A (ko) * 2013-07-05 2015-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150067624A (ko) 2013-12-10 2015-06-18 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR102205401B1 (ko) 2014-01-14 2021-01-21 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
US20150287767A1 (en) * 2014-04-08 2015-10-08 Apple Inc. Organic Light-Emitting Diode Display With Varying Anode Pitch
US9508778B2 (en) * 2014-04-25 2016-11-29 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
CN104576695B (zh) * 2014-12-22 2017-08-25 信利(惠州)智能显示有限公司 Oled像素排列结构及显示装置
CN104466007B (zh) * 2014-12-30 2017-05-03 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构及其显示方法、显示装置
WO2017042657A1 (en) * 2015-09-08 2017-03-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
US20180151637A1 (en) 2018-05-31
JP2018088354A (ja) 2018-06-07
US10411076B2 (en) 2019-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6842282B2 (ja) 有機el表示装置
JP6253541B2 (ja) 表示装置
US9590212B2 (en) Organic EL display device and method for manufacturing the organic EL display device
US11950462B2 (en) Display device
CN106067473A (zh) 显示装置
CN105655377A (zh) 显示装置
US10923558B2 (en) Display device and method of manufacturing display device
US10026786B2 (en) Display device
JP6872343B2 (ja) 表示装置および表示装置の製造方法
JP6223070B2 (ja) 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法
US20220165976A1 (en) Display device
WO2019187074A1 (ja) 表示デバイス
JP4254675B2 (ja) ディスプレイパネル
KR102291996B1 (ko) 표시 장치용 어레이 기판
CN1604169A (zh) 主动矩阵型显示装置
JP2015175921A (ja) 表示装置
CN1542719A (zh) 电致发光显示装置
US10559775B2 (en) Organic EL display device
US20230345802A1 (en) Organic electroluminescence display device and method of manufacturing the same
CN110476198B (zh) 显示装置
JP4706296B2 (ja) ディスプレイパネル
JP4217834B2 (ja) ディスプレイパネル
JP4192879B2 (ja) ディスプレイパネル
JP5792837B2 (ja) El表示装置の製造方法
JP6056073B2 (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201118

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201124

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210125

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210202

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6842282

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250