CN113766727B

CN113766727B - 柔性电路板及其制作方法

Info

Publication number: CN113766727B
Application number: CN202111032290.4A
Authority: CN
Inventors: 陈旺寿; 吴贵华
Original assignee: Shenzhen Shunhua Zhixian Technology Co ltd
Current assignee: Shenzhen Shunhua Zhixian Technology Co ltd
Priority date: 2021-09-03
Filing date: 2021-09-03
Publication date: 2022-04-29
Anticipated expiration: 2041-09-03
Also published as: CN113766727A

Abstract

本发明提供了一种柔性电路板及其制作方法，其中方法包括：选用柔性基材作为电路板的承载体；在所述承载体的上表面依次形成第一种子层、第一铜膜层和第一抗氧化层，以及在所述承载体的下表面形成金属膜层；所述第一种子层的厚度为10～200nm，所述第一铜膜层的厚度为5～100μm，所述第一抗氧化层的厚度为0.5～30μm；所述金属膜层的厚度为5.51～130.2μm。本方案能够降低热膨胀系数较大的承载体的形变量。

Description

柔性电路板及其制作方法

技术领域

本发明实施例涉及电路板技术领域，特别涉及一种柔性电路板及其制作方法。

背景技术

随着屏幕技术的发展，LED(Light Emitting Diode，LED)广告屏以其色彩鲜艳、动态范围广、亮度高、寿命长和工作稳定可靠等优点逐渐成为现代主流显示设备。柔性LED显示屏因其可满足多种造型(例如，可以为圆柱形、内弧型、飘带形、螺旋形等)而越来越受到关注。

发明内容

本发明提供了一种柔性电路板及其制作方法，能够降低柔性电路板的形变量。

第一方面，本发明提供了一种柔性电路板的制作方法，包括：

选用柔性基材作为电路板的承载体；

在所述承载体的上表面依次形成第一种子层、第一铜膜层和第一抗氧化层，以及在所述承载体的下表面形成金属膜层；

所述第一种子层的厚度为10～200nm，所述第一铜膜层的厚度为5～100μm，所述第一抗氧化层的厚度为0.5～30μm；所述金属膜层的厚度为5.51～130.2μm。

优选地，所述金属膜层在所述承载体的下表面自上而下依次包括：第二种子层、第二铜膜层和第二抗氧化层；

所述第二种子层的厚度为10～200nm，所述第二铜膜层的厚度为5～100μm，所述第二抗氧化层的厚度为0.5～30μm。

优选地，所述在所述承载体的上表面依次形成第一种子层、第一铜膜层和第一抗氧化层，以及在所述承载体的下表面形成金属膜层，包括：

在所述承载体的上表面通过磁控溅射法溅镀所述第一种子层；

在所述承载体的下表面通过磁控溅射法溅镀所述第二种子层；

通过酸性电镀法电镀或磁控溅射法溅镀得到所述第一铜膜层和所述第二铜膜层；

通过酸性电镀法电镀或磁控溅射法溅镀得到所述第一抗氧化层和所述第二抗氧化层。

优选地，在所述承载体的上表面依次形成第一种子层、第一铜膜层和第一抗氧化层，以及在所述承载体的下表面形成金属膜层之后，还包括：在所述承载体的上表面制作得到第一电路图案，在所述承载体的下表面制作得到第二电路图案。

优选地，所述第一电路图案与所述第二电路图案相同。

优选地，在所述承载体的上表面依次形成第一种子层、第一铜膜层和第一抗氧化层，包括：

在所述第一种子层上通过磁控溅射法溅镀或酸性电镀法电镀所述第一铜膜层；

在所述承载体的上表面制作第一电路图案；

在所述第一电路图案的非线路区域内填充蓝胶；

在所述第一电路图案的线路区域的表面上形成第一抗氧化层，并将填充的蓝胶去除。

优选地，在所述第一电路图案的非线路区域内填充蓝胶，包括：

根据所述第一电路图案对丝印网版进行镂空处理，使得所述丝印网版的镂空区域与所述第一电路图案的非线路区域相同；

将所述丝印网版与所述电路板对齐，使得所述丝印网版的镂空区域与所述第一电路图案的非线路区域对齐，使得所述丝印网版的非镂空区域遮盖住所述第一电路图案的线路区域；

将蓝胶通过所述丝印网版的镂空区域填充到所述第一电路图案的非线路区域内。

优选地，所述丝印网版的厚度为0.01～100μm。

优选地，还包括：根据所述第一电路图案，在所述电路板的上表面通过回流焊或波峰焊方式贴片LED灯珠。

第二方面，本发明提供了一种柔性电路板，采用上述任一项所述制作方法制成。

本发明实施例提供了一种柔性电路板及其制作方法，通过在承载体的下表面形成金属膜层，在高温形变恢复过程中，承载体上表面的第一种子层、第一铜膜层和第一抗氧化层同时对承载体的上表面产生拉力，此时金属膜层回对承载体的下表面产生拉力，且金属膜层对承载体下表面的拉力会抵消一部分上表面的拉力，如此使得上表面的拉力变小，从而降低热膨胀系数较大的承载体的形变量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一个实施例提供的一种电路板的结构示意图；

图2是本发明一个实施例提供的另一种电路板的结构示意图；

图3是本发明一个实施例提供的又一种电路板的结构示意图；

图4是本发明一个实施例提供的再一种电路板的结构示意图；

图5是本发明一个实施例提供的再一种电路板的结构示意图；

图6是本发明一个实施例提供的再一种电路板的结构示意图；

图中：1：承载体；2：第一种子层；3：第一铜膜层；4：第一抗氧化层； 5：金属膜层；6：蓝胶。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为便于理解本发明实施例，首先对本发明实施例的发明构思进行说明。

柔性LED显示屏选用柔性基材作为承载体，并在承载体上形成金属膜层，以得到柔性电路板。在电路板制作过程中，经常有高温烘烤工艺，由于承载体选用的是柔性基材，热膨胀系数较大，而金属膜层的热膨胀系数较小，两者在高温烘烤下的形变量不同，其中，金属膜层形变量小，柔性基材的形变量大，在降温之后，由于承载体被金属膜层拉住，导致形变量较大的承载体无法恢复原有形状，从而导致在焊接灯珠时，灯珠与焊接点定位不准，制作的电路板的良品率较低。考虑到金属膜层位于承载体的同一侧，在高温形变恢复过程中，金属膜层对承载体的一侧具有拉力，如果能够在承载体的另一侧也增加金属膜层，那么在高温形变恢复过程中，承载体两侧均有拉力，如此可以进行一部分的抵消，从而降低热膨胀系数较大的承载体的形变量。

下面为上述发明构思的实施方案。

第一方面，本发明提供了一种柔性电路板的制作方法，该方法可以包括：

S1：选用柔性基材作为电路板的承载体；

S2：在所述承载体的上表面依次形成第一种子层、第一铜膜层和第一抗氧化层，以及在所述承载体的下表面形成金属膜层；

本发明实施例中，通过在承载体的下表面形成金属膜层，在高温形变恢复过程中，承载体上表面的第一种子层、第一铜膜层和第一抗氧化层同时对承载体的上表面产生拉力，此时金属膜层回对承载体的下表面产生拉力，且金属膜层对承载体下表面的拉力会抵消一部分上表面的拉力，如此使得上表面的拉力变小，从而降低热膨胀系数较大的承载体的形变量。

下面描述上述各个步骤的执行方式。

首先针对步骤S1，选用柔性基材作为电路板的承载体。

在本发明一个实施例中，可以选用柔性玻璃(厚度≤0.2mm)、PET(涤纶树脂)、PA(聚酰胺)、CPI(无色透明聚酰亚胺)或PI(聚酰亚胺)等柔性基材作为电路板的承载体。

在本发明一些优选实施例中，承载体的厚度可以为0.02～8mm(例如0.02、 0.2、1、2、3、4、5、6、7或8mm)。

在本发明一个优选实施例中，为了提高承载体和电路之间的附着力，可以对承载体进行预处理，该预处理可以包括如下步骤：依次采用弱碱性清洗液(pH 为7.1～7.9)或弱酸性清洗液(pH为6.1～6.9)喷淋清洗、滚刷清洗、高纯水冲洗、风干和烘干。

然后针对步骤S2，在所述承载体的上表面依次形成第一种子层、第一铜膜层和第一抗氧化层，以及在所述承载体的下表面形成金属膜层。

在本发明一些优选实施例中，第一种子层采用的材料可以为铜、铜镍合金、铜钛合金、铜钼合金、铜铬合金中的一种或多种；铜膜层采用的材料为铜；第一抗氧化层采用的材料可以为镍、锡、金、银中的一种或多种。

第一种子层的第一个作用是作为第一铜膜层的种子层，为第一铜膜层的电镀工艺提供可导电膜层，保证后续工艺中能够将第一铜膜层电镀上；第一种子层的第二个作用是可以提高第一种子层以及第一铜膜层与承载体的附着力。第一铜膜层作为电路板的导电层。第一抗氧化层不仅对第一铜膜层进行抗氧化保护的作用，还具有助焊作用。

在本发明实施例中，为保证第一种子层能够实现上述第二个作用，第一种子层的厚度可以为10～200nm(例如10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190或200nm)；第一铜膜层的厚度可以为5～100μm(例如5、10、15、20、25、30、35、40、45、50、55、60、 65、70、75、80、85、90、95或100um)，第一铜膜层的厚度可以有效满足电路板需要低电阻或低阻抗要求，减少电路板的电流损失。经过大量创造性试验，第一种子层的厚度为10～200nm，若种子层太薄，那么种子层电阻较大，使得在后续电镀铜膜层时的电镀电流较小，导致电镀效果不好；并且，种子层太薄也会影响附着力。若种子层太厚，当承载体采用PET、PA、CPI或PI等柔性基材时，较厚的种子层将承载体拉的形变量较大，使得后续铜膜层在电镀时电镀的铜膜层不均匀，且影响后续灯珠的焊接定位。因此，当第一种子层的厚度为 10～200nm时，能很好地满足承载体与第一铜膜层之间的附着力要求，提高承载体与导电铜膜层之间的附着力，从而实现可以在承载体上电镀铜膜层，且焊盘拉拔力可以达到1N以上；并且，该厚度可以使得在电镀铜膜层时，加载足够大的电流来实现铜膜层的电镀工艺。考虑到第一抗氧化层的厚度若太薄，则在形成抗氧化层可能无法将铜线路覆盖住，且表面会凹凸不平，影响防氧化效果，且在后续焊接灯珠时，由于抗氧化层太薄，焊接时会将抗氧化层烧透，从而影响焊接效果；若抗氧化层的厚度太厚，虽然抗氧化效果显著提高，但是成本较高，且电路板整体厚度较大，空间占用较高。因此，基于上述问题考虑，经过大量创造性实验，得出抗氧化层的厚度可以为0.5～30μm(例如0.5、1、2、5、 8、10、12、15、18、20、22、25、28或30μm)。需要说明的是，当第一铜膜层的厚度在5～100μm的范围内处于较大厚度时，种子层的厚度也需要在 10～200nm的范围内适当增大，从而达到较优的附着力。

由于金属膜层的作用是给承载体的下表面产生拉力，为了保证承载体下表面和上表面受到的拉力相近或相同，承载体上表面上的第一种子层、第一铜膜层和第一抗氧化层的总厚度与所述金属膜层的厚度相近或相同。由于第一种子层、第一铜膜层、第一抗氧化层的总厚度为5.51～130.2μm，因此，该金属膜层的厚度为5.51～130.2μm。金属膜层的厚度与第一种子层、第一铜膜层、第一抗氧化层的总厚度可以相同，也可以不同，优选地，两者厚度相同。

优选地，由于第一种子层、第一铜膜层、第一抗氧化层、金属膜层均为金属材质，因此，为保证承载体的形变量处在可被接受的范围内，经过大量创造性试验，第一种子层、第一铜膜层和第一抗氧化层的总厚度与所述金属膜层的厚度之差的绝对值为0～30μm(例如0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、12、 15、18、20、22、25、28或30μm)。

在本发明一些优选实施例中，金属膜层可以为一层，也可以为两层或两层以上。考虑到电路板的制作成本以及制作工艺，当该金属膜层为一层时，该金属膜层采用的材料可以为铜、铜镍合金、铜钛合金、铜钼合金、铜铬合金中的一种或多种。当金属膜层为两层时，该金属膜层在承载体的下表面自上而下依次包括第二种子层和第二铜膜层。当金属膜层为三层时，该金属膜层在承载体的下表面自上而下依次包括第二种子层、第二铜膜层和第二抗氧化层，且第二种子层的厚度为10～200nm(例如10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190或200nm)，第二铜膜层的厚度为5～100μm(例如5、10、15、20、25、30、35、40、45、50、55、60、65、 70、75、80、85、90、95或100um)，第二抗氧化层的厚度为0.5～30μm(例如0.5、1、2、5、8、10、12、15、18、20、22、25、28或30μm)。可见，优选地，金属膜层包括的膜层数与承载体上表面的膜层数相等，各膜层顺序相同，且对应膜层的厚度相同或相近。第二种子层与第一种子层的厚度可以相同也可以不同，第二铜膜层与第一铜膜层的厚度可以相同也可以不同，第二抗氧化层的厚度与第一抗氧化层的厚度可以相同也可以不同。

当金属膜层在承载体的下表面自上而下依次包括第二种子层、第二铜膜层和第二抗氧化层时，在本发明一个实施例中，本步骤S2中各膜层的制作工艺可以包括：

S21a：在所述承载体的上表面通过磁控溅射法溅镀所述第一种子层。

S22a：在所述承载体的下表面通过磁控溅射法溅镀所述第二种子层。

在本发明实施例中，步骤S21a、S22a中的磁控溅射种子层的工艺条件为：溅射电源的总功率为1～20kW(例如1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、 13、14、15、16、17、18、19或20kW)，氩气压力为0.2～1.0Pa(例如0.2、0.3、 0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9或1.0Pa)，电路板承载体的温度为50～200℃(例如50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃、 150℃、160℃、170℃、180℃、190℃或200℃)。

S23a：通过酸性电镀法电镀或磁控溅射法溅镀得到所述第一铜膜层和所述第二铜膜层。

当采用磁控溅射法时，工艺条件与步骤S21a、S22a中的相同。

当采用酸性电镀法时，工艺条件可以为：pH值为3～6(例如3、4、5或6)， CuSO₄浓度为20～200g/L(例如20、30、40、50、60、70、80、90、100、110、 120、130、140、150、160、170、180、190或200g/L)，H₂SO₄浓度为100～300g/L (例如100、120、140、160、180、200、220、240、260、280或300g/L)，氯离子浓度为10～200ppm(例如10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、110、 120、130、140、150、160、170、180、190或200ppm)，温度为20～80℃(例如20℃、30℃、40℃、50℃、60℃、70℃或80℃)。

考虑到承载体上表面和下表面均形成了种子层，且第一铜膜层和第二铜膜层采用的材料均为单质铜，因此，本步骤S23a中可以优选采用酸性电镀法进行电镀，如此可以保证一次电镀过程即可同时得到第一铜膜层和第二铜膜层，不仅节省制作成本，还降低了制作复杂度，提高了制作效率。

S24a：通过酸性电镀法电镀或磁控溅射法溅镀得到第一抗氧化层和第二抗氧化层。

当采用磁控溅射法时，工艺条件与步骤S21a、S22a中的相同。

当采用酸性电镀法时，工艺条件可以为：pH值为3～6(例如3、4、5或6)， AgSO₄或NiSO₄或AuSO₄浓度为20～200g/L(例如20、30、40、50、60、70、 80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190或200g/L)， H₂SO₄浓度为100～300g/L(例如100、120、140、160、180、200、220、240、 260、280或300g/L)，氯离子浓度为10～200ppm(例如10、20、30、40、50、 60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190或200ppm)，温度为20～80℃(例如20℃、30℃、40℃、50℃、60℃、70℃或80℃)。

优选地，第一抗氧化层和第二抗氧化层采用的材料相同，本步骤S24a采用酸性电镀法进行电镀得到。

以上在执行完成S2得到电路板之后，在本发明一个实施例中，还可以包括：

S3：在所述承载体的上表面制作得到第一电路图案，在所述承载体的下表面制作得到第二电路图案。

在试验过程发现，电路板在经过高温之后的恢复过程中，承载体的上下表面上受到的拉力与上下表面的膜层厚度以及与承载体的接触面积有关。且制作电路图案的过程包括蚀刻工艺，因此，在承载体的上表面制作得到第一电路图案之后，上表面的金属膜层与承载体的接触面积会变小，那么对承载体向上表面一侧的拉力会发生变化，为了保证承载体两侧受到的拉力相同或相近，在承载体的下表面也制作得到第二电路图案，如此使得下表面的金属膜层与承载体的接触面积变小，使得金属膜层对承载体向下表面一侧的拉力更接近向上表面一侧的拉力，以进一步降低承载体的形变量，提高电路板的良品率。另外，由于承载体选用的柔性基材均为透明材质，将下表面也制作得到一个第二电路图案，可以使得电路板的通透性更大，透光率更高，由该电路板制成的LED显示屏在安装到楼宇外窗上时，降低对楼宇内采光的影响。

其中，第一电路图案、第二电路图案的制作工艺包括：

S31、涂布光刻胶；例如，在抗氧化层上涂布光刻胶层，光刻胶层的厚度可以为10～20微米；

S32、设计符合要求的菲林线路；例如，在光刻胶层上设计符合要求的菲林线路；

S33、曝光；对设计有菲林线路的光刻胶层进行曝光：曝光能量优选为 30～70mj/cm²；

S34、显影；将经过曝光的光刻胶层进行显影，所述显影可以采用如下工艺条件：显影时间可以为30～50s，温度为25～40℃，显影液为浓度为0.8～1.2wt％的NaCO₃·H₂O；

S35、蚀刻；例如可以置于酸性蚀刻液内蚀刻线路，蚀刻可以采用如下工艺条件：蚀刻液铜离子浓度为100～150g/L，氯离子浓度为150～200g/L，温度为 40～70℃，蚀刻线厚度可达到50um以上，宽度可达到20um以下；

S36、脱胶。将经过蚀刻的电路板进行脱胶处理，例如，可以采用NaOH对线路区域上的光刻胶进行脱胶。

在本发明一个优选实施例中，所述第一电路图案与所述第二电路图案相同。

第一电路图案与第二电路图案相同，表明承载体两侧的金属膜层(该金属膜层为电路图案的线路区域)与承载体不仅接触面积相同，且接触位置相对应，在电路板经过高温之后的恢复过程中，由于承载体两侧的电路板图案相同，因此承载体两侧的拉力点相同，如此每一个拉力点两侧的拉力可以相互抵消，若拉力点两侧的拉力相同，那么该拉力点则不会受到拉力不均的影响，该拉力点的形变会在降温后逐渐恢复原样。因此，当第一电路图案和第二电路图案相同时，可以保证承载体的形变量非常低。另外，由于承载体两侧的线路区域的位置相对应，非线路区域的位置相对应，且承载体为透明材质的柔性基材，光可以在非线路区域透过，使得电路板的透光率相对于承载体两侧的电路图案不同时更高，通透性更大，且形变量更低。

请参考图1，为承载体上表面的第一电路图案与下表面第二电路图案相同时的柔性电路板的结构示意图。该柔性电路板包括：承载体1、第一种子层2、第一铜膜层3、第一抗氧化层4、金属膜层5。

考虑到第一种子层与第一铜膜层所采用的材料铜相似，而抗氧化层采用的材料不包括铜，若将抗氧化层与种子层、铜膜层一同蚀刻，蚀刻工艺较复杂，且对蚀刻液的要求也太高，电路板的制作效率相对较低，因此，可以考虑在步骤S2中形成第一种子层、第一铜膜层和第一抗氧化层时，可以采用如下工艺实现：

S21b：在所述承载体的上表面通过磁控溅射法溅镀所述第一种子层。

本步骤S21b中的磁控溅射法与步骤S21a、S22a中的磁控溅射的工艺条件相同，在此不在赘述。

S22b：在所述第一种子层上通过磁控溅射法溅镀或酸性电镀法电镀所述第一铜膜层。

本步骤S22b中的磁控溅射法或酸性电镀法与S23a的工艺条件相同，在此不在赘述。

请参考图2，为执行完成S22b之后的柔性电路板的结构示意图(金属膜层未在图中示出)，该柔性电路板包括承载体1、第一种子层2和第一铜膜层3。

S23b：在所述承载体的上表面制作第一电路图案。

S24b：在所述第一电路图案的非线路区域内填充蓝胶。

针对步骤S23b和S24b的执行过程可以包括如下两种执行方式：

方式一、光刻胶去除后再执行蓝胶填充步骤。

方式二、蚀刻完成后执行蓝胶填充步骤，然后再执行去除光刻胶步骤。

下面对上述两种方式分别进行说明。

在方式一中，步骤S23b中制作第一电路图案的工艺与步骤S31～S36相同，不同之处在于步骤S31中是在第一铜膜层上涂布光刻胶层。

在该方式一中，由于第一种子层的材料为铜或铜合金，即采用了与第一铜膜层所采用的材料铜相似，在制作第一电路图案的蚀刻过程中，可以采用能够蚀刻铜的蚀刻液即可满足对第一种子层和第一铜膜层的蚀刻。当第一种子层为铜合金，且利用蚀刻液蚀刻第一种子层时，可以将第一种子层中的铜进行分解，铜合金中的镍、钛、钼或铬原子虽然未被分解，但处于分散的颗粒状，从而实现对第一种子层的蚀刻。可见，本方案中第一种子层采用铜、铜镍合金、铜钛合金、铜钼合金、铜铬合金中的一种或多种，铜膜层采用铜，可以降低蚀刻难度，降低成本，提高蚀刻效率，以及提高成品良率。

请参考图3，为执行完成S23b之后的柔性电路板的结构示意图(金属膜层未在图中示出)，该柔性电路板包括承载体1、第一种子层2和第一铜膜层3。

在该方式一中，在本发明一个实施例中，步骤24b至少可以如下一种方式实现：

A1：根据所述第一电路图案对丝印网版进行镂空处理，使得所述丝印网版的镂空区域与所述第一电路图案的非线路区域相同；

A2：将所述丝印网版与所述电路板对齐，使得所述丝印网版的镂空区域与所述第一电路图案的非线路区域对齐，使得所述丝印网版的非镂空区域遮盖住所述第一电路图案的线路区域；

A3：将蓝胶通过所述丝印网版的镂空区域填充到所述第一电路图案的非线路区域内。

在步骤A1中，对丝印网版进行镂空处理，目的是使得镂空处理后的丝印网版上形成的图案与第一电路图案一致，即镂空区域与第一电路图案的非线路区域相同(形状、尺寸均相同)，非镂空区域与第一电路图案的线路区域相同(形状、尺寸均相同)，如此，在利用丝印网版填充蓝胶时，能够保证蓝胶准确的被填充至电路板的非线路区域内，从而将非线路区域呈现出的承载体遮挡住。

在步骤A2中，将丝印网版与电路板对齐，使得丝印网版的镂空区域与第一电路图案的非线路区域对齐，丝印网版的非镂空区域遮盖住第一电路图案的线路区域。在对齐之后，可以将丝印网版与电路板压紧，避免在向非线路区域填充蓝胶时，蓝胶被挤入到丝印网版与电路板之间的缝隙内，导致线路区域的表面粘上蓝胶，影响抗氧化层的形成，导致抗氧化层与线路区域的接触面减小，甚至无法形成抗氧化层或抗氧化层与线路区域不接触，影响电路板成品率，降低电路板的使用寿命。因此，通过将丝印网版与电路板压紧，从而可以使得蓝胶仅能够填充入非线路区域，在将丝印网版取下蓝胶成型后，线路区域上没有蓝胶粘连，从而利于防氧化层的形成，提高电路板的使用寿命。

在步骤A3中，可以采用涂布、喷涂或印刷方式将蓝胶通过丝印网版的镂空区域填充到第一电路图案的非线路区域内。

需要说明的是，蓝胶需要将非线路区域填满，即蓝胶接触到承载体，如此可以保证在后续形成抗氧化层时，抗氧化层只存在线路区域的表面上，而不对其他区域造成影响。

在本发明一个实施例中，该丝印网版的厚度可以为0.01～100μm(例如0.01、0.02、0.05、0.1、0.2、0.5、1、2、5、8、10、20、30、40、50、60、70、80、 90或100μm)。考虑到若将蓝胶填充到非线路区域之后，若蓝胶的高度低于第一铜膜层的高度，那么在后续形成第一抗氧化层时，可能会使得相邻线路区域的第一抗氧化层相连，电路板通电使用时会造成线路短路，电路板使用寿命降低；因此，需要蓝胶的高度高于第一铜膜层，蓝胶的高度可以通过丝印网版的厚度来实现，比如，蓝胶的高度比铜膜层高0.01～100μm，当蓝胶将非线路区域填满之后，蓝胶的厚度为5.52～230.2μm。若丝印网版的厚度太厚，可能会影响与电路板的对齐，因此，丝印网版的厚度为0.01～100μm是经过大量创造性实验得出的。

在本发明一个实施例中，步骤A3之后，为了使得蓝胶快速成型，可以将电路板置于120～180℃(例如，120℃、130℃、140℃、150℃、160℃、170℃或 180℃)的温度下烘烤3～7分钟(例如3、4、5、6或7)，如此，对蓝胶进行烘烤，使得蓝胶快速成型，提高电路板的制作效率。

需要说明的是，除上述方式以外还可以不使用丝印网版，直接将蓝胶涂布或喷涂在非线路区域内，在将非线路区域填满之后，利用刮刀将铜膜层的线路区域上粘连的蓝胶刮除，防止影响后续形成抗氧化层的过程。

请参考图4，为执行完成S24b之后的柔性电路板的结构示意图(金属膜层未在图中示出)，该柔性电路板包括承载体1、第一种子层2、第一铜膜层3和蓝胶6。

以上是对方式一的说明，接下来对方式二进行说明。

在方式二中，步骤S23b中制作第一电路图案的工艺包括上述步骤S31～S35，但步骤S31中是在第一铜膜层上涂布光刻胶层。

在该方式二中，当执行完成S23b制作得到第一电路图案之后，执行S24b 在第一电路图案的非线路区域内填充蓝胶，在该方式二中，执行S24b的方式与步骤A1-A3相同，具体请参考步骤A1-A3，在此不在赘述。

可见，在制作第一电路图案的工艺中，蚀刻之后并未对线路区域上的光刻胶进行脱胶处理，如此在执行S24b时，一方面由于光刻胶是成型状态，蓝胶为未成型状态，且两者为不同的有机物，因此可以避免蓝胶对光刻胶的粘连，另一方面，若存在蓝胶粘连到线路区域的边缘处的情况，由于线路区域上还存在光刻胶，在蓝胶填充完成之后，将制作第一电路图案工艺中涂布的光刻胶进行脱胶处理，此时对光刻胶可以优选地采用机械脱胶方式，如此在将光刻胶脱胶之后，粘连在光刻胶上的未成型蓝胶可以随着光刻胶一同被机械脱下，从而使得脱光刻胶后的线路区域上光洁无蓝胶粘连，便于抗氧化层的形成，进而提高电路板良品率。

在本发明一个实施例中，在将光刻胶脱胶处理之后，为了使得蓝胶快速成型，可以将电路板置于120～180℃(例如，120℃、130℃、140℃、150℃、160℃、 170℃或180℃、)的温度下烘烤3～7分钟(例如3、4、5、6或7分钟)，如此，对蓝胶进行烘烤，使得蓝胶快速成型，提高电路板的制作效率。

以上完成了对方式二的说明。

S25b：在所述第一电路图案的线路区域的表面上形成第一抗氧化层，并将填充的蓝胶去除。

本发明一个实施例中，形成第一抗氧化层的方式至少可以采用酸性电镀法来实现，本步骤S25b与S24a中的酸性电镀法的工艺条件相同，在此不在赘述。

由于蓝胶将非线路区域填满，第一种子层不会暴漏在外面、第一铜膜层的侧面也不会暴漏在外面，暴漏在外面的只有金属区域(即蚀刻后的第一铜膜层) 的表面，且由于蓝胶为有机物因此不会导电，因此在酸性电镀过程中，镍、锡、金、银中的一种或多种只会被电镀到线路区域的表面上，如此在线路区域的表面上形成第一抗氧化层。

需要说明的是，本步骤S25b中除上述酸性电镀法形成第一抗氧化层以外，还可以使用其它方法，比如喷涂防氧化漆，在喷涂防氧化漆之后，防氧化漆全干之前，可以将蓝胶去除，以防止喷涂的防氧化漆全干之后，影响蓝胶的去除。

请参考图5，为形成第一抗氧化层之后的柔性电路板的结构示意图(金属膜层未在图中示出)，该柔性电路板包括承载体1、第一种子层2、第一铜膜层3、蓝胶6和第一抗氧化层4。

在本发明一个实施例中，去除蓝胶的方式可以采用有机溶剂溶解的方式，也可以采用机械脱模方式。

优选地，可以采用1.5～2.5kg/cm²(例如，1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2.0、2.1、2.2、2.3 、2.4或2.5kg/cm²)的拉力进行机械脱膜。由于蓝胶成型后，采用机械脱模方式，在外力作用下，成型的蓝胶可以被大面积的拉出，从而可以提高蓝胶去除的速度，无需使用有机溶剂，降低了电路板的制作成本。

需要说明的是，无论承载体下表面的金属膜层为几层，承载体的上表面的各个膜层均可以按照步骤S21b～S25b实现，若金属膜层与承载体上表面的各个膜层相同，那么同样也可以按照该步骤S21b～S25b实现。考虑到承载体的下表面无需焊接灯珠，因此，可以不对下表面的金属膜层进行抗氧化处理，承载体下表面的金属膜层只包括一层铜或铜合金膜层，或者只包括第二种子层和第二铜膜层，不仅可以降低制作工艺的复杂度，还可以降低成本，提高制作效率。

在本发明一个实施例中，当执行完S2之后得到柔性电路板之后，还可以包括：根据所述第一电路图案，在所述柔性电路板的上表面通过回流焊或波峰焊方式贴片LED灯珠。

本方案中，由于承载体的下表面形成金属膜层，因此在本步骤贴片LED灯珠的过程中经过高温烘烤之后，在降温恢复阶段，由于承载体的两侧均有拉力，因此两侧拉力可以进行抵消，从而能够使得承载体的形变逐渐恢复，形变量较低。

第二方面，本发明提供了一种柔性电路板，采用上述制作方法制成。如图6 所示，所述电路板包括承载体1、第一种子层2、第一铜膜层3、第一抗氧化层 4和金属膜层5。

该电路板具有如下一个或多个性质：

电路板的线路厚度不低于50μm；

电路板的线路板线宽为0.05～10000μm；

通透度大于90％，每平方米内的LED灯珠数量在1万颗以上，亮度在7000 流明以上，防氧化寿命在3年以上，形变量在0.3％左右。

以下是本发明列举的几个实施例。

实施例1

S1，以涤纶树脂作为电路承载体，将涤纶树脂依次经弱碱清洗液(pH为7.1) 喷淋清洗、滚刷清洗、高纯水冲洗、风干和烘干处理，备用。

S2，在涤纶树脂的上表面和下表面均通过磁控溅射工艺溅镀得到第一种子层(单质铜)和第二种子层(单质铜)，第一种子层和第二种子层的均厚度为 10nm，工艺条件为：溅射电源功率密度2kw/cm²，氩气压力0.6Pa，电路板载体温度为150℃；

通过酸性电镀工艺在第一种子层的表面和第二种子层的表面均电镀得到第一铜膜层和第二铜膜层，厚度均为5μm，工艺条件为：pH值为3，CuSO₄浓度为20g/L，H₂SO₄浓度为160g/L，氯离子浓度为100ppm，温度为30℃。

通过酸性电镀工艺在第一铜膜层的表面和第二铜膜层的表面均电镀得到第一抗氧化层和第二抗氧化层，厚度均为10μm，工艺条件为pH值为4，NiSO₄浓度为40g/L，H₂SO₄浓度为160g/L，氯离子浓度为100ppm，温度为30℃。

S3，在第一抗氧化层和第二抗氧化层上均涂布光刻胶，厚度为10μm，设计符合客户要求的菲林线路，安装于曝光机进行曝光，曝光能量为30mj/cm²；完成曝光后进入显影工序，显影时间为30s,温度为25℃，显影液为浓度0.8wt％的NaCO₃.H₂O；完成显影后进入蚀刻工序，蚀刻液铜离子浓度100g/L，氯离子浓度150g/L，温度40℃，蚀刻线宽为20微米，厚度为50微米；完成蚀刻后进行脱光刻胶工序，采用NaOH进行脱胶，在涤纶树脂上表面得到第一电路图案，在涤纶树脂下表面得到第二电路图案，第一电路图案和第二电路图案相同。

S4，在上述得到的电路板上表面采用SMT技术，贴合LED灯珠，制作成 LED显示屏。电路板的通透度可达90％以上，膜层抗拉拔力为1N，每平方米内的LED灯珠数量在1万颗以上，亮度在7000流明以上，整体显示屏的分辨率可以提高到P10水平；防氧化寿命可达3年以上；良品率可达97％；形变量在 0.28％以内。

本发明实施例中，防氧化寿命测试结果通过如下方式得到：通过在高温高湿(温度80度，湿度80％)环境中连续测试15天以上，相当于三年以上的测试效果。

实施例2

S1，以聚酰胺作为电路承载体，将聚酰胺依次经弱酸清洗液(pH为6.2) 喷淋清洗、滚刷清洗、高纯水冲洗、风干和烘干处理，备用。

S2，在聚酰胺的上表面通过磁控溅射工艺溅镀铜镍合金膜层，厚度为20nm，工艺条件为：溅射电源功率密度3kw/cm²，氩气压力0.7Pa，电路板载体温度为 150℃；

在铜镍合金膜层的表面通过酸性电镀工艺电镀铜膜层，厚度为10μm，工艺条件为：pH值为4，CuSO₄浓度为30g/L，H₂SO₄浓度为140g/L，氯离子浓度为80ppm，温度为30℃；

在铜膜层的表面通过酸性电镀工艺电镀抗氧化层，厚度均为5μm，工艺条件为pH值为3，AgSO₄浓度为40g/L，H₂SO₄浓度为160g/L，氯离子浓度为100 ppm，温度为30℃；

在聚酰胺的下表面通过磁控溅射工艺溅镀铜膜层，厚度为15μm，工艺条件为：溅射电源功率密度3kw/cm²，氩气压力0.7Pa，电路板载体温度为150℃。

S3，聚酰胺上表面的抗氧化层上以及聚酰胺下表面的铜膜层上均涂布光刻胶，厚度为10μm，设计符合客户要求的菲林线路，安装于曝光机进行曝光，曝光能量为70mj/cm²；完成曝光后进入显影工序，显影时间为50s,温度为40℃，显影液为浓度1.2wt％的NaCO₃.H₂O；完成显影后进入蚀刻工序，蚀刻液铜离子浓度150g/L，氯离子浓度200g/L，温度70℃，蚀刻线宽为20微米，厚度为50 微米；完成蚀刻后进行脱光刻胶工序，采用NaOH进行脱胶，在聚酰胺的上表面得到第一电路图案，在涤纶树脂下表面得到第二电路图案，第一电路图案和第二电路图案相同。

S4，在上述得到的电路板上采用SMT技术，贴合LED灯珠，制作成LED 显示屏。电路板的通透度可达90％以上，膜层抗拉拔力为1N，每平方米内的LED 灯珠数量在1万颗以上，亮度在7000流明以上，整体显示屏的分辨率可以提高到P10水平；防氧化寿命可达3年以上；良品率可达97％，形变量在0.3％以内。

实施例3

S1，以无色透明聚酰亚胺作为电路承载体，将无色透明聚酰亚胺依次经弱酸清洗液(pH为6.7)喷淋清洗、滚刷清洗、高纯水冲洗、风干和烘干处理，备用。

S2，在无色透明聚酰亚胺的上表面和下表面均通过磁控溅射工艺溅镀得到第一种子层(单质铜)和第二种子层(单质铜)，第一种子层和第二种子层的均厚度为20nm，工艺条件为：溅射电源功率密度2kw/cm²，氩气压力0.6Pa，电路板载体温度为150℃；

通过酸性电镀工艺在第一种子层的表面和第二种子层的表面均电镀得到第一铜膜层和第二铜膜层，厚度均为20μm，工艺条件为：pH值为5，CuSO₄浓度为20g/L，H₂SO₄浓度为160g/L，氯离子浓度为100ppm，温度为30℃。

在第一铜膜层和第二铜膜层上均涂布光刻胶，厚度为10μm，设计符合客户要求的菲林线路，安装于曝光机进行曝光，曝光能量为30mj/cm²；完成曝光后进入显影工序，显影时间为30s,温度为25℃，显影液为浓度0.8wt％的 NaCO₃.H₂O；完成显影后进入蚀刻工序，蚀刻液铜离子浓度100g/L，氯离子浓度150g/L，温度40℃，蚀刻线宽为20微米，厚度为50微米；完成蚀刻后进行脱光刻胶工序，采用NaOH进行脱胶，在涤纶树脂上表面得到第一电路图案，在涤纶树脂下表面得到第二电路图案，第一电路图案和第二电路图案相同。

准备厚度为0.2μm的丝印网版，根据电路图案对丝印网版进行镂空处理，使得丝印网版的镂空区域与电路图案的非线路区域相同；将丝印网版先与电路板的上表面对齐，将蓝胶通过丝印网版的镂空区域填充到第一电路图案的非线路区域内，使得蓝胶填满非线路区域，蓝胶比铜膜层的高0.2μm，然后将丝印网版先与电路板的下表面对齐，将蓝胶通过丝印网版的镂空区域填充到第二电路图案的非线路区域内，使得蓝胶填满非线路区域，蓝胶比铜膜层的高0.2μm，最后将电路板至于150℃的温度下烘烤5分钟。

在线路区域的表面通过酸性电镀工艺电镀镍膜层，厚度为1μm，工艺条件为：pH值为3，NiSO₄浓度为20g/L，H₂SO₄浓度为160g/L，氯离子浓度为100 ppm，温度为30℃。

采用2.5kg/cm2的拉力将蓝膜拉出，得到电路板。

S3，在上述得到的电路板上表面采用SMT技术，贴合LED灯珠，制作成 LED显示屏。电路板的通透度可达90％以上，膜层抗拉拔力为1N，每平方米内的LED灯珠数量在1万颗以上，亮度在7000流明以上，整体显示屏的分辨率可以提高到P10水平；防氧化寿命可达3年以上；良品率可达99％；形变量在 0.28％以内。

实施例4

与实施例1基本相同，不同之处包括：

S1中承载体为聚酰亚胺；

S2中第一种子层厚度为100nm，第一铜膜层厚度为50μm，第一抗氧化层厚度为20μm。

S4中在得到的电路板上表面采用SMT技术，贴合LED灯珠，制作成LED 显示屏。电路板的通透度可达90％以上，膜层抗拉拔力为1N，每平方米内的LED 灯珠数量在1万颗以上，亮度在7000流明以上，整体显示屏的分辨率可以提高到P10水平；防氧化寿命可达3年以上；良品率可达97％；形变量在0.38％以内。

实施例4

与实施例2基本相同，不同之处包括：

S2中在聚酰胺的下表面通过磁控溅射工艺溅镀铜膜层，厚度为1μm。

S4，在上述得到的电路板上采用SMT技术，贴合LED灯珠，制作成LED 显示屏。电路板的通透度可达90％以上，膜层抗拉拔力为1N，每平方米内的LED 灯珠数量在1万颗以上，亮度在7000流明以上，整体显示屏的分辨率可以提高到P10水平；防氧化寿命可达3年以上；良品率可达97％，形变量在0.4％以内。

除了上述实施例，本发明实施例还制作了对比样品，制作方法见对比例1 和对比例2。

对比例1

S1，准备承载体，同实施例1。

S2，在承载体上表面依次形成第一种子层、第一铜膜层、第一抗氧化层，对第一种子层、第一铜膜层、第一抗氧化层进行制作电路图案的工艺，得到电路板。形成工艺和厚度参数等均同实施例1。

S3，在上述得到的电路板上表面采用SMT技术，贴合LED灯珠，制作成 LED显示屏。由于该电路板仅在上表面存在各膜层，在制作得到LED显示屏之后电路板的形变量在1％以上，且良品率将为95％，比实施例1的良品率和形变量均大大降低。

对比例2

S1，准备承载体，同实施例1。

S2，在承载体上表面依次形成第一种子层、第一铜膜层、第一抗氧化层，对第一种子层、第一铜膜层、第一抗氧化层进行制作电路图案的工艺，得到电路板。第一种子层厚度为50nm，第一铜膜层厚度为50μm，第一抗氧化层的厚度为10μm。

S3，在上述得到的电路板上表面采用SMT技术，贴合LED灯珠，制作成 LED显示屏。由于承载体上表面各膜层厚度相对于对比例1中各膜层厚度均增加，使得形变量为1.3％，相对于对比例1，该对比例2的形变量变大了0.3％，良品率降低为90％。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个…”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同因素。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储在计算机可读取的存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质中。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims

1.一种柔性电路板的制作方法，其特征在于，包括：

选用柔性基材作为电路板的承载体；

所述第一种子层的厚度为10～200nm，所述第一铜膜层的厚度为5～100μm，所述第一抗氧化层的厚度为0.5～30μm；所述金属膜层的厚度为5.51～130.2μm；

在所述承载体的上表面依次形成第一种子层、第一铜膜层和第一抗氧化层，以及在所述承载体的下表面形成金属膜层之后，还包括：在所述承载体的上表面制作得到第一电路图案，在所述承载体的下表面制作得到第二电路图案；

所述第一电路图案与所述第二电路图案相同；

所述承载体上表面由所述第一种子层、第一铜膜层和第一抗氧化层组成的金属膜层与所述承载体的接触面积，为所述第一电路图案的线路区域与所述承载体的接触面积；

所述承载体下表面的金属膜层与所述承载体的接触面积为所述第二电路图案的线路区域与所述承载体的接触面积；

所述第一电路图案的线路区域与所述承载体的接触面积，和所述第二电路图案的线路区域与所述承载体的接触面积相同，且接触位置相对应。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属膜层在所述承载体的下表面自上而下依次包括：第二种子层、第二铜膜层和第二抗氧化层；

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述承载体的上表面依次形成第一种子层、第一铜膜层和第一抗氧化层，以及在所述承载体的下表面形成金属膜层，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述承载体的上表面依次形成第一种子层、第一铜膜层和第一抗氧化层，包括：

在所述承载体的上表面制作第一电路图案；

在所述第一电路图案的非线路区域内填充蓝胶；

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述第一电路图案的非线路区域内填充蓝胶，包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述丝印网版的厚度为0.01～100μm。

7.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，还包括：根据所述第一电路图案，在所述电路板的上表面通过回流焊或波峰焊方式贴片LED灯珠。

8.一种柔性电路板，其特征在于，由权利要求1-7中任一所述的方法制作得到。