CN113764357B - 导电模块的封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种导电模块的封装结构，导电模块的封装结构包括：导电模块的封装结构包括：基板，具有上表面和与上表面相对设置的下表面，基板还包括侧面；模块电路，设置在上表面上；下表面焊盘组件，设置在下表面上；侧面导电层，设置在侧面上，侧面导电层与模块电路和下表面焊盘组件连接，模块电路通过侧面导电层与下表面焊盘组件导通。封装结构省去了下表面设置的导电层以及相关的元器件，这样避免了DBC陶瓷基板上下表面均设置导电层以及相关的元器件所导致的导体之间存在较大的杂散电容的问题；这样使得本申请中的封装结构具有产生的杂散电容较小，能够运用于高频领域的优点。实现了降低导电模块的封装结构的杂散电感和寄生电感。
Description
技术领域
本发明涉及导电模块的封装技术领域，具体而言，涉及一种导电模块的封装结构。
背景技术
目前，功率半导体器件,是电力电子技术的核心，广泛应用在电动汽车、电力电子器件、光伏逆变器、微波和开关电源中。伴随对开关频率、功率密度等要求的不断提高，功率半导体器件逐渐向着高开关频化、小型化、高集成度、大功率密度特性发展，特别是多个绝缘栅双极晶体管与FWD二极管组成的大功率模组是行业的发展主要趋势。模块内部结构之间会产生诸多杂散参数，这些杂散参数存在会影响功率模组的控制电路及其它电力设备的控制电路的安全运行。
相关技术中采用DBC陶瓷基板的导电模块封装结构，DBC陶瓷基板是上下平行的铜层结构，不可避免在导体之间存在较大的杂散电容，从而产生较高的杂散参数。另外，为了实现DBC陶瓷基板与外部电路的互连，需要在基板的上铜层上设置外接端子和母排，外接端子和母排的杂散电感效应尤其明显。因此较高的杂散参数制约了DBC陶瓷基板在高频领域的应用。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
为此，本发明的一个目的在于提供一种导电模块的封装结构。
为了实现上述目的，本发明的实施例提供了一种导电模块的封装结构，导电模块的封装结构包括：基板，具有上表面和与上表面相对设置的下表面，基板还包括侧面，侧面与上表面和下表面连接，且位于上表面和下表面之间；模块电路，设置在上表面上；下表面焊盘组件，设置在下表面上；侧面导电层，设置在侧面上，侧面导电层与模块电路和下表面焊盘组件连接，模块电路通过侧面导电层与下表面焊盘组件导通。
在该技术方案中，由于侧面导电层与模块电路和下表面焊盘组件连接，模块电路通过侧面导电层与下表面焊盘组件导通，侧面导电层又设置在基板的侧面上。这样侧面导电层实现了设置在上表面的模块电路与设置在下表面的下表面焊盘组件的垂直互连，从而确保导电模块中的各个组成元件能够按照设计要求连接导通，进而确保导电模块能够正常地工作。下表面焊盘组件替代了相关技术中的外接端子和母排端子，可以起到焊接固定，以及与电源端的电路互连的作用。与相关技术中采用DBC陶瓷基板的导电模块封装结构相比，本申请中的封装结构省去了下表面设置的导电层以及相关的元器件，这样避免了DBC陶瓷基板上下表面均设置导电层以及相关的元器件所导致的导体之间存在较大的杂散电容的问题，这样使得本申请中的封装结构产生的杂散电容和杂散电感较小，能够运用于高频领域的优点。
同时，依照互连需要，在基板侧面设置了侧面导电层，使基板上、下表面实现了导电互连，设置下表面焊盘组件替代了外接端子和母排端子，这样使得本申请中的封装结构具有较小的杂散电感，低的杂散电容及杂散电感使该封装结构具有能够运用于高频领域的优点。
另外，本发明提供的上述实施例中的导电模块的封装结构还可以具有如下附加技术特征：
在上述技术方案中，模块电路包括：芯片导电层，设置在基板的上表面上；芯片组，具有顶部端口和底部端口，芯片组设置在芯片导电层上，底部端口与芯片导电层连接导通；互连导电层，与芯片导电层和侧面导电层连接导通；上表面焊盘组件，与顶部端口导通，上表面焊盘组件与芯片导电层间隔设置。
在该技术方案中，芯片导电层、芯片组、互连导电层和上表面焊盘组件之间形成一条导通通路，这样使得外部电信号能够在输入芯片组进行处理，并将处理后的电信号通过导通通路输出，从而确保芯片组能够正常地工作，进而满足封装结构的功能要求。
在上述任一技术方案中，芯片组包括功率半导体芯片和与功率半导体芯片并联连接的二极管芯片，底部端口包括第一底部端口和第二底部端口，第一底部端口设置在功率半导体芯片的底部，第二底部端口设置在二极管芯片的底部。
在该技术方案中，功率半导体芯片和二极管芯片的底部端口，即第一底部端口和第二底部端口，通过芯片导电层进行了连接导通，这样确保侧面导电层能够将功率半导体芯片和二极管芯片的底部端口与下表面焊盘组件导通，这样确保外部的电信号能够输入到芯片组进行处理，从而满足封装结构的功能要求。
在上述任一技术方案中，顶部端口包括第一顶部端口和第二顶部端口，第一顶部端口设置在功率半导体芯片的顶端，第二顶部端口设置在二极管芯片的顶端。
在该技术方案中，通过设置第二顶部端口能够将二极管芯片处理后的电信号输出，通过设置第一顶部端口能够将外部的控制电信号输入，并将功率半导体芯片处理后的电信号输出，这样使得芯片组能够正常地工作，从而满足封装结构的功能要求。
在上述任一技术方案中，第一顶部端口还包括第一顶部控制端口和第一顶部交互端口。
在该技术方案中，通过设置第一顶部控制端口能够将外部的控制电信号输入，通过设置第一顶部交互端口能够将功率半导体芯片处理后的电信号输出，这样使得芯片组能够正常地工作，从而满足封装结构的功能要求。
在上述任一技术方案中，模块电路还包括键合线，键合线设置在基板的上表面上，模块电路的顶部端口通过键合线与上表面焊盘组件连接导通。
在该技术方案中，键合线具有连接导通功能，能够将模块电路的顶部端口与上表面焊盘组件连接导通，这样方便侧面导电层将芯片组与下表面焊盘组件导通，从而使得芯片组能够正常地工作，进而满足封装结构的功能要求。
在上述任一技术方案中，下表面焊盘组件包括第一下表面焊盘和第二下表面焊盘，第一下表面焊盘与模块电路的互连导电层导通，第二下表面焊盘与上表面焊盘组件导通。
在该技术方案中，第一下表面焊盘作为外部电信号输入端，用于外部电信号的输入，这样确保外部电信号能够输入到芯片组进行处理。与第一上表面焊盘导通的第二下表面焊盘作为电信号输出端，用于将经过芯片组处理后电信号输出，与第二上表面焊盘导通的第二下表面焊盘作为外部控制电信号的输入端，用于外部控制电信号输入，这样确保外部控制电信号能够输入到芯片组。从而确保芯片组能够正常地工作，进而满足封装结构的功能要求。
在上述任一技术方案中，上表面焊盘组件包括第一上表面焊盘和第二上表面焊盘，第一上表面焊盘与模块电路的第一顶部交互端口和模块电路的第二顶部端口导通，第二上表面焊盘与模块电路的第一顶部控制端口导通。
在该技术方案中，第一上表面焊盘能够将经过芯片组处理的后的电信号输入侧面导电层，这样确保上述电信号能够输入到下表面焊盘组件，从而方便上述电信号的输出，进而满足封装结构的功能要求。
在上述任一技术方案中，导电模块的封装结构包括两个模块电路，两个模块电路在基板的长度方向上间隔设置，其中一个模块电路的第一上表面焊盘与另一个模块电路的芯片导电层连接导通。
在该技术方案中，通过两组芯片组实现对外部电信号的处理功能，这样使得封装结构的处理能力更强，从而能够满足封装结构的功能要求。
在上述任一技术方案中，基板采用导热绝缘材料制成，和/或侧面导电层采用金属或者非金属的导电材料制成。
在该技术方案中，基板采用导热绝缘材料制成，这样使得基板能够满足大功率模组高散热的要求，进而确保封装结构能够适用于大功率模组封装，从而增大了封装结构的适用范围。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1示出了根据本发明实施例一的导电模块的封装结构的立体结构示意图；
图2示出了图1中的导电模块的封装结构的另一个角度的立体结构示意图；
图3示出了根据本发明实施例二的导电模块的封装结构的立体结构示意图；
图4示出了图3中的导电模块的封装结构(具有绝缘层)的立体结构示意图；
图5示出了根据本发明的一个实施例的导电模块的封装结构的使用场景的结构示意图；
图6示出了本发明实施例的封装结构的制造方法流程图。
其中，图1至图5中附图标记与部件名称之间的对应关系为：
10、基板；12、上表面；14、下表面；16、侧面；20、模块电路；21、键合线；22、芯片导电层；24、芯片组；242、顶部端口；2422、第一顶部端口；2424、第二顶部端口；2428、第一顶部控制端口；2429、第一顶部交互端口；244、底部端口；2442、第一底部端口；2444、第二底部端口；246、功率半导体芯片；248、二极管芯片；26、互连导电层；28、上表面焊盘组件；282、第一上表面焊盘；284、第二上表面焊盘；30、下表面焊盘组件；32、第一下表面焊盘；34、第二下表面焊盘；40、侧面导电层；50、绝缘层，60、线路板，70、I/O接口，80、控制系统。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
需要说明的是，本申请中的DBC(英文全称：Direct Bonding Copper)陶瓷基板指的是覆铜陶瓷基板。IGBT(英文全称：Insulated Gate Bipolar Transistor)芯片指的是绝缘栅双极晶体管芯片，FWD(英文全称：Freewheeling diode)二极管指的是续流二极管，MOSFET(英文全称：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)金属-氧化物半导体场效应晶体管。
下面参照图1至图6描述根据本发明一些实施例的导电模块的封装结构和封装结构的制造方法。
如图1至图4所示，本发明及本发明的实施例提供了一种导电模块的封装结构，包括基板10、模块电路20、下表面焊盘组件30和侧面导电层40。其中，基板10具有上表面12和与上表面12相对设置的下表面14，基板10还包括侧面16，侧面16与上表面12和下表面14连接，且位于上表面12和下表面14之间。模块电路20设置在上表面12上，下表面焊盘组件30设置在下表面14上。侧面导电层40设置在侧面16上，侧面导电层40与模块电路20和下表面焊盘组件30连接，模块电路20通过侧面导电层40与下表面焊盘组件30导通。
上述设置中，由于侧面导电层40与模块电路20和下表面焊盘组件30连接，模块电路20通过侧面导电层40与下表面焊盘组件30导通，侧面导电层40又设置在基板10的侧面16上。这样侧面导电层40实现了设置在上表面12的模块电路20与设置在下表面14的下表面焊盘组件30的垂直互连，从而确保导电模块中的各个组成元件能够按照设计要求连接导通，进而确保导电模块能够正常地工作。下表面焊盘组件替代了相关技术中的外接端子和母排端子，可以起到焊接固定，以及与电源端的电路互连的作用。与相关技术中采用DBC陶瓷基板的导电模块封装结构相比，本申请中的封装结构省去了下表面14设置的导电层以及相关的元器件，这样避免了DBC陶瓷基板上下表面均设置导电层以及相关的元器件所导致的导体之间存在较大的杂散电容的问题，以及通过在基板10侧面设置铜层结构，解决了基板10与外部的电路互连，利用底部焊盘结构替代了外接端子和母排端子，明显减少了封装杂散电感。这样，上述改进使得本申请中的封装结构产生的杂散电容和杂散电感较小，具有能够运用于高频领域的优点。
同时，依照互连需要，在基板10侧面设置了侧面导电层40，使基板10上、下表面实现了导电互连，设置下表面焊盘组件30替代了外接端子和母排端子，这样使得本申请中的封装结构具有较小的杂散电感，低的杂散电容及杂散电感使该封装结构具有能够运用于高频领域的优点。
另外，本申请中的侧面导电层40设置在基板10的侧面16上，无需像相关技术中采用有机基板的导电模块封装结构那样，需要在有机基板上钻孔，并在钻孔的孔壁上采用溅射铜柱工艺以使钻孔的孔壁上形成用于导通模块电路20和下表面焊盘组件30的导电层，这样避免了因钻孔加工损坏基板结构的问题，同时避免了因使用溅射铜柱工艺所导致基板10的制造成本高、难度大且制造合格率低的问题。这样使得本申请中的基板10的加工制造相对容易，提升了基板10的制造合格率，同时节约了封装结构的制造成本。
而且，相关技术中采用有机基板的导电模块封装结构不适用于大功率模组封装，即有机基板由有机树脂组成，电路埋入在有机树脂中，主要依靠有机树脂传热。相比陶瓷基板，有机树脂的导热率极低，大功率模组功率密度高，由此产生的热损耗非常高，有机基板无法满足大功率模组高散热的要求。大功率模组导通的电压和电流高，有机基板的垂直互连通孔，即上述钻孔，因无法承受高电压和电流的冲击容易损坏。由于本申请中的侧面导电层40设置在侧面16上，能够较好地对大功率模组的电流进行导通，本申请中的基板10采用导热绝缘材料制成，这样使得本申请中的封装结构能够适用于大功率模组封装，从而增大了封装结构的适用范围。
具体地，在本发明的实施例中，基板10为高导热绝缘支撑层，由硅、金刚石、Al203陶瓷、氮化铝陶瓷等物质组成。
上述设置中，基板10为高导热绝缘支撑层这样能够满足大功率模组高散热的要求，这样确保封装结构能够适用于大功率模组封装，从而增大了封装结构的适用范围。
实施例一
具体地，如图1和图2所示，在本发明的实施例一中，模块电路20包括芯片导电层22、芯片组24、互连导电层26和上表面焊盘组件28。其中，芯片导电层22设置在基板10的上表面12上。芯片组24具有顶部端口242和底部端口244，芯片组24设置在芯片导电层22上，底部端口244与芯片导电层22连接导通。互连导电层26与芯片导电层22和侧面导电层40连接导通。上表面焊盘组件28与顶部端口242连接导通，上表面焊盘组件28与芯片导电层22间隔设置。
上述设置中，芯片导电层22、芯片组24、互连导电层26和上表面焊盘组件28之间形成一条导通通路，这样使得外部的电信号能够在输入芯片组24进行处理，并将处理后的电信号通过导通通路输出，从而确保芯片组24能够正常地工作，进而满足封装结构的功能要求。
具体地，如图1和图2所示，在本发明的实施例一中，芯片组24包括功率半导体芯片246和与功率半导体芯片246并联连接的二极管芯片248，底部端口244包括第一底部端口2442和第二底部端口2444，第一底部端口2442设置在功率半导体芯片246的底部，第二底部端口2444设置在二极管芯片248的底部。
上述设置中，功率半导体芯片246和二极管芯片248的底部端口，即第一底部端口2442和第二底部端口2444，通过芯片导电层22进行了连接导通，这样确保侧面导电层40能够将功率半导体芯片246和二极管芯片248的底部端口与下表面焊盘组件30导通，这样确保外部电信号能够输入到芯片组24进行处理，从而满足封装结构的功能要求。
具体地，功率半导体芯片包括IGBT、MOSFET或晶闸管。
具体地，如图1和图2所示，在本发明的实施例一中，顶部端口242包括第一顶部端口2422和第二顶部端口2424，第一顶部端口2422设置在功率半导体芯片246的顶端，第二顶部端口2424设置在二极管芯片248的顶端。
上述设置中，通过设置第二顶部端口2424能够将二极管芯片248处理后的电信号输出，通过设置第一顶部端口2422能够将外部的控制电信号输入，并将功率半导体芯片246处理后的电信号输出，这样使得芯片组24能够正常地工作，从而满足封装结构的功能要求。
具体地，如图1和图2所示，在本发明的实施例一中，第一顶部端口2422还包括第一顶部控制端口2428和第一顶部交互端口2429。
具体地，功率半导体芯片的数量也可为两个、四个或六个，也可更多。为便于举例说明，功率半导体芯片的数量可为四个，并分为两组，每组包括两个功率半导体芯片。
上述设置中，通过设置第一顶部控制端口2428能够将外部的控制电信号输入，通过设置第一顶部交互端口2429能够将功率半导体芯片246处理后的电信号输出，这样使得芯片组24能够正常地工作，从而满足封装结构的功能要求。
具体地，如图1和图2所示，在本发明的实施例一中，模块电路20还包括键合线21，键合线21设置在基板10的上表面12上，模块电路20的顶部端口242通过键合线21与上表面焊盘组件28连接导通。
上述设置中，键合线21具有连接导通功能，能够将模块电路20的顶部端口242与上表面焊盘组件28连接导通，这样方便侧面导电层40将芯片组24与下表面焊盘组件30导通，从而使得芯片组24能够正常地工作，进而满足封装结构的功能要求。
具体地，如图1和图2所示，在本发明的实施例一中，上表面焊盘组件28包括第一上表面焊盘282和第二上表面焊盘284，第一上表面焊盘282与模块电路20的第一顶部交互端口2429和模块电路20的第二顶部端口2424导通，第二上表面焊盘284与模块电路20的第一顶部控制端口2428导通。
上述设置中，第一上表面焊盘282能够将经过芯片组24处理的后的电信号输入侧面导电层40，这样确保上述电信号能够输入到下表面焊盘组件30，从而方便上述电信号的输出，进而满足封装结构的功能要求。
具体地，如图1和图2所示，在本发明的实施例一中，下表面焊盘组件30包括第一下表面焊盘32和第二下表面焊盘34，第一下表面焊盘32与模块电路20的互连导电层26导通，第二下表面焊盘34与上表面焊盘组件28导通。
上述设置中，第一下表面焊盘32作为外部电信号输入端，用于外部电信号的输入，这样确保外部电信号能够输入到芯片组24进行处理。与第一上表面焊盘282导通的第二下表面焊盘34作为电信号输出端，用于将经过芯片组24处理后电信号输出，与第二上表面焊盘284导通的第二下表面焊盘34作为外部控制电信号的输入端，用于外部控制电信号输入，这样确保外部控制电信号能够输入到芯片组24。从而确保芯片组24能够正常地工作，进而满足封装结构的功能要求。
具体地，如图1和图2所示，在本发明的实施例一中，侧面导电层40采用金属导电材料制成。更具体地，侧面导电层40采用铜制成。当然可根据实际情况，侧面导电层40采用银等其他具有导电功能的材料，或者采用石墨烯等非金属导电材料制成。
需要说明的是，本申请中的下表面焊盘组件30、上表面焊盘组件28、侧面导电层40、芯片导电层22和互连导电层26具采用铜制成，通过在基板10上设置铜层，利用机加工或光刻或激光切割等技术处理铜层以形成上述焊盘组件和导电层。本申请中的基板10可借助直接覆铜或沉铜技术在基板10的下表面14上形成金属引脚，满足大功率半导体模块贴装应用。
如图4所示，上述设置中，导电模块的封装结构还包括绝缘层50，绝缘层50包覆于基板10和模块电路20的外侧。
具体地，绝缘层50整体包覆于基板10和模块电路20，为便于表述结构，图4中所展示的封装结构仅局部包覆有绝缘层50。
绝缘层50包括EMC(Epoxy Molding Compound，环氧树脂)塑封或灌封胶。
如图5所示，本发明所提供的导电模块的封装结构能够设置线路板60上，线路板60上还设置有控制系统80和I/O口70，控制系统80用于控制导电模块，I/O(Input/Ouput，输入/输出)接口70与外部电源互联。
实施例二
如图3和图4所示，在本发明的实施例二中，导电模块的封装结构包括两个模块电路20，两个模块电路20在基板10的长度方向上间隔设置，其中一个模块电路20的第一上表面焊盘282与另一个模块电路20的芯片导电层22连接导通。
上述设置中，通过两组芯片组24实现对外部电信号的处理功能，这样使得封装结构的处理能力更强，从而能够满足封装结构的功能要求。
实施例二与实施例一的其他结构相同，此处不再赘述。
需要说明的是，本发明中的模块电路20可根据大功率半导体芯片及FWD二极管的数量和尺寸，在基板10的上下表面灵活的设置焊接区域、导电层及焊盘组件。
如图6所示，本发明还提供了一种封装结构的制造方法，具体步骤如下：
步骤S10：在高导热绝缘支撑层(基板10)的上表面上设置上铜层；
步骤S20：在上铜层上形成互连导电层、芯片导电层及键合线焊盘(上表面焊盘组件28)；
步骤S30：在高导热绝缘支撑层的两侧面设置侧面铜层(侧面导电层40)；
步骤S40：在侧面铜层上形成导电互连通路(侧面导电层40上形成的导电通路)；
步骤S50：在高导热绝缘支撑层的下表面设置下铜层；
步骤S60：在下铜层上形成金属焊盘(下表面焊盘组件30)。
从以上的描述中，可以看出，由于侧面导电层40与模块电路20和下表面焊盘组件30连接，模块电路20通过侧面导电层40与下表面焊盘组件30导通，侧面导电层40又设置在基板10的侧面16上。这样侧面导电层40实现了设置在上表面12的模块电路20与设置在下表面14的下表面焊盘组件30的垂直互连，从而确保导电模块中的各个组成元件能够按照设计要求连接导通，进而确保导电模块能够正常地工作。与相关技术中采用DBC陶瓷基板的导电模块封装结构相比，本申请中的封装结构省去了下表面14设置的导电层以及相关的元器件，这样避免了DBC陶瓷基板上下表面均设置导电层以及相关的元器件所导致的导体之间存在较大的杂散电容的问题，以及解决了基板10与外部电路互连，外接端子和母排的杂散电感效应尤其明显，进而制约其在高频领域运用的问题，这样使得本申请中的封装结构产生的杂散电容较小，能够运用于高频领域的优点。
另外，本申请中的侧面导电层40设置在基板10的侧面16上，无需像相关技术中采用有机基板的导电模块封装结构那样，需要在有机基板上钻孔，并在钻孔的孔壁上采用溅射铜柱工艺以使钻孔的孔壁上形成用于导通模块电路20和下表面焊盘组件30的导电层，这样避免了因钻孔加工损坏基板结构的问题，同时避免了因使用溅射铜柱工艺所导致基板10的制造成本高、难度大且制造合格率低的问题。这样使得本申请中的基板10的加工制造相对容易，提升了基板10的制造合格率，同时节约了封装结构的制造成本。
而且，相关技术中采用有机基板的导电模块封装结构不适用于大功率模组封装，即有机基板由有机树脂组成，电路埋入在有机树脂中，主要依靠有机树脂传热。相比陶瓷基板，有机树脂的导热率极低，大功率模组功率密度高，由此产生的热损耗非常高，有机基板无法满足大功率模组高散热的要求。大功率模组导通的电压和电流高，有机基板的垂直互连通孔，即上述钻孔，因无法承受高电压和电流的冲击容易损坏。由于本申请中的侧面导电层40设置在侧面16上，能够较好地对大功率模组的电流进行导通，本申请中的基板10采用导热绝缘材料制成，这样使得本申请中的封装结构能够适用于大功率模组封装，从而增大了封装结构的适用范围。
在本发明中，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；术语“多个”则指两个或两个以上，除非另有明确的限定。术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或单元必须具有特定的方向、以特定的方位构造和操作，因此，不能理解为对本发明的限制。
在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种导电模块的封装结构，其特征在于，所述导电模块的封装结构包括：
基板，具有上表面和与所述上表面相对设置的下表面，所述基板还包括侧面，所述侧面与所述上表面和所述下表面连接，且位于所述上表面和所述下表面之间；
模块电路，设置在所述上表面上；
下表面焊盘组件，设置在所述下表面上；
侧面导电层，设置在所述侧面上，所述侧面导电层与所述模块电路和所述下表面焊盘组件连接，所述模块电路通过所述侧面导电层与所述下表面焊盘组件导通；
所述模块电路包括：
芯片导电层，设置在所述基板的所述上表面上；
芯片组，具有顶部端口和底部端口，所述芯片组设置在所述芯片导电层上，所述底部端口与所述芯片导电层连接导通；
上表面焊盘组件，与所述顶部端口导通，所述上表面焊盘组件与所述芯片导电层间隔设置；
所述上表面焊盘组件包括第一上表面焊盘和第二上表面焊盘；
所述导电模块的封装结构包括两个所述模块电路，两个所述模块电路在所述基板的长度方向上间隔设置，其中一个所述模块电路的第一上表面焊盘与另一个所述模块电路的芯片导电层连接导通。
2.根据权利要求1所述的导电模块的封装结构，其特征在于，所述模块电路包括：
互连导电层，与所述芯片导电层和所述侧面导电层连接导通。
3.根据权利要求2所述的导电模块的封装结构，其特征在于，所述芯片组包括功率半导体芯片和与所述功率半导体芯片并联连接的二极管芯片，所述底部端口包括第一底部端口和第二底部端口，所述第一底部端口设置在所述功率半导体芯片的底部，所述第二底部端口设置在所述二极管芯片的底部。
4.根据权利要求3所述的导电模块的封装结构，其特征在于，所述顶部端口包括第一顶部端口和第二顶部端口，所述第一顶部端口设置在所述功率半导体芯片的顶端，所述第二顶部端口设置在所述二极管芯片的顶端。
5.根据权利要求4所述的导电模块的封装结构，其特征在于，所述第一顶部端口还包括第一顶部控制端口和第一顶部交互端口。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的导电模块的封装结构，其特征在于，所述模块电路还包括键合线，所述键合线设置在所述基板的所述上表面上，所述模块电路的顶部端口通过所述键合线与所述上表面焊盘组件连接导通。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的导电模块的封装结构，其特征在于，所述下表面焊盘组件包括第一下表面焊盘和第二下表面焊盘，所述第一下表面焊盘与所述模块电路的互连导电层导通，所述第二下表面焊盘与所述上表面焊盘组件导通。
8.根据权利要求2至5中任一项所述的导电模块的封装结构，其特征在于，所述第一上表面焊盘与所述模块电路的第一顶部交互端口和所述模块电路的第二顶部端口导通，所述第二上表面焊盘与所述模块电路的第一顶部控制端口导通。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的导电模块的封装结构，其特征在于，所述基板采用导热绝缘材料制成，和/或所述侧面导电层采用金属或者非金属的导电材料制成。
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