CN113574203A - 铌溅射靶 - Google Patents

Abstract

提供一种在整个靶寿命中膜厚均匀性优良的铌溅射靶。一种铌溅射靶，在板状的靶的溅射面的中心与外周的中间的位置，将相对于所述溅射面垂直的所述靶的断面，沿所述溅射面的法线方向从所述溅射面侧开始三等分成上部、中央部以及下部，并且使用EBSD法测量该上部、中央部以及下部的晶体取向分布，并对所述上部、中央部以及下部的各个测量区域根据式(1)求出{111}面积率的情况下，所述上部、中央部以及下部的{111}面积率的如式(2)所示的变化率为2.5以下：{111}面积率＝测量区域中的{111}面沿所述法线方向取向的晶粒的面积的合计/测量区域整体的面积…式(1)；变化率＝[最大值－最小值]/最小值…式(2)。

Description

铌溅射靶

技术领域

本发明涉及一种铌溅射靶。

背景技术

在电子领域、耐腐蚀性材料和装饰的领域、催化剂领域，切削·研磨材料和耐磨耗性材料的制作等多个领域中，使用形成金属或陶瓷材料等的覆膜的溅射法。溅射法本身在上述领域中，是习知方法，在显示装置的表面上形成防反射膜时也可以使用溅射法，并且防反射膜可以使用Nb₂O₅膜。另外，最近在量子计算机等的互连用途上，Nb引人注目，期待活用铌溅射靶。为了应对这样的最先进用途，需要一种膜厚均匀性优良、反应性溅射的稳定性也没有问题的铌溅射靶。另外，关于铌溅射靶，已知有专利文献1。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-194072号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的一实施方式要解决的技术问题是，提供一种在整个靶寿命中膜厚均匀性(在使用相同的铌溅射靶通过溅射法形成多层膜的情况下，该多层膜之间的膜厚的均匀性)优良的铌溅射靶。

解决技术问题的方法

[1]一种铌溅射靶，在板状的靶的溅射面的中心与外周的中间的位置，将相对于所述溅射面垂直的所述靶的断面，沿所述溅射面的法线方向从所述溅射面侧开始，三等分成上部、中央部以及下部，并且使用EBSD法测量该上部、中央部以及下部的晶体取向分布，并对所述上部、中央部以及下部的各个测量区域根据式(1)求出{111}面积率的情况下，所述上部、中央部以及下部的{111}面积率的如式(2)所示的变化率为2.5以下：

{111}面积率＝测量区域中的{111}面沿所述法线方向取向的晶粒的面积的合计/测量区域整体的面积···式(1)；

变化率＝[最大值－最小值]/最小值···式(2)。

[2]如[1]所述的铌溅射靶，其中，所述中央部的{111}面积率为40％以下。

[3]如[1]所述的铌溅射靶，其中，所述中央部的{111}面积率为60％以上。

[4]如[1]～[3]中任一项所述的铌溅射靶，其中，在使用EBSD法测量所述上部、中央部以及下部的晶体取向分布，并对所述上部、中央部以及下部的各个测量区域，根据式(3)求出{100}面积率的情况下，{100}面积率均为30％以上：

{100}面积率＝测量区域中的{100}面沿所述法线方向取向的晶粒的面积的合计/测量区域整体的面积···式(3)。

[5]如[1]～[4]中任一项所述的铌溅射靶，其中，所述上部、中央部以及下部的平均晶粒粒径均为30～100μm。

[6]如[1]～[5]中任一项所述的铌溅射靶，其中，所述上部、中央部以及下部的平均晶粒粒径，如式(4)所示的变化率为1.0以下，

变化率＝[最大值－最小值]/最小值···式(4)。

发明的效果

根据本发明的一实施方式，能够提供一种在整个靶寿命中膜厚均匀性优良的铌溅射靶。

附图说明

图1是示出对本发明的一实施方式的铌溅射靶实施EBSD测量的断面区域的示意图。

图2是在实施例1中得到的铌溅射靶的溅射面的中心与外周的中间的位置，对相对于所述溅射面垂直的所述靶的断面进行EBSD测量时的晶体取向分布。

图3是在实施例2中得到的铌溅射靶的溅射面的中心与外周的中间的位置，对相对于所述溅射面垂直的所述靶的断面进行EBSD测量时的晶体取向分布。

图4是在比较例1中得到的铌溅射靶的溅射面的中心与外周的中间的位置，对相对于所述溅射面垂直的所述靶的断面进行EBSD测量时的晶体取向分布。

具体实施方式

以下，本发明不限于各实施方式，在不脱离其要旨的范围内，能够对组成要素进行变形并具体化。另外，能够通过适当地组合各实施方式中公开的多个组成要素，从而形成各种发明。例如，可以从实施方式所示的全部组成要素中删除若干个组成要素。进一步，可以适当组合不同的实施方式的组成要素。

[1.铌溅射靶]

(组成)

在本发明的铌溅射靶的一实施方式中，除了不可避免的杂质以外由铌金属形成。另外，在本发明的铌溅射靶的一实施方式中，纯度优选为99.95质量％以上。靶中的杂质，除了使得显示装置中的反射膜的反射特性变差以外，还是致使量子计算机的互连的可靠性降低的主要原因。因此，优选尽可能的高纯度。这里，纯度99.95质量％以上是指，通过辉光放电质谱分析法(GDMS)进行分析时，Na、Al、Si、K、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Ta、Mo、W的合计值为500质量ppm以下。

(靶的形状)

本发明的铌溅射靶的形状，只要是板状则没有特别的限制，例如可列举圆板状、矩形平板状等平板状。铌溅射靶的板厚，没有限定，例如能够是2～18mm，典型地能够是3～10mm。

({111}面积率的变化率)

铌具有在被施加应变时{111}面会产生取向的性质。在通过轧制步骤制造板状的铌溅射靶的情况下，铌溅射靶中，通常，在厚度方向的中央部，会出现晶粒的{111}面沿溅射面的法线方向取向的区域(以下，也称作“带状组织”。)

虽然本发明并不意在限定于此，但是可以认为这是由于以下的理由。在轧制步骤中，由于沿厚度方向上下地施加压力，因此厚度方向的中央部被上下地强烈压缩。另外，厚度方向的上下部由于与轧制辊的摩擦因而变形受到阻碍，另一方面，厚度方向的中央部不会与轧制辊接触，而不会受到与轧制辊的摩擦的影响，因此应变在厚度方向的中央部集中。因此，铌溅射靶，在厚度方向上的中央部出现带状组织。

然而，带状组织出现在厚度方向上的中央部，意味着在溅射靶的厚度方向上的中央部，晶体取向发生了变化。在这种情况下，即使在相同的条件下进行溅射，在溅射靶的厚度方向上的中央部，溅射特性不同，溅射膜的膜厚会发生变化。其结果是，难以在整个靶寿命中维持溅射膜的膜厚均匀性。

因此，为了提高在整个靶寿命中的膜厚均匀性，优选使得晶粒的{111}面沿溅射面的法线方向取向的区域在靶的整个厚度方向上扩大，在厚度方向上的中央部，晶粒的{111}面不会沿溅射面的法线方向取向。更具体地，在将溅射靶沿溅射面的法线方向从所述溅射面侧三等分成上部、中央部以及下部，并对于各个部分使用EBSD法求出{111}面沿溅射面的法线方向取向的晶粒的面积率的情况下，变化率＝[最大值－最小值]/最小值优选较小。

另外，带状组织，尤其在溅射面的中心与外周的中间的位置处容易发达。也就是说，在溅射面的中心与外周的中间的位置，所述上部、中央部以及下部之间的上述面积率的最大值与最小值的差值变大。为了提高在整个靶寿命中溅射膜的膜厚均匀性，在上述面积率的最大值与最小值的差值容易变大的该中间的位置，控制变化率是有利的。

因此，在本发明的铌溅射靶的一实施方式中，在板状的靶的溅射面的中心与外周的中间的位置，将相对于所述溅射面垂直的靶的断面，沿所述溅射面的法线方向从所述溅射面侧开始，三等分成上部、中央部以及下部，在使用EBSD法测量该上部、中央部以及下部的晶体取向分布，并且对所述上部、中央部以及下部的各个测量区域按照下述式(1)计算{111}面积率的情况下，所述上部、中央部以及下部的{111}面积率的如下述式(2)所示的变化率为2.5以下，

{111}面积率＝测量区域中的{111}面沿所述法线方向取向的晶粒的面积的合计/测量区域整体的面积···式(1)

变化率＝[最大值－最小值]/最小值···式(2)。

如此,通过使得所述上部、中央部以及下部的{111}面积率不会发生大的变化，即，通过控制带状组织的产生，能够提高在整个靶寿命中的膜厚均匀性。如上式(2)所示的变化率，优选为2.3以下，更优选为2.1以下。需要说明的是，上式(2)所示的变化率没有特别设置下限值，最优选为0，典型地为0.1以上，更典型地为1.0以上。

({111}面积率)

在本发明的铌溅射靶的一实施方式中，所述中央部的{111}面积率为40％以下。在{111}面相对于溅射面的法线方向进行取向的情况下，最密排方向与溅射面的法线方向一致，因此有成膜速度加快的倾向。因此，通过减小所述中央部的{111}面积率，能够降低成膜速度并容易控制膜厚。在上述式(2)所示的变化率小的铌溅射靶中，当所述中央部的{111}面积率变小时，所述上部以及下部的{111}面积率也变小，因此能够降低溅射靶整体的成膜速度。基于膜厚控制性的观点，所述中央部的{111}面积率，优选为40％以下，更优选为35％以下，还更优选为33％以下。需要说明的是，所述中央部的{111}面积率，虽然没有特别设置下限值，但是典型地为5％以上，更典型地为10％以上。

在本发明的铌溅射靶的一实施方式中，所述中央部的{111}面积率为60％以上。基于上述的理由，通过增大所述中央部的{111}面积率，能够加快成膜速度并缩短溅射时间，因而能够提高生产效率。在上述式(2)所示的变化率小的铌溅射靶中，当所述中央部的{111}面积率变大时，所述上部以及下部的{111}面积率也变大，因此能够加快溅射靶整体的成膜速度。

基于提高成膜的生产效率的观点，上述中间的{111}面积率，优选为60％以上，更优选为63％以上，还更优选为66％以上。需要说明的是，上述{111}面积率没有特定的上限值，典型地为80％以下。

({100}面积率)

在本发明的铌溅射靶的一实施方式中，在使用EBSD法测量所述上部、中央部以及下部的晶体取向分布，并对于所述上部、中央部以及下部的各个测量区域，按照式(3)计算{100}面积率的情况下，{100}面积率均为30％以上，

{100}面积率＝测量区域中的{100}面沿所述法线方向取向的晶粒的面积的合计/测量区域整体的面积···式(3)

具有体心立方结构的铌，原子的最密排方为＜111＞。在{100}面相对于溅射面的法线方向进行取向的情况下，最密排方向与溅射面的法线方向所成的角度增大(成为广角)，因此在溅射时从溅射靶放射状地弹出铌原子。因此，在通过溅射成膜的膜内，减少膜局部地增厚的部位，可得到良好的膜厚的面内均匀性。

基于提高膜厚的面内均匀性的观点，所述上部、中央部以及下部的{100}面积率，优选均为30％以上，更优选为32％以上。需要说明的是，上述上部、中央部以及下部的{100}面积率没有特定的上限值，典型地为60％以下。

(使用EBSD法的{111}面积率以及{100}面积率的测量方法)

参照图1如下说明使用EBSD法的{111}面积率以及{100}面积率的计算方法。首先，对于板状的铌溅射靶100，穿过溅射面50的中心A，切割出相对于溅射面50垂直的断面40，使用研磨纸(#2000相当(JIS R 6253：2006))进行研磨，进一步使用抛光液进行抛光研磨形成镜面，之后，通过氟酸、硝酸、盐酸的混合液进行处理。

接着，使用EBSD装置(例示：JSM－7001FTTLS型的场发射电子显微镜/晶体取向解析装置OIM6.0－CCD/BS)，测量研磨后的断面40的、在溅射面50的中心A与外周C的中间B的位置(宽度W：1mm)处的晶体取向分布。需要说明的是，外周C的位置是指“从最外周开始朝向中心方向距离15mm的位置”。例如，在半径为165mm的铌溅射靶的情况下，中心A是从最外周开始朝向中心方向距离165mm的位置，外周C是从最外周开始朝向中心方向距离15mm的位置，中间B是从最外周开始朝向中心方向距离90mm的位置。将以中间B为中心，朝向外周方向为0.5mm、且朝向中心方向为0.5mm的总宽度1mm的区域选为测量区域。另外，在测量中心A或外周C的情况下，可将以中心A为中心且朝向两边的外周方向分别为0.5mm的总宽度1mm的区域选为测量区域，将以外周C为中心且朝向外周方向为0.5mm、朝向中心方向为0.5mm的总宽度1mm的区域选为测量区域。作为EBSD装置的测量条件的一例，能够设置为加速电压15kv、照射电流3.6nA、倍率20倍、倾斜70°。关于晶体取向分布，将铌溅射靶100的厚度T，沿溅射面50的法线方向从溅射面50侧开始三等分成上部10、中央部20以及下部30，对于上部10、中央部20以及下部30的各个测量区域，通过上述的式(1)以及式(3)计算出{111}面积率以及{100}面积率。

在本说明书中，{111}面沿溅射面的法线方向取向的晶粒，包括{111}面相对于溅射面的法线方向的方位偏差为15°以内的晶粒。另外，{100}面沿溅射面的法线方向取向的晶粒，包括{100}面相对于溅射面的法线方向的方位偏差为15°以内的晶粒。

需要说明的是，虽然这里以铌溅射靶100的形状为圆板状进行示例，但是在铌溅射靶的形状为矩形平板状等平板状的情况下，与圆板状同样地，可以在溅射面的中心与外周的中间的位置，对相对于该溅射面垂直的靶的断面进行EBSD测量。

(平均晶粒粒径)

在本发明的铌溅射靶的一实施方式中，在溅射面的中心与外周的中间的位置，所述上部、中央部以及下部的平均晶粒粒径均优选为30～100μm。溅射靶内的晶粒的粒径，会影响靶的强度等机械性质、组织的均匀性、成膜速度，进一步会影响异常放电和微粒产生的程度，因此进行适当控制是有效的。根据本实施方式，由于在整个靶的厚度方向上粒径均在上述范围内，因此即使随着溅射的进行，溅射的侵蚀所导致的在表面上逐渐呈现的晶粒粒径的变动也较小，因此能够在整个靶寿命中实现稳定的溅射特性。

所述上部、中央部以及下部的平均晶粒粒径，均优选为100μm以下，更优选为80μm以下，还更优选为70μm以下。另外，所述上部、中央部以及下部的平均晶粒粒径，均优选为30μm以上，更优选为40μm以上，还更优选为50μm以上。

(平均晶粒粒径的评价方法)

所述上部、中央部以及下部的平均晶粒粒径，与测量{111}面积率以及{100}面积率时同样地，能够通过EBSD法进行测量。具体地，通过EBSD法计算出在所述上部、中央部以及下部的各个测量区域的面积中含有的晶粒的个数，求出测量区域内存在的每1粒的平均面积，将其圆当量直径作为平均晶粒粒径。

(平均晶粒粒径的变化率)

另外，在本发明的铌溅射靶的一实施方式中，所述上部、中央部以及下部的平均晶粒粒径，如式(4)所示的变化率优选为1.0以下，

变化率＝[最大值－最小值]/最小值···式(4)。

所述上部、中央部，以及下部的平均晶粒粒径在上述变化量的范围内，意味着上部、中央部以及下部的平均晶粒粒径没有发生剧烈变化，因此有助于提高在整个靶寿命中的膜厚均匀性。

如上式(4)所示的变化率，优选为1.0以下，更优选为0.5以下，还更优选为0.2以下。需要说明的是，上式(4)所示的变化率没有特别设置下限值，最优选为0，典型地为0.01以上。

[2.铌溅射靶的制造方法]

(第一制造方法)

最先，对通过抑制晶粒的{111}面沿溅射面的法线方向的取向，从而将{111}面积的变化率控制为较小的铌溅射靶的制造方法进行说明。首先，熔解铌，并对其铸造制作铸锭后，对该铸锭进行锻造。然后，将铸锭进行收缩锻造制成坯件，将其切断成适合的尺寸后，进行热处理。之后，将锻造和热处理重复2次。另外，虽然热处理的温度没有特别限定，但是基于调节锻造组织的观点，优选为700℃以上，更优选为720℃以上，还更优选为750℃以上。但是，上述热处理的温度，基于防止晶粒过度生长的观点，优选为900℃以下，更优选为850℃以下，还更优选为800℃以下。需要说明的是，锻造次数，能够适当选择以调节锻造组织。

在所有的锻造步骤结束后，进一步将坯件切断成2个，由此使得锻造体内部形成的织构组织露出于切断面，能够使得织构组织产生的影响难以延续到下一步骤的轧制步骤。将坯件分割成2份，尤其在厚度方向上的中央部，能够有效地抑制晶粒的{111}面沿溅射面的法线方向取向。

接着，在轧制步骤中，对锻造体以预定的规定的压下率重复进行轧制，得到规定的板厚度的轧制板。此时，基于抑制强轧制导致的晶粒的{111}面沿溅射面的法线方向取向的观点，每1道次的压下率优选为18％以下，更优选为15％以下，还更优选为12％以下。需要说明的是，每1道次的压下率，基于生产效率的观点，典型地为2％以上，更典型地为4％以上。此时，轧制道次的次数，例如为11次以上。上述轧制道次的次数，基于使得{100}面沿所述法线方向取向的晶粒的比例相对增大的观点，优选为11次以上，更优选为15次以上，还更优选为18次以上。另外，上述轧制道次的次数，基于生产效率的观点，优选为40次以下，更优选为30次以下，还更优选为25次以下。

另外，在轧制步骤中，基于抑制晶粒的{111}面沿溅射面的法线方向取向的观点，在每1道次中，优选将对锻造体进行轧制的轧制方向，与轧制面平行地旋转75～105°，更优选旋转85～95°。通过在每1道次中，将轧制方向旋转规定的角度，能够抑制带状组织的产生。

另外，在上述轧制道次的次数后，为了调整轧制板的形状，可以一边适当改变轧制方向一边进行数次轧制。此时，总的轧制率，基于得到均匀且微细的晶粒的观点，优选调节为75％以上，更优选调节为80％以上。

另外，虽然可以在轧制中进行热处理，但是更推荐不在轧制中进行热处理，而是在最终轧制后进行热处理(优选为4小时以上)。这里，虽然热处理的温度没有特别限定，但是基于得到再结晶组织的观点，优选为700℃以上，更优选为750℃以上，还更优选为800℃以上。但是，上述热处理的温度，基于防止晶粒过度生长的观点，优选为900℃以下，更优选为870℃以下，还更优选为850℃以下。

之后，将其机械加工成所需的形状而制成靶。通过轧制加工、热处理形成的织构组织，通过EBSD法，能够把握哪个面是最优取向，通过将结果反馈给轧制加工、热处理的条件，能够得到所需的组织取向。

(第二制造方法)

接着，说明通过在靶的厚度方向的整体上，扩大晶粒的{111}面沿溅射面的法线方向的取向的区域，从而将{111}面积的变化率控制为较小的铌溅射靶的制造方法。首先，到锻造步骤结束为止，与第一制造方法同样地进行实施。但是，在全部的锻造步骤结束后，优选不切割坯件。由于没有切割坯件，因此晶粒的{111}面容易沿溅射面的法线方向取向。接着，在轧制步骤中，除了使得轧制锻造体的轧制方向固定以外，在第一制造方法中说明的道次次数和压下率的范围内重复进行轧制。通过该轧制步骤，能够使得晶粒的{111}面沿溅射面的法线方向取向的区域，在靶的整个厚度方向上扩大。轧制后的步骤，与第一制造方法相同。但是，在第二制造方法中，通过使得轧制步骤中的每1道次的压下率以及总压下率比第一制造方法更高，能够进一步使得晶粒的{111}面沿溅射面的法线方向取向的区域在靶的整个厚度方向上扩大。

实施例

基于实施例及比较例具体说明本发明。需要说明的是，本实施例的目的在于示出发明的一例，本发明不限于这些实施例。即，本发明的技术思想所包含的其他方式以及变形也包括在本发明内。

(实施例1)

通过电子束熔解纯度99.95质量％的铌原料，并铸造成长度600mm×直径245mmφ的铸锭。接着，对该铸锭进行冷的收缩锻造，在直径为150mmφ后切割成所需长度，得到坯件。接着，在1000℃的温度下进行热处理，再次进行冷的一次锻造，在800℃下进行一次热处理，接着进行冷的二次锻造形成圆柱状，将锻造坯件切割成2份，再次在800℃下进行二次热处理。

接着，对锻造坯件进行冷轧制。一边将轧制方向在每1道次(压下率：11％)中与轧制面平行地旋转90°，一边将轧制步骤重复进行合计20次。总的压下率为89％。轧制后，在800℃下对其进行热处理。接着，对得到的厚度8mm×直径400mmφ的靶原材料进行精机械加工，制作厚度6.35mm×直径322mmφ的铌溅射靶。

[EBSD测量]

(晶体取向分布)

对于得到的铌溅射靶，使用EBSD装置(例示：JSM－7001FTTLS型的场发射电子显微镜/晶体取向解析装置OIM6.0－CCD/BS)，按照上述的步骤进行EBSD测量，得到溅射面的中心与外周的中间的位置处的、所述上部、中央部以及下部的晶体取向分布(图2)。EBSD装置的测量条件设定为，加速电压15kv、照射电流3.6nA、倍率20倍、倾斜70°。

基于得到的晶体取向分布，对于所述上部、中央部以及下部的各个测量区域，求出{111}面积率，并算出其变化率＝[最大值－最小值]/最小值。同样地，对于溅射面的中心与外周的中间的位置处的所述上部、中央部以及下部的各个测量区域，求出{100}面积率，并算出其变化率＝[最大值－最小值]/最小值。结果在表1中示出。

另外，对于得到的铌溅射靶，对于溅射面的中心以及外周，也同样地进行EBSD测量，得到上部、中央部以及下部的晶体取向分布。基于得到的晶体取向分布，对于所述上部、中央部以及下部的各个测量区域，求出{111}面积率，并算出其变化率＝[最大值－最小值]/最小值。

(平均晶粒粒径)

通过上述EBSD测量，对于溅射面的中心与外周的中间的位置处的所述上部、中央部以及下部的各个测量区域，求出平均晶粒粒径，并算出其变化率＝[最大值－最小值]/最小值。结果在表1中示出。

(实施例2)

直到一次热处理为止，使用与实施例1相同的方法锻造成多边块状，之后不进行切割，通过800℃下的最终热处理制作多边块状锻造坯件。接着，对锻造坯件进行冷轧制。轧制步骤，不改变轧制方向，而仅在一个方向上重复轧制19道次(1道次的压下率：11％)。总的压下率为89％。轧制后，在800℃下进行热处理。接着，对得到的厚度9mm×宽度220mm×长度480mm的多边块状靶原材料进行精机械加工，制作厚度7mm×直径180mmφ的铌溅射靶。

对于得到的铌溅射靶，使用与实施例1相同的方法，进行EBSD测量，得到溅射面的中心与外周的中间的位置处的所述上部、中央部以及下部的晶体取向分布(图3)。然后，进行与实施例1相同的评价。进一步，在溅射面的中心与外周，也与实施例1同样地进行EBSD测量，得到上部、中央部以及下部的晶体取向分布。结果在表1中示出。

(比较例1)

直到一次热处理为止，使用与实施例1相同的方法锻造成多边块状，之后不进行切割，通过800℃下的最终热处理制作坯件。接着，对锻造坯件进行冷轧制。一边将轧制方向在每1道次(压下率：11％)中与轧制面平行地旋转90°，一边将轧制步骤重复进行合计22次。总的压下率为89％。轧制后，在800℃下进行热处理。接着，对得到的厚度9mm、边长为400mm的多边块状靶原材料进行精机械加工，制作厚度7mm×直径180mmφ的铌溅射靶。

对于得到的铌溅射靶，使用与实施例1相同的方法，进行EBSD测量，得到溅射面的中心与外周的中间的位置处的所述上部、中央部，以及下部的晶体取向分布(图4)。然后，进行与实施例1相同的评价。进一步，在溅射面的中心与外周，也与实施例1同样地进行EBSD测量，得到上部、中央部以及下部的晶体取向分布。结果在表1中示出。

(比较例2)

直到一次热处理为止，使用与实施例1相同的方法锻造成圆柱状，之后不进行切割，通过800℃下的最终热处理制作坯件。接着，对锻造坯件进行冷轧制。一边将轧制方向在每1道次(压下率：11％)中旋转90°，一边将轧制步骤重复进行合计20次。总的压下率为86％。轧制后，在800℃下进行热处理。接着，对得到的厚度8mm×直径370mmφ的靶原材料进行精机械加工，制作厚度6.35mm×直径322mmφ的铌溅射靶。

对于得到的铌溅射靶，使用与实施例1相同的方法，进行EBSD测量，得到溅射面的中心与外周的中间的位置处的所述上部、中央部，以及下部的晶体取向分布。然后，进行与实施例1相同的评价。进一步，在溅射面的中心与外周，也与实施例1同样地进行EBSD测量，得到上部、中央部以及下部的晶体取向分布。结果在表1中示出。

【表1】

产业上的利用可能性

本实施方式的铌溅射靶，通过使得组织取向成为规定的状态，能够形成在整个靶寿命中膜厚均匀性优良的薄膜。因此，作为在显示装置的防反射膜的薄膜形成中使用的铌溅射靶，非常有用。

附图标记说明

10 上部

20 中央部

30 下部

40 断面

50 溅射面

100 铌溅射靶

A 中心

B 中间

C 外周

T 厚度

W 宽度

Claims (6)

1.一种铌溅射靶，在板状的靶的溅射面的中心与外周的中间的位置，将相对于所述溅射面垂直的所述靶的断面，沿所述溅射面的法线方向从所述溅射面侧开始，三等分成上部、中央部以及下部，并且使用EBSD法测量该上部、中央部以及下部的晶体取向分布，并对所述上部、中央部以及下部的各个测量区域根据式(1)求出{111}面积率的情况下，所述上部、中央部以及下部的{111}面积率的如式(2)所示的变化率为2.5以下：

{111}面积率＝测量区域中的{111}面沿所述法线方向取向的晶粒的面积的合计/测量区域整体的面积···式(1)；

变化率＝[最大值－最小值]/最小值···式(2)。

2.如权利要求1所述的铌溅射靶，其中，所述中央部的{111}面积率为40％以下。

3.如权利要求1所述的铌溅射靶，其中，所述中央部的{111}面积率为60％以上。

4.如权利要求1～3中任一项所述的铌溅射靶，其中，在使用EBSD法测量所述上部、中央部以及下部的晶体取向分布，并对所述上部、中央部以及下部的各个测量区域，根据式(3)求出{100}面积率的情况下，{100}面积率均为30％以上：

{100}面积率＝测量区域中的{100}面沿所述法线方向取向的晶粒的面积的合计/测量区域整体的面积···式(3)。

5.如权利要求1～4中任一项所述的铌溅射靶，其中，所述上部、中央部以及下部的平均晶粒粒径均为30～100μm。

6.如权利要求1～5中任一项所述的铌溅射靶，其中，所述上部、中央部以及下部的平均晶粒粒径，如式(4)所示的变化率为1.0以下：

变化率＝[最大值－最小值]/最小值···式(4)。

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