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CN113192988A - 一种显示器件 - Google Patents

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CN113192988A
CN113192988A CN202110463324.9A CN202110463324A CN113192988A CN 113192988 A CN113192988 A CN 113192988A CN 202110463324 A CN202110463324 A CN 202110463324A CN 113192988 A CN113192988 A CN 113192988A
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CN
China
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layer
gate
electrically connected
signal
transistor
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Application number
CN202110463324.9A
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English (en)
Inventor
张鹏
徐源竣
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to PCT/CN2021/092717 priority patent/WO2022222204A1/zh
Priority to US17/298,633 priority patent/US20240013727A1/en
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Abstract

本发明公开了一种显示器件。显示面板包括显示器件。显示器件设有栅极驱动区，在所述栅极驱动区内包括第一晶体管器件；所述第一晶体管器件包括第一信号走线以及第二信号走线；所述第一信号走线电连接至栅极层，所述第二信号走线电连接至第一金属层，实现了采用双栅极的结构，可以单独通过第二信号走线提供电流大的栅极信号，或者同时通过第一信号走线以及第二信号走线提供电流大的栅极信号，提升了有源层的迁移率；而且在提升栅极驱动区域晶体管器件的迁移率和Vth稳定性的同时不会出现电流过大致使栅极驱动区驱动电路出现烧毁的情况，进而使得通过所述第一晶体管器件的信号电压值增大，使得通过栅极驱动区输出至显示区的扫描信号电压值增大。

Description

一种显示器件
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示器件。
背景技术
氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)的体积大，使得制作氧化物薄膜晶体管的栅极驱动区域占用面积大，氧化物薄膜晶体管一般采用顶栅结构，但是大尺寸显示面板中的薄膜晶体管会因线路过长导致电压降低，从而使得在栅极驱动区出现电压小于开启晶体管的栅极电压，导致电压负偏无法保持栅极驱动区驱动电路通路的问题，为了保证显示区的正常显示，则会增大栅极驱动区的输出扫描信号电压，致使栅极驱动区内的电流过大，驱动电路出现烧毁。
常规的栅极驱动区电路，采用的漏极连接至屏蔽层的结构，实现屏蔽层与顶栅连接后共同作为栅极，从而在屏蔽层供电时增强对有源层沟道开启作用，基于IGZO氧化物晶体管的光照稳定性较差，晶体管容易发生性能偏移，稳定性较难保证，导致信号传输异常，容易出现级传失效等问题。而且此类结构给屏蔽层供电的信号为漏极连接的数据信号，只有当顶栅接通栅极信号后，才能真正实现开启有源层沟道，而漏极连接的数据信号早于或者晚于接通栅极信号时，均存在晶体管负偏的问题，从而难以准确控制有源层沟道开启。而且此结构无法给顶栅提供电流大的栅极信号，也无法给屏蔽层提供电流大的数据信号，从而导致有源层的迁移率低；而一旦给顶栅提供电流大的栅极信号或给屏蔽层提供电流大的数据信号时，则会因为电流过大导致栅极驱动区驱动电路出现烧毁的情况，严重限制了通过栅极驱动区输出的扫描信号电压的最大值，从而无法输出高电压的扫描信号至显示区。
因此，确有必要来开发一种新型的显示器件，来克服现有技术中的缺陷。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种显示器件，用以解决目前顶栅结构的氧化物薄膜晶体管无法给顶栅提供电流大的栅极信号，也无法给屏蔽层提供电流大的数据信号，从而导致有源层的迁移率低；而一旦给顶栅提供电流大的栅极信号或给屏蔽层提供电流大的数据信号时，则会因为电流过大导致栅极驱动区驱动电路出现烧毁情况，严重限制了通过栅极驱动区输出的扫描信号电压的最大值的技术问题。
为了实现上述目的，本发明其中一实施例中提供一种显示器件，具有显示区以及环绕于所述显示区周边的非显示区，所述非显示区设有栅极驱动区，所述栅极驱动区包括用于驱动所述显示区的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括第一晶体管器件；所述第一晶体管器件包括第一金属层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层以及第二金属层；具体地讲，所述缓冲层设于所述第一金属层上；所述有源层设于所述缓冲层上且与所述第一金属层对应设置；所述栅极绝缘层设于所述有源层上；所述栅极层设于所述栅极绝缘层上且与所述有源层对应设置；所述层间绝缘层设于所述缓冲层上且完全覆盖所述栅极层；所述第二金属层设于所述层间绝缘层上，所述第二金属层包括源电极、漏电极、第一信号走线以及第二信号走线；所述源电极电连接至所述有源层的一端，所述漏电极电连接至所述有源层的另一端；所述第一信号走线电连接至所述栅极层形成顶部栅极结构，用于输入第一栅极信号；所述第二信号走线电连接至所述第一金属层形成底部栅极结构，用于输入第二栅极信号。
进一步地，所述第一信号走线与所述第二信号走线电连接，所述第一栅极信号与所述第二栅极信号相同。
进一步地，所述缓冲层和所述层间绝缘层在对应所述第一金属层的端部位置设有第一过孔，所述第二信号走线穿过所述第一过孔电连接至所述第一金属层。
进一步地，所述栅极驱动电路还包括输入模块、稳压模块、输出下拉模块以及扫描信号输出端；所述输入模块具有第一输出端，所述第一输出端输出所述第一栅极信号及所述第二栅极信号输入至所述输出上拉模块；所述输出下拉模块与所述输出上拉模块电性连接；所述扫描信号输出端设于所述输出下拉模块和所述输出上拉模块之间，用于输出一扫描信号至所述显示区。
进一步地，所述第一晶体管器件的所述第一信号走线与所述第二信号走线与所述输入模块的第一输出端电性连接；所述第一晶体管器件的所述漏电极输入一时钟信号；所述第一晶体管器件的所述源电极与所述扫描信号输出端和所述输出下拉模块电性连接。
进一步地，所述显示器件的显示区内设有扫描线以及与所述扫描线交叉设置的数据线，在所述扫描线与所述数据线围成的区域内设有阵列分布的像素，每个所述栅极驱动电路通过一条所述扫描线电连接若干所述像素；每个所述像素包含像素驱动电路，所述栅极驱动电路与所述扫描线电性连接用于提供所述扫描信号至所述像素驱动电路。
进一步地，所述像素驱动电路包含开关晶体管、驱动晶体管、存储电容以及发光元件；所述开关晶体管的栅极与一条所述扫描线电连接；所述开关晶体管的漏极与一条所述数据线电连接；所述开关晶体管的源极与所述驱动晶体管的栅极及所述存储电容的一端电连接；所述驱动晶体管的漏极与所述存储电容的另一端电连接并输入第一电压信号，所述驱动晶体管的源极与所述发光元件的正极电连接，所述发光元件的负极输入第二电压信号；其中所述驱动晶体管采用所述第一晶体管器件的结构。
进一步地，所述显示器件包括阵列基板，所述阵列基板包括玻璃基板、钝化层、平坦层以及导电层；所述栅极驱动区形成在所述玻璃基板上；所述钝化层设于所述层间绝缘层上且完全覆盖所述第二金属层；所述平坦层设于所述钝化层上；所述导电层包括第一阳极走线，所述第一阳极走线设于所述平坦层上并与所述漏电极电连接。
进一步地，所述第一晶体管器件还包括换线层以及像素定义层；所述换线层设于所述钝化层上且与所述漏电极电连接；所述平坦层设于所述钝化层上且完全覆盖所述换线层；所述导电层与所述换线层电连接；所述像素定义层设于所述导电层上。
进一步地，在所述栅极驱动区内及所述显示区还包括第二晶体管器件和/或第三晶体管器件，所述第二晶体管器件及所述第三晶体管器件与所述第一晶体管器件的膜层对应设置；所述栅极驱动电路还包括输入模块、输出下拉模块、下拉控制模块以及反馈模块，所述输入模块、所述输出下拉模块、所述下拉控制模块以及所述反馈模块内的晶体管以及所述像素驱动电路内的所述开关晶体管T1采用所述第二晶体管器件或所述第三晶体管器件的结构；其中，所述第二晶体管器件包括遮光层、所述缓冲层、所述有源层、所述栅极绝缘层、所述栅极层、所述层间绝缘层以及所述第二金属层；所述遮光层与所述第一金属层设于同一层；所述缓冲层设于所述第一金属层上；所述有源层设于所述缓冲层上且与所述遮光层对应设置；所述栅极绝缘层，设于所述有源层上；所述栅极层设于所述栅极绝缘层上且与所述有源层对应设置；所述层间绝缘层设于所述缓冲层上且完全覆盖所述栅极层；所述第二金属层设于所述层间绝缘层上，所述第二金属层包括源电极、漏电极；所述源电极电连接至所述有源层的一端，所述漏电极电连接至所述有源层的另一端并同时电连接至所述遮光层；其中，所述第三晶体管器件包括所述有源层、所述栅极绝缘层、所述栅极层、所述层间绝缘层以及所述第二金属层；所述有源层设于所述缓冲层上且与所述第一金属层对应设置；所述栅极绝缘层，设于所述有源层上；所述栅极层设于所述栅极绝缘层上且与所述有源层对应设置；所述层间绝缘层设于所述缓冲层上且完全覆盖所述栅极层；所述第二金属层设于所述层间绝缘层上，所述第二金属层包括源电极、漏电极；所述源电极电连接至所述有源层的一端，所述漏电极电连接至所述有源层的另一端。
进一步地，在所述栅极驱动区内包括第一电容极板，所述第一电容极板与所述第一金属层设于同一层，所述第二金属层包括第二电容极板，所述有源层包括第三电容极板，所述第一电容极板电连接至所述第二电容极板，所述第三电容极板对应设于所述第一电容极板和所述第二电容极板之间形成电容。
进一步地，在所述栅极驱动区内包括第一衬垫走线，所述第一衬垫走线与所述第一金属层设于同一层，所述第二金属层包括第二衬垫走线，所述第二衬垫走线设于所述第一衬垫走线上方并电连接至所述第一衬垫走线，所述第一晶体管器件还包括第三衬垫走线，所述第三衬垫走线设于所述第二衬垫走线上方并电连接至所述第二衬垫走线形成绑定连接衬垫。
本发明的有益效果在于，提供一种显示器件，通过在显示器件的所述栅极驱动区内的栅极驱动电路的输出上拉模块的第一晶体管器件设置第一信号走线以及第二信号走线，所述第一信号走线电连接至所述栅极层，所述第二信号走线电连接至所述第一金属层，实现了采用双栅极的结构，可以单独通过第二信号走线提供电流大的栅极信号，或者同时通过第一信号走线以及第二信号走线提供电流大的栅极信号，提升了有源层的迁移率；而且此晶体管器件结构的稳定性较好，可以在提升栅极驱动区域晶体管器件的迁移率和Vth稳定性的同时不会出现电流过大致使栅极驱动区驱动电路出现烧毁的情况，进而使得通过所述第一晶体管器件的信号电压值增大，使得通过栅极驱动区输出至显示区的扫描信号电压值增大。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为本发明实施例中一种显示器件的平面结构示意图；
图2为本申请实施例中提供的一种栅极驱动电路的结构示意图；
图3为本申请实施例中提供的一种像素驱动电路的结构示意图；
图4为本发明实施例中一种显示器件的结构示意图，主要体现所述第一晶体管器件的结构；
图5为本发明实施例中一种显示器件的结构示意图，主要体现所述第二晶体管器件的结构；
图6为本发明实施例中一种显示器件的结构示意图，主要体现所述第三晶体管器件的结构；
图7为本发明实施例中制作所述第一晶体管器件结构时的平面结构示意图。
图中部件标识如下：
玻璃基板1，第一金属层21，遮光层22，
第一电容极板23，第一衬垫走线24，缓冲层3，
输入模块31，稳压模块32，输出上拉模块33，
输出下拉模块34，下拉控制模块35，反馈模块36，
有源层4，第三电容极板41，栅极绝缘层5，
栅极层6，层间绝缘层7，第二金属层8，
源电极81，漏电极82，第一信号走线83，
第二信号走线84，第二电容极板85，第二衬垫走线86，
钝化层9，换线层10，平坦层11，
导电层12，第一阳极走线121，第二阳极走线122，
第三阳极走线123，像素定义层13，第三衬垫走线14，
显示器件100，第一晶体管器件101，第二晶体管器件102，
第三晶体管器件103，显示区110，栅极驱动电路111，
扫描线112，数据线113，像素114，
源驱动芯片115，非显示区120，栅极驱动区130。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的部件以相似数字标号表示。本发明所提到的方向用语，例如，上、下、前、后、左、右、内、外、上表面、下表面、侧面、顶部、底部、前端、后端、末端等，仅是附图中的方向，只是用来解释和说明本发明，而不是用来限定本发明的保护范围。
当某些部件被描述为“在”另一部件“上”时，所述部件可以直接置于所述另一部件上；也可以存在一中间部件，所述部件置于所述中间部件上，且所述中间部件置于另一部件上。当一个部件被描述为“安装至”或“连接至”另一部件时，二者可以理解为直接“安装”或“连接”，或者一个部件通过一中间部件间接“安装至”或“连接至”另一个部件。
请参阅图1所示，本发明实施例中提供一种显示器件100，所述显示器件100可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
请参阅图1所示，所述显示器件100具有显示区110以及环绕于所述显示区110周边的非显示区120，所述非显示区120设有栅极驱动区130，所述栅极驱动区130包括用于驱动所述显示区110的栅极驱动电路111，所述栅极驱动电路111与扫描线112电性连接用于提供扫描信号Scan。所述显示区110内设有与扫描线112交叉设置的数据线113，在所述扫描线112与所述数据线113围成的区域内设有阵列分布的像素114，每个所述栅极驱动电路111通过一条所述扫描线112电连接若干所述像素114，源驱动芯片115通过至少一条数据线113电连接若干所述像素114。每个所述像素114包含像素驱动电路，所述像素驱动电路可以是2T1C、3T1C、7T1C的像素驱动电路结构。
请参阅图2所示，图2为本申请提供的一种栅极驱动电路111的结构示意图，所述栅极驱动电路111包括输入模块31、稳压模块32、输出上拉模块33、输出下拉模块34、下拉控制模块35、反馈模块36以及扫描信号输出端G(n)；其中所述输入模块具有第一输出端，所述第一输出端输出第一栅极信号及第二栅极信号输入至所述输出上拉模块33；所述稳压模块32设于所述输入模块31与所述输出上拉模块33之间并电连接至所述反馈模块36，所述下拉控制模块35连接至所述反馈模块36及所述输出下拉模块34；所述输出下拉模块34与所述输出上拉模块33电性连接；所述扫描信号输出端G(n)设于所述输出下拉模块34和所述输出上拉模块33之间，用于输出一扫描信号Scan至所述显示区110。
请参阅图3所示，图3为本申请提供的一种像素驱动电路的结构示意图，所述像素驱动电路以2T1C结构为例绘示于图6，图6中仅用以表示设有2T1C像素驱动电路结构的原理，其原理与3T1C、7T1C的像素驱动电路相同。所述像素驱动电路包含开关晶体管T1、驱动晶体管T2、存储电容C以及发光元件OLED；所述开关晶体管T1的栅极与一条所述扫描线112电连接；所述开关晶体管T1的漏极与一条所述数据线113电连接；所述开关晶体管T1的源极与所述驱动晶体管T2的栅极及所述存储电容C的一端电连接；所述驱动晶体管T2的漏极与所述存储电容C的另一端电连接并输入第一电压信号VDD，所述驱动晶体管T2的源极与所述发光元件OLED的正极电连接，所述发光元件OLED的负极输入第二电压信号VSS；其中所述驱动晶体管T2采用第一晶体管器件101(参见图4)的结构。这样在进行灰阶显示时的所述数据线113输入的数据信号Data转换成像素电荷被保留在所述像素驱动电路的存储电容C之中，所述存储电容C内存储的电荷数量增加从而避免了在所述像素驱动电路内出现Vth负偏的情况。
其中，图2中的所述栅极驱动电路111以18T1C的结构为例，在所述栅极驱动区130内的栅极驱动电路111的所述输出上拉模块内包括晶体管T21，所述晶体管T21采用第一晶体管器件101(参见图4)的结构；在所述栅极驱动区130内及所述显示区110内还包括第二晶体管器件102(参见图5)和/或第三晶体管器件103(参见图6)。所述第一晶体管器件101、所述第二晶体管器件102及所述第三晶体管器件103同层设置，各自的膜层对应设置。优选地，所述第一晶体管器件101及所述第三晶体管器件103构成所述栅极驱动电路111，所述第二晶体管器件102及所述第三晶体管器件103构成所述像素驱动电路。当然，也可由所述第一晶体管器件101、所述第二晶体管器件102及所述第三晶体管器件103的组合共同构成所述栅极驱动电路111或所述像素驱动电路。
所述显示器件100包括阵列基板，所述阵列基板包括玻璃基板1，以及设于所述玻璃基板1上的所述第一晶体管器件101、所述第二晶体管器件102及所述第三晶体管器件103。
请参阅图1、图4所示，所述第一晶体管器件101包括第一金属层21、缓冲层3、有源层4、栅极绝缘层5、栅极层6、层间绝缘层7以及第二金属层8；具体地讲，所述第一金属层21设于所述玻璃基板1上；缓冲层3，设于所述玻璃基板1上且完全覆盖所述第一金属层21；所述有源层4设于所述缓冲层3上且与所述第一金属层21对应设置；所述栅极绝缘层5设于所述有源层4上；所述栅极层6设于所述栅极绝缘层5上且与所述有源层4对应设置；所述层间绝缘层7设于所述缓冲层3上且完全覆盖所述栅极层6；所述第二金属层8设于所述层间绝缘层7上，所述第二金属层8包括源电极81、漏电极82、第一信号走线83以及第二信号走线84；所述源电极81电连接至所述有源层4的一端，所述漏电极82电连接至所述有源层4的另一端；所述第一信号走线83电连接至所述栅极层6形成顶部栅极结构，用于输入第一栅极信号；所述第二信号走线84电连接至所述第一金属层21形成底部栅极结构，用于输入第二栅极信号。所述栅极层6和所述第一金属层21构成了双栅极的结构，可以单独通过第二信号走线84提供电流大的栅极信号，或者同时通过第一信号走线83以及第二信号走线84提供电流大的栅极信号，提升了有源层4的迁移率；而且此所述第一晶体管器件101结构的稳定性较好，可以在提升栅极驱动区域晶体管器件的迁移率和Vth稳定性的同时不会出现电流过大致使栅极驱动区驱动电路出现烧毁的情况，进而使得通过所述第一晶体管器件101的信号电压值增大，使得通过栅极驱动区130栅极驱动电路111输出至显示区110像素驱动电路的扫描信号Scan电压值增大。
在本实施例中，所述第一信号走线83与所述第二信号走线84电连接，此时所述第一栅极信号与所述第二栅极信号相同，用于同时输入至所述扫描线112内并传输至所述像素114的像素驱动电路。由于所述有源层4位于所述栅极层6和所述第一金属层21之间，可以通过一较小电压的扫描信号实现驱动，避免了栅极驱动电路111因电压负偏出现电路断路的情况。而且单独通过第二信号走线84提供电流大的栅极信号可以有效提升有源层4的迁移率，进而输出的扫描信号的电压值增大，从而保证在所述像素114的像素驱动电路内存储电容C中存在较多的电荷，保证放电时长延长。
在本实施例中，所述缓冲层3和所述层间绝缘层7在对应所述第一金属层21的端部位置设有第一过孔，所述第二信号走线84穿过所述第一过孔电连接至所述第一金属层21。
在本实施例中，所述阵列基板还包括钝化层9、平坦层11以及导电层12；所述钝化层9设于所述层间绝缘层7上且完全覆盖所述第二金属层8；所述平坦层11设于所述钝化层9上；所述导电层12包括第一阳极走线121，所述第一阳极走线121设于所述平坦层11上并与所述漏电极82电连接。
在本实施例中，所述阵列基板还包括换线层10以及像素定义层13；所述换线层10设于所述钝化层9上且与所述漏电极82电连接；所述平坦层11设于所述钝化层9上且完全覆盖所述换线层10；所述导电层12与所述换线层10电连接；所述像素定义层13设于所述导电层12上。
请参阅图5所示，在本实施例中，所述第二晶体管器件102包括遮光层22、所述缓冲层3、所述有源层4、所述栅极绝缘层5、所述栅极层6、所述层间绝缘层7以及所述第二金属层8；所述遮光层22设于所述玻璃基板1上，与所述第一金属层21同层设置；所述缓冲层3设于所述玻璃基板1上且完全覆盖所述遮光层22；所述有源层4设于所述缓冲层3上且与所述遮光层22对应设置；所述栅极绝缘层5，设于所述有源层4上；所述栅极层6设于所述栅极绝缘层5上且与所述有源层4对应设置；所述层间绝缘层7，设于所述缓冲层3上且完全覆盖所述栅极层6；以及所述第二金属层8，设于所述层间绝缘层7上，所述第二金属层8包括源电极81、漏电极82；所述源电极81电连接至所述有源层4的一端，所述漏电极82电连接至所述有源层4的另一端并同时电连接至所述遮光层22。所述栅极层6实现了与所述遮光层22的电性连接，从而在一定程度上可以在所述栅极层6通电后导通所述遮光层22，由于所述有源层4位于所述栅极层6和所述遮光层22之间，可以通过一较小电压的扫描信号实现驱动，避免了栅极驱动电路111因电压负偏出现电路断路的情况。
在本实施例中，在对应所述第二晶体管器件102位置的所述阵列基板包括所述钝化层9、所述平坦层11以及所述导电层12；所述钝化层9设于所述层间绝缘层7上且完全覆盖所述第二金属层8；所述平坦层11设于所述钝化层9上；所述导电层12包括第二阳极走线122，所述第二阳极走线122设于所述平坦层11上并与所述漏电极82电连接。
请参阅图6所示，在本实施例中，在所述栅极驱动区130内及所述显示区110内的所述第三晶体管器件103包括所述有源层4、所述栅极绝缘层5、所述栅极层6、所述层间绝缘层7以及所述第二金属层8；所述有源层4设于所述缓冲层3上且与所述第一金属层21对应设置；所述栅极绝缘层5设于所述有源层4上；所述栅极层6设于所述栅极绝缘层5上且与所述有源层4对应设置；所述层间绝缘层7，设于所述缓冲层3上且完全覆盖所述栅极层6；所述第二金属层8设于所述层间绝缘层7上，所述第二金属层8包括源电极81、漏电极82；所述源电极81电连接至所述有源层4的一端，所述漏电极82电连接至所述有源层4的另一端。可理解的是，所述第三晶体管器件103内不包含所述遮光层22，从而能够简化阵列基板制作步骤，而且有利于减少膜层厚度。
在本实施例中，在对应所述第三晶体管器件103位置的所述阵列基板包括所述钝化层9、所述平坦层11以及所述导电层12；所述钝化层9设于所述层间绝缘层7上且完全覆盖所述第二金属层8；所述平坦层11设于所述钝化层9上；所述导电层12包括第三阳极走线123，所述第三阳极走线123设于所述平坦层11上并与所述漏电极82电连接。
在本实施例中，在所述栅极驱动区130内，所述第一金属层21包括第一电容极板23，所述第二金属层8包括第二电容极板85，所述有源层4包括第三电容极板41，所述第一电容极板23电连接至所述第二电容极板85，所述第三电容极板41对应设于所述第一电容极板23和所述第二电容极板85之间形成电容。
在本实施例中，在所述栅极驱动区130内，所述第一金属层21包括第一衬垫走线24，所述第二金属层8包括第二衬垫走线86，所述第二衬垫走线86设于所述第一衬垫走线24上方并电连接至所述第一衬垫走线24，所述第一晶体管器件101还包括第三衬垫走线14，所述第三衬垫走线14设于所述第二衬垫走线86上方并电连接至所述第二衬垫走线86形成绑定连接衬垫。在对应所述绑定连接衬垫位置，所述像素定义层13还设有裸露所述绑定连接衬垫上表面的凹槽。
值得注意的是，所述第一金属层21、所述遮光层22、所述第一电容极板23、所述第一衬垫走线24同层设置，均由一层金属图案化制作形成；所述源电极81、所述漏电极82、所述第一信号走线83、所述第二信号走线84、所述第二电容极板85、所述第二衬垫走线86同层设置，均属于所述第二金属层8；所述第一阳极走线121、所述第二阳极走线122、所述第三阳极走线123同层设置，均属于所述导电层12；这样可同时在所述栅极驱动区130和显示区110内制作所述第一晶体管器件101、所述第二晶体管器件102、所述第三晶体管器件103，有效提高制作效率。
基于前文所述的显示器件100，本发明还提供所述显示器件100的制作方法，包括以下步骤：
(1)对玻璃基板1清洗，并沉积一层500埃-2000埃厚度的金属层，该金属层的材质可以是Mo，Al，Cu，Ti等，或者是合金；并对该金属层图形化处理形成第一金属层21、遮光层22、第一电容极板23、第一衬垫走线24。
(2)沉积一层SiOx或是SiNx或是多层结构薄膜，作为缓冲层3，厚度为1000埃-5000埃；
(3)沉积一层金属氧化物半导体材料(Oxide)作为半导体层，可以是IGZO，IZTO，IGZTO等等，厚度为100埃-1000埃，并蚀刻出图形；
(4)沉积一层SiOx或是SiNx或是多层结构薄膜，作为栅极绝缘层5(GI)，厚度为1000埃-3000埃；
(5)沉积一层金属作为栅极层6金属层，可以是Mo，Al，Cu，Ti等，或者是合金，或者是Mo/Al/Mo叠层结构，厚度为2000埃-8000埃；
(6)利用一道黄光，先蚀刻出栅极层6金属的图形，再利用栅极层6金属图形为自对准，蚀刻栅极绝缘层5，只在有栅极层6金属图形的膜层下方，才有栅极绝缘层5存在，其余地方栅极绝缘层5均被蚀刻掉；
(7)进行整面的Plasma处理，最后的结果，对于上方没有栅极绝缘层5和栅极层6金属保护的半导体层，其处理以后电阻明显降低，形成N+导体层，栅极绝缘层5下方的半导体层没有被处理到，保持半导体特性，作为TFT沟道，从而形成有源层4；
(8)沉积层间绝缘层7(ILD)，层间绝缘层7为SiOx或是SiNx或是多层结构薄膜，厚度为2000埃-10000埃；
(9)进行黄光和蚀刻的制程，同时做好对第一金属层21、遮光层22接信号的接触孔；再进行层间绝缘层7的黄光和蚀刻，做好与栅极层6对应的接触孔；
(10)沉积一层金属作为第二金属层8，可以是Mo，Al，Cu，Ti等，或者是合金，或者是Mo/Al/Mo叠层结构，厚度为2000埃-8000埃；所述第二金属层8包含第一信号走线83以及第二信号走线84，其中在栅极驱动区130，所述第一信号走线83电连接至所述栅极层6，所述第二信号走线84电连接至所述第一金属层21，其余地方正常制备；然后定义出图形；
(11)沉积钝化层9(PV)，沉积一层SiOx薄膜，厚度为1000埃-5000埃；
(12)制作平坦层11(PLN)，在像素电极连接的地方进行开孔；
(13)最后制作导电层12并图形化形成像素电极，背板制作即完成，可以作为后续制备LCD或OLED的显示器件100。
请参阅图7所示，为制作所述第一晶体管器件101结构时的平面结构示意图。
基于同样的发明构思，本公开实施例提供一种显示面板，该显示面板包括由以上实施例所提供的显示器件100。本公开实施例中的显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本实施例提供的显示面板的工作原理，与前述显示器件100的实施例工作原理一致，具体结构关系及工作原理参见前述显示器件100实施例，此处不再赘述。
本发明的有益效果在于，提供一种显示器件，通过在显示器件的所述栅极驱动区内设置第一信号走线以及第二信号走线，所述第一信号走线电连接至所述栅极层，所述第二信号走线电连接至所述第一金属层，实现了采用双栅极的结构，可以单独通过第二信号走线提供电流大的扫描信号，或者同时通过第一信号走线以及第二信号走线提供电流大的扫描信号，提升了有源层的迁移率；而且此晶体管器件结构的稳定性较好，可以在提升栅极驱动区域晶体管器件的迁移率和Vth稳定性的同时不会出现电流过大致使栅极驱动区驱动电路出现烧毁的情况，进而使得通过所述第一晶体管器件的信号电压值增大，使得通过栅极驱动区输出至显示区的扫描信号电压值增大。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示器件，具有显示区以及环绕于所述显示区周边的非显示区，所述非显示区设有栅极驱动区，所述栅极驱动区包括用于驱动所述显示区的栅极驱动电路，其特征在于，所述栅极驱动电路包括输出上拉模块，所述输出上拉模块包括第一晶体管器件；所述第一晶体管器件包括：
第一金属层；
缓冲层，设于所述第一金属层上；
有源层，设于所述缓冲层上且与所述第一金属层对应设置；
栅极绝缘层，设于所述有源层上；
栅极层，设于所述栅极绝缘层上且与所述有源层对应设置；
层间绝缘层，设于所述缓冲层上且完全覆盖所述栅极层；以及
第二金属层，设于所述层间绝缘层上，所述第二金属层包括源电极、漏电极、第一信号走线以及第二信号走线；所述源电极电连接至所述有源层的一端，所述漏电极电连接至所述有源层的另一端；所述第一信号走线电连接至所述栅极层形成顶部栅极结构，用于输入第一栅极信号；所述第二信号走线电连接至所述第一金属层形成底部栅极结构，用于输入第二栅极信号。
2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述第一信号走线与所述第二信号走线电连接，所述第一栅极信号与所述第二栅极信号相同。
3.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述缓冲层和所述层间绝缘层在对应所述第一金属层的端部位置设有第一过孔，所述第二信号走线穿过所述第一过孔电连接至所述第一金属层。
4.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述栅极驱动电路还包括：
输入模块，具有第一输出端，所述第一输出端输出所述第一栅极信号及所述第二栅极信号输入至所述输出上拉模块；
输出下拉模块，与所述输出上拉模块电性连接；以及
扫描信号输出端，设于所述输出下拉模块和所述输出上拉模块之间，用于输出一扫描信号至所述显示区。
5.根据权利要求4所述的显示器件，其特征在于，所述第一晶体管器件的所述第一信号走线与所述第二信号走线与所述输入模块的第一输出端电性连接；所述第一晶体管器件的所述漏电极输入一时钟信号；所述第一晶体管器件的所述源电极与所述扫描信号输出端和所述输出下拉模块电性连接。
6.根据权利要求4所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件的显示区内设有扫描线以及与所述扫描线交叉设置的数据线，在所述扫描线与所述数据线围成的区域内设有阵列分布的像素，每个所述栅极驱动电路通过一条所述扫描线电连接若干所述像素；每个所述像素包含像素驱动电路，所述栅极驱动电路与所述扫描线电性连接用于提供所述扫描信号至所述像素驱动电路。
7.根据权利要求6所述的显示器件，其特征在于，所述像素驱动电路包含开关晶体管、驱动晶体管、存储电容以及发光元件；所述开关晶体管的栅极与一条所述扫描线电连接；所述开关晶体管的漏极与一条所述数据线电连接；所述开关晶体管的源极与所述驱动晶体管的栅极及所述存储电容的一端电连接；所述驱动晶体管的漏极与所述存储电容的另一端电连接并输入第一电压信号，所述驱动晶体管的源极与所述发光元件的正极电连接，所述发光元件的负极输入第二电压信号；其中所述驱动晶体管采用所述第一晶体管器件的结构。
8.根据权利要求7所述的显示器件，其特征在于，在所述栅极驱动区内及所述显示区内还包括第二晶体管器件和/或第三晶体管器件，所述第二晶体管器件及所述第三晶体管器件与所述第一晶体管器件的膜层对应设置；
所述栅极驱动电路还包括输入模块、稳压模块、输出下拉模块、下拉控制模块以及反馈模块，所述输入模块、所述输出下拉模块、所述下拉控制模块以及所述反馈模块内的晶体管以及所述像素驱动电路内的所述开关晶体管T1采用所述第二晶体管器件或所述第三晶体管器件的结构；
其中，所述第二晶体管器件包括：
遮光层，与所述第一金属层设于同一层；
所述缓冲层，设于所述遮光层上；
所述有源层，设于所述缓冲层上且与所述遮光层对应设置；
所述栅极绝缘层，设于所述有源层上；
所述栅极层，设于所述栅极绝缘层上且与所述有源层对应设置；
所述层间绝缘层，设于所述缓冲层上且完全覆盖所述栅极层；以及
所述第二金属层，设于所述层间绝缘层上，所述第二金属层包括源电极、漏电极；所述源电极电连接至所述有源层的一端，所述漏电极电连接至所述有源层的另一端并同时电连接至所述遮光层；
其中，所述第三晶体管器件包括：
所述有源层，设于所述缓冲层上且与所述第一金属层对应设置；
所述栅极绝缘层，设于所述有源层上；
所述栅极层，设于所述栅极绝缘层上且与所述有源层对应设置；
所述层间绝缘层，设于所述缓冲层上且完全覆盖所述栅极层；以及
所述第二金属层，设于所述层间绝缘层上，所述第二金属层包括源电极、漏电极；所述源电极电连接至所述有源层的一端，所述漏电极电连接至所述有源层的另一端。
9.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，
在所述栅极驱动区包括第一电容极板，所述第一电容极板与所述第一金属层设于同一层，所述第二金属层包括第二电容极板，所述有源层包括第三电容极板，所述第一电容极板电连接至所述第二电容极板，所述第三电容极板对应设于所述第一电容极板和所述第二电容极板之间形成电容。
10.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，
在所述栅极驱动区包括第一衬垫走线，所述第一衬垫走线与所述第一金属层设于同一层，所述第二金属层包括第二衬垫走线，所述第二衬垫走线设于所述第一衬垫走线上方并电连接至所述第一衬垫走线，所述第一晶体管器件还包括第三衬垫走线，所述第三衬垫走线设于所述第二衬垫走线上方并电连接至所述第二衬垫走线形成绑定连接衬垫。
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