CN115000117A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供的阵列基板及显示面板，该阵列基板包括：衬底基板、第一金属层、缓冲层、第二金属层以及层间介质层；第一金属层设于衬底基板上，第一金属层包括第一金属走线以及第二金属走线，第一金属走线与第二金属走线相交且绝缘设置，第一金属层在第一金属走线与第二金属走线相交处设有跨线区；缓冲层设于第一金属层远离衬底基板的一侧；第二金属层设于缓冲层远离衬底基板的一侧；层间介质层设于缓冲层与第二金属层之间，层间介质层至少覆盖走线跨线区。该阵列基板可以降低第一金属层金属走线跨线位置与第二金属层金属走线产生短路的风险。

Description

阵列基板及显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

Micro-LED/Mini-LED显示器件，具有自发光显示特性，且具有全固态、长寿命、高亮度、低功耗、体积较小、超高分辨率、可应用于高温或辐射等极端环境的优势，其材料也不易受到环境影响，因此，表现相对稳定，也能避免产生残影现象等，被广泛应用于显示屏、背光源及照明等显示领域。

现有的Micro-LED/Mini-LED显示器件，由于电源信号线在面内显示区为网状设计，经常需要与栅极、源极跨线，在现有的像素设计中，薄膜晶体管的栅极与电源信号线位于第一金属层，源极和漏极位于第二金属层，由于显示面板解析度越来越大，刷新频率越来越高，需要用到的信号线越来越多，导致第一金属层中的金属走线在相互交错跨线(MetalCross)的位置跨线爬坡的坡度越来越大，金属走线的地势越来越高，进而第一金属层与第二金属层之间的距离越来越短，增加了第一金属层金属走线跨线位置与第二金属层金属走线产生短路的风险。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种阵列基板及显示面板，该阵列基板能够降低第一金属层金属走线跨线位置与第二金属层金属走线产生短路的风险。

一方面，本申请实施例提供一种阵列基板，包括：衬底基板、第一金属层、缓冲层、第二金属层以及层间介质层；第一金属层设于所述衬底基板上，所述第一金属层包括第一金属走线以及第二金属走线，所述第一金属走线与所述第二金属走线相交且绝缘设置，所述第一金属层在所述第一金属走线与所述第二金属走线相交处设有跨线区；缓冲层设于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧；第二金属层设于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧；层间介质层设于所述缓冲层与所述第二金属层之间，所述层间介质层至少覆盖所述走线跨线区。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述第一金属层包括多条第一金属走线以及多条所述第二金属走线，所述跨线区包括多个跨线子区，多条所述第一金属走线在所述衬底基板上的垂直正投影与多条所述第二金属走线在所述衬底基板上的垂直正投影分别在各所述跨线子区内重叠；

所述层间介质层包括与多个所述跨线子区一一对应的多个子介质层，所述子介质层至少覆盖对应的所述跨线子区。

可选地，在本申请的一些实施例中，沿所述第一金属走线延伸方向排布的多个所述跨线子区相互连接，和/或，沿所述第二金属走线延伸方向排布的多个所述跨线子区相互连接。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述子介质层在所述跨线子区处的宽度大于所述第一金属走线在所述跨线子区处的宽度，和/或，所述子介质层在所述跨线子区处的宽度大于所述第二金属走线在所述跨线子区处的宽度。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述层间介质层在所述衬底基板上的垂直正投影覆盖所述第一金属层在所述衬底基板上的垂直正投影，和/或，所述层间介质层在所述衬底基板上的垂直正投影覆盖所述第二金属层在所述衬底基板上的垂直正投影。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述层间介质层在所述跨线区处的厚度大于所述层间介质层在非跨线区处的厚度。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括有源层、栅极绝缘层、栅极层、保护层、钝化层、平坦层以及焊盘层，所述有源层设于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧，所述栅极绝缘层设于所述有源层远离所述衬底基板的一侧，所述栅极层设于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述第二金属层还包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层电性连接，所述源极还与所述第一金属层电性连接；所述保护层设于所述第一金属层靠近所述衬底基板的一侧，所述钝化层设于所述源漏极层以及所述层间介质层远离所述衬底基板的一侧，所述平坦层设于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧；所述焊盘层设于所述平坦层远离所述衬底基板的一侧，所述焊盘层设有至少一对连接焊盘，所述连接焊盘包括第一连接焊盘和第二连接焊盘，所述第一连接焊盘与所述漏极电性连接，所述第二金属层还包括接触电极，所述第二连接焊盘与所述接触电极电性连接。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述栅极层与所述第二金属层同层设置，所述栅极层包括栅极，所述栅极设于所述源极与所述漏极之间。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述焊盘层设有两对所述连接焊盘，两对所述连接焊盘沿第一方向对称排布。

另一方面，本申请提供一种显示面板，包括驱动模块以及如上所述的阵列基板，所述驱动模块与所述阵列基板相对设置。

在本申请实施例提供的阵列基板及显示面板中，该阵列基板包括：衬底基板、第一金属层、缓冲层、第二金属层以及层间介质层；第一金属层设于所述衬底基板上，所述第一金属层包括第一金属走线以及第二金属走线，所述第一金属走线与所述第二金属走线相交且绝缘设置，所述第一金属层在所述第一金属走线与所述第二金属走线相交处设有跨线区；缓冲层设于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧；第二金属层设于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧；层间介质层设于所述缓冲层与所述第二金属层之间，所述层间介质层至少覆盖所述走线跨线区。该阵列基板通过设置层间介质层，可以降低第一金属层金属走线跨线位置与第二金属层金属走线产生短路的风险。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请第一实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；

图2为图1所示的阵列基板沿AA’方向的剖视图；

图3为本申请第一实施例提供的阵列基板的等效电路图；

图4为本申请第一实施例提供的阵列基板的结构示意图之二；

图5为本申请第二实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图6为本申请第三实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图7为本申请第三实施例提供的阵列基板的等效电路图

图8为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板，该阵列基板能够提高薄膜晶体管的稳定性。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。术语“第一”、“第二”、“第三”等仅仅作为标示使用，其用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。

请参阅图1至图3，图1为本申请第一实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；图2为图1所示的阵列基板沿AA’方向的剖视图；图3为本申请第一实施例提供的阵列基板的等效电路图；图4为本申请第一实施例提供的阵列基板的结构示意图之二。如图1至图3所示，本申请提供一种阵列基板100，包括：衬底基板10、第一金属层20、缓冲层30、有源层40、栅极绝缘层50、第二金属层60以及层间介质层70；第一金属层20设于衬底基板10上；缓冲层30设于第一金属层20远离衬底基板10的一侧；有源层40设于缓冲层30远离衬底基板10的一侧；栅极绝缘层50设于有源层40远离衬底基板10的一侧；第二金属层60设于栅极绝缘层50远离衬底基板10的一侧，第二金属层60包括绝缘设置的源极61、栅极62以及漏极63，栅极62位于源极61和漏极63之间；层间介质层70设于缓冲层30与第二金属层60之间。

在本申请实施例中，驱动薄膜晶体管Td包括源极61、栅极62、漏极63以及有源层40。其中，第一金属层20在衬底基板10上的垂直正投影覆盖有源层40在衬底基板10上的垂直正投影。第一金属层20为单层结构或多层结构，该单层结构或多层结构中任一层的材质可为钼、铝、铜或钛等单种金属，也可为合金，例如：钼钛镍合金的材料，具有遮光效果，避免光线照射到有源层40，影响驱动薄膜晶体管Td的性能。

在本申请实施例中，层间介质层70包括第一过孔71以及第二过孔72，源极61通过第一过孔71与有源层40电性连接，漏极63通过第二过孔72与有源层40电性连接。其中，栅极62的材料包括铜、铝、钼、钛、铬和钨等金属中的一种或由至少两种该金属组成的合金。源极61和漏极63的材料包括铜或铝等金属。

在本申请实施例中，阵列基板还包括第一层间过孔73，第一层间过孔73贯穿缓冲层30以及层间介质层70，源极61还通过第一层间过孔73与第一金属层20电性连接。第一金属层20与源极61电性连接，可以将第一金属层20的感应电荷传导出去，避免第一金属层20感生电荷对驱动晶体管的影响，并且，让驱动晶体管的有源层40、源极61和漏极63处于同一电势，从而提升驱动晶体管的稳定性，改善驱动晶体管的电学性能。

在本申请实施例中，有源层40在衬底基板10上的垂直正投影覆盖栅极绝缘层50在衬底基板10上的垂直正投影。此时，第一金属层20与第二金属层60之间包括缓冲层30和层间介质层70两层具有绝缘功能的膜层，这样的设计，有利于增大第一金属层20和第二金属层60之间的距离，提升第一金属层20与第二金属层60跨线位置的耐压值，降低其跨线位置短路或断路的风险。

在本申请实施例中，阵列基板还包括保护层80、钝化层90、平坦层91、第二层间过孔92以及第三层间过孔93，保护层80设于第一金属层20靠近衬底基板10的一侧，钝化层90设于源漏极63层以及层间介质层70远离衬底基板10的一侧，平坦层91设于钝化层90远离衬底基板10的一侧；第二层间过孔92与第三层间过孔93均贯穿钝化层90以及平坦层91，第二层间过孔92在衬底基板10上的垂直正投影与漏极63在衬底基板10上的垂直正投影至少部分重合；第三层间过孔93设于第二层间过孔92远离栅极62的一侧。

在本申请实施例中，保护层80、钝化层90、平坦层91以及栅极绝缘层50的材料均包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钇、聚酰亚胺、环氧树脂、丙烯酸、光刻胶苯丙环丁烯或聚甲基丙烯酸甲酯等中的至少一种，且可为单层薄膜，或是由以上绝缘材料组成的多层薄膜。

在本申请实施例中，阵列基板还包括焊盘层94，第二金属层60还包括接触电极64，焊盘层94设于平坦层91远离衬底基板10的一侧，接触电极64与第三层间过孔93对应设置；焊盘层94设有至少一对连接焊盘94，其中连接焊盘94包括第一连接焊盘941和第二连接焊盘942，第一连接焊盘941通过第二层间过孔92与漏极63电性连接，第二连接焊盘942通过第三层间过孔93与接触电极64电性连接。

在本申请实施例中，焊盘层94可以为单层金属薄膜，或由单层铝、铜、钼、钛、银、金、钽、铬、铟、镍或铝合金中任意两层以上组成的多层薄膜。

在本申请实施例中，第一过孔71、第二过孔72、第一层间过孔73、第二层间过孔92以及第三层间过孔93均为锥形孔，也即，过孔远离衬底基板10一侧的横截面宽度大于靠近衬底基板10一侧的横截面宽度，以避免后续金属线制作时由于过孔过陡导致的断线或连接不良等问题。

在本申请实施例中，阵列基板包括呈阵列排布的像素单元，像素单元包括驱动薄膜晶体管Td、开关薄膜晶体管Ts、第一电源信号线VDD和第二电源信号线VSS以及微型发光二极管LED，驱动薄膜晶体管Td的栅极62与开关薄膜晶体管Ts的漏极63电性连接，驱动薄膜晶体管Td的源极61与第一电源信号线VDD电性连接，驱动薄膜晶体管Td的漏极63与第一连接焊盘941电性连接，也即与微型发光二极管LED的正极电性连接，接触电极64与第二电源信号线VSS电性连接并电性连接第二连接焊盘942，也即微型发光二极管LED的负极。具体地，第一电源信号线VDD为电压源以传输恒定的第一电源电压，例如第一电源电压为正电压；而第二电源信号线VSS可以为电压源以传输恒定的第二电源电压，例如第二电源电压为0或者为负电压等，第二电源信号线VSS也可以接地。

进一步地，如图4所示，层间介质层70覆盖栅极62，源极61和漏极63设于层间介质层70远离衬底基板10的一侧。这样的设计，有利于降低接触电阻，提高驱动薄膜晶体管Td的稳定性。

该阵列基板通过将栅极62与源极61和漏极63同层设置，且第一金属层20与第二金属层60之间设有缓冲层30以及层间介质层70两层，可以降低第一金属层20与第二金属层60跨线位置发生短路的风险。

作为本申请的一种具体实施方式，请参阅图5，图5为本申请第二实施例提供的阵列基板的结构示意图。如图5所示，阵列基板300与阵列基板100的区别在于：栅极绝缘层50覆盖有源层40，层间介质层70设于栅极绝缘层50远离衬底基板10的一侧，第一过孔71、第二过孔72以及第一层间过孔73均贯穿栅极绝缘层50。这样的设计，有利于进一步降低第一金属层20与第二金属层60跨线位置发生短路的风险，且简化工艺制程，避免层间介质层70爬坡位置由于工艺难度大引起制程不良导致的显示效果问题，提升驱动薄膜晶体管Td的稳定性。

在本申请实施例中，阵列基板200还包括：衬底基板10、第一金属层20、缓冲层30、有源层40、栅极绝缘层50、第二金属层60以及层间介质层70；第一金属层20设于衬底基板10上；缓冲层30设于第一金属层20远离衬底基板10的一侧；有源层40设于缓冲层30远离衬底基板10的一侧；栅极绝缘层50设于有源层40远离衬底基板10的一侧；第二金属层60设于栅极绝缘层50远离衬底基板10的一侧，第二金属层60包括绝缘设置的源极61、栅极62以及漏极63，栅极62位于源极61和漏极63之间；层间介质层70设于缓冲层30与第二金属层60之间。

在本申请实施例中，驱动薄膜晶体管Td包括源极61、栅极62、漏极63以及有源层40。层间介质层70包括第一过孔71以及第二过孔72，源极61通过第一过孔71与有源层40电性连接，漏极63通过第二过孔72与有源层40电性连接。第一层间过孔73贯穿缓冲层30以及层间介质层70，源极61还通过第一层间过孔73与第一金属层20电性连接。第一金属层20与源极61电性连接，可以将第一金属层20的感应电荷传导出去，避免第一金属层20感生电荷对驱动晶体管的影响，并且，让驱动晶体管的有源层40、源极61和漏极63处于同一电势，从而提升驱动晶体管的稳定性，改善驱动晶体管的电学性能。

在本申请实施例中，阵列基板还包括保护层80、钝化层90、平坦层91、第二层间过孔92以及第三层间过孔93，保护层80设于第一金属层20靠近衬底基板10的一侧，钝化层90设于源漏极63层以及层间介质层70远离衬底基板10的一侧，平坦层91设于钝化层90远离衬底基板10的一侧；第二层间过孔92与第三层间过孔93均贯穿钝化层90以及平坦层91，第二层间过孔92在衬底基板10上的垂直正投影与漏极63在衬底基板10上的垂直正投影至少部分重合；第三层间过孔93设于第二层间过孔92远离栅极62的一侧。

在本申请实施例中，阵列基板还包括焊盘层94，第二金属层60还包括接触电极64，焊盘层94设于平坦层91远离衬底基板10的一侧，接触电极64与第三层间过孔93对应设置；焊盘层94设有至少一对连接焊盘94，其中连接焊盘94包括第一连接焊盘941和第二连接焊盘942，第一连接焊盘941通过第二层间过孔92与漏极63电性连接，第二连接焊盘942通过第三层间过孔93与接触电极64电性连接。

作为本申请的一种具体实施方式，请参阅图6至图7，图6为本申请第三实施例提供的阵列基板的结构示意图；图7为本申请第三实施例提供的阵列基板的等效电路图。如图6和图7所示，阵列300与阵列基板100的区别在于：焊盘层94设有两对连接焊盘94，两对连接焊盘94沿第一方向X对称排布。基于本申请中阵列基板的结构设计，本申请的焊盘层94可设计为仅包括两对连接焊盘94的结构，这样有利于在不影响正常显示的条件下，降低功耗，提升阵列基板的竞争力。

在本申请实施例中，阵列基板300还包括：衬底基板10、第一金属层20、缓冲层30、有源层40、栅极绝缘层50、第二金属层60以及层间介质层70；第一金属层20设于衬底基板10上；缓冲层30设于第一金属层20远离衬底基板10的一侧；有源层40设于缓冲层30远离衬底基板10的一侧；栅极绝缘层50设于有源层40远离衬底基板10的一侧；第二金属层60设于栅极绝缘层50远离衬底基板10的一侧，第二金属层60包括绝缘设置的源极61、栅极62以及漏极63，栅极62位于源极61和漏极63之间；层间介质层70设于缓冲层30与第二金属层60之间。

在本申请实施例中，驱动薄膜晶体管Td包括源极61、栅极62、漏极63以及有源层40。层间介质层70包括第一过孔71以及第二过孔72，源极61通过第一过孔71与有源层40电性连接，漏极63通过第二过孔72与有源层40电性连接。第一层间过孔73贯穿缓冲层30以及层间介质层70，源极61还通过第一层间过孔73与第一金属层20电性连接。第一金属层20与源极61电性连接，可以将第一金属层20的感应电荷传导出去，避免第一金属层20感生电荷对驱动晶体管的影响，并且，让驱动晶体管的有源层40、源极61和漏极63处于同一电势，从而提升驱动晶体管的稳定性，改善驱动晶体管的电学性能。

在本申请实施例中，阵列基板还包括保护层80、钝化层90、平坦层91、第二层间过孔92以及第三层间过孔93，保护层80设于第一金属层20靠近衬底基板10的一侧，钝化层90设于源漏极63层以及层间介质层70远离衬底基板10的一侧，平坦层91设于钝化层90远离衬底基板10的一侧；第二层间过孔92与第三层间过孔93均贯穿钝化层90以及平坦层91，第二层间过孔92在衬底基板10上的垂直正投影与漏极63在衬底基板10上的垂直正投影至少部分重合；第三层间过孔93设于第二层间过孔92远离栅极62的一侧。

在本申请实施例中，阵列基板还包括焊盘层94，第二金属层60还包括接触电极64，焊盘层94设于平坦层91远离衬底基板10的一侧，接触电极64与第三层间过孔93对应设置；焊盘层94设有至少一对连接焊盘94，其中连接焊盘94包括第一连接焊盘941和第二连接焊盘942，第一连接焊盘941通过第二层间过孔92与漏极63电性连接，第二连接焊盘942通过第三层间过孔93与接触电极64电性连接。

在本申请实施例中，阵列基板包括呈阵列排布的像素单元，像素单元包括驱动薄膜晶体管Td、开关薄膜晶体管Ts、第一电源信号线VDD和第二电源信号线VSS以及微型发光二极管LED，驱动薄膜晶体管Td的栅极62与开关薄膜晶体管Ts的漏极63电性连接，驱动薄膜晶体管Td的源极61与第一电源信号线VDD电性连接，驱动薄膜晶体管Td的漏极63与第一连接焊盘941电性连接，也即与微型发光二极管LED的正极电性连接，接触电极64与第二电源信号线VSS电性连接并电性连接第二连接焊盘942，也即微型发光二极管LED的负极。其中，开关薄膜晶体管Ts的栅极62与扫描线电性连接，源极61与数据线电性连接。

在本申请实施例中，如图6所示，两个相邻的驱动薄膜晶体管Td的漏极63通过两个电性连接的第一连接焊盘941相互电性连接，两个第二连接焊盘942之间电性连接且与第二电源信号线VSS电性连接。

在本申请实施例中，如图7所示，相邻两个驱动薄膜晶体管Td的漏极63与两个第一连接焊盘941分别电性连接，两个第一连接焊盘941之间电性连接，两个驱动薄膜晶体管Td的源极61电性连接于第一电源信号线VDD，其中，两个驱动薄膜晶体管Td的漏极63均与同一微型发光二极管LED的正极电性连接。具体地，两对连接焊盘94可以分别和两个微型发光二极管LED电性连接，也可以一个驱动薄膜晶体管Td通过两对连接焊盘94与两个微型发光二极管LED电性连接，本申请在此不作限定。

相较于现有技术中连接焊盘94的数量至少为3组，阵列基板300通过将栅极62与源极61和漏极63同层设置，且第一金属层20与第二金属层60之间设有缓冲层30以及层间介质层70两层，可以降低第一金属层20与第二金属层60跨线位置发生短路的风险的同时，仅需设置两对连接焊盘94，有利于降低功耗，提升产品竞争力。

请参阅图8，图8是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。如图8所示，本申请提供一种显示面板400，包括彩膜基板410以及如上所述的阵列基板100/200/300，彩膜基板410与阵列基板100/200/300相对设置。

本申请提供的显示面板中的阵列基板通过将栅极62与源极61和漏极63同层设置，且第一金属层20与第二金属层60之间设有缓冲层30以及层间介质层70两层，可以降低第一金属层20与第二金属层60跨线位置发生短路的风险。

显示面板可以用于手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示面板的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。

以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

第一金属层，设于所述衬底基板上，所述第一金属层包括第一金属走线以及第二金属走线，所述第一金属走线与所述第二金属走线相交且绝缘设置，所述第一金属层在所述第一金属走线与所述第二金属走线相交处设有跨线区；

缓冲层，设于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧；

第二金属层，设于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧；

层间介质层，设于所述缓冲层与所述第二金属层之间，所述层间介质层至少覆盖所述走线跨线区。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层包括多条第一金属走线以及多条所述第二金属走线，所述跨线区包括多个跨线子区，多条所述第一金属走线在所述衬底基板上的垂直正投影与多条所述第二金属走线在所述衬底基板上的垂直正投影分别在各所述跨线子区内重叠；

所述层间介质层包括与多个所述跨线子区一一对应的多个子介质层，所述子介质层至少覆盖对应的所述跨线子区。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一金属走线延伸方向排布的多个所述跨线子区相互连接，和/或，沿所述第二金属走线延伸方向排布的多个所述跨线子区相互连接。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述子介质层在所述跨线子区处的宽度大于所述第一金属走线在所述跨线子区处的宽度，和/或，所述子介质层在所述跨线子区处的宽度大于所述第二金属走线在所述跨线子区处的宽度。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层间介质层在所述衬底基板上的垂直正投影覆盖所述第一金属层在所述衬底基板上的垂直正投影，和/或，所述层间介质层在所述衬底基板上的垂直正投影覆盖所述第二金属层在所述衬底基板上的垂直正投影。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层间介质层在所述跨线区处的厚度大于所述层间介质层在非跨线区处的厚度。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括有源层、栅极绝缘层、栅极层、保护层、钝化层、平坦层以及焊盘层，所述有源层设于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧，所述栅极绝缘层设于所述有源层远离所述衬底基板的一侧，所述栅极层设于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述第二金属层还包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层电性连接，所述源极还与所述第一金属层电性连接；

所述保护层设于所述第一金属层靠近所述衬底基板的一侧，所述钝化层设于所述源漏极层以及所述层间介质层远离所述衬底基板的一侧，所述平坦层设于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧；

所述焊盘层设于所述平坦层远离所述衬底基板的一侧，所述焊盘层设有至少一对连接焊盘，所述连接焊盘包括第一连接焊盘和第二连接焊盘，所述第一连接焊盘与所述漏极电性连接，所述第二金属层还包括接触电极，所述第二连接焊盘与所述接触电极电性连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极层与所述第二金属层同层设置，所述栅极层包括栅极，所述栅极设于所述源极与所述漏极之间。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述焊盘层设有两对所述连接焊盘，两对所述连接焊盘沿第一方向对称排布。

10.一种显示面板，其特征在于，包括驱动模块以及如权利要求1-9任一项所述的阵列基板，所述驱动模块与所述阵列基板电性连接。

Images