CN113182947A - 划片刀修刀工艺 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种划片刀修刀工艺，该工艺包括：选取磨刀板，将磨刀板固定在划片机的工作盘上，将划片刀安装在划片机的主轴上；启动划片机，划片机控制划片刀在磨刀板的表面沿一定长度进行切割，形成第一割槽，切割设定的长度后停止切割，暂停划片机；取下磨刀板，选取硅片，在划片机的切割区域装上硅片；再次启动划片机，划片机控制划片刀在硅片的表面沿一定长度进行切割，形成第二割槽，切割设定长度后停止切割，暂停划片机。本发明实施例的划片刀修刀工艺通过磨刀板和硅片先后对划片刀进行修整，能够大大减小划片刀的偏心量，保证划片刀的划片质量。

Description

划片刀修刀工艺

技术领域

本发明涉及晶圆切割技术领域，尤其涉及一种划片刀修刀工艺。

背景技术

目前划片刀在市场上出现大量需求，不管是采用进口的划片刀还是采用国产的划片刀，在将划片刀提供给客户前均需要根据客户的要求对划片刀进行修刀处理。常用的修刀方法为传统的划片刀修刀工艺或厂家提供的划片刀修刀工艺，利用这些修刀工艺修整的划片刀与划片机的主轴安装时存在偏心量，客户在利用具有偏心量的划片刀进行划片时经常会出现产品崩边严重和划片刀裂芯的现象，进而使得客户产品报废较为严重。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提出了一种降低偏心量的划片刀修刀工艺。

本发明提供一种划片刀修刀工艺，该划片刀修刀工艺包括：

选取磨刀板，将所述磨刀板固定在划片机的工作盘上，将划片刀安装在所述划片机的主轴上；

启动所述划片机，所述划片机控制所述划片刀在所述磨刀板的表面沿一定长度进行切割，形成第一割槽，切割设定的长度后停止切割，暂停所述划片机；

取下所述磨刀板，选取硅片，在所述划片机的切割区域装上所述硅片；

再次启动所述划片机，所述划片机控制所述划片刀在所述硅片的表面沿一定长度进行切割，形成第二割槽，切割设定长度后停止切割，暂停所述划片机。

在划片刀修刀工艺的一些实施例中，所述启动所述划片机，所述划片机控制所述划片刀在所述磨刀板的表面沿一定长度进行切割，形成第一割槽，切割设定的长度后停止切割，暂停所述划片机包括：所述划片机控制所述划片刀自所述磨刀板的一端朝向其另一端切割，形成所述第一割槽，所述第一割槽的长度方向垂直于其首尾两端所在的所述磨刀板上的端面。

在划片刀修刀工艺的一些实施例中，所述划片机控制所述划片刀自所述磨刀板的一端朝向其另一端切割，形成所述第一割槽包括：所述划片机控制所述划片刀在所述磨刀板的表面划出十个平行设置的所述第一割槽，相邻的两个所述第一割槽之间的间隔为0.2mm。

在划片刀修刀工艺的一些实施例中，所述划片机控制所述划片刀自所述磨刀板的一端朝向其另一端切割，形成所述第一割槽还包括：所述划片机控制所述划片刀以15mm/s的速度进行切割。

在划片刀修刀工艺的一些实施例中，所述划片机控制所述划片刀在所述磨刀板的表面沿一定长度进行切割，形成第一割槽，切割设定的长度后停止切割，暂停所述划片机之后还包括：

根据所述划片刀的规格规定第一割槽合格的宽度标准，且规定第一割槽合格的正崩口标准为小于3μm；

利用显微镜测量所述第一割槽的宽度和正崩口是否符合标准，如果符合标准即可进行后续操作，如果不符合标准则进行复切。

在划片刀修刀工艺的一些实施例中，所述再次启动所述划片机，所述划片机控制所述划片刀在所述硅片的表面沿一定长度进行切割，形成第二割槽，切割设定长度后停止切割，暂停所述划片机包括：所述划片机控制所述划片刀自所述硅片的一端朝向其另一端切割，形成所述第二割槽，所述第二割槽的长度方向垂直于其首尾两端所在的所述磨刀板上的端面。

在划片刀修刀工艺的一些实施例中，所述划片机控制所述划片刀自所述硅片的一端朝向其另一端切割，形成所述第二割槽包括：所述划片机控制所述划片刀在所述磨刀板的表面划出五十个平行设置的所述第二割槽，相邻的两个所述第二割槽之间的间隔为0.2.mm。

在划片刀修刀工艺的一些实施例中，所述划片机控制所述划片刀在所述磨刀板的表面划出五十个平行设置的所述第二割槽包括：所述划片机控制所述划片刀以10mm/s的速度在所述硅片上切割前十个所述第二割槽，且每切割十个所述第二割槽后，所述划片机控制所述划片刀在所述硅片上切割所述第二割槽的速度增加10mm/s。

在划片刀修刀工艺的一些实施例中，所述再次启动所述划片机，所述划片机控制所述划片刀在所述硅片的表面沿一定长度进行切割，形成第二割槽，切割设定长度后停止切割，暂停所述划片机还包括：

根据所述划片刀的规格规定第二割槽合格的宽度标准，且规定第二割槽合格的正崩口标准为小于5μm，背崩口的标准为小于12μm；

利用显微镜测量所述第二割槽的宽度、正崩口以及负崩口是否符合标准，如果符合标准即可进行后续操作，如果不符合标准则进行复切。

在划片刀修刀工艺的一些实施例中，在所述划片机控制所述划片刀在所述磨刀板的表面沿一定长度进行切割，形成第一割槽以及在所述划片机控制所述划片刀在所述硅片的表面沿一定长度进行切割，形成第二割槽时还包括：对所述划片刀的切割部位喷射冷却水。

采用本发明实施例，具有如下有益效果：

在选取好客户要求的类型的划片刀后，按照设定的修刀步骤利用磨刀板对划片刀进行修刀，磨刀板能够将划片刀外缘上凸出的部分修掉，进而大大减小划片刀与主轴之间的偏心量，相对于使用偏心量较大的划片刀，客户在使用偏心量较小的划片刀划片时，能够保证划片质量，划片刀也不易裂芯。利用磨刀板修整划片刀还可以将划片刀上的磨料露出，建立刀口，然后再利用硅片修整划片刀，将划片刀上过渡凸出的磨料进行打磨，使得划片刀的外形与客户要求的外形更加吻合，同时利用硅片还可以将划片刀的刀尖修整的更加锋利。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

其中：

图1为根据本发明实施例所提供的一种划片刀修刀工艺的流程图；

图2为根据本发明实施例所提供的一种划片刀修刀工艺中划片刀切割磨刀板的结构示意图；

图3为根据本发明实施例所提供的一种划片刀修刀工艺中具有一条第一割槽的磨刀板的结构示意图；

图4为根据本发明实施例所提供的一种划片刀修刀工艺中校准测量虚线时的示意图；

图5为根据本发明实施例所提供的一种划片刀修刀工艺中开始测量第一割槽的参数时的示意图；

图6为根据本发明实施例所提供的一种划片刀修刀工艺中结束测量第一割槽的参数时的示意图；

图7为根据本发明实施例所提供的一种划片刀修刀工艺中划片刀切割硅片的示意图；

图8为根据本发明实施例所提供的一种划片刀修刀工艺中具有一条第二割槽的硅片的结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以容许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

本发明实施例提供一种划片刀修刀工艺，通过该划片刀修刀工艺可大大降低划片刀的偏心量，使得划片刀更加符合客户的要求。

在本发明实施例中，划片刀修刀工艺可以包括以下几个步骤：

S10、选取磨刀板，将磨刀板固定在划片机的切割区域内，将划片刀安装在划片机的主轴上；

S20、启动划片机，划片机控制划片刀旋转且在磨刀板的表面沿一定长度进行切割，形成第一割槽，切割设定的长度后停止切割，暂停划片机；

S30、取下磨刀板，选取硅片，在划片机的切割区域装上硅片；

S40、再次启动划片机，划片机控制划片刀在硅片的表面沿一定长度进行切割，形成第二割槽，切割设定长度后停止切割，暂停划片机。

划片刀安装在划片机的主轴上时，其与主轴之间可能存在偏心量，即刃口外缘与主轴不同心设置，如果利用现有的修道工艺进行修刀，不会减小偏心量，当客户在使用划片刀时，划片刀的偏心量会导致划片刀切割产品时崩边严重，降低切割质量，甚至时间久了，划片刀会出现裂芯的状况，降低划片刀的使用寿命。本发明的修刀方法，其先是利用磨刀板按照设定的步骤对划片刀进行修刀，将划片刀的外缘进行修真圆，大大减小划片刀的偏心量，此时还能使得划片刀上的磨料露出建立刀口，然后再利用硅片按照设定的步骤对划片刀进行修刀，对过渡暴露的磨料进行修整，将刀尖修的更加锋利，使得刀刃具有较理想的外形，以便符合客户的要求。

在一种实施例中，请参照图2，步骤S10中选取主要材质为树脂制成的磨刀板4，且选取的磨刀板4的长度为75mm、宽度为75mm以及厚度为1mm，选取完成后将选取好的磨刀板4固定在划片机的工作盘1上，然后选取客户要求的划片刀100的型号，将其安装在划片机的主轴上。

在一种具体的实施例中，请结合图3，步骤S20包括划片机控制划片刀100自磨刀板4的一端朝向其另一端切割，形成第一割槽40，第一割槽40的长度方向垂直于其首尾两端所在的磨刀板4上的端面。

具体地，将选定好的磨刀板4固定在工作盘1上后，启动划片机控制划片刀100在磨刀板4上进行切割，通常情况下是从磨刀板4的一端朝向其相对端进行切割，在磨刀板4上产生的第一个槽的深度为0.2mm。需要说明的是，控制划片机运作的程序是提前根据客户的切割要求进行设计的，直接输入储存至划片机中，待进行修刀时，调出相应的切割程序即可。

在一种具体的实施例中，步骤S20还包括划片机控制划片刀100在磨刀板4的表面划出十个平行设置的第一割槽40，相邻的两个第一割槽40之间的间隔为0.2mm。

利用磨刀板4修刀时，需要将划片刀100在磨刀板4上打磨充分，因此就需要将划片刀100在磨刀板4上切割足够长的距离。但是由于磨刀板4的尺寸限制，划片刀100自磨刀板4的一端切割至其相对的一端还不足以打磨充分，因此需要在磨刀板4上多切割几次，以便达到要求的切割距离，进而使得划片刀100达到预期的修整效果。本发明实施例中，将划片刀100在磨刀板4上切割十次，且每次切割形成的第一割槽40之间的距离为0.2mm。

需要说明的是，在步骤S20中，划片机控制划片刀100以15mm/s的速度在磨刀板4上进行切割出第一割槽40，配合在磨刀板4上切割的距离，有利于实现将划片刀100外缘修整为真圆，大大减小划片刀100的偏心量，同时还能使得划片刀100的磨料露出，以建立刀口。需要说明的是，当划片刀100在磨刀板4上切割时，划片机的主轴转速为32000rpm。

在一种实施例中，在步骤S20之后还包括：

S21、根据划片刀的规格规定第一割槽合格的宽度标准，且规定第一割槽合格的正崩口标准为小于3μm；

S22、利用显微镜测量第一割槽的宽度和正崩口是否符合标准，如果符合标准即可进行后续操作，如果不符合标准则进行复切。

通过检验划片刀100切割的第一割槽40的宽度和正崩口60的大小来判断划片刀100在磨刀板4上的预切割是否合格。其中，需要说明的是，通常情况下，请参照图2和图3，划片刀100包括基体2和刀片3，刀片3固定在基体2的一端，其中，刀片3的刀刃处具有两个切割面，分别是正面30和背面31，划片刀100的刀刃位于两个切割面之间，划片刀100在切割物品时，物品与划片刀100的正面30贴合的部位可能会被划片刀100的正面30额外带掉一块或者几块小的碎屑，此碎屑在物品表面上形成的缺口即为正崩口60。相应地，背崩口61即是划片刀100切割时，其背面31带掉的物品上的碎屑形成的缺口。通常会测量较其他正崩口60尺寸较大的正崩口60的尺寸，和规定的标准尺寸进行对比。如果测量得出的结果不符合标准，则需要再以相同的工艺进行修整，修整后测量合格即可进入后续工艺，不合格则报废处理。

需要注意的是，修整不同厚度的划片刀100，第一割槽40的宽度合格的标准根据划片刀100的厚度进行改变，比如修整一种外径为55.56mm、刀刃厚度18μm、刀刃长度530μm的划片刀100，需要将第一割槽40的宽度标准定为18μm。本发明实施例以修整厚度为18μm的划片刀100为例进行说明。

作为一种示例，请结合图4、图5和图6，步骤S22中的显微镜包括三条间隔设置的测量虚线70。其中，三条测量虚线70平行设置，三条测量虚线70的间隔相等，利用显微镜上的控制键能够控制三条测量虚线70垂直于测量虚线70的方向移动，测量虚线70在移动过程中，显微镜上会显示出相应的数值，该数值为测量虚线70的位置坐标，该数值能够被清零，如果想要知道测量虚线70移动的距离，只需在测量虚线70移动前将测量虚线70的位置清零，然后再移动测量虚线70，此显微镜上显示的数值即为测量虚线70移动的距离。

当第一割槽40切割好后，利用测量虚线70对第一割槽40进行测量，需要说明的是，第一割槽40的长度方向与测量虚线70平行。具体地，首先需要将中间的测量虚线70停留在需要测量的第一割槽40的内部，最好是位于第一割槽40中间位置，这样有利于校准测量虚线70的位置；然后选定一条测量虚线70用来测量选定的第一割槽40，本发明实施例中以选定中间的测量虚线70为例进行说明，操控显微镜控制该测量虚线70移动至与与第一割槽40的开口的一个边缘线重合，此时将显示在显微镜上的数值进行清零处理；最后操控显微镜控制中间的测量虚线70朝向第一割槽40的开口的另外一个边缘线移动且与之重合，此时读取显微镜上的数值，即为第一割槽40的宽度。

对于正崩口60的尺寸的测量原理和第一割槽40尺寸的测量原理一样，在此就不过多赘述。

在一种实施例中，请参照图7和图8，步骤S30中选取厚度为0.3mm，外径为152mm的呈圆形的硅片5，然后将选取的硅片5固定在划片机的工作盘1上，以供划片刀100二次切割。

在一种实施例中，步骤S40包括：划片机控制划片刀100自硅片5的一端朝向其另一端切割，形成第二割槽50，第二割槽50的长度方向垂直于其首尾两端所在的磨刀板4上的端面。

与上述划片刀100切割磨刀板4形成第一割槽40一样，划片刀100切割硅片5形成有第二割槽50，通过划片刀100与硅片5之间的摩擦，将划片刀100上过渡露出的磨料给修整掉，以将划片刀100的刀尖修整锋利，将划片刀100的外形修整的更加接近客户的要求。

在一种具体的实施例中，步骤S40还包括划片机控制划片刀100在磨刀板4的表面划出五十个平行设置且间隔设置的第二割槽50，相邻的两个第二割槽50之间的间隔为0.2.mm。利用硅片5需要对划片刀100进行充分的修整，以使得修整过的划片刀100符合客户的要求，因此，利用硅片5对划片刀100进行修整时，需要将划片刀100在硅片5上切割足够长的距离。在本发明实施例提供的硅片5上进行切割时，需要切割五十条第二割槽50，才能满足划片刀100在硅片5上切割的距离，进而使得划片刀100修整完成。

需要说明的是，划片机控制划片刀100在磨刀板4的表面划出五十个平行设置且间隔设置的第二割槽50时，划片机控制划片刀100切割第二割槽50的速度呈递进设置的。具体地，划片机控制划片刀100以10mm/s的速度在硅片5上切割前十个第二割槽50，且每切割十个第二割槽50后，划片机控制划片刀100在硅片5上切割第二割槽50的速度增加10mm/s，即划片刀100切割第二割槽50的速度从10mm/s递增至50mm/s。需要说明的是，当划片刀100在硅片5上切割时，划片机的主轴的转速为40000rpm。

在一种实施例中，在步骤S40之后还包括：

S41、根据划片刀的规格规定第二割槽合格的宽度标准，且规定第二割槽合格的正崩口标准为小于5μm，背崩口的标准为小于12μm；

S42、利用显微镜测量第二割槽的宽度、正崩口以及负崩口是否符合标准，如果符合标准即可进行后续操作，如果不符合标准则进行复切。

测量第二割槽50的参数和测量第一割槽40的参数的工具相同，都是利用划片机上的显微镜进行测量，测量方法也一致，都是利用测量虚线70进行测量。但是，第二割槽50的宽度标准以及正崩口60标准和第一割槽40的不一样，对于第二割槽50的宽度标准，也是根据划片刀100的厚度确定的，需要比划片刀100的厚度小1μm。对于第二割槽50，其正崩口60和背崩口61的参数都要达到标准才合格，一般第二割槽50的正崩口60小于5μm即为合格，第二割槽50的背崩口61小于12μm即为合格。

需要说明的是，不管是测量第一割槽40的参数还是测量第二割槽50的参数，都以最后切割完成的一条或者两条割槽的参数为准。为了方便工作人员的操作或者便于观察，通常将显微镜接入显示屏，测量割槽时，测量虚线70以及第一割槽40或者第二割槽50能够放大显示至显示屏上。

在一种实施例中，在执行步骤S20以及步骤S40修整划片刀时，还需要对划片刀的切割部位喷射冷却水，冷却水可以将切割的残屑冲走，避免残屑影响划片刀的修整，同时冷却水还能够降低划片刀与磨刀板、硅片之间接触位置的温度，也能够保证切割环境良好。

需要说明的是，对于冷却水的参数也是有要求的，该参数包括冷却水的阻值以及冷却水的酸碱度。通常情况下，需要对冷却水进行过滤，过滤掉其中的大部分微量元素，这些微量元素在冲刷划片刀时有可能对划片刀表面造成损坏，造成划片刀表面不平，过滤掉这些元素后的体现为冷却水的阻值要大于10MΩ.cm。因为如果冷却水显酸性会使得划片刀变色，如果冷却水呈碱性，则会腐蚀划片刀，因此还需要将冷却水的PH(pondushydrogenii，酸碱度)限定在6-8之间。

需要说明的是，在一种实施例中，在步骤S20之前以及步骤S40之后都需要对划片刀的刀刃露出量进行测量，前者是需要将刀刃的原有的露出量测出，后者是将划片刀进行修整后的刀刃露出量测出，两者之差即为刀刃的磨损量。客户对刀刃露出量有要求，因此需要将修整后的刀刃露出量测量出来，然后对比客户的标准，此露出量的数据可以保存在划片机中，以便再次修刀时读取。

需要注意的是，修刀之前还需要进行多方面的检查，以排除切割时产生其它的不良影响，具体为：

(1)根据产品切割要求，选择正确的划片刀型号、并设置合理的切割参数；

(2)操作者在切割前应检查划片机的放置平台与转轴周边，如果有杂质或异物，应尽快用气枪或夹子去除这些杂质；

(3)操作员必须戴上防静电头套、指套、防静电腕带。

为了便于更加清楚地理解本发明实施例中的修刀方法，在此举出一种具体的实施例来进行进一步的说明。

请参照图，该修刀方法包括：

S100、固定磨刀板4，安装划片刀100：请参照图2，选取合适的磨刀板4安装在划片记得工作盘1上进行固定，然后根据客户的要求选取对应的划片刀100，将划片刀100安装在划片机的主轴上，对划片刀100的刀刃露出量进行测量，即可开始准备第一次修刀；

S200、利用磨刀板4修刀：请参照图3，划片机控制划片刀100以32000rpm的转速旋转，在磨刀板4上以15mm/s的行进速度进行切割，形成第一割槽40，切割预定的距离后停止切割，以此对划片刀100的刀刃进行修整，大大减小偏心量，同时露出磨料。在切割的时候，需要在划片刀100和磨刀板4之间切割的位置喷射冷却水，一方面冲走切割产生的碎屑，另一方面用于冷却切割部位；

S300、利用显微镜测量第一割槽40的参数：请参照图4、图5和图6，利用测量虚线70对第一割槽40的宽度以及其正崩口60进行测量，测量虚线70有三条，任何一条都可以测量，测量之前需要将选定的测量虚线70归零设置，即控制该测量虚线70移动至与第一割槽40的开口的一个边线重合，然后将显微镜上对应的数值清零，然后再移动该测量虚线70至第一割槽40的开口的另一边线处，此时显微镜上对应读取的数值即为第一割槽40的宽度。测量正崩口60的原理一样。利用磨刀板4修整划片刀100时，第一割槽40的宽度需要和划片刀100的厚度一致，正崩口60的尺寸需要小于3μm，符合标准的则进行后续步骤，不符合标准的进行复切；

S400、拿掉磨刀板4，固定硅片5：请参照图7，当划片刀100通过磨刀板4进行第一次修刀合格后，将磨刀板4换成硅片5，选择合适的硅片5固定在划片机的工作盘1上，然后准备进行第二次修刀；

S500、利用硅片5修刀：请参照图8，划片机的主轴转速为40000rpm，划片刀100旋转在硅片5上切割出第二割槽50，利用硅片5修刀时，需要划片刀100沿着硅片5在其表面切割出50个第二割槽50，切割前十个第二割槽50时划片刀100的行进速度为10mm/s，每切割十个第二割槽50后，划片刀100的行进速度就会增加10mm/s，以此将划片刀100的刀刃上过渡暴露的磨料修整掉，将划片刀100的刀刃修整的更加锋利。在切割的时候，也需要在划片刀100和硅片5之间切割的位置喷射冷却水，一方面冲走切割产生的碎屑，另一方面用于冷却切割部位；

S600、利用显微镜测量第二割槽50的参数：测量第二割槽50的参数的方式和测量第一割槽40的参数的而方式一样，都是利用测量虚线70进行测量。不同的是，除了宽度和正崩口60的尺寸外，还需要测量第二割槽50的背崩口61的尺寸，而且第二割槽50的宽度标准需要比其原本厚度小1μm，第二割槽50的正崩口60需要小于5μm，第二割槽50的背崩口61的尺寸需要小于12μm，符合标准即可完成修刀，不符合标准则需复切。

因此总体来说，划片刀100修刀工艺可分为两个阶段，第一阶段是利用磨刀板4对划片刀100进行修整外圆，第二阶段是利用硅片5将划片刀100刀刃修的更加锋利。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种划片刀修刀工艺，其特征在于，包括：

选取磨刀板，将所述磨刀板固定在划片机的工作盘上，将划片刀安装在所述划片机的主轴上；

启动所述划片机，所述划片机控制所述划片刀在所述磨刀板的表面沿一定长度进行切割，形成第一割槽，切割设定的长度后停止切割，暂停所述划片机；

取下所述磨刀板，选取硅片，在所述划片机的切割区域装上所述硅片；

再次启动所述划片机，所述划片机控制所述划片刀在所述硅片的表面沿一定长度进行切割，形成第二割槽，切割设定长度后停止切割，暂停所述划片机。

2.根据权利要求1所述的划片刀修刀工艺，其特征在于，所述启动所述划片机，所述划片机控制所述划片刀在所述磨刀板的表面沿一定长度进行切割，形成第一割槽，切割设定的长度后停止切割，暂停所述划片机包括：所述划片机控制所述划片刀自所述磨刀板的一端朝向其另一端切割，形成所述第一割槽，所述第一割槽的长度方向垂直于其首尾两端所在的所述磨刀板上的端面。

3.根据权利要求2所述的划片刀修刀工艺，其特征在于，所述划片机控制所述划片刀自所述磨刀板的一端朝向其另一端切割，形成所述第一割槽包括：所述划片机控制所述划片刀在所述磨刀板的表面划出十个平行设置的所述第一割槽，相邻的两个所述第一割槽之间的间隔为0.2mm。

4.根据权利要求2所述的划片刀修刀工艺，其特征在于，所述划片机控制所述划片刀自所述磨刀板的一端朝向其另一端切割，形成所述第一割槽还包括：所述划片机控制所述划片刀以15mm/s的速度进行切割。

5.根据权利要求1所述的划片刀修刀工艺，其特征在于，所述划片机控制所述划片刀在所述磨刀板的表面沿一定长度进行切割，形成第一割槽，切割设定的长度后停止切割，暂停所述划片机之后还包括：

根据所述划片刀的规格规定第一割槽合格的宽度标准，且规定第一割槽合格的正崩口标准为小于3μm；

利用显微镜测量所述第一割槽的宽度和正崩口是否符合标准，如果符合标准即可进行后续操作，如果不符合标准则进行复切。

6.根据权利要求1所述的划片刀修刀工艺，其特征在于，所述再次启动所述划片机，所述划片机控制所述划片刀在所述硅片的表面沿一定长度进行切割，形成第二割槽，切割设定长度后停止切割，暂停所述划片机包括：所述划片机控制所述划片刀自所述硅片的一端朝向其另一端切割，形成所述第二割槽，所述第二割槽的长度方向垂直于其首尾两端所在的所述磨刀板上的端面。

7.根据权利要求6所述的划片刀修刀工艺，其特征在于，所述划片机控制所述划片刀自所述硅片的一端朝向其另一端切割，形成所述第二割槽包括：所述划片机控制所述划片刀在所述磨刀板的表面划出五十个平行设置的所述第二割槽，相邻的两个所述第二割槽之间的间隔为0.2.mm。

8.根据权利要求6所述的划片刀修刀工艺，其特征在于，所述划片机控制所述划片刀在所述磨刀板的表面划出五十个平行设置的所述第二割槽包括：所述划片机控制所述划片刀以10mm/s的速度在所述硅片上切割前十个所述第二割槽，且每切割十个所述第二割槽后，所述划片机控制所述划片刀在所述硅片上切割所述第二割槽的速度增加10mm/s。

9.根据权利要求1所述的划片刀修刀工艺，其特征在于，所述再次启动所述划片机，所述划片机控制所述划片刀在所述硅片的表面沿一定长度进行切割，形成第二割槽，切割设定长度后停止切割，暂停所述划片机还包括：

根据所述划片刀的规格规定第二割槽合格的宽度标准，且规定第二割槽合格的正崩口标准为小于5μm，背崩口的标准为小于12μm；

利用显微镜测量所述第二割槽的宽度、正崩口以及负崩口是否符合标准，如果符合标准即可进行后续操作，如果不符合标准则进行复切。

10.根据权利要求1所述的划片刀修刀工艺，其特征在于，在所述划片机控制所述划片刀在所述磨刀板的表面沿一定长度进行切割，形成第一割槽以及在所述划片机控制所述划片刀在所述硅片的表面沿一定长度进行切割，形成第二割槽时还包括：对所述划片刀的切割部位喷射冷却水。

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