CN113073363B - 一种适用于内窥镜结构的化学接合方法 - Google Patents
一种适用于内窥镜结构的化学接合方法 Download PDFInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 19
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 17
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 9
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 8
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims description 6
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229910021555 Chromium Chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- QSWDMMVNRMROPK-UHFFFAOYSA-K chromium(3+) trichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cr+3] QSWDMMVNRMROPK-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- GRWVQDDAKZFPFI-UHFFFAOYSA-H chromium(III) sulfate Chemical compound [Cr+3].[Cr+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O GRWVQDDAKZFPFI-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 4
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 claims description 4
- 125000003630 glycyl group Chemical group [H]N([H])C([H])([H])C(*)=O 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 4
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 claims description 3
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 claims description 2
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 claims description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001430 chromium ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 3
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- PHFQLYPOURZARY-UHFFFAOYSA-N chromium trinitrate Chemical compound [Cr+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O PHFQLYPOURZARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 5
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- XTUSEBKMEQERQV-UHFFFAOYSA-N propan-2-ol;hydrate Chemical compound O.CC(C)O XTUSEBKMEQERQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- LYFDUQMGDPBGMQ-DKWTVANSSA-N (2s)-2-amino-3-hydroxypropanoic acid;copper Chemical compound [Cu].OC[C@H](N)C(O)=O LYFDUQMGDPBGMQ-DKWTVANSSA-N 0.000 description 1
- 206010068051 Chimerism Diseases 0.000 description 1
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000001580 bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005254 chromizing Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- VVYPIVJZLVJPGU-UHFFFAOYSA-L copper;2-aminoacetate Chemical compound [Cu+2].NCC([O-])=O.NCC([O-])=O VVYPIVJZLVJPGU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000009647 facial growth Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- -1 platinum ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/06—Wholly-metallic mirrors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
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Abstract
本发明公开了一种适用于内窥镜结构的化学接合方法,将待接合异质材料的接合面进行预处理,使接合面的材料裸露;对裸露的接合面进行刻蚀,使其表面产生致密排列的微结构阵列图案;然后在图案表面制作纳米级微孔;分别在待接合异质材料的微结构阵列图案上依次进行置换层生长、晶种层替换、中间层镀层得到复合镀层;将待接合材料分别连接正极与负极,在高压电流的作用下通过电解液补充离子源,复合镀层产生传递离子反应,直接在接合面形成连续面接面达到接合的效果。本发明复合镀层通过湿式电化学接合,表层电荷的交换过程中使其可适合于对应的金属材料晶面生长,继而产生有效的接合状态,达成对两异质材料的有效接合嵌合。
Description
技术领域
本发明属于材料技术领域,具体涉及一种适用于内窥镜结构的化学接合方法。
背景技术
在医学相关领域的应用层面而言,以医疗器械领域最易切合大众生活的医疗行为与应用,现今在医疗器械的快速发展状态之下,尤其以侵入式的内窥镜等相关技术最常见于在各类型的外科手术或是相关的医疗行为中所涉及的环节,然而在医疗器械中的各式的内窥镜需要一种可适应于人体内的酸碱环境以及相关的生理环境所构成的严苛的外在生理环境因素的考量,故建立一种可构成高安全性的内窥镜的嵌合接合装配技术在内窥镜的装配领域为一重要的议题与深究的领域。
在各类型的内窥镜结构产品尤其以医疗所用的类型需要涉及对应严苛的环境因素,系如生理环境、酸碱环境以及菌体环境等构成可能性对内窥镜结构以及相关接合面产生无法预期的破坏行为所导致的腐蚀状态或是潜在性的结构性破坏行为。
发明内容
本发明目的在于提供一种适用于内窥镜结构异质材料的化学接合方法,能够有效地克服各种不同材料特性以及构装形状等外在条件的限制,完整抵御腐蚀行为以及相关的结构性破坏行为所导致的构装不完全的缺陷。
为达到上述目的,采用技术方案如下:
一种适用于内窥镜结构的化学接合方法,包括以下步骤:
(1)表面处理
将待接合异质材料的接合面进行预处理,使接合面的材料裸露;
(2)微结构阵列制备
对裸露的接合面进行刻蚀,使其表面产生致密排列的微结构阵列图案;然后在图案表面制作纳米级微孔;
(3)复合镀层制备
分别在待接合异质材料的微结构阵列图案上依次进行置换层生长、晶种层替换、中间层镀层得到复合镀层;
(4)湿式电化学接合
将待接合材料分别连接正极与负极,在高压电流的作用下通过电解液补充离子源,复合镀层产生传递离子反应,直接在接合面形成连续面接面达到接合的效果。
按上述方案,所述异质材料包括金属材料、半导体材料或高分子材料。
按上述方案,步骤1所述表面处理过程包括腐蚀或清洗或腐蚀加清洗。
按上述方案,步骤2所述微结构阵列制备采用湿式刻蚀压印阵列图案,具体工艺如下:
准备带有微结构阵列的模具,利用适用于接合面材料的电解反应进行催化腐蚀,将所述模具的微结构阵列图案反向刻蚀复印于接合面。
按上述方案,步骤2所述微结构阵列制备采用干式压印转印阵列图案,具体工艺如下:
准备带有微结构阵列的模具,利用适用于接合面材料的干式电解压印,在接合面形成模具的微结构阵列图案。
按上述方案,步骤3所述置换层生长,包括以下步骤:
将接合面浸入催化电解金属络合物液中,使该金属络合物在微结构阵列表面形成催化离子层;所述络合物液为二氧化锡与甘氨酸、半胱氨酸、精氨酸或丝氨酸的络合物溶液。
按上述方案,步骤3所述晶种层替换,包括以下步骤:
将接合面浸入金、银、钯或铂的氯化物溶液中,受到上述催化离子层的催化进行置换,在微结构阵列表面的催化离子层吸附置换形成金属镀层。
按上述方案,步骤3所述中间层镀层,包括以下步骤:
通过三项电极,在微结构阵列表面的金属镀层上电镀制备镍、铜、锌、铬或钛得到中间层镀层。
按上述方案,步骤4所述电解液以镍离子源为主,包含硫酸镍/氯化镍/盐酸/添加剂;其中硫酸镍0.5-1M;氯化镍0.5-1M;盐酸0.1-0.2 M;添加剂为甘氨酸、聚乙烯醇或冰醋酸。
按上述方案,步骤4所述电解液以以铬离子源为主,包含硫酸铬/氯化铬/盐酸/硫酸/添加剂;其中硫酸铬0.5-1M;氯化铬0.5-1M;盐酸加硫酸0.1-0.2 M;添加剂为甘氨酸、聚乙烯醇或冰醋酸。M (mol/L)。
相对于现有技术的有益效果如下:
本发明异质材料接合方法可直接使用于异质异形结构的表面接合,其结构形状不受限于圆形、环形、方形或是相关特定形状;特别适用于内窥镜结构的装配制作。
本发明复合镀层通过湿式电化学接合,表层电荷的交换过程中使其可适合于对应的金属材料晶面生长过程使表面产生离子化的过程促使产生材料本身的离子化与载流子重新分布过程,继而产生有效的接合状态,达成对两异质材料的有效接合嵌合。产生一类似于瞬间接合的两相流体融合过程,有效地形成接合嵌合的致密结构表征,且能有效地适用于金属材料的接合过程。
具体实施方式
以下实施例进一步阐释本发明的技术方案,但不作为对本发明保护范围的限制。
以内窥镜结构的化学接合为例,一般实施案例多涉及不锈钢与玻璃或是相关的高分子材料,如氧化铟锡玻璃、氟化玻璃、蓝宝石玻璃、塑料镜片。
(1)脱除原始膜层,即表面处理。
本工艺主要在移除需要进行镀层处理的工件表层材料,如金属或是合金材料表面会有一层保护作用的薄膜,在进行任何的腐蚀,刻蚀或是镀层的处理都需要先进行移除该膜层的动作,以利后续的动作执行。
以不锈钢合金为例,表面因铁镍和金与铬金属的组份会产生容易被氧化的铬化膜,在进行一定深度的清洗与腐蚀之前,会不断地生成氧化铬膜进行保护,需要透过腐蚀的作用,有效地移除薄膜,以利进行后续的工艺。
(2)微型结构制备。
本工艺动作主要是在上述移除原始膜层或是不需移除原始膜层后,对待接合工件的接合面进行表面微型结构的制备,该微型结构的制备可以采取湿式压印刻蚀或是干式的压印转印进行,使其表面产生致密排列的有序化阵列图案,以利后续可以将镀层处理的过程,按照图案的基础形状,将镀层披覆于图案表面。
湿式刻蚀压印图案化:利用精密加工的微结构阵列,制定适用于待接合工件材料可以进行催化腐蚀的电解反应,可以将精密模具的图案直接反向刻蚀复印于待接合工件的接合面,即可形成欲形成的阵列微结构图案。
具体操作如下:
1.采用一超精密模具,其配置的金字塔结构为0.1-0.3um,间距为0.05-0.1um ,其材质为不锈钢、硅基、钨钢等高刚性材质;
2.制备专属刻蚀液,配置氢氟酸、双氧水、异丙醇、水,比例控制为1:5:0.5:10;
3.形成一电化学刻蚀反应,配置刻蚀用电极(模具)、碳电极(加工工件)、参比电极;
4.进行湿法微纳米压印,在工件与模具间持压,并且通以导通电流,形成电化学刻蚀反应;
5.调整电压0.01-1.37-2.0V,0.05-0.1A,参考电化学工作站,观察电位输出到一下降趋势,其操作时间可为0-60秒;
6.完成反应后进行清洗动作,以纯净水/IPA/纯净水依序进行超声波震荡清洗分别为1分钟、1分钟、5分钟,后进行干燥。
干式压印转印:利用精密加工的微结构阵列,施加电解击溃待接合工件的接合面,形成一个可暂时溶解扩散的两相介面,利用干式电解压印,在接合面形成阵列微结构图案。或利用精密加工的微结构阵列,制定适用于待接合工件材料可以进行热塑行为的物理性接触表面软化进行固化的压印,可以将精密模具的图案直接反向刻蚀复印于待接合工件的接合面,即可形成欲形成的阵列微结构图案。
具体操作如下:
1.采用一超精密模具,其配置的金字塔结构为0.1-0.3um,间距为0.05-0.1um ,其材质为不锈钢、硅基、钨钢等高刚性材质;
2.进行模具清洁,配置异丙醇以超声波震荡清洗1分钟,后以超纯水进行超声波震荡清洗1分钟;
3.进行模具真空干燥,确保去除表面水分无残留;
4.将模具进行加热反应,配置保持温度于欲压印的材料的大于熔点的5-10度的范围;
5.进行干法微纳米压印,在工件与模具间持压,并且通以加温,形成热塑压印反应;
6.调整温度持温10-30秒后,进行降温固化定型,其操作时间可为300秒;
7.完成反应后进行清洗动作,以纯净水/IPA/纯净水依序进行超声波震荡清洗分别为1分钟、1分钟、5分钟,后进行干燥。
第二道表面微刻蚀主要作用在完成图案化生长的工件,进行纳米级微孔的制备:
1.制备专属刻蚀液,配置氢氟酸、双氧水、异丙醇、氯铂酸、水,比例控制为1:5:0.5:0.1:10;
2.将工件不需进行刻蚀的区域进行完整密封包覆,确保不渗液;
3.形成一电化学刻蚀反应,配置刻蚀用电极(加工工件)、碳电极、参比电极;
4.进行湿法纳米孔刻蚀,在工件浸泡于刻蚀液中,并且通以导通电流,形成电化学刻蚀反应;
5.调整电压0.01-1.37-2.0V,0.05-0.1A,参考电化学工作站,观察电位输出到一下降趋势,其操作时间可为0-10秒;
6.完成反应后进行清洗动作,以纯净水/IPA/纯净水依序进行超声波震荡清洗分别为1分钟、1分钟、5分钟,后进行干燥。
(3)复合镀层制备。
本工艺对待接合工件制备完成的微结构阵列进行镀膜,以利后续进行异质接合,所述复合镀层需要依次进行三个步骤。
置换层生长:将待接合工件已经制备完成的微结构阵列进行清洁后,置入活性的催化电解金属络合物液,其通常为二氧化锡与特定氨基酸的络合物溶液,使工件微结构阵列浸入液体中,使该金属络合物(如铜甘氨酸络合物 Cu-Gly,铜丝氨酸络合物 Cu-Ser,铜半胱氨酸络合物 Cu-Cys)可以在微结构阵列表面形成一具有活性的催化离子层。
具体操作如下:
1.将脱除表面硬化膜的工件在纯净水中超声波清洗5分钟,确保微结构阵列清洁;
2.置入IPA 清洗液超声波清洗槽清洗5分钟,确保有机物去除;
3.置入纯净水超声波清洗槽清洗5分钟,清洗确保IPA去除;
4.以二氧化锡SnCl2、稀盐酸、氨基酸调制 0.1M的溶液,将工件微结构阵列浸入溶液浸泡1分钟,确保工件表面充斥锡离子,得到催化离子层。
晶种层替换:将上述进行置换层生长的微结构阵列浸入具有贵重金属如金、银、钯、铂等的氯化物溶液,使该类金属源离子受到催化离子层的催化进行置换,直接在表面进行吸附置换为纯金属镀层,该镀层通常选择与下一步骤配适的晶相,此晶种层的选择主要是对应于需要披覆上的金属薄膜,具有可催化镀膜的基底层,产生有效的镀层接合力与催化生长的效果。
具体操作如下:
1.以铂镀层施作为案例,以氯铂酸 稀盐酸 配置0.1M溶液;
2.将工件微结构阵列表面的置换层置入于其中,进行置换反应,工件表面的Sn离子会跟铂离子产生置换还原反应,直接在表面形成铂金属镀层;
3.确保稳定的镀层可以采取后续的铂电镀工艺;
4.配置0.1N-0.5N的氯铂酸/稀盐酸/水的电解液;
5.配置镀物电极(工件),碳电极,参比电极;
6.调整电压0.01-1.10V,0.05-0.1A,参考电化学工作站,观察电位输出到一下降趋势即可以完成铂镀层工艺。该镀层工艺可以选择蒸镀或是溅镀工艺。
中间层镀层:将所得金属镀层如金、银、钯、铂等的相关镀层完成后,进行中间层的镀膜生成工艺。该镀层的选择通常可以选择匹配于晶种层与下一层的接合层的晶相选择,基于强度与刚性、韧度的选择上,通常选择以下相关的金属离子源,如镍、铜、锌、铬、钛等相关金属源的选择,本镀层反应可直接利用纯电镀反应。配置三相电极,阴极、阳极与参比电极,于含有金属源的电解液,电极配置一为夹持物工件,另一电极为碳电极,选择镀层适合的电化学氧化还原电位为基础电压,调试适当的电流输入,进行镀层的阶段性镀膜,镀层趋近完成之时,提高调节电流的输入,稳固镀层的强力与接合力,后进行缓慢的调节电流,进行镀层品质的控制。
具体制备过程如下:
1.以铂镀层施作为案例,以硝酸镍、硝酸铬、稀盐酸、稀硝酸配置0.1M-0.5M溶液;
2.将工件置入于其中进行置换反应,工件表面的贵金属层如铂会跟镍离子产生置换还原反应,直接在表面形成镍金属镀层;
3.确保稳定的镀层可以采取后续的镍电镀工艺;
4.配置0.1N-0.5N的硝酸镍/硝酸铬/稀盐酸/氨基酸/水的电解液;
5.配置镀物电极(工件),碳电极,参比电极;
6.调整电压0.01-1.10V,0.05-0.1A,参考电化学工作站,观察电位输出到一下降趋势即可以完成铂镀层工艺。
(4)湿式电化学接合。
以硝酸镍、硝酸铬、稀盐酸、氨基酸配置电解液;将工件置入于其中进行湿式电化学接合,工件表面的复合镀层产生传递离子反应,直接在表面形成连续面接面,确保稳定的接合面可以产生接合面。
具体如下:
配置0.1M-0.5M的硝酸镍/硝酸铬/稀盐酸/氨基酸/水的电解液;
配置接合物电极(工件A),接合物电极(工件B),参比电极;
调整电压1-5V,1.0-10.0A,参考电化学工作站,观察电位输出到一下降趋势即可以完成湿式电化学接合工艺。
本发明待接合工件表面两镀层的扩散接合利用表面微结构提供大范围的表面积增加渗入彼此咬合力的空间,电压、电流在两工件的接面中流动,提供有效地介面接合,后进行压降逐步调节接面的接合强度上升,达到接合的效果。
将指定接合的壳体形状结构置入两导电的基板,施加以特定的电压与压力,通常电压配置于1-5V,电流配置于1-10A,真空环境状态。
本工艺流程要在进行湿法类电铸接合反应,利用在电解液中将两个工件进行接合的动作,维持有效地工艺进行,利用在电解液中补充一定量的金属离子浓度,将两个工件的接面夹持接触,在电压/电流的导通过程,两个工件的接面除了可以在电化学进行离子交换,且达成接面接合,形成湿式类电铸接合金属镀层的效果。
Claims (5)
1.一种适用于内窥镜结构的化学接合方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)表面处理
将待接合异质材料的接合面进行预处理,使接合面的材料裸露;
(2)微结构阵列制备
对裸露的接合面进行刻蚀,使其表面产生致密排列的微结构阵列图案;然后在图案表面制作纳米级微孔;
(3)复合镀层制备
分别在待接合异质材料的微结构阵列图案上依次进行置换层生长、晶种层替换、中间层镀层得到复合镀层;
所述置换层生长,包括以下步骤:
将接合面浸入催化电解金属络合物液中,使该金属络合物在微结构阵列表面形成催化离子层;所述络合物液为SnCl2与甘氨酸、半胱氨酸、精氨酸或丝氨酸的络合物溶液;
所述晶种层替换,包括以下步骤:
将接合面浸入金、银、钯或铂的氯化物溶液中,受到上述催化离子层的催化进行置换,在微结构阵列表面的催化离子层吸附置换形成金属镀层;
所述中间层镀层,包括以下步骤:
通过三电极,在微结构阵列表面的金属镀层上电镀制备镍、铜、锌、铬或钛得到中间层镀层;
(4)湿式电化学接合
将待接合材料分别连接正极与负极,在高压电流的作用下通过电解液补充离子源,复合镀层产生传递离子反应,直接在接合面形成连续面接面达到接合的效果;
所述电解液方案以镍离子源为主,包含硫酸镍、氯化镍、盐酸、添加剂;其中硫酸镍0.5-1M;氯化镍0.5-1M;盐酸0.1-0.2 M;添加剂为甘氨酸、聚乙烯醇或冰醋酸;
所述电解液另外一种方案以铬离子源为主,包含硫酸铬、氯化铬、盐酸、硫酸、添加剂;其中硫酸铬0.5-1M;氯化铬0.5-1M;盐酸加硫酸0.1-0.2 M;添加剂为甘氨酸、聚乙烯醇或冰醋酸。
2.如权利要求1所述适用于内窥镜结构的化学接合方法,其特征在于所述异质材料包括金属材料、半导体材料或高分子材料。
3.如权利要求1所述适用于内窥镜结构的化学接合方法,其特征在于步骤1所述表面处理过程包括腐蚀或清洗或腐蚀加清洗。
4.如权利要求1所述适用于内窥镜结构的化学接合方法,其特征在于步骤2所述微结构阵列制备采用湿式刻蚀压印阵列图案,具体工艺如下:
准备带有微结构阵列的模具,利用适用于接合面材料的电解反应进行催化腐蚀,将所述模具的微结构阵列图案反向刻蚀复印于接合面。
5.如权利要求1所述适用于内窥镜结构的化学接合方法,其特征在于步骤2所述微结构阵列制备采用干式压印转印阵列图案,具体工艺如下:
准备带有微结构阵列的模具,利用适用于接合面材料的干式电解压印,在接合面形成模具的微结构阵列图案。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110265440X | 2021-03-11 | ||
CN202110265440 | 2021-03-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113073363A CN113073363A (zh) | 2021-07-06 |
CN113073363B true CN113073363B (zh) | 2024-07-09 |
Family
ID=76613084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110300217.4A Active CN113073363B (zh) | 2021-03-11 | 2021-03-22 | 一种适用于内窥镜结构的化学接合方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113073363B (zh) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN113073363A (zh) | 2021-07-06 |
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PB01 | Publication | ||
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