[go: up one dir, main page]

CN112885822B - 显示装置的制造方法 - Google Patents

显示装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112885822B
CN112885822B CN202110032605.9A CN202110032605A CN112885822B CN 112885822 B CN112885822 B CN 112885822B CN 202110032605 A CN202110032605 A CN 202110032605A CN 112885822 B CN112885822 B CN 112885822B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
light emitting
emitting diode
transposed
led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110032605.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112885822A (zh
Inventor
林世雄
吴仰恩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AUO Corp
Original Assignee
AU Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AU Optronics Corp filed Critical AU Optronics Corp
Priority to TW110116617A priority Critical patent/TWI763476B/zh
Publication of CN112885822A publication Critical patent/CN112885822A/zh
Priority to US17/348,681 priority patent/US11955506B2/en
Priority to DE102021208095.2A priority patent/DE102021208095A1/de
Application granted granted Critical
Publication of CN112885822B publication Critical patent/CN112885822B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, the devices being individual devices of subclass H10D or integrated devices of class H10
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/018—Bonding of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H10H20/8312—Electrodes characterised by their shape extending at least partially through the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/832—Electrodes characterised by their material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
    • H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
    • H01L2224/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/081—Disposition
    • H01L2224/0812—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/08151—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/08221—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/08225—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/032—Manufacture or treatment of electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示装置的制造方法，包括下列步骤。提供发光二极管显示装置，发光二极管显示装置包括：电路基板、多个第一发光二极管以及第二发光二极管；检测发光二极管显示装置，其中第二发光二极管不能正常发光；将第二发光二极管自电路基板移除。提供发光二极管基板；将发光二极管基板的第三发光二极管转置于第一转置基板；将第一转置基板上的第三发光二极管转置于第二转置基板；以及将第二转置基板上的第三发光二极管电性连接至电路基板。

Description

显示装置的制造方法
技术领域
本发明是有关于一种显示装置的制造方法，且特别是有关于一种包含发光二极管的显示装置的制造方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode；LED)为一种发光元件，其具低功耗、高亮度、高解析度及高色彩饱和度等特性，因而适用于构建发光二极管显示面板的像素结构。
将发光二极管转置到电路基板上的技术称为巨量转移(Mass Transfer)。现有技术在转移发光二极管时，容易产生发光二极管转置错误、失败或者发光二极管不良等的问题，导致显示装置中部分的像素不能正常运作，严重地影响显示装置的显示品质。一般而言，会将转置错误、失败或者发光二极管不良等的发光二极管移除，并将修复用的发光二极管转置于电路基板上以代替移除的发光二极管。然而，在现有技术的修复制程中，一次仅能转置一颗修复用的发光二极管，且修复用的发光二极管在转置过程容易出现位置偏移，导致修复失败。
发明内容
本发明提供一种显示装置的制造方法，能快速且准确的修复不能正常发光的发光二极管。
本发明的至少一实施例提供一种显示装置的制造方法，包括下列步骤。提供发光二极管显示装置。发光二极管显示装置包括电路基板、多个第一发光二极管以及第二发光二极管。第一发光二极管分别对应于电路基板的多个第一放置区设置。第一发光二极管电性连接至电路基板。第二发光二极管对应于电路基板的第二放置区设置。检测发光二极管显示装置，其中第二发光二极管不能正常发光。将第二发光二极管自电路基板移除。提供发光二极管基板，发光二极管基板包括第三发光二极管。提供第一转置基板。基于第二放置区的位置，将发光二极管基板的第三发光二极管转置于第一转置基板。将第一转置基板上的第三发光二极管转置于第二转置基板。将第二转置基板重叠于电路基板。第三发光二极管位于第二转置基板朝向电路基板的一侧。第三发光二极管的位置重叠于第二放置区。将第二转置基板上的第三发光二极管电性连接至电路基板。
附图说明
图1是依照本发明的一实施例的一种发光二极管基板的剖面示意图。
图2是依照本发明的一实施例的一种发光二极管基板的剖面示意图。
图3A至图3E是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制造方法的剖面示意图。
图4A至图4C是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制造方法的剖面示意图。
图5A至图5D是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制造方法的剖面示意图。
图6A至图6E是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制造方法的剖面示意图。
图7A至图7J是依照本发明的一实施例的一种修复发光二极管显示装置的方法的示意图。
图8A至图8D是依照本发明的一实施例的一种修复发光二极管显示装置的方法的剖面示意图。
图9A至图9Q是依照本发明的一实施例的一种修复发光二极管显示装置的方法的剖面示意图。
图10A至图10F是依照本发明的一实施例的一种转置发光二极管的方法的上视示意图。
图11A至图11F分别是图10A至图10F中线a-a’的剖面上视示意图。
其中，附图标记：
10、20、30、40:发光二极管基板
30r:红色发光二极管基板
30g:绿色发光二极管基板
30b:蓝色发光二极管基板
100、100a、300r、300g、300b、400:生长基板
102:基底
104:系连结构
104’、104”:断裂的系连结构
110:缓冲层
120:半导体层
130:第一半导体层
140:发光层
150:第二半导体层
160:第三半导体层
200:电路基板
E1、E2:电极
AD1、AD2、AD3、AD4:黏着层
C1:第一导电层
DR1:方向
i:绝缘层
L、La、L5:发光二极管
L1:第一发光二极管
L1r:第一红色发光二极管
L1g:第一绿色发光二极管
L1b:第一蓝色发光二极管
L2:第二发光二极管
L2r:第二红色发光二极管
L2g:第二绿色发光二极管
L2b:第二蓝色发光二极管
L3:第三发光二极管
L3r:第三红色发光二极管
L3g:第三绿色发光二极管
L3b:第三蓝色发光二极管
L4:第四发光二极管
L4r:第四红色发光二极管
L4g:第四绿色发光二极管
L4b:第四蓝色发光二极管
LS:激光
P:接垫
P1:第一接垫
P2:第二接垫
PD:移除模块
PF:保护膜
R1:第一放置区
R1r:第一红色放置区
R1g:第一绿色放置区
R1b:第一蓝色放置区
R2:第二放置区
R2r:第二红色放置区
R2g:第二绿色放置区
R2b:第二蓝色放置区
SP:支撑结构
SM、SMa、SM1、SM2、SM3:半导体堆叠层
SR、SRa、SRb:金属层
SR1、SR1’、SR1a、SR1b:焊料
T1、T2:厚度
TD:转移装置
TS1、TS3:第一转置基板
TS3r:红色转置基板
TS3g:绿色转置基板
TS3b:蓝色转置基板
TS2、TS4:第二转置基板
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
图1是依照本发明的一实施例的一种发光二极管基板的剖面示意图。
请参考图1，发光二极管基板10包括生长基板100以及发光二极管L。发光二极管L包括半导体堆叠层SM以及两个电极E1、E2。
在一些实施例中，生长基板100为砷化镓(GaAs)基板、磷化镓(GaP)基板、磷化铟(InP)基板、蓝宝石基板、碳化硅(SiC)基板、氮化镓(GaN)基板或其他适用于磊晶制程的生长基板。在一些实施例中，生长基板100的表面经由蚀刻制程(例如湿式蚀刻)而图案化，以使生长基板100具有凹凸起伏的表面。在一些实施例中，缓冲层110形成于生长基板100的表面，缓冲层110有助于提升后续磊晶制程的良率。在一些实施例中，缓冲层110的材料为氮化铝或其他合适的材料。
半导体堆叠层SM形成于生长基板100上。在一些实施例中，半导体堆叠层SM藉由磊晶制程以及图案化制程形成于缓冲层110上。半导体堆叠层SM包括第一半导体层130、发光层140以及第二半导体层150。第一半导体层130与第二半导体层150中的一者为N型掺杂半导体，且另一者为P型掺杂半导体。举例来说，第一半导体层130为N型半导体层，且第二半导体层150为P型半导体层。
第一半导体层130与第二半导体层150的材料例如包括氮化镓、氮化铟镓(InGaN)、砷化镓、铝镓铟磷化物(AlGaInP)或其他IIIA族和VA族元素组成的材料或其他合适的材料，但本发明不以此为限。
发光层140位于第一半导体层130与第二半导体层150之间。发光层140例如具有量子井(Quantum Well,QW)，例如：单量子井(SQW)、多量子井(MQW)或其他的量子井，P型掺杂的半导体层提供的电洞与N型掺杂的半导体层提供的电子可以在发光层140结合，并以光的模式释放出能量。
在本实施例中，半导体堆叠层SM还包括低掺杂(或未掺杂)的半导体层120。半导体层120位于第一半导体层130与生长基板100之间。半导体层120的材料例如包括氮化镓、氮化铟镓(InGaN)、砷化镓、铝镓铟磷化物(AlGaInP)或其他IIIA族和VA族元素组成的材料或其他合适的材料，但本发明不以此为限。
在本实施例中，发光二极管L为蓝色发光二极管或绿色发光二极管，半导体层120、第一半导体层130、发光层140以及第二半导体层150的材料包括氮化镓，且生长基板100为蓝宝石基板，但本发明不以此为限。在其他实施例中，发光二极管L为其他颜色的发光二极管，且半导体层120、第一半导体层130、发光层140以及第二半导体层150的材料包括其他材料。
绝缘层i形成于半导体堆叠层SM上。绝缘层i具有至少两个开口，分别暴露出第一半导体层130的部分顶面与第二半导体层150的部分顶面。
两个电极E1、E2形成于半导体堆叠层SM上。在一些实施例中，电极E1、E2通过绝缘层i的开口而分别电性连接至第一半导体层130与第二半导体层150。
电极E1、E2为单层或多层结构。在本实施例中，电极E1、E2各自包括导电层C1以及金属层SR。
导电层C1形成于半导体堆叠层SM上，且分别接触第一半导体层130及第二半导体层150。在一些实施例中，导电层C1所选用的材料包括金属、合金或其他导电材料。在一些实施例中，导电层C1为单层或多层结构。
金属层SR形成于导电层C1上。金属层SR的熔点低于摄氏260度。在一些实施例中，金属层SR的厚度T2为0.1微米至5微米。在一些实施例中，金属层SR所选用的材料包括锡、铟、铋、锡铋混合金属、锡铟混合金属、锡铜混合金属、锡银混合金属、锡锑混合金属、锡锌混合金属、锡银铜混合金属、锡银铜铋混合金属或前述材料的组合。在一些实施例中，形成金属层SR的方法包括蒸镀、电镀或其他合适的制程。
在一些实施例中，导电层C1共形地形成于绝缘层i的开口中以及绝缘层i的表面。金属层SR共形地形成于导电层C1上。在一些实施例中，导电层C1以及金属层SR的中央对应绝缘层i的开口的位置略微朝下凹陷，但本发明不以此为限。
在一些实施例中，导电层C1以及金属层SR的形状是藉由相同的罩幕所定义，因此导电层C1垂直投影于生长基板100上的形状以及金属层SR垂直投影于生长基板100上的形状实质上彼此相同。在其他实施例中，电极E1、E2中的上层选择性地包覆下层的侧面，例如可能在制程中使用不同尺寸的光罩或是在蒸镀过程中因为误差而使上层接触到下层的侧面。举例来说，金属层SR选择性地包覆第一导电层C1的侧面，但本发明不以此为限。
虽然在本实施例中，电极E1、E2各自包括导电层C1以及金属层SR，但本发明不以此为限。在其他实施例中，电极E1、E2各自不包括低熔点金属(例如不包括金属层SR)。
图2是依照本发明的一实施例的一种发光二极管基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图2的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图2的发光二极管基板20与图1的发光二极管基板10的主要差异在于：发光二极管基板20的半导体堆叠层SMa不同于发光二极管基板10的半导体堆叠层SM。
请参考图2，半导体堆叠层SMa形成于生长基板100上。在一些实施例中，半导体堆叠层SMa藉由磊晶制程形成于缓冲层110上。半导体堆叠层SMa包括第一半导体层130、发光层140以及第二半导体层150。第一半导体层130与第二半导体层150中的一者为N型掺杂半导体，且另一者为P型掺杂半导体。举例来说，第一半导体层130为N型半导体层，且第二半导体层150为P型半导体层。发光层140位于第一半导体层130与第二半导体层150之间。
在本实施例中，半导体堆叠层SMa还包括第三半导体层160。第三半导体层160形成于第二半导体层150上，且第三半导体层160与第二半导体层150为相同型的半导体层(例如皆为P型半导体层)。
在本实施例中，发光二极管La为红色发光二极管，且半导体层120、第一半导体层130、发光层140以及第二半导体层150的材料包括铝镓铟磷化物，第三半导体层160的材料包括磷化镓，且生长基板100包括砷化镓基板，但本发明不以此为限。在其他实施例中，发光二极管La为其他颜色的发光二极管，且第一半导体层130、发光层140、第二半导体层150以及第三半导体层160的材料包括其他材料。
图3A至图3E是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制造方法的剖面示意图。
请参考图3A与图3B，形成多个发光二极管Lb于生长基板100上。各发光二极管Lb包括半导体堆叠层SM1以及两个电极E1、E2。两个电极E1、E2形成于半导体堆叠层SM1上。发光二极管Lb的结构类似于图1的发光二极管L或图2的发光二极管La。相关说明请参考图1以及图2。
将发光二极管Lb自生长基板100转置于第一转置基板TS1。在本实施例中，第一转置基板TS1包括基底SB1以及黏着层AD1。在一些实施例中，第一转置基板TS1为胶带，且基底SB1包括软性材料。在一些实施例中，基底SB1为透明基底，且材料例如为玻璃、蓝宝石或其他适合的材料。
将生长基板100移动至第一转置基板TS1上，并使生长基板100上的发光二极管Lb朝向第一转置基板TS1，接着以激光剥离(Laser lift off)的方式将一个或多个发光二极管Lb自生长基板100转置于第一转置基板TS1的黏着层AD1上。
在本实施例中，以激光LS选择要转置的发光二极管Lb。在本实施例中，将所有的发光二极管Lb转置于第一转置基板TS1，但本发明不以此为限。在其他实施例中，将部分发光二极管Lb转置于第一转置基板TS1上，另一部分发光二极管Lb留在生长基板100上。在本实施例中，发光二极管Lb的电极E1、E2位于发光二极管Lb朝向第一转置基板TS1的一侧。
请参考图3B与图3C，将发光二极管Lb自第一转置基板TS1转置于第二转置基板TS2。第二转置基板TS2包括基底SB2以及黏着层AD2。在一些实施例中，基底SB2包括导热材料，例如陶瓷、金属或其他适合的材料。在一些实施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、蓝宝石或其他适合的材料。
在本实施例中，第一转置基板TS1的基底SB1为透明基底。移动第一转置基板TS1或第二转置基板TS2以使第一转置基板TS1与第二转置基板TS2对准，接着从基底SB1的一侧以激光照射发光二极管Lb，并藉由激光转移(Laser Transfer))的方式将选定的发光二极管Lb自第一转置基板TS1转置于第二转置基板TS2的黏着层AD2上。
在其他实施例中，第一转置基板TS1为胶带，且仅将部分发光二极管Lb自生长基板100转移至第一转置基板TS1。将第二转置基板TS2贴合至第一转置基板TS1上的发光二极管Lb(例如移动第二转置基板TS2以使第二转置基板TS2接触发光二极管Lb及/或移动第一转置基板TS1以使第二转置基板TS2接触发光二极管Lb)，接着移除第一转置基板TS1。在将第一转置基板TS1上的发光二极管Lb转置于第二转置基板TS2时，黏着层AD2的黏性大于黏着层AD1(或前述胶带)的黏性。在一些实施例中，藉由照射紫外光(UV light)或其他制程降低黏着层AD1的黏性，使黏着层AD2的黏性大于黏着层AD1的黏性。在一些实施例中，不须而外的制程，黏着层AD1本身的黏性就小于黏着层AD2的黏性。由于黏着层AD2的黏性大于黏着层AD1的黏性，因此将第一转置基板TS1移除后，发光二极管Lb留在第二转置基板TS2上。
在本实施例中，发光二极管Lb的电极E1、E2位于发光二极管Lb背对第二转置基板TS2的一侧。
请参考图3D，以类似图3A至图3C的方式将一个或多个发光二极管Lg移至第二转置基板TS2上。发光二极管Lg包括半导体堆叠层SM2以及电极E1、E2。发光二极管Lg的结构类似于图1的发光二极管L或图2的发光二极管La。相关说明请参考图1以及图2。
以类似图3A至图3C的方式将一个或多个发光二极管Lr移至第二转置基板TS2上。发光二极管Lr包括半导体堆叠层SM3以及电极E1、E2。发光二极管Lr的结构类似于图1的发光二极管L或图2的发光二极管La。相关说明请参考图1以及图2。
在本实施例中，发光二极管Lb、发光二极管Lg以及发光二极管Lr分别为蓝色发光二极管、绿色发光二极管以及红色发光二极管。在本实施例中，发光二极管Lb、发光二极管Lg以及发光二极管Lr依序转置于第二转置基板TS2上，但本发明并未限制发光二极管Lb、发光二极管Lg以及发光二极管Lr转置于第二转置基板TS2上的顺序。发光二极管Lb、发光二极管Lg以及发光二极管Lr转置于第二转置基板TS2上的顺序可以依照实际需求而进行调整。
请参考图3E，将发光二极管Lb、Lg、Lr自第二转置基板TS2转置于电路基板200。在本实施例中，在第二转置基板TS2上的发光二极管Lb、Lg、Lr之间的间距约等于在电路基板200上的发光二极管Lb、Lg、Lr之间的间距。电路基板200为硬性基板或软性基板。
在本实施例中，电路基板200包括多个接垫P。每个发光二极管Lb、Lg、Lr的位置对应于电路基板200的两个接垫P。接垫P电性连接至电路基板200中的主动元件(未绘出)或信号线(未绘出)。在一些实施例中，其他额外的驱动晶片(如微晶片(micro chips))或驱动电路板(包含以覆晶薄膜封装技术制作的驱动晶片)接合至电路基板200上。在一些实施例中，电路基板200适用于显示面板内或背光模块内。
在一些实施例中，接垫P所选用的材料包括金、镍、铜、锡、铟、锡银混合金属、锡铜混合金属、锡银铜混合金属或前述材料的组合或堆叠。
在一些实施例中，第二转置基板TS2的基底SB2包括导热材料。将第二转置基板TS2压于电路基板200上，接着藉由第二转置基板TS2将热传至发光二极管Lb、Lg、Lr，以对发光二极管Lb、Lg、Lr加热。发光二极管Lb、Lg、Lr的电极E1、E2中的金属层SR分别连接至电路基板200的对应的接垫P。
在一些实施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、蓝宝石或其他适合的材料。将第二转置基板TS2压于电路基板200上，接着以激光通过基底SB2照射至发光二极管Lb、Lg、Lr，以对发光二极管Lb、Lg、Lr加热。发光二极管Lb、Lg、Lr的电极E1、E2中的金属层SR分别连接至电路基板200的对应的接垫P。
请继续参考图3E，在使发光二极管Lb、Lg、Lr电性连接至电路基板200后，移除第二转置基板TS2。在本实施例中，发光二极管Lb、Lg、Lr包括不同颜色的发光二极管(例如蓝色、绿色以及红色)，但本发明不以此为限。在其他实施例中，仅将单一颜色的发光二极管转置于电路基板200，并藉由其他色彩转换元件(例如量子点(Quantum dot)材料或者磷光体(Phosphor))的材料等)将单一颜色的发光二极管发出的光线转换成其他颜色的光线。换句话说，在其他实施例中，可以省略形成另外两种颜色的发光二极管以及转移另外两种颜色的发光二极管的步骤。
图4A至图4C是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制造方法的剖面示意图。
请参考图4A，以类似图3A至图3D的方式将发光二极管Lb、Lg、Lr转置于第二转置基板TS2上，然而，与图3A至图3D的实施例的差别在于：在图4A的实施例中，发光二极管Lb、Lg、Lr各自的电极E1、E2不包含低熔点金属(例如不包含金属层SR)。
请参考图4B，于电路基板200的接垫P上形成焊料SR1或导电胶(未绘出)。在一些实施例中，形成焊料SR1的方式包括印刷、蒸镀、电镀或其他合适的方法。在一些实施例中，导电胶例如是整面形成于电路基板200上的异方性导电胶。
请参考图4C，将发光二极管Lb、Lg、Lr自第二转置基板TS2转置于电路基板200。在本实施例中，在第二转置基板TS2上的发光二极管Lb、Lg、Lr之间的间距约等于在电路基板200上的发光二极管Lb、Lg、Lr之间的间距。电路基板200为硬性基板或软性基板。
在一些实施例中，第二转置基板TS2的基底SB2包括导热材料。将第二转置基板TS2压于电路基板200上，接着藉由第二转置基板TS2将热传至焊料SR1，以对焊料SR1加热。发光二极管Lb、Lg、Lr的电极E1、E2通过焊料SR1而分别电性连接至电路基板200的对应的接垫P。
在一些实施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、蓝宝石或其他适合的材料。将第二转置基板TS2压于电路基板200上，接着以激光通过基底SB2照射至焊料SR1，以对焊料SR1加热。发光二极管Lb、Lg、Lr的电极E1、E2通过焊料SR1而分别电性连接至电路基板200的对应的接垫P。
请继续参考图4C，在使发光二极管Lb、Lg、Lr电性连接至电路基板200后，移除第二转置基板TS2。在本实施例中，发光二极管Lb、Lg、Lr包括不同颜色的发光二极管(例如蓝色、绿色以及红色)，但本发明不以此为限。在其他实施例中，仅将单一颜色的发光二极管转置于电路基板200，并藉由其他色彩转换元件将单一颜色的发光二极管发出的光线转换成其他颜色的光线。换句话说，在其他实施例中，可以省略形成其他两种发光二极管以及转移其他两种发光二极管的步骤。
在本实施例中，焊料SR1形成于电路基板200的接垫P上，但本发明不以此为限。在其他实施例中，形成焊料SR1于发光二极管Lb、Lg、Lr的电极E1、E2上。
图5A至图5D是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制造方法的剖面示意图。
请参考图5A，形成多个发光二极管Lb于生长基板100a上。在本实施例中，生长基板100a包括基底102以及系连结构104。在一些实施例中，形成牺牲层(未绘出)以及系连结构104于基底102上，接着形成连接系连结构104的发光二极管Lb，然后移除牺牲层以使发光二极管Lb与基底102之间具有间隙。在移除牺牲层之后，发光二极管Lb固定于生长基板100a上的系连结构104上。
在本实施例中，各发光二极管Lb包括半导体堆叠层SM1以及两个电极E1、E2。两个电极E1、E2形成于半导体堆叠层SM1上。发光二极管Lb的结构类似于图1的发光二极管L或图2的发光二极管La。相关说明请参考图1以及图2。
在本实施例中，发光二极管Lb的电极E1、E2位于发光二极管Lb背对基底102的一侧。
以转移装置TD提取一个或多个发光二极管Lb。在将发光二极管Lb自生长基板100a上提起时，系连结构104会因为受力而断裂。在一些实施例中，部分断裂的系连结构104’残留于被提起的发光二极管Lb上，另一部分断裂的系连结构104”则残留于基底102上，但本发明不以此为限。
在本实施例中，转移装置TD的黏性材料例如包括聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)等，且转移装置TD藉由转移装置TD与发光二极管Lb之间的凡德瓦力将发光二极管Lb提起。在其他实施例中，转移装置TD例如是以真空吸引力或静电等其他方式将发光二极管Lb提起。
请参考图5B，藉由转移装置TD将一个或多个发光二极管Lb转置于第一转置基板TS1上。第一转置基板TS1包括基底SB1以及黏着层AD1。在一些实施例中，基底SB1包括导热材料，例如陶瓷、金属或其他适合的材料。在一些实施例中，基底SB1包括透明材料，例如玻璃、蓝宝石或其他适合的材料。
使发光二极管Lb固定于第一转置基板TS1的黏着层AD1上，接着移除转移装置TD。
在本实施例中，发光二极管Lb的电极E1、E2位于发光二极管Lb背对第一转置基板TS1的一侧。
请参考图5C，藉由类似图5A至图5B的方法形成发光二极管Lg、Lr，并将发光二极管Lg、Lr转置于第一转置基板TS1上。
请参考图5D，翻转第一转置基板TS1，并将发光二极管Lb、Lg、Lr自第一转置基板TS1转置于电路基板200。在本实施例中，在第一转置基板TS1上的发光二极管Lb、Lg、Lr之间的间距约等于在电路基板200上的发光二极管Lb、Lg、Lr之间的间距。
在本实施例中，电路基板200包括多个接垫P。接垫P电性连接至电路基板200中的主动元件(未绘出)或信号线(未绘出)。每个发光二极管Lb、Lg、Lr的位置对应于电路基板200的两个接垫P。
在一些实施例中，第一转置基板TS1的基底SB1包括导热材料。将第一转置基板TS1压于电路基板200上，接着藉由第一转置基板TS1将热传至发光二极管Lb、Lg、Lr，以对发光二极管Lb、Lg、Lr加热。发光二极管Lb、Lg、Lr的电极E1、E2中的金属层SR分别连接至电路基板200的对应的接垫P。
在一些实施例中，基底SB1包括透明材料，例如玻璃、蓝宝石或其他适合的材料。将第一转置基板TS1压于电路基板200上，接着以激光通过基底SB1照射至发光二极管Lb、Lg、Lr，以对发光二极管Lb、Lg、Lr加热。发光二极管Lb、Lg、Lr的电极E1、E2中的金属层SR分别连接至电路基板200的对应的接垫P。
请继续参考图5D，在将发光二极管Lb、Lg、Lr电性连接至电路基板200之后，移除第一转置基板TS1。
图6A至图6E是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制造方法的剖面示意图。
请参考图6A，形成多个发光二极管Lb于生长基板100a上。在本实施例中，生长基板100a包括基底102以及系连结构104。在一些实施例中，形成牺牲层(未绘出)以及系连结构104于基底102上，接着形成连接系连结构104的发光二极管Lb，然后在移除牺牲层以使发光二极管Lb与基底102之间具有间隙。在移除牺牲层之后，发光二极管Lb固定于生长基板100a上的系连结构104上。
在本实施例中，各发光二极管Lb包括半导体堆叠层SM1以及两个电极E1、E2。两个电极E1、E2形成于半导体堆叠层SM1上。发光二极管Lb的结构类似于图1的发光二极管L或图2的发光二极管La。相关说明请参考图1以及图2。
在本实施例中，发光二极管Lb的电极E1、E2位于发光二极管Lb面对基底102的一侧。
以转移装置TD提取一个或多个发光二极管Lb。在将发光二极管Lb自生长基板100a上提起时，系连结构104会因为受力而断裂。在一些实施例中，部分断裂的系连结构104’残留于被提起的发光二极管Lb上，另一部分断裂的系连结构104”残留于基底102上，但本发明不以此为限。
在本实施例中，转移装置TD的黏性材料(例如包括聚二甲基硅氧烷)等，且转移装置TD藉由转移装置TD与发光二极管Lb之间的凡德瓦力将发光二极管Lb提起。在其他实施例中，转移装置TD例如是以真空吸引力或静电等其他方式将发光二极管Lb提起。
请参考图6A与图6B，藉由转移装置TD将发光二极管Lb转置于第一转置基板TS1上。
在本实施例中，第一转置基板TS1包括基底SB1以及黏着层AD1。在一些实施例中，第一转置基板TS1为胶带，且基底SB1包括软性材料。在一些实施例中，基底SB1为透明基底，且材料例如为玻璃、蓝宝石或其他适合的材料。
在本实施例中，将部分的发光二极管Lb转置于第一转置基板TS1上，另一部分的发光二极管Lb留在生长基板100上。在其他实施例中，将全部的发光二极管Lb转置于第一转置基板TS1上。在本实施例中，发光二极管Lb的电极E1、E2位于发光二极管Lb朝向第一转置基板TS1的一侧。
请参考图6C，将其中一个或多个发光二极管Lb自第一转置基板TS1转置于第二转置基板TS2。第二转置基板TS2包括基底SB2以及黏着层AD2。在一些实施例中，基底SB2包括导热材料，例如陶瓷、金属或其他适合的材料。在一些实施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、蓝宝石或其他适合的材料。
在本实施例中，第一转置基板TS1的基底SB1为透明基底。在将第一转置基板TS1移至第二转置基板TS2上之后，从基底SB1的一侧以激光LS照射发光二极管Lb，并藉由激光转移的方式将至少部分的发光二极管Lb自第一转置基板TS1转置于第二转置基板TS2的黏着层AD2上。
在其他实施例中，第一转置基板TS1包括胶带，且黏着层AD2的黏性大于黏着层AD1的黏性。将第二转置基板TS2贴合至第一转置基板TS1上的发光二极管Lb之后，移除第一转置基板TS1。由于黏着层AD2的黏性大于黏着层AD1的黏性，因此将第一转置基板TS1移除后，发光二极管Lb留在第二转置基板TS2上。
在本实施例中，部分的发光二极管Lb转移至第二转置基板TS2上，另一部分的发光二极管Lb留在第一转置基板TS1上，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一转置基板TS1上的发光二极管Lb全部转移至第二转置基板TS2上。
在本实施例中，发光二极管Lb的电极E1、E2位于发光二极管Lb背对第二转置基板TS2的一侧。
请参考图6D，以类似图6A至图6C的方式将一个或多个发光二极管Lg、Lr移至第二转置基板TS2上。发光二极管Lg包括半导体堆叠层SM2以及电极E1、E2，且发光二极管Lr包括半导体堆叠层SM3以及电极E1、E2。发光二极管Lg、Lr的结构类似于图1的发光二极管L或图2的发光二极管La。相关说明请参考图1以及图2。
请参考图6E，将发光二极管Lb、Lg、Lr自第二转置基板TS2转置于电路基板200。在本实施例中，在第二转置基板TS2上的发光二极管Lb、Lg、Lr之间的间距约等于在电路基板200上的发光二极管Lb、Lg、Lr之间的间距。
在本实施例中，电路基板200包括多个接垫P。接垫P电性连接至电路基板200中的主动元件(未绘出)或信号线(未绘出)。每个发光二极管Lb、Lg、Lr的位置对应于电路基板200的两个接垫P。
在一些实施例中，第二转置基板TS2的基底SB2包括导热材料。将第二转置基板TS2压于电路基板200上，接着藉由第二转置基板TS2将热传至发光二极管Lb、Lg、Lr，以对发光二极管Lb、Lg、Lr加热。发光二极管Lb、Lg、Lr的电极E1、E2中的金属层SR分别连接至电路基板200的对应的接垫P。
在一些实施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、蓝宝石或其他适合的材料。将第二转置基板TS2压于电路基板200上，接着以激光通过基底SB2照射至发光二极管Lb、Lg、Lr，以对发光二极管Lb、Lg、Lr加热。发光二极管Lb、Lg、Lr的电极E1、E2中的金属层SR分别连接至电路基板200的对应的接垫P。
请继续参考图6E，在将发光二极管Lb、Lg、Lr电性连接至电路基板200之后，移除第二转置基板TS2。
图7A至图7J是依照本发明的一实施例的一种修复发光二极管显示装置的方法的示意图。
图7B是图7A线A-A’的剖面示意图。请参考图7A与图7B，提供发光二极管显示装置D1。发光二极管显示装置D1包括电路基板200、多个第一发光二极管L1以及一个或多个第二发光二极管L2。检测发光二极管显示装置D1，其中第二发光二极管L2不能正常发光。
在本实施例中，将第一发光二极管L1与第二发光二极管L2转置于电路基板200上的方法可以参照前述任一实施例，于此不再赘述。在本实施例中，第一发光二极管L1与第二发光二极管L2各自包括半导体堆叠层SM以及电性连接至半导体堆叠层SM的两个电极E1、E2。在本实施例中，第一发光二极管L1与第二发光二极管L2为相同颜色的发光二极管(例如蓝色发光二极管、红色发光二极管或绿色发光二极管)，第一发光二极管L1与第二发光二极管L2例如可以形成于同一个生长基板上，接着再将第一发光二极管L1与第二发光二极管L2转置于电路基板200上，但本发明不限于此。
在本实施例中，第一发光二极管L1分别对应于电路基板200的多个第一放置区R1设置。在一些实施例中，第一发光二极管L1电性连接至第一放置区R1中的第一接垫P1。第二发光二极管L2对应于电路基板200的第二放置区R2设置。在一些实施例中，第二发光二极管L2本身故障，因此即使第二发光二极管L2连接至第二放置区R2中的第二接垫P2，第二发光二极管L2仍不能正常发光。在一些实施例中，第二发光二极管L2在转置过程中发生偏移、失败或者发光二极管不良等的问题，导致第二发光二极管L2没有准确地与第二接垫P2接合或者不能正常发光。
在本实施例中，发光二极管显示装置D1中的多个第二发光二极管L2故障，换句话说，发光二极管显示装置D1包括多个第二发光二极管L2，多个第二发光二极管L2分别对应于电路基板200的多个第二放置区R2设置。在其他实施例中，发光二极管显示装置D1中的一个发光二极管故障，换句话说，发光二极管显示装置D1包括一个第二发光二极管L2，一个第二发光二极管L2对应于电路基板200的一个第二放置区R2设置。
图7D是图7C线A-A’的剖面示意图。请参考图7C与图7D，将第二发光二极管L2自电路基板200移除。举例来说，藉由发光二极管移除模块PD将第二发光二极管L2自电路基板200上移除。移除模块PD为黏性吸头、真空吸嘴、激光模块或者任何种类的移除机器(removemachine)。
在一些实施例中，在将第二发光二极管L2自电路基板200上移除之后，第二发光二极管L2的金属层SR部分残留于电路基板200的第二接垫P2上。举例来说，藉由移除模块PD对第二发光二极管L2加热或者激光等方式使第二发光二极管L2的电极E1、E2中的金属层SR熔化，而将第二发光二极管L2移除。部分熔化的金属层SRb残留于第二接垫P2上，另一部分的金属层SRa随着第二发光二极管L2被移除而一起被提起。
图7F是图7E线A-A’的剖面示意图。请参考图7E与图7F，提供一个发光二极管基板30。发光二极管基板30的结构类似于图1的发光二极管基板10或图2的发光二极管基板20。在本实施例中，发光二极管基板30包括生长基板300以及位于生长基板300上的多个第三发光二极管L3以及多个第四发光二极管L4。发光二极管基板30的第三发光二极管L3包括半导体堆叠层SM以及电性连接至半导体堆叠层SM的两个电极E1、E2。在本实施例中，第一发光二极管L1、第二发光二极管L2、第三发光二极管L3以及第四发光二极管L4具有类似的结构，且所述结构类似于图1的发光二极管L或图2的发光二极管La。在本实施例中，第一发光二极管L1、第二发光二极管L2、第三发光二极管L3与第四发光二极管L4皆为相同颜色的发光二极管。
提供一个第一转置基板TS3。第一转置基板TS3包括基底SB3以及位于基底SB3上的黏着层AD3。
基于第二放置区R2的位置，将发光二极管基板30的一个或多个第三发光二极管L3转置于第一转置基板TS3的黏着层AD3上。举例来说，在将多个第三发光二极管L3转置于第一转置基板TS3之后，第一转置基板TS3上的多个第三发光二极管L3的排列方式等于电路基板200上的多个第二放置区R2的排列方式。因此，不需要再调整相邻的第三发光二极管L3之间的间距就可以在后续的制程中将第三发光二极管L3转置于电路基板200的第二放置区R2上。
在一些实施例中，将发光二极管基板30的一个或多个第三发光二极管L3转置于第一转置基板TS3的方法包括激光剥离(Laser Lift-off)等。在一些实施例中，在将第三发光二极管L3转置于第一转置基板TS3之后，第四发光二极管L4留在生长基板300上。换句话说，藉由激光将所需的第三发光二极管L3转置于第一转置基板TS3。
图7H是图7G线A-A’的剖面示意图。请参考图7G与图7H，提供一个第二转置基板TS4。第二转置基板TS4包括基底SB4以及位于基底SB4上的黏着层AD4。
将第一转置基板TS3上的第三发光二极管L3转置于第二转置基板TS4。在本实施例中，多个第三发光二极管L3在第一转置基板TS3上的排列方式对称于多个第三发光二极管L3在第二转置基板TS4上的排列方式。举例来说，在将第一转置基板TS3反转并将第三发光二极管L3转置于第二转置基板TS4之后，第三发光二极管L3的排列方式会镜像对称于其未转置于第二转置基板TS4之前的排列方式。
在本实施例中，第一转置基板TS3包括胶带，且基底SB3包括软性材料。黏着层AD4的黏性大于黏着层AD3的黏性。将第二转置基板TS4贴合至第一转置基板TS3上的第三发光二极管L3之后(例如移动第二转置基板TS4以使第二转置基板TS4接触第三发光二极管L3及/或移动第一转置基板TS3以使第二转置基板TS4接触第三发光二极管L3)，移除第一转置基板TS3。由于黏着层AD4的黏性大于黏着层AD3的黏性，因此将第一转置基板TS3移除后，第三发光二极管L3留在第二转置基板TS4上。
在其他实施例中，第一转置基板TS3的基底SB3为透明基底。移动第一转置基板TS3或第二转置基板TS4以使第一转置基板TS3与第二转置基板TS4重叠，接着从基底SB3的一侧以激光照射第三发光二极管L3，并藉由激光转移的方式将第三发光二极管L3自第一转置基板TS3转置于第二转置基板TS4的黏着层AD4上。
图7J是图7I线A-A’的剖面示意图。请参考图7I与图7J，将第二转置基板TS4重叠于电路基板200。第三发光二极管L3位于第二转置基板TS4朝向电路基板200的一侧。第三发光二极管L3的位置重叠于第二放置区R2。
在一些实施例中，在将第二转置基板TS4重叠于电路基板200时，第三发光二极管L3接触电路基板200的第二接垫P2，且第一发光二极管L1接触第二转置基板TS4。
在一些实施例中，在将第二转置基板TS4重叠于电路基板200时，在垂直于第二转置基板TS4的方向DR1上，第三发光二极管L3不重叠于第一发光二极管L1。
将第二转置基板TS4上的第三发光二极管L3电性连接至电路基板200。举例来说，加热第三发光二极管L3，以使第三发光二极管L3的金属层SR电性连接至原本对应至第二发光二极管L2的第二接垫P2。在一些实施例中，第三发光二极管L3的金属层SR会与第二发光二极管L2残留于第二接垫P2上的金属层SRb(绘于图7D)彼此融合。在一些实施例中，对第二转置基板TS4加热并使热量传导至第三发光二极管L3或于第二转置基板TS4的一侧以激光加热第三发光二极管L3。在一些实施例中，对第三发光二极管L3加热，使金属层SR共晶接合至电路基板200的多个第二接垫P2。
在本实施例中，将第三发光二极管L3放置于原本对应至第二发光二极管L2的第二接垫P2上，但本发明不以此为限。在其他实施例中，每个第一放置区R1以及每个第二放置区R2中都设置有用于修复的冗余接垫(redundancy pad，未绘出)，将第三发光二极管L3放置于第二放置区R2中的冗余接垫上，并使第三发光二极管L3藉由冗余接垫而电性连接至电路基板200中的其他元件。
在本实施例中，由于第三发光二极管L3的电极E1、E2包括金属层SR，因此，不需要于电路基板200上额外形成锡球或导电胶就能将第三发光二极管L3接合至电路基板200，此外，还不会因为额外形成的锡球或导电胶偏移而导致修复失败。换句话说，第三发光二极管L3的金属层SR提升了修复制程的良率与精度。
在使第三发光二极管L3电性连接至电路基板200之后，移除第二转置基板TS4。
在本实施例中，第一发光二极管L1以及第三发光二极管L3包括相同颜色的发光二极管，并藉由其他色彩转换元件(例如量子点(Quantum dot)或者磷光体(Phosphor))的材料等)将第一发光二极管L1以及第三发光二极管L3发出的光线转换成其他颜色的光线。
基于上述，在一些实施例中，将第三发光二极管L3转置于电路基板200的方法至少部分相同于将第一发光二极管L1以及第二发光二极管L2转置于电路基板200(例如都有通过激光剥离将发光二极管自生长基板上转置于第一转置基板上)，因此，将第三发光二极管L3转置于电路基板200所需要的设备至少部分相同于将第一发光二极管L1以及第二发光二极管L2转置于电路基板200所需要的设备，藉此节省设备成本。在一些实施例中，可以同时将多个第三发光二极管L3转置于电路基板200上，因此，能减少修复制程所需要的时间。
图8A至图8D是依照本发明的一实施例的一种修复发光二极管显示装置的方法的剖面示意图。
请参考图8A，提供发光二极管显示装置D2。发光二极管显示装置D2包括电路基板200、多个第一发光二极管L1以及一个或多个第二发光二极管L2。在本实施例中，低熔点金属(例如金属层SR)没有形成于第一发光二极管L1以及第二发光二极管L2各自的电极E1、E2上。在本实施例中，于电路基板200的第一接垫P1以及第二接垫P2上形成焊料SR1，接着才将第一发光二极管L1以及第二发光二极管L2放置于电路基板200上。
在本实施例中，将第一发光二极管L1与第二发光二极管L2转置于电路基板200上的方法可以参照前述任一实施例，于此不再赘述。在本实施例中，第一发光二极管L1与第二发光二极管L2为相同颜色的发光二极管(例如蓝色发光二极管、红色发光二极管或绿色发光二极管)，第一发光二极管L1与第二发光二极管L2例如可以形成于同一个生长基板上，接着再将第一发光二极管L1与第二发光二极管L2转置于电路基板200上。
在本实施例中，检测发光二极管显示装置D2，其中第二发光二极管L2不能正常发光。在一些实施例中，发光二极管显示装置中的一个或多个第二发光二极管L2故障。
请参考图8B，将第二发光二极管L2自电路基板200移除。举例来说，藉由移除模块PD将第二发光二极管L2自电路基板200上移除。移除模块PD为黏性吸头、真空吸嘴、激光模块或者任何种类的移除机器。
在本实施例中，部分熔化的焊料SR1b残留于第二接垫P2上，另一部分的焊料SR1a随着第二发光二极管L2一起被提起。
请参考图8C，于电路基板200的第二接垫P2上形成焊料SR1’或导电胶(未绘出)。在一些实施例中，形成焊料SR1’的方式包括印刷、蒸镀、电镀或其他合适的方法。
在本实施例中，焊料SR1’或导电胶形成于焊料SR1b上，但本发明不以此为限。在其他实施例中，每个第一放置区R1以及每个第二放置区R2中都设置有用于修复的冗余接垫(redundancy pad，未绘出)，SR1’形成于冗余接垫上。
请参考图8D，将第三发光二极管L3转置于电路基板200。在本实施例中，将第三发光二极管L3转置于电路基板200的方法类似于图7C至图7E所述，但差异在于本实施例中的第三发光二极管L3未包含金属层SR。
将第二转置基板TS4上的第三发光二极管L3电性连接至电路基板200。举例来说，加热第三发光二极管L3，以使焊料SR1’电性连接第三发光二极管L3至原本对应至第二发光二极管L2的第二接垫P2。在一些实施例中，焊料SR1’会与第二发光二极管L2残留于第二接垫P2上的金属层SR1b彼此融合。在一些实施例中，对第二转置基板TS4加热并使热量传导至第三发光二极管L3或于第二转置基板TS4的一侧以激光加热第三发光二极管L3。在一些实施例中，对第三发光二极管L3加热，使焊料SR1’共晶接合至第三发光二极管L3的电极E1、E2。
在本实施例中，将第三发光二极管L3放置于原本对应至第二发光二极管L2的第二接垫P2上，但本发明不以此为限。在其他实施例中，将第三发光二极管L3放置于第二放置区R2中的冗余接垫上，并使第三发光二极管L3藉由冗余接垫而电性连接至电路基板200中的其他元件。
在本实施例中，焊料SR1’或导电胶形成于电路基板200上，但本发明不以此为限。
在将第三发光二极管L3电性连接至电路基板200之后，移除第二转置基板TS4。
图9A至图9Q是依照本发明的一实施例的一种修复发光二极管显示装置的方法的剖面示意图。
图9B是图9A线B-B’的剖面示意图。请参考图9A与图9B，提供发光二极管显示装置D3。发光二极管显示装置D3包括电路基板200、多个第一发光二极管L1以及一个或多个第二发光二极管L2。检测发光二极管显示装置D3，其中第二发光二极管L2不能正常发光。
在本实施例中，第一发光二极管L1包括第一红色发光二极管L1r、第一绿色发光二极管L1g以及第一蓝色发光二极管L1b，且第一放置区R1包括第一红色放置区R1r、第一绿色放置区R1g以及第一蓝色放置区R1b。第一红色发光二极管L1r、第一绿色发光二极管L1g以及第一蓝色发光二极管L1b分别对应于第一红色放置区R1r、第一绿色放置区R1g以及第一蓝色放置区R1b设置。在一些实施例中，第一红色发光二极管L1r、第一绿色发光二极管L1g以及第一蓝色发光二极管L1b分别电性连接至第一红色放置区R1r、第一绿色放置区R1g以及第一蓝色放置区R1b中的第一接垫P1。
在本实施例中，第二发光二极管L2包括第二红色发光二极管L2r、第二绿色发光二极管L2g以及第二蓝色发光二极管L2b，且第二放置区R2包括第二红色放置区R2r、第二绿色放置区R2g以及第二蓝色放置区R2b。第二红色发光二极管L2r、第二绿色发光二极管L2g以及第二蓝色发光二极管L2b分别对应于第二红色放置区R2r、第二绿色放置区R2g以及第二蓝色放置区R2b设置。
在本实施例中，将第一发光二极管L1与第二发光二极管L2转置于电路基板200上的方法可以参照前述任一实施例，于此不再赘述。在本实施例中，不同颜色的发光二极管形成于不同的生长基板上，接着再分别转置于电路基板200上。
请参考图9C，将第二红色发光二极管L2r、第二绿色发光二极管L2g以及第二蓝色发光二极管L2b自电路基板200移除。举例来说，藉由移除模块PD将第二红色发光二极管L2r、第二绿色发光二极管L2g以及第二蓝色发光二极管L2b自电路基板200上移除。移除模块PD为黏性吸头、真空吸嘴、激光模块或者任何种类的移除机器。
在一些实施例中，在将第二发光二极管L2自电路基板200上移除之后，第二发光二极管L2的金属层部分残留于电路基板200的第二接垫P2上。
请参考图9D到图9O，提供多个发光二极管基板，各发光二极管基板包括至少一个第三发光二极管。在本实施例中，多个发光二极管基板包括红色发光二极管基板30r、绿色发光二极管基板30g以及蓝色发光二极管基板30b。红色发光二极管基板30r包括第三红色发光二极管L3r。绿色发光二极管基板30g包括第三绿色发光二极管L3g。蓝色发光二极管基板30b包括第三蓝色发光二极管L3b。
提供多个第一转置基板，基于第二放置区R2的位置，将各发光二极管基板的第三发光二极管分别转置于第一转置基板中对应的一者。将各第一转置基板上的第三发光二极管转置于第二转置基板TS4。在本实施例中，多个第一转置基板包括红色转置基板TS3r、绿色转置基板TS3g以及蓝色转置基板TS3b。
图9E是图9D线B-B’的剖面示意图。请参考图9E与图9D，红色发光二极管基板30r包括生长基板300r以及位于生长基板300r上的第三红色发光二极管L3r。基于第二红色放置区R2r的位置，将红色发光二极管基板30r的第三红色发光二极管L3r转置于红色转置基板TS3r。在一些实施例中，红色转置基板TS3r包括基底SB3以及位于基底SB3上的黏着层AD3。
在一些实施例中，将红色发光二极管基板30r的第三红色发光二极管L3r转置于红色转置基板TS3r的方法包括激光剥离。在一些实施例中，红色发光二极管基板30r还包括位于生长基板300r上的多个第四红色发光二极管L4r。在将第三红色发光二极管L3r转置于红色转置基板TS3r之后，第四红色发光二极管L4r留在生长基板300r上。换句话说，藉由激光将所需的第三红色发光二极管L3r转置于红色转置基板TS3r。在本实施例中，第三红色发光二极管L3r以及第四红色发光二极管L4r皆包括半导体堆叠层SM3以及位于半导体堆叠层SM3上的电极E1、E2。
图9G是图9F线B-B’的剖面示意图。请参考图9F与图9G，将红色转置基板TS3r上的第三红色发光二极管L3r转置于第二转置基板TS4。
图9I是图9H线B-B’的剖面示意图。请参考图9H与图9I，绿色发光二极管基板30g包括生长基板300g以及位于生长基板300g上的第三绿色发光二极管L3g。基于第二绿色放置区R2g的位置，将绿色发光二极管基板30g的第三绿色发光二极管L3g转置于绿色转置基板TS3g。
在一些实施例中，将绿色发光二极管基板30g的第三绿色发光二极管L3g转置于绿色转置基板TS3g的方法包括激光剥离。在一些实施例中，绿色发光二极管基板30g还包括位于生长基板300g上的多个第四绿色发光二极管L4g。在将第三绿色发光二极管L3g转置于绿色转置基板TS3g之后，第四绿色发光二极管L4g留在生长基板300g上。换句话说，藉由激光将所需的第三绿色发光二极管L3g转置于绿色转置基板TS3g。在本实施例中，第三绿色发光二极管L3g以及第四绿色发光二极管L4g皆包括半导体堆叠层SM2以及位于半导体堆叠层SM2上的电极E1、E2。
图9K是图9J线B-B’的剖面示意图。请参考图9J与图9K，将绿色转置基板TS3g上的第三绿红色发光二极管L3g转置于第二转置基板TS4。
图9M是图9L线B-B’的剖面示意图。请参考图9L与图9M，蓝色发光二极管基板30b包括生长基板300b以及位于生长基板300b上的第三蓝色发光二极管L3b。基于第二蓝色放置区R2b的位置，将蓝色发光二极管基板30b的第三蓝色发光二极管L3b转置于蓝色转置基板TS3b。
在一些实施例中，将蓝色发光二极管基板30b的第三蓝色发光二极管L3b转置于蓝色转置基板TS3b的方法包括激光剥离。在一些实施例中，蓝色发光二极管基板30b还包括位于生长基板300b上的多个第四蓝色发光二极管L4b。在将第三蓝色发光二极管L3b转置于蓝色转置基板TS3b之后，第四蓝色发光二极管L4b留在生长基板300b上。换句话说，藉由激光将所需的第三蓝色发光二极管L3b转置于蓝色转置基板TS3b。在本实施例中，第三蓝色发光二极管L3b以及第四蓝色发光二极管L4b皆包括半导体堆叠层SM1以及位于半导体堆叠层SM1上的电极E1、E2。
图9O是图9N线B-B’的剖面示意图。请参考图9N与图9O，将蓝色转置基板TS3b上的第三蓝色发光二极管L3b转置于第二转置基板TS4。
图9Q是图9P线B-B’的剖面示意图。请参考图9P与图9Q，将第二转置基板TS4重叠于电路基板200。第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发光二极管L3b位于第二转置基板TS4朝向电路基板200的一侧。第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发光二极管L3b的位置分别重叠于第二红色放置区R2r、第二绿色放置区R2g以及第二蓝色放置区R2b。
将第二转置基板TS4上的第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发光二极管L3b电性连接至电路基板200。举例来说，加热第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发光二极管L3b，以使第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发光二极管L3b的金属层SR电性连接至原本对应至第二发光二极管L2的第二接垫P2。
在其他实施例中，第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发光二极管L3b不包括金属层SR。因此，在将第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发光二极管L3b电性连接至电路基板200之前，于第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发光二极管L3b上或电路基板200上形成焊料或导电胶，接着才将第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发光二极管L3b电性连接至电路基板200。
在本实施例中，将第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发光二极管L3b分别放置于原本对应至第二红色发光二极管L2r、第二绿色发光二极管L2g以及第二蓝色发光二极管L2b的第二接垫P2上，但本发明不以此为限。在其他实施例中，每个第一放置区R1以及每个第二放置区R2中都设置有用于修复的冗余接垫(redundancypad，未绘出)，将第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发光二极管L3b放置于冗余接垫上，并使第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发光二极管L3b藉由冗余接垫而电性连接至电路基板200中的其他元件。
在将第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发光二极管L3b电性连接至电路基板200之后，移除第二转置基板TS4。
在本实施例中，利用第二转置基板TS4同时转置不同颜色的发光二极管于电路基板200上，藉此同时修复不同颜色的发光二极管以降低修复制程所需要的时间与成本。
图10A至图10F是依照本发明的一实施例的一种转置发光二极管的方法的上视示意图。图11A至图11F分别是图10A至图10F中线a-a’的剖面上视示意图。举例来说，图10A至图10F以及图11A至图11F可适用于前述任一实施例中，将发光二极管自生长基板转置于第一转置基板的方法。
请参考图10A与图11A，提供第一转置基板TS3以及支撑结构SP。支撑结构SP用于固定第一转置基板TS3。在本实施例中，第一转置基板TS3包括单层或多层软性材料。在本实施例中，第一转置基板TS3至少朝上的表面具有黏性。在一些实施例中，第一转置基板TS3黏在支撑结构SP上。在一些实施例中，支撑结构SP为能够固定第一转置基板TS3的外框。
请参考图10B与图11B将发光二极管基板40的发光二极管L5转置于第一转置基板TS3上。支撑结构SP位于发光二极管基板40周围。
在本实施例中，发光二极管基板40包括生长基板400以及形成于生长基板400上的发光二极管L5。将发光二极管基板40重叠于第一转置基板TS3，其中发光二极管L5位于生长基板400以及第一转置基板TS3之间。接着以激光LS将选定的发光二极管L5自生长基板400上移除，并使选定的发光二极管L5固定于第一转置基板TS3。在本实施例中，发光二极管L5包括半导体堆叠层以及形成于半导体堆叠层上的电极。电极位于半导体堆叠层朝向第一转置基板TS3的一面。
在本实施例中，基于预定的转置于电路基板后的发光二极管L5的间距，以激光LS将发光二极管L5自生长基板400上移除。换句话说，在第一转置基板TS3上即调整好发光二极管L5的间距，因此在后续的转置制程中不需要再改变发光二极管L5的间距。
在本实施例中，软质的第一转置基板TS3与硬质的发光二极管基板40贴合，能避免发光二极管基板40因为翘曲太大而影响激光剥离制程的良率。
请参考图10C与图11C，移除生长基板400以及未从生长基板400上取下的发光二极管L5。
请参考图10D与图11D，选择性地将保护膜PF覆盖于第一转置基板TS3上的发光二极管L5上。自第一转置基板TS3上移除支撑结构SP。
请参考图10E与图11E，对转置基板TS3照射紫外光，以减少转置基板TS3的黏性。接着，移除支撑结构SP。在一些实施例中，保护膜PF适用于在移除支撑结构SP的制程中固定发光二极管L5，使发光二极管L5不会在移除支撑结构SP的制程中出现受损或难转移等问题。在移除支撑结构SP后，自发光二极管L5上移除保护膜PF。在一些实施例中，保护膜PF包括黏性小于转置基板TS3的材料或不具黏性的材料。
在一些实施例中，不需要额外设置保护膜PF就直接移除支撑结构SP。请参考图10F与图11F，将第一转置基板TS3上的发光二极管L5转置于第二转置基板TS4。在本实施例中，第二转置基板TS4包括基底SB4以及位于基底SB4上的黏着层AD4。黏着层AD2的黏性大于第一转置基板TS3的黏性(第一转置基板TS3照射紫外光之后的黏性)。
在将发光二极管L5转置于第二转置基板TS4之后，移除第一转置基板TS3。
在一些实施例中，未设置保护膜PF于第一转置基板TS3上，且在移除支撑结构SP之前，先将第二转置基板TS4贴附于第一转置基板TS3，藉此固定第一转置基板TS3上的发光二极管L5，接着才移除支撑结构SP。
综上所述，在修复发光二极管显示装置的过程中，藉由转置基板将发光二极管转置于电路基板上，藉此能节省修复发光二极管显示装置所需要的时间以及成本。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明做出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (17)

1.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供一发光二极管显示装置，该发光二极管显示装置包括：
一电路基板；
多个第一发光二极管，分别对应于该电路基板的多个第一放置区设置，且该些第一发光二极管电性连接至该电路基板；以及
多个第二发光二极管，对应于该电路基板的多个第二放置区设置；
检测该发光二极管显示装置，其中多个该第二发光二极管不能正常发光；将多个该第二发光二极管自该电路基板移除；
转移多个第三发光二极管至多个该第二放置区，其中转移方法为：
提供一发光二极管基板，该发光二极管基板包括多个第三发光二极管；
提供一第一转置基板；
基于多个该第二放置区的位置，将该发光二极管基板的多个该第三发光二极管转置于该第一转置基板，其中多个该第三发光二极管在该第一转置基板上的排列方式等于该电路基板的多个该第二放置区的排列方式；
将该第一转置基板上的多个该第三发光二极管转置于一第二转置基板，其中多个该第三发光二极管在该第一转置基板上的排列方式对称于多个该第三发光二极管在该第二转置基板上的排列方式；
将该第二转置基板重叠于该电路基板，其中多个该第三发光二极管位于该第二转置基板朝向该电路基板的一侧，其中多个该第三发光二极管的位置重叠于该第二放置区；以及
将该第二转置基板上的多个该第三发光二极管电性连接至该电路基板；
或转移方法为：
提供多个发光二极管基板，各该发光二极管基板包括至少一个第三发光二极管；
提供多个第一转置基板，基于该些第二放置区的位置，将各该发光二极管基板的至少一个该第三发光二极管分别转置于多个该第一转置基板中对应的一者；
将各该第一转置基板上的至少一个该第三发光二极管转置于一第二转置基板；
将该第二转置基板重叠于该电路基板，其中多个该第三发光二极管的位置重叠于多个该第二放置区；以及
将该第二转置基板上的多个该第三发光二极管电性连接至该电路基板。
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，多个该第一发光二极管包括一第一红色发光二极管、一第一绿色发光二极管以及一第一蓝色发光二极管，且多个该第一放置区包括一第一红色放置区、一第一绿色放置区以及一第一蓝色放置区，该第一红色发光二极管、该第一绿色发光二极管以及该第一蓝色发光二极管分别对应于该第一红色放置区、该第一绿色放置区以及该第一蓝色放置区设置。
3.如权利要求2所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
多个该第二发光二极管包括一第二红色发光二极管、一第二绿色发光二极管以及一第二蓝色发光二极管，且多个该第二放置区包括一第二红色放置区、一第二绿色放置区以及一第二蓝色放置区，该第二红色发光二极管、该第二绿色发光二极管以及该第二蓝色发光二极管分别对应于该第二红色放置区、该第二绿色放置区以及该第二蓝色放置区设置；
多个该发光二极管基板包括一红色发光二极管基板、一绿色发光二极管基板以及一蓝色发光二极管基板，其中该红色发光二极管基板的至少一个该第三发光二极管包括一第三红色发光二极管，该绿色发光二极管基板的至少一个该第三发光二极管包括一第三绿色发光二极管，且该蓝色发光二极管基板的至少一个该第三发光二极管包括一第三蓝色发光二极管；
多个该第一转置基板包括一红色转置基板、一绿色转置基板以及一蓝色转置基板；
基于该第二红色放置区的位置，将该红色发光二极管基板的该第三红色发光二极管转置于该红色转置基板；
将该红色转置基板上的该第三红色发光二极管转置于该第二转置基板；
基于该第二绿色放置区的位置，将该绿色发光二极管基板的该第三绿色发光二极管转置于该绿色转置基板；
将该绿色转置基板上的该第三绿色发光二极管转置于该第二转置基板；
基于该第二蓝色放置区的位置，将该蓝色发光二极管基板的该第三蓝色发光二极管转置于该蓝色转置基板；
将该蓝色转置基板上的该第三蓝色发光二极管转置于该第二转置基板；
将该第二转置基板重叠于该电路基板，其中该第三红色发光二极管、该第三绿色发光二极管以及该第三蓝色发光二极管的位置分别重叠于该第二红色放置区、该第二绿色放置区以及该第二蓝色放置区；以及
将该第二转置基板上的该第三红色发光二极管、该第三绿色发光二极管以及该第三蓝色发光二极管电性连接至该电路基板。
4.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，该第一转置基板包括一基底以及位于该基底上的一黏着层，其中该基底的材质包括玻璃或蓝宝石。
5.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，该第一转置基板包括胶带。
6.如权利要求5所述的显示装置的制造方法，其特征在于，该第二转置基板包括一基底以及位于该基底上的一黏着层，其中在将该第一转置基板上的该第三发光二极管转置于该第二转置基板时，该黏着层的黏性大于该胶带的黏性。
7.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，更包括：
提供一支撑结构，用于固定该第一转置基板，其中在将该发光二极管基板的该第三发光二极管转置于该第一转置基板上时，该支撑结构位于该发光二极管基板周围。
8.如权利要求7所述的显示装置的制造方法，其特征在于，将该发光二极管基板的该第三发光二极管转置于该第一转置基板之后，更包括：
对该第一转置基板照射紫外光，以减少该第一转置基板的黏性；
将该第二转置基板贴附于该第一转置基板；
自该第一转置基板上移除该支撑结构；以及
移除该第一转置基板。
9.如权利要求8所述的显示装置的制造方法，其特征在于，更包括：
将一保护膜覆盖于该第一转置基板上的该第三发光二极管上，接着自该第一转置基板上移除该支撑结构；以及
将该第二转置基板贴附于该第一转置基板之前，自该第三发光二极管上移除该保护膜。
10.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，将该第一转置基板上的该第三发光二极管转置于该第二转置基板的方法包括激光剥离。
11.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，将该发光二极管基板的该第三发光二极管转置于该第一转置基板的方法包括激光剥离。
12.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，该发光二极管基板包括一生长基板以及位于该生长基板上的该第三发光二极管与多个第四发光二极管，其中将该发光二极管基板的该第三发光二极管转置于该第一转置基板之后，该些第四发光二极管留在该生长基板上。
13.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，更包括：
于该电路基板上形成焊料或导电胶。
14.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，该发光二极管基板的该第三发光二极管包括半导体堆叠层、电性连接至该半导体堆叠层的两个电极，且各该电极包括一导电层以及形成于该导电层上的一金属层，其中该金属层的熔点低于摄氏260度。
15.如权利要求14所述的显示装置的制造方法，其特征在于，将该第二转置基板上的该第三发光二极管电性连接至该电路基板的方法包括：
对该第三发光二极管加热，使该金属层共晶接合至该电路基板的多个接垫。
16.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，在将该第二转置基板重叠于该电路基板时，该第三发光二极管接触该电路基板的多个接垫，且该些第一发光二极管接触该第二转置基板。
17.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，在将该第二转置基板重叠于该电路基板时，在垂直于该第二转置基板的方向上，该第三发光二极管不重叠于该些第一发光二极管。
CN202110032605.9A 2020-07-27 2021-01-11 显示装置的制造方法 Active CN112885822B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110116617A TWI763476B (zh) 2020-07-27 2021-05-07 顯示裝置的製造方法
US17/348,681 US11955506B2 (en) 2020-07-27 2021-06-15 Fabrication method of display device
DE102021208095.2A DE102021208095A1 (de) 2020-07-27 2021-07-27 Herstellungsverfahren für eine anzeigevorrichtung

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063056817P 2020-07-27 2020-07-27
US63/056,817 2020-07-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112885822A CN112885822A (zh) 2021-06-01
CN112885822B true CN112885822B (zh) 2023-08-01

Family

ID=75755726

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110032605.9A Active CN112885822B (zh) 2020-07-27 2021-01-11 显示装置的制造方法
CN202110042784.4A Active CN112786756B (zh) 2020-07-27 2021-01-13 显示装置、发光二极管基板以及显示装置的制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110042784.4A Active CN112786756B (zh) 2020-07-27 2021-01-13 显示装置、发光二极管基板以及显示装置的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20220028924A1 (zh)
JP (1) JP7593894B2 (zh)
KR (1) KR102560293B1 (zh)
CN (2) CN112885822B (zh)
DE (2) DE102021208093A1 (zh)
TW (2) TWI766654B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020102952B4 (de) * 2020-02-05 2024-09-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur selektion von halbleiterbauelementen
TWI792460B (zh) * 2021-07-28 2023-02-11 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法
EP4385066A1 (en) * 2021-08-09 2024-06-19 X-Celeprint Limited Integrated-circuit module collection and deposition
TWI804122B (zh) * 2021-12-21 2023-06-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置
WO2023153476A1 (ja) * 2022-02-10 2023-08-17 京セラ株式会社 発光デバイスの製造方法および製造装置並びにレーザ素子基板
CN115172246A (zh) * 2022-02-22 2022-10-11 京东方科技集团股份有限公司 器件转移基板及其制备方法、器件转移方法
TWI854650B (zh) * 2023-02-08 2024-09-01 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303542A (ja) * 1998-12-28 2006-11-02 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子およびその製造方法
AU2003263779A1 (en) * 2002-07-22 2004-02-09 Cree, Inc. Light emitting diode including barrier layers and manufacturing methods therefor
US7033949B2 (en) * 2003-12-29 2006-04-25 Formosa Epitaxy Incorporation Structure and manufacturing method for nitride-based light-emitting diodes
KR20050101267A (ko) * 2004-04-17 2005-10-21 삼성전자주식회사 평판표시장치 및 그 제조방법
TWI308397B (en) * 2004-06-28 2009-04-01 Epistar Corp Flip-chip light emitting diode and fabricating method thereof
JP2006024750A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子
JP2007200920A (ja) * 2006-01-23 2007-08-09 Mitsubishi Electric Corp 挿入実装部品のはんだ接合構造及びその製造方法並びに光モジュール
CN101064352A (zh) * 2006-04-27 2007-10-31 曜富科技股份有限公司 发光二极管多层金属一次电极的制造方法及其制造装置
KR100856230B1 (ko) * 2007-03-21 2008-09-03 삼성전기주식회사 발광장치, 발광장치의 제조방법 및 모놀리식 발광다이오드어레이
US8148733B2 (en) * 2007-06-12 2012-04-03 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical LED with current guiding structure
KR20090032207A (ko) * 2007-09-27 2009-04-01 삼성전기주식회사 질화갈륨계 발광다이오드 소자
CN101159307A (zh) * 2007-11-16 2008-04-09 北京工业大学 一种纳米结构出光面半导体发光二极管及其制备方法
JP5326957B2 (ja) * 2009-09-15 2013-10-30 豊田合成株式会社 発光素子の製造方法及び発光素子
KR101171361B1 (ko) * 2010-11-05 2012-08-10 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드 어셈블리 및 그의 제조 방법
JP5175918B2 (ja) * 2010-12-01 2013-04-03 株式会社東芝 半導体発光素子
JP2012169368A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体発光素子
CN102769040B (zh) * 2012-07-25 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置
US9997685B2 (en) * 2013-09-05 2018-06-12 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device
JP6107680B2 (ja) * 2014-01-22 2017-04-05 豊田合成株式会社 発光装置およびその製造方法
US9698134B2 (en) 2014-11-27 2017-07-04 Sct Technology, Ltd. Method for manufacturing a light emitted diode display
JP6555907B2 (ja) * 2015-03-16 2019-08-07 アルパッド株式会社 半導体発光装置
CN113991003B (zh) 2015-12-01 2025-05-06 夏普株式会社 图像形成元件及其制造方法
KR102465406B1 (ko) * 2016-01-07 2022-11-09 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자
WO2017205132A1 (en) * 2016-05-24 2017-11-30 Danesh Fariba Selective die repair on a light emitting device assembly
US10121710B2 (en) * 2016-06-14 2018-11-06 Innolux Corporation Methods for manufacturing a display device
CN109314126A (zh) 2016-08-11 2019-02-05 株式会社流明斯 Led模块及其制造方法
JP6936574B2 (ja) * 2016-12-07 2021-09-15 日機装株式会社 光半導体装置
CN114464713B (zh) * 2017-07-13 2025-03-25 晶元光电股份有限公司 发光元件
TWI648871B (zh) 2017-09-22 2019-01-21 台灣愛司帝科技股份有限公司 發光模組的製作方法
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
CN111886708A (zh) * 2018-03-27 2020-11-03 索尼半导体解决方案公司 元件组件、以及元件和安装基板组件
TWI700763B (zh) * 2018-04-15 2020-08-01 鴻海精密工業股份有限公司 微型器件的轉移裝置及微型器件的轉移方法
CN108878602B (zh) * 2018-06-29 2020-05-19 武汉大学 一种三基色垂直结构微型led芯片制造与转印方法
CN108807265B (zh) * 2018-07-09 2020-01-31 厦门乾照光电股份有限公司 Micro-LED巨量转移方法、显示装置及制作方法
TW202008616A (zh) * 2018-08-03 2020-02-16 新世紀光電股份有限公司 發光二極體晶片與發光二極體裝置
TWI688121B (zh) * 2018-08-24 2020-03-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體結構
JP2020064118A (ja) * 2018-10-15 2020-04-23 株式会社ブイ・テクノロジー キャリアフィルム、ｌｅｄ表示パネルのリペア方法及びｌｅｄ表示パネルのリペア装置
CN109661122B (zh) * 2018-11-09 2020-01-21 华中科技大学 一种适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法
CN109473532B (zh) * 2018-11-20 2020-11-06 合肥京东方光电科技有限公司 一种Micro LED显示基板的制作方法
US11127720B2 (en) * 2019-01-21 2021-09-21 Nanosys, Inc. Pixel repair method for a direct view display device
TWI686895B (zh) 2019-04-19 2020-03-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 晶片移轉機台
CN112840468A (zh) * 2019-12-10 2021-05-25 厦门三安光电有限公司 一种发光装置
WO2021119906A1 (zh) * 2019-12-16 2021-06-24 厦门三安光电有限公司 一种发光二极管

Also Published As

Publication number Publication date
KR102560293B1 (ko) 2023-07-26
JP7593894B2 (ja) 2024-12-03
US11955506B2 (en) 2024-04-09
TW202204987A (zh) 2022-02-01
US20220029051A1 (en) 2022-01-27
DE102021208093A1 (de) 2022-01-27
US20220028924A1 (en) 2022-01-27
CN112786756B (zh) 2023-05-26
CN112885822A (zh) 2021-06-01
DE102021208095A1 (de) 2022-01-27
KR20220013932A (ko) 2022-02-04
CN112786756A (zh) 2021-05-11
TW202205666A (zh) 2022-02-01
TWI763476B (zh) 2022-05-01
TWI766654B (zh) 2022-06-01
JP2022023798A (ja) 2022-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112885822B (zh) 显示装置的制造方法
KR102531884B1 (ko) 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치 형성 방법
US10833220B2 (en) Micro light emitting diode device
JP4082242B2 (ja) 素子転写方法
JP4479827B2 (ja) 発光ダイオード表示装置及びその製造方法
TW202006987A (zh) 使用基於光之脫膠之微型led轉移方法
JP2018515942A (ja) マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
CN105723528A (zh) 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备
JP2002366054A (ja) 素子実装基板及び不良素子の修復方法
JP2002311858A (ja) 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
CN213878148U (zh) 显示面板及显示装置
JP2022530370A (ja) 発光ダイオードディスプレイパネル、それを有するディスプレイ装置及びそれを製造する方法
JP4605207B2 (ja) 素子転写方法
EP3726576B1 (en) Method for forming a display device
JP2002314052A (ja) 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP7212061B2 (ja) 平坦な接合面を有するｌｅｄバックプレーンおよびその製造方法
KR20220002289A (ko) 캔틸레버 전극을 갖는 발광 소자, 그것을 갖는 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치
TW202316402A (zh) 顯示面板
US12057527B2 (en) Light emitting diode
TW202318623A (zh) Led晶片形成基板及led晶片之移載方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant