CN1127285C - 封接电子元件的封接结构和方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title abstract description 28
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 130
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 129
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 28
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 abstract 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 6
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 2
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 1
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 1
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000029058 respiratory gaseous exchange Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
一种能达到所需封接特性和热阻的封接结构和封接方法。电子元件安装在其上设置电极图形的基片上,并通过粘合用以覆盖电子元件的罩盖而封接在基片上。一种用以将罩盖结合到基片上的粘合剂结构包括部分涂覆在基片的罩盖粘合部位上的高玻态转变点粘合剂,以及涂覆在罩盖开口的整个外缘上的低玻态转变点粘合剂。罩盖的开口压在基片的安装部位上,然后固化粘合剂以粘合和封接基片和罩盖。
Description
技术领域
本发明涉及封接电子元件的封接结构和方法,尤其涉及一种封接表面安装型电子元件的封接结构和方法。
背景技术
作为表面安装型电子元件的常规电子元件,诸如压电振荡器、压电滤波器或类似元件包括电极图形设置在其顶面的基片、一个罩盖以及设置在基片与罩盖之间规定空间中的压电元件。压电元件的电极通过导电粘合剂连接并粘合到设置在基片上的电极图形。罩盖设置在基片上以覆盖压电元件,并通过涂在罩盖开口上的封接粘合剂粘合到基片。基片的电极图形从罩盖的粘合部分向外延伸,这样,电极图形的延伸部分就作为限定一个表面安装型电子元件的外部电极。
在这样一种表面安装型电子元件中,当焊接和封装印刷基片后发生安装缺陷时,某些情况下就要采取修正措施,包括修复(排除)到重新焊接(手工焊接)。重新焊接时,用焊接烙铁头人工加热位于电极附近的电子元件部分,但热量要传送到电极以外的其他部分并产生一个高温部分。通常,由于要求用封接粘合剂实现弹性,故采用具有较低玻态转变温度(Tg)的树脂粘合剂。温度高于封接粘合剂之Tg的热传输降低了封接粘合剂的粘合强度,这样,若施加一个外力,将产生位移甚至脱离罩盖的问题。为了防止这一问题,曾经考虑过采用Tg较高的封接粘合剂的一种方法。然而,由此需要很高的Tg,这种封接粘合剂不能提供其他所需的物理特性,例如构件在热冲击试验中理想的膨胀和收缩,由此产生破碎、剥落或裂缝之类问题。尽管可以采用诸如无机粘合剂之类的高抗热粘合剂,但这种粘合剂无法形成具有足够浓度的层来防止清洗期间溶剂的渗透,也无法提供和担保优良的封接特性。
发明内容
为了解决上述问题,本发明的较佳实施例提供一种封接电子元件的封接结构和方法,能提供所需的封接特性和所需的热阻。
根据本发明的一个较佳实施例,提供一种电子元件的封接结构,其中,电子元件安装在其上设置电极图形的基片上,用以覆盖电子元件的罩盖粘合并封接到基片,该封接结构包括多种具有不同玻态转变点粘合剂,以粘合罩盖和基片。
在本发明的该项较佳实施例中,用具有高热阻和高Tg的第一粘合剂以及具有优良封接特性和低Tg的第二粘合剂粘合和封接罩盖和基片。在焊接和封装印刷基片以后需要修复和重新焊接电子元件时,有时烙铁头接触罩盖将罩盖的粘合部分加热到高温。然而,由于具有高Tg的第一粘合剂具有高热阻,即使将粘合部分加热到高温,该封接结构的粘合强度也极少劣化,与现有技术的封接结构相比,这种劣化实质上是极小的。由此可以防止掉落和移动罩盖。由于具有低Tg的第二粘合剂保证了热冲击试验中的封接特性,故封接特性不会劣化。
尽管每种粘合剂的涂覆位置不受限制,但只要可靠地具备封接特性和粘合力,通过这样一种方法就可以较佳地粘合和封接罩盖和基片,即将具有高热阻高Tg的第一粘合剂涂覆在罩盖与基片之间的粘合部位,将具有优良封接特性和低Tg的第二粘合剂较佳地涂覆在整个外围覆盖住粘合的部位。此时,由于部分涂覆具有高Tg的第一粘合剂,所以当罩盖被粘合以后,存在一个间隙允许空气的进出。
根据本发明另一实施例,提供一种封接电子元件的方法,其中,电子元件安装到其上设置电极图形的基片上,由于覆盖电子元件的罩盖粘合并封接到基片,该封接方法包括以下步骤:制备具有不同玻态转变点的多种粘合剂,将具有高玻态转变点的第一粘合涂覆在基片的安装部位上,将具有低玻态转变点第二粘合剂涂覆在罩盖的一个开口上,将罩盖的开口压在基片的安装部位上,使具有低玻态转变点的第二粘合剂固化,并使具有高玻态转变点的第一粘合剂固化。
当具有高Tg的第一粘合剂涂覆在基片上粘合罩盖的安装部位上,具有低Tg的第二粘合剂涂覆在罩盖的开口上后,在将罩盖安装到基片上时,第一粘合剂和第二粘合剂相互接触。此时,如果未固化的第一粘合剂的粘性大于未固化的第二粘合剂的粘性,则排斥具有低Tg的第二粘合剂,使罩盖的开口压入具有高Tg的第一粘合剂以暂时固定罩盖。具有低Tg的第二粘合剂散布包围具有高Tg的第一粘合剂,由此获得优良的封接特性。
当两种粘合剂均为热可固化的粘合剂时,较佳地按前述顺序固化低Tg粘合剂和高Tg粘合剂,但在加热期间,低Tg粘合剂的粘性首先降低,形成一个包裹其中的高Tg粘合剂的轮廓,由此获得更为可靠的封接特性。
当两种粘合剂均为紫外可固化粘合剂时,电子元件无需加热,这样就能在罩盖内防止因罩盖内空气膨胀而引起的气穴。
该粘合剂可以是热可固化粘合剂和紫外可固化粘合剂的组合。
就具有高Tg的第一粘合剂而言,其Tg高于估计温度例如高于重新焊接时被粘合部位的温度时为较佳。就具有低Tg的第二粘合剂而言,可以采用Tg低于焊料熔化温度的粘合剂,但具有优良弹性的粘合剂较佳地用以形成厚的粘合层,以在清洗步骤期间防止溶剂的渗入。
附图说明
从以下参照附图对本发明较佳实施例的详细描述中,本发明较佳实施例的这些和其他的要素、特征和优点将变得更加清楚。
图1是表示根据本发明一个较佳实施例的电子元件的分解透视图;
图2是表示图1所示基片的平面图;
图3(a)至3(c)是沿图2中B-B线的剖视图,它们表示根据本发明较佳实施例的封接电子元件的步骤。
具体实施方式
图1表示作为根据本发明一个较佳实施例的一例电子元件的表面安装型压电振荡器A。
基片1较佳地包括一个基本上为矩形的薄片,它较佳地通过模压氧化铝陶瓷而形成,厚度例如约为0.3至0.7毫米。当然,基片1的材料并非局限于此,诸如介质陶瓷、玻璃环氧的任何材料以及其他合适的材料均可采用。
电极2和3设置在基片1的上表面,并较佳地通过诸如溅射、蒸发、印刷、等离子溅射或类似的已知方法形成。在本实施例中,为了提供足够的粘合强度和可焊性,较佳地通过印刷50微米的Ag/Pt焙烧型导电浆料然后焙烧该浆料而形成电极2和3。电极2和3的两端较佳地延伸到分别设置在基片1长侧端的凹型通孔或凹槽1a,并通过设置在通孔1a内表面上的电极连接到设置在基片1底面上的电极。振荡元件5通过具有导电和粘接性能的材料10,诸如导电粘合剂粘接并固定在基片1上。作为连接材料10,例如可以采用焊料或金属端子,只要它具有与导电粘合剂同等的功能即可。该较佳实施例的振荡器元件5较佳地是一种厚度切变振动型振荡器,其中,第一电极7从压电陶瓷基片6的一端延伸到其约2/3顶面区域上,第二电极8从另一端延伸到其约2/3表面区域上。然而,也可采用其他振动模式的其他振荡器用作振荡器元件5。
电极7和8的端部相互相对设置,较佳地在它们之间设置压电基片6,它们基本上位于基片6的中部,形成一个振动部分。该较佳实施例中,电极7和8的另一端延伸到设置在压电基片6两端的保护层9,并连接到分别通过端表面电极7b和8b设置在相对表面上的辅助电极7a和8a。这些端表面电极7b和8b分别设置在保护层9与压电基片6之间。
振荡器元件5的两端较佳地通过导电材料10粘接和固定到基片1,以电连接基片1和电极2和3与元件5的电极7和8。此时,元件5底面上的电极8无需设置其间的任何材料连接到电极2,但顶面上的电极7则通过辅助电极7a连接到电极3。粘接期间,较佳地在元件5的中部与基片1之间提供一个稍微振动的空间。
在基片1的顶面上较佳地设置一个框架形绝缘层4,在电极2和3与罩盖11之间提供可靠的绝缘,以弄平由电极2和3所形成的台阶,这将在下文再作描述。在本实施例中,尽管绝缘层4较佳地通过烘焙玻璃浆料而形成,但该绝缘层并非局限于此。当在罩盖11上采用绝缘材料时,绝缘层4就不再需要了。
罩盖11的开口粘合到基片1的绝缘层4以覆盖元件5。尽管可以用诸如氧化铝之类的陶瓷、树脂和金属等等作为罩盖11的材料,但在本较佳实施例中,将金属材料模压成型具有基本上为U型的截面,可以较佳地减小产品的尺寸并保证尺寸的精度。只要能够保证产品的强度和粘着度,可以选择任何一种金属材料,例如,可以采用铝合金、镍银合金、42Ni合金。具有高Tg的粘合剂12较佳地部分涂覆在基片1安装和粘合罩盖的部位上,尤其涂覆在绝缘层4上。粘合剂12通过诸如印刷、销钉过渡(pin transfer)或弥散一类方法较佳地设置在多个位置。虽然,例如可以将Tg约为198℃的环氧粘合剂用作高Tg粘合剂12,但粘合剂的类型并非局限于此,只要粘合剂12具有足够的能力粘合到待涂覆的材料,并能提供足够高的Tg(150℃或更高)即可。然而,固化条件较佳地与以下将描述的封接粘合剂13匹配,或在固化封接粘合剂13的过程中较佳地停止固化。尽管粘合剂12的涂覆区域和涂覆位置不受限制,但粘合剂12最好是部分涂覆,以便形成一个间隙允许在安装罩盖11时让空气进出。在本实施例中,粘合剂12较佳地涂覆在框架形绝缘层4较长侧面的总计4个位置上。当罩盖11安装在基片11时,例如在约为300gf/罩盖×0.2秒的条件下将罩盖11轻轻压下,使罩盖11压入高Tg粘合剂12。
粘合剂12较佳地同时涂覆在母板上的多个部位上,以将涂覆粘合剂12的步骤数减少到仅仅几步。
通过过渡法沿着罩盖11之开口的整个周围涂覆封接粘合剂13,并将封接粘合剂13粘合到基片1的绝缘层4。至于封接粘合剂13,例如较佳地采用Tg约等于50至100℃具有弹性的低Tg粘合剂。在本较佳实施例中,采用Tg约等于80℃的环氧型热固粘合剂,但Tg约为60℃的环氧丙烯酸酯UV可固化粘合剂具有相同的功能。
罩盖11加压粘合到基片1后,将压电振荡器A置于固化炉中,然后以预定的温度分布加热固化粘合剂12和13。在热处理过程中,由于罩盖11内的空气因加热膨胀而逸出,故罩盖11因空气逸出反作用而移动,所以在固化期间最好用夹具夹紧罩盖11。当采用紫外粘合剂时,通过在紫外炉中照射预定量的光可以固化该粘合剂。在此情况下,与热处理不同,它没有呼吸作用,故罩盖11就无需用夹具夹紧。
图3(a)表示罩盖11在安装前的状态,其中,绝缘层4设置在基片1安装和粘合罩盖的部位上,高Tg粘合剂12部分涂覆在绝缘层4上。另一方面,低Tg粘合剂13较佳地涂覆在罩盖11开口的整个周围。
图3(b)表示罩盖11安装后的状态。由于具有一定的厚度,事先涂覆在基片1上的高Tg粘合剂12以台阶形式抬高。当罩盖11加压安装在粘合剂12上时,涂覆在罩盖11开口上的低Tg粘合剂13被推向两侧,罩盖11的开口压入高Tg粘合剂中。此时,未固化的低Tg粘合剂13的粘性低于未固化的高Tg粘合剂12。随着未固化粘合剂12、13之粘性之间的差异增大,由粘合剂13更可靠地替换粘合剂12。在该较佳实施例中,未固化的低Tg粘合剂13和未固化的高Tg粘合剂12的粘性分别为15,000cps和28,000cps(25℃,5rpm)。
图3(c)表示电子元件A加热后的状态。加热中,粘合剂12和13按低玻态转变点的粘合剂和高玻态转变点的粘合剂的顺序热固化,这样,低Tg粘合剂13的粘性首先降低,在罩盖11外侧和内侧形成轮廓13a,包裹其中的高Tg粘合剂12。因此,可以可靠和安全地获得优良的封接特性。当紫外固化的粘合剂用作低Tg粘合剂13时,选择室温下具有合适粘性的粘合剂,由此可以形成轮廓13a。
当按上述形成的电子元件焊接安装在印刷基片上以后发现安装缺陷时,有时候要修复和重新焊接电子元件。重新焊接时,焊接烙铁头接触罩盖11,此举通常会劣化罩盖粘合到基片所用粘合剂的封接特性。然而,即使罩盖11被加热到高温,由于高Tg粘合剂12保证了足够大粘合强度,故可以防止罩盖11位移或脱离。这样就可以由低Tg粘合剂13保证封接特性。
本发明不仅可以应用于包含上述较佳实施例中振荡器元件的压电振荡器,而且可以应用于内置由振荡器元件和电容器元件所构成之电容的振荡器,以及内置由基片上形成之电容器部分所构成的电容的振荡器。本发明还可以应用于诸如滤波器、电路模块等其他电子元件。
从以上所述可见,本发明的较佳实施例采用一种高Tg粘合剂和一种低Tg粘合剂作为粘合剂粘合基片和罩盖,这样,在热冲击试验中用低Tg粘合剂达到了优良的封接特性,即使温度因焊接烙铁头或类似工具的接触而提高,也可以用高Tg粘合剂防止罩盖的位移和脱落。由此获得具有优良热阻的电子元件。
尽管本发明是参照其较佳实施例来描述的,但显然在不脱离本发明精神和范围的情况下,本领域的熟练人员还可以对此作出形式上和细节上的改进。
Claims (9)
1.一种电子元件的封接装置,包括安装在基片上的电子元件以及覆盖该电子元件的罩盖,其特征在于,该封接装置包括:
封接件,该封接件用以将罩盖粘合和封接到基片,它包含具有不同玻态转变点的至少两种不同的粘合剂,所述至少两种粘合剂包括具有高玻态转变点且设置在基片与罩盖之间的第一粘合剂,以及具有低玻态转变点且设置在基片与罩盖之间的第二粘合剂,并且未固化状态下具有高玻态转变点的第一粘合剂的粘性高于未固化状态下具有低玻态转变点的第二粘合剂的粘性。
2.如权利要求1所述的封接装置,其特征在于,第一粘合剂部分设置在基片的表面上,第二粘合剂设置在罩盖边缘的整个边缘表面上。
3.如权利要求1所述的封接装置,其特征在于,该至少两种粘合剂设置成相互接触。
4.一种封接电子元件的方法,该电子元件包括安装在基片上的电子元件以及覆盖被粘合和封接到基片上的电子元件的罩盖,其特征在于所述方法包括以下步骤:
制备具有不同玻态转变点的至少两种粘合剂,其中未固化状态下具有高玻态转变点的第一粘合剂的粘性高于未固化状态下具有低玻态转变点的第二粘合剂的粘性;
将具有高玻态转变点的第一粘合剂涂覆到基片的一部分;
将具有低玻态转变点的第二粘合剂涂覆到罩盖的一部分;
将罩盖安装在基片上;
固化第一和第二粘合剂。
5.如权利要求5所述的方法,其特征在于固化第一和第二粘合剂的步骤包括首先固化具有低玻态转变点的第二粘合剂,然后固化具有高玻态转变点的第一粘合剂的步骤。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于具有高玻态转变点的第一粘合剂部分涂覆在基片的罩盖安装部位上,具有低玻态转变点的第二粘合剂涂覆在罩盖开口的整个外缘上。
7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,未固化状态下具有高玻态转变点的第一粘合剂的粘性高于未固化状态下具有低玻态转变点的第二粘合剂的粘性,由此当罩盖的开口安装在基片上时,使罩盖的边缘压入具有高玻态转变点的第一粘合剂中。
8.如权利要求5所述的方法,其特征在于,第一和第二粘合剂的至少一种粘合剂为热固化粘合剂。
9.如权利要求5所述的方法,其特征在于,第一和第二粘合剂的至少一种粘合剂为紫外固化粘合剂。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP339071/96 | 1996-12-03 | ||
JP8339071A JP3042431B2 (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 電子部品の封止構造および封止方法 |
JP339071/1996 | 1996-12-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1184379A CN1184379A (zh) | 1998-06-10 |
CN1127285C true CN1127285C (zh) | 2003-11-05 |
Family
ID=18323989
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN97119321A Expired - Lifetime CN1127285C (zh) | 1996-12-03 | 1997-09-30 | 封接电子元件的封接结构和方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5886457A (zh) |
JP (1) | JP3042431B2 (zh) |
CN (1) | CN1127285C (zh) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11274001A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-10-08 | Hitachi Ltd | 電力貯蔵装置及びこれを用いた電力変換装置 |
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JP3042431B2 (ja) | 2000-05-15 |
US5886457A (en) | 1999-03-23 |
JPH10163356A (ja) | 1998-06-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20031105 |
|
CX01 | Expiry of patent term |