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CN112397446A - 阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

阵列基板及其制作方法、显示装置 Download PDF

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CN112397446A
CN112397446A CN202011216087.8A CN202011216087A CN112397446A CN 112397446 A CN112397446 A CN 112397446A CN 202011216087 A CN202011216087 A CN 202011216087A CN 112397446 A CN112397446 A CN 112397446A
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CN
China
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color resist
layer
layer structure
metal
film layer
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CN202011216087.8A
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王海军
姚江波
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Abstract

本申请涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板的制作方法包括：在衬底上形成金属膜层结构，金属膜层结构内包括至少一个金属标记；在金属膜层结构上形成色阻膜层结构，色阻膜层结构远离金属膜层结构的表面形成有至少一个突出部，突出部与金属标记对应设置；在色阻膜层结构上涂布一层黑色矩阵，其中，突出部上堆积的黑色矩阵的厚度小于色阻膜层结构中其他涂布位置处堆积的黑色矩阵的厚度；对涂布后的黑色矩阵进行图案化，得到遮光层，从而能解决现有整面涂布黑色矩阵的阵列基板无法实现黄光制程对位的问题，有利于提高基板利用率。

Description

阵列基板及其制作方法、显示装置
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)因具有轻薄小、功耗低、无辐射、以及制造成本相对较低等优点，在平板显示行业应用较为广泛。随着客户需求的不断提高，对显示器的分辨率提出了更高的要求。
显示器的分辨率，一部分由组成显示器的光刻材料决定，另外一部分由制备机台决定。目前光刻材料的发展，较难实现对超高分辨率的需求，只能利用具有高解析度的正型曝光机，进行超高分辨率对应的图案制备，但目前在使用正型光刻机制备图案时，仍存在一些急需解决的问题，比如，在利用正型曝光机制备不同颜色色阻时，为使色阻层能够在设定的位置形成图案，需要以前段金属制程形成的金属标记进行曝光机对位。具体的，在对位过程中，光源发射的光线穿透色阻层在金属上进行反射，反射光输入具有检测反射光功能的CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合器件)镜头中，从而完成色阻层在曝光机里的对位过程。正型曝光机可通过适当调节发射光波长使光线在R/G/B色阻中有较高的穿透率，能被金属反射后产生较高强度的反射光，进而被检测器识别。
而对于光线吸收率超高的BM(Black Matrix，黑色矩阵)来说，若阵列基板采用整面涂布黑色矩阵膜层的方式制备，则光源的光线经过BM膜层到达金属标记表面时，由于BM对光线吸收率过高，会导致无光线经金属反射后进入检测器中，从而无法找到金属标记位置，难以进行BM制程对位。目前，通常采用在金属标记位置处(一般是在基板边缘)不进行BM涂布的方法来避免该问题，但是这种解决方案浪费了基板边缘区域，无法实现基板的最大利用率，不利于产品成本的降低。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能解决现有整面涂布黑色矩阵的阵列基板无法实现黄光制程对位的问题，有利于提高基板利用率。
为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成金属膜层结构，所述金属膜层结构内包括至少一个金属标记；
在所述金属膜层结构上形成色阻膜层结构，所述色阻膜层结构远离所述金属膜层结构的表面形成有至少一个突出部，所述突出部与所述金属标记对应设置；
在所述色阻膜层结构上涂布一层黑色矩阵，其中，所述突出部上堆积的所述黑色矩阵的厚度小于所述色阻膜层结构中其他涂布位置处堆积的所述黑色矩阵的厚度；
对涂布后的所述黑色矩阵进行图案化，得到遮光层。
其中，所述在所述衬底上形成金属膜层结构，包括：
在所述衬底上形成第一金属层；
在形成有所述第一金属层的所述衬底上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第二金属层；
在形成有所述第二金属层的所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，得到金属膜层结构；
其中，所述第一金属层或所述第二金属层包括至少一个金属标记。
其中，所述在所述金属膜层结构上形成色阻膜层结构，包括：
在所述金属膜层结构上形成第一色阻层；
在形成有所述第一色阻层的所述金属膜层结构上形成第二色阻层；
在形成有所述第二色阻层的所述金属膜层结构上形成第三色阻层，得到色阻膜层结构；
其中，所述第一色阻层、第二色阻层和/或第三色阻层是利用具有多个穿透率的掩膜板制成，所述掩膜板上对应于所述金属标记的区域具有最大穿透率，以使所述色阻膜层结构在远离所述金属膜层结构且对应于所述金属标记的表面形成至少一个突出部。
其中，所述在所述金属膜层结构上形成第一色阻层，包括：
利用具有多个穿透率的掩膜板在所述金属膜层结构上形成第一色阻层，所述掩膜板上对应于所述金属标记的区域具有最大穿透率，以使所述第一色阻层在所述金属标记区域对应位置处的厚度大于所述第一色阻层其他位置处的厚度，得到至少一个突出部。
其中，所述在所述金属膜层结构上形成色阻膜层结构，包括：
在所述金属膜层结构上形成第一色阻层；
在形成有所述第一色阻层的所述金属膜层结构上形成第二色阻层；
在形成有所述第二色阻层的所述金属膜层结构上形成第三色阻层；
在形成有所述第三色阻层的所述金属膜层结构上形成平坦层，得到色阻膜层结构；
其中，所述第一色阻层、第二色阻层、第三色阻层和/或所述平坦层是通过具有不同穿透率的掩膜板制成，所述掩膜板上对应于所述金属标记的区域具有最大穿透率，以使所述色阻膜层结构在远离所述金属膜层结构且对应于所述金属标记的表面形成至少一个突出部。
其中，所述在形成有所述第三色阻层的所述金属膜层结构上形成平坦层，包括：
利用具有多个穿透率的掩膜板在形成有所述第三色阻层的所述金属膜层结构上形成平坦层，所述掩膜板上对应于所述金属标记的区域具有最大穿透率，以使所述平坦层在所述金属标记区域对应位置处的厚度大于所述平坦层其他位置处的厚度，得到至少一个突出部。
为了解决上述问题，本申请实施例还提供了一种阵列基板，包括：
衬底；
位于所述衬底上的金属膜层结构，所述金属膜层结构内包括至少一个金属标记；
位于所述金属膜层结构上的色阻膜层结构，所述色阻膜层结构远离所述金属膜层结构的表面形成有至少一个突出部，所述突出部与所述金属标记对应设置；
位于所述色阻膜层结构上的遮光层。
其中，所述色阻膜层结构包括依次形成的第一色阻层、第二色阻层和第三色阻层，其中，所述第一色阻层、第二色阻层和/或第三色阻层是利用具有多个穿透率的掩膜板制成，所述掩膜板上对应于所述金属标记的区域具有最大穿透率，以使所述色阻膜层结构在远离所述金属膜层结构且对应于所述金属标记的表面形成至少一个突出部。
其中，所述色阻膜层结构包括依次层叠设置的第一色阻层、第二色阻层、第三色阻层和平坦层，其中，所述第一色阻层、第二色阻层、第三色阻层和/或所述平坦层是通过具有不同穿透率的掩膜板制成，所述掩膜板上对应于所述金属标记的区域具有最大穿透率，以使所述色阻膜层结构在远离所述金属膜层结构且对应于所述金属标记的表面形成至少一个突出部。
为了解决上述问题，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一项阵列基板、彩膜基板、以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
本申请的有益效果是：区别于现有技术，本申请提供的阵列基板的制作方法及阵列基板，当在金属膜层结构上形成色阻膜层结构时，通过使色阻膜层结构远离金属膜层结构的表面形成至少一个突出部，且突出部与金属标记对应设置，从而能解决现有整面涂布黑色矩阵的阵列基板无法实现黄光制程对位的问题，能避免基板边缘区域的浪费，有利于提高基板利用率。
【附图说明】
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有阵列基板的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的阵列基板的制作方法的流程示意图；
图3是本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图4a是本申请实施例提供的第一色阻层制备时的结构示意图；
图4b是本申请实施例提供的第一色阻层制备完成时的结构示意图；
图4c是本申请实施例提供的第二色阻层制备时的结构示意图；
图4d是本申请实施例提供的第二色阻层制备完成时的结构示意图；
图4e是本申请实施例提供的色阻膜层结构制备完成时的结构示意图；
图4f是本申请实施例提供的遮光层制备时的结构示意图；
图4g是本申请实施例提供的遮光层制备完成时的结构示意图；
图5是本申请实施例提供的另一色阻膜层结构制备完成时的结构示意图；
图6是本申请实施例提供的阵列基板的另一制作方法的流程示意图。
【具体实施方式】
下面结合附图和实施例，对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本申请，但不对本申请的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
如图1所示，图1是现有基板上黑色矩阵的涂布示意图。对于TFT基板10，金属标记11位于TFT基板10的四个边缘，BM(Black Matrix，黑色矩阵)12并非整面涂布，而是避开了金属标记11的对应位置进行涂布(黑色矩阵12的涂布区域也即图中阴影所示的区域)，从而在黄光制程时，光源(图中未视出)的光线可以正常射到金属标记11表面，并经金属标记11反射后进入检测器(图中未示出)中，从而成功实现对位。但由于BM 12涂布面积小于TFT基板10的面积，从而基板10边缘区域无法进行显示，大大浪费了基板10边缘区域，无法实现基板10的最大利用率。
请参见图2、图3以及图4a-4f，图2是本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图，图3是本申请实施例提供的阵列基板的制作方法的流程示意图，图4a-4g是不同工艺步骤后阵列基板的结构示意图，其中，阵列基板100的制作方法包括以下步骤：
S101.提供一衬底101。
其中，衬底101的制作材料可以包括SiO2、Al2O3等。
S102.在衬底101上形成金属膜层结构102，金属膜层结构102内包括至少一个金属标记M。
其中，金属标记M用于在图案化制程中进行机器对位。该图案化制程一般指黄光制程。该金属标记M通常位于衬底的非显示区，比如图2中，金属标记M位于衬底的四周边缘。金属膜层结构102可以包括两个金属层，金属标记M可以形成于其中一个金属层。
例如，上述步骤S102具体可以包括：
在衬底101上形成第一金属层1021；
在形成有第一金属层1021的衬底101上形成第一绝缘层1022；
在第一绝缘层1022上形成第二金属层1023；
在形成有第二金属层1023的第一绝缘层1022上形成第二绝缘层1024，得到金属膜层结构102；
其中，第一金属层1021或第二金属层1023包括至少一个金属标记M。
具体的，金属标记M可以位于第一金属层1021，也可以位于第二金属层1023。第一绝缘层1022和第二绝缘层1024通常是无机材料制成，比如SiN氮化硅，用于使第一金属层1021和第二金属层1023彼此绝缘。
S103.在金属膜层结构102上形成色阻膜层结构103，色阻膜层结构103远离金属膜层结构102的表面形成有至少一个突出部1031，突出部1031金属标记M对应设置。
其中，色阻膜层结构103主要包括RGB色阻，该突出部1031可以是RGB色阻中的任意一个色阻形成的，也可以是任意两个或三个色阻堆叠形成的。
例如，上述步骤S103具体可以包括：
在金属膜层结构102上形成第一色阻层1031A；
在形成有第一色阻层1031A的金属膜层结构102上形成第二色阻层1032A；
在形成有第二色阻层1032A的金属膜层结构102上形成第三色阻层1033A，得到色阻膜层结构103；
其中，第一色阻层1031A、第二色阻层1032A和/或第三色阻层1033A是利用具有多个穿透率的掩膜板N制成，掩膜板N上对应于金属标记M的区域具有最大穿透率，以使色阻膜层结构103在远离金属膜层结构102且对应于金属标记M的表面形成至少一个突出部H。
具体的，现有黄光制程中的掩膜板通常只有两种穿透率，穿透率100％和0％，从而在穿透率100％的区域形成色阻，而本实施例中的掩膜板可以包括三种穿透率，比如穿透率100％、0％和小于100％，通常，穿透率越高的区域形成的色阻层越厚，也即色阻层厚度从高到底依次可以为，穿透率100％的区域＞穿透率小于100％的区域＞穿透率0％的区域。其中，第一色阻层1031A、第二色阻层1032A或第三色阻层1033A是R色阻层、G色阻层以及B色阻层中的任意一种，制备顺序不限，在制备过程中，可以在任一色阻层制备时使用该掩膜板，从而使突出部H是其中一个色阻形成的，也可以在任意两种或全部色阻层制备时使用，从而使突出部H是其中两个色阻或者三个色阻堆叠形成的。
例如，请参见图4a和4b，若在形成第一色阻层1031A时使用上述特殊掩膜板N，则上述步骤“在金属膜层结构102上形成第一色阻层1031A”具体可以包括：
利用具有多个穿透率的掩膜板N在金属膜层结构102上形成第一色阻层1031A，掩膜板N上对应于金属标记M的区域具有最大穿透率，以使第一色阻层1031A在金属标记M区域对应位置处的厚度大于第一色阻层1031A其他位置处的厚度，得到至少一个突出部H。
其中，可以先在金属膜层结构102上涂布一层厚度均匀的第一色阻材料cl，之后，利用本实施例中的掩膜板N进行黄光制程，从而形成第一色阻层1031A。掩膜板N上穿透率100％的区域与金属标记M对应，从而使该区域处形成的第一色阻层1031A厚度最大。之后，请参见图4c和4d，在进行第二色阻层1032A制备时，先整面涂布第二色阻材料c2，由于金属标记M对应的区域的第一色阻层1031A最高，在流平性影响下，第二色阻材料在该区域堆积的量反而最少，之后，可以通过上述特殊掩膜板N或者现有掩膜板N进行黄光制程，得到第二色阻层1032A，之后可以采用同样方式制备第三色阻层1033A，得到最终如图4e所示的色阻膜层结构103。
需要指出的是，在黄光制程中，由于光源在RGB色阻中具有较高的穿透率，故光源射出的光线可以经过RGB色阻到达金属标记M，并经金属标记M发射回具有检测反射光功能的CCD镜头，进而实现黄光制程中曝光机的对位。
需要强调的是，色阻膜层结构103除了RGB色阻之外，还可以进一步包括平坦层，具体结构可参见图5，此时，上述步骤S103具体可以包括：
在金属膜层结构102上形成第一色阻层1031B；
在形成有第一色阻层1031B的金属膜层结构102上形成第二色阻层1032B；
在形成有第二色阻层1032B的金属膜层结构102上形成第三色阻层1033B；
在形成有第三色阻层1033B的金属膜层结构102上形成平坦层1034，得到色阻膜层结构103；
其中，第一色阻层1031B、第二色阻层1032B、第三色阻层1033B和/或平坦层1034是通过具有不同穿透率的掩膜板N制成，掩膜板N上对应于金属标记M的区域具有最大穿透率，以使色阻膜层结构103在远离金属膜层结构102且对应于金属标记M的表面形成至少一个突出部H。
具体的，可以单独在色阻膜层结构103的制备过程中使用特殊掩膜板N，也可以单独在平坦层1034的制备过程中使用特殊掩膜板N，甚至可以都使用。当在平坦层1034的制备过程中使用特殊掩膜板N时，上述步骤“在形成有第三色阻层1033B的金属膜层结构102上形成平坦层1034”具体包括：
利用具有多个穿透率的掩膜板N在形成有第三色阻层1033B的金属膜层结构102上形成平坦层1034，掩膜板N上对应于金属标记M的区域具有最大穿透率，以使平坦层1034在金属标记M区域对应位置处的厚度大于平坦层1034其他位置处的厚度，得到至少一个突出部H。
S104.在色阻膜层结构103上涂布一层黑色矩阵c3，其中，突出部H上堆积的黑色矩阵c3的厚度小于色阻膜层结构103中其他涂布位置处堆积的黑色矩阵c3的厚度。
其中，在图4f-4g中，在色阻膜层结构103中最上方的膜层上采用整面涂布方式涂布BM黑色矩阵c3，同样的，在流平性影响下，突出部H上黑色矩阵c3堆积的厚度最薄。
S105.对涂布后的黑色矩阵c3进行图案化，得到遮光层104。
其中，可以通过黄光制程对黑色矩阵c3进行图案化，在这个过程中，由于金属标记M对应的突出部H上黑色矩阵c3最薄，因此不会完全吸收光源照射到其上的光线，从而可以有光线到达金属标记M，实现机器定位，进而可以形成所需的BM图案。
此外，请参见图6，在上述步骤S105之后，制作方法还可以包括：
S106.在形成有遮光层的色阻膜层结构103上形成保护层105。
S107.在保护层105上形成电极层106，以得到阵列基板100。
其中，保护层105主要为无机绝缘层，电极层106主要为ITO氧化铟锡层。
区别于现有技术，本实施例中的阵列基板的制作方法，当在金属膜层结构102上形成色阻膜层结构103时，通过使色阻膜层结构103远离金属膜层结构102的表面形成至少一个突出部H，且突出部H与金属标记M对应设置，从而能解决现有整面涂布黑色矩阵的阵列基板无法实现黄光制程对位的问题，能避免基板边缘区域的浪费，有利于提高基板利用率。
在上述制作方法的基础上，本申请实施例还提供一种阵列基板，请参见图2和图5，图2为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图，图5为本申请实施例提供的另一色阻膜层结构制备完成时的结构示意图。
一种阵列基板100，包括：衬底101；位于衬底101上的金属膜层结构102，金属膜层结构102内包括至少一个金属标记M；位于金属膜层结构102上的色阻膜层结构103，色阻膜层结构103远离金属膜层结构102的表面形成有至少一个突出部H，突出部H与金属标记M对应设置；位于色阻膜层结构103上的遮光层104。
其中，金属膜层结构102包括依次层叠设置的第一金属层1021、第一绝缘层1022、第二金属层1023以及第二绝缘层1024，第一金属层1021或第二金属层1024包括至少一个金属标记M。该阵列基板100还包括位于遮光层104上且整面覆盖的保护层105、以及位于保护层105上的电极层106。
在图2中，色阻膜层结构103包括依次形成的第一色阻层1031A、第二色阻层1032A和第三色阻层1033A，其中，第一色阻层1031A、第二色阻层1032A和/或第三色阻层1033A是利用具有多个穿透率的掩膜板制成，掩膜板上对应于金属标记M的区域具有最大穿透率，以使色阻膜层结构103在远离金属膜层结构102且对应于金属标记M的表面形成至少一个突出部H。
在图5中，色阻膜层结构103包括依次层叠设置的第一色阻层1031B、第二色阻层1032B、第三色阻层1033B和平坦层1034，其中，第一色阻层1031B、第二色阻层1032B、第三色阻层1033B和/或平坦层1034是通过具有不同穿透率的掩膜板制成，掩膜板上对应于金属标记M的区域具有最大穿透率，以使色阻膜层结构103在远离金属膜层结构102且对应于金属标记M的表面形成至少一个突出部H。
此外，基于上述阵列基板，本申请实施例还提供一种显示装置(图中未视出)，该显示装置包括上述任一实施例提供的阵列基板、彩膜基板、以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。
区别于现有技术，本实施例中的阵列基板，当在金属膜层结构102上形成色阻膜层结构103时，通过使色阻膜层结构103远离金属膜层结构102的表面形成至少一个突出部H，且突出部H与金属标记M对应设置，从而能解决现有整面涂布黑色矩阵的阵列基板无法实现黄光制程对位的问题，能避免基板边缘区域的浪费，有利于提高基板利用率。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成金属膜层结构，所述金属膜层结构内包括至少一个金属标记；
在所述金属膜层结构上形成色阻膜层结构，所述色阻膜层结构远离所述金属膜层结构的表面形成有至少一个突出部，所述突出部与所述金属标记对应设置；
在所述色阻膜层结构上涂布一层黑色矩阵，其中，所述突出部上堆积的所述黑色矩阵的厚度小于所述色阻膜层结构中其他涂布位置处堆积的所述黑色矩阵的厚度；
对涂布后的所述黑色矩阵进行图案化，得到遮光层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成金属膜层结构，包括：
在所述衬底上形成第一金属层；
在形成有所述第一金属层的所述衬底上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第二金属层；
在形成有所述第二金属层的所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，得到金属膜层结构；
其中，所述第一金属层或所述第二金属层包括至少一个金属标记。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述金属膜层结构上形成色阻膜层结构，包括：
在所述金属膜层结构上形成第一色阻层；
在形成有所述第一色阻层的所述金属膜层结构上形成第二色阻层；
在形成有所述第二色阻层的所述金属膜层结构上形成第三色阻层，得到色阻膜层结构；
其中，所述第一色阻层、第二色阻层和/或第三色阻层是利用具有多个穿透率的掩膜板制成，所述掩膜板上对应于所述金属标记的区域具有最大穿透率，以使所述色阻膜层结构在远离所述金属膜层结构且对应于所述金属标记的表面形成至少一个突出部。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述金属膜层结构上形成第一色阻层，包括：
利用具有多个穿透率的掩膜板在所述金属膜层结构上形成第一色阻层，所述掩膜板上对应于所述金属标记的区域具有最大穿透率，以使所述第一色阻层在所述金属标记区域对应位置处的厚度大于所述第一色阻层其他位置处的厚度，得到至少一个突出部。
5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述金属膜层结构上形成色阻膜层结构，包括：
在所述金属膜层结构上形成第一色阻层；
在形成有所述第一色阻层的所述金属膜层结构上形成第二色阻层；
在形成有所述第二色阻层的所述金属膜层结构上形成第三色阻层；
在形成有所述第三色阻层的所述金属膜层结构上形成平坦层，得到色阻膜层结构；
其中，所述第一色阻层、第二色阻层、第三色阻层和/或所述平坦层是通过具有不同穿透率的掩膜板制成，所述掩膜板上对应于所述金属标记的区域具有最大穿透率，以使所述色阻膜层结构在远离所述金属膜层结构且对应于所述金属标记的表面形成至少一个突出部。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在形成有所述第三色阻层的所述金属膜层结构上形成平坦层，包括：
利用具有多个穿透率的掩膜板在形成有所述第三色阻层的所述金属膜层结构上形成平坦层，所述掩膜板上对应于所述金属标记的区域具有最大穿透率，以使所述平坦层在所述金属标记区域对应位置处的厚度大于所述平坦层其他位置处的厚度，得到至少一个突出部。
7.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的金属膜层结构，所述金属膜层结构内包括至少一个金属标记；
位于所述金属膜层结构上的色阻膜层结构，所述色阻膜层结构远离所述金属膜层结构的表面形成有至少一个突出部，所述突出部与所述金属标记对应设置；
位于所述色阻膜层结构上的遮光层。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻膜层结构包括依次形成的第一色阻层、第二色阻层和第三色阻层，其中，所述第一色阻层、第二色阻层和/或第三色阻层是利用具有多个穿透率的掩膜板制成，所述掩膜板上对应于所述金属标记的区域具有最大穿透率，以使所述色阻膜层结构在远离所述金属膜层结构且对应于所述金属标记的表面形成至少一个突出部。
9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻膜层结构包括依次层叠设置的第一色阻层、第二色阻层、第三色阻层和平坦层，其中，所述第一色阻层、第二色阻层、第三色阻层和/或所述平坦层是通过具有不同穿透率的掩膜板制成，所述掩膜板上对应于所述金属标记的区域具有最大穿透率，以使所述色阻膜层结构在远离所述金属膜层结构且对应于所述金属标记的表面形成至少一个突出部。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7-9中任一项所述的阵列基板、彩膜基板、以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
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