CN112034679B - 一种用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版及方法。上述光掩膜版包括中心曝光区域和外围区域，上述曝光机台的曝光光线经过上述透镜后透过上述中心曝光区域对晶圆上的光刻胶进行曝光，其中，整个上述中心曝光区域设置有遮光层，以阻止上述曝光光线透过；以及上述外围区域设置有若干透光条纹，上述曝光光线经过上述透镜后形成的杂散光透过上述若干透光条纹对上述光刻胶进行曝光。本发明还提供了利用上述的光掩膜版检测曝光机台透镜眩光程度的方法。根据本发明所提供的用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版及方法能够随时对曝光机台的透镜进行检测，从而提高透镜维护的便捷性，能够及时发现并改善透镜的眩光问题。

Description

一种用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版及方法

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及半导体器件光刻工艺中所采用的曝光机台的透镜眩光程度的检测。

背景技术

光刻(Photolithography)，在希腊语字面上的意思是光(photo)-石(litho)-书写(writing)。光刻是将掩模版上的图形转移到涂有光致抗蚀剂(或称光刻胶)的硅片上，通过一系列生产步骤将硅片表面薄膜的特定部分除去的一种图形转移技术。光刻技术是借用照相技术、平板印刷技术的基础上发展起来的半导体关键工艺技术。

光源发出的光线照射在掩模版上，出射的光线已经携带了掩模版上的图形信息。掩模版就是在透明的基底(石英)上绘制出需要制作的图形结构，其中，使需要光透过的图形区域保持透明，而在不需要透过光的非图形区域设置遮光层。携带掩模版图形信息的光线照射在旋涂有感光材料(光刻胶)的基底上，这一过程称为曝光。受到照射的光刻胶性质将区别于未收到照射的光刻胶的性质，从而能够在后续的显影过程中区别处理，即正光刻胶的感光区、负光刻胶的非感光区会溶解于显影液中被去除，正光刻胶的非感光区图形和负光刻胶的感光区图形被保留。通过曝光和显影，掩模版上的图形就被转移到了光刻胶上，然后经过后续刻蚀或者薄膜淀积等工艺再将光刻胶上的图形转移到基底上。

曝光是光刻工艺中的一个关键步骤。现有技术中硅片光学曝光最主要的方法是投影式曝光，一般光学系统将掩模版上的图像缩小4或5倍，聚焦并与硅片上已有的图形对准后曝光，每次曝光一小部分，曝完一个图形后，硅片移动到下一个曝光位置继续对准曝光。

请结合图1来理解投影式曝光的光刻机的曝光机台的主要结构。曝光机台主要包括光圈快门100、延迟透镜200、光掩膜版300和投影透镜400。其中，光圈快门限定了光掩膜版的曝光区域，即图1中光掩膜版300的中心曝光区域310。在常规的曝光过程中，曝光光线610透过光圈快门100经过延迟透镜200后再透过中心曝光区域310经过投影镜头400聚焦到晶圆500的表面，从而将光掩膜版中心曝光区域310的图形转移到晶圆表面的光刻胶上。

然后，随着光刻机使用年限的增加，曝光系统的透镜会变得模糊，曝光光线经过延迟透镜200或投影透镜400后会形成杂散光，即透镜眩光现象(Lens Flare)。所形成的杂散光会影响到正常曝光过程的光源均一性，产生不必要的特征尺寸差异并且降低光刻机解析能力，从而影响到工艺窗口。

图1一并示出了透镜眩光现象对正常曝光产生的影响。从图1中可以知道，正常的曝光光线610在经过发生透镜眩光的延迟透镜200后会产生向各个方向发散的杂散光620，而杂散光620可以从各个角度透过光掩膜版，从而产生了不必要的“曝光光线”，在曝光过程中干扰正常曝光光线的光强分布。

因此，需要监控曝光系统的透镜是否发生眩光。现有技术中，透镜眩光现象的监控是使用极端光源进行检测，过程较为繁复。这导致了透镜眩光监控的频率较低，通常为月度或季度检查。频率较低的透镜眩光监控无法及时发现透镜眩光，时效性较差。

因此，亟需要一种检测曝光机台透镜眩光程度的方法，能够便捷地对透镜眩光进行监控，从而能够提高透镜眩光监控的频率，及时发现透镜的眩光问题以改善透镜的眩光问题。

发明内容

以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序。

如上所描述的，为了解决现有技术中透镜眩光的监控过程繁复，监控频率较低，无法及时发现透镜眩光的问题，本发明的一方面提供了一种用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版，借由该光掩膜版，能够采用常规的曝光工艺来监控透镜眩光，从而能够提高透镜眩光监控的频率，为及时发现并改善透镜的眩光问题提供了可能。

具体的，上述光掩膜版包括未被光圈快门阻挡的中心曝光区域和被光圈快门阻挡的外围区域，上述曝光机台的曝光光线依次经过上述光圈快门、透镜后透过上述中心曝光区域对晶圆上的光刻胶进行曝光，其中，

整个上述中心曝光区域设置有遮光层，以阻止上述曝光光线透过；以及

上述外围区域设置有若干透光条纹，上述曝光光线经过上述透镜后形成的杂散光透过上述若干透光条纹对上述光刻胶进行曝光。

在上述光掩膜版的一实施例中，可选的，上述外围区域设置有图案化的遮光层，其中

未设置遮光层的外围区域构成上述若干透光条纹。

在上述光掩膜版的一实施例中，可选的，上述遮光层为铬层。

在上述光掩膜版的一实施例中，可选的，上述中心曝光区域为矩形，上述若干透光条纹位于包围上述中心曝光区域、与上述中心曝光区域同心且形状几何相似的若干同心矩形的边上。

在上述光掩膜版的一实施例中，可选的，上述中心曝光区域为矩形，上述若干透光条纹构成包围上述中心曝光区域、与上述中心曝光区域同心且形状几何相似的若干同心矩形。

本发明的另一方面还提供了一种检测曝光机台透镜眩光程度的方法，具体的，上述方法包括：

提供测试晶圆，上述测试晶圆表面涂布有光刻胶；

采用如上任意一项实施例所描述的光掩膜版对上述测试晶圆表面的光刻胶进行曝光，以仅使上述曝光机台的曝光光线经过上述透镜后形成的杂散光透过上述光掩膜版到达上述光刻胶；

对曝光后的光刻胶进行显影；以及

检测显影后的光刻胶图形来判断上述透镜的眩光程度。

在上述方法的一实施例中，可选的，判断上述透镜的眩光程度进一步包括：

响应于在显影后，上述测试晶圆表面不具有光刻胶图形，判断上述透镜不存在眩光。

在上述方法的一实施例中，可选的，判断上述透镜的眩光程度进一步包括：

响应于在显影后，上述测试晶圆表面具有条纹状的光刻胶图形，根据上述光刻胶图形的条纹数量来判断上述透镜的眩光程度，其中

上述条纹数量越多，上述眩光程度越大。

在上述方法的一实施例中，可选的，判断上述透镜的眩光程度进一步包括：

响应于在显影后，上述测试晶圆表面具有条纹状的光刻胶图形，根据上述光刻胶图形的条纹线宽来判断上述透镜的眩光程度，其中

上述条纹线宽越大，上述眩光程度越大。

在上述方法的一实施例中，可选的，上述光掩膜版的中心曝光区域为矩形，上述光掩膜版的外围区域中的若干透光条纹构成包围上述中心曝光区域、与上述中心曝光区域同心且形状几何相似的若干同心矩形；其中

根据上述光刻胶图形的条纹线宽来判断上述透镜的眩光程度进一步包括：

仅根据上述光刻胶图形中最内部的条纹的线宽来判断上述透镜的眩光程度，上述最内部的条纹为形成在最靠近上述中心曝光区域对应的测试晶圆区域的光刻胶图形。

在上述方法的一实施例中，可选的，上述方法还包括：

预先获取上述最内部的条纹的线宽与上述眩光程度之间的函数关系；其中

根据上述光刻胶图形的条纹线宽来判断上述透镜的眩光程度进一步包括：

基于检测得到的上述最内部的条纹的线宽和上述函数关系得到量化的眩光程度。

本发明的一方面所提供的光掩膜版，通过在整个中心曝光区域设置遮光层能够阻止正常的曝光光线的穿透，使正常的曝光光线不对光刻胶产生曝光。通过在外围区域设置透光条纹的方式，能够在透镜眩光的情况下，仅仅使产生杂散光穿透至光刻胶，从而对光刻胶产生曝光。因此，本发明的另一方面还提供了一种检测曝光机台透镜眩光程度的方法，在常规曝光工艺流程中采用本发明的一方面所提供的光掩膜版，由于上述的光掩膜版仅使正常曝光光线经过透镜后所产生的杂散光透过以对光刻胶进行曝光，因此，通过观察显影后测试晶圆上是否留有光刻胶图案，能够检测曝光机台的透镜是否发生眩光现象。同时，还能够根据分析显影后的光刻胶图案来检测曝光机台透镜的眩光程度。根据本发明所提供的用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版及方法，透镜眩光的检测流程兼容常规的曝光工艺流程，操作简单，能够方便透镜眩光现象的监控，从而提高透镜维护的便捷性，能够及时发现并改善透镜的眩光问题。

附图说明

在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本发明的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。

图1示出了投影式曝光的光刻机的曝光机台的主要结构。

图2示出了本发明的一方面所提供的光掩膜版的示意图。

图3示出了本发明的另一方面所提供的检测曝光机台透镜眩光程度的方法的流程示意图。

图4示出了在测试晶圆上表面观察显影后的光刻胶的示意图。

图5示出了条纹状的光刻胶图案的线宽与透镜眩光程度之间的关系。

附图标记

100 光圈快门

200 延迟透镜

300 光掩膜版

310 中心曝光区域

400 投影透镜

500 晶圆

610 曝光光线

620 杂散光

700 光掩膜版

710 中心曝光区域

720 外围区域

721 透光条纹

800 测试晶圆

810 中心暗区

820 监控区域

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明作详细描述。注意，以下结合附图和具体实施例描述的诸方面仅是示例性的，而不应被理解为对本发明的保护范围进行任何限制。

本发明涉及半导体领域，尤其涉及半导体器件光刻工艺中所采用的曝光机台的透镜眩光程度的检测。本发明的一方面所提供的检测曝光机台透镜眩光程度的方法，采用本发明的另一方面所提供的光掩膜版对测试晶圆上表面的光刻胶进行曝光，仅仅使得曝光光线经过透镜后形成的杂散光到达测试晶圆上表面的光刻胶，从而能够在光刻胶显影后通过观测光刻胶图案来判断是否存在透镜眩光现象及其眩光程度。根据本发明所提供的光掩膜版及利用该光掩膜版进行曝光机台透镜眩光检测的方法，能够采用与常规曝光工艺兼容的参数来实现透镜眩光的检测，降低了检测的难度，节省检测的成本，从而能够提高检测的频率，及时发现和改善透镜眩光问题。

给出以下描述以使得本领域技术人员能够实施和使用本发明并将其结合到具体应用背景中。各种变型、以及在不同应用中的各种使用对于本领域技术人员将是容易显见的，并且本文定义的一般性原理可适用于较宽范围的实施例。由此，本发明并不限于本文中给出的实施例，而是应被授予与本文中公开的原理和新颖性特征相一致的最广义的范围。

在以下详细描述中，阐述了许多特定细节以提供对本发明的更透彻理解。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，本发明的实践可不必局限于这些具体细节。换言之，公知的结构和器件以框图形式示出而没有详细显示，以避免模糊本发明。

请读者注意与本说明书同时提交的且对公众查阅本说明书开放的所有文件及文献，且所有这样的文件及文献的内容以参考方式并入本文。除非另有直接说明，否则本说明书(包含任何所附权利要求、摘要和附图)中所揭示的所有特征皆可由用于达到相同、等效或类似目的的可替代特征来替换。因此，除非另有明确说明，否则所公开的每一个特征仅是一组等效或类似特征的一个示例。

注意，在使用到的情况下，标志左、右、前、后、顶、底、正、反、顺时针和逆时针仅仅是出于方便的目的所使用的，而并不暗示任何具体的固定方向。事实上，它们被用于反映对象的各个部分之间的相对位置和/或方向。

如本文使用的术语“在...上方(over)”、“在...下方(under)”、“在...之间(between)”和“在...上(on)”指的是这一层相对于其它层的相对位置。同样地，例如，被沉积或被放置于另一层的上方或下方的一层可以直接与另一层接触或者可以具有一个或多个中间层。此外，被沉积或被放置于层之间的一层可以直接与这些层接触或者可以具有一个或多个中间层。相比之下，在第二层“上”的第一层与该第二层接触。此外，提供了一层相对于其它层的相对位置(假设相对于起始基底进行沉积、修改和去除薄膜操作而不考虑基底的绝对定向)。

解决现有技术中透镜眩光的监控过程繁复，监控频率较低，无法及时发现透镜眩光的问题，本发明的一方面提供了一种用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版，借由该光掩膜版，能够采用常规的曝光工艺来监控透镜眩光，从而能够提高透镜眩光监控的频率，为及时发现并改善透镜的眩光问题提供了可能。

首先请参考图2来理解本发明的一方面所提供的光掩膜版。根据上文关于投影式曝光的光刻机的曝光机台的工作原理，由于光圈快门的存在，光掩膜版700被区分为中心曝光区域710以及外围区域720。其中，中心曝光区域710是未被光圈快门遮挡、曝光光线能够透过的区域，外围区域720是被光圈快门遮挡、正常曝光光线无法正常透过的区域。

在本发明所提供的光掩膜版700中，整个中心曝光区域710均设置有遮光层，在图2上表现为灰色。由于整个中心曝光区域710均设置有遮光层，因此曝光光线实际上无法透过本发明所提供的光掩膜版700到达测试晶圆上表面的光刻胶。在曝光机台的透镜不存在眩光现象的情况下，若采用本发明所提供的光掩膜版700进行曝光，在测试晶圆上表面的光刻胶不应当被曝光，在显影后不会在测试晶圆上表面留下光刻胶图案。

在上述的实施例中，可以在整个中心曝光区域710的基板上涂覆金属铬层从而形成上述的遮光层。需要注意的是，本领域技术人员可以采用现有或将有的其他手段实现遮光层的设置，上述采用金属铬层构成遮光层的实施例不应不当地限定本发明的保护范围。

在本发明所提供的光掩膜版700中，外围区域720设置有若干透过条纹721。具体的，可以通过在外围区域设置有图案化的遮光层，从而在未设置遮光层的区域自然地构成了透光区域。

在上述的实施例中，图案化的遮光层可以通过在熔融石英(fused quartz，即光掩膜版的基板)上覆盖一层金属铬(不透光)，使用激光束或电子束在表面按定义好的样式移动进行曝光，之后蚀刻掉被曝光的区域的铬，保留有金属铬的区域为遮光层，铬被刻蚀去除的区域为透光区域，光线便可以通过这些透光区域，对光刻胶进行曝光。需要注意的是，本领域技术人员可以采用现有或将有的其他手段实现图案化的遮光层的设置，团案化的遮光层的具体实现方式不应不当地限定本发明的保护范围。

在曝光机台的透镜存在眩光现象的情况下，曝光光线透过镜头所形成的杂散光能够透过外围区域720，在外围区域720中设置有透光条纹721的情况下，杂散光会透过透光条纹721达到测试晶圆上表面的光刻胶，从而对光刻胶进行曝光。这部分被杂散光曝光的光刻胶在显影后会留下光刻胶图案，从而能够表征镜头的眩光现象。

可以理解的是，现有常见的光掩膜版为152*152mm的光掩膜版，对于步进式扫描光刻机，每一次曝光均按照4：1的比例曝光，曝光区域为26*33mm，也就是说，光掩膜版700的中心曝光区域的尺寸为106*132mm，在中心曝光区域710以外的外围区域720内构成透光条纹。

在一实施例中，若干透光条纹位于包围中心曝光区域710、与中心曝光区域710同心且形状几何相似的若干同心矩形的边上。

在另一实施例中，若干透光条纹构成包围中心曝光区域710、与中心曝光区域710同心且形状几何相似的若干同心矩形，如图2所示出的。

上述的同心矩形不仅仅意味着各个矩形的几何对称中心是重合的，并且，各个矩形的对应边并不会相交。

可以理解的是，其他图案形状的透光图案同样能够在透镜存在眩光现象的情况下，使杂散光穿透。而在上述两个实施例中，通过将透光图案设置为条纹状，并且将若干透光条纹设置在各个同心矩形的边上或者直接构成同心矩形能够在检测透镜眩光现象时更好地量化透镜的眩光程度，使得眩光检测更合理、直观。

另外，对于上述透光条纹的数量，本领域技术人员可以根据实际情况进行适应性的调整，透光条纹的数量不应不当地限制本发明的保护范围。

可以理解的是，借由本发明的一方面所提供的光掩膜版，能够通过常规的曝光流程实现透镜眩光检测流程，透镜眩光检测流程中所采用的曝光光源就是常规工艺中所采用的曝光光源，不需要采用极端光源，相关曝光参数亦兼容常规曝光流程中的相关参数，不会增加额外的工艺成本和复杂度。由于透镜眩光的检测流程兼容常规的曝光工艺流程，操作简单，从而方便透镜眩光现象的监控。

进一步的，本发明的另一方面还提供了一种检测曝光机台透镜眩光程度的方法，请参考图3，图3示出了本发明的另一方面所提供的检测曝光机台透镜眩光程度的方法的流程图。

如图3所示出的，本发明的另一方面所提供的检测曝光机台透镜眩光程度的方法包括步骤S100：提供表面涂布有光刻胶的测试晶圆；步骤S200：采用光掩膜版700对测试晶圆表面的光刻胶进行曝光；步骤S300：对曝光后的光刻胶进行显影；以及步骤S400：检测显影后的光刻胶图形来判断透镜的眩光程度。

在上述步骤S100中，可以理解的是，上述的测试晶圆可以是与常规工艺所兼容的各种类型的衬底，例如纯粹的硅片、经过了掺杂的硅片或者多种半导体的堆叠。需要注意的是，上述的测试晶圆仅需要提供一个能够涂覆光刻胶的基座，具体的测试晶圆的类型不应不当地限定本发明的保护范围。

上述的光刻胶可以是现有或将有的各种光刻胶材质，例如常见的正胶、负胶等在感光、非感光的情况下具有不同性质的材质。

在上述的方法中，关于步骤S200中所采用的光掩膜版700的具体情况请参考上述关于光掩膜版的描述，在此不再赘述。

在上述的步骤S200中，进行曝光所采用的相关光源、相关曝光参数均与常规的曝光工艺相兼容，因此并不会增加检测过程的复杂度和检测成本。

在上述的步骤S300中，本领域技术人员可以采用现有或将有的技术实现光刻胶的显影，曝光后的光刻胶的显影过程的具体实现方式不应不当地限制本发明的保护范围。

请结合图4来理解上述的步骤S400。图4示出了在测试晶圆上表面观察显影后的光刻胶的示意图。具体的，可以将测试晶圆800的表面区分为对应中心曝光区域的中心暗区810。在正常的曝光流程中，光掩膜版的中心曝光区域的图形应当曝光转移到中心暗区810。但由于本发明步骤S200中所采用的光掩膜版700的中心曝光区域710全部设置了遮光层，因此在经过步骤S200后，测试晶圆800的中心暗区810不会留有光刻胶图案。

在步骤S400中，可以通过监控测试晶圆800上的四个监控区域820上是否存在光刻胶图案来判断透镜是否发生眩光。具体的，若在显影后，四个监控区域820中均不具有光刻胶图形，则判断透镜不存在眩光。

若在显影后，四个监控区域820出现了光刻胶图形，则认为透镜存在眩光现象。进一步的，透镜眩光的严重程度可以影响杂散光的光强，从而能够影响最终体现在测试晶圆上的光刻胶图形。

在一实施例中，可以根据光刻胶图形的条纹数量来判断透镜的眩光程度，其中条纹数量越多，眩光程度越大，眩光越严重。

在另一实施例中，还可以根据光刻胶图形的条纹线宽来判断透镜的眩光程度，其中条纹线宽越大，眩光程度越大。

由于透镜眩光的严重程度可以影响杂散光的光强，而杂散光的光强又可以影响显影后的光刻胶图形的线宽，因此，可以通过监控光刻胶图形的条纹线宽来检测透镜的眩光程度。

进一步的，在采用如图2所示出的光掩膜版700的实施例中，即光掩膜版的中心曝光区域为矩形，光掩膜版的外围区域中的若干透光条纹构成包围中心曝光区域、与中心曝光区域同心且形状几何相似的若干同心矩形的情况下，根据光刻胶图形的条纹线宽来判断透镜的眩光程度进一步包括：仅根据光刻胶图形中最内部的条纹的线宽来判断透镜的眩光程度，最内部的条纹为形成在最靠近中心曝光区域对应的测试晶圆区域的光刻胶图形。

之所以仅根据光刻胶图形中最内部的条纹的线宽来判断透镜的眩光程度是由于能够从横向上去比较不同透镜的眩光程度。

更为优选的，本发明所提供的方法还进一步包括：预先获取最内部的条纹的线宽与眩光程度之间的函数关系。随后，根据光刻胶图形的条纹线宽来判断透镜的眩光程度进一步包括：基于检测得到的最内部的条纹的线宽和函数关系得到量化的眩光程度。

请进一步参考图5，图5示出了预先所获取的最内部的条纹的线宽(CD值)与镜头眩光程度之间的光系，其横轴表征透镜的透光率，可以用来表征眩光程度，其纵轴为条纹的线宽。根据图5可以发现，条纹的线宽可以用来表征镜头眩光的严重程度。

可以理解的是，为了得到量化的镜头眩光程度，每次检测镜头眩光时所采用的曝光参数均应与预先得到条纹线宽与眩光程度之间的函数光系时所采用的曝光参数一致。即通过中心区域曝光能量调节初始基准CD，在确定初始基准CD后保持同样的曝光能量预先获得条纹的线宽(CD值)与各种镜头眩光程度之间的光系。随后在每次检测过程中，仍然以该曝光能量进行曝光，从而能够根据所监控得到的CD值来量化反映透镜的眩光程度。

至此，已经描述了本发明所提供的用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版及方法的具体实施方式。根据本发明的一方面所提供的光掩膜版，通过在整个中心曝光区域设置遮光层能够阻止正常的曝光光线的穿透，使正常的曝光光线不对光刻胶产生曝光。通过在外围区域设置透光条纹的方式，能够在透镜眩光的情况下，仅仅使产生杂散光穿透至光刻胶，从而对光刻胶产生曝光。因此，根据本发明的另一方面所提供的一种检测曝光机台透镜眩光程度的方法，在常规曝光工艺流程中采用本发明的一方面所提供的光掩膜版，由于上述的光掩膜版仅使正常曝光光线经过透镜后所产生的杂散光透过以对光刻胶进行曝光，因此，通过观察显影后测试晶圆上是否留有光刻胶图案，能够检测曝光机台的透镜是否发生眩光现象。同时，还能够根据分析显影后的光刻胶图案来检测曝光机台透镜的眩光程度。根据本发明所提供的用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版及方法，透镜眩光的检测流程兼容常规的曝光工艺流程，操作简单，能够方便透镜眩光现象的监控，从而提高透镜维护的便捷性，能够及时发现并改善透镜的眩光问题。

尽管已经关于特定的示例性实施例描述了本公开，但将明显的是，可以对这些实施例做出各种修改和改变而不偏离本公开的更广泛的精神和范围。因此，本说明书和附图应被视为是说明性的含义而不是限制性的含义。

应当理解的是，本说明书将不用于解释或限制权利要求的范围或意义。此外，在前面的详细描述中，可以看到的是，各种特征被在单个实施例中组合在一起以用于精简本公开的目的。本公开的此方法不应被解释为反映所要求保护的实施例要求比在每个权利要求中明确列举的特征更多的特征的目的。相反，如所附权利要求所反映的，创造性主题在于少于单个所公开的实施例的所有特征。因此，所附权利要求据此并入详细描述中，其中每个权利要求独立地作为单独的实施例。

在该描述中提及的一个实施例或实施例意在结合该实施例描述的特定的特征、结构或特性被包括在电路或方法的至少一个实施例中。在说明书中各处出现的短语一个实施例不一定全部指的是同一实施例。

Claims (10)

1.一种检测曝光机台透镜眩光程度的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供光掩膜版，所述光掩膜版包括未被光圈快门阻挡的中心曝光区域和被光圈快门阻挡的外围区域，所述曝光机台的曝光光线依次经过所述光圈快门、透镜后透过所述中心曝光区域对晶圆上的光刻胶进行曝光，其中：

整个所述中心曝光区域设置有遮光层，以阻止所述曝光光线透过；以及

所述外围区域设置有若干透光条纹，所述曝光光线经过所述透镜后形成的杂散光透过所述若干透光条纹对所述光刻胶进行曝光；

提供测试晶圆，所述测试晶圆表面涂布有光刻胶；

采用所述光掩膜版对所述测试晶圆表面的光刻胶进行曝光，以仅使所述曝光机台的曝光光线经过所述透镜后形成的杂散光透过所述光掩膜版到达所述光刻胶；

对曝光后的光刻胶进行显影；以及

检测显影后的光刻胶图形来判断所述透镜的眩光程度。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，判断所述透镜的眩光程度进一步包括：

响应于在显影后，所述测试晶圆表面不具有光刻胶图形，判断所述透镜不存在眩光。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，判断所述透镜的眩光程度进一步包括：

响应于在显影后，所述测试晶圆表面具有条纹状的光刻胶图形，根据所述光刻胶图形的条纹数量来判断所述透镜的眩光程度，其中

所述条纹数量越多，所述眩光程度越大。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，判断所述透镜的眩光程度进一步包括：

响应于在显影后，所述测试晶圆表面具有条纹状的光刻胶图形，根据所述光刻胶图形的条纹线宽来判断所述透镜的眩光程度，其中

所述条纹线宽越大，所述眩光程度越大。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述光掩膜版的中心曝光区域为矩形，所述光掩膜版的外围区域中的若干透光条纹构成包围所述中心曝光区域、与所述中心曝光区域同心且形状几何相似的若干同心矩形；其中

根据所述光刻胶图形的条纹线宽来判断所述透镜的眩光程度进一步包括：

仅根据所述光刻胶图形中最内部的条纹的线宽来判断所述透镜的眩光程度，所述最内部的条纹为形成在最靠近所述中心曝光区域对应的测试晶圆区域的光刻胶图形。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

预先获取所述最内部的条纹的线宽与所述眩光程度之间的函数关系；其中

根据所述光刻胶图形的条纹线宽来判断所述透镜的眩光程度进一步包括：

基于检测得到的所述最内部的条纹的线宽和所述函数关系得到量化的眩光程度。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外围区域设置有图案化的遮光层，其中，未设置遮光层的外围区域构成所述若干透光条纹。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述遮光层为铬层。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中心曝光区域为矩形，所述若干透光条纹位于包围所述中心曝光区域、与所述中心曝光区域同心且形状几何相似的若干同心矩形的边上。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中心曝光区域为矩形，所述若干透光条纹构成包围所述中心曝光区域、与所述中心曝光区域同心且形状几何相似的若干同心矩形。