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CN111883574A - Oled显示面板及其制作方法 - Google Patents

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CN111883574A
CN111883574A CN202010907704.2A CN202010907704A CN111883574A CN 111883574 A CN111883574 A CN 111883574A CN 202010907704 A CN202010907704 A CN 202010907704A CN 111883574 A CN111883574 A CN 111883574A
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CN
China
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metal
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display panel
oled display
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CN202010907704.2A
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唐甲
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Publication date
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Priority to US17/056,455 priority patent/US12108636B2/en
Priority to PCT/CN2020/125163 priority patent/WO2022047973A1/zh
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Abstract

本发明公开了一种OLED显示面板及其制作方法，所述OLED显示面板包括显示区以及至少位于所述显示区一侧的绑定区；所述OLED显示面板还包括：基板；第一金属层，设置于所述基板上，且所述第一金属层包括对应所述显示区的遮光金属，以及对应所述绑定区的绑定金属；以及薄膜晶体管器件层，设置于所述第一金属层上，且所述薄膜晶体管器件层包括对应位于所述遮光金属上方的薄膜晶体管以及间隔层，所述间隔层于所述绑定区形成有开口，以暴露所述绑定金属的部分上表面；相比于现有技术，本发明提高了绑定金属的耐腐蚀性和可靠性，提高了OLED显示面板的可靠性和良品率。

Description

OLED显示面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)显示器作为用于显示图像的显示设备已备受关注，OLED显示器具有自发光特性，并且不采用单独的光源，因此相对于采用单独光源的显示设备更加的薄和轻。
但是，现有技术中，OLED显示器为减少走线阻抗采用Cu走线作为栅极、源极以及漏极等晶体管器件，由于Cu稳定性差，暴露在外部环境时容易氧化，因此不能直接用作绑定金属，目前，常采用阳极ITO层覆盖Cu，以提高绑定金属的稳定性，但是，对于顶发光OLED显示器中，在对反射金属层(Ag或Al)进行蚀刻时，绑定金属中的Cu容易被蚀刻液所腐蚀，进而使得由ITO层覆盖Cu所得到的绑定金属的稳定性同样不佳，易受蚀刻液腐蚀，进而影响产品良率。
发明内容
本发明实施例提供一种OLED显示面板及其制作方法，能够解决现有技术中，由于绑定金属在制程中易受蚀刻液腐蚀，在环境中不稳定，进而影响产品良率的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种OLED显示面板，所述OLED显示面板包括显示区以及至少位于所述显示区一侧的绑定区；
所述OLED显示面板还包括：
基板；
第一金属层，设置于所述基板上，且所述第一金属层包括对应所述显示区的遮光金属，以及对应所述绑定区的绑定金属；以及
薄膜晶体管器件层，设置于所述第一金属层上，且所述薄膜晶体管器件层包括对应位于所述遮光金属上方的薄膜晶体管以及间隔层，所述间隔层于所述绑定区形成有开口，以暴露所述绑定金属的部分上表面。
在本发明的一种实施例中，所述第一金属层的材料包括钼钛合金或铝钛合金。
在本发明的一种实施例中，所述薄膜晶体管器件层包括位于所述第一金属层上方的第二金属层，且所述第二金属层包括对应所述显示区的源极和漏极，以及对应所述绑定区的信号走线。
在本发明的一种实施例中，所述源极通过贯穿部分所述间隔层的过孔与所述遮光金属搭接，所述信号走线通过贯穿部分所述间隔层的过孔与所述绑定金属搭接，且所述绑定金属通过所述信号走线与所述薄膜晶体管电连接。
在本发明的一种实施例中，所述OLED显示面板还包括依次设置于所述薄膜晶体管器件层上的间绝缘层、平坦层、阳极和像素定义层，且所述间绝缘层、所述平坦层、所述阳极以及所述像素定义层均与所述开口错开设置，以暴露所述绑定金属的部分上表面。
根据本发明的上述目的，提供一种OLED显示面板的制作方法，所述OLED显示面板包括显示区以及至少位于所述显示区一侧的绑定区，且所述方法包括：
S10、制备第一金属层于基板上，且所述第一金属层包括对应所述显示区的遮光金属，以及对应所述绑定区的绑定金属；以及
S20、制备薄膜晶体管器件层于所述第一金属层上，且所述薄膜晶体管器件层包括对应位于所述遮光金属上方的薄膜晶体管以及间隔层，所述间隔层于所述绑定区形成有开口，以暴露所述绑定金属的部分上表面。
在本发明的一种实施例中，所述步骤S20包括：
S201、依次制备缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极以及层间介质层于所述第一金属层上；
S202、制备第二金属层于所述层间介质层上，且所述第二金属层包括对应所述显示区的源极和漏极，以及对应所述绑定区的信号走线；以及
S203、至少去除所述绑定金属上方的所述缓冲层以及所述层间介质层以形成开口，并暴露所述绑定金属的部分上表面。
在本发明的一种实施例中，所述步骤S201中，对应所述显示区制备贯穿部分所述层间介质层的第一过孔以及第二过孔，以分别暴露所述有源层两侧的上表面，对应所述显示区和所述绑定区分别制备贯穿所述层间介质层、部分所述缓冲层的第三过孔和第四过孔，以分别暴露所述遮光金属的部分上表面以及所述绑定金属的部分上表面。
在本发明的一种实施例中，所述步骤S202中，所述源极和所述漏极分别填充所述第一过孔与所述第二过孔，并与所述有源层两侧搭接，所述源极还填充所述第三过孔与所述遮光金属搭接，所述信号走线填充所述第四过孔与所述绑定金属搭接。
在本发明的一种实施例中，所述步骤S203还包括依次制备间绝缘层、平坦层、阳极和像素定义层于所述薄膜晶体管器件层上，且所述间绝缘层、所述平坦层、所述阳极以及所述像素定义层均与所述开口错开设置，以暴露所述绑定金属的部分上表面。
本发明的有益效果：相对于现有技术，本发明通过在制备遮光金属的同时，利用遮光金属的同层金属材料制作绑定金属，由于遮光金属的稳定性和耐腐蚀性均较佳，进而提高了绑定金属的稳定性和耐腐蚀性，提高了OLED显示面板的可靠性和良品率。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的OLED显示面板的结构示意图。
图2为本发明实施例提供的OLED显示面板的制作方法流程图。
图3为本发明实施例提供的OLED显示面板的制作流程结构示意图。
图4为本发明实施例提供的OLED显示面板的制作流程结构示意图。
图5为本发明实施例提供的OLED显示面板的制作流程结构示意图。
图6为本发明实施例提供的OLED显示面板的制作流程结构示意图。
图7为本发明实施例提供的OLED显示面板的制作流程结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明实施例提供一种OLED显示面板及其制作方法，能够解决现有技术中，由于绑定金属在制程中易受蚀刻液腐蚀，在环境中不稳定，进而影响产品良率的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种OLED显示面板，请参照图1所示，为本发明实施例提供的OLED显示面板的结构示意图，其中，所述OLED显示面板包括显示区10以及至少位于所述显示区10一侧的绑定区20。
所述OLED显示面板还包括：基板101；第一金属层102，设置于所述基板101上，且所述第一金属层102包括对应所述显示区10的遮光金属1022，以及对应所述绑定区20的绑定金属1021；以及薄膜晶体管器件层103，设置于所述第一金属层102上，且所述薄膜晶体管器件层103包括对应位于所述遮光金属1022上方的薄膜晶体管以及间隔层，所述间隔层于所述绑定区20形成有开口109，以暴露所述绑定金属1021的部分上表面。
在实施应用过程中，现有的OLED显示面板，由于绑定金属的材质在制程中易受腐蚀，且在环境中亦不能稳定的存在，因此，本发明实施例提供一种OLED显示面板，通过采用遮光金属的同层材料制备绑定金属，以提高绑定金属的耐腐蚀性和稳定性，进而提高了OLED显示面板的可靠性和良品率。
更进一步地，请参照图1所示，所述OLED显示面板包括基板101、设置于所述基板101上的第一金属层102以及设置于所述第一金属层102上的薄膜晶体管器件层103，其中，所述第一金属层102包括对应所述显示区10的遮光金属1022以及对应所述绑定区20的绑定金属1021，所述第一金属层102的材料包括钼钛合金或铝钛合金，且不限于钼、钛或铝、钛的单层或层叠的合金结构，另外，所述第一金属层102的材料还可以包括其他耐酸性强、可靠性强的金属材料或合金材料。
所述薄膜晶体管器件层103包括对应位于所述遮光金属1022上方的薄膜晶体管以及间隔层，具体地，所述薄膜晶体管器件层103包括设置于所述第一金属层102上的缓冲层1031，设置于所述缓冲层1031上并位于所述遮光金属1022上方的有源层1033，依次设置于所述有源层1033上的栅绝缘层1034以及栅极1035，设置于所述有源层1033和所述栅极1035上的层间介质层1032，设置于所述层间介质层1032上的第二金属层，其中，所述第二金属层设置于所述第一金属层102上方，且所述第二金属层包括对应所述显示区10的源极1037和漏极1036，以及对应所述绑定区20的信号走线110，且所述源极1037和所述漏极1036通过贯穿部分所述层间介质层1032的过孔分别与所述有源层1033两侧搭接，所述源极1037还通过贯穿部分所述间隔层的过孔与所述遮光金属1022搭接，可用于导走所述遮光金属1022上的电荷，以保持所述薄膜晶体管电学特性的稳定性，另外，所述信号导线110通过贯穿部分所述间隔层的过孔与所述绑定金属1021搭接，从而使得所述绑定金属1021与所述薄膜晶体管电连接(图中并未示出)，在后续制程中，所述绑定金属1021再与电路板进行绑定，从而可以实现显示信号的传输，以实现所述OLED显示面板的正常显示功能。
在本发明实施例中，所述薄膜晶体管包括所述有源层1033、所述栅极1035、所述源极1037以及所述漏极1036，所述间隔层包括所述缓冲层1031、所述层间介质层1032以及所述栅绝缘层1034。
另外，所述OLED显示面板还包括依次设置于所述薄膜晶体管器件层103上的间绝缘层104、平坦层105、阳极107以及像素定义层106，所述像素定义层106限定出多个像素开口，每个所述像素开口均暴露一个所述阳极107的上表面，同时形成发光层108于所述像素开口内，并位于所述阳极107上，且所述阳极107还通过贯穿所述平坦层105以及部分所述间绝缘层104的过孔与所述源极1037搭接，以实现电信号的传输，且所述像素定义层106的材料不限于常规的非疏水性材料或疏水性材料。
在本发明实施例中，所述间绝缘层104、所述平坦层105、所述阳极107以及所述像素定义层106均与所述开口109错开设置，以暴露所述绑定金属1021的部分上表面。
综上所述，本发明实施例提供的OLED显示面板通过采用遮光金属的同层材料制作绑定金属，以提高绑定金属的耐酸性和可靠性，进而提高了OLED显示面板的可靠性和良品率。
另外，本发明实施例还提供一种OLED显示面板的制作方法，请参照图1、图2、图3、图4、图5、图6以及图7所示，所述OLED显示面板包括显示区10以及至少位于所述显示区10一侧的绑定区20。
所述OLED显示面板的制作方法包括：
S10、制备第一金属层102于基板101上，且所述第一金属层102包括对应所述显示区10的遮光金属1022，以及对应所述绑定区20的绑定金属1021。
提供基板101，并制备图案化的第一金属层102于所示基板101上，且所述第一金属层102包括对应位于所述显示区10的遮光金属1022，以及对应位于所述绑定区的绑定金属1021，且所述基板101包括玻璃基板，所述第一金属层102的材料包括钼钛合金或铝钛合金，且不限于钼、钛或铝、钛的单层或层叠的合金结构，另外，所述第一金属层102的材料还可以包括其他耐酸性强、可靠性强的金属材料或合金材料。
S20、制备薄膜晶体管器件层103于所述第一金属层102上，且所述薄膜晶体管器件层103包括对应位于所述遮光金属1022上方的薄膜晶体管以及间隔层，所述间隔层于所述绑定区20形成有开口109，以暴露所述绑定金属1021的部分上表面。
具体地，所述步骤S20包括：
S201、在所述基板101上制备缓冲层1031，在所述缓冲层1031上制备有源层1033，且所述有源层1033位于所述遮光金属1022上方，在所述有源层1033上依次制备栅绝缘层1034和栅极1035，在所述有源层1033和所述栅极1035上制备层间介质层1032。
进一步地，对应所述显示区10制备贯穿部分所述层间介质层1032的第一过孔1121以及第二过孔1122，以分别暴露所述有源层1033两侧的上表面，对应所述显示区10和所述绑定区20分别制备贯穿所述层间介质层1032、部分所述缓冲层101的第三过孔1123和第四过孔1124，以分别暴露所述遮光金属1022的部分上表面以及所述绑定金属1021的部分上表面。
S202、制备第二金属层于所述层间介质层1032上，且对所述第二金属层进行蚀刻处理，以得到对应所述显示区10的源极1037和漏极1036，以及对应所述绑定区20的信号走线110，其中，所述源极1037和所述漏极1036分别填充所述第一过孔1121与所述第二过孔1122，并与所述有源层1033两侧搭接，所述源极1037还填充所述第三过孔1123与所述遮光金属1022搭接，所述信号走线110填充所述第四过孔1124与所述绑定金属1021搭接，以使得所述绑定金属1021可以通过所述信号走线110与所述薄膜晶体管电连接，在后续制程中，所述绑定金属1021再与电路板进行绑定，以实现显示信号的传输，实现所述OLED显示面板的显示功能。
S203、于所述层间介质层1032上涂布光阻材料层111，以覆盖部分所述层间介质层1032的表面，并对未被所述光阻材料层111所覆盖的层间介质层1032进行开口处理，至少去除所述绑定金属1021上方的所述缓冲层1031以及所述层间介质层1032以形成开口109，并暴露所述绑定金属1021的部分上表面，本发明实施例通过在完成所述第二金属层的蚀刻之后再进行开口处理，进而防止了所述绑定金属1021在所述第二金属层的蚀刻过程中被其Cu酸蚀刻液所腐蚀，进一步提高了产品良率。
进一步地，在所述层间介质层1032上依次制备间绝缘层104、平坦层105、阳极107以及像素定义层106，且所述间绝缘层104、所述平坦层105、所述阳极107以及所述像素定义层106均与所述开口109错开设置，以暴露所述绑定金属1021的部分上表面，且制备所述阳极107的过程中，由于所述第一金属层102具有较高的耐腐蚀性，进而使得所述绑定金属1021可以抵抗蚀刻液的腐蚀，且由于所述第一金属层102具有较佳的可靠性，提高了所述绑定金属1021在测试过程中或在环境中的可靠性，提高了所述OLED显示面板的可靠性和稳定性。
其中，所述阳极107通过贯穿所述平坦层105以及部分所述间绝缘层104的过孔与所述源极1037搭接，所述像素定义层106通过挡墙结构限定出像素开口以暴露所述阳极107的上表面，并于所述像素开口内制备发光层108，所述发光层108对应位于所述阳极107上，且所述发光层108可采用蒸镀工艺或喷墨打印工艺进行制备，所述像素定义层106的材料不限于非疏水性材料或疏水性材料。
本发明实施例通过在制备遮光金属的同时，利用遮光金属的同层金属材料制作绑定金属，由于遮光金属的稳定性和耐腐蚀性均较佳，进而提高了绑定金属的稳定性和耐腐蚀性，提高了OLED显示面板的可靠性和良品率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种OLED显示面板及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板包括显示区以及至少位于所述显示区一侧的绑定区；
所述OLED显示面板还包括：
基板；
第一金属层，设置于所述基板上，且所述第一金属层包括对应所述显示区的遮光金属，以及对应所述绑定区的绑定金属；以及
薄膜晶体管器件层，设置于所述第一金属层上，且所述薄膜晶体管器件层包括对应位于所述遮光金属上方的薄膜晶体管以及间隔层，所述间隔层于所述绑定区形成有开口，以暴露所述绑定金属的部分上表面。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一金属层的材料包括钼钛合金或铝钛合金。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管器件层包括位于所述第一金属层上方的第二金属层，且所述第二金属层包括对应所述显示区的源极和漏极，以及对应所述绑定区的信号走线。
4.根据权利要求3所述的OLED显示面板，其特征在于，所述源极通过贯穿部分所述间隔层的过孔与所述遮光金属搭接，所述信号走线通过贯穿部分所述间隔层的过孔与所述绑定金属搭接，且所述绑定金属通过所述信号走线与所述薄膜晶体管电连接。
5.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板还包括依次设置于所述薄膜晶体管器件层上的间绝缘层、平坦层、阳极和像素定义层，且所述间绝缘层、所述平坦层、所述阳极以及所述像素定义层均与所述开口错开设置，以暴露所述绑定金属的部分上表面。
6.一种OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述OLED显示面板包括显示区以及至少位于所述显示区一侧的绑定区，且所述方法包括：
S10、制备第一金属层于基板上，且所述第一金属层包括对应所述显示区的遮光金属，以及对应所述绑定区的绑定金属；以及
S20、制备薄膜晶体管器件层于所述第一金属层上，且所述薄膜晶体管器件层包括对应位于所述遮光金属上方的薄膜晶体管以及间隔层，所述间隔层于所述绑定区形成有开口，以暴露所述绑定金属的部分上表面。
7.根据权利要求6所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S20包括：
S201、依次制备缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极以及层间介质层于所述第一金属层上；
S202、制备第二金属层于所述层间介质层上，且所述第二金属层包括对应所述显示区的源极和漏极，以及对应所述绑定区的信号走线；以及
S203、至少去除所述绑定金属上方的所述缓冲层以及所述层间介质层以形成开口，并暴露所述绑定金属的部分上表面。
8.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S201中，对应所述显示区制备贯穿部分所述层间介质层的第一过孔以及第二过孔，以分别暴露所述有源层两侧的上表面，对应所述显示区和所述绑定区分别制备贯穿所述层间介质层、部分所述缓冲层的第三过孔和第四过孔，以分别暴露所述遮光金属的部分上表面以及所述绑定金属的部分上表面。
9.根据权利要求8所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S202中，所述源极和所述漏极分别填充所述第一过孔与所述第二过孔，并与所述有源层两侧搭接，所述源极还填充所述第三过孔与所述遮光金属搭接，所述信号走线填充所述第四过孔与所述绑定金属搭接。
10.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S203还包括依次制备间绝缘层、平坦层、阳极和像素定义层于所述薄膜晶体管器件层上，且所述间绝缘层、所述平坦层、所述阳极以及所述像素定义层均与所述开口错开设置，以暴露所述绑定金属的部分上表面。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112366218A (zh) * 2020-11-05 2021-02-12 Tcl华星光电技术有限公司 一种显示面板的制作方法及显示面板
CN113192979A (zh) * 2021-04-13 2021-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN113193012A (zh) * 2021-04-13 2021-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN113192982A (zh) * 2021-04-14 2021-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法
CN116456769A (zh) * 2023-04-20 2023-07-18 惠科股份有限公司 显示面板和显示终端
WO2023178759A1 (zh) * 2022-03-23 2023-09-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112951891B (zh) * 2021-02-26 2025-02-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170179159A1 (en) * 2015-12-16 2017-06-22 Japan Display Inc. Display device
CN106935628A (zh) * 2015-12-30 2017-07-07 乐金显示有限公司 柔性有机发光二极管显示装置
CN107039491A (zh) * 2015-12-29 2017-08-11 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN107910301A (zh) * 2017-11-23 2018-04-13 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板的制作方法、显示基板及显示装置
CN109273365A (zh) * 2018-10-23 2019-01-25 惠科股份有限公司 薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板
CN109300917A (zh) * 2018-09-30 2019-02-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN109728188A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 乐金显示有限公司 显示设备和用于制造该显示设备的方法
CN110875364A (zh) * 2018-08-13 2020-03-10 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN111445846A (zh) * 2019-01-17 2020-07-24 三星显示有限公司 显示设备

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100194679B1 (ko) * 1996-05-21 1999-07-01 윤종용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR101972463B1 (ko) * 2011-02-18 2019-08-19 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
CN103094354B (zh) * 2013-01-28 2015-08-12 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
KR102139972B1 (ko) * 2013-12-31 2020-07-31 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광표시소자 및 이의 제조방법
KR20150084239A (ko) * 2014-01-13 2015-07-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법
US10241609B2 (en) * 2015-12-30 2019-03-26 Lg Display Co., Ltd. Display device with touch sensor
TWI678579B (zh) * 2017-12-19 2019-12-01 友達光電股份有限公司 顯示面板以及顯示裝置
KR102713436B1 (ko) * 2018-09-20 2024-10-04 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200049115A (ko) * 2018-10-31 2020-05-08 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법
KR102661283B1 (ko) * 2018-11-26 2024-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102652572B1 (ko) * 2018-12-03 2024-03-28 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 전계 발광 표시장치
KR102169567B1 (ko) * 2018-12-21 2020-10-23 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20200102572A (ko) * 2019-02-21 2020-09-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN110071147A (zh) * 2019-04-09 2019-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和电子设备
KR102662200B1 (ko) * 2019-07-15 2024-04-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170179159A1 (en) * 2015-12-16 2017-06-22 Japan Display Inc. Display device
CN107039491A (zh) * 2015-12-29 2017-08-11 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN106935628A (zh) * 2015-12-30 2017-07-07 乐金显示有限公司 柔性有机发光二极管显示装置
CN109728188A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 乐金显示有限公司 显示设备和用于制造该显示设备的方法
CN107910301A (zh) * 2017-11-23 2018-04-13 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板的制作方法、显示基板及显示装置
CN110875364A (zh) * 2018-08-13 2020-03-10 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN109300917A (zh) * 2018-09-30 2019-02-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN109273365A (zh) * 2018-10-23 2019-01-25 惠科股份有限公司 薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板
CN111445846A (zh) * 2019-01-17 2020-07-24 三星显示有限公司 显示设备

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112366218A (zh) * 2020-11-05 2021-02-12 Tcl华星光电技术有限公司 一种显示面板的制作方法及显示面板
CN113192979A (zh) * 2021-04-13 2021-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN113193012A (zh) * 2021-04-13 2021-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN113192982A (zh) * 2021-04-14 2021-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法
WO2023178759A1 (zh) * 2022-03-23 2023-09-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN116456769A (zh) * 2023-04-20 2023-07-18 惠科股份有限公司 显示面板和显示终端

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