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CN111522164A - 电子装置 - Google Patents

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CN111522164A
CN111522164A CN201910105115.XA CN201910105115A CN111522164A CN 111522164 A CN111522164 A CN 111522164A CN 201910105115 A CN201910105115 A CN 201910105115A CN 111522164 A CN111522164 A CN 111522164A
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CN
China
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polymer substrate
thickness
layer
display device
protrusion
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CN201910105115.XA
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English (en)
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曾宇志
赖柜宏
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Innolux Corp
Original Assignee
Innolux Display Corp
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Publication date
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Priority to JP2020006861A priority patent/JP7560250B2/ja
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Abstract

本发明公开一种显示设备，显示设备包括一第一高分子基板、多个薄膜晶体管、一第二高分子基板以及一液晶层。薄膜晶体管设置于第一高分子基板上。第二高分子基板与第一高分子基板相对设置。液晶层设置于第一高分子基板与第二高分子基板之间。第一高分子基板具有一第一厚度，第二高分子基板具有一第二厚度，且第一厚度大于所述第二厚度。

Description

电子装置
技术领域
本发明涉及一种电子装置，特别是涉及一种以可挠性材料作为基板的电子装置。
背景技术
随着科技的进步，显示设备逐渐朝向轻薄的趋势发展。在液晶显示设备中，玻璃基板可用塑料制成的可挠性基板所取代，以降低整体重量并缩减整体厚度(可称为塑料液晶显示设备(plastic liquid crystal display,PLCD))。不过，此种塑料液晶显示设备仍存在着许多待改进的缺点。其中一个缺点是在形成塑料基板时容易因制程清洁度不佳而有异物或容易有塑料材料的溶质析出，造成塑料基板用以形成元件的表面隆起。因此，形成于塑料基板上的金属线不容易形成在隆起表面上，使得金属线容易在隆起表面处产生断裂或过高的电阻，以至于显示设备的显示不良，例如亮线或亮点。另一个缺点是由于液晶显示设备的两个塑料基板的厚度均被薄化，使得液晶显示设备的薄膜晶体管层的应力严重不对称，故其中的电极、讯号线或绝缘层容易在弯曲时产生断裂，以至于液晶显示设备的显示不良。
发明内容
本发明提供一种显示设备，包括一第一高分子基板、多个薄膜晶体管、一第二高分子基板以及一液晶层。薄膜晶体管设置于第一高分子基板上。第二高分子基板与第一高分子基板相对设置。液晶层设置于第一高分子基板与第二高分子基板之间。第一高分子基板具有一第一厚度，第二高分子基板具有一第二厚度，且第一厚度大于所述第二厚度。
附图说明
图1所示为本发明第一实施例的电子装置的剖视示意图；
图2A与图2B所示分别为电子装置在弯曲前与弯曲后的剖视示意图；
图3所示为电子装置与中性平面的透视示意图；
图4所示为本发明第一实施例的一变化实施例的电子装置的剖视示意图；
图5所示为本发明第二实施例的电子装置的剖视示意图；
图6所示为本发明第二实施例的电子装置在弯曲时的剖视示意图；
图7所示为本发明第三实施例的电子装置的剖视示意图；
图8所示为本发明第三实施例的电子装置在弯曲时的剖视示意图；
图9与图10所示分别为本发明第四实施例与第五实施例的电子装置的剖视示意图；以及
图11所示为图9的俯视示意图。
附图标记说明：10、12、20、30、40、50-电子装置；102-第一元件基板；104、304-第一高分子基板；104a、112a-、306a、422a、522s-突起部；104s、116s、422s、522s-上表面；106-元件层；108-薄膜晶体管；110、310-突起物单元；112、212-应力缓冲层；114-中性平面；116-透明光阻层；202、302-第二元件基板；204-液晶层；206、306-第二高分子基板；208-黑色矩阵；210-彩色滤光层；214-第一相位延迟膜；216-第二相位延迟膜；218-第一偏光片；220-第二偏光片；306s-下表面；422-无机层；522-有机层；VD-俯视方向；M1-第一金属图案层；M2-第二金属图案层；G-闸极；GI-闸极绝缘层；SEM-半导体层；S-源极；D-汲极；a1、a2、b1、b2、c1、c2、m1、m2-点；A、A’、B、B’、C、C’、M、M’-线段；y1-间距；dA-单位面积；σ-应力；nx1、ny1、nz1、nx2、ny2、nz2-折射率；D1-第一方向；D2-第二方向；TD-膜厚方向；W1、W2、W3、W4-最大宽度；H1、H2、H3、H4-最高高度；L1-第一虚拟线段；L2-第二虚拟线段；L3-第三虚拟线段。
具体实施方式
下文结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述，且为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下文各附图为可能为简化的示意图，且其中的元件可能并非按比例绘制。并且，附图中的各元件的数量与尺寸仅为示意，并非用于限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件，且本文并未意图区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“含有”与“包括”等词均为开放式词语，因此应被解释为“含有但不限定为…”之意。
以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。必需了解的是，为特别描述或图标之元件可以此技术人士所熟知的各种形式存在。此外，当某层在其它层或基板“上”时，有可能是指“直接”在其它层或基板上，或指某层在其它层或基板上，或指其它层或基板之间夹设其它层。
此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如“较低”或“底部”及“较高”或“顶部”，以描述图标的一个元件对于另一元件的相对关系。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的元件将会成为在“较高”侧的元件。
在此，“约”、“大约”之用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，较佳是10％之内，且更佳是5％之内。在此给定的数量为大约的数量，意即在没有特定说明的情况下，仍可隐含“约”、“大约”的含义。
须说明的是，下文中不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本发明精神的情况下构成另一实施例。
图1所示为本发明第一实施例的电子装置的剖视示意图。电子装置10包括一第一元件基板102，且第一元件基板102包括第一高分子基板104以及元件层106。第一高分子基板104用以承载元件层106，并具有可弯曲特性，例如可包括高分子基板、或其他适当的基板。举例来说，第一高分子基板104的材料可分别包括聚酰亚胺(PI)、聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚芳酯(PAR)、其他适当的材料、或其组合，但不限于此。元件层106设置于第一高分子基板104上，且依据电子装置10的种类，元件层106可包括任何需要的驱动元件、显示元件或不具显示功能的元件。于一些实施例中，电子装置10可为液晶(liguid crystal)显示设备，因此第一元件基板102可为薄膜晶体管基板，且元件层106可包括多个薄膜晶体管108，用以控制像素的灰阶。举例来说，薄膜晶体管108可包括闸极G、闸极绝缘层GI、半导体层SEM、源极S与汲极D，其中闸极G可由第一金属图案层M1所形成，源极S与汲极D可由第二金属图案层M2所形成。在一些实施例中，显示设备10可为自发光显示设备，因此元件层106可包括多个薄膜晶体管108、控制线路以及发光元件，用以显示影像，其中发光元件可例如为有机发光二极管(organic light emitting diode,LED)，或者为非有机发光二极管，例如量子点发光二极管(quantum dot light emitting diode,Q-LED)、微型发光二极管(microLED)或次毫米发光二极管(mini LED)，但不以此为限，于另一实施例中，也可使用多个液晶显示设备或者多个自发光显示设备，形成一个大型拼接式显示设备(tiling display)。在一些实施例中，元件层106还可包括用以电性隔绝不同线路或电极的绝缘层或保护层。在一些实施例中，显示设备还可包括用以保护薄膜晶体管108与发光元件的封装层、阻障层或覆盖膜，设置于元件层106上。在一些实施例中，元件层106可不具有显示功能，例如可包括液晶天线。在此情况下，元件层106可包括介质层与电路层，且介质层可为液晶层或其他适合的介质材料，电路层可通过薄膜制程所制成，且可选择性包括开关元件，例如非晶硅薄膜晶体管(Amorphous thin-film transistor)、低温多晶硅薄膜晶体管(Low temperaturepolysilicon thin-film transistor)、金属氧化物薄膜晶体管(Metal-oxide thin-filmtansistor)，但不以此为限。于一实施例中，若元件层106为液晶天线，则液晶天线的工作区系指对应实际有效操作区域的范围，例如可有效传送或接收电磁波或光讯号等之区域范围。其他非有效操作区域即对应非工作区，上述仅是举例并非限定。在一些实施例中，第一元件基板102也可为彩色滤光片基板，其中元件层106可包括黑色矩阵层及/或彩色滤光层。本发明的元件层不以上述为限。
需说明的是，由于第一高分子基板104具有可弯曲特性，因此于第一高分子基板104上形成元件层106之前，第一高分子基板104会先形成在一载板(图未示)上，例如形成在玻璃基板上。在一些实施例中，第一高分子基板104可通过将溶液涂布在载板上，然后通过第一次烘烤将溶液定型，接着再通过第二次烘烤将溶液完全固化而形成，于另外一个实施例中，第一高分子基板104可通过将溶液涂布在载板上，之后利用照光(例如:紫外光或者红外光)的方式将溶液完全固化，上述仅式举例，但不以为限。由于在制程环境清洁度不足的情况下，载板上存在有些许突起物单元110，例如异物或悬浮微粒。或者，当溶液中的溶质在烘烤过程中未能溶解在溶剂中时，溶液在接近载板处会有部分溶质析出。因此，所形成的第一高分子基板104包括多个突起物单元110，设置于第一高分子基板104的上表面104s的下方。由于突起物单元110具有一定厚度，使得当形成在载板上的第一高分子基板104的厚度过低时，第一高分子基板104对应突起物单元110的上表面104s会突起，也就是第一高分子基板104包括多个突起部104a，突起于其上表面104s，其中凸起部的边缘形状并非限定只能是一个弧形，也可能是一个凹凸不平的形状，上述仅式举例，但不以为限。突起部104a的高度可定义为不具有突起部104a的上表面104s的平均高度与突起部104a的顶部高度在电子装置10的俯视方向VD上的绝对值差值，其绝对值差值范围大约为小于或等于3微米(um)，上述仅式举例，但不以为限，其中突起部104a的顶部高度请参阅后续图11的相关说明。于一实施例中，不具有突起部104a的上表面104s也可能是一个非完美平整的表面，因此上表面104s的平均高度可为一单位区域内(例如是10微米×10微米)一顶部高度与一底部高度平均而得，但上述仅是举例，不以上述为限，举例来说，上表面104s的顶部高度与底部高度的数值可例如以一参考水平为基准计算出顶部水平以及底部水平与参考水平之间的绝对值的差值而获得，其中于电子装置10的剖视方向上来看，底部水平位于顶部水平与参考水平之间，该参考水平可例如为第一高分子基板104相对于上表面104s的下表面。在本发明中，由于第一高分子基板104是通过烘烤溶液所形成，因此当所涂布的第一高分子基板104的厚度增加时，突起部104a突起的高度可被降低，以提高第一高分子基板104的上表面104s的平整度，藉此可降低形成在第一高分子基板104上的元件层106的损坏。于一些实施例中，突起部104a的高度也可通过在第二次烘烤时以阶段性改变烘烤温度的方式来降低突起部104a的高度。图1的元件层106中的薄膜晶体管108以底闸型为例，元件层106的第一金属图案层M1(其可包括扫描线(图未示)与薄膜晶体管的闸极G)，形成在第一高分子基板104上。由于突起部104a的高度降低，使得第一金属图案层M1的厚度可大于突起部104a的高度，因此当第一金属图案层M1横跨突起部104a时，第一金属图案层M1不会有断裂或电阻明显降低的情况发生。举例来说，第一高分子基板104可具有第一厚度x1，其可大于或等于约5微米且小于或等于约45微米，但不以此为限。突起部104a的高度可例如小于2微米，但不限于此。
于一些实施例中，第一元件基板102还可选择性包括一应力缓冲层112，设置于元件层106与第一高分子基板104之间。由于形成在载板上的第一高分子基板104与载板之间存在有应力，使得接近第一高分子基板104边缘的部分会朝载板相对于第一高分子基板104的一侧弯曲，以至于形成弯曲的第一高分子基板104。通过于第一高分子基板104相对于载板一侧上形成应力缓冲层112，可降低第一高分子基板104的弯曲现象，以助于在第一高分子基板104上形成元件层106。举例来说，应力缓冲层112可包括氧化硅、氮化硅或其组合，以均衡载板对第一高分子基板104的应力。应力缓冲层112的厚度可例如大于或等于约2500埃(angstrom)且小于或等于约7500埃，但不以此为限。在一些实施例中，应力缓冲层112可均匀地形成在第一高分子基板104的上表面104s上，因此应力缓冲层112对应第一高分子基板104的突起部104a的部分也具有突起部112a。在此情况下，第一金属图案层M1的厚度仍可大于突起部112a的高度，且第一金属图案层M1横跨突起部104a的部分的电阻值不受突起部112a的影响。突起部112a的高度可例如小于2微米，但不限于此。
此外，电子装置10在弯曲时具有一中性平面(neutral plane)114，其中在电子装置10弯曲时，电子装置10位于中性平面114处的元件所受的应力接近或为0。在本发明中，通过增加第一高分子基板104的第一厚度x1，可将电子装置10的中性平面114调整至接近第一元件基板102或位于第一元件基板102中，使得元件层106接近中性平面114，以降低元件层106在弯曲时所受到的应力，从而减少元件层106在弯曲时所受到的损坏。
电子装置10的中性平面114的定义将进一步说明如下。图2A与图2B所示分别为电子装置在弯曲前与弯曲后的剖视示意图，图3所示为电子装置与中性平面的透视示意图。当电子装置10尚未弯曲时，从点a1到点a2的线段A、从点b1到b2的线段B以及从点c1到点c2的线段C具有大约相同长度。当电子装置10弯曲之后，从点a1到点a2的线段A’、从点b1到b2的线段B’以及从点c1到点c2的线段C’具有不相同长度，其中当线段C与线段C’具有大约相同长度时，线段C与线段C’可视为位于中性平面114。
以下将进一步说明弯曲前后长度大约不变的线段C与线段C’位于应力为0的中性平面。如图2A所示，点m1到点m2的线段M与线段C具有一间距，例如一最短间距。当电子装置10尚未弯曲时，从点m1到点m2的线段M可与线段C具有大约相同长度。如图2B所示，当电子装置10弯曲时，点m1到m2的线段M’则为(r+y1)×θ，其中r为电子装置10弯曲时线段C’的曲率半径，θ为线段C’弯曲的角度，而y1为线段M’的曲率半径与线段C’的曲率半径的一差值，例如可为线段M’与线段C’的一最短距离。由此可得出，线段M’因弯曲所产生的应变值ε为[(r+y1)×θ-r×θ]/r×θ，因此可得到应变值ε为y1/r。通过虎克定律，线段M’所受到的应力σ为E×y1/r，其中E为弹性常数。如图3所示，整个电子装置10的受力总和F为所有单位面积dA上所受的应力σ总和，如下公式：
F＝∫σdA
当受力总和F为0时，将应力σ带入公式，可得到
Figure BDA0001966535160000081
由于E与r不为0，因此可得到∫y1dA＝0，即y1为0。由此可知，弯曲前后长度大约不变的线段C与线段C’位于受力总和F为0之处，即电子装置10在中性平面114处的应力为0。电子装置10的中性平面114可通过应力计算软件计算出，例如Abaqus或ANSYS软件。中性平面114并非必须位于电子装置10的正中央，而是需依据电子装置10的膜层的材料与膜层之间应力大小来计算出。
如图1所示，在本实施例中，通过增加第一高分子基板104的厚度，可将电子装置10的中性平面114调整至位于第一元件基板102中，例如中性平面可位于元件层106中，藉此可降低元件层106中的薄膜晶体管108与线路在弯曲时所受到应力，从而减少薄膜晶体管108与线路因弯曲所产生的损坏。
电子装置并不以上述实施例为限，且可具有不同的变化实施例。为简化说明，下文中不同的变化实施例将使用与第一实施例相同标号标注相同元件。为容易比较第一实施例与不同的变化实施例之间的差异，下文将突显不同的变化实施例的差异，且不再对重复部分作赘述。
图4所示为本发明第一实施例的一变化实施例的电子装置的剖视示意图。在本变化实施例中，电子装置12可不包括应力缓冲层，且可包括一透明光阻层116，设置于元件层106与第一高分子基板104之间。具体来说，透明光阻层116在形成元件层106之前，形成于第一高分子基板104的上表面104a上，因为透明光阻层116具有流体特性，使得所形成的透明光阻层116的上表面116s相对于第一高分子基板104的上表面104a可具有较佳的平整度，藉此可有助于元件层106的制作。于一些实施例中，电子装置12也可包括应力缓冲层112，形成在透明光阻层116与第一高分子基板104之间。
图5所示为本发明第二实施例的电子装置的剖视示意图，图6所示为本发明第二实施例的电子装置在弯曲时的剖视示意图，其中为清楚显示出各膜层的弯曲，且突起物单元与突起部在弯曲时会显得模糊，因此图6省略突起物单元与突起部，但不以此为限。本实施例的电子装置20与图1所示的电子装置10的差异在于，电子装置20可为液晶显示设备，例如还可包括一第二元件基板202以及一液晶层204，且液晶层204设置于第一元件基板102与第二元件基板202之间。第二元件基板202可包括一第二高分子基板206，与第一高分子基板104相对设置。第二高分子基板206例如可包括高分子基板、或其他适当的基板，举例来说，第二高分子基板206的材料可分别包括聚酰亚胺(PI)、聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚芳酯(PAR)、其他适当的材料、或其组合，但不限于此。第二高分子基板206具有第二厚度x2。为了降低元件层106所受到的应力，并于电子装置20的俯视方向VD上，第一高分子基板104的第一厚度x1可调整至大于第二高分子基板206的第二厚度x2，使得中性平面114与第一高分子基板104的间距可小于中性平面114与第二高分子基板206的间距。举例来说，本实施例的中性平面114可位于接近元件层106的液晶层204中。于一些实施例中，中性平面114也可位于液晶层204与第一高分子基板104之间(如图1所示)或第一高分子基板104中(如图4所示)。举例来说，第一厚度x1与第二厚度x2可符合公式：0<(x1-x2)/x1≤0.9。(x1-x2)/x1可例如大于或等于0.7且小于或等于0.9。第二厚度x2可例如大于或等于约5微米且小于或等于约45微米。
在本实施例中，第二元件基板202还可包括黑色矩阵208与彩色滤光层210，设置于液晶层204与第二高分子基板206之间。彩色滤光层210可包括不同颜色的彩色滤光片(图未示)，例如红色彩色滤光片、绿色彩色滤光片与蓝色彩色滤光片，分别对应黑色矩阵208的不同开口设置。于一些实施例中，第二元件基板202还可选择性包括另一应力缓冲层212，设置于彩色滤光层210与第二高分子基板206之间以及黑色矩阵208与第二高分子基板206之间。应力缓冲层212可与应力缓冲层112具有相同功效与结构，在此不多赘述。
在一些实施例中，为了降低暗态时的漏光，显示设备20还可包括一第一相位延迟膜214与一第二相位延迟膜216，第一相位延迟膜214设置于第一高分子基板104相对于薄膜晶体管108的另一侧，第二相位延迟膜216设置于第二高分子基板206相对于彩色滤光层210的另一侧。值得说明的是，第一高分子基板104具有相位延迟的特性，因此第一相位延迟膜214可用以补偿第一高分子基板104的相位延迟。举例来说，第一高分子基板104具有-Cplate的相位延迟特性，也就是在第一方向D1上的折射率nx1与在第二方向D2上的折射率ny1可彼此大约相等，且第一高分子基板104在膜厚方向TD上的折射率nz1则小于第一高分子基板104在第一方向D1上的折射率nx1，其中第一方向D1与第二方向D2位于垂直于膜厚方向TD的平面上，膜厚方向TD可例如为电子装置20的俯视方向VD。因此，第一高分子基板104在面内方向的相位延迟值R0((nx1-ny1)×d)大约为0，在膜厚方向TD的相位延迟值Rth([(nx1+ny1)/2-nz1]×d)不为0，其中d为膜层厚度。为了补偿第一高分子基板104的相位延迟，第一相位延迟膜214可例如具有+C plate的相位延迟特性，也就是说第一相位延迟膜214在第一方向D1上的折射率与在第二方向D2上的折射率可彼此大约相等，且第一相位延迟膜214在膜厚方向TD上的折射率则大于第一高分子基板104在第一方向D1上的折射率nx1以及在第二方向D2上的折射率ny1。因此，第一相位延迟膜214在膜厚方向TD的相位延迟值也不为0。由于增加第一高分子基板104的第一厚度x1需提升第一相位延迟膜214在膜厚方向TD的相位延迟值，因此为了避免超出第一相位延迟膜214能补偿的相位延迟值，第一高分子基板104的第一厚度x1可小于或等于45微米。举例来说，第一相位延迟膜214在膜厚方向TD能补偿的相位延迟值可大于0且小于或等于300奈米。同样地，举例来说，第二高分子基板206也可具有-C plate的相位延迟特性，也就是在第一方向D1上的折射率nx2与在第二方向D2上的折射率ny2可彼此大约相等，且第二高分子基板206在膜厚方向TD上的折射率nz2则小于第二高分子基板206在第一方向D1上的折射率nx2。因此，第二高分子基板206在面内方向的相位延迟值R0((nx2-ny2)×d)大约为0，在膜厚方向TD的相位延迟值Rth([(nx2+ny2)/2-nz2]×d)不为0。为了避免超出第二相位延迟膜216能补偿的相位延迟值，第二高分子基板206的第二厚度x2可小于或等于45微米。第二相位延迟膜在膜厚方向TD能补偿的相位延迟值可例如大于0且小于或等于300奈米。在一些实施例中，显示设备20还可包括第一偏光片218与第二偏光片220，第一相位延迟膜214位于第一偏光片218与第一高分子基板104之间，且第二相位延迟膜216位于第二偏光片220与第二高分子基板206之间。
在一些实施例中，第一高分子基板104在每10微米的厚度下在CIE1931色彩空间的x坐标上具有0.002的色点变异，且在CIE 1931色彩空间的y坐标上具有0.003的色点变异。也就是说，当光线穿过10微米厚度的第一高分子基板104时，光线在CIE 1931色彩空间的x坐标值会增加0.002，且y坐标值会增加0.003。因此，为了降低第一高分子基板104的第一厚度x1的增加所造成的色偏，第一厚度x1具有上限值，举例来说，第一厚度x1小于或等于45微米。同样地，为了降低第二高分子基板206所造成的色偏，第二厚度x2也具有上限值，举例来说，第二厚度x2小于或等于45微米。
图7所示为本发明第三实施例的电子装置的剖视示意图，图8所示为本发明第三实施例的电子装置在弯曲时的剖视示意图，其中为清楚显示出各膜层的弯曲，且突起物单元与突起部在弯曲时会显得模糊，因此图8省略突起物单元与突起部，但不以此为限。本实施例的电子装置30与图5的电子装置20的差异在于，电子装置30的元件层包括黑色矩阵208以及彩色滤光层210，并于电子装置20的俯视方向VD上，用于设置元件层的第二高分子基板306的第二厚度x2大于第一高分子基板304的第一厚度x1，使得中性平面114可接近第二元件基板302或位于第二元件基板302中。举例来说，中性平面114可位于黑色矩阵208中，使得在电子装置30弯曲与未弯曲时，黑色矩阵208的开口大小的变化可被降低，进而降低漏光或相邻子像素的混光。举例来说，第一厚度x1与第二厚度x2可符合公式：0<(x2-x1)/x2≤0.9。(x2-x1)/x2可例如大于或等于0.7且小于或等于0.9。第一厚度x1与第二厚度x2可例如大于或等于约5微米且小于或等于约45微米。
于一些实施例中，第二高分子基板306也可包括多个突起物单元310，例如异物或悬浮微粒，设置于第二高分子基板306相对黑色矩阵208的另一表面。由于突起物单元310具有一定厚度，因此第二高分子基板306也可包括多个突起部306a，突起于其上表面。突起部306a的高度可定义为不具有突起部306a的下表面306s的平均高度与突起部306a的底部高度在电子装置30的俯视方向VD上的绝对值差值，其相关计算方式已于图1中的相关对应段落中说明过，因此不再赘述。通过增加第二高分子基板306的厚度，突起部306a突起的高度可被降低，以提高第二高分子基板306的下表面306s的平整度。于一些实施例中，彩色滤光层210的厚度可大于突起部306a的高度，因此彩色滤光层210可横跨突起部306a。举例来说，突起部306a的高度可例如小于2微米，但不限于此。
图9与图10所示分别为本发明第四实施例与第五实施例的电子装置的剖视示意图。为清楚显示突起物单元与对应的突起部，图9与图10显示单一元件基板，并省略元件基板中的元件层，其中图9与图10的元件基板以第一元件基板为例，但不以此为限。如图9所示，第四实施例的电子装置包括突起物单元110、第一高分子基板104以及无机层422，其中第一高分子基板104覆盖在突起物单元110上，无机层422覆盖在第一高分子基板104上。由于突起物单元110的缘故，第一高分子基板104包括突起部104a，突起于对应突起物单元110的上表面104s，且无机层422包括一突起部422a，突起于对应突起物单元110与突起部104a上的无机层422的上表面422s。无机层422包括无机材料，例如氧化硅、氮化硅或其组合。无机层422的突起部422a的最大宽度W1可小于突起物单元110的最大宽度W2，或突起部422a的最高高度H1可小于突起物单元110的最高高度H2。于一些实施例中，第一高分子基板104的突起部104a的最大宽度W3可介于突起物单元110的最大宽度W2与无机层422的突起部422a的最大宽度W1之间或大约等于无机层422的突起部422a的最大宽度W1，第一高分子基板104的突起部104a的最高高度H3可介于突起物单元110的最高高度H2与无机层422的突起部422a的最高宽度H1之间或大约等于无机层422的突起部422a的最高高度H1。
如图10所示，第五实施例的电子装置与第四实施例的电子装置的差异在于将无机层422置换为有机层522。由于有机层522包括有机材料，例如光阻材料、PFA或其他合适的有机材料，而具有流体特性，使得所形成的有机层522的上表面522s比无机层有较好的平整度，因此，有机层522的突起部522a的最大宽度W4可小于第四实施例的无机层422的突起部的最大宽度W1，或突起部522a的最高高度H4可小于第四实施例的无机层422的突起部的最高高度H1。有机层522的突起部522a的最大宽度W4与最高高度H4也可小于突起物单元110的最大宽度W2与最高高度H2。
以下将进一步描述本发明测量突起物单元与突起部的顶部高度的方式。请参考图11，所示为图9的俯视示意图，其中图11以第四实施例的无机层422为例，并省略元件基板中的元件层，但不以此为限。下述突起部422a的高度可例如以相同的参考水平为基准计算出点与参考水平之间的绝对值差值而获得。测量无机层422突起部422a的顶部高度的方式可包括定义出在俯视方向VD上经过突起部422a的至少三条虚拟线段，且三条虚拟线段都会经过突起部422a接近中心的位置(例如从中心向左与向右各自扩展宽度的六分之一的范围内，即位于宽度三分之一的中间区段内)，例如第一虚拟线段L1、第二虚拟线段L2与第三虚拟线段L3，然后在测量突起物单元110在每一条虚拟线段上的各别顶部水平与参考水平的绝对值差值后加总取平均(例如为(PH1+PH2+PH3)/3)，以获得突起部422a的顶部高度，例如将对应第一虚拟线段L1的第一顶部高度PH1、对应第二虚拟线段L2的第二顶部高度PH2与对应第三虚拟线段L3的第三顶部高度PH3加总之后取平均值。于一些实施例中，测量突起部422a的顶部高度的方式也可测量突起部422a在每一条虚拟线段上的各别顶部水平与参考水平的绝对值的差值与各别底部水平与参考水平的绝对值的差值，而底部水平与参考水平的绝对值的差值即为底部高度例如为第一底部高度PL1、第二底部高度PL2与第三底部高度PL3，然后各自计算每条虚拟线段的顶部高度与底部高度的平均值，再加总所有虚拟线段平均值之后取平均值(例如为[(PH1+PL1)/2+(PH2+PL2)/2+(PH3+PL3)/2]/3)，即可获得突起部422a的顶部高度。于一实施例中，突起部422a的底部高度排除突起部422a的边缘的高度。测量顶部高度与底部高度的仪器可例如为共轭焦显微镜(confocal microscope)。于一些实施例中，有机层的突起部的顶部高度也可通过上述方式测量出。第一高分子基板的突起部的顶部高度也可通过移除无机层或有机层以上述方式测量出。突起物单元的顶部高度可通过移除无机层或有机层以及第一高分子基板以上述方式测量出。
综上所述，在本发明的电子装置中，通过增加第一高分子基板的第一厚度或第二高分子基板的第二厚度，突起部突起的高度可被降低，以提高第一高分子基板或第二高分子基板的表面平整度，藉此可降低形成在第一高分子基板或第二高分子基板上的元件层的损坏，或者通过增加第一高分子基板的第一厚度或第二高分子基板的第二厚度可将中性平面调整至接近第一元件基板或第二元件基板或位于第一元件基板或第二元件基板中，藉此减少元件在弯曲时的损坏，或降低显示设备的显示不良的情况。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示设备，其特征在于，包括：
一第一高分子基板；
多个薄膜晶体管，设置于所述第一高分子基板上；
一第二高分子基板，与所述第一高分子基板相对设置；以及
一液晶层，设置于所述第一高分子基板与所述第二高分子基板之间；
其中所述第一高分子基板具有一第一厚度，所述第二高分子基板具有一第二厚度，且所述第一厚度大于所述第二厚度。
2.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一厚度x1与所述第二厚度x2符合公式：0<(x1-x2)/x1≤0.9。
3.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一厚度或所述第二厚度大于或等于5微米且小于或等于45微米。
4.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一高分子基板包括多个突起物单元，且所述突起物单元设置于所述第一高分子基板的一上表面下。
5.如权利要求4所述的显示设备，其特征在于，所述第一高分子基板还包括多个突起部，分别对应所述突起物单元的其中一个，且所述突起部突起于所述第一高分子基板的所述上表面，且所述显示设备包括一金属图案层，横跨所述突起部的其中一个。
6.如权利要求5所述的显示设备，其特征在于，所述金属图案层的厚度大于所述突起部的其中一个的高度。
7.如权利要求4所述的显示设备，其特征在于，还包括一无机层或一有机层，设置于所述第一高分子基板上，且所述无机层或所述有机层包括一突起部，其中所述突起部的宽度小于所述突起物单元的其中一个的宽度，且所述突起部的高度小于所述突起物单元的其中所述者的高度。
8.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，还包括一应力缓冲层，设置于所述薄膜晶体管与所述第一高分子基板之间。
9.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，还包括一透明光阻层，设置于所述薄膜晶体管与所述第一高分子基板之间。
10.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备具有一中性平面，所述中性平面与所述第一高分子基板的间距小于所述中性平面与所述第二高分子基板的间距。
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