[go: up one dir, main page]

CN111384078A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111384078A
CN111384078A CN201911326739.0A CN201911326739A CN111384078A CN 111384078 A CN111384078 A CN 111384078A CN 201911326739 A CN201911326739 A CN 201911326739A CN 111384078 A CN111384078 A CN 111384078A
Authority
CN
China
Prior art keywords
additional
display device
light emitting
substrate
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201911326739.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111384078B (zh
Inventor
田英浩
金京粲
姜玟圭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020190140778A external-priority patent/KR102661877B1/ko
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN111384078A publication Critical patent/CN111384078A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111384078B publication Critical patent/CN111384078B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H10H29/14Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
    • H10H29/142Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/411Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs characterised by materials, geometry or structure of the substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/441Interconnections, e.g. scanning lines
    • H10D86/443Interconnections, e.g. scanning lines adapted for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/857Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本公开内容涉及可伸缩显示装置。根据本公开内容的实施方式,可伸缩显示装置包括:下基板,该下基板包括:其中包括多个像素的多个第一区域;其中包括多条连接线的多个第二区域,连接线电连接多个第一区域中的相邻的第一区域;除了第一区域和第二区域以外的多个第三区域;分别设置在多个第三区域中的多个附加子像素;以及分别电连接至多个附加子像素的多个压电图案,其中多个第一区域中的相邻的第一区域彼此间隔开。该可伸缩显示装置可以在其被伸缩时抑制图像质量的劣化。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年12月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0171062号和于2019年11月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0140778号的优先权,其全部公开内容通过引用并入本文中,如同在本文中完全阐述的那样。
技术领域
本公开内容涉及显示装置,并且更具体地,涉及即使在伸缩时也可以具有改善的开口率和优异的图像质量的可伸缩显示装置。
背景技术
在计算机显示屏、电视机(TV)、移动电话等中使用的显示装置可以包括自身发光的有机发光显示器(OLED)或需要分立的光源的液晶显示器(LCD)。
越来越多的应用被发现用于这样的显示装置,包括计算机显示屏和电视机以及个人便携式装置。因此,正在进行研究,以开发具有更大的显示面积以及减小的体积和重量的显示装置。
近来,可伸缩显示装置作为下一代显示装置正在引起了关注。这些可伸缩显示装置可以通过在由诸如塑料的柔性材料制成的柔性基板上设置显示元件和线来制造,使得它们可以沿特定方向伸展和收缩并且可以改变成各种形状。
发明内容
即使弯曲或伸缩也能够显示图像的显示装置可以被称为可伸缩显示装置。可伸缩显示装置可以具有比现有的典型显示装置高的柔性。因此,可伸缩显示装置的形状可以根据用户的期望例如通过弯曲或伸缩而改变。例如,如果用户握住可伸缩显示装置的端部并拉动它,则可伸缩显示装置可能通过用户的力而被伸缩。替选地,当用户将可伸缩显示装置放置在不平坦的墙壁上时,可伸缩显示装置可以根据墙壁表面的轮廓而变形。另外,当由用户施加的力被去除时,可伸缩显示装置可以恢复到其原始形状。
这样的可伸缩显示装置可以被实现为具有刚性区域和柔性区域。显示元件可以设置在刚性区域中以发光,并且当外力施加至可伸缩显示装置时,柔性区域可以被伸缩。
如上面描述的,当可伸缩显示装置被伸缩时,可伸缩显示装置可能不会在显示装置的整个区域上被均匀地伸缩。相反,仅柔性区域可能被大幅伸缩。因此,当可伸缩显示装置被伸缩时,刚性区域之间的距离会增加,并且发光元件之间的距离也会相应地增加。结果,可伸缩显示装置中的发光区域的密度可能降低,并且图像质量可能劣化。因此,当可伸缩显示装置被伸缩时,用户觉察到的格子图案——也就是说,当亮度在发光元件之间的区域中下降时,用户视觉上识别出的不均匀的伪像,例如条特征——变得更加严重。另外,当可伸缩显示装置被伸缩时,屏幕可能沿伸缩方向下垂,并且显示在可伸缩显示装置上的图像的比例可能失真。
鉴于上述情况,本公开内容的发明人已经认识到可伸缩显示装置的这些具体问题,并且已经设计出新型的显示装置来改善这些问题。
因此,本公开内容涉及显示装置,其基本上消除了由于相关技术的局限和缺点而引起的一个或更多个问题。
本公开内容的目的是提供一种显示装置,其可以例如通过具有在下基板上设置多个发光元件的特定结构来抑制在显示装置被伸缩时图像质量的劣化。
本公开内容的另一个目的是提供一种显示装置,其可以例如通过具有在发光元件之间的柔性区域上设置多个发光元件的特定结构来减少在显示装置被伸缩时诸如格子图案的不均匀的伪像。
本公开内容的另外的优点和特征将在下面的描述中部分地阐述,并且部分地,这些优点和特征在阅读下文时对本领域普通技术人员将变得明显或可以从本公开内容的实践中获知。通过在所撰写的说明书及其权利要求书和附图中所具体指出的结构,可以实现和达成本公开内容的目的和其他优点。
根据本公开内容的一个方面,提供了一种可伸缩显示装置,其包括:下基板,所述下基板包括:其中包括多个子像素的多个第一区域;其中包括多条连接线的多个第二区域,连接线电连接多个第一区域中的相邻的第一区域;除了第一区域和第二区域以外的多个第三区域;分别设置在多个第三区域中的多个附加子像素;以及分别电连接至多个附加子像素的多个压电图案,其中多个第一区域中的相邻的第一区域彼此间隔开。该可伸缩显示装置可以在其被伸缩时抑制图像质量的劣化。
根据本公开内容的另一方面,提供了一种可伸缩显示装置,其包括:多个刚性板,所述多个刚性板包括设置在其上的多个发光元件并且彼此间隔开;多条连接线,其电连接在设置在多个刚性板中的相邻的刚性板上的焊盘之间;设置在刚性板和连接线下方的下基板;多个附加发光元件,其设置在下基板上并且与刚性板和连接线间隔开;以及多个压电图案,其分别电连接至多个附加发光元件并且在下基板变形时生成第一电压,其中,当下基板变形时,附加发光元件通过来自压电图案的第一电压而发光,以抑制观看者察觉到不均匀的伪像。
示例实施方式的其他详细事项包括在详细描述和附图中。
根据本公开内容的示例实施方式,通过在下基板的除了设置有多个岛基板和多条连接线的区域之外的区域中设置附加子像素,可以高效利用可伸缩显示装置的面积并且可以增加开口率。
根据本公开内容的示例实施方式,通过将附加子像素连接至与现有子像素被连接至的电路不同的电路,从而独立地驱动附加子像素和现有子像素,可以提高分辨率。
根据本公开内容的示例实施方式,通过在下基板的伪区域中设置附加像素,可以高效地利用给定面积从而增加发光区域的面积。
根据本公开内容的示例实施方式,通过在发光元件之间设置能够发光的多个附加发光元件的方式,可以补偿当可伸缩显示装置被伸缩时由于发光元件之间的距离增加而导致的亮度的降低。
根据本公开内容的示例实施方式,通过在多个岛基板之间的柔性区域上设置多个附加子像素,可以减少当可伸缩显示装置被伸缩时图像的失真和诸如格子图案的不均匀的伪像。
应当理解的是,本公开内容的前述一般描述和以下详细描述都是示例性的和说明性的,并且旨在提供对要求保护的本公开内容的进一步说明。
附图说明
附图被包括以提供对本公开内容的进一步理解,并且被并入本申请中而构成本申请的一部分的附图示出了本公开内容的实施方式,并且与描述一起用于解释各种原理。在附图中:
图1是根据本公开内容的示例实施方式的可伸缩显示装置的分解透视图。
图2是根据本公开内容的示例实施方式的可伸缩显示装置的放大平面图。
图3是根据本公开内容的示例实施方式的可伸缩显示装置的子像素和附加子像素的示意性截面图。
图4是根据本公开内容的另一示例实施方式的可伸缩显示装置的放大平面图。
图5是根据本公开内容的另一示例实施方式的可伸缩显示装置的子像素和附加子像素的示意性截面图。
图6是根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置的放大平面图。
图7是根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置的子像素和附加子像素的示意性截面图。
图8是根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置的放大平面图。
图9是根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置的附加子像素的示意性截面图。
图10A和图10B是示出制造根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置的处理步骤的图。
图11A和图11B是根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置的附加子像素的示意性平面图。
图12A和图12B是根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置的附加子像素的示意性截面图。
具体实施方式
现在将详细参照本公开内容的实施方式,其示例在附图中示出。在可能的情况下,在附图通篇中可以使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。
通过参照下面结合附图详细描述的示例实施方式,将清楚本公开内容的优点和特征以及实现所述优点和特征的方法。然而,本公开内容不限于本文中公开的示例实施方式,而是将以各种形式实现。示例实施方式仅被提供作为示例,使得本领域技术人员能够充分理解本公开内容和本公开内容的范围。因此,本公开内容仅由所附权利要求的范围来限定。
用于描述本公开内容的示例实施方式的附图中所示的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅是示例,并且本公开内容不限于此。在说明书通篇中,相同的附图标记通常表示相同的元件。此外,在本公开内容的下面的描述中,可以省略对已知的相关技术的详细说明以避免不必要地模糊本公开内容的主题。在本文中使用的诸如“包括”,“具有”和“由……组成”的术语通常旨在允许添加其他部件,除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明,否则对单数的任何引用可以包括复数。
即使没有明确说明,部件也被解释为包括普通的误差范围。
当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“邻近”的术语描述两个部件之间的位置关系时,除非使用术语“紧接”或“直接”,否则一个或更多个部分可以位于这两个部件之间。
当元件或层设置在另一元件或层“上”时,其他层或其他元件可以插入在它们之间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件,但这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分。因此,下面将要提到的第一部件可以是本公开内容的技术构思中的第二部件。
附图中所示的每个部件的尺寸和厚度是为了便于描述而示出的,并且本公开内容不限于所示部件的尺寸和厚度。
本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或完全地彼此结合或组合,并且可以以技术上不同的方式连结和操作,并且可以独立地或彼此相关联地实施这些实施方式。
在下文中,将参照附图详细描述根据本公开内容的示例实施方式的显示装置。
图1是根据本公开内容的示例实施方式的显示装置的分解透视图。参照图1,可伸缩显示装置100包括下基板110、多个岛基板111、多个连接基板CS、膜上芯片(COF)170、印刷电路板180、上基板160和偏振层190。在图1中,为了便于说明,未示出多个附加连接基板。
下基板110支承并保护可伸缩显示装置100的各种元件。下基板110可以由可被弯曲或伸缩成柔性基板的绝缘材料制成。例如,下基板110可以由包括诸如聚二甲硅氧烷(PDMS)和聚氨酯(PU)的硅橡胶的弹性体制成,并且因此可以具有柔性。然而,应当理解的是,下基板110的材料不限于此。
下基板110可以是柔性基板并且可以可逆地伸展和收缩。另外,弹性模量可以为几MPa至几百MPa,并且断裂伸长率可以为100%或更高。下基板110的厚度可以是但不限于10μm至1mm。
下基板110包括显示区域AA和围绕显示区域AA的非显示区域NA。显示区域AA是可伸缩显示装置100中的其中显示图像的区域,并且在显示区域AA中设置有多个发光元件140和用于驱动所述多个发光元件140的各种驱动元件。
非显示区域AA与显示区域AA相邻并围绕显示区域AA。在非显示区域NA中,不显示图像,并且可以形成线、电路部分等。例如,可以在非显示区域NA中设置多个焊盘。每个焊盘可以连接至显示区域AA中的发光元件140,或者连接至用于驱动发光元件140的驱动元件。
多个岛基板111设置在下基板110上。岛基板111可以是刚性板,并且在下基板110上彼此间隔开。岛基板111可以比下基板110更刚性。换句话说,下基板110可以比岛基板111更柔性。
作为刚性板的岛基板111可以由具有柔性的塑料材料制成,并且可以由例如聚酰亚胺(PI)、聚丙烯酸酯、聚乙酸酯等制成。
岛基板111的模量可以比下基板110的模量高。如本文中使用的,模量可以指弹性模量,其指示测量当压力被施加至基板时基板对弹性变形的抵抗的量。模量越高,硬度越高。因此,与下基板110相比,岛基板111可以是具有刚性的刚性板。岛基板111的模量可以是但不限于是下基板110的模量的1000倍大。
具有刚性的岛基板111可以布置在下基板110上,并且由于岛基板111,下基板110的与岛基板111交叠的部分可以被限定为刚性区域。由于仅存在下基板110,因此下基板110的不与岛基板111交叠的其他部分可以被限定为柔性区域。也就是说,下基板110的其中布置有岛基板111的部分可以被限定为刚性区域,而下基板110的其中未布置有岛基板111的其他部分可以被限定为柔性区域。由于岛基板111彼此间隔开,因此刚性区域也可以彼此间隔开。柔性区域可以围绕刚性区域。
在一些示例实施方式中,下基板110在刚性区域中的部分可以具有比在柔性区域中的部分高的模量。也就是说,下基板110的与岛基板111交叠的部分可以由具有与岛基板111的模量相似的模量的材料制成,而不与岛基板111交叠的部分可以由比岛基板111的模量低的模量的材料制成。
多个连接基板CS设置在岛基板111之间。连接基板CS将相邻的岛基板111彼此连接。连接基板CS可以与岛基板111一体地形成,但是本公开内容不限于此。
连接基板CS具有弯曲的形状。例如,如图1所示,连接基板CS可以具有正弦波形状。然而,应当理解的是,连接基板CS的形状不限于此。例如,连接基板CS可以以之字形状延伸,或者可以具有其顶点彼此连接的菱形边界的形状。图1中所示的连接基板CS的数目和形状是示例性的,并且连接基板CS的数目和形状可以进行各种改变,并且不限于此。
膜上芯片(COF)170是其中各种元件设置在具有柔性的基膜171上的膜。COF 170向显示区域AA中的多个发光元件140以及用于驱动发光元件140的各种驱动元件提供信号。COF 170可以接合至布置在非显示区域NA中的多个焊盘,并且可以通过焊盘向显示区域AA中的发光元件140和用于驱动发光元件140的各种驱动元件提供电源电压、数据电压、栅极电压等。COF 170可以包括基膜171和驱动器集成电路(IC)172,并且可以在COF170上设置各种其他元件。
基膜171是用于支承COF 170的驱动器IC 172的层。基膜171可以由绝缘材料例如具有柔性的绝缘材料制成。
驱动器IC 172是用于处理用于显示图像的数据并且用于处理所述数据的驱动信号的元件。尽管在图1中驱动器IC 172以COF的形式安装,但是应当理解的是,驱动器IC 172也可以以玻璃上芯片(COG)、带载封装(TCP)等形式安装。
在印刷电路板180上可以安装诸如IC芯片和电路的控制单元。在印刷电路板180上还可以安装存储器、处理器等。印刷电路板180从控制单元向显示区域AA发送用于驱动发光元件140的信号。印刷电路板180可以连接至COF 170,从而电连接至显示区域AA中的发光元件140和用于驱动发光元件140的驱动元件。
上基板160与下基板110交叠并且保护可伸缩显示装置100的各种元件。上基板160可以由可被弯曲或伸缩成柔性基板的绝缘材料制成。例如,上基板160可以由柔性材料制成,并且可以由与下基板110相同的材料制成,但是本公开内容不限于此。
偏振层190是用于抑制可伸缩显示装置100中的外部光的反射的元件,并且可以设置在上基板160上以与上基板160交叠。然而,应当理解的是,本公开内容不限于此。偏振层190可以设置在上基板160下方,或者可以根据可伸缩显示装置100的结构而被去除。
在下文中,将参照图2和图3更详细地描述根据本公开内容的示例实施方式的可伸缩显示装置100。
图2是根据本公开内容的示例实施方式的可伸缩显示装置的放大平面图。图3是根据本公开内容的示例实施方式的可伸缩显示装置的子像素和附加子像素的示意性截面图。
参照图2和图3,下基板110具有:其中设置有多个岛基板111的多个第一区域A1;其中设置有多条连接线150的多个第二区域A2;以及除了多个第一区域A1和多个第二区域A2以外其中还设置有多个附加子像素SPXA的多个第三区域A3。
在下基板110的第一区域A1中,分别设置有岛基板111。第一区域A1可以具有刚性。第一区域A1设置在下基板110上,使得它们彼此间隔开。例如,第一区域A1可以在下基板110上以矩阵形式布置,如图2所示。然而,应当理解的是,本公开内容不限于此。
参照图2,在第一区域A1的岛基板111上设置均包括多个子像素SPX的多个像素PX。在每个子像素SPX中,可以设置发光元件140和用于驱动发光元件140的各种驱动元件。每个子像素SPX可以连接至各种线。例如,每个子像素SPX可以连接至各种线,例如栅极线、数据线、高电压电源线、低电压电源线、参考电压线和公共线CL。
在下基板110上,第二区域A2被设置为使得第二区域A2与第一区域A1相邻。每个第二区域A2被设置在两个相邻的第一区域A1之间。因此,如图2所示,第二区域A2被设置在每个第一区域A1的上侧、下侧、左侧和右侧。在第二区域A2中,设置有多条连接线150和多个连接基板CS。第二区域A2具有柔性。第二区域A2被设置在下基板110上,使得第二区域A2彼此间隔开。例如,第二区域A2可以在下基板110上以矩阵布置,如图2所示。然而,应当理解的是,本公开内容不限于此。
在下基板110的第二区域A2中,设置有连接线150和连接基板CS。连接线150设置在连接基板CS上并且将岛基板111上的焊盘彼此电连接。例如,连接线150可以电连接设置在相邻的岛基板111上的焊盘。连接线150设置在在第一区域A1之间的第二区域A2上,以将岛基板111彼此电连接。
对于典型的显示装置,诸如栅极线和数据线的各种线在子像素SPX之间延伸。多个子像素SPX连接至单个信号线。因此,在典型的显示装置中,诸如栅极线、数据线、高电压电源线和参考电压线的线在基板上从显示装置的一侧无缝地延伸至另一侧。
相比之下,对于根据本公开内容的示例实施方式的可伸缩显示装置100,由金属制成的各种线,例如栅极线、数据线、高压电源线、低电压电源线、参考电压线和公共线CL仅设置在岛基板111上。也就是说,在根据本公开内容的示例实施方式的可伸缩显示装置100中,由金属制成的各种线仅设置在岛基板111上而不与下基板110接触。因此,由金属制成的各种线可以被图案化,使得它们仅设置在岛基板111上并且不连续地延伸。
在根据本公开内容的示例实施方式的可伸缩显示装置100中,连接线150可以设置在每两个相邻的岛基板111之间,以便将岛基板111上的不连续的线彼此连接。例如,连接线150连接至在两个相邻的岛基板111上的焊盘。在两个相邻的岛基板111上的诸如栅极线、数据线、高电压电源线、低电压电源线、参考电压线和公共线CL的各种线可以通过连接线150彼此电连接。
例如,可以在沿x轴方向彼此相邻设置的岛基板111上设置栅极线,并且可以在栅极线的两端处设置栅极焊盘GP。在沿x轴方向彼此相邻设置的岛基板111上的栅极焊盘GP可以通过用作栅极线的连接线150彼此连接。因此,设置在第一区域A1中的岛基板111上的栅极线和设置在第二区域A2中的连接线150可以用作单个栅极线。另外,可伸缩显示装置100中包括的每条线,例如数据线、高电压电源线、低电压电源线、参考电压线和公共线CL,也可以通过连接线150中的相应的连接线用作单个线。
连接线150设置在连接基板CS上。如上面参照图1描述的,连接基板CS具有弯曲的形状。因此,设置在连接基板CS上的连接线150可以具有与连接基板CS一样弯曲的形状。
连接线150可以由导电材料制成。连接线150可以由与设置在岛基板111上的各种导电元件相同的材料制成。例如,连接线150可以由但不限于金属材料制成。另外,连接线150可以包括基础聚合物和分散在该基础聚合物中的导电颗粒。
参照图2,连接线150包括第一连接线151和第二连接线152。
第一连接线151沿x轴方向延伸。每条第一连接线151可以连接沿x轴方向彼此相邻的两个岛基板111上的焊盘。第一连接线151可以用作但不限于是栅极线或低电压电源线等。例如,当第一连接线151用作栅极线时,它们可以电连接沿x轴方向彼此并排布置的两个岛基板111上的栅极焊盘GP。
第二连接线152沿y轴方向延伸。第二连接线152可以连接沿y轴方向彼此相邻的两个岛基板111上的焊盘。第二连接线152可以用作但不限于是数据线或高电压电源线等。例如,当第二连接线152用作数据线时,它们可以电连接沿y轴方向彼此并排布置的两个岛基板111上的数据焊盘。
参照图2,第三区域A3设置在在下基板110的被第一区域A1和第二区域A2围绕的部分上。第二区域A2可以设置在每个第三区域A3的上侧、下侧、右侧和左侧上,而第一区域A1可以沿四个对角线方向与每个第三区域A3相邻设置。
在下基板110的每个第三区域A3中,设置包括多个附加子像素SPXA的附加像素PXA。在附加子像素SPXA中,可以分别设置附加发光元件140A。附加子像素SPXA可以分别连接至附加连接线150A。
设置有从岛基板111延伸至附加子像素SPXA的附加连接基板CSA。附加连接基板CSA可以从第一区域A1延伸至第三区域A3。附加连接基板CSA将岛基板111与附加子像素SPXA连接。附加连接基板CSA可以与岛基板111一体地形成,但是本公开内容不限于此。
参照图3,附加连接基板CSA设置在与连接基板CS相同的平面上。因此,附加连接基板CSA上的附加连接线150A和连接基板CS上的连接线150也可以设置在相同的平面上。附加连接基板CSA和连接基板CS可以彼此不交叠,但是可以彼此间隔开。如果附加连接基板CSA与连接基板CS接触,则附加连接基板CSA上的附加连接线150A也可能与连接基板CS上的连接线150接触,这可能使可伸缩显示装置100的可靠性劣化。出于该原因,附加连接基板CSA可以与连接基板CS在同一平面上间隔开。
附加连接基板CSA具有弯曲的形状。例如,附加连接基板CSA可以像连接基板CS一样具有正弦波形状。然而,应当理解的是,附加连接基板CSA的形状不限于此。例如,附加连接基板CSA可以以之字形状延伸,或者例如可以具有其顶点彼此连接的菱形边界的形状。
附加连接线150A设置在附加连接基板CSA上。附加连接线150A可以将附加子像素SPXA与相应的子像素SPX电连接。例如,附加连接线150A可以将子像素SPX的驱动元件与附加子像素SPXA的附加发光元件140A电连接。附加连接线150A可以将在子像素SPX处的电压传输至各个附加子像素SPXA。
附加子像素SPXA相对于连接线150延伸的方向倾斜地取向。从岛基板111延伸至附加子像素SPXA的附加连接基板CSA和附加连接线150A也可以相对于连接线150延伸的方向倾斜地取向。
当可伸缩显示装置100被伸缩时,作为柔性区域的第三区域A3可以被伸缩。因此,当可伸缩显示装置100被伸缩时,外力可以被施加至设置在第三区域A3中的附加连接线150A和附加连接基板CSA。例如,当可伸缩显示装置100沿第一连接线151延伸的x轴方向伸缩时,外力可以被施加至附加连接线150A和附加连接基板CSA,使得它们沿x轴方向延伸。然而,由于附加连接线150A和附加连接基板CSA相对于x轴方向倾斜地取向,因此可以分散施加至附加连接线150A和附加连接基板CSA的外力。另外,当可伸缩显示装置100沿第二连接线152延伸的y轴方向伸缩时,外力可以被施加至附加连接线150A和附加连接基板CSA,使得它们沿y轴方向延伸。然而,由于附加连接线150A和附加连接基板CSA相对于y轴方向倾斜地取向,因此可以分散施加至附加连接线150A和附加连接基板CSA的外力。也就是说,通过设置附加连接线150A和附加连接基板CSA使得它们相对于x轴方向和y轴方向倾斜地取向,可以减小当可伸缩显示装置100被伸缩时施加至附加连接线150A和附加连接基板CSA的外力。另外,可以减小对附加连接线150A和附加连接基板CSA的损坏。
在下文中,将参照图3更详细地描述子像素SPX和附加子像素SPXA。
参照图3,在岛基板111上设置缓冲层112。缓冲层112设置在岛基板111上,用于保护可伸缩显示装置100的各种元件免受从下基板110和岛基板111的外部引入的水分和氧气的影响。缓冲层112可以由绝缘材料制成。缓冲层112可以由无机层的单层或多层构成,该无机层由例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)等制成。但是,在一些实施方式中,可以根据可伸缩显示装置100的结构或特性去除缓冲层112。
缓冲层112可以仅设置在岛基板111上。如上面描述的,由于缓冲层112可以由无机材料制成,因此其可能被损坏。例如,在可伸缩显示装置100被伸缩时,可能容易产生裂纹。
缓冲层112不设置在岛基板111之间,而是可以图案化成岛基板111的形状并且仅设置在岛基板111上。因此,在根据本公开内容的示例实施方式的可伸缩显示装置100中,通过仅在作为刚性板的岛基板111上设置缓冲层112,可以防止在可伸缩显示装置100因被弯曲或伸缩而变形时对缓冲层112的损坏。
在缓冲层112上设置包括第一栅电极122、第一有源层121、第一源电极123和第一漏电极124的第一晶体管120。
第一有源层121设置在缓冲层112上。在示例中,第一有源层121可以由氧化物半导体形成,或者可以由非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、有机半导体等形成。
在第一有源层121上设置栅极绝缘层113。栅极绝缘层113将第一栅电极122与第一有源层121电隔离,并且可以由绝缘材料制成。例如,栅极绝缘层113可以由作为无机材料的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层,或者氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的多层构成。然而,应当理解的是,本公开内容不限于此。
在栅极绝缘层113上设置第一栅电极122。第一栅电极122与第一有源层121交叠。第一栅电极122可以由但不限于包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的各种金属材料中的一种、其中两种或更多种金属的合金,或它们的多层形成。
在第一栅电极122上设置层间电介质层114。层间电介质层114使第一栅电极122与第一源电极123和第一漏电极124绝缘,并且可以由像缓冲层112一样的无机材料制成。例如,层间电介质层114可以由作为无机材料的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层或者氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的多层构成。然而,应当理解的是,本公开内容不限于此。
在层间电介质层114上设置与第一有源层121接触的第一源电极123和第一漏电极124。第一源电极123与第一漏电极124在同一层上间隔开。第一源电极123和第一漏电极124可以通过与第一有源层121接触而电连接至第一有源层121。第一源电极123和第一漏电极124可以由但不限于包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的各种金属材料中的一种、其中两种或更多种金属的合金或它们的多层形成。
栅极绝缘层113和层间电介质层114可以被图案化,使得它们仅设置在岛基板111上。栅极绝缘层113和层间电介质层114也可以由像缓冲层112一样的无机材料制成。因此,栅极绝缘层113和层间电介质层114可能被损坏——例如,当可伸缩显示装置100被伸缩时,可能容易产生裂纹。因此,栅极绝缘层113和层间电介质层114不设置在岛基板111之间,而是可以图案化成岛基板111的形状并且仅设置在岛基板111上。
尽管为了便于说明,在图3中仅示出了作为可伸缩显示装置100中包括的各种晶体管中的驱动晶体管的第一晶体管120,但是应当理解的是,在显示装置中可以包括开关晶体管、电容器等。另外,尽管在本文中第一晶体管120具有共面结构,但是也可以采用具有例如交错结构的其他薄膜晶体管。
参照图3,在栅极绝缘层113上设置栅极焊盘GP。栅极焊盘GP是用于将栅极信号传送至子像素SPX的焊盘。栅焊盘GP可以由与第一栅电极122相同的材料制成,但是本公开内容不限于此。
栅极焊盘GP可以将栅极信号从用作栅极线的连接线150传输至子像素SPX。栅极焊盘GP连接至连接线150并且将栅极信号传输至子像素SPX。
连接线150与缓冲层112、栅极绝缘层113和层间电介质层114的侧面接触,并且从连接基板CS的上表面延伸至层间电介质层114的上表面。连接线150可以通过层间电介质层114的接触孔与栅极焊盘GP接触。因此,连接线150电连接至栅极焊盘GP并且可以将栅极信号传送至栅极焊盘GP。
在层间电介质层114上设置公共线CL。公共线CL可以将公共电压施加至子像素SPX。公共线CL可以由但不限于与第一晶体管120的第一源电极123和第一漏电极124相同的材料制成。
在第一晶体管120、公共线CL和层间电介质层114上方设置平坦化层115。平坦化层115可以在均包括第一晶体管120的岛基板111上方提供平坦表面,或者可以在发光元件140下方提供平坦表面。平坦化层115可以是单层或多层并且可以由有机材料制成。例如,平坦化层115可以由但不限于基于丙烯酸的有机材料制成。平坦化层115可以包括:用于电连接第一晶体管120与发光元件140的接触孔;用于电连接栅极焊盘GP与连接焊盘的接触孔;以及用于电连接公共线CL与发光元件140的接触孔。
在一些示例实施方式中,可以在第一晶体管120与平坦化层115之间形成钝化层。也就是说,可以形成覆盖第一晶体管120的钝化层以保护第一晶体管120免受水分、氧气等的渗透。钝化层可以由无机材料制成并且可以由单层或多层构成,但是本公开内容不限于此。
在平坦化层115上设置第一焊盘131和第二焊盘132。第一焊盘131是电连接第一晶体管120与发光元件140的电极。第一焊盘131可以设置在平坦化层115上并且可以与发光元件140接触。第一焊盘131可以通过形成在平坦化层115中的接触孔与第一晶体管120的第一漏电极124接触。因此,发光元件140可以通过第一焊盘131电连接至第一晶体管120的第一漏电极124。根据第一晶体管120的类型,第一焊盘131可以替代地连接至第一晶体管120的第一源电极123,但是本公开内容不限于此。
第二焊盘132是电连接发光元件140与公共线CL的电极。第二焊盘132可以设置在平坦化层115上以与发光元件140接触。第二焊盘132可以通过形成在平坦化层115中的接触孔与公共线CL接触。因此,发光元件140可以通过第二焊盘132电连接至公共线CL。
在第一焊盘131、第二焊盘132和平坦化层115上设置堤部116。堤部116可以包括黑色材料,以便防止从发光元件140发射的光被透射至相邻的子像素SPX,使得光混合。堤部116可以由有机绝缘材料制成,并且可以由与平坦化层115相同的材料制成。例如,堤部116可以由但不限于丙烯酸基树脂、苯并环丁烯(BCB)基树脂或聚酰亚胺制成。
在第一焊盘131、第二焊盘132和平坦化层115上设置发光元件140。发光元件140设置在每个子像素SPX中并且发射特定波长范围内的光。例如,发光元件140可以是但不限于发射蓝色光的蓝色发光元件140、发射红色光的红色发光元件140或发射绿色光的绿色发光元件140。
发光元件140可以根据可伸缩显示装置100的类型而被不同地限定。当可伸缩显示装置100是有机发光可伸缩显示装置时,发光元件140可以是包括阳极、有机发射层142和阴极的有机发光元件140。当可伸缩显示装置100是无机发光可伸缩显示装置时,发光元件140可以是包括n型半导体层、发射层和p型半导体层的发光二极管(LED),在示例中,n型半导体层、发射层和p型半导体层形成微型发光二极管(微型LED)。在下面的描述中,采用微型LED作为发光元件140的示例,发光元件140是无机发光器件140。然而,应当理解的是,有机发光元件也可以用作有机发光元件140。
发光元件140包括第一半导体层141、发射层142、第二半导体层143、第一电极144和第二电极145。在下面的描述中,为了便于说明,采用具有倒装结构的微型LED作为发光元件140。然而,应当理解的是,可以采用例如具有横向或垂直结构的微型LED作为发光元件140。
第一电极144设置在第一焊盘131上,并且第二电极145设置在第二焊盘132上。第一电极144和第二电极145分别电连接至第一焊盘131和第二焊盘132。第一电极144可以将电压从第一晶体管120的漏电极传输至第一半导体层141,并且第二电极145可以将电压从公共线CL转移至第二半导体层143。
在第一焊盘131与发光元件140之间以及在第二焊盘132与发光元件140之间设置多个接合图案BP。多个接合图案BP是用于将多个发光元件140接合至第一焊盘131和第二焊盘132上的介质。例如,多个接合图案BP可以是但不限于金(Au)凸块或焊料凸块。
接合图案BP包括第一接合图案BP1和第二接合图案BP2。第一接合图案BP1设置在第一焊盘131与第一电极144之间,并且第二接合图案BP2设置在第二焊盘132与第二电极145之间。发光元件140可以分别通过设置在第一电极144与第一焊盘131之间以及在第二电极145与第二焊盘132之间的接合图案BP接合至岛基板111上。另外,设置在第二电极145与第二焊盘132之间的第二接合图案BP2可以补偿发光元件140的第二电极145与第二焊盘132之间的阶梯差。
第一半导体层141设置在第一电极144上,并且第二半导体层143设置在第一半导体层141上。可以通过将n型杂质或p型杂质注入至氮化镓(GaN)中来形成第一半导体层141和第二半导体层143。例如,第一半导体层141可以是通过将p型杂质注入至氮化镓中而形成的p型半导体层,并且第二半导体层143可以是通过将n型杂质注入至氮化镓中而形成的n型半导体层。p型杂质可以是但不限于镁(Mg)、锌(Zn)、铍(Be)等。n型杂质可以是但不限于硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)等。
发射层142设置在第一半导体层141与第二半导体层143之间。发射层142可以从第一半导体层141和第二半导体层143接收空穴和电子以发光。发射层142可以由单层或多量子阱(MQW)结构构成。例如,发射层142可以由但不限于氮化铟镓(InGaN)或氮化镓(GaN)制成。
第二半导体层143的一部分从发射层142和第一半导体层141向外突出。换句话说,发射层142和第一半导体层141可以小于第二半导体层143,使得第二半导体层143的下表面露出。第二半导体层143可以从发射层142和第一半导体层141露出,以便电连接至第二焊盘132。
参照图3,在下基板110上设置从下基板110的第一区域A1延伸至第三区域A3的附加连接基板CSA和附加连接线150A。附加连接线150A可以是岛基板111的第一晶体管120的第一漏电极124的延伸部分。附加连接线150A可以从下基板110的第一区域A1中的第一漏电极124延伸至第三区域A3。因此,附加连接线150A可以电连接至下基板110的第一晶体管120的第一漏电极124,并且可以将电压从第一漏电极124传输至连接至附加连接线150A的附加发光元件140A。然而,应当理解的是,本公开内容不限于此。附加连接线150A可以设置在与第一晶体管120的第一漏电极124不同的层上,并且可以由不同的材料制成。例如,附加连接线150A可以设置在与第一焊盘131、第一栅电极122等相同的层上,并且可以由与第一焊盘131、第一栅电极122等相同的材料制成。
在下基板110的第三区域A3中设置多个压电图案PP。例如,压电图案PP设置成邻近于附加连接基板CSA的端部。在第三区域A3中的下基板110中形成有多个凹槽,并且压电图案PP布置在凹槽中。
如果将压电图案PP设置在下基板110的上表面上,则在可伸缩显示装置100被伸缩时应力会施加至压电图案PP,使得压电图案PP可能断裂、剥离或飞散。因此,压电图案PP设置在凹槽中,从而在可伸缩显示装置100被伸缩时抑制压电图案PP的破裂、剥离和飞散。
压电图案PP是将机械能转换成电能的元件。例如,当外力,即应力被施加至压电图案PP时,可以从压电图案PP生成电压。
由于压电图案PP设置在作为柔性区域的第三区域A3中的下基板110的凹槽中,因此当可伸缩显示装置100被伸缩时外力可以被施加至下基板110和位于下基板110上的压电图案PP。当可伸缩显示装置100被伸缩时,来自外力的机械能被施加至压电图案PP,并且可以从压电图案PP产生电能。因此,当可伸缩显示装置100被伸缩时,外力,例如应力可以被施加至压电图案PP,以生成电压。
当应力被施加至压电图案PP时,从压电图案PP生成的电压可以在施加应力之后立即暂时地具有最大值,并且然后电压此后可以下降并且收敛至特定电压。例如,当应力被施加至压电图案PP时,可以从压电图案PP立即生成最大电压。在生成最大电压之后,所生成的电压可能急剧下降。从压电图案PP生成的电压值可能不会连续降低,而是可以收敛至特定电压值。从压电图案PP生成的电压最终收敛至的电压值可以被限定为第一电压。因此,当应力被施加至压电图案PP时,可以从压电图案PP生成第一电压。
当从压电图案PP去除应力时,从压电图案PP生成的电压可以在去除应力之后立即具有相反极性的最大值,并且此后可以变为浮置。例如,当从压电图案PP去除应力时,可以从压电图案PP立即生成最大电压。这样生成的最大电压的极性可以与在应力被施加至压电图案PP之后立即生成的最大电压的极性相反。然后,压电图案PP可以浮置。因此,当应力不被施加至压电图案PP时,压电图案PP可以浮置。
综上,当可伸缩显示装置100不被伸缩时,由于没有机械能,即应力被施加至压电图案PP,因此压电图案PP可以浮置。另一方面,当可伸缩显示装置100被伸缩时,由于机械能,即应力被施加至压电图案PP,因此压电图案PP可以生成第一电压。
从压电图案PP生成的最大电压可以与压电图案PP的尺寸成比例。例如,当压电图案PP的长度为约2cm时,从压电图案PP生成的最大电压可以为约8V。当设置在压电图案PP上的附加发光元件140A的长度为约500μm并且压电图案PP的长度等于附加发光元件140A的长度时,从压电图案PP生成的最大电压可以为约0.2V。例如,如上面描述的,当压电图案PP的长度为2cm时,最大电压为8V,并且当压电图案PP的长度为500μm时,最大电压为0.2V,最大电压随着长度的减小而减小。
因此,根据该示例,如上面描述的,压电图案PP的最大电压为约0.2V,并且第一电压为0V。因此,最大电压与第一电压之间的差可极小。因此,附加发光元件140A不仅可以在在压电图案PP中生成第一电压时发光,而且还在最大电压收敛至第一电压时段期间发光。也就是说,附加发光元件140A可以在可伸缩显示装置100被伸缩时同时发光,而不是在可伸缩显示装置100被伸缩之后发光。因此,附加发光元件140A可以在可伸缩显示装置100被伸缩时无延迟地补偿亮度的降低。
附加发光元件140A设置在下基板110的第三区域A3中。附加发光元件140A设置在附加连接基板CSA、附加连接线150A和压电图案PP上。附加发光元件140A设置在每个附加子像素SPXA中,并且发射部分波长范围内的光。附加发光元件140A可以与设置在每个子像素SPX中的元件140基本相同。
附加发光元件140A包括第一附加半导体层141A、附加发射层142A、第二附加半导体层143A、第一附加电极144A和第二附加电极145A。
第一附加电极144A设置在附加连接线150A的一个端部上,并且第二附加电极145A设置在压电图案PP上。第一附加电极144A和第二附加电极145A分别电连接至附加连接线150A和压电图案PP。第一附加电极144A可以将电压从第一晶体管120的第一漏电极124传输至第一附加半导体层141A。当应力被施加至压电图案PP时,第二附加电极145A可以将第一电压从压电图案PP传输至第二附加半导体层143A。
在第一附加电极144A与附加连接线150A之间以及在第二附加电极145A与压电图案PP之间设置多个附加接合图案BPA。附加接合图案BPA是用于将附加发光元件140A接合至附加连接线150A和压电图案PP上的介质。例如,附加接合图案BPA可以是但不限于金(Au)凸块或焊料凸块。
附加接合图案BPA包括第一附加接合图案BP1A和第二附加接合图案BP2A。第一附加接合图案BP1A设置在附加连接线150A与第一附加电极144A之间,并且第二附加接合图案BP2A设置在压电图案PP与第二附加电极145A之间。附加发光元件140A可以经由附加接合图案BPA接合至下基板110的第三区域A3上。另外,第二附加接合图案BP2A可以补偿第二附加电极145A与压电图案PP之间的阶梯差。
另一方面,设置在第二附加电极145A与压电图案PP之间的第二附加接合图案BP2A不仅电连接压电图案PP与第二附加电极145A,而且包括与压电图案PP相同的材料,以在施加应力时向附加发光元件140A提供电压。
第一附加半导体层141A设置在第一附加电极144A上,并且第二附加半导体层143A设置在第一附加半导体层141A上。可以通过将n型杂质或p型杂质注入至氮化镓(GaN)中来形成第一附加半导体层141A和第二附加半导体层143A。例如,第一附加半导体层141A可以是通过将p型杂质注入至氮化镓中而形成的p型半导体层,并且第二附加半导体层143A可以是通过将n型杂质注入至氮化镓中而形成的n型半导体层。p型杂质可以是但不限于镁(Mg)、锌(Zn)、铍(Be)等。n型杂质可以是但不限于硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)等。
附加发射层142A设置在第一附加半导体层141A与第二附加半导体层143A之间。附加发射层142A可以从第一附加半导体层141A和第二附加半导体层143A接收空穴和电子以发光。附加发射层142A可以由单层或多量子阱(MQW)结构构成。例如,附加发射层142A可以由但不限于氮化铟镓(InGaN)或氮化镓(GaN)制成。
第二附加半导体层143A的一部分从附加发射层142A和第一附加半导体层141A向外突出。换句话说,附加发射层142A和第一附加半导体层141A可以小于第二附加半导体层143A,使得第二附加半导体层143A的下表面露出。第二附加半导体层143A可以从附加发射层142A和第一附加半导体层141A露出,以电连接至压电图案PP。
当可伸缩显示装置100开启时,岛基板111上的发光元件140可以开启。例如,可以将不同电平的电压施加至电连接至发光元件140的第一晶体管120的第一漏电极124和公共线CL。来自第一晶体管120的第一漏电极124的电压可以被施加至发光元件140的第一电极144,并且来自公共线CL的公共电压可以被施加至第二电极145。当不同电平的电压被施加至发光元件140的第一电极144和第二电极145时,电流流过发射层142,使得发光元件140可以发光。
连接至第一区域A1中的岛基板111上的每个发光元件140的第一晶体管120的第一漏电极124还可以电连接至沿对角线方向与第一区域A1相邻的第三区域A3上的每个附加发光元件140A。岛基板111上的发光元件140和第三区域A3中的附加发光元件140A可以电连接至同一第一晶体管120的第一漏电极124。也就是说,一个发光元件140和一个附加发光元件140A可以电连接至一个第一晶体管120的第一漏电极124。因此,当来自第一晶体管120的第一漏电极124的电压被施加至发光元件140的第一电极144以从发光元件140发光时,也可以将相同的电压同时施加至附加发光元件140A的第一附加电极144A。
然而,即使将来自第一漏电极124的电压施加至第一附加电极144A,附加发光元件140A也仅能够在足以驱动附加发光元件140A的高电压被施加至第二附加电极145A使得电流流过附加发射层142A的情况下发光。
如上面描述的,附加发光元件140A的第二附加电极145A电连接至每个压电图案PP。如果将在可伸缩显示装置100被伸缩时产生的外力施加至压电图案PP,则可以从压电图案PP生成第一电压。因此,当与附加发光元件140A相关联的发光元件140发光时,如果在可伸缩显示装置100被伸缩时从压电图案PP生成第一电压,则附加发光元件140A也可以与发光元件140一起发光。因此,当可伸缩显示装置100被伸缩时,在发光元件中与发光元件140相关联的附加发光元件140A也可以发光。
从压电图案PP生成的第一电压可以是与第一漏电极124的电压不同电平的电压。例如,第一电压可以为0V。
参照图3,在下基板110的上方设置上基板160。例如,上基板160设置在下基板110的发光元件140和附加发光元件140A的上方。上基板160支承设置在其下方的各种元件。上基板160可以由可被弯曲或伸缩成柔性基板绝缘材料制成。上基板160可以是柔性基板并且可以可逆地伸展和收缩。另外,上基板160的弹性模量可以为几MPa至几百MPa,并且断裂伸长率可以为100%或更高。上基板160的厚度可以是但不限于10μm至1mm。
上基板160可以由与下基板110相同的材料制成。例如,上基板160可以由包括诸如聚二甲基硅氧烷(PDMS)和聚氨酯(PU)的硅橡胶的弹性体制成,并且因此可以具有柔性。然而,应当理解的是,上基板160的材料不限于此。
通过将上基板160压靠在下基板110上,上基板160和下基板110可以通过设置在上基板160下方的粘合层117附接在一起。但是,应当理解的是,本公开内容不限于此。在一些实现方式中,可以去除粘合剂层117。
在上基板160上设置偏振层190。偏振层190可以使从可伸缩显示装置100的外部入射的光偏振。已经穿过偏振层190并且入射至可伸缩显示装置100中的偏振光可以在可伸缩显示装置100内部反射,并且相位可以相应地偏移。由于光的相位偏移,因此光不会穿过偏振层190。因此,从可伸缩显示装置100的外部入射至可伸缩显示装置100的内部的光不能逸出可伸缩显示装置100的外部,并且因此可以减少外部光的反射。
在根据本公开内容的示例实施方式的可伸缩显示装置100中,附加像素PXA设置在第三区域A3中,第三区域A3是下基板110的没有功能的虚设部分,例如,除了其中设置有岛基板111的第一区域A1和其中设置有连接线150的第二区域A2之外的区域。通过这样做,可以高效地利用可伸缩显示装置100的第三区域A3,并且可以提高可伸缩显示装置100的开口率。例如,通过在可伸缩显示装置100中设置附加像素PXA,可以增加开口率,如图2所示。因此,根据本公开内容的示例实施方式的可伸缩显示装置100的亮度也可以提高。
在根据本公开内容的示例实施方式的可伸缩显示装置100中,设置在岛基板111上的第一晶体管120被像素PX和附加像素PXA共享,使得附加像素PXA可以容易地被操作。在驱动第一晶体管120使得发光元件140发光的同时,连接至同一第一晶体管120的附加发光元件140A可以在可伸缩显示装置100被伸缩时同时发光。以这种方式,在根据本公开内容的示例实施方式的可伸缩显示装置100中,发光元件140和附加发光元件140A共享设置在每个岛基板111上的同一第一晶体管120,并且因此附加发光元件140A可以容易地发光而无需任何附加的电路。另外,可以提高可伸缩显示装置100的开口率。
另外,在根据本公开内容的示例实施方式的可伸缩显示装置100中,附加像素PXA形成在第三区域A3中,并且可以抑制图像质量的劣化和不均匀的伪像,例如当可伸缩显示装置100被伸缩时可伸缩显示装置100的格子图案。例如,电压从第一晶体管120的第一漏电极124施加至附加发光元件140A的第一附加电极144A,但是压电图案PP浮置,并且因此没有分立的电压被施加至第二附加电极145A。因此,当在可伸缩显示装置100未被伸缩的情况下岛基板111之间的距离处于最小时,岛基板111之间的附加发光元件140A不发光,并且仅岛基板111上的发光元件140可以发光。另一方面,当可伸缩显示装置100被伸缩时,岛基板111之间的区域被伸缩,使得岛基板111之间的距离可以较之其被伸缩之前增大。因此,当可伸缩显示装置100被伸缩时,岛基板111之间的区域中的亮度降低,使得可以察觉到诸如格子图案的不均匀的伪像,并且图像质量可能劣化。因此,当可伸缩显示装置100被伸缩时,根据本公开内容的示例实施方式的可伸缩显示装置100可以驱动连接至同一第一晶体管120的发光元件140和附加发光元件140A。例如,当可伸缩显示装置100被伸缩并且一个发光元件140被第一晶体管120驱动时,来自第一晶体管120的第一漏电极124的电压被施加至连接至同一第一晶体管120的附加发光元件140A的第一附加电极144A,并且通过应力在压电图案PP中生成的第一电压被施加至第二附加电极145A。因此,当可伸缩显示装置100被伸缩并且岛基板111之间的距离增加时,岛基板111之间的附加发光元件140A发光,使得可以补偿由于发光元件140之间的距离增加而引起的亮度降低。也就是说,当可伸缩显示装置100被伸缩时,附加发光元件140A补偿发光元件140之间增加的距离,使得发光元件140之间的距离看起来正常。因此,在根据本公开内容的示例实施方式的可伸缩显示装置100中,可以抑制当可伸缩显示装置100被伸缩时图像的失真并且减少诸如格子图案的不均匀的伪像。
图4是根据本公开内容的另一示例实施方式的可伸缩显示装置的放大平面图。图5是根据本公开内容的另一示例实施方式的可伸缩显示装置的子像素和附加子像素的示意性截面图。根据图4和图5中所示的示例实施方式的可伸缩显示装置400可以与图1至图3所示的可伸缩显示装置100基本相同,除了附加连接线450A不同并且还包括附加绝缘层418和附加线LL之外。因此,将省略冗余的描述。
参照图4和图5,附加线LL设置在层间电介质层114上。附加线LL可以由但不限于与第一晶体管120的第一源电极123和第一漏电极124相同的材料制成。
附加线LL设置在岛基板111上,并且可以将各种信号传输至子像素SPX。附加线LL可以是但不限于栅极线、数据线、高电压电源线、低电压电源线、参考电压线、公共线CL等。
附加绝缘层418设置在附加线LL上以覆盖附加线LL。附加绝缘层418可以设置成覆盖第一漏电极124和附加线LL。附加绝缘层418可以延伸至岛基板111的外部,并且可以覆盖附加连接基板CSA。附加绝缘层418可以包括用于电连接第一晶体管120的第一漏电极124与附加连接线450A的接触孔。
由于附加绝缘层418可以由绝缘材料制成并且延伸至作为柔性区域的第三区域A3中的附加连接基板CSA,因此附加绝缘层418可以由具有柔性的绝缘材料制成。例如,附加绝缘层418可以由与岛基板111和附加连接基板CSA相同的材料制成,但是本公开内容不限于此。
尽管在图5所示的示例中附加绝缘层418延伸至岛基板111的外部,但是附加绝缘层418可以仅设置在岛基板111上。在这种情况下,附加绝缘层418可以由但不限于作为具有绝缘特性的无机材料的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层,或者氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的多层构成。
附加连接线450A设置在附加绝缘层418上。附加连接线450A设置在附加绝缘层418的上表面上,并且从岛基板111延伸至第三区域A3。附加连接线450A可以通过附加绝缘层418的接触孔与第一漏电极124接触,并且附加连接线450A可以电连接至第一漏电极124。延伸至第三区域A3的附加连接线450A的一个端部可以通过多个附加接合图案BPA电连接至第三区域A3中的附加发光元件140A的第一附加电极144A。因此,附加连接线450A可以将电压从岛基板111上的第一晶体管120的第一漏电极124传输至第三区域A3的附加发光元件140A。
在根据本公开内容的另一示例实施方式的可伸缩显示装置400中,附加绝缘层418设置在在岛基板111上设置的线与从岛基板111延伸至第三区域A3的附加连接线450A之间,使得可以防止在线与附加连接线450A之间形成短路。由金属材料制成的各种线仅设置在岛基板111上。例如,各种线例如栅极线、数据线、高电压电源线、低电压电源线、参考电压线和公共线CL可以仅设置在岛基板111上。另外,附加连接线450A可以电连接至岛基板111上的第一晶体管120的第一漏电极124,以将电压从第一晶体管120传输至附加发光元件140A。在岛基板111的各种线中,线可以设置在与第一晶体管120的第一漏电极124相同的平面上。例如,第一漏电极124和附加线LL可以设置在相同的平面上。因此,可以进一步设置附加绝缘层418以覆盖附加线LL,使得从第一漏电极124延伸至岛基板111的外部的附加连接线450A不与附加线LL接触。附加绝缘层418可以从岛基板111向附加连接基板CSA设置,从而使从第一漏电极124延伸至岛基板111的外部的附加连接线450A与岛基板111上的各种线绝缘。附加绝缘层418可以由绝缘材料制成,并且可以由与例如岛基板111和附加连接基板CSA相同的材料制成。因此,在根据本公开内容的另一示例实施方式的可伸缩显示装置400中,岛基板111上的各种线与从岛基板111延伸至第三区域A3的附加连接线450A绝缘,从而提高了可伸缩显示装置400的可靠性。
图6是根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置的放大平面图。图7是根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置的子像素和附加子像素的示意性截面图。根据图6和图7中所示的示例实施方式的可伸缩显示装置600可以与图1至图3中所示的可伸缩显示装置100基本相同,除了前者还包括第二晶体管620之外。因此,将省略冗余的描述。
参照图6和图7,第二晶体管620设置在各个岛基板111上。每个第二晶体管620包括第二有源层621、第二栅电极622、第二源电极623和第二漏电极624。
首先,第二有源层621设置在缓冲层112上。例如,第二有源层621可以由氧化物半导体形成或者可以由非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、有机半导体等形成。
栅极绝缘层113设置在第二有源层621上。栅极绝缘层113将第二栅电极622与第二有源层621电隔离,并且可以由绝缘材料制成。例如,栅极绝缘层113可以由作为无机材料的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层或氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的多层构成。然而,应当理解的是,本公开内容不限于此。
第二栅电极622设置在栅极绝缘层113上。第二栅电极622与第二有源层621交叠。第二栅电极622可以由但不限于包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的各种金属材料中的一种、其中两种金属或更多种金属的合金、或它们的多层形成。
层间电介质层114设置在第二栅电极622上。层间电介质层114使第二栅电极622与第二源电极623和第二漏电极624绝缘,并且可以由像缓冲层112一样的无机材料制成。例如,层间电介质层114可以由作为无机材料的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层或氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的多层构成。然而,应当理解的是,本公开内容不限于此。
与第二有源层621接触的第二源电极623和第二漏电极624设置在层间电介质层114上。第二源电极623与第二漏电极624在同一层上间隔开。第二源电极623和第二漏电极624可以通过与第二有源层621接触而电连接至第二有源层621。第二源电极623和第二漏电极624可以由但不限于包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的各种金属材料中的一种、其中两种金属或更多种金属的合金或它们的多层形成。
从第一区域A1中的岛基板111延伸至第三区域A3的附加连接基板CSA和附加连接线150A设置在下基板110上。附加连接线150A可以从岛基板111上的第二晶体管620的第二漏电极624延伸至第三区域A3。附加连接线150A可以与第二漏电极624一体地形成,并且可以延伸至第三区域A3。因此,附加连接线150A可以电连接至第二晶体管620的第二漏电极624,并且可以将电压从第二漏电极624传输至连接至附加连接线150的附加发光元件140A。
第一晶体管120和第二晶体管620可以单独地操作。例如,可以将来自不同线的电压施加至第一晶体管120的第一源电极123和第二晶体管620的第二源电极623。通过施加到第一源电极123的电压,可以将电压施加至第一漏电极124和发光元件140的第一电极144。通过施加至第二源电极623的电压,可以将电压施加至第二漏电极624和附加发光元件140A的第一附加电极144A。到发光元件140的第二电极145的公共电压和来自附加发光元件140A的第二附加电极145A的第一电压可以具有固定值。因此,通过调节施加至第一晶体管120的第一源电极123和第二晶体管620的第二源电极623的电压,可以控制从发光元件140和附加发光元件140A中的每个发射的光的亮度。
根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置600的附加子像素SPXA可以独立于设置在岛基板111上的子像素SPX而被驱动。例如,岛基板111上的发光元件140可以电连接至第一晶体管120的第一漏电极124以接收来自第一漏电极124的电压。因此,岛基板111上的发光元件140可以通过接收来自第一晶体管120的电压而被驱动,并且第三区域A3上的附加发光元件140A可以通过接收来自第二晶体管620的电压而被驱动。以这种方式,在根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置600中,子像素SPX和附加子像素SPXA被独立驱动以提高分辨率。另外,当可伸缩显示装置600被伸缩时,附加子像素SPXA可以被选择性地驱动以改善显示图像的质量。
根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置600可以减小附加子像素SPXA与子像素SPX之间的亮度差。施加至附加发光元件140A的第二附加电极145A的第一电压和施加至发光元件140的第二电极145的公共电压可以具有相同的值或不同的值。如果在第一电压与公共电压之间存在电平差并且相同的电压被施加至第一晶体管120和第二晶体管620,则发光元件140与附加发光元件140A之间可能存在亮度差。鉴于以上描述,在根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置600中,即使在第一电压与公共电压之间存在电平差,通过调节施加至第一晶体管120和第二晶体管620的电压,仍可以减小发光元件140与附加发光元件140A之间的亮度差。例如,在施加至发光元件140的第二电极145的公共电压固定的情况下,通过调节从第一晶体管120施加至发光元件140的第一电极144的电压,可以调节第一电极144与第二电极145之间的电压电平差,并且可以调节从发光元件140发射的光的亮度。另外,在施加至附加发光元件l40A的第二附加电极145A的第一电压固定的情况下,通过调节从第二晶体管620施加至附加发光元件140A的第一附加电极144A的电压,可以调节第一附加电极144A与第二附加电极145A之间的电压电平差,并且可以调节从附加发光元件140A发射的光的亮度。因此,在根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置600中,可以通过单独地驱动第一晶体管120和第二晶体管620来减小发光元件140与附加发光元件140A之间的亮度差。
图8是根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置的放大平面图。图9是根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置的附加子像素的示意性截面图。图10A和图10B是示出制造根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置的处理步骤的图。图11A和图11B是根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置的附加子像素的示意性平面图。根据图8至图11B中所示的示例实施方式的可伸缩显示装置800与图1至图3所示的可伸缩显示装置100基本相同,除了前者还包括加强层916之外,并且因此,将省略冗余的描述。
图9是示出图8所示的可伸缩显示装置800的区域I-I'的截面图。当可伸缩显示装置800被伸缩时,第三区域A3可能因外部压力而伸展。因此,设置在第三区域A3中的附加发光元件140A可能不如设置在第一区域A1中的发光元件140可靠。附加发光元件140A通过附加接合图案BPA固定至下基板110。然而,由于附加发光元件140A连续地暴露于外部应力,因此与下基板110的粘合力可能减弱。因此,加强层916可以设置在下基板110与附加发光元件140A之间,使得附加发光元件140A可以更牢固地固定至下基板110。
参照图8和图9,加强层916设置在下基板110的第三区域A3中。加强层916可以由单层或多层构成,并且可以由有机材料制成。例如,加强层916可以由但不限于丙烯酸基有机材料制成。
参照图10A和图10B,可以看出,附加发光元件140A通过加强层916牢固地固定至下基板110。最初,加强层916形成在下基板110上的将要设置附加子像素SPXA的区域中。加强层916可以形成在将要设置附加发光元件140A的区域的外周上以及压电图案PP上。另外,加强层916可以形成在附加连接基板CSA的端部周围。需要注意的是,期望加强层916不与第一附加电极144A和第二附加电极145A交叠。
在加强层916形成在下基板110上之后,将附加发光元件140A转移至附加子像素SPXA区域。此时,当从附加发光元件140A上方施加压力时,加强层916和附加发光元件140A可以彼此更紧密地接触。具体地,当加强层916与附加发光元件140A之间的间隙被加强层916填充时,可以增加附加发光元件140A所处的区域的刚性。因此,即使第三区域A3由于外部压力而增加,也可以安全地保护附加发光元件140A。
图8和图9所示的可伸缩显示装置800还可以包括在其上设置有加强层916和附加发光元件140A的下基板110上的粘合剂层117。粘合剂层117的结构与图2和图3所示的可伸缩显示装置100的粘合剂层的结构基本相同,并且因此,将省略冗余的描述。
图11A和图11B是图8所示的可伸缩显示装置800的区域II的放大平面图。参照图11A,加强层916可以设置成与多个附加子像素SPXA交叠。另外,加强层916可以设置成围绕附加像素SPA的外围。因此,附加发光元件140A可以牢固地固定至下基板110。
参照图11B,彼此隔离的多个加强层916可以设置在附加像素PXA区域中。也就是说,加强层916可以设置成与各个附加子像素SPXA交叠或围绕各个附加子像素SPXA。因此,设置在各个附加子像素SPXA中的附加发光元件140A可以牢固地与下基板110耦接,并且第三区域A3可以更柔性地被伸缩。
图12A和图12B是根据本公开内容的又一示例实施方式的可伸缩显示装置的附加子像素的示意性截面图,具体地是通过切割图8所示的可伸缩显示装置800的区域I-I′所获得的附加子像素SPXA的截面图。图12A和图12B的可伸缩显示装置800与图1至图3所示的可伸缩显示装置100基本相同,除了前者还包括加强层916并且压电图案PP′和PP″具有不同形状之外;并且因此,将省略冗余的描述。
参照图12A,压电图案PP'可以包括与加强层916交叠的部分和不与加强层916交叠的部分。也就是说,压电图案PP'可以形成在与加强层916交叠的区域中并且在下基板110被较小地伸缩时较小的接收因外部压力的应力,并且还形成在不与加强层916交叠的区域中并且在下基板110被较大地伸缩时接收较大的因外部压力的应力。因此,即使当第三区域A3伸展时,压电图案PP'也可以可靠地保持与附加发光元件140A的电耦接,并且可以均匀地接收因外部压力的应力,使得可以减少收敛至特定电压所花费的时间。
参照图12B,压电图案PP”可以包括多个不平坦部。图12B所示的压电图案PP”与下基板110之间的接触表面可以大于图12A所示的压电图案PP'与下基板110之间的接触表面。另外,当压电图案PP”与下基板110之间的接触表面增加时,压电图案PP”接收由于外部压力的更大的应力。附带地,包含在压电图案PP”中的多个不平坦部可以主要分布在不与加强层916交叠的区域中。因此,当下基板110被伸缩时,压电图案PP”可能更受应力的影响。不平坦部可以包括从压电图案PP”的平坦本体突出的多个突起。不平坦部的一些部分可以与加强层916交叠,而其他一些部分可以不与加强层916交叠。然而,应当理解的是,本公开内容不限于此。不平坦部可以仅形成在不与加强层916交叠的区域中。
图12B示出了压电图案PP”具有包括从压电图案PP”的下表面突出的多个不平坦部的形状,但是本公开内容不限于此。例如,压电图案PP”可以具有当从顶部观察时的多边形的截面或者沿平面方向突出的形状。另外,沿平面方向突出的形状还可以包括沿垂直方向突出的多个不平坦部。这样,具有与下基板110增加的接触面积的压电图案PP”可以更高效地接收因外部压力的应力,并且因此可以缩短收敛至特定电压的时间。另外,压电图案PP”可以具有包括沿与第三区域A3被伸缩的方向垂直的方向延伸的部分的形状,以接收更多的因外部压力的应力。
本公开内容的示例实施方式还可以被描述如下:
根据本公开内容的一个方面,提供了一种可伸缩显示装置。该可伸缩显示装置包括:下基板,该下基板包括在其上限定有多个像素多个第一区域并且该多个第一区域被彼此间隔开、在其中设置有连接在相邻的第一区域之间的多条连接线的多个第二区域,以及除了第一区域和第二区域以外的多个第三区域;分别设置在第三区域中的多个附加子像素;以及分别电连接至附加子像素的多个压电图案。
可伸缩显示装置还可以包括:分别设置在第一区域中的多个岛基板,其中,子像素限定在岛基板上;分别设置在岛基板上的子像素中的多个发光元件;以及分别设置在附加子像素中的多个附加发光元件。发光元件中的每一个可以包括:发射层;电连接至发射层的第一电极;以及电连接至发射层并且与第一电极间隔开的第二电极。附加发光元件中的每一个可以包括:附加发射层;电连接至附加发射层的第一附加电极;以及电连接至附加发射层并且与第一附加电极间隔开的第二附加电极。压电图案中的每一个可以电连接至附加发射元件的第二附加电极。
施加至发光元件中的第一发光元件的第一电极的电压可以等于施加至附加发光元件中的第一附加发光元件的第一附加电极的电压。
可伸缩显示器还可以包括:设置在岛基板中的其中设置有第一发光元件的一个岛基板上的第一晶体管,其中,第一晶体管被配置将相同的电压施加至第一发光元件的第一电极和第一附加发光元件的第一附加电极。
多个发光元件和多个附加发光元件可以被配置成被独立地驱动。
可伸缩显示装置还可以包括:第一晶体管,其连接至发光元件中的第一发光元件的第一电极并且设置在岛基板中的其中设置有第一发光元件的一个岛基板上;以及第二晶体管,其连接至附加发光元件中的第一附加发光元件的第一附加电极并且设置在与第一晶体管相同的岛基板上。
可伸缩显示装置还可以包括:分别电连接至多个附加发光元件的第一附加电极的多条附加连接线;以及设置在附加连接线与下基板之间并且与岛基板一体地形成的的多个附加连接基板。
可伸缩显示装置还可以包括与多个附加连接基板相邻设置的多个附加连接图案,其中,附加连接图案分别将压电图案与附加发光元件的第二附加电极电连接。
可伸缩显示装置还可以包括设置在附加连接线与附加连接基板之间的附加绝缘层。
附加子像素可以相对于连接线延伸的方向倾斜地取向。
下基板还可以包括形成在第三区域中的凹槽。压电图案可以分别设置在凹槽中。
根据本公开内容的另一方面,提供了一种可伸缩显示装置。该可伸缩显示装置包括:多个刚性板,在多个刚性板上设置有多个发光元件并且多个刚性板彼此间隔开;多条连接线,其电连接在设置在刚性板中相邻的刚性板上的焊盘之间;设置在刚性板和连接线下方的下基板,设置在下基板上使得其与刚性板和连接线间隔开的多个附加发光元件;以及多个压电图案,其电连接至附加发光元件并且在下基板被伸缩时生成第一电压,其中,当下基板被伸缩时,附加发光元件根据来自压电图案的第一电压而发光,以抑制观看者察觉到格子图案。
当下基板被伸缩时并且因此外力被施加至压电图案时,第一电压可以从压电图案被施加至附加发光元件,并且其中,当施加至压电图案的外力被去除时,压电图案变为浮置。
多个附加发光元件中的每一个可以包括:附加发射层;电连接至附加发射层的第一附加电极;以及电连接至附加发射层并且与第一附加电极间隔开的第二附加电极,其中,第二附加电极分别电连接至压电图案。
可伸缩显示装置还可以包括:分别设置在刚性板上并且电连接至发光元件的多个第一晶体管;以及将第一晶体管与附加发光元件的第一附加电极电连接的多条附加连接线。
可伸缩显示装置还可以包括:分别设置在刚性板上并且电连接至发光元件的多个第一晶体管;设置在刚性板上的多个第二晶体管;以及分别将第二晶体管与附加发光元件的第一附加电极电连接的多条附加连接线。
附加连接线可以相对于连接线具有倾斜度。
压电图案中的每一个的下表面可以设置在下基板的下表面与下基板的上表面之间。
尽管已经参照附图详细描述了本公开内容的示例实施方式,但是本公开内容不限于此,并且可以在不脱离本公开内容的技术构思的情况下以许多不同的形式实施本公开内容。因此,提供本公开内容的示例实施方式仅出于说明性目的,而不旨在限制本公开内容的技术构思。本公开内容的技术构思的范围不限于此。因此,应当理解的是,上述示例实施方式在所有方面都是示例性的,并且不限制本公开内容。本公开内容的保护范围应当基于所附权利要求来解释,并且在其等同范围内的所有技术构思应当被解释为落入本公开内容的范围内。
对于本领域技术人员将明显的是,在不脱离本公开内容的技术构思或范围的情况下,可以对本公开内容的显示设备进行各种修改和变化。因此,本公开内容旨在覆盖本公开内容的修改和变化,只要它们落入所附权利要求及其等同内容的范围内即可。
此外,本技术还可以配置如下:
(1)一种可伸缩显示装置,包括:
下基板,所述下基板包括:
其中包括多个子像素的多个第一区域;
其中包括多条连接线的多个第二区域,所述连接线电连接所述多个第一区域中的相邻的第一区域;
除了所述第一区域和所述第二区域以外的多个第三区域;
分别设置在在所述多个第三区域中的多个附加子像素;以及
分别电连接至所述多个附加子像素的多个压电图案,
其中,所述多个第一区域中的相邻的第一区域彼此间隔开。
(2)根据(1)所述的可伸缩显示装置,还包括:
多个岛基板,其分别设置在所述多个第一区域中,其中,所述子像素位于相应的岛基板上;
多个发光元件,其设置在所述岛基板上的相应的子像素中;以及
多个附加发光元件,其设置在相应的附加子像素中,
其中,所述发光元件中的每个包括:
发射层,
电连接至所述发射层的第一电极,以及
电连接至所述发射层并且与所述第一电极间隔开的第二电极,
其中,所述附加发光元件中的每个包括:
附加发射层,
电连接至所述附加发射层的第一附加电极,以及
电连接至所述附加发射层并且与所述第一附加电极间隔开的第二附加电极,并且
其中,所述压电图案中的每个电连接至相应的附加发光元件的第二附加电极。
(3)根据(2)所述的显示装置,其中,所述岛基板的模量高于所述下基板的模量。
(4)根据(2)所述的可伸缩显示装置,还包括:
分别设置在所述多个第二区域中的多个连接基板,
其中,所述多条连接线设置在所述多个连接基板上,以及
其中,所述连接基板将所述多个岛基板中的相邻的岛基板彼此连接。
(5)根据(4)所述的可伸缩显示装置,其中,所述连接基板与岛基板一体地形成。
(6)根据(2)所述的显示装置,其中,施加至所述发光元件中的第一发光元件的第一电极的电压与施加至所述附加发光元件中的第一附加发光元件的第一附加电极的电压相同。
(7)根据(6)所述的可伸缩显示装置,还包括:
位于所述多个岛基板中的其中设置有所述第一发光元件的岛基板上的第一晶体管,
其中,所述第一晶体管被配置成将相同的电压施加至所述第一发光元件的第一电极和所述第一附加发光元件的第一附加电极。
(8)根据(2)所述的可伸缩显示装置,其中,所述多个发光元件和所述多个附加发光元件被配置成被独立地控制。
(9)根据(8)所述的可伸缩显示装置,还包括:
第一晶体管,其连接至所述发光元件中的第一发光元件的第一电极并且位于所述多个岛基板中的其中设置有所述第一发光元件的岛基板上;以及
第二晶体管,其连接至所述多个附加发光元件中的第一附加发光元件的第一附加电极并且位于与所述第一晶体管相同的岛基板上。
(10)根据(2)所述的可伸缩显示装置,还包括:
分别电连接至所述多个附加发光元件的第一附加电极的多条附加连接线;以及
在所述多条附加连接线与所述下基板之间的多个附加连接基板。
(11)根据(10)所述的可伸缩显示装置,其中,所述附加连接基板与所述岛基板一体地形成。
(12)根据(10)所述的可伸缩显示装置,还包括:
在所述多个附加连接基板上的多个附加连接图案,其中,所述多个附加连接图案将所述多个压电图案分别与所述多个附加发光元件的第二附加电极电连接。
(13)根据(10)所述的可伸缩显示装置,还包括:
在所述附加连接线与所述附加连接基板之间的附加绝缘层。
(14)根据(1)所述的可伸缩显示装置,其中,所述附加子像素相对于所述连接线延伸的方向倾斜地取向。
(15)根据(1)所述的可伸缩显示装置,其中,所述下基板还包括在所述第三区域中的凹槽,以及
其中,所述压电图案位于所述凹槽中。
(16)根据(2)所述的可伸缩显示装置,还包括:
设置在所述多个附加子像素中的加强层,
其中,所述加强层与所述附加发光元件交叠。
(17)根据(2)所述的可伸缩显示装置,其中,所述多个压电图案中的每个包括与所述下基板接触的多个突起。
(18)根据(17)所述的可伸缩显示装置,还包括:
设置在所述多个附加子像素中的加强层,
其中,所述加强层与所述附加发光元件交叠,以及
其中,所述多个突起分布在不与所述加强层交叠的区域中。
(19)一种可伸缩显示装置,包括:
多个刚性板,所述刚性板包括设置在其上的多个发光元件并且所述多个刚性板彼此间隔开;
多条连接线,其电连接设置在所述多个刚性板中相邻的刚性板上的焊盘;
设置在所述刚性板和所述连接线下方的下基板;
设置在所述下基板上并且与所述刚性板和所述连接线间隔开的多个附加发光元件;以及
多个压电图案,其分别电连接至所述多个附加发光元件并且被配置成在所述下基板变形时生成第一电压,
其中,当所述下基板变形时,所述附加发光元件根据来自所述压电图案的所述第一电压而发光,并且从而抑制观看者察觉到不均匀的伪像。
(20)根据(19)所述的可伸缩显示装置,其中,当所述下基板变形并且使得外力被施加至所述压电图案时,所述第一电压从所述压电图案被施加至所述附加发光元件,以及
其中,当施加至所述压电图案的所述外力被去除时,所述压电图案变为电浮置。
(21)根据(19)所述的可伸缩显示装置,其中,所述多个附加发光元件中的每个包括:
附加发射层,
电连接至所述附加发射层的第一附加半导体层,以及
电连接至所述附加发射层并且与所述第一附加半导体层间隔开的第二附加半导体层,
其中,所述第二附加半导体层电连接至相应的压电图案。
(22)根据(21)所述的可伸缩显示装置,还包括:
分别设置在在所述多个刚性板上并且电连接至相应的发光元件的多个第一晶体管;以及
将所述多个第一晶体管与相应的附加发光元件的第一附加半导体层电连接的多条附加连接线。
(23)根据(21)所述的可伸缩显示装置,还包括:
分别设置在在所述多个刚性板上并且电连接至相应的发光元件的多个第一晶体管;
分别设置在在所述多个刚性板上的多个第二晶体管;以及
分别将所述多个第二晶体管与相应的附加发光元件的第一附加电极电连接的多条附加连接线。
(24)根据(22)所述的可伸缩显示装置,其中,所述附加连接线相对于所述连接线是倾斜的。
(25)根据(19)所述的可伸缩显示装置,其中,所述多个压电图案中的每个的下表面在所述下基板的下表面与所述下基板的上表面之间。
(26)一种可伸缩显示装置,包括:
柔性的下基板;
多个岛基板,其设置在所述下基板上并且彼此间隔开,其中所述岛基板的模量高于所述下基板的模量;
多个子像素,其设置在所述岛基板上;
多条连接线,其设置在所述下基板上并且连接在所述多个岛基板中的相邻的岛基板之间;
多个附加子像素,其设置在所述下基板的除了设置有所述岛基板和所述连接线的部分以外的部分上;
多条附加连接线,其连接在所述多个子像素与所述多个附加子像素之间;以及
多个压电图案,其分别设置在所述多个附加子像素下方并且分别电连接至所述多个附加子像素。

Claims (20)

1.一种可伸缩显示装置,包括:
下基板,所述下基板包括:
其中包括多个子像素的多个第一区域;
其中包括多条连接线的多个第二区域,所述连接线电连接所述多个第一区域中的相邻的第一区域;
除了所述第一区域和所述第二区域以外的多个第三区域;
分别设置在在所述多个第三区域中的多个附加子像素;以及
分别电连接至所述多个附加子像素的多个压电图案,其中,所述多个第一区域中的相邻的第一区域彼此间隔开。
2.根据权利要求1所述的可伸缩显示装置,还包括:
多个岛基板,其分别设置在所述多个第一区域中,其中,所述子像素位于相应的岛基板上;
多个发光元件,其设置在所述岛基板上的相应的子像素中;以及
多个附加发光元件,其设置在相应的附加子像素中,
其中,所述发光元件中的每个包括:
发射层,
电连接至所述发射层的第一电极,以及
电连接至所述发射层并且与所述第一电极间隔开的第二电极,其中,所述附加发光元件中的每个包括:
附加发射层,
电连接至所述附加发射层的第一附加电极,以及
电连接至所述附加发射层并且与所述第一附加电极间隔开的第二附加电极,并且
其中,所述压电图案中的每个电连接至相应的附加发光元件的第二附加电极。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,施加至所述发光元件中的第一发光元件的第一电极的电压与施加至所述附加发光元件中的第一附加发光元件的第一附加电极的电压相同。
4.根据权利要求3所述的可伸缩显示装置,还包括:
位于所述多个岛基板中的其中设置有所述第一发光元件的岛基板上的第一晶体管,
其中,所述第一晶体管被配置成将相同的电压施加至所述第一发光元件的第一电极和所述第一附加发光元件的第一附加电极。
5.根据权利要求2所述的可伸缩显示装置,其中,所述多个发光元件和所述多个附加发光元件被配置成被独立地控制。
6.根据权利要求5所述的可伸缩显示装置,还包括:
第一晶体管,其连接至所述发光元件中的第一发光元件的第一电极并且位于所述多个岛基板中的其中设置有所述第一发光元件的岛基板上;以及
第二晶体管,其连接至所述多个附加发光元件中的第一附加发光元件的第一附加电极并且位于与所述第一晶体管相同的岛基板上。
7.根据权利要求2所述的可伸缩显示装置,还包括:
分别电连接至所述多个附加发光元件的第一附加电极的多条附加连接线;以及
在所述多条附加连接线与所述下基板之间的多个附加连接基板。
8.根据权利要求7所述的可伸缩显示装置,还包括:
在所述多个附加连接基板上的多个附加连接图案,其中,所述多个附加连接图案将所述多个压电图案分别与所述多个附加发光元件的第二附加电极电连接。
9.根据权利要求7所述的可伸缩显示装置,还包括:
在所述附加连接线与所述附加连接基板之间的附加绝缘层。
10.根据权利要求1所述的可伸缩显示装置,其中,所述附加子像素相对于所述连接线延伸的方向倾斜地取向。
11.根据权利要求1所述的可伸缩显示装置,其中,所述下基板还包括在所述第三区域中的凹槽,以及
其中,所述压电图案位于所述凹槽中。
12.根据权利要求2所述的可伸缩显示装置,还包括:
设置在所述多个附加子像素中的加强层,
其中,所述加强层与所述附加发光元件交叠。
13.根据权利要求2所述的可伸缩显示装置,其中,所述多个压电图案中的每个包括与所述下基板接触的多个突起。
14.一种可伸缩显示装置,包括:
多个刚性板,所述刚性板包括设置在其上的多个发光元件并且所述多个刚性板彼此间隔开;
多条连接线,其电连接设置在所述多个刚性板中相邻的刚性板上的焊盘;
设置在所述刚性板和所述连接线下方的下基板;
设置在所述下基板上并且与所述刚性板和所述连接线间隔开的多个附加发光元件;以及
多个压电图案,其分别电连接至所述多个附加发光元件并且被配置成在所述下基板变形时生成第一电压,
其中,当所述下基板变形时,所述附加发光元件根据来自所述压电图案的所述第一电压而发光,并且从而抑制观看者察觉到不均匀的伪像。
15.根据权利要求14所述的可伸缩显示装置,其中,当所述下基板变形并且使得外力被施加至所述压电图案时,所述第一电压从所述压电图案被施加至所述附加发光元件,以及
其中,当施加至所述压电图案的所述外力被去除时,所述压电图案变为电浮置。
16.根据权利要求14所述的可伸缩显示装置,其中,所述多个附加发光元件中的每个包括:
附加发射层,
电连接至所述附加发射层的第一附加半导体层,以及
电连接至所述附加发射层并且与所述第一附加半导体层间隔开的第二附加半导体层,
其中,所述第二附加半导体层电连接至相应的压电图案。
17.根据权利要求16所述的可伸缩显示装置,还包括:
分别设置在在所述多个刚性板上并且电连接至相应的发光元件的多个第一晶体管;以及
将所述多个第一晶体管与相应的附加发光元件的第一附加半导体层电连接的多条附加连接线。
18.根据权利要求16所述的可伸缩显示装置,还包括:
分别设置在在所述多个刚性板上并且电连接至相应的发光元件的多个第一晶体管;
分别设置在在所述多个刚性板上的多个第二晶体管;以及
分别将所述多个第二晶体管与相应的附加发光元件的第一附加电极电连接的多条附加连接线。
19.根据权利要求14所述的可伸缩显示装置,其中,所述多个压电图案中的每个的下表面在所述下基板的下表面与所述下基板的上表面之间。
20.一种可伸缩显示装置,包括:
柔性的下基板;
多个岛基板,其设置在所述下基板上并且彼此间隔开,其中所述岛基板的模量高于所述下基板的模量;
多个子像素,其设置在所述岛基板上;
多条连接线,其设置在所述下基板上并且连接在所述多个岛基板中的相邻的岛基板之间;
多个附加子像素,其设置在所述下基板的除了设置有所述岛基板和所述连接线的部分以外的部分上;
多条附加连接线,其连接在所述多个子像素与所述多个附加子像素之间;以及
多个压电图案,其分别设置在所述多个附加子像素下方并且分别电连接至所述多个附加子像素。
CN201911326739.0A 2018-12-27 2019-12-20 显示装置 Active CN111384078B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20180171062 2018-12-27
KR10-2018-0171062 2018-12-27
KR1020190140778A KR102661877B1 (ko) 2018-12-27 2019-11-06 스트레쳐블 표시 장치
KR10-2019-0140778 2019-11-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111384078A true CN111384078A (zh) 2020-07-07
CN111384078B CN111384078B (zh) 2023-12-15

Family

ID=68917621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911326739.0A Active CN111384078B (zh) 2018-12-27 2019-12-20 显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11322565B2 (zh)
EP (1) EP3675178B1 (zh)
JP (1) JP6821775B2 (zh)
CN (1) CN111384078B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111146245A (zh) * 2018-11-06 2020-05-12 乐金显示有限公司 可拉伸显示装置
CN111799280A (zh) * 2020-07-20 2020-10-20 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN112670310A (zh) * 2020-12-22 2021-04-16 业成科技(成都)有限公司 显示器及其制造方法
CN114373385A (zh) * 2020-10-15 2022-04-19 乐金显示有限公司 可伸展显示装置
WO2022099818A1 (zh) * 2020-11-13 2022-05-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示模组及显示装置
WO2022133711A1 (zh) * 2020-12-22 2022-06-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
TWI842972B (zh) * 2020-11-30 2024-05-21 范文正 發光顯示裝置及其製造方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102595566B1 (ko) * 2018-10-31 2023-10-27 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시 장치
CN109599402B (zh) * 2018-12-03 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
JP7289681B2 (ja) * 2019-03-20 2023-06-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US11024584B2 (en) * 2019-05-29 2021-06-01 Innolux Corporation Electronic device
CN110444577B (zh) * 2019-08-14 2021-08-27 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN110459571B (zh) * 2019-08-19 2022-01-21 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、电致发光显示装置和阵列基板的制作方法
CN110504386B (zh) * 2019-08-29 2022-04-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
KR102647414B1 (ko) * 2019-10-11 2024-03-12 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시장치
CN111462637B (zh) * 2020-05-29 2022-07-01 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
TWI820517B (zh) * 2020-11-17 2023-11-01 南韓商Lg顯示器股份有限公司 顯示裝置
KR20220071060A (ko) * 2020-11-23 2022-05-31 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220096768A (ko) * 2020-12-31 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113035072B (zh) * 2021-03-02 2022-10-25 维沃移动通信有限公司 显示模组、显示模组的制作方法及电子设备
WO2022193301A1 (zh) * 2021-03-19 2022-09-22 京东方科技集团股份有限公司 发光基板和显示装置
US20240257671A1 (en) * 2021-05-13 2024-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
JP7652632B2 (ja) 2021-06-09 2025-03-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
CN113991000B (zh) * 2021-09-30 2023-06-30 业成科技(成都)有限公司 局部拉伸的封装结构及其制造方法
KR20230089962A (ko) * 2021-12-14 2023-06-21 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230094861A (ko) * 2021-12-21 2023-06-28 엘지디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20230101112A (ko) * 2021-12-29 2023-07-06 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114596779B (zh) * 2022-03-07 2024-01-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示终端

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020094701A1 (en) * 2000-11-29 2002-07-18 Biegelsen David Kalman Stretchable interconnects using stress gradient films
US20160211313A1 (en) * 2015-01-15 2016-07-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US20170040306A1 (en) * 2015-06-30 2017-02-09 Apple Inc. Electronic Devices With Soft Input-Output Components

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100934957B1 (ko) 2008-02-22 2010-01-06 한국과학기술연구원 압전 폴리머 기판을 이용한 하이브리드 전기소자와 그제조방법
US9730330B1 (en) * 2013-11-21 2017-08-08 H4 Engineering, Inc. Compliant electronic devices
KR102350029B1 (ko) 2015-02-17 2022-01-11 삼성디스플레이 주식회사 신축성 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10345905B2 (en) * 2015-09-08 2019-07-09 Apple Inc. Electronic devices with deformable displays
JP6692034B2 (ja) * 2015-12-14 2020-05-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 映像表示装置
CN106875850A (zh) * 2017-04-18 2017-06-20 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示屏及其变形驱动方法、显示装置
CN208189154U (zh) * 2018-06-13 2018-12-04 云谷(固安)科技有限公司 一种拉伸显示屏及显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020094701A1 (en) * 2000-11-29 2002-07-18 Biegelsen David Kalman Stretchable interconnects using stress gradient films
US20160211313A1 (en) * 2015-01-15 2016-07-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US20170040306A1 (en) * 2015-06-30 2017-02-09 Apple Inc. Electronic Devices With Soft Input-Output Components

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111146245A (zh) * 2018-11-06 2020-05-12 乐金显示有限公司 可拉伸显示装置
CN111146245B (zh) * 2018-11-06 2023-12-29 乐金显示有限公司 可拉伸显示装置
US11670646B2 (en) 2020-07-20 2023-06-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, preparation method thereof and display device
CN111799280A (zh) * 2020-07-20 2020-10-20 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
US11923379B2 (en) 2020-07-20 2024-03-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for preparing display substrate
CN114373385A (zh) * 2020-10-15 2022-04-19 乐金显示有限公司 可伸展显示装置
CN114373385B (zh) * 2020-10-15 2024-03-26 乐金显示有限公司 可伸展显示装置
US12166018B2 (en) 2020-10-15 2024-12-10 Lg Display Co., Ltd. Stretchable display device
WO2022099818A1 (zh) * 2020-11-13 2022-05-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示模组及显示装置
TWI842972B (zh) * 2020-11-30 2024-05-21 范文正 發光顯示裝置及其製造方法
CN115088077A (zh) * 2020-12-22 2022-09-20 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
WO2022133711A1 (zh) * 2020-12-22 2022-06-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
CN112670310A (zh) * 2020-12-22 2021-04-16 业成科技(成都)有限公司 显示器及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020106832A (ja) 2020-07-09
JP6821775B2 (ja) 2021-01-27
CN111384078B (zh) 2023-12-15
EP3675178A1 (en) 2020-07-01
EP3675178B1 (en) 2025-01-29
US20200212117A1 (en) 2020-07-02
US11322565B2 (en) 2022-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111384078B (zh) 显示装置
CN110828510B (zh) 可伸展显示装置
CN111146245B (zh) 可拉伸显示装置
CN112927609B (zh) 可拉伸显示装置
CN112310137B (zh) 可拉伸显示装置
CN110782784A (zh) 可拉伸显示面板及包括其的可拉伸显示装置
CN112310138B (zh) 可伸缩显示装置
CN110739328A (zh) 可拉伸显示装置
CN112310116B (zh) 可拉伸显示装置
KR102647414B1 (ko) 스트레쳐블 표시장치
KR20220059284A (ko) 표시 장치
KR102661877B1 (ko) 스트레쳐블 표시 장치
CN116264234A (zh) 显示装置
CN114373385B (zh) 可伸展显示装置
TWI829036B (zh) 顯示裝置
TWI820953B (zh) 顯示裝置
US20240097092A1 (en) Display device
US11874705B2 (en) Display device
TWI853313B (zh) 顯示裝置
US20240113134A1 (en) Display device
KR20240098609A (ko) 표시 장치
CN117460326A (zh) 显示装置
KR20240107645A (ko) 표시 장치
KR20240092865A (ko) 표시 장치
KR20240102560A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant