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CN111261834A - 负极极片、电化学装置和电子装置 - Google Patents

负极极片、电化学装置和电子装置 Download PDF

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CN111261834A CN202010216732.XA CN202010216732A CN111261834A CN 111261834 A CN111261834 A CN 111261834A CN 202010216732 A CN202010216732 A CN 202010216732A CN 111261834 A CN111261834 A CN 111261834A
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Ningde Amperex Technology Ltd
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Abstract

本申请的实施例提供了负极极片、电化学装置和电子装置。负极极片包括:集流体;第一活性物质层,第一活性物质层包含第一硅基材料颗粒;以及第二活性物质层,第二活性物质层包含第二硅基材料颗粒;其中,第一活性物质层设置在集流体和第二活性物质层之间,第一活性物质层中的硅元素的质量百分含量小于第二活性物质层中的硅元素的质量百分含量,第一硅基材料颗粒的平均粒径Dv50小于第二硅基材料颗粒的平均粒径Dv50。本申请减少了包含硅基材料颗粒的负极极片在循环过程中的脱膜,电极组件变形及集流体被撕裂的现象,提升了负极极片的充电能力。

Description

负极极片、电化学装置和电子装置
技术领域
本申请涉及电子技术领域,尤其涉及负极极片、电化学装置和电子装置。
背景技术
近年来,随着电子产品和电动汽车的快速发展,对电化学装置(例如,锂离子电池)的能量密度要求也越来越高。而为了达到更高的能量密度要求,目前的纯石墨负极活性物质体系已经越来越难以满足。
硅基材料具有高达4200mAh/g的理论比容量,是具有应用前景的下一代电化学装置的负极活性物质。然而,硅基材料在充放电过程中具有约300%的体积膨胀,产生巨大的机械应力,在循环过程中也易出现由于横向膨胀而导致活性物质层从集流体上脱落,即脱膜,或是造成集流体的褶皱甚至撕裂现象,进而导致电化学装置在充放电过程中电子无法传输,造成整个电化学装置的失效。此外,随着市场上对快充性能的需求提升,包含硅基材料的电化学装置的快充性能仍需进一步改进。
发明内容
本申请通过调整活性物质层中的硅元素的质量含量分布以及硅基材料的粒径分布来解决硅基材料的体积膨胀引起的问题,同时提升负极极片的充电能力。
本申请的实施例提供了一种负极极片,包括:集流体;第一活性物质层,所述第一活性物质层包含第一硅基材料颗粒;以及第二活性物质层,所述第二活性物质层包含第二硅基材料颗粒;其中,所述第一活性物质层设置在所述集流体和所述第二活性物质层之间,所述第一活性物质层中的硅元素的质量百分含量小于所述第二活性物质层中的硅元素的质量百分含量,所述第一硅基材料颗粒的平均粒径Dv50小于所述第二硅基材料颗粒的平均粒径Dv50。
在上述负极极片中,其中,所述第一硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量小于所述第二硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量。
在上述负极极片中,其中,所述第一活性物质层中的硅元素的质量百分含量为0.1%~30%,所述第二活性物质层中的硅元素的质量百分含量为1%~100%。
在上述负极极片中,其中,所述第一硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量为0.1%~50%,所述第二硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量为3%~100%。
在上述负极极片中,其中,所述第一硅基材料颗粒的平均粒径Dv50满足1μm≤Dv50≤8μm。
在上述负极极片中,其中,所述第一活性物质层的厚度为0.2μm~100μm,所述第二活性物质层的厚度为0.2μm~100μm。
在上述负极极片中,其中,所述第一硅基材料颗粒和所述第二硅基材料颗粒各自独立地包括硅、硅合金、硅的氧化物或硅碳复合物中的一种或多种。
在上述负极极片中,其中,所述第一活性物质层和所述第二活性物质层还各自独立地包括人造石墨、天然石墨、中间相碳微球、软碳或硬碳中的至少一种。
本申请的实施例还提供了一种电化学装置,包括:正极极片;负极极片;隔离膜,设置于所述正极极片和所述负极极片之间;其中,所述负极极片为上述任一所述的负极极片。
本申请的实施例还提供了一种电子装置,包括上述的电化学装置。
本申请通过使靠近集流体的活性物质层中的硅元素的含量较低,远离集流体的活性物质层中的硅元素的含量较高,如此可有效减小集流体所受的硅基材料延展形成的应力,减少活性物质层剥离、电极组件变形及集流体被撕裂的现象。另外,靠近集流体的活性物质层中的硅基材料采用直径较小的颗粒,远离集流体的活性物质层中的硅基材料采用直径较大的颗粒。由于直接与电解液接触的远离集流体的活性物质层(即第二活性物质层)中的硅基材料颗粒较大,第二活性物质层的孔隙率比第一活性物质层的孔隙率更大,从而更有利于电解液中的锂离子在负极极片中的传输,并且由于靠近集流体的活性物质层中的硅基材料的粒径更小,即比表面积更大,增大了与电解液中的锂离子的接触面积,从而弥补了靠近集流体的活性物质层中的硅基材料的液相扩散的劣势。
附图说明
图1示出了本申请的负极极片的示意图。
图2示出了本申请的电化学装置的电极组件的示意图。
具体实施方式
下面的实施例可以使本领域技术人员更全面地理解本申请,但不以任何方式限制本申请。
硅基材料作为下一代高比容量负极活性物质,可以显著提升电化学装置的能量密度。然而,硅基材料的导电性较差,并且在脱嵌锂过程中存在较大的体积膨胀和收缩,在循环过程中易造成负极活性物质层从集流体上的剥离或是撕裂集流体,影响电化学装置的循环性能。
在硅基负极活性物质的应用中,本申请的负极极片包括第一活性物质层和第二活性物质层,其中第一活性物质层包含第一硅基材料颗粒,第二活性物质层包含第二硅基材料颗粒,第一活性物质层设置在集流体和第二活性物质层之间,并且通过使第一活性物质层中的硅元素的质量百分含量小于第二活性物质层中的硅元素的质量百分含量,如此可有效减小集流体所受的硅基材料延展形成的应力,减少活性物质层剥离、电极组件变形及集流体被撕裂的现象。另外,使第一硅基材料颗粒的平均粒径Dv50小于第二硅基材料颗粒的平均粒径Dv50,由于第二硅基材料颗粒的平均粒径Dv50较大,孔隙率较大,从而更有利于电解液浸润负极极片的活性物质层,也有利于电解液中的锂离子在负极极片中的传输,并且由于第一硅基材料材料的平均粒径Dv50更小,即比表面积更大,增大了与电解液中的锂离子的接触面积,从而弥补了第一活性物质层中的第一硅基材料颗粒的液相扩散的劣势。本申请的方案避免了包含硅基材料颗粒的负极极片在循环过程中的脱膜,电极组件变形及集流体被撕裂的现象,提升了负极极片的充电能力。
如图1所示,本申请的一些实施例提供了一种负极极片,负极极片包括集流体1和活性物质层2,活性物质层2位于集流体1上。应该理解,虽然图1中将活性物质层2示出为位于集流体1的一侧上,但是这仅是示例性的,活性物质层2可以位于集流体1的两侧上。在一些实施例中,负极极片的集流体可以包括铜箔、铝箔、镍箔或碳基集流体中的至少一种。
在一些实施例中,活性物质层2包括第一活性物质层5和第二活性物质层6,第一活性物质层5设置在集流体1和第二活性物质层6之间。在一些实施例中,第一活性物质层5包含第一硅基材料颗粒3,第二活性物质层6包含第二硅基材料颗粒4。应该理解,图1中以虚线示出第一活性物质层5和第二活性物质层6的界面,然而,该界面实际上可能并不存在或者不是平整的。在一些实施例中,第一硅基材料颗粒3和第二硅基材料颗粒4各自独立地包括硅、硅合金、硅的氧化物或硅碳复合物中的一种或多种。在一些实施例中,第一活性物质层中的硅元素的质量百分含量小于第二活性物质层中的硅元素的质量百分含量。在一些实施例中,第一硅基材料颗粒3的平均粒径Dv50小于第二硅基材料颗粒4的平均粒径Dv50。Dv50是采用激光散射粒度仪测试得到的体积基准分布累计50%的颗粒直径。
通过使第一活性物质层中的硅元素的质量百分含量小于第二活性物质层中的硅元素的质量百分含量,可有效减小集流体1所受的硅基材料颗粒延展形成的应力,减少活性物质层剥离、电极组件变形及集流体被撕裂的现象。另外,通过使第一硅基材料颗粒3的平均粒径Dv50小于第二硅基材料颗粒4的平均粒径Dv50,由于第一活性物质层更靠近集流体,第二活性物质层更远离集流体,电解液首先浸润第二活性物质层,而第二活性物质层中的第二硅基材料颗粒4的平均粒径Dv50较大,孔隙率更大,从而更有利于电解液浸润负极极片中的第一活性物质层,也有利于电解液中的锂离子在负极极片中的传输,并且由于第一硅基材料颗粒3的平均粒径Dv50更小,即比表面积更大,增大了与电解液中的锂离子的接触面积,从而弥补了第一硅基材料颗粒3的液相扩散的劣势。
在一些实施例中,第一硅基材料颗粒3中的硅元素的质量百分含量小于第二硅基材料颗粒4中的硅元素的质量百分含量。由于第一活性物质层5中的第一硅基材料颗粒3中的硅元素的质量百分含量小于第二活性物质层6中的第二硅基材料颗粒4中的硅元素的质量百分含量,而第一活性物质层5相对于第二活性物质层6更靠近集流体1,因此可有效减小集流体1所受的硅基材料颗粒延展形成的应力,减少活性物质层剥离、电极组件变形及集流体被撕裂的现象。
在一些实施例中,第一活性物质层的厚度为0.2μm~100μm,第二活性物质层的厚度为0.2μm~100μm。在一些实施例中,如果第一活性物质层或第二活性物质层的厚度太小,则不能保持足够的活性物质;另一方面,如果第一活性物质层或第二活性物质层的厚度太大,则不利于电解液在靠近集流体的活性物质层中(即第一活性物质层)的液相扩散。
在一些实施例中,第一活性物质层中的硅元素的质量百分含量为0.1%~30%。如果第一活性物质层中的硅元素的质量百分含量太小,则不能有效地发挥硅基材料比容量高的优点,如果第一活性物质层中的硅元素的质量百分含量太大,由于第一硅基材料颗粒所在的第一活性物质层靠近集流体,所以会对集流体产生过高的应力而引起脱膜的风险。在一些实施例中,第二活性物质层中的硅元素的质量百分含量为1%~100%。
在一些实施例中,第一硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量为0.1%~50%,第二硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量为3%~100%。如果第一硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量太小,则不能有效地发挥硅基材料比容量高的优点,如果第一硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量太大,由于第一硅基材料颗粒所在的第一活性物质层靠近集流体,所以会对集流体产生过高的应力而引起脱膜的风险。
在一些实施例中,第一硅基材料颗粒的平均粒径Dv50满足1μm≤Dv50≤8μm。如果第一硅基材料颗粒的平均粒径过小,则第一硅基材料颗粒容易发生团聚。另外,如果第一硅基材料颗粒的平均粒径过大,则不利于抑制第一硅基材料颗粒的体积膨胀,也容易引起第一活性物质层的导电性能的恶化。另外,如果第一硅基材料颗粒的平均粒径太大,还会使得负极极片的强度降低。
在一些实施例中,第一活性物质层和第二活性物质层还各自独立地包括人造石墨、天然石墨、中间相碳微球、软碳或硬碳中的至少一种。
在一些实施例中,第一活性物质层和第二活性物质层还各自独立地包括导电剂和/或粘结剂。在一些实施例中,导电剂包括导电炭黑、乙炔黑、碳纳米管、科琴黑、导电石墨或石墨烯中的至少一种。在一些实施例中,导电剂占活性物质层的质量百分含量为0.5%~10%。在一些实施例中,粘结剂包括聚偏氟乙烯、偏氟乙烯-六氟丙烯的共聚物、聚酰胺、聚丙烯腈、聚丙烯酯、聚丙烯酸、聚丙烯酸盐、羧甲基纤维素钠、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醚、聚甲基丙烯酸甲酯、聚四氟乙烯、聚六氟丙烯或丁苯橡胶中的至少一种。在一些实施例中,粘结剂占活性物质层的质量百分含量为0.5%~10%。
如图2所示,本申请的一些实施例提供了一种电化学装置,电化学装置包括正极极片10、负极极片12以及设置于正极极片10和负极极片12之间的隔离膜11。正极极片10可以包括正极集流体和涂覆在正极集流体上的正极活性物质层。在一些实施例中,正极活性物质层可以仅涂覆在正极集流体的部分区域上。正极活性物质层可以包括正极活性物质、导电剂和粘结剂。正极集流体可以采用Al箔,同样,也可以采用本领域常用的其他正极集流体。正极极片的导电剂可以包括导电炭黑、片层石墨、石墨烯、碳纳米管或碳纤维中的至少一种。正极极片中的粘结剂可以包括聚偏氟乙烯、偏氟乙烯-六氟丙烯的共聚物、苯乙烯-丙烯酸酯共聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物、聚酰胺、聚丙烯腈、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸、聚丙烯酸盐、羧甲基纤维素纳、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯呲咯烷酮、聚乙烯醚、聚甲基丙烯酸甲酯、聚四氟乙烯或聚六氟丙烯中的至少一种。正极活性物质包括但不限于钴酸锂、镍酸锂、锰酸锂、镍锰酸锂、磷酸铁锂、镍钴铝酸锂或镍钴锰酸锂中的至少一种,以上正极活性物质可以经过掺杂或包覆处理。
在一些实施例中,隔离膜11包括聚乙烯、聚丙烯、聚偏氟乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或芳纶中的至少一种。例如,聚乙烯包括高密度聚乙烯、低密度聚乙烯或超高分子量聚乙烯中的至少一种。尤其是聚乙烯和聚丙烯,它们对防止短路具有良好的作用,并可以通过关断效应改善电池的稳定性。在一些实施例中,隔离膜的厚度在约5μm~500μm的范围内。
在一些实施例中,隔离膜表面还可包括多孔层,多孔层设置在隔离膜的至少一个表面上,多孔层包括无机颗粒和粘结剂,无机颗粒选自氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、氧化钛(TiO2)、二氧化铪(HfO2)、氧化锡(SnO2)、二氧化铈(CeO2)、氧化镍(NiO)、氧化锌(ZnO)、氧化钙(CaO)、氧化锆(ZrO2)、氧化钇(Y2O3)、碳化硅(SiC)、勃姆石、氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化钙或硫酸钡中的至少一种。在一些实施例中,隔离膜的孔具有在约0.01μm~1μm的范围的直径。粘结剂选自聚偏氟乙烯、偏氟乙烯-六氟丙烯的共聚物、聚酰胺、聚丙烯腈、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸、聚丙烯酸盐、羧甲基纤维素纳、聚乙烯呲咯烷酮、聚乙烯醚、聚甲基丙烯酸甲酯、聚四氟乙烯或聚六氟丙烯中的至少一种。隔离膜表面的多孔层可以提升隔离膜的耐热性能、抗氧化性能和电解质浸润性能,增强隔离膜与极片之间的粘接性。
在一些实施例中,负极极片12可以为如上所述的负极极片。
在一些实施例中,电化学装置包括锂离子电池,但是本申请不限于此。在一些实施例中,电化学装置还可以包括电解液。在一些实施例中,电解液包括但不限于碳酸二甲酯(DMC)、碳酸甲乙酯(EMC)、碳酸二乙酯(DEC)、碳酸乙烯酯(EC)、碳酸丙烯酯(PC)、丙酸丙酯(PP)中的至少两种。此外,电解液还可以额外地包括作为电解液添加剂的碳酸亚乙烯酯(VC)、氟代碳酸乙烯酯(FEC)或二腈化合物中的至少一种。在一些实施例中,电解液还包括锂盐。
在本申请的一些实施例中,以锂离子电池为例,将正极极片、隔离膜、负极极片按顺序卷绕或堆叠成电极组件,之后装入例如铝塑膜中进行封装,注入电解液,化成、封装,即制成锂离子电池。然后,对制备的锂离子电池进行性能测试及循环测试。
本领域的技术人员将理解,以上描述的电化学装置(例如,锂离子电池)的制备方法仅是实施例。在不背离本申请公开的内容的基础上,可以采用本领域常用的其他方法。
本申请的实施例还提供了包括上述电化学装置的电子装置。本申请的实施例的电子装置没有特别限定,其可以是用于现有技术中已知的任何电子装置。在一些实施例中,电子装置可以包括,但不限于,笔记本电脑、笔输入型计算机、移动电脑、电子书播放器、便携式电话、便携式传真机、便携式复印机、便携式打印机、头戴式立体声耳机、录像机、液晶电视、手提式清洁器、便携CD机、迷你光盘、收发机、电子记事本、计算器、存储卡、便携式录音机、收音机、备用电源、电机、汽车、摩托车、助力自行车、自行车、照明器具、玩具、游戏机、钟表、电动工具、闪光灯、照相机、家庭用大型蓄电池和锂离子电容器等。
下面列举了一些具体实施例和对比例以更好地对本申请进行说明,其中,采用锂离子电池作为示例。
实施例1
负极极片的制备:集流体采用铜箔,厚度为10μm;第一活性物质采用SiO和石墨,第二活性物质采用SiO和人造石墨,导电剂采用乙炔黑,粘结剂采用丁苯橡胶和羧甲基纤维素钠;将第一活性物质、乙炔黑、丁苯橡胶和羧甲基纤维素钠按重量比96:1:1.5:1.5混合后分散于去离子水中形成浆料,搅拌均匀后涂布于铜箔上,干燥,形成第一活性物质层,第一活性物质层的厚度为45μm,第一活性物质层中的硅元素的质量百分含量为5%;将第二活性物质、乙炔黑、丁苯橡胶和羧甲基纤维素钠按重量比96:1:1.5:1.5混合后分散于去离子水中形成浆料,涂覆于第一活性物质层上,干燥,形成第二活性物质层,第二活性物质层的厚度为45μm,第二活性物质层中的硅元素的质量百分含量为10%,冷压、分条后得到负极极片。
正极极片制备:取正极活性物质LiCoO2、乙炔黑、粘结剂聚偏二氟乙烯(PVDF)按质量比94:3:3在N-甲基吡咯烷酮溶剂体系中充分搅拌混合均匀后,涂覆于铝箔上,再经烘干、冷压,得到正极极片。
隔离膜的制备:将聚偏二氟乙烯溶于水,通过机械搅拌形成均匀浆料,将浆料涂布到已经涂布好两面均为陶瓷涂层的多孔基材(聚乙烯)的两侧表面上,烘干后形成隔离膜。
电解液的制备:在含水量小于10ppm的环境下,将六氟磷酸锂与非水有机溶剂(碳酸乙烯酯(EC):碳酸二乙酯(DEC):碳酸亚丙酯(PC):丙酸丙酯(PP):碳酸亚乙烯酯(VC)=20;30;20;28;2,重量比)按重量比8:92配制以形成锂盐浓度为1mol/L的电解液。
锂离子电池的制备:将正极极片、隔离膜、负极极片按顺序依次叠好,使隔离膜处于正极极片和负极极片中间起到隔离的作用,并卷绕得到电极组件。将电极组件置于外包装铝塑膜中,在80℃下脱去水分后,注入上述电解液并封装,经过化成,脱气,整形等工艺流程得到锂离子电池。
在实施例2~11与对比例1~3中,正极极片、隔离膜、电解液和锂离子电池制备均与实施例1相同,仅负极极片的制备有些不同,参数的差异示出于相应的下表1中。
在实施例12~15中,与实施例9的制备方法一致,不同之处分别在于:在实施例12中,第一活性物质层中的活性物质为硅碳和人造石墨,第一硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量为16%,第二活性物质层中的活性物质为SiO和人造石墨,第二硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量为63.6%;在实施例13中,第一活性物质层中的活性物质为硅碳和人造石墨,第一硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量为27%,第二活性物质层中的活性物质为SiO和人造石墨,第二硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量为63.6%;在实施例14中,第一活性物质层中的活性物质为硅碳和人造石墨,第一硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量为36%,第二活性物质层中的活性物质为SiO和人造石墨,第二硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量为63.6%;在实施例15中,第一活性物质层中的活性物质为硅碳和人造石墨,第一硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量为49%,第二活性物质层中的活性物质为SiO和人造石墨,第二硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量为63.6%。
实施例和对比例的各项性能参数的测定方法如下。
粒度测试:
将锂离子电池拆解,获取负极极片,在负极极片的特定区域取一定量的样品,在50ml的洁净烧杯中加入约0.02g粉末样品,加入约20ml去离子水,再滴加几滴1%的表面活性剂,使粉末完全分散于水中,120W超声清洗机中超声5分钟,利用MasterSizer 2000测试粒度分布,通过激光散射粒度仪测试得到体积基准的粒度分布曲线计算样品的Dv50。
负极活性物质层脱落/集流体撕裂率:
在25℃下,以0.5C恒定电流将锂离子电池充电至4.45V,然后以4.45V的恒定电压充电至电流为0.05C,静置2min,然后再以0.5C的恒定电流放电至3.0V,静置2min,以此为一个循环,重复100个循环后,拆解锂离子电池获得电极组件,将电极组件平展铺开,若发现负极极片有任意一处>2mm2的活性物质层从集流体上脱落则判定为负极极片的活性物质层脱落,若发现有任意一处>1mm2集流体的撕裂则判定为负极集流体撕裂,只要满足以上脱落和撕裂中的其中一种情况即记作负极活性物质层脱落/集流体撕裂。
负极极片析锂率:
在25℃下,以1C恒定电流将锂离子电池充电至4.45V,然后以4.45V的恒定电压充电至电流为0.05C,静置2min,然后再以1C的恒定电流放电至3.0V,静置2min,以此为一个循环,重复10个循环后,拆解锂离子电池获得电极组件,将电极组件平展铺开,若发现负极极片有任意一处>2mm2的区域析锂则判定为负极极片析锂。
表1示出了实施例1~15和对比例1~3的各项参数和评估结果。
表1
Figure BDA0002424730170000101
通过比较实施例1~15和对比例1可知,在第一活性物质层中的硅元素的质量百分含量小于第二活性物质层中的硅元素的质量百分含量,并且第一硅基材料颗粒的平均粒径Dv50小于第二硅基材料颗粒的平均粒径Dv50时,能够显著改善析锂现象,并且能够减少活性物质层从负极集流体脱落以及负极集流体撕裂。
通过比较实施例1~11和对比例2~3可知,在第一硅基材料颗粒的平均粒径Dv50不小于第二硅基材料颗粒的平均粒径Dv50时,析锂现象比较严重。
通过比较实施例1~5可知,在第一硅基材料颗粒的平均粒径Dv50满足1μm≤Dv50≤8μm时,均能改善析锂现象,并且能够减少活性物质层从负极集流体脱落以及负极集流体撕裂。
通过比较实施例6~11可知,在第一活性物质层中的硅元素的质量百分含量处于0.1%~30%范围内时,均能改善析锂现象,并且能够减少活性物质层从负极集流体脱落以及负极集流体撕裂。
通过比较实施例12~15可知,在第一硅基材料颗粒中的硅元素的质量含量小于50%时,均能改善析锂现象,并且能够减少活性物质层从负极集流体脱落以及负极集流体撕裂。
综上,第一活性物质层和第二活性物质层中的硅元素含量以及第一硅基材料颗粒和第二硅基材料颗粒的Dv50对析锂的概率和负极活性物质层脱落及集流体撕裂概率有着较为明显的影响。若第一活性物质层中的硅元素的质量百分含量小于第二活性物质层中的硅元素的质量百分含量,负极活性物质层脱落和集流体撕裂的概率则较小。若第一硅基材料颗粒的平均粒径Dv50小于第二硅基材料颗粒的平均粒径Dv50,则对充电能力有着较为明显的影响。当第一活性物质层中的硅元素的质量百分含量小于第二活性物质层中的硅元素的质量百分含量,并且第一硅基材料颗粒的平均粒径Dv50小于第二硅基材料颗粒的平均粒径Dv50时,能够提升充电能力,并且能够减少负极活性物质层脱落及集流体撕裂。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解,本申请中所涉及的公开范围,并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案,同时也应涵盖在不脱离上述公开构思的情况下,由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (10)

1.一种负极极片,包括:
集流体;
第一活性物质层,所述第一活性物质层包含第一硅基材料颗粒;以及
第二活性物质层,所述第二活性物质层包含第二硅基材料颗粒;
其中,所述第一活性物质层设置在所述集流体和所述第二活性物质层之间,所述第一活性物质层中的硅元素的质量百分含量小于所述第二活性物质层中的硅元素的质量百分含量,所述第一硅基材料颗粒的平均粒径Dv50小于所述第二硅基材料颗粒的平均粒径Dv50。
2.根据权利要求1所述的负极极片,其中,所述第一硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量小于所述第二硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量。
3.根据权利要求1所述的负极极片,其中,所述第一活性物质层中的硅元素的质量百分含量为0.1%~30%,所述第二活性物质层中的硅元素的质量百分含量为1%~100%。
4.根据权利要求2所述的负极极片,其中,所述第一硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量为0.1%~50%,所述第二硅基材料颗粒中的硅元素的质量百分含量为3%~100%。
5.根据权利要求1所述的负极极片,其中,所述第一硅基材料颗粒的平均粒径Dv50满足1μm≤Dv50≤8μm。
6.根据权利要求1所述的负极极片,其中,所述第一活性物质层的厚度为0.2μm~100μm,所述第二活性物质层的厚度为0.2μm~100μm。
7.根据权利要求1所述的负极极片,其中,所述第一硅基材料颗粒和所述第二硅基材料颗粒各自独立地包括硅、硅合金、硅的氧化物或硅碳复合物中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的负极极片,其中,所述第一活性物质层和所述第二活性物质层还各自独立地包括人造石墨、天然石墨、中间相碳微球、软碳或硬碳中的至少一种。
9.一种电化学装置,包括:
正极极片;
负极极片;
隔离膜,设置于所述正极极片和所述负极极片之间;
其中,所述负极极片为根据权利要求1至8中任一项所述的负极极片。
10.一种电子装置,包括根据权利要求9所述的电化学装置。
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