CN110534633B

CN110534633B - 透光性部件的形成方法和发光装置的制造方法以及发光装置

Info

Publication number: CN110534633B
Application number: CN201910446402.7A
Authority: CN
Inventors: 武藏直树; 若木贵功
Original assignee: Nichia Corp
Current assignee: Nichia Corp
Priority date: 2018-05-25
Filing date: 2019-05-27
Publication date: 2023-06-13
Anticipated expiration: 2039-05-27
Also published as: US20190363226A1; CN110534633A; JP2019204039A; JP6978690B2; US10978625B2

Abstract

提供一种赋予微小凹凸形状的新方法。透光性部件的形成方法包括以下工序：用紫外线经由具有遮光区域(200s)和透过区域(200t)的光掩模(200)而对含有硅酮树脂的固化后的树脂体(140X)的主面(140a)进行照射，从而使主面中的与光掩模的遮光区域对应的第1区域(R1)的高度和主面中的与光掩模的透过区域对应的第2区域(R2)的高度彼此不同。

Description

透光性部件的形成方法和发光装置的制造方法以及发光装置

技术领域

本发明涉及透光性部件的形成方法和发光装置的制造方法。另外，本发明也涉及发光装置。

背景技术

作为形成微小凹凸形状的技术，已知有压印法，即：将具有微小凹凸形状的模具的表面形状转印到树脂材料的层。利用压印法转印形状的对象是热塑性树脂或紫外线固化性树脂。前者是将模具按压到热塑性树脂，利用加热使热塑性树脂固化，然后将模具从热塑性树脂分离。后者是将透过紫外线的模具按压到紫外线固化性树脂，利用经由模具的紫外线照射使紫外线固化性树脂固化，然后，将模具从紫外线固化性树脂分离。

压印法如下述的专利文献1所示，例如被用在显示装置用的防反射膜的形成中。或者，压印法也可以用在偏振膜等的制造中。另外，压印法有时也被应用在蚀刻中使用的抗蚀剂图案的形成中。下述的专利文献2中说明了在用于在包含n型半导体层和p型半导体层的半导体层叠部的表面形成锥台形状或锥体形状的图案的掩模的形成中可以适用压印法。如上所述，压印法也被期待在用于提高以发光二极管(LED)为代表的发光元件、有机EL发光装置等中的光提取效率而赋予凹凸形状中得到应用。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2017-032806号公报

专利文献2：特开2016-001639号公报

发明内容

发明欲解决的技术问题

通过压印法能够形成微小凹凸形状。但是，对于能够赋予形状的对象目前尚存在限制，即只能是未固化的状态的热塑性树脂或紫外线固化性树脂。

用于解决问题的技术手段

本发明的一个实施方式涉及的透光性部件的形成方法的特征在于，包含以下工序：用紫外线经由具有遮光区域和透过区域的光掩模而对具有主面且含有硅酮树脂的固化后的树脂体的所述主面进行照射，从而使所述主面中的与所述光掩模的所述遮光区域对应的第1区域的高度和所述主面中的与所述光掩模的所述透过区域对应的第2区域的高度彼此不同。

本发明的另一实施方式涉及的发光装置的制造方法的特征在于，包括：工序(a)，准备发光体，所述发光体包括：具有上表面的发光元件；和树脂体，所述树脂体是具有主面并且通过使未固化的硅酮树脂原料固化而形成的透光性的树脂体，并且所述树脂体至少覆盖所述发光元件的所述上表面；以及工序(b)，形成在表面具有凹凸图案并且至少覆盖所述发光元件的所述上表面的透光性部件，所述工序(b)包括工序(b1)，所述工序(b1)：用紫外线经由具有遮光区域和透过区域的光掩模而对所述树脂体的所述主面进行照射，从而使所述主面中的与所述光掩模的所述遮光区域对应的第1区域的高度和所述主面中的与所述光掩模的所述透过区域对应的第2区域的高度彼此不同。

本发明的又一实施方式涉及的发光装置的制造方法的特征在于，包括：工序(a)，准备具有上表面并且在所述上表面的相反侧设置有正极和负极的发光元件；以及工序(b)，形成在表面具有凹凸图案并且至少覆盖所述发光元件的所述上表面的透光性部件，所述工序(b)包括工序(b1)，所述工序(b1)：用紫外线经由具有遮光区域和透过区域的光掩模而对通过使未固化的硅酮树脂原料固化而形成的透光性的树脂体的表面进行照射，从而使所述表面中的与所述光掩模的所述遮光区域对应的第1区域的高度和所述表面中的与所述光掩模的所述透过区域对应的第2区域的高度彼此不同。

本发明的又一实施方式涉及的发光装置的制造方法的特征在于，包括：工序(a)，准备具有上表面并且在所述上表面的相反侧设置有正极和负极的发光元件；以及工序(b)，形成在表面具有凹凸图案并且至少覆盖所述发光元件的所述上表面的透光性部件，所述工序(b)包括：工序(b1)，用紫外线经由具有遮光区域和透过区域的光掩模而对通过使未固化的硅酮树脂原料固化而形成的透光片材的主面进行照射，从而使所述主面中的与所述光掩模的所述遮光区域对应的第1区域的高度和所述主面中的与所述光掩模的所述透过区域对应的第2区域的高度彼此不同；以及工序(b2)，将用紫外线照射后的所述透光片材配置在所述发光元件的所述上表面侧。

本发明的又一实施方式涉及的发光装置的特征在于，具有：发光元件，具有上表面；以及透光性部件，包含至少覆盖所述发光元件的所述上表面并且位于所述发光元件的所述上表面的上方的主面，所述透光性部件的所述主面具有凹凸图案，在通过红外分光得到的与所述透光性部件相关的吸收光谱的波数大于3700cm^-1且小于3000cm^-1的范围内出现的由Si-OH引起的吸收比与硅酮树脂相关的吸收光谱的所述范围中的吸收大，在与所述透光性部件相关的吸收光谱的波数2960cm^-1附近和800cm^-1附近出现的由Si-CH₃引起的吸收峰分别小于与硅酮树脂相关的吸收光谱的波数2960cm^-1附近和800cm^-1附近的吸收峰。

本发明的又一实施方式涉及的发光装置的特征在于，具有：发光元件，具有上表面；以及透光性部件，包含至少覆盖所述发光元件的所述上表面并且位于所述发光元件的所述上表面的上方的主面，所述透光性部件的所述主面具有凹凸图案，所述透光性部件的所述主面的瞬间粘接力低于硅酮树脂的瞬间粘接力。

发明效果

根据本发明的一实施方式，提供一种赋予微小凹凸形状的新方法。

附图说明

图1是示出基于第一实施方式的透光性部件的制造方法的概要的流程图。

图2是示出基于第一实施方式的透光性部件的制造方法的其他例子的流程图。

图3是用于说明基于第一实施方式的透光性部件的示例性的制造方法的示意性截面图。

图4是用于说明基于第一实施方式的透光性部件的示例性的制造方法的示意性截面图。

图5是示出光掩模200的一例的示意性平面图。

图6是示出透光性部件140的一例的示意性截面图。

图7是示出透光性部件140的一例的立体图。

图8是示意性地示出利用基于第二实施方式的发光装置的制造方法得到的示例的发光装置的构造的截面图。

图9是示出基于第二实施方式的发光装置的制造方法的一例的流程图。

图10是用于说明在图9所示的步骤S22中可以包含的步骤的图。

图11是示出具有发光元件110A和透光性的树脂体140U的发光体100U的示例性的结构的示意性截面图。

图12是用于说明在图9所示的步骤S21中可以包含的步骤的图。

图13是用于说明发光体100U的示例性的制造方法的示意性截面图。

图14是用于说明发光体100U的示例性的制造方法的示意性截面图。

图15是用于说明发光体100U的示例性的制造方法的示意性截面图。

图16是用于说明发光体100U的示例性的制造方法的示意性截面图的。

图17是用于说明发光体100U的示例性的制造方法的示意性截面图。

图18是用于说明发光体100U的示例性的制造方法的示意性截面图。

图19是用于说明基于第二实施方式的发光装置的制造方法的示意性截面图。

图20是用于说明基于第二实施方式的发光装置的制造方法的示意性截面图。

图21是用于说明基于第二实施方式的发光装置的制造方法的示意性截面图。

图22是用于说明发光体100U的其他示例性的制造方法的示意性截面图。

图23是用于说明基于第二实施方式的发光装置的制造方法的其他例子的示意性截面图。

图24是用于说明基于第二实施方式的发光装置的制造方法的其他例子的示意性截面图。

图25是示出具有基板410A以及在基板410A上设置有的第1导电部411A和第2导电部412A的复合基板400A的一例的示意性上表面图。

图26是示出发光装置100B的外观的一例的立体图。

图27是示意性地示将图26所示的发光装置100B在发光装置100B的中央附近的位置与图26中的YZ面平行地切断时的截面的图。

图28是示出基于第二实施方式的发光装置的制造方法的又一例的流程图。

图29是用于说明在图28所示的步骤S24中可以包含的步骤的图。

图30是用于说明基于第二实施方式的发光装置的制造方法的又一例的示意性截面图。

图31是用于说明基于第二实施方式的发光装置的制造方法的又一例的示意性截面图。

图32是用于说明基于第二实施方式的发光装置的制造方法的又一例的示意性截面图。

图33是用于说明基于第二实施方式的发光装置的制造方法的又一例的示意性截面图。

图34是用于说明基于第二实施方式的发光装置的制造方法的又一例的示意性截面图。

图35是示意性地示出利用基于第二实施方式的发光装置的制造方法得到的发光装置的又一例的截面图。

图36是用于说明在图28所示的步骤S24中可以包含的步骤的其他例子的图。

图37是用于说明基于第二实施方式的发光装置的制造方法的又一例的示意性截面图。

图38是用于说明基于第二实施方式的发光装置的制造方法的又一例的示意性截面图。

图39是用于说明基于第二实施方式的发光装置的制造方法的又一例的示意性截面图。

图40是用于说明基于第二实施方式的发光装置的制造方法的又一例的示意性截面图。

图41是示意性地示出利用基于第三实施方式的发光装置的制造方法得到的示例的发光装置的外观的上表面图。

图42是示意性地示出利用基于第三实施方式的发光装置的制造方法得到的示例的发光装置的构造的截面图。

图43是示意性地示出利用基于第三实施方式的发光装置的制造方法得到的发光装置的截面的其他例子的截面图。

图44是用于说明在图9所示的步骤S21中可以包含的步骤的其他例子的图。

图45是示出复合基板300F的一例的示意性上表面图。

图46是用于说明本发明的基于第三实施方式的发光装置的制造方法的示意性上表面图。

图47是用于说明基于第三实施方式的发光装置的制造方法的示意性截面图。

图48是用于说明基于第三实施方式的发光装置的制造方法的示意性截面图。

图49是用于说明基于第三实施方式的发光装置的制造方法的示意性截面图。

图50是示意性地示出利用基于第三实施方式的发光装置的制造方法得到的其他示例的发光装置的构造的截面图。

图51是示意性地示出利用基于第三实施方式的发光装置的制造方法得到的又一个示例的发光装置的构造的截面图。

图52是示意性地示出利用基于第三实施方式的发光装置的制造方法得到的又一个示例的发光装置的构造的截面图。

图53是示意性地示出利用基于第三实施方式的发光装置的制造方法得到的又一个示例的发光装置的构造的截面图。

图54是放大示出实施例1-1的样品的表面的图。

图55是示出实施例1-1的样品的表面形状的图。

图56是示出实施例1-1的样品的截面轮廓的图。

图57是放大示出实施例1-2的样品的表面的图。

图58是示出实施例1-2的样品的表面形状的图。

图59放大示出实施例1-3的样品的表面的图。

图60是示出实施例1-3的样品的表面形状的图。

图61是示出模具分离后的树脂片材的表面形状的图。

图62是示出参考例2-1的样品的表面形状的图。

图63是示出参考例2-2的样品的表面形状的图。

图64示出利用傅里叶变换型红外分光光度计得到的与参考例3的样品相关的透射光的红外光谱。

图65是将图64的一部分放大示出的图，示出与参考例3的样品相关的透射光的红外光谱。

图66是将图64的一部分放大示出的图，示出与参考例3的样品相关的透射光的红外光谱。

图67是示出与参考例3-1、参考例3-2和比较例的各样品的表面的粘性相关的测量结果的图。

符号说明

100A～100C、100E～100I 发光装置

100U、100Y 发光体

110、110A、110B 发光元件

110a 发光元件的上表面

110b 发光元件的下表面

112A、112B 发光元件的正极

114A、114B 发光元件的负极

120A 波长转换部件

120L、120V 波长转换层

130A 导光部件

140、140A 透光性部件

140L、140V 透光层

140U、140X、340Z 树脂体

140a 上表面

140b 下表面

140d 凹部

150A～150C 光反射性部件

170 树脂层

170V、LB层叠片材片

172 透光部

174 光反射性树脂部

200 光掩模

200s 光掩模的遮光区域

200t 光掩模的透过区域

300 封装

300F 复合基板

320A、320B 波长转换部件

340 透光性部件

340Z 树脂体

320d、340d 凹部

350 基台

361、362 引线

371、372 导线

400A、400B 复合基板

410A、410B 基板

411A、411B 第1导电部

412A、412B 第2导电部

500 紫外线照射装置

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的实施方式进行详细说明。以下的实施方式是示例，基于本发明的透光性部件的形成方法和发光装置的制造方法不限于以下的实施方式。例如，对于以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、步骤、该步骤的顺序等，只是一个例子，只要在技术上没有矛盾，可以进行各种改变。

附图所示的构成要素的尺寸、形状等有时为了便于理解而进行了夸张，有时并未反映实际的透光性部件、发光装置和制造装置中的尺寸、形状和构成要素间的大小关系。另外，为了避免附图过于复杂，有时省略了一部分要素的图示。

在以下的说明中，实质上具有相同功能的构成要素以共用的附图标号示出，有时省略说明。在以下的说明中，有时使用表示特定方向或位置的用语(例如，“上”、“下”、“右”、“左”和包含这些用语的其他用语)。但是，这些用语只不过用于使参照的附图中的相对的方向或位置容易理解。参照的附图中的基于“上”、“下”等用语的相对的方向或位置的关系只要相同，在本发明以外的附图、实际产品、制造装置等中，也可以不是与参照的附图相同的配置。本发明中，只要没有特别提及，“平行”包括2个直线、边、面等处于从0°至±5°左右的范围的情况。另外，本发明中，只要没有特别提及，“垂直”或“正交”包括2个直线、边、面等处于从90°至±5°左右的范围的情况。

(第一实施方式)

图1和图2是示出本发明的基于第一实施方式的透光性部件的制造方法的概要的流程图。图1中示例出的透光性部件的制造方法示意性地包括利用紫外线经由具有遮光区域和透过区域的光掩模地照射包含硅酮树脂的树脂体的主面的工序(步骤S11)。如后所述，通过对包含硅酮树脂的树脂体的一部分主面选择性地照射紫外线，从而能够使主面中的被紫外线照射后的区域的高度和主面中的未接触紫外线的区域的高度彼此不同。即，能够在树脂体的主面以基本上非接触的方式形成凹凸。

此处，作为紫外线照射的对象的树脂体原则上是指固化后的状态，且是主固化(也称为C阶段或者完全固化)状态的树脂。但是，如后述实施方式中说明的那样，作为紫外线照射的对象的树脂体，也可以使用预固化(也称为B阶段或者半固化)状态的树脂。图1示出使用主固化后的树脂体的例子的流程，在紫外线照射后不具有进一步的固化工序。也可以在使树脂体暂时成为半固化状态之后进行主固化，然后照射紫外线。另一方面，图2示出使用半固化后的树脂体的例子，与图1的例子相比，在紫外线照射后还有使树脂体固化的工序(步骤S12)。如图2所示，在使用预固化状态的树脂体的情况下，在用紫外线照射树脂体的主面的工序之后，进行固化工序。在使用主固化状态的树脂体的情况下，在其后的工序中，进一步的固化工序不是必须的。如无特别说明，在本说明书中仅记载为“固化”的情况下，“固化”是指主固化的情况。

以下，参照附图，对透光性部件的制造方法的实施方式进行详细说明。

首先，如图3所示，准备树脂体140X。在图3所示的例子中，树脂体140X整体上是板状，并具有平面状的主面140a。此处，树脂体140X是板状的部件。需要说明的是，树脂体140X的形状不限于板状，可以设定为任意的形状。在图3中，相当于树脂体140X的上表面的主面140a的形状可以是平面，或者也可以是曲面。树脂体140X例如可以具有10μm以上且500μm以下左右的厚度。

树脂体140X具有透光性，并且可在赋予凹凸之后配置在例如发光元件、发光装置等的光出射侧来作为保护部件、光扩散部件等光学部件。需要说明的是，本说明书中的“透光性”和“透光”的用语可以解释为也包含对已入射的光表示出扩散性的情况，不限于“透明”。

树脂体140X是含有硅酮树脂的部件。树脂体140X中的硅酮树脂含有在分子中具有至少一个苯基的有机聚硅氧烷。或者，树脂体140X中的硅酮树脂含有由2个甲基与硅原子结合而成的D单元的有机聚硅氧烷。树脂体140X也可以含有这2种有机聚硅氧烷双方。树脂体140X中的硅酮树脂例如也可以含有具有苯基并且具有D单元的有机聚硅氧烷。构成树脂体140X的硅酮树脂组合物也可以含有导入有甲基和苯基以外的基团的改性硅酮。

树脂体140X实质上不限于包含硅酮树脂的部件，可以是包含硅酮树脂以外的材料的复合部件。例如，树脂体140X也可以是以含有硅酮树脂的树脂材料为母材并且分散有光散射性的填料的部件等。作为光散射性的填料，可以使用具有比母材的折射率高的折射率的无机材料或者有机材料的粒子。光散射性的填料的例子是二氧化钛、二氧化锆、钛酸钾、氧化铝、氮化铝、氮化硼、莫来石、氧化铌、硫酸钡、氧化硅、各种稀土氧化物(例如，氧化钇、氧化钆)等的粒子。需要说明的是，构成树脂体140X的母材也可以含有硅酮树脂以外的树脂。

树脂体140X也可以含有分散在树脂中的波长转换部件。树脂体140X含有波长转换部件，从而树脂体140X能够吸收入射的光的至少一部分，并且发出与入射的光的波长不同波长的光。波长转换部件的典型例是荧光体等的粒子。在荧光体中，可以适用公知的材料。荧光体的例子是YAG系荧光体、KSF系荧光体等氟化物系荧光体以及CASN等氮化物系荧光体、β塞隆荧光体等。YAG系荧光体是将蓝色光转换为黄色光的波长转换物质的例子，KSF系荧光体和CASN是将蓝色光转换为红色光的波长转换物质的例子，β塞隆荧光体是将蓝色光转换为绿色光的波长转换物质的例子。荧光体也可以是量子点荧光体。

树脂体140X可以通过购入或制作来准备。可以通过使已涂覆在支撑体上的硅酮树脂原料固化，从而得到树脂体140X。例如，通过将成形为板状等预定形状后的硅酮树脂原料在例如150℃的温度下放置4小时，从而得到固化后的树脂体。在树脂体140X的形成中可以适用传递成形(Transfer molding)、压缩成形法等。对于用于得到固化状态的树脂体的硅酮树脂原料的加热温度的范围，优选的是100℃以上且200℃以下，更优选的是120℃以上且180℃以下。对于加热时间的范围，优选的是60分钟以上且480分钟以下，更优选的是120分钟以上且300分钟以下。需要说明的是，这些加热条件在使用未固化的硅酮树脂原料得到主固化状态的树脂体的情况下和使用预固化后的硅酮树脂得到主固化状态的树脂体的情况下相同。

树脂体140X中的硅酮树脂也可以是预固化的状态。例如，将含有硅酮树脂的硅酮树脂原料利用喷涂法、浇铸法、浇灌法等涂布法或者丝网印刷法涂覆到基板等支撑体上之后，例如在150℃的温度下放置0.5小时，从而得到预固化后的树脂体。对于用于得到预固化状态的树脂体的硅酮树脂原料的加热温度的范围，优选的是80℃以上且200℃以下，更优选的是120℃以上且180℃以下。加热时间的范围优选的是0.1分钟以上且120分钟以下，更优选的是15分钟以上且45分钟以下。

接着，如图4示意性地示出，利用紫外线照射装置500，用紫外线经由光掩模而照射树脂体140X的主面140a(图1的步骤S11和图2的步骤S11)。此时，如图4所示，使用具有遮光区域200s和至少一个透过区域200t的光掩模200。在图4中，光掩模200中的赋予了阴影线的区域表示光掩模200的遮光区域200s。另外，在图4中，光掩模200中的白色区域表示光掩模200的透过区域200t。需要说明的是，在该例子中，在光掩模200已配置在树脂体140X的主面140a上的状态下，进行紫外线照射。也就是说，在图4中，示例出了光掩模200与树脂体140X直接接触的情况。但是，光掩模200与树脂体140X接触不是必须的。也就是说，也可以是光掩模200与树脂体140X分开，或者，也可以有别的透光性的部件存在于它们之间。

图5是光掩模200的一例。在该例子中，光掩模200具有圆形状的多个遮光区域200s。在图5示例的结构中，多个遮光区域200s具有使各区域的中心位于三角网格的网格点上的二维配置。光掩模200与在半导体工艺中使用的公知的中间掩模(或光掩模)同样地制作。例如，在玻璃(典型地是石英玻璃)片材、高分子膜等的表面形成铬膜等遮光膜之后，例如利用光刻对遮光膜进行图案化，形成遮光区域200s，从而能够得到光掩模200。也就是说，透过区域200t是作为支撑体的玻璃片材、高分子膜等中未形成基于铬等的遮光层的区域，是被构成为使紫外线透过的区域。

图5示例的遮光区域200s的配置间距，也就是说彼此邻接的2个遮光区域200s的中心间距离例如为0.1μm以上且3000μm以下的范围，优选为2μm以上且100μm以下，更优选为3μm以上且30μm以下。另外，遮光区域200s的半径例如为0.05μm以上且1000μm以下的范围，优选为1μm以上且50μm以下，更优选为2μm以上且10μm以下。当然，遮光区域200s的配置和遮光区域200s的各自的形状不限于图5示出的例子，可以采用任意的配置和形状。彼此邻接的2个遮光区域200s的中心间距离在光掩模200的整体上可以是一定的。或者，也可以根据需要的配光特性等而任意改变遮光区域200s的中心间距离。另外，在多个遮光区域200s之间，它们的形状既可以是全部相同的形状，也可以是在多个遮光区域200s中混合存在不同的形状或大小。多个遮光区域200s的形状可以根据需要的配光特性等而设定为任意的形状、大小。

需要说明的是，在图5中，光掩模200具有长方形状的外形。但是，光掩模200的外形不限于该例子，例如也可以是正方形状。另外，也可以使光掩模200的尺寸与树脂体140X的尺寸相匹配。但是，不限于此，光掩模200可以具有比树脂体140X的主面140a大的面积，也可以具有比主面140a小的面积。在前者的情况下，可以经由单一的光掩模200，对多个树脂体140X一并地照射紫外线。在后者的情况下，也可以利用分步重复法对主面140a进行数次照射。

紫外线照射工序中的照射量例如为20J/cm²以上。照射的紫外线的波长没有特别限制，例如可以使用发出具有UVA(400～315nm)～UVC(280～140nm)的波长范围的光谱的紫外线的紫外线照射装置。此处，使用发光的主峰波长为365nm的光源。

如图6示意性地示出那样，通过紫外线照射，使主面140a中的与遮光区域200s对应的第1区域R1的高度与主面140a中的与透过区域200t对应的第2区域R2的高度彼此不同，使得能够形成在主面140a具有多个凹部140d的透光性部件140。第1区域R1是主面140a中的被遮光区域200s覆盖从而避免被紫外线照射的区域。第2区域R2是主面140a中的经由透过区域200t而照射了紫外线的区域。在树脂体140X含有预固化状态的硅酮树脂的情况下，进行紫外线照射工序之后，利用加热使树脂体140X固化(图2的步骤S12)，从而得到具有多个凹部140d的透光性部件140。需要说明的是，为了便于说明，图6中对凹部140d进行了夸张放大。

此处，利用经由光掩模200的紫外线照射而形成的凹部140d是通过减少树脂体140X中的位于第1区域R1的部分的厚度从而形成的构造。或者，是由于增大了树脂体140X中的位于第2区域R2的部分的厚度，而导致位于第1区域R1的部分的高度相对变小而形成的构造。应该注意的点是，在受到紫外线照射的区域与未照射紫外线的区域之间产生高度的差异(形成凹凸)。如之后参照实施例说明的那样，第1区域R1与第2区域R2之间的沿着主面140a的法线方向的高度差d可以是0.1μm以上。高度差d例如小于10μm。

图7示意性地示出透光性部件140的一例。如图7所示，在该例子中，光掩模200的遮光区域200s具有各自的中心位于三角网格的网格点上的配置，与此对应地，凹部140d也具有各自的中心位于三角网格的网格点上的配置。需要说明的是，与图6同样地，为了为了便于说明，图7中对凹部140d进行了夸张放大。在本发明的其他附图中，为了便于说明，也对凹部140d进行了夸张放大。

相对于具有能够配置在透光性部件140的主面140a侧或主面140a的相反侧的主面140b(该例子中为下表面)的LED等发光元件或发光装置的发光峰波长的光，透光性部件140的透过率例如是60％以上。相对于上述发光峰波长的光，透光性部件140的透过率为70％以上是有益的，为80％以上是更有益的。透光性部件140能够具有50％以上的雾度值。雾度值能够根据按照JIS K7136：2000的测量方法进行测量。

这样，根据本发明的实施方式，能够对树脂体140X的主面140a以基本上非接触的方式赋予诸如凹凸图案的形状，而不需要使用模具这样的成形工具。根据本发明的实施方式，与一般的压印法不同，由于不需要将模具按压在形状赋予对象上，因此能够避免由于对形状赋予对象的物理接触而导致的受损的发生。另外，由于赋予形状时不需要蚀刻，因此蚀刻导致的受损也不会发生。需要说明的是，透光性部件140中的硅酮树脂是基本上固化后(主固化后)的状态。因此，即使是将透光性部件140暴露在例如300℃左右的高温环境中的情况下，也能够维持在主面140a形成的凹部140d的形状。因此，在得到透光性部件140之后，能够将透光性部件140投入到伴有高温的工艺中。

(第二实施方式)

图8示意性地示出利用本发明的第二实施方式的发光装置的制造方法得到的示例的发光装置的截面。图8示出的发光装置100A具有：发光元件110A、波长转换部件120A、导光部件130A、透光性部件140A和光反射性部件150A。

发光元件110A例如是LED，在该例子中，发光元件110A具有：元件主体111以及位于发光元件110A的下表面侧的正极112A和负极114A。在图8示例的结构中，发光元件110A的上表面与元件主体111的上表面111a一致，正极112A和负极114A被配置在与发光元件110A的上表面相反侧的元件主体111的下表面111b上。

元件主体111例如包括：蓝宝石或氮化镓等的支撑基板和支撑基板上的半导体层叠构造。半导体层叠构造包括：活性层；以及隔着活性层的n型半导体层和p型半导体层。半导体层叠构造也可以含有能够进行紫外～可见域的发光的氮化物半导体(In_xAl_yGa_1-x-yN、0≤x、0≤y、x+y≤1)。上述正极112A和负极114A具有向半导体层叠构造供给预定电流的功能。如图8所示，正极112A的下表面和负极114A的下表面从发光装置100A的下表面100b露出，因此，可以说发光装置100A具有适合基于倒装芯片连接的安装的结构。

在图8示例的结构中，发光装置100A在元件主体111的上表面111a的上方具有波长转换部件120A和透光性部件140A的层叠构造。波长转换部件120A具有位于上表面120a与下表面120b之间的侧面120c，透光性部件140A具有位于上表面140a与下表面140b之间的侧面140c。如图所示，在该例子中，波长转换部件120A的侧面120c和透光性部件140A的侧面140c被光反射性部件150A覆盖。导光部件130A具有位于波长转换部件120A的下表面120b与元件主体111的上表面111a之间的部分，导光部件130A的其他部分覆盖位于元件主体111的上表面111a与下表面111b之间的元件主体111的侧面111c的至少一部分。

此处，透光性部件140A是与第一实施方式的透光性部件140同样的板状的构造，如图8示意性地示出那样，例如，位于发光元件110A的上表面的上方的上表面140a具有多个凹部140d。透光性部件140A的厚度例如为5μm以上且100μm以下的范围，凹部140d的深度例如为0.1μm以上。如后所述，多个凹部140d可以利用与第一实施方式几乎相同的方法形成在透光性部件140A。如后述根据实施例说明的那样，根据后述的探针法得到的透光性部件140的瞬间粘接力是未有意地照射紫外线的硅酮树脂的表面的瞬间粘接力的例如50％以下的范围内。

相对于发光元件110A的发光峰波长的光，透光性部件140A的透过率典型地为60％以上。从有效利用光的观点考虑，发光元件110A的发光峰波长下的透光性部件140A的透过率为70％以上是有益的，80％以上是更有益的。

此处，波长转换部件120A与透光性部件140A同样地具有板状的形状。波长转换部件120A例如包括硅酮树脂等的母材和荧光体等的波长转换部件，并且吸收来自发光元件110A的光的至少一部分，并且发出与入射的光的波长不同波长的光。

光反射性部件150A具有包围波长转换部件120A、透光性部件140A和导光部件130A的形状，并且至少覆盖元件主体111中的侧面111c。另外，在图示的例子中，光反射性部件150A的一部分覆盖元件主体111的下表面111b中的除了正极112A和负极114A以外的区域。需要说明的是，本说明书中的“覆盖”不只是被包覆部件与包覆部件直接接触的方式，例如也可以解释为包含通过在这些部件之间进一步存在其他部件从而使它们不直接接触的部分的方式。在本说明书中，“光反射性”是指发光元件的发光峰波长下的反射率为60％以上。光反射性部件150A的在发光元件110A的发光峰波长下的反射率为70％以上是更有益的，为80％以上是更有益的。另外，光反射性部件150A具有白色是有益的。

图9是示出本发明的基于第二实施方式的发光装置的制造方法的一例的流程图。图9示例出的发光装置的制造方法示意性地包括准备具有发光元件和透光性的树脂体的发光体的工序(步骤S21)；以及形成在表面具有凹凸图案并且至少覆盖发光元件的上表面的透光性部件的工序(步骤S22)。在此处说明的例子中，形成透光性部件的工序包括利用紫外线经由具有遮光区域和透过区域的光掩模来照射树脂体的主面的工序(步骤S221)。成为紫外线照射对象的树脂体是通过使硅酮树脂原料固化而形成的例如树脂片材或硅酮树脂原料为预固化状态的树脂片材。根据需要，在照射紫外线之后，如图1示例的那样，进行使树脂体固化的工序(步骤S222)。以下，参照附图，对图8示出的发光装置100A的示例性的制造方法的细节进行说明。

[发光体的准备工序]

首先，准备具有发光元件和透光性的树脂体的发光体(图9的步骤S21)。此处，准备如图11示例那样的发光体100U，该发光体100U包括在发光元件110A的上表面的上方配置有的片状的树脂体140U。图11示意性地示出将发光体100U与发光体100U的上表面100Ua垂直地切断时的截面。

图11示出的发光体100U除了发光元件110A和树脂体140U之外，还具有波长转换部件120A、导光部件130A和光反射性部件150A。如

图11所示，发光体100U在其一部分中包含波长转换部件120A和树脂体140U的层叠构造，光反射性部件150A覆盖树脂体140U的侧面140c和波长转换部件120A的侧面120c。发光体100U可以通过购入来准备，也可以通过制作来准备。图11所示的发光体100U例如如下地得到。

图12是用于说明发光体100U的示例性的制造方法的流程图。发光体100U的准备工序例如包括：准备具有上表面的发光元件的工序(步骤S211)；在发光元件的上表面涂覆未固化的透光性树脂材料的工序(步骤S212)；以及通过使透光性树脂材料固化从而在发光元件的上表面的上方配置树脂体的工序(步骤S213)。

首先，准备发光元件110A，该发光元件110A具有上表面，并且在位于上表面的相反侧的下表面111b侧具有正极112A和负极114A(图12的步骤S211)。发光元件110A也可以通过购入来准备。

接着，准备耐热性的粘接片材或基板等支撑体50，以使正极112A和负极114A朝向支撑体50的状态将发光元件110A配置在支撑体50上。此处，如图13所示，将多个发光元件110A暂时固定在支撑体50的上表面50a。虽然为了简便而在图13中示出沿着纸面的左右方向配置有的3个发光元件110A，但是当然也可以在上表面50a上二维地配置发光元件110A。

接着，如图14所示，在发光元件110A的上表面即上表面111a利用分配器等涂覆透光性的第1树脂材料130r(图12的步骤S212)。第1树脂材料130r可以包含硅酮树脂、硅酮改性树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、三甲基戊烯树脂或聚降冰片烯树脂、或者包含它们中的2种以上的材料作为母材。

接着，如图15示意性地示出的那样，将波长转换部件120A和树脂体140U配置在第1树脂材料130r上，并且使第1树脂材料130r固化。此处，准备波长转换部件120A和树脂体140U的层叠片材，在切成预定大小的层叠片材片LB之后，将层叠片材片LB配置在各发光元件110A的第1树脂材料130r上。在配置层叠片材片LB之后，使第1树脂材料130r固化，从而能够如图16所示地形成导光部件130A并将树脂体140U配置在发光元件110A的上表面的上方(图12的步骤S213)。也可以在固化第1树脂材料130r之后，利用切割装置等对波长转换部件120A的侧面120c和树脂体140U的侧面140c进行修整。基于此，得到分别具有发光元件110A和至少覆盖发光元件110A的上表面的树脂体140U的多个发光体。

需要说明的是，层叠片材片LB例如可以如下地准备，即，准备使分散有荧光体粒子的树脂材料中的树脂成为B阶段的状态的荧光体片材和透光性的树脂片材，并且利用热使它们贴合，利用超声波刀等得到预定的尺寸的切割片。荧光体片材可以由含有荧光体、硅酮树脂等树脂材料、填料粒子和溶剂的第2树脂材料形成。作为荧光体，可以使用上述YAG系荧光体、KSF系荧光体、CASN和β塞隆荧光体等公知的荧光体。

透光性的树脂片材例如可以通过使含有硅酮树脂来作为母材的未固化的硅酮树脂原料成为预固化后的B阶段的状态而得到。透光性的树脂片材也可以是通过使未固化的硅酮树脂原料主固化而形成的片材。硅酮树脂原料中，附加性地，也可以含有光散射性的填料等。作为母材的硅酮树脂典型地含有在分子中具有至少一个苯基的有机聚硅氧烷和/或具有D单元的有机聚硅氧烷。能够通过将上述第2树脂材料利用喷涂法、浇铸法、浇灌法等涂布法涂覆到透光片材的主面上，并且使第2树脂材料固化，从而得到荧光体片材和透光性的树脂片材的层叠片材。或者，也可以通过购入来准备层叠片材或层叠片材片LB。也可以通过购入来准备荧光体片材和/或透光片材。需要说明的是，也可以在使第1树脂材料130r固化的过程中将透光性的树脂片材中的硅酮树脂固化。

在形成导光部件130A之后，形成对相当于发光元件110A的侧面的元件主体111的侧面111c进行覆盖的光反射性部件。例如，如图17所示，用光反射性树脂层150T覆盖支撑体50上的构造。

光反射性树脂层150T例如可以通过在将分散有光反射性填料的第3树脂材料涂覆到支撑体50的上表面50a之后，使第3树脂材料固化从而形成。作为第3树脂材料，可以使用含有硅酮树脂、酚醛树脂、环氧树脂、BT树脂、聚邻苯二甲酰胺(PPA)等来作为母材的材料。作为光反射性填料，可以使用以二氧化钛的粒子为代表的上述光散射粒子。在光反射性树脂层150T的形成中，例如可以适用传递成形。在图17所示的状态下，树脂体140U的上表面140a被光反射性树脂层150T覆盖。在构成层叠片材片LB的透光性的树脂片材是B阶段的状态的情况下，也可以在光反射性树脂层150T的形成过程中，对透光性的树脂片材中的硅酮树脂进行主固化。

接着，如图18所示，应用研削加工等从光反射性树脂层150T的上表面侧将光反射性树脂层150T的一部分除去，从而使树脂体140U的上表面140a露出。通过进行研削加工，在支撑体50的上表面50a得到具有与图11所示的发光体100U同样结构的多个构造。需要说明的是，此时，也可以利用研削而将树脂体140U的一部分与光反射性树脂层150T的一部分一起除去。这种情况下，通过研削而露出的上表面140a严格地讲是与进行研削之前的上表面140a不同的面，但是可以解释为这样的新形成的面也被包含在实施方式的上表面140a之内。

[透光性部件的形成工序]

在准备发光体100U之后，形成在表面具有凹凸图案并且覆盖发光元件110A上表面的透光性部件(图9的步骤S22)。在本实施方式中，利用经由光掩模的紫外线照射，在树脂体的表面此处为树脂体140U的上表面140a形成多个凹部。

例如，如图19所示，在树脂体140U的上表面140a侧配置有光掩模200的状态下，利用紫外线照射装置500，用紫外线经由光掩模200而照射树脂体140U的上表面140a(例如相当于树脂体140X的主面140a)(图10的步骤S221)。对树脂体的表面形成凹部的工序可以与参照图4～图6进行说明的利用紫外线的局部照射来对树脂体140X的主面140a形成多个凹部140d的例子同样地进行。

与图4示出的例子同样地，光掩模200具有遮光区域200s和透过区域200t。通过经由光掩模200而照射紫外线，从而与图6示出的例子同样地，能够使上表面140a中的由遮光区域200s覆盖后的第1区域R1的高度与位于透过区域200t正下方的第2区域R2的高度彼此不同。换言之，也可以利用紫外线的局部照射，在树脂体140U的上表面140a上与光掩模200的遮光区域200s对应的位置形成多个凹部140d。如前所述，光掩模200可以与树脂体140U的上表面140a接触，也可以不接触。

通过照射紫外线，从而如图20所示，在树脂体的表面此处为树脂体140U的上表面140a形成多个凹部的多个构造的集合体。即，得到具有多个凹部140d并且覆盖发光元件110A的上表面的透光性部件140A。需要说明的是，在树脂体140U为预固化的状态的情况下，例如在照射紫外线之后，利用加热使树脂体140U固化(图10的步骤S222)。例如，可以通过将在支撑体50上得到的构造在150℃的温度下放置4小时，使树脂体140U中的硅酮树脂成为主固化状态。在支撑体50上得到的构造的加热根据需要进行即可，图10所示的步骤S222可以省略。

进一步地，利用切割装置等，将支撑体50上的构造切割成期望的形状。例如，如图21所示，在彼此邻接的2个发光元件110A的位置，将光反射性树脂层150T切断。利用光反射性树脂层150T的研削和切断的工序，如图21所示，能够形成光反射性部件150A。然后，将支撑体50上的构造从支撑体50分离，从而得到图8示出的发光装置100A。

在上述例子中，虽然在对分别具有发光元件110A和树脂体140U的构造的集合体照射紫外线之后进行单片化，但是如下所述，也可以在将构造的集合体单片化而得到发光体100U之后照射紫外线。

如参照图18进行说明的那样，在利用例如研削使树脂体140U的上表面140a从光反射性树脂层150T露出之后，利用切割装置等将处于支撑体50上的构造的集合体切割成期望的形状。例如，在彼此邻接的2个发光元件110A的位置将研削后的光反射性树脂层150T切断，从而如图22所示地，能够形成光反射性部件150A。然后，将支撑体50上的构造从支撑体50分离，从而得到图11所示的发光体100U。

在得到已单片化的发光体100U之后，形成覆盖发光元件110A上表面的透光性部件(图9的步骤S22)。例如，如图23示意性地示出的那样，在粘接片材或基板等支撑体60上配置发光体100U，并且在上表面100Ua配置有光掩模200的状态下，利用紫外线照射装置500，用紫外线经由光掩模200而照射树脂体140U的上表面140a(例如相当于树脂体140X的主面140a)(图10的步骤S221)。在该例子中，光掩模200与树脂体140U的上表面140a接触依然不是必须的。紫外线照射如图23示例的那样，可以对多个发光体100U的树脂体140U一并地进行，也可以对多个发光体100U的每个分别进行。

利用经由光掩模200的紫外线照射，在树脂体140U的上表面140a形成多个凹部140d，得到覆盖发光元件110A上表面的透光性部件140A。在树脂体140U为预固化的状态的情况下，利用加热，使树脂体140U固化(图10的步骤S222)。通过以上工序，如图24所示地，在支撑体60上得到多个发光装置100A。

根据本发明的第二实施方式，对覆盖发光元件的透光性的部件的表面赋予微小凹凸，能够提高光的提取效率。在像上述发光装置100A那样，在发光元件110A的光出射侧配置透光性的部件的情况下，考虑到来自发光元件110A的光所导致的劣化，使用热固化性树脂作为透光性的部件的材料是有益的。根据本发明的实施方式，由于能够以基本上非接触的方式在热固化性树脂的表面形成凹凸图案，因此对提高光的提取效率是有利的。而且，能够事后在可用作实质上发光装置的构造(例如发光体100U)的表面形成凹凸图案。在专利文献2中，并未着眼于在用树脂材料覆盖发光元件后进一步在预固化的状态或固化后的树脂的表面形成凹凸图案。

在上述例子中，在已涂覆在发光元件110A上表面的第1树脂材料130r上配置层叠片材片LB之后，使第1树脂材料130r固化，将层叠片材片LB接合在发光元件110A的上方。此时，可以由第1树脂材料130r形成导光部件130A。导光部件130A具有使从发光元件110A的侧面即元件主体111的侧面111c出射后的光朝向发光装置100A的上方反射的功能。因此，通过形成导光部件130A，能够提高光的利用效率。

进一步地，在上述例子中，将光反射性部件150A设置在发光装置100A，该光反射性部件150A包围导光部件130A，并且覆盖元件主体111的下表面111b中的除了正极112A和负极114A以外的区域。因此，抑制光从发光装置100A的侧面或下表面100b泄露，可以进一步提高光的利用效率。

应该注意的是，将树脂体140U暂时埋设在光反射性树脂层150T的内部之后，使树脂体140U的上表面140a从光反射性树脂层150T露出，在上表面140a形成有凹凸。现有技术中，对于在光反射性树脂层150T的内部埋设树脂体140U这样的透光性的部件的制造方法，难以事后对出现在研削面上的透光性的部件的表面赋予凹凸。与此相对，根据本发明的实施方式，能够对预固化的状态或固化后的树脂体140U的表面赋予形状。因此，能够在得到可用作产品的发光装置之后，事后对透光性的部件赋予形状，有望提高来自发光装置的光的提取效率的效果。

如参照图8说明的那样，此处，正极112A和负极114A已从发光装置100A的下表面100b露出，发光装置100A例如可以利用回流焊而安装在配线基板等。在本实施方式中，与第一实施方式同样地，即使在透光性部件140A被暴露在高温环境中的情况下，也能够维持凹部140d的形状。也就是说，本发明的实施方式对于应用回流焊等伴随高温的工艺是有利的。例如，在将发光装置100A在300℃的温度下加热了40分钟时，凹部140d的深度在加热前后的变化可以在25％以下的范围内。此处，凹部140d的深度的变化在将进行加热之前的任意10处的凹部140d深度的平均值设为Dp、将进行加热之后的任意10处的凹部140d深度的平均值设为Dq时，可以通过|Dq-Dp|/Dp来定义。

需要说明的是，也可以代替上述支撑体50，而是使用复合基板400A，该复合基板400A如图25示例的那样，具有：基板410A；以及设置在基板410A上的第1导电部411A和第2导电部412A。图25是示出从上表面400a侧观察复合基板400A时的外观的一例。基板410A如图25示意性地示出的那样，具有贯通孔414。虽然图25中没有示出，但是第1导电部411A的一部分和第2导电部412A的一部分经由贯通孔414而延伸到与上表面400a相反侧的下表面。

在使用包含基板410A的复合基板400A的情况下，代替将多个发光元件110A暂时固定在支撑体50(参照图13)，例如可以利用倒装芯片连接，将多个发光元件110A固定在复合基板400A的上表面400a侧。此时，利用焊料等接合部件，将各发光元件110A的正极112A和负极114A分别连接到复合基板400A的第1导电部411A和第2导电部412A。需要说明的是，图25中由细虚线绘制出的矩形示出配置发光元件110A的位置。在进行导光部件130A的形成和透光性的树脂体140U的配置之后，与参照图17说明的工序同样地，利用光反射性树脂层150T对复合基板400A的上表面400a上的构造进行覆盖。

在利用研削等使树脂体140U的上表面140a从光反射性树脂层150T露出之后，与参照图19说明的例子同样地，在上表面140a形成多个凹部140d。然后，在图25中用粗虚线CT示出的位置利用切割装置等将光反射性树脂层150T和复合基板400A一并地切断，从而得到多个发光装置100B。

图26示出发光装置100B的外观的一例。图27是示意性地示出将发光装置100B在发光装置100B的中央附近的位置与图26中的YZ面平行地切断后的截面。如图26和图27所示，发光装置100B具有：对透光性部件140A的侧面140c进行光反射性部件150B；和复合基板400B。复合基板400B具有：基板410B、第1导电部411B和第2导电部412B，并且如图27所示，第1导电部411B和第2导电部412B利用接合部件420而分别电连接到发光元件110A的正极112A和负极114A。在图27示例的结构中，光反射性部件150B达到复合基板400B，也覆盖接合部件420。

此处，基板410B、第1导电部411B和第2导电部412B分别是图25所示的基板410A、第1导电部411A和第2导电部412A的一部分。在图26和图27示例的结构中，发光装置100B具有相对于图中的X轴方向在Y轴方向较长的形状，并用作所谓的侧视型的发光装置。

图8所示的发光装置100A也可以如下地得到。图28是示出本发明的基于第二实施方式的发光装置的制造方法的又一例的流程图。图28示例的发光装置的制造方法示意性地具有：准备发光元件的工序(步骤S23)；和形成在表面具有凹凸图案并且至少覆盖发光元件的上表面的透光性部件的工序(步骤S24)。在该例子中，形成透光性部件的工序(图28的步骤S24)如图29示例的那样，包括利用紫外线经由具有遮光区域和透过区域的光掩模地照射透光性的树脂体的表面的工序(步骤S241)。成为经由光掩模而照射紫外线的对象的树脂体是在其一部分中包含通过使硅酮树脂原料例如固化而形成的透光性部分的树脂片材。在进行照射紫外线的工序之后，根据需要还可以进行使树脂体固化的工序(步骤S242)。

首先，如图30所示，准备具有透光部172的第1的树脂层170。树脂层170可以具有2个以上透光部172。在图30示例的结构中，树脂层170具有光反射性树脂部174，各透光部172被光反射性树脂部174彼此分离。需要说明的是，在该例子中，各透光部172包含透光层140L和波长转换层120L。树脂层170例如可以如下地得到。

首先，准备光反射性的树脂片材。作为光反射性的树脂片材的材料，可以使用上述第3树脂材料。例如，光反射性的树脂片材可以是在硅酮树脂中分散有约60重量％的二氧化钛和氧化硅的粒子而得到的树脂片材。在光反射性的树脂片材的形成中，可以使用压缩成形、传递成形或者注射成形、或应用了印刷法或者喷涂法的成形。

接着，利用冲孔等在光反射性的树脂片材中设置贯通孔。俯视时贯通孔的形状例如是矩形状。形成贯通孔之后，利用浇灌法、印刷法、喷涂法等，用含有未固化的硅酮树脂作为母材的例如上述第2树脂材料对贯通孔的内部进行填充。此时，对于被填充在贯通孔内部的第2树脂材料，可以通过使荧光体粒子沉淀，并使第2树脂材料固化从而在厚度方向上形成具有荧光体的浓度差的透光部。例如，能够形成将荧光体粒子较多地分布在下表面侧的透光部。或者，也可以在将透明的树脂材料配置贯通孔的内部并使其固化之后，在透明的树脂材料上赋予第2树脂材料，并且用这些材料对贯通孔进行填充。

如果使荧光体粒子沉淀并在第2树脂材料固化后上下翻转，则得到如图30所示的具有光反射性树脂部174和多个透光部172的树脂层170。在图30示例的结构中，透光层140L是透光部172中的荧光体粒子浓度相对低的层。需要说明的是，在图30中，虽然以波长转换层120L与透光层140L之间似乎存在边界的方式图示了这些层，但是有时也无法明确辨别这些层之间的边界。透光部172中的硅酮树脂也可以是预固化的状态。

接着，利用分配器等在树脂层170中的配置有透光部172的区域上涂覆透光性的第1树脂材料130r。进一步地，准备发光元件110A(图28的步骤S23)，如图31所示地，将正极112A和负极114A朝向树脂层170的相反侧地，将发光元件110A配置在第1树脂材料130r上。基于此，可以在元件主体111的侧面111c的至少一部分上配置第1树脂材料130r。通过使第1树脂材料130r固化，从而能够由第1树脂材料130r形成导光部件130A。

接着，如图32所示地，形成作为对树脂层170上的构造进行覆盖的第2树脂层的光反射性树脂层150T。对于光反射性树脂层的材料，可以与上述光反射性的树脂片材的材料、即树脂层170的光反射性树脂部174的材料同样地，使用上述第3树脂材料。在光反射性树脂层150T的形成中，例如可以应用传递成形。

接着，通过应用研削加工等而从光反射性树脂层150T的上表面侧除去光反射性树脂层150T的一部分，从而如图33所示地，使各发光元件110A的正极112A和负极114A从研削面露出。

然后，利用切割装置等将树脂层170和光反射性树脂层150T在彼此邻接的2个发光元件110A的位置切断，从而由光反射性树脂部174和光反射性树脂层150T形成光反射性部件150A，如图34所示地，得到分别具有与图11所示的发光体100U同样的结构的多个发光体。在该例子中，树脂层170的透光部172的透光层140和波长转换层120L与透光性的树脂体140U和波长转换部件120A对应。

接着，由树脂体140U形成至少覆盖发光元件110A上表面的透光性部件140A。形成透光性部件140A的工序例如能够与参照图23和图24说明的例子同样地进行。

例如，首先，如图23所示地，在支撑体60上配置发光体100U，并在上表面100Ua配置光掩模200。进一步地，用紫外线经由光掩模200而照射树脂体140U的上表面140a(图29的步骤S241)。该工序也可以与参照图6说明的用紫外线照射树脂体140X的主面140a的例子同样地进行。利用紫外线照射，可以在上表面140a形成多个凹部140d，其结果，测定在表面具有凹凸图案并且覆盖发光元件110A上表面的透光性部件140A(图28的步骤S24)。

需要说明的是，在具有透光部172的树脂层170的阶段，也可以利用与参照了图4～图6的例子同样的方法，在透光部172的表面形成多个凹部140d。在树脂体140U中的硅酮树脂处于B阶段的状态的情况下，在形成凹部140d之后，例如利用加热使树脂体140U固化(图29的步骤S242)，从而得到具有透光性部件140A的发光装置100A。

在单片化前的阶段，换言之，在分别具有与发光体100U同样的结构的多个发光体的集合体的阶段，也可以进行紫外线照射工序。如图33所示，也可以在使正极112A和负极114A从光反射性树脂层150T露出之后且切断光反射性树脂层150T之前的状态下、即在多个发光体被光反射性树脂层150T一体地保持的状态下，进行照射紫外线的工序，然后，切断光反射性树脂层150T，得到多个发光装置100A。

(第二实施方式的变形例)

图35示出利用基于第二实施方式的发光装置的制造方法得到的发光装置的又一例。图35示出的发光装置100C与参照图8说明的例子同样地，具有发光元件110A、波长转换部件120A、导光部件130A、透光性部件140A和光反射性部件150C。光反射性部件150C在包围发光元件110A的侧面并且覆盖元件主体111的下表面111b中的除了配置有正极112A和负极114A的区域以外的区域这一点上，与图8示出的发光装置100A的光反射性部件150A相同。但是，在该例子中，光反射性部件150C不覆盖波长转换部件120A的侧面120c和透光性部件140A的侧面140c。

图35示出的发光装置100C基本上与参照图30～图34说明的例子同样，可以按照与图28所述的流程同样的工序进行制造。但是，此处，形成透光性部件的工序如图36所示地，包括：用紫外线经由具有遮光区域和透过区域的光掩模对透光片材的主面进行照射的工序(步骤S243)；以及将用紫外线照射后的透光片材配置在发光元件的上表面侧的工序(步骤S244)。成为经由光掩模而照射紫外线的对象的透光片材典型地是通过使未固化的硅酮树脂原料固化而形成的片材。以下，参照附图，对发光装置100C的示例性的制造方法的细节进行说明。

首先，准备发光元件(图28的步骤S23)。进一步地，形成至少覆盖发光元件110A上表面的透光性部件(图28的步骤S24)。此处，在形成透光性部件时，首先，准备图37所示的具有波长转换层120V和透光层140V的层叠片材片170V。在该例子中，透光层140V具有主面140Va和主面140Vb，主面140Vb与波长转换层120V的一个主面120Va对置。如图37示意性地示出的那样，透光层140V在主面140Va具有多个凹部140d。层叠片材片170V例如可以与上述层叠片材片LB同样地制作。

首先，准备具有主面的透光性的树脂片材(以下，为简便，有时简称为“透光片材”)。透光片材例如可以通过使未固化的硅酮树脂原料固化来得到。上述树脂体140X是透光片材的一例。透光片材也可以是B阶段的状态。

在准备透光片材之后，在透光片材的主面上配置光掩模200，并且例如使用紫外线照射装置500用紫外线经由光掩模200而对透光片材的主面进行照射(图36的步骤S243)。通过经由光掩模200而照射紫外线，能够使透光片材的主面中的与光掩模200的遮光区域200s对应的第1区域R1的高度与透光片材的主面中的与光掩模200的透过区域200t对应的第2区域R2的高度彼此不同，在透光片材的主面形成多个凹部140d。对透光片材的主面形成凹部的工序能够与参照图4～图6说明的对树脂体140X的主面140a形成多个凹部140d的。例子同样地进行。

利用以上工序，能够得到与图7所示的透光性部件140同样的在主面140a具有多个凹部140d的透光片材。根据需要，将紫外线照射后的透光片材切断成预定的尺寸。此处，透光片材在俯视时具有例如矩形状的外形。进一步地，在与透光片材的主面140a相反侧的主面上形成波长转换层120V。通过形成波长转换层120V，能够得到含有上述透光片材作为透光层140V的层叠片材片170V。

在波长转换层120V的形成中，能够应用与形成上述层叠片材片LB的例子同样的手法。例如，将使分散有荧光体粒子的树脂材料中的树脂成为B阶段的状态的荧光体片材配置在透光片材的主面140a相反侧的主面上，利用热使这些片材贴合，从而得到层叠片材片170V。或者，也可以在与透光片材的主面140a相反侧的主面上涂覆了上述第2树脂材料之后，使第2树脂材料固化，从而形成波长转换层120V。也可以通过购入来准备层叠片材片170V。需要说明的是，多个凹部140d的形成也可以在将波长转换层120V配置在透光层140V的一个主面上之后进行。例如，也可以在透光层140V的一个主面上形成波长转换层120V之后，在透光片材的与波长转换层120V相反侧的主面形成多个凹部140d。

然后，将用紫外线照射后的透光片材配置在发光元件的上表面侧(图36的步骤S244)。此处，如图37示意性地示出的那样，在波长转换层120V上涂覆第1树脂材料130r，在第1树脂材料130r上配置发光元件110A。此时，将元件主体111的上表面111a朝向层叠片材片170V地在第1树脂材料130r上配置发光元件110A。基于此，也可以在元件主体111的侧面111c的至少一部分上配置第1树脂材料130r。通过使第1树脂材料130r固化，从而能够如图38所示地，形成导光部件130A，并将上述透光片材以透光层140V的形式配置在发光元件110A的上表面侧。需要说明的是，在图37和图38中，虽然图示了1个发光元件110A，但是也可以如参照图31说明的在树脂层170上配置多个发光元件110A的例子那样，在层叠片材片170V上配置多个发光元件110A。

接着，在层叠片材片170V上涂覆例如上述第3树脂材料，利用第3树脂材料覆盖层叠片材片170V上的构造，并且使第3树脂材料固化。通过使第3树脂材料固化，从而能够如图39所示地，形成覆盖发光元件110A和导光部件130A的光反射性树脂层150T。在光反射性树脂层150T的形成中，可以应用例如传递成形。在透光层140V中的硅酮树脂是B阶段的状态的情况下，也可以在形成该光反射性树脂层150T的工序中固化透光层140V中的硅酮树脂。

然后，利用研削加工等使正极112A和负极114A从研削面露出，如图40所示，使用切割装置等将层叠片材片170V和光反射性树脂层150T切割成期望的形状。利用以上工序，由层叠片材片170V形成透光性部件140A和波长转换部件120A，由光反射性树脂层150T形成光反射性部件150C，得到图35所示的发光装置100C。需要说明的是，此处，在层叠片材片170V的波长转换层120V和透光层140V中的透光层140V中，使用了形成有多个凹部140d的透光片材。但是，不限于该例子，也可以将通过应用与参照图4～图6说明的手法同样的手法而形成有多个凹部的荧光体片材用作波长转换层120V。此时，也可以省略透光层140V，而由波长转换层120V形成位于发光元件110A的上表面的上方的透光性部件。

在本实施方式中，列举图示了具有凹部140d的主面140a构成发光装置的上表面(表面)的例子。但是，凹部140d也可以不配置在发光装置的表面。例如，也可以使形成有凹部140d的主面140a与发光元件或发光体的上表面对置。或者，也可以在主面140a和与主面140a相反侧的主面140b双方形成凹凸图案。凹部140d的内部既可以充满空气，也可以由具有与构成透光性部件140A的材料不同的折射率的材料填充。不管哪种情况，在透光性部件140A的表面形成有凹凸图案这一点在上述各例子之间是共同的。

(第三实施方式)

图41和图42示出利用基于第三实施方式的发光装置的制造方法得到的发光装置的一例。图41示出从上表面侧观察发光装置的示例性的外观，图42示出图41的XLII-XLII截面。

图41和图42中示出的发光装置100E示意性地包含：发光元件110B和具有包围发光元件110B的基台350、一对引线361、362的封装300。在封装300的基台350的中央设置有元件放置凹部350e，发光元件110B被配置在元件放置凹部350e的内侧。基台350与上述光反射性部件150A～150C同样地，例如由分散有光反射性填料的第3树脂材料形成，并且具有使从发光元件110B出射后的光线反射而从发光装置100E的上表面100a侧向外部出射的功能。对于本实施方式中的封装，除了具有以绝缘材料即树脂为母材的基台和导电性引线的上述这样的树脂封装之外，也可以采用诸如使用陶瓷材料的陶瓷封装或金属封装等公知的电子零部件用封装。

如图42所示，引线361的上表面361a的一部分和引线362的上表面362a的一部分构成元件放置凹部350e的底面350f的一部分，引线361的下表面361b和引线362的下表面362b从发光装置100E的下表面100b露出。此处，发光元件110B通过接合部件360而固定在引线361上。构成接合部件360的材料是环氧树脂、硅酮树脂等树脂材料等绝缘性材料、或者Ag膏等导电性的材料。

在图41和图42示例的构成中，发光元件110B在与下表面110b相反侧的上表面110a具有正极112B和负极114B。在正极112B和负极114B分别连接Au、Ag、Al、Cu等导电性的导线372和371。在该例子中，利用导线372将正极112B电连接到引线362，利用导线371将负极114B电连接到引线361。

发光装置100E进一步含有位于元件放置凹部350e内侧的透光性部件340。如图42示意性地示出的那样，透光性部件340覆盖发光元件110B、导线371和372。另外，如图42示意性地示出的那样，透光性部件340在位于发光元件110B的上表面110a上方的上表面340a具有例如二维配置的多个凹部340d。需要说明的是，在该例子中，透光性部件340的上表面340a与基台350的上表面350a大致对齐，透光性部件340的上表面340a与上表面350a一起构成发光装置100E的上表面100a。

需要说明的是，透光性部件340的上表面340a与基台350的上表面350a大致对齐不是必须的。如图43示意性地示出的那样，透光性部件340的上表面340a可以具有与周缘部相比其中央较低的凹陷的凹状。另外，虽然未图示，但是透光性部件340的上表面340a也可以是中央变高的凸状。

以下，说明发光装置100E的示例性的制造方法。图41和图42所示的发光装置100E示意性地可以按照与图9示出的流程相同的工序制造。但是，此处，准备发光体的工序如图44所示，包括：准备具有上表面的发光元件的工序(步骤S214)；以及用硅酮树脂原料覆盖发光元件并且使硅酮树脂原料固化从而形成树脂体的工序(步骤S215)。形成透光性部件的工序可以与参照图10说明的例子相同。

在准备发光体(图9的步骤S21)时，首先，准备发光元件110B和封装300(图44的步骤S214)。此处，封装300可以以分别包含构成封装300的多个单元的复合基板的形式准备。图45示出复合基板的一例。图45示例的复合基板300F包含：导电性的引线框360F和设置有多个元件放置凹部350e的基台350F。在图45中，提取并示出了分别具有元件放置凹部350e的多个单元中的4个。

如图45示意性地示出那样，引线框360F具有：第1导电部件即引线361和第2导电部件即引线362的多个组；以及多个连接部363，配置在彼此邻接的组之间，并且将这些组彼此连接。引线361和362例如可以具有：由Cu形成的基材和覆盖基材的金属层。被覆基材的金属层是包含Ag、Al、Ni、Pd、Rh、Au、Cu或它们的合金等的例如镀层。被覆基材的金属层也可以以各层包含这些金属材料中的一种以上金属材料的层叠体的形式形成。

引线361的一部分和引线362的一部分在基台350F的元件放置凹部350e各自的底部露出。在元件放置凹部350e内彼此对置的引线361和362的组分别具有将引线361和362彼此在空间中分离而形成的间隙Gp。复合基板300F能够通过利用传递成形等在引线框360F一体地形成基台350F而得到。间隙Gp可以被构成基台350F的材料埋填。

接着，如图46所示，在各元件放置凹部350e内配置发光元件110B，利用导线371和372将正极112B和负极114B电连接到引线361、362。

进一步地，将各元件放置凹部350e用含有未固化的硅酮树脂的硅酮树脂原料填充，并且使硅酮树脂原料固化，从而形成覆盖发光元件110B的透光性的树脂体340Z(图44的步骤S215)。用于形成树脂体340Z的硅酮树脂原料可以是与上述树脂体140X材料相同的材料。即，树脂体340Z中的硅酮树脂典型地含有在分子中具有至少一个苯基的有机聚硅氧烷和/或具有在硅原子上结合有2个甲基的D单元的有机聚硅氧烷。硅酮树脂原料也可以是进一步分散有光散射性填料等的原料。

利用以上工序，如图46所示，得到以分别具有发光元件110B和透光性的树脂体340Z的多个发光体100Y作为单元的重复构造。此处，进一步地，与参照图19、图23说明的例子同样地，在树脂体340Z的上表面形成凹凸图案。

例如，如图47示意性地示出的那样，在支撑体60上配置发光体100Y，在元件放置凹部350e的开口侧配置光掩模200。此时，如图47所示，光掩模200也可以与树脂体340Z接触。在树脂体340Z的上表面是凹状的情况下，光掩模200如图48所示，可以配置为与基台350F接触并且与树脂体340Z分开。

进一步地，例如利用紫外线照射装置500，用紫外线经由光掩模200而照射树脂体340Z的上表面340a(例如相当于图19、图23的树脂体140U的上表面140a)(图10的步骤S221)。通过紫外线照射，如图49示意性地示出的那样，可以使上表面340a中的与光掩模200的遮光区域200s对应的第1区域R1的高度与上表面340a中的与光掩模200的透过区域200t对应的第2区域R2的高度彼此不同。结果，可以由树脂体340Z形成覆盖发光元件110B的上表面110a并且在上表面340a具有多个凹部340d的透光性部件340。然后，利用切割装置等，在彼此邻接的2个发光体100Y之间的位置将基台350F和引线框360F的连接部363切断，从而能够得到多个发光装置100E。

需要说明的是，也可以在形成树脂体340Z之前，形成覆盖发光元件110B的波长转换部件。例如，通过以覆盖发光元件110B的方式在各元件放置凹部350e的内部涂覆含有荧光体的树脂材料即第2树脂材料，并且使第2树脂材料固化，从而形成波长转换部件。进一步地，在波长转换部件上形成树脂体340Z。

然后，如果进行参照图47和图48说明的工序，则得到图50示例的发光装置100F或者图51示例的发光装置100G。发光装置100F和发光装置100G在元件放置凹部350e的内侧具有覆盖发光元件110B的波长转换部件320A和覆盖波长转换部件320A的透光性部件340。在图50和图51的任何例子中，在透光性部件340的上表面340a设置有多个凹部340d。与图50所示的例子相比，在图51所示的例子中，透光性部件340的上表面340a的中央具有凹陷形状，上表面340a的大部分处于比基台350的上表面350a低的位置。

或者，也可以使用含有硅酮树脂的第2树脂材料作为硅酮树脂原料，并且用第2树脂材料填充各元件放置凹部350e。在使元件放置凹部350e内的第2树脂材料固化得到发光体之后，如果进行与参照图47和图48说明的工序同样的工序，则得到图52示例的发光装置100H或者图53示例的发光装置100I。发光装置100H和发光装置100I在元件放置凹部350e内具有覆盖发光元件110B的波长转换部件320B。如图52和图53示意性地示出的那样，波长转换部件320B在其上表面320a具有多个凹部340d。与参照图61说明的例子同样地，在图53所示的例子中，与图52所示的例子相比，波长转换部件320B的上表面320a的中央具有凹陷形状，上表面320a的大部分处于比基台350的上表面350a低的位置。这样，在作为透光性部件的波长转换部件320B，也可以利用紫外线的局部照射来形成多个凹部320d。

如上述第二实施方式同样地，根据本发明的第三实施方式，能够对覆盖发光元件的透光性的树脂体的表面赋予微小凹凸，能够期待提高光的提取效率的效果。根据第三实施方式，可以在用树脂密封发光元件之后，在覆盖发光元件的透光性部件的表面以基本上非接触的方式形成凹凸图案。另外，在本实施方式中，构成赋予凹凸形状后的透光性部件的树脂是已固化的状态。因此，即使进行回流焊等伴随高温的工艺，也可以维持透光性部件的表面的凹凸形状。

这样，根据本发明的实施方式，可以在封装发光元件之后，对覆盖发光元件的透光性的构造的表面以基本上非接触的方式赋予微小凹凸。由参照图41～图49说明的例子可知，利用紫外线照射来赋予形状的对象不限于具有板状形状的部件。利用紫外线照射来赋予形状的对象也可以是圆顶状等具有曲面状表面的部件。根据本发明的实施方式，在利用浇灌、压缩成形等形成覆盖发光元件的透光性的构造之后，能够在事后对其构造的表面赋予微小凹凸。

[实施例]

(实施例1-1)

按照以下步骤，制作实施例1-1～实施例1-3的样品，并在照射紫外线前后，对各样品的表面的形状进行了比较。

首先，准备通过使硅酮树脂预固化从而形成的透光片材，该硅酮树脂含有在分子中具有苯基的有机聚硅氧烷。此处，作为透光片材，在利用丝网印刷法将信越化学工业株式会社出售的硅酮树脂(模具编号：KE-1011)整形微片材状之后，在150℃的温度下加热0.5小时，从而使硅酮树脂预固化，得到厚度100μm的透光片材。

另外，准备具有由铬形成的多个遮光区域的光掩模。各个遮光区域的形状是直径为9μm的圆形状。另外，这些遮光区域以各自的中心位于三角网格的网格点上的方式二维地配置在光掩模的主面，并且彼此邻接的2个遮光区域之间的中心间距离是15μm。

接着，将光掩模配置在透光片材的一个主面上，使用具有最强峰的波长处于365nm位置的紫外线光源的紫外线照射装置，经由光掩模而用紫外线照射透光片材的主面。需要说明的是，照射的紫外线具有在UVA～UVC的波长范围的光谱。此时的紫外线照射量是210J/cm²，照射时间是约300秒。

图54是放大示出紫外线照射后的透光片材表面的显微镜图像。图55和图56是示出紫外线照射后的透光片材的表面形状的利用激光显微镜得到的图像。图56示出透光片材的截面轮廓。

虽然具体机理尚不清楚，但是本发明人通过对这些结果的研究发现，通过经由光掩模的紫外线照射，受到紫外线照射后的区域的表面隆起。由于受到紫外线照射后的区域的表面隆起，从而如图54和图55所示地，在透光片材的主面形成有与光掩模的遮光区域的图案对应的多个凹部。根据图56可知，透光片材的表面中的除了凹部以外的部分大致是平坦的，另外，凹部也是由大致平滑的曲面构成。即，在将透光片材的表面中的相对高大部分与凹部连接的肩部形成有边缘。需要说明的是，紫外线照射后的透光片材表面的凹部的深度是约0.24～0.43μm的范围。

(实施例1-2)

除了使用包含具有D单元的有机聚硅氧烷的未固化的硅酮树脂原料(信越化学工业株式会社制、LPS-3541)以外，与实施例1-1的样品同样地，制作了实施例1-2的样品。此处，LPS-3541与上述KE-1011同样地，包含在分子中具有苯基的有机聚硅氧烷。此时得到的透光片材的厚度约为100μm。

图57放大示出实施例1-2的样品的表面。图58是示出实施例1-2的样品的表面形状的利用激光显微镜得到的图像。由图57和图58可知，与实施例1-1的样品同样地，利用紫外线的局部照射，能够在与光掩模的遮光区域对应的位置形成凹部。紫外线照射后的透光片材表面的凹部的深度是约0.10～0.12μm的范围。

(实施例1-3)

通过将YAG荧光体粉末(平均粒径：10.5μm)混合在硅酮树脂中，从而制备分散有YAG荧光体粉末的硅酮树脂原料。作为硅酮树脂，使用了上述LPS-3541。硅酮树脂原料中的YAG荧光体粉末的含量以质量比计，为46％。除了通过将分散有YAG荧光体粉末的硅酮树脂原料整形为片材状并使其预固化从而形成透光片材以外，与实施例1-1的样品同样地，制作了实施例1-3的样品。此时得到的透光片材的厚度约为100μm。

图59放大示出实施例1-3的样品的表面。图60是示出实施例1-3的样品的表面形状的利用激光显微镜得到的图像。由图59和图60可知，即使是由分散有荧光体粒子的原料形成的片材，也与实施例1-1的样品和实施例1-2的样品同样地，通过紫外线的局部照射，能够在与光掩模的遮光区域对应的位置形成凹部。紫外线照射后的透光片材表面的凹部的深度是约0.45～0.92μm的范围。

接着，按照以下步骤，验证了热对在树脂片材表面赋予的形状的影响。

(参考例2-1、参考例2-2)

首先，在利用丝网印刷法将上述硅酮树脂LPS-3541整形为片材状之后，在150℃的温度下加热4小时，制作了厚度150μm的树脂片材。接着，准备表面具有多个凸部的模具。在使树脂片材的一个主面与模具的凸部对置并且使周围的温度上升到300℃的状态下，使用热压装置，以5MPa的压力将模具按压在树脂片材的主面，从而在树脂片材的主面形成有多个凹部。此处，使用了将具有1.5μm高度的圆锥状凸部二维地配置的模具。这些凸部被以各自的顶部位于三角网格的网格点上的方式二维地配置在模具的表面，彼此邻接的2个凸部之间的顶部的间隔为3μm。

图61示出与模具分离后的树脂片材的表面形状。在树脂片材的表面形成的凹部的深度是约0.9～1.1μm的范围。接着，通过将与模具分离后的树脂片材切断，从而得到2张片材。针对2张片材中的一张，使用在制作实施例1-1的样品时使用的紫外线照射装置，用紫外线以22.4J/cm²的照射量、约30秒的照射时间来照射形成有凹部的表面。针对另一张片材，在形成凹部之后，不进行利用紫外线照射装置的紫外线照射。

将2张片材配置在电炉内，在300℃的温度下放置40分钟后从电炉取出，并自然冷却到室温。将这些片材中的进行了基于紫外线照射装置的紫外线照射的片材作为参考例2-1的样品，将未进行基于紫外线照射装置的紫外线照射的另一个片材作为参考例2-2的样品。

图62示出参考例2-1的样品的表面形状。通过图61和图62的比较可知，例如在利用按压模具而在表面赋予了凹凸图案之后，进行紫外线照射，从而即使进行约300℃的加热，与能够维持凹部的形状。需要说明的是，在参考例2-1的样品的表面形成的凹部的深度是约0.9～1.1μm的范围。换言之，在加热前后，凹部的深度的变化在大约25％以下的范围内。

图63示出参考例2-2的样品的表面形状。由图63可知，在不进行紫外线照射的情况下，由于加热而导致在表面形成的凹形状几乎消失。需要说明的是，在参考例2-2的样品的表面残留的凹部的深度只不过是约0.03μm。

根据图62和图63的比较可知，用紫外线以约20J/cm²以上的照射量对表面具有凹部的树脂片材的表面进行照射，从而即使是被暴露在高温(例如玻璃化转变点以上的温度)的情况下，也能够维持凹部的形状。可以推测这是因为在用紫外线照射后的表面及其附近发生了一些变化。

(参考例3)

接着，制作对树脂片材局部地照射紫外线的参考例3的样品，并且利用红外分光分析，对用紫外线照射后的部分与未用紫外线照射的部分之间进行光谱比较。参考例3的样品通过对使上述硅酮树脂LPS-3541预固化而形成的厚度150μm的透光片材的表面的一部分用紫外线照射来制作。然后，使透光片材中的硅酮树脂主固化。

图64～图66示出利用傅里叶变换型红外分光光度计得到的与参考例3的样品相关的透射光的红外光谱。图64～图66中，曲线K1表示与未有意地用紫外线照射的部分相关的光谱，曲线K2表示与有意地用紫外线照射后的部分相关的光谱。此处，获取红外光谱时，使用了由Thermo Fisher Scientific Inc.销售的NicoletiS50模块。

参照图65。图65放大示出图64的光谱中的波数为4000～1300cm^-1的范围。在图65中，也示出进一步放大了波数为2000～1400cm^-1的范围的图。在图65所示的光谱中，如果关注与来源于Si-OH的吸收相关的波数为3700～3000cm^-1的范围，则可知通过紫外线照射，在波数为3400cm^-1附近出现吸收峰，波数3700～3000cm^-1的范围的吸收增加。

也参照图66。图66放大示出图64的光谱中的波数为1400～400cm^-1的范围。根据图65和图66，如果着眼于与来源于Si-CH₃的吸收相关的在波数为2960cm^-1和800cm^-1附近吸收峰，则可知，通过紫外线照射，各个峰的高度变低。也就是说，对于本发明的实施方式涉及的发光装置的透光性部件的红外吸收，基本上，与未有意地以20J/cm²以上的照射量照射紫外线的硅酮树脂相比，在波数大于3700cm^-1且小于3000cm^-1的范围较大，在波数2960cm^-1和800cm^-1附近较小。因此，通过紫外线照射，在透光片材中的被紫外线照射后的表面的非常浅的区域发生变化，透光片材的硬度局部地上升，其结果，有可能抑制了高温导致的凹部形状的变化。

接着，制作紫外线的照射量彼此不同的多个样品，验证了紫外线照射对样品的表面的瞬间粘接力的影响。需要说明的是，在本说明书中，未将用语“粘性”和用语“瞬间粘接力”区分使用，以相同的含义使用它们。本说明书中的“瞬间粘接力”或“粘性”意味着通过以下说明的基于探针法的测量而得到的值。

首先，制作厚度3mm的树脂块，由同一树脂块，通过切断而准备直径为16mm的多个试验片。针对这些试验片，使用由Instron Japan Co.，Ltd.销售的双柱台式试验机5966，在使探针接触树脂块的表面之后，使探针以一定速度移动，测量将探针从树脂块的表面剥离所必须的力。在测量中，使用前端形状为平面状且前端面的面积为1800mm²的不锈钢制的探针。探针相对于树脂片材的表面的接触时间和探针的拉伸速度分别设为1秒和9mm/分。将与从同一片材切断而得的3张试验片相关的测量值的平均值作为粘性的测量值。

(参考例3-1)

按照以下步骤，制作了参考例3-1和参考例3-2的样品以及比较例的样品。与上述参考例2-1的样品同样地，利用丝网印刷法将信越化学工业株式会社制的硅酮树脂LPS3541整形为片材状，并在150℃的温度下加热4小时，从而制作了厚度150μm的树脂片材。但是，此处，不通过模具按压来赋予形状，而是通过切断树脂片材来得到多个树脂片材片。从这些树脂片材片随意抽取3张树脂片材片，与参考例2-1的样品同样地，用紫外线以240J/cm²的照射量、约30秒的照射时间对一个主面进行照射。将紫外线照射后的树脂片材片配置在电炉内，在300℃的温度下放置40分钟后，从电炉取出，自然冷却到室温，作为参考例3-1的样品。

(参考例3-2)

除了将紫外线的照射量变更为22.4J/cm²以外，与参考例3-1的样品同样地，制作了参考例3-2的样品。

(比较例)

除了不进行紫外线照射以外，与参考例3-1的样品同样地，制作了比较例的样品。

图67示出与参考例3-1、参考例3-2和比较例的各样品的表面的粘性相关的测量结果。图67中，最右侧的点(plot)表示与参考例3-1的样品相关的测量值，中央的点表示与参考例3-2的样品相关的测量值。图67中，最左侧的点表示与比较例的样品相关的测量值。

如图67所示，与比较例的样品相关的表面的粘性的测量值是大约23～32N·cm^-2的范围。另一方面，以22.4J/cm²的照射量照射紫外线后的参考例3-2的样品表示大约0.1～8N·cm^-2的范围的粘性的值，以240J/cm²的照射量照射紫外线后的参考例3-1的样品表示0.3～0.6N·cm^-2的范围的粘性的值。因此，通过有意地照射紫外线，有可能在由硅酮树脂形成的树脂片材的表面和/或表面附近发生了一些变化。其结果，可以推测，通过有意地照射紫外线，树脂表面的粘性下降。根据图67示出的结果可知，例如，通过有意地用紫外线以约20J/cm²以上的照射量照射含有硅酮树脂的树脂体的表面，从而能够使树脂体的表面的瞬间粘接力下降到未有意地照射紫外线的硅酮树脂的表面的瞬间粘接力的例如50％以下。

产业实用性

本发明的实施方式可以应用在例如配置在光源前表面使入射光线的至少一部分透过的光学元件的制造中。特别是，本发明的实施方式对具有覆盖LED等发光元件的透光性部件的发光装置的制造是有用的。

Claims

1.一种透光性部件的形成方法，其特征在于，

所述透光性部件的形成方法包含以下工序：

用紫外线经由具有遮光区域和透过区域的光掩模而对具有主面且含有硅酮树脂的主固化状态的树脂体的所述主面进行照射，从而使所述主面中的与所述光掩模的所述遮光区域对应的第1区域的高度和所述主面中的与所述光掩模的所述透过区域对应的第2区域的高度彼此不同。

2.根据权利要求1所述的透光性部件的形成方法，其中，

紫外线的照射量为20J/cm²以上。

3.根据权利要求1或2所述的透光性部件的形成方法，其中，

紫外线照射后的所述第2区域与所述第1区域之间的高度差为0.1μm以上。

4.根据权利要求1或2所述的透光性部件的形成方法，其中，

所述硅酮树脂包含在分子中具有至少一个苯基的有机聚硅氧烷。

5.根据权利要求1或2所述的透光性部件的形成方法，其中，

所述硅酮树脂包含具有D单元的有机聚硅氧烷，所述D单元是在硅原子上结合有2个甲基的单元。

6.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括：

工序(a)，准备发光体，所述发光体包括：具有上表面的发光元件；和树脂体，所述树脂体是具有主面并且通过使未固化的硅酮树脂原料固化而形成的主固化状态的透光性的树脂体，并且所述树脂体至少覆盖所述发光元件的所述上表面；以及

工序(b)，形成在表面具有凹凸图案并且至少覆盖所述发光元件的所述上表面的透光性部件，

所述工序(b)包括工序(b1)，

所述工序(b1)：用紫外线经由具有遮光区域和透过区域的光掩模而对所述树脂体的所述主面进行照射，从而使所述主面中的与所述光掩模的所述遮光区域对应的第1区域的高度和所述主面中的与所述光掩模的所述透过区域对应的第2区域的高度彼此不同。

7.根据权利要求6所述的发光装置的制造方法，其中，

所述工序(a)包括：

工序(a1)，是准备所述发光元件的工序，所述发光元件在所述上表面的相反侧具有正极和负极；

工序(a2)，在所述发光元件的所述上表面涂覆未固化的透光性树脂材料；以及

工序(a3)，通过使所述透光性树脂材料固化，从而在所述发光元件的所述上表面的上方配置所述树脂体。

8.根据权利要求6所述的发光装置的制造方法，其中，

所述工序(a)包括：

工序(a1)，准备所述发光元件；以及

工序(a2)，通过用未固化的硅酮树脂原料覆盖所述发光元件并且使所述硅酮树脂原料固化，从而形成所述树脂体。

9.根据权利要求6或7所述的发光装置的制造方法，其中，

在所述工序(a)与所述工序(b)之间，还包括形成至少覆盖所述发光元件的侧面的光反射性部件的工序(c)。

10.根据权利要求6或7所述的发光装置的制造方法，其中，

所述树脂体包含在分子中具有至少一个苯基的有机聚硅氧烷。

11.根据权利要求6或7所述的发光装置的制造方法，其中，

所述树脂体包含具有D单元的有机聚硅氧烷，所述D单元是在硅原子上结合有2个甲基的单元。

12.根据权利要求6或7所述的发光装置的制造方法，其中，

13.根据权利要求6或7所述的发光装置的制造方法，其中，

所述工序(b1)中的紫外线的照射量为20J/cm²以上。

14.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括：

工序(a)，准备具有上表面并且在所述上表面的相反侧设置有正极和负极的发光元件；以及

所述工序(b)包括工序(b1)，

所述工序(b1)：用紫外线经由具有遮光区域和透过区域的光掩模而对通过使未固化的硅酮树脂原料固化而形成的主固化状态的透光性的树脂体的表面进行照射，从而使所述表面中的与所述光掩模的所述遮光区域对应的第1区域的高度和所述表面中的与所述光掩模的所述透过区域对应的第2区域的高度彼此不同。

15.根据权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中，

16.根据权利要求14或15所述的发光装置的制造方法，其中，

17.根据权利要求14或15所述的发光装置的制造方法，其中，

18.根据权利要求14或15所述的发光装置的制造方法，其中，

19.根据权利要求14或15所述的发光装置的制造方法，其中，

所述工序(b1)中的紫外线的照射量为20J/cm²以上。

20.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括：

所述工序(b)包括：

工序(b1)，用紫外线经由具有遮光区域和透过区域的光掩模而对通过使未固化的硅酮树脂原料固化而形成的主固化状态的透光片材的主面进行照射，从而使所述主面中的与所述光掩模的所述遮光区域对应的第1区域的高度和所述主面中的与所述光掩模的所述透过区域对应的第2区域的高度彼此不同；以及

工序(b2)，将用紫外线照射后的所述透光片材配置在所述发光元件的所述上表面侧。

21.根据权利要求20所述的发光装置的制造方法，其中，

在所述工序(b)之后，还包括形成至少覆盖所述发光元件的侧面的光反射性部件的工序(c)。

22.根据权利要求20或21所述的发光装置的制造方法，其中，

所述透光性部件包含在分子中具有至少一个苯基的有机聚硅氧烷。

23.根据权利要求20或21所述的发光装置的制造方法，其中，

所述透光性部件包含具有D单元的有机聚硅氧烷，所述D单元是在硅原子上结合有2个甲基的单元。

24.根据权利要求20或21所述的发光装置的制造方法，其中，

25.根据权利要求20或21所述的发光装置的制造方法，其中，

所述工序(b1)中的紫外线的照射量为20J/cm²以上。

26.一种发光装置，其特征在于，具有：

发光元件，具有上表面；以及

透光性部件，包含至少覆盖所述发光元件的所述上表面并且位于所述发光元件的所述上表面的上方的主面，其中，

所述透光性部件的所述主面具有凹凸图案，

在通过红外分光得到的与所述透光性部件相关的吸收光谱的波数大于3700cm^-1且小于3000cm^-1的范围内出现的由Si-OH引起的吸收比与硅酮树脂相关的吸收光谱的所述范围中的吸收大，在与所述透光性部件相关的吸收光谱的波数2960cm^-1和800cm^-1出现的由Si-CH₃引起的吸收峰分别小于与硅酮树脂相关的吸收光谱的波数2960cm^-1和800cm^-1的吸收峰。

27.一种发光装置，其特征在于，具有：

发光元件，具有上表面；以及

透光性部件，包含至少覆盖所述发光元件的所述上表面并且位于所述发光元件的所述上表面的上方的主面，

所述透光性部件的所述主面具有凹凸图案，

所述透光性部件的所述主面的瞬间粘接力低于硅酮树脂的瞬间粘接力，并且

所述凹凸图案通过以下工序形成：

用紫外线经由具有遮光区域和透过区域的光掩模而对包含硅酮树脂的主固化状态的树脂体进行照射，从而使所述主面中的与所述光掩模的所述遮光区域对应的第1区域的高度和所述主面中的与所述光掩模的所述透过区域对应的第2区域的高度彼此不同。

28.根据权利要求26或27所述的发光装置，其中，

从所述凹凸图案中的凹部的底部到凸部的顶部的高度差为0.1μm以上。

29.根据权利要求26或27所述的发光装置，其中，

所述透光性部件包含硅酮树脂，

30.根据权利要求26或27所述的发光装置，其中，

所述透光性部件包含硅酮树脂，