JP2018041858A - 被覆シート、シート被覆素子および光半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】耐熱性に優れ、光の取出効率を高く維持しながら、光半導体素子を被覆できる被覆シート、耐熱性に優れるシート被覆素子、および、光半導体装置を提供する。
【解決手段】被覆シート１は、光半導体素子を被覆するための蛍光体層２と、蛍光体層２に対して光半導体素子の反対側に配置され、蛍光体層２の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層３とを厚み方向に順に備える。蛍光体層２は、フェニル系シリコーン樹脂を含有する。低屈折率層３は、１０μｍを超過する厚みＴを有し、メチル系シリコーン樹脂を含有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、被覆シート、シート被覆素子および光半導体装置、詳しくは、被覆シート、それに被覆される光半導体素子を備えるシート被覆素子、および、それを備える光半導体装置に関する。

従来、光半導体装置において、光半導体素子から発光される光の取出効率を向上させるために、光半導体素子を被覆する樹脂層の屈折率を光半導体素子側から最外層に向けて順次小さくした光半導体装置が知られている。

例えば、光半導体素子と接する側の最外樹脂層（Ａ層）の上に該Ａ層の屈折率より低い屈折率を有する樹脂層（Ｂ層）が積層されてなる光半導体素子封止用シートが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

特許文献１の光半導体素子封止用シートでは、Ａ層が、ポリカルボジイミドからなり、Ｂ層が、エポキシ樹脂からなる。

特開２００５−２９４７３３号公報

しかし、特許文献１に記載の光半導体素子封止用シートでは、最外樹脂層（Ａ層）が熱により劣化するため、光半導体装置の信頼性が低下するという不具合がある。

本発明の目的は、耐熱性に優れ、光の取出効率を高く維持しながら、光半導体素子を被覆できる被覆シート、耐熱性に優れるシート被覆素子、および、光半導体装置を提供することにある。

本発明（１）は、光半導体素子を被覆するための被覆層と、前記被覆層に対して前記光半導体素子の反対側に配置され、前記被覆層の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層とを厚み方向に順に備え、前記被覆層は、フェニル系シリコーン樹脂を含有し、前記低屈折率層は、１０μｍを超過する厚みを有し、メチル系シリコーン樹脂を含有する、被覆シートを含む。

この被覆シートによれば、被覆層と低屈折率層とが、この順で、屈折率が低くなるので、被覆層により、光半導体素子を被覆すれば、光の取出効率を向上させることができる。そのため、光半導体素子を被覆する被覆シートを備え、発光効率に優れるシート被覆素子および光半導体装置を得ることができる。

また、低屈折率層が、１０μｍを超過する厚みを有するので、光の取出効率をより一層向上させることができる。

さらに、この被覆シートによれば、被覆層が、フェニル系シリコーン樹脂を含有するので、耐熱性に優れる。さらに、フェニル系シリコーン樹脂を含有する被覆層と、メチル系シリコーン樹脂を含有する低屈折率層とは、フェニル系シリコーン樹脂およびメチル系シリコーン樹脂がともに同じシリコーン樹脂であるので、親和性が高い。そのため、信頼性に優れるシート被覆素子および光半導体装置を得ることができる。

本発明（２）は、前記低屈折率層は、１００μｍ以下の厚みを有する、（１）に記載の被覆シートを含む。

この被覆シートでは、低屈折率層が、１００μｍ以下の厚みを有するので、被覆シートの薄型化を図ることができる。そのため、薄型化が図れたシート被覆素子および光半導体装置を得ることができる。

本発明（３）は、前記メチル系シリコーン樹脂が、Ｃステージである、（１）または（２）に記載の被覆シートを含む。

この被覆シートでは、メチル系シリコーン樹脂が、Ｃステージであるので、低屈折率層が被覆層を確実に支持することができる。

また、低屈折率層のメチル系シリコーン樹脂がたとえＣステージであっても、低屈折率層に含有されるメチル系シリコーン樹脂と、被覆層に含有されるフェニル系シリコーン樹脂とがともに同じシリコーン樹脂であるので、被覆層および低屈折率層は、密着性に優れる。そのため、被覆層による光半導体素子に対する確実な被覆を担保することができる。

本発明（４）は、前記低屈折率層の厚み方向における少なくとも一方面は、凹凸形状を有する、（１）〜（３）のいずれか一項に記載の被覆シートを含む。

この被覆シートでは、低屈折率層の厚み方向における少なくとも一方面が、凹凸形状を有するので、光の取出効率をより一層向上させることができる。

本発明（５）は、前記フェニル系シリコーン樹脂が、Ｂステージである、（１）〜（４）のいずれか一項に記載の被覆シートを含む。

この被覆シートでは、フェニル系シリコーン樹脂が、Ｂステージであるので、被覆層によって、光半導体素子をより一層確実に被覆することができる。

本発明（６）は、前記被覆層を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、極小値を有し、前記極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、前記極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にある、（５）に記載の被覆シートを含む。

この被覆シートでは、被覆層が光半導体素子に対して感圧接着することができる。

本発明（７）は、（１）〜（４）のいずれか一項に記載の被覆シートと、前記被覆シートの前記被覆層によって被覆される光半導体素子とを有する、シート被覆素子を含む。

このシート被覆素子は、上記した被覆シートに被覆される光半導体素子を備えるので、耐熱性、発光効率および信頼性に優れながら、薄型化を図ることができる。

本発明（８）は、厚み方向から見たときに、前記光半導体素子の側方に配置される光反射層をさらに備える、（７）に記載のシート被覆素子を含む。

また、このシート被覆素子では、光反射層によって、光の取出効率を向上させることができる。

本発明（９）は、（７）または（８）に記載のシート被覆素子と、前記シート被覆素子の光半導体素子が実装される基板とを備える、光半導体装置を含む。

この光半導体装置は、上記したシート被覆素子を備えるので、耐熱性、発光効率および信頼性に優れながら、薄型化を図ることができる。

本発明の被覆シートによれば、耐熱性、発光効率に優れるシート被覆素子および光半導体装置を得ることができる。また、この被覆シートは、光半導体素子の耐熱信頼性を向上させることができる。さらに、被覆シートは、薄型化を図ることができる。

本発明のシート被覆素子によれば、耐熱性、発光効率および信頼性に優れながら、薄型化を図ることができる。

本発明の光半導体装置によれば、耐熱性、発光効率および信頼性に優れながら、薄型化を図ることができる。

図１は、本発明の第１実施形態の被覆シートの断面図を示す。 図２は、図１に示す被覆シートの製造工程図を示す。 図３は、図１に示す被覆シートを備えるシート被覆素子の断面図を示す。 図４Ａ〜図４Ｃは、図３に示すシート被覆素子の製造工程図であり、図４Ａが、被覆シートを切断する第１工程、図４Ｂが、複数の被覆シートを第３剥離シートに配置する第２工程、図４Ｃが、光半導体素子を蛍光体層の厚み方向他方面に固定する第３工程を示す。 図５Ｄ〜図５Ｆは、図４Ｃに引き続き、図３に示すシート被覆素子の製造工程図、および、光半導体装置の製造工程図であり、図５Ｄが、光反射性層によって複数の光半導体素子および複数の被覆シートを封止する第４工程、図５Ｅが、素子集合体を切断する第５工程、図５Ｆが、シート被覆素子を基板に実装する工程を示す。 図６は、本発明の第２実施形態のシート被覆素子の断面図を示す。 図７Ａ〜図７Ｄは、図６に示すシート被覆素子の製造工程図、および、光半導体装置の製造工程図であり、図７Ａが、複数の光半導体素子を蛍光体層に感圧接着させる工程、図７Ｂが、光反射性層を配置する工程、図７Ｃが、光反射性層の上部を除去する工程、図７Ｄが、シート被覆素子を基板に実装する工程を示す。 図８は、本発明の第３実施形態のシート被覆素子の断面図を示す。 図９Ａ〜図９Ｆは、図８に示すシート被覆素子の製造工程図、および、光半導体装置の製造工程図であり、図９Ａが、第１剥離シートを剥離する工程、図９Ｂが、光半導体素子を蛍光体層に感圧接着させる工程、図９Ｃが、低屈折率層を第５剥離シートに載置する工程、図９Ｄが、光反射性層を配置する工程、図９Ｅが、光反射性層の上部を除去する工程、図９Ｆが、シート被覆素子を基板に実装する工程を示す。 図１０は、本発明の第４実施形態のシート被覆素子の断面図を示す。 図１１Ａ〜図１１Ｄは、図１０に示すシート被覆素子の製造工程図、および、光半導体装置の製造工程図であり、図１１Ａが、複数の光半導体素子および被覆シートを対向配置する工程、図１１Ｂが、蛍光体層によって複数の光半導体素子を封止する工程、図１１Ｃが、被覆シートを切断する工程、図１１Ｄが、シート被覆素子を基板に実装する工程を示す。 図１２は、本発明の第５実施形態のシート被覆素子の断面図を示す。 図１３Ａ〜図１３Ｄは、図１２に示すシート被覆素子の製造工程図、および、光半導体装置の製造工程図であり、図１３Ａが、複数の光半導体素子および被覆シートを対向配置する工程、図１３Ｂが、蛍光体層によって複数の光半導体素子を封止する工程、図１３Ｃが、被覆シートを切断する工程、図１３Ｄが、シート被覆素子を基板に実装する工程を示す。 図１４Ａ〜図１４Ｂは、本発明の第６実施形態の光半導体装置の製造工程図であり、図１４Ａが、チップサイズパッケージを用意する工程、図１４Ｂが、被覆シートをチップサイズパッケージに対して熱プレスする工程を示す。 図１５は、実施例１および８における蛍光体層の貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す。

＜第１実施形態＞
本発明の被覆シート、シート被覆素子および光半導体装置の第１実施形態を説明する。

１．被覆シート
図１に示すように、被覆シート１は、面方向（厚み方向に直交する方向であり、左右方向および前後方向を含む）に延びる略板（シート）形状を有する。被覆シート１は、被覆層の一例としての蛍光体層２と、低屈折率層３とを厚み方向一方側に向かって順に備える。また、被覆シート１は、好ましくは、蛍光体層２と、低屈折率層３とのみからなる。

２．蛍光体層
蛍光体層２は、図１に示すように、被覆シート１において、厚み方向他方側に位置する厚み方向他方側層を形成する。蛍光体層２は、面方向に延びる略板（シート）形状を有する。蛍光体層２は、光半導体素子５（図５Ｆ参照）を被覆するための層である。また、蛍光体層２は、光半導体素子５（図５Ｆ参照）から発光された光の波長を変換する波長変換層である。

蛍光体層２は、フェニル系シリコーン樹脂および蛍光体を有する。

２−１．蛍光体樹脂組成物
蛍光体層２は、例えば、フェニル系シリコーン樹脂および蛍光体を有する蛍光体樹脂組成物からなる。

詳しくは、蛍光体層２は、例えば、Ｂステージのフェニル系シリコーン樹脂および蛍光体を有する蛍光体樹脂組成物からなる。あるいは、蛍光体層２は、Ｃステージのフェニル系シリコーン樹脂（フェニル系シリコーン樹脂硬化体）および蛍光体を有する蛍光体樹脂組成物からなる。

より好ましくは、蛍光体層２は、Ｂステージのフェニル系シリコーン樹脂および蛍光体から、上記した形状に形成されている。

２−２．フェニル系シリコーン樹脂
フェニル系シリコーン樹脂は、蛍光体を分散できるマトリクスを構成するマトリクス樹脂である。また、フェニル系シリコーン樹脂は、蛍光体層２の屈折率を比較的高くするための高屈折率樹脂でもある。また、フェニル系シリコーン樹脂は、優れた耐熱性を有する。

フェニル系シリコーン樹脂としては、例えば、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、ＡステージからＣステージ化（完全硬化）することができる１段反応硬化性シリコーン樹脂、例えば、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、ＡステージからＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、ＢステージからＣステージ化（完全硬化）することができる２段反応硬化性シリコーン樹脂などの熱硬化性シリコーン樹脂が挙げられる。なお、１段反応硬化性シリコーン樹脂は、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、ＡステージからＢステージとなることができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、ＢステージからＣステージ化（完全硬化）することができる熱硬化性シリコーン樹脂を含む。つまり、かかる１段反応硬化性シリコーン樹脂は、Ｂステージとなることができる１段反応硬化性シリコーン樹脂を含む。１段反応硬化性シリコーン樹脂は、１段の反応の途中で停止するように制御できず、すなわち、Ｂステージとなることができず、一度に、ＡステージからＣステージ化（完全硬化）する１段反応硬化性シリコーン樹脂も含む。つまり、かかる熱硬化性シリコーン樹脂は、Ｂステージとなることができない１段反応硬化性樹脂を含むこともできる。

また、フェニル系シリコーン樹脂がＣステージ化して、得られたフェニル系シリコーン樹脂硬化体（生成物）は、例えば、シロキサン結合である主骨格にメチル基およびフェニル基を有し、あるいは、例えば、シロキサン結合である主骨格にフェニル基のみを有する。好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂硬化体は、シロキサン結合である主骨格にメチル基およびフェニル基を有する。

フェニル系シリコーン樹脂硬化体（生成物）において、ケイ素原子に直接結合する炭化水素基におけるフェニル基の含有割合は、例えば、３０モル％以上、好ましくは、３５モル％以上であり、また、例えば、５５モル％以下、好ましくは、５０モル％以下である。フェニル基の含有割合は、^２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される。フェニル基の含有割合の算出方法の詳細は、例えば、ＷＯ２０１１／１２５４６３などに記載される。

フェニル系シリコーン樹脂として、好ましくは、Ｂステージとなることができる熱硬化性シリコーン樹脂が挙げられ、より好ましくは、Ｂステージとなることができる１段反応硬化性シリコーン樹脂が挙げられる。

詳しくは、Ｂステージとなることができる１段反応硬化性シリコーン樹脂は、Ｂステージにおいて、加熱により、一旦可塑化（あるいは液状化）し、その後、さらなる加熱によって硬化（Ｃステージ化）する熱可塑性・熱硬化性シリコーン樹脂である。

なお、Ｂステージのフェニル系シリコーン樹脂（特に後述する貯蔵剪断弾性率Ｇ’が１，０００Ｐａ以上のもの）は、上記したさらなる加熱において、軟化する（極小点を示す）ものの、一般的な熱可塑性・熱硬化性シリコーン樹脂よりも硬く、上記したさらなる加熱において、蛍光体層２を保形することができる。

Ｂステージとなることができる１段反応硬化性シリコーン樹脂は、例えば、特開２０１６−０３７５６２号公報、特開２０１６−１１９４５４号公報などに記載される。

フェニル系シリコーン樹脂の屈折率は、例えば、１．４５以上、好ましくは、１．５０以上、より好ましくは、１．５３以上、さらに好ましくは、１．５５以上であり、また、例えば、１．７５以下、好ましくは、１．６５以下である。

フェニル系シリコーン樹脂の含有割合は、蛍光体樹脂組成物に対して、例えば、１０質量％以上、好ましくは、２０質量％以上であり、例えば、９５質量％以下、好ましくは、９０質量％以下である。

２−３．蛍光体
蛍光体は、光半導体素子５（図５Ｆ参照）から発光された光の波長を変換することのできる粒子（波長変換可能粒子）である。蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。

黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）_２ＳｉＯ_４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ_３Ａｌ_３Ｏ_１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。

赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ_２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。

蛍光体として、好ましくは、黄色蛍光体、より好ましくは、ガーネット型蛍光体が挙げられる。

蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。

蛍光体は、単独使用または併用することができる。

蛍光体の平均粒子径は、例えば、０．２５μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。蛍光体の平均粒子径が上記した下限以上であれば、光半導体素子５（図５Ｆ参照）から発光された光の波長を確実に変換することができる。なお、平均粒子径は、Ｄ５０値として算出され、具体的には、レーザー回折式粒度分布計により測定される。以降の粒子の平均粒子径も、上記と同様に求められる。

蛍光体は、単独使用または併用することができる。

蛍光体の割合は、フェニル系シリコーン樹脂１００質量部に対して、例えば、５質量部以上、好ましくは、１０質量部以上であり、また、例えば、１０００質量部以下、好ましくは、５００質量部以下である。蛍光体の含有割合は、蛍光体樹脂組成物に対して、例えば、５質量％以上、好ましくは、１０質量％以上であり、例えば、９０質量％以下、好ましくは、８０質量％以下である。

２−４．蛍光体以外の粒子
蛍光体樹脂組成物は、さらに、蛍光体以外の粒子を含有することができる。
そのような粒子としては、例えば、充填材、チクソ付与粒子などが挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。

（１）充填材
充填材は、蛍光体層２の強化や、蛍光体樹脂組成物を増量させるために、蛍光体樹脂組成物に任意的に配合される。

充填材は、フェニル系シリコーン樹脂と屈折率が実質的に同一である粒子である。なお、充填材は、例えば、フェニル系シリコーン樹脂の屈折率と近似する屈折率を有することが許容される。詳しくは、充填材とフェニル系シリコーン樹脂との屈折率差が、例えば、０．０５以下、さらには、０．０４以下の微小値となることが、許容される。

そのような粒子として、例えば、無機粒子、有機粒子などから選択される。

無機粒子としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ_２）、タルク（Ｍｇ_３（Ｓｉ_４Ｏ_１０）（ＨＯ）_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ_２Ｏ_３）などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）などの窒化物などの無機物粒子（無機物）が挙げられる。また、無機粒子として、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、具体的には、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子など）が挙げられる。

有機粒子としては、例えば、アクリル系樹脂粒子、スチレン系樹脂粒子、アクリル−スチレン系樹脂粒子、シリコーン系樹脂粒子、ポリカーボネート系樹脂粒子、ベンゾグアナミン系樹脂粒子、ポリオレフィン系樹脂粒子、ポリエステル系樹脂粒子、ポリアミド系樹脂粒子、ポリイミド系樹脂粒子などが挙げられる。

充填材は、単独使用または併用することができる。

好ましくは、無機酸化物粒子、より好ましくは、ガラス粒子が挙げられる。

充填材の形状は、特に限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。

充填材の平均粒子径は、例えば、０．２５μｍ以上、好ましくは、０．３μｍ以上、より好ましくは、０．５μｍ以上、さらに好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

充填材の割合は、フェニル系シリコーン樹脂１００質量部に対して、例えば、５質量部以上、好ましくは、１０質量部以上であり、また、例えば、２５０質量部以下、好ましくは、１５０質量部以下である。充填材の蛍光体樹脂組成物における含有割合は、例えば、５質量％以上、好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、７０質量％以下、好ましくは、６０質量％以下である。

（２）チクソ付与粒子
チクソ付与粒子は、蛍光体樹脂組成物に揺変性（ｔｈｉｘｏｔｒｏｐｙ、チクソ性）を付与または向上させる揺変剤である。揺変性は、せん断応力を受け続けると粘度が次第に低下し、静止すると粘度が次第に上昇する性質である。 チクソ付与粒子としては、ヒュームドシリカ（煙霧シリカ）などのナノシリカなどが挙げられる。ヒュームドシリカとしては、例えば、ジメチルジクロロシラン、シリコーンオイルなどの表面処理剤により表面が疎水化された疎水性煙霧シリカ、および、表面処理されていない親水性煙霧シリカのいずれであってもよい。

チクソ付与粒子の平均粒子径は、例えば、２００ｎｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ以下であり、また、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、５ｎｍ以上である。

チクソ付与粒子は、単独使用または併用することができる。

チクソ付与粒子の割合は、蛍光体樹脂組成物１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．２質量部以上であり、また、例えば、１０質量部以下、好ましくは、５質量部以下である。チクソ付与粒子の蛍光体樹脂組成物における含有割合は、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、０．２質量％以上であり、また、例えば、１０質量％以下、好ましくは、５質量％以下である。

２−５．蛍光体樹脂組成物の調製
蛍光体樹脂組成物は、フェニル系シリコーン樹脂と、蛍光体と、必要により、蛍光体以外の粒子とを配合して、混合することにより、調製される。

２−６．蛍光体層２の物性および寸法等
フェニル系シリコーン樹脂がＢステージである場合、つまり、蛍光体層２がＢステージである場合には、この蛍光体層２を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線は、図１５が参照されるように、極小値を有する。

そして、そのような極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、例えば、５Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にある。

上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、好ましくは、１０Ｐａ以上、より好ましくは、１５Ｐａ以上、さらに好ましくは、２０Ｐａ以上であり、また、好ましくは、１，０００Ｐａ以下、好ましくは、７５０Ｐａ以下、より好ましくは、２５０Ｐａ以下、さらに好ましくは、１００Ｐａ以下、とりわけ好ましくは、５０Ｐａ未満の範囲にある。極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が上記した上限以下であれば、種々の形状を有する蛍光体層２を備えるシート被覆素子４（後述する図３、図６、図８、図１０、図１２）、さらには、光半導体装置８（後述する図１４Ｂ）を製造することができる。

あるいは、極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、好ましくは、１，０００Ｐａ以上、より好ましくは、１０，０００Ｐａ以上、さらに好ましくは、２０，０００Ｐａ以上、さらに好ましくは、３０，０００Ｐａ以上であり、また、好ましくは、７０，０００Ｐａ以下の範囲にある。極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が上記した下限以上であれば、図５Ｄに示す第３工程（後述）において、蛍光体層２のしわを防止して、蛍光体層２の厚みが均一となり、得られるシート被覆素子４および光半導体装置８（図５Ｆ参照）の色均一性が優れる。極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が上記した上限以下であれば、図４Ｃに示す第３工程（後述）において、蛍光体層２に光半導体素子５を確実に感圧接着させることができる。

蛍光体層２の屈折率は、例えば、１．４５以上、好ましくは、１．５０以上、より好ましくは、１．５３以上であり、また、例えば、１．７５以下である。

屈折率は、アッベ屈折計で測定することにより求められる。

なお、Ａステージ、ＢステージおよびＣステージのフェニル系シリコーン樹脂のそれぞれの屈折率は、実質的に同一である。

蛍光体層２の厚みは、例えば、３０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。

３．低屈折率層
図１に示すように、低屈折率層３は、被覆シート１において、厚み方向一方側に位置する厚み方向一方側層を形成する。低屈折率層３は、面方向に延びる略板（シート）形状を有する。低屈折率層３は、蛍光体層２の厚み方向一方面の全面に接触するように、低屈折率層３の厚み方向一方面に配置されている。低屈折率層３は、後述する光半導体素子５（図５Ｆ参照）から発光され、蛍光体層２を透過した光、および、蛍光体層２によって波長変換された光を側方（側方外側）に屈折（あるいは拡散）させる屈折層（あるいは拡散層）である。

また、低屈折率層３は、蛍光体層２の屈折率に比べて、低い屈折率（後述）を有する。

また、低屈折率層３は、面方向に平行する平坦な第１面（厚み方向他方面）４１と、第１面４１に対向し、凹凸形状を有する第２面（厚み方向一方面）４２とを有する。

第１面４１は、蛍光体層２の厚み方向一方面に接触する接触面である。

第２面４２は、外方（厚み方向一方）に向かって露出する露出面である。第２面４２の凹凸形状は、低屈折率層３における輝度向上効果を奏する形状であって、例えば、半球レンズ状、ピラミッド状、コーン状、釣り鐘状などが挙げられる。第２面４２の凹凸形状の詳細および寸法等は、例えば、特開２００７−１１００５３号公報、特開２０１０−１９２５８６号公報などに記載される。なお、第２面４２の表面粗さ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１で規定される算術平均粗さＲａ）は、例えば、０．０５μｍ以上、好ましくは、０．１μｍ以上、より好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、３μｍ以下である。

低屈折率層３は、メチル系シリコーン樹脂を含有する。

例えば、低屈折率層３は、メチル系シリコーン樹脂を含有する低屈折樹脂組成物から、上記した形状に形成される。好ましくは、低屈折率層３は、Ｃステージのメチル系シリコーン樹脂（メチル系シリコーン樹脂硬化体）を含有する低屈折率樹脂組成物からなる。

３−１．メチル系シリコーン樹脂
メチル系シリコーン樹脂は、低屈折率層３の屈折率を蛍光体層２の屈折率に対して低くするために、低屈折樹脂組成物に配合される、低屈折率樹脂である。また、メチル系シリコーン樹脂は、後述する充填材、チクソ付与粒子を低屈折率樹脂組成物に配合するときには、充填材、チクソ付与粒子を分散できるマトリクスを構成するマトリクス樹脂でもある。

メチル系シリコーン樹脂としては、例えば、１段反応硬化性シリコーン樹脂、２段反応硬化性シリコーン樹脂がＣステージ化した、Ｃステージの熱硬化性シリコーン樹脂（シリコーン樹脂硬化体）が挙げられる。メチル系シリコーン樹脂としては、好ましくは、ＡステージからＣステージ化（完全硬化）することができる１段反応硬化性シリコーン樹脂がＣステージ化したシリコーン樹脂硬化体が挙げられる。

なお、Ｃステージのメチル系シリコーン樹脂は、シロキサン結合である主骨格に実質的にメチル基のみを有する。具体的には、ケイ素原子に直接結合する炭化水素基におけるメチル基の含有割合が、例えば、９０モル％以上、好ましくは、９５モル％以上、より好ましくは、９９モル％以上であり、さらに好ましくは、１００モル％である。

メチル系シリコーン樹脂の屈折率は、例えば、１．５０未満、好ましくは、１．４５以下であり、また、例えば、１．３以上、好ましくは、１．３５以上である。メチル系シリコーン樹脂とフェニル系シリコーン樹脂との屈折率差（フェニル系シリコーン樹脂の屈折率からメチル系シリコーン樹脂の屈折率を差し引いた値は、例えば、０．０５以上、好ましくは、０．１以上であり、また、例えば、０．３以下、好ましくは、０．２以下である。また、フェニル系シリコーン樹脂の屈折率の、メチル系シリコーン樹脂の屈折率に対する比は、例えば、１．０５以上、好ましくは、１．０７以上であり、また、例えば、１．２以下、好ましくは、１．１５以下である。

メチル系シリコーン樹脂の含有割合は、低屈曲率樹脂組成物に対して、例えば、５０質量％以上、好ましくは、８０質量％以上であり、例えば、１００質量％以下、好ましくは、９０質量％以下である。

３−２．充填材等
低屈折率樹脂組成物は、必要により、充填材、チクソ付与粒子などの粒子を含有することができる。

（１）充填材
充填材は、低屈折率層３の強化や、低屈折率樹脂組成物を増量するために、低屈折率樹脂組成物に任意的に配合される。

充填材は、メチル系シリコーン樹脂と屈折率が実質的に同一である粒子である。なお、充填材は、例えば、メチル系シリコーン樹脂の屈折率と近似する屈折率を有することが許容される。詳しくは、充填材とメチル系シリコーン樹脂との屈折率差が、例えば、０．０５以下、さらには、０．０４以下の微小値となることが、許容される。

充填材としては、蛍光体樹脂組成物で例示したものが挙げられ、好ましくは、有機粒子、より好ましくは、シリコーン系樹脂粒子が挙げられる。

充填材の割合は、メチル系シリコーン樹脂１００質量部に対して、例えば、５質量部以上、好ましくは、１０質量部以上であり、また、例えば、２５０質量部以下、好ましくは、１５０質量部以下である。充填材の蛍光体樹脂組成物における含有割合は、例えば、５質量％以上、好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、７０質量％以下、好ましくは、６０質量％以下である。

（２）チクソ付与粒子
チクソ付与粒子は、蛍光体樹脂組成物で例示したチクソ付与粒子と同様の種類が挙げられ、その物性および配合割合は、上記と同様である。

３−３．低屈折率層の物性および寸法等
低屈折率層３の２５℃における圧縮弾性率は、例えば、１．２ＭＰａを超過し、好ましく、１．４ＭＰａを超過し、また、例えば、１５ＭＰａ以下、好ましくは、１０ＭＰａ以下である。低屈折率層３の圧縮弾性率は、ＪＩＳ Ｋ ７１８１：２０１１の「プラスチック−圧縮特性の求め方」に記載の方法により求められる。低屈折率層３の圧縮弾性率が上記した下限を上回れば、低屈折率層３が蛍光体層２を確実に支持して、蛍光体層２による光半導体素子５に対する確実な被覆を担保することができる。

低屈折率層３の厚みＴは、１０μｍを超過し、好ましくは、１５μｍ以上、より好ましくは、２５μｍ以上である。低屈折率層３の厚みＴが上記した下限を下回れば、光の取出効率を向上させることができない。一方、低屈折率層３の厚みＴが上記した下限を上回れば、光の取出効率を向上させることができる。

低屈折率層３の厚みＴは、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下、より好ましくは、１００μｍ以下、さらに好ましくは、８５μｍ以下である。低屈折率層３の厚みＴが上記した上限以下であれば、被覆シート１の薄型化を図ることができる。

低屈折率層３の屈折率は、例えば、１．３０以上、好ましくは、１．３５以上であり、また、例えば、１．５５以下、好ましくは、１．５０以下である。低屈折率層３の屈折率が上記した上限以下であれば、低屈折率層３の屈折率を、蛍光体層２の屈折率より確実に低く設定でき、被覆シート１による光の取出効率を向上させることができる。

低屈折率層３と蛍光体層２との屈折率差（蛍光体層２の屈折率から低屈折率層３の屈折率を差し引いた値）は、例えば、０．５以下、好ましくは、０．３以下、好ましくは、０．２以下であり、また、例えば、０．０３以上である。また、蛍光体層２の屈折率の、低屈折率層３の屈折率に対する比は、例えば、１．０５以上、好ましくは、１．０７以上であり、また、例えば、１．２５以下、好ましくは、１．１５以下である。

この被覆シート１の２５℃における圧縮弾性率は、特に限定されず、例えば、１５０ＭＰａ以下、好ましくは、８０ＭＰａ未満、より好ましくは、１０ＭＰａ以下であり、また、０．１ＭＰａ以上である。圧縮弾性率が上記上限以下であれば、被覆シート１は柔軟性および成形性に優れるので、種々の形状を有する蛍光体層２を備えるシート被覆素子４、さらには、光半導体装置８を製造することができる。

具体的には、圧縮弾性率が１５０ＭＰａ以下であれば、図３、図６、図８、図１０に示すシート被覆素子４を製造できる。さらに、圧縮弾性率が８０ＭＰａ未満であれば、図３、図６、図８、図１０、図１２に示すシート被覆素子４を製造できる。圧縮弾性率が１０ＭＰａ以下であれば、図３、図６、図８、図１０、図１２に示すシート被覆素子４、さらには、図１４Ｂに示す光半導体装置８を製造できる。

４．被覆シートの製造方法
被覆シート１を製造するには、例えば、図２に示すように、まず、蛍光体層２を作製し、別途、低屈折率層３を作製し、その後、蛍光体層２および低屈折率層３を互いに貼り合わせる。

（１） 蛍光体層の作製
蛍光体層２を作製するには、まず、上記した各成分を配合および混合して、蛍光体樹脂組成物（ワニス）を調製する。次いで、蛍光体樹脂組成物を、第１剥離シート２１の表面（厚み方向一方面）に塗布する。

第１剥離シート２１は、例えば、面方向に延びる可撓性フィルムからなる。第１剥離シート２１としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム、エポキシ樹脂などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。また、第１剥離シート２１の貼着面、つまり、蛍光体層２に対する接触面は、必要によりフッ素処理などの剥離処理されている。第１剥離シート２１の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。

次いで、フェニル系シリコーン樹脂が、Ｂステージとなることができる熱硬化性シリコーン樹脂である場合には、Ａステージのフェニル系シリコーン樹脂をＢステージ化する。具体的には、Ａステージの蛍光体樹脂組成物を、加熱（ベイク）して、Ｂステージ化する。

加熱（ベイク）条件は、蛍光体層２において動的粘弾性測定における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が所望の範囲（後述）となるように、適宜設定される。

つまり、加熱温度は、蛍光体樹脂組成物におけるフェニル系シリコーン樹脂の組成によって適宜設定され、具体的には、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上、より好ましくは、８０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱温度が上記下限以上、および／または、加熱温度が上記上限以下であれば、上記した貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値を所望の範囲に設定することができる。

加熱時間は、例えば、２．５分以上、好ましくは、５．５分以上であり、また、例えば、４時間以下、好ましくは、１時間以下、より好ましくは、３０分以下、さらに好ましくは、１０分以下である。加熱時間が上記下限以上、および／または、上記上限以下であれば、上記した貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値を所望の範囲に設定することができる。

これにより、蛍光体層２が第１剥離シート２１の表面（厚み方向一方面）に作製される。

好ましくは、Ｂステージの蛍光体層２が作製される。

具体的には、Ｂステージのフェニル系シリコーン樹脂を含有する蛍光体層２が作製される。そのような蛍光体層２は、動的粘弾性測定における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が所望の範囲（極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、５Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲）となる。

（２） 低屈折率層の作製
低屈折率層３を作製するには、例えば、まず、上記した各成分を配合および混合して、低屈折率樹脂組成物（ワニス）を調製する。

次いで、低屈折率樹脂組成物を、第２剥離シート２２の表面（厚み方向他方面）に塗布する。

第２剥離シート２２は、例えば、面方向に延びる可撓性フィルムからなる。第２剥離シート２２の材料としては、第１剥離シート２１と同様の材料が挙げられる。

第２剥離シート２２の表面（厚み方向他方面）は、第２面４２の凹凸形状に対応する凹凸形状を有する。

なお、第２剥離シート２２の作製方法は、例えば、特開２００７−１１００５３号公報、特開２０１０−１９２５８６号公報などに記載される。

次いで、メチル系シリコーン樹脂が熱硬化性シリコーン樹脂である場合には、メチル系シリコーン樹脂を、Ｃステージ化する。具体的には、Ａステージの低屈折率樹脂組成物を、加熱して、Ｃステージ化する。

加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下である。また、加熱時間は、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、１８０分以下、好ましくは、１２０分以下である。

これにより、低屈折率層３が第２剥離シート２２の表面（厚み方向他方面）に作製される。

Ｃステージの低屈折率層３が作製される。同時に、第２剥離シート２２の表面における凹凸形状が、低屈折率層３の第２面４２に転写される。

（３）蛍光体層および低屈折率層の貼り合わせ
その後、蛍光体層２および低屈折率層３を貼り合わせる。

具体的には、第１剥離シート２１に支持された蛍光体層２の露出面と、第２剥離シート２２に支持された低屈折率層３の露出面とを、例えば、ラミネータなどによって、互いに貼り合わせる。

これにより、蛍光体層２および低屈折率層３を備える被覆シート１が、第１剥離シート２１および第２剥離シート２２により挟まれた（支持された）状態で、製造される。

５． シート被覆素子、光半導体装置およびそれらの製造方法
次に、被覆シート１を用いて製造されるシート被覆素子４、光半導体装置８およびそれらの製造方法について説明する。

５−１．シート被覆素子
シート被覆素子４は、図３に示すように、光半導体素子５が上記した被覆シート１により被覆された素子であり、図５Ｆに示すように、光半導体素子５が被覆シート１によって被覆された後、基板９（後述）に実装される。

なお、シート被覆素子４は、光半導体装置８ではなく、つまり、光半導体装置８に備えられる基板９を含んでいない。具体的には、シート被覆素子４は、光半導体素子５と、被覆シート１（蛍光体層２および低屈折率層３）と、光反射性層７とを備える。シート被覆素子４は、好ましくは、光半導体素子５と、被覆シート１と、光反射性層７とからなる。つまり、光半導体素子５は、光半導体装置８の基板９に備えられる電極とまだ電気的に接続されないように、構成されている。また、シート被覆素子４は、光半導体装置８の一部品、すなわち、光半導体装置８を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

光半導体素子５は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤ（発光ダイオード素子）またはＬＤ（半導体レーザー素子）である。好ましくは、光半導体素子５は、青色光を発光する青色ＬＥＤである。なお、光半導体素子５は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器（半導体素子）を含まない。

光半導体素子５は、面方向に沿う略平板形状を有している。また、光半導体素子５は、平面視略矩形状（好ましくは、平面視略正方形状）を有している。光半導体素子５は、電極１０が設けられる電極面１１と、電極面１１の厚み方向（上下方向）に対向する対向面１２と、電極面１１および対向面１２の周端縁を連結する側面１３とを一体的に有する。

電極面１１は、光半導体素子５における下面の一例である。電極面１１には、複数（２個）の電極１０が設けられている。複数の電極１０のそれぞれは、電極面１１から下側に向かってわずかに突出する形状を有する。

対向面１２は、光半導体素子５における上面の一例である。

光半導体素子５の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚み（上下方向長さ）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上、より好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。光半導体素子５の左右方向および／または前後方向における長さは、それぞれ、例えば、２００μｍ以上、好ましくは、５００μｍ以上であり、また、例えば、３０００μｍ以下、好ましくは、２０００μｍ以下である。

被覆シート１は、シート被覆素子４において、光半導体素子５から発光された光を面方向（側方、側方外側）に屈折させながら、波長変換する屈折−波長変換シートである。被覆シート１は、平面視略矩形の平板状を有する。被覆シート１は、厚み方向に投影したときに、光半導体素子５を含んでいる。被覆シート１では、光半導体素子５の対向面１２から上方（厚み方向他方側）に向かって、蛍光体層２および低屈折率層３が順に配置されている。低屈折率層３は、シート被覆素子４の上面の中央部を形成する。低屈折率層３の上面は、後述する光反射性層７の上面と面一となっている。蛍光体層２の中央部は、光半導体素子５の対向面１２と接触（接着）している。被覆シート１の周端部は、光半導体素子５よりも外側に位置しており、光反射性層７と接触している。

光反射性層７は、光半導体素子５および被覆シート１の側方に配置され、光半導体素子５から主として側方に放射される光を反射することができる白色層である。光反射性層７は、平面視略矩形枠状を有している。光反射性層７は、下部１４と、および、その上側に設けられる上部１５とを一体的に備えている。

下部１４は、光半導体素子５の側方（周囲、すなわち、左右方向外側および前後方向外側）に配置されている。具体的には、下部１４は、光半導体素子の側面１３と接触し、それを被覆している。下部１４の内側部は、蛍光体層２の下面と接触している。下部１４の外側部は、上部１５と連続している。下部１４は、平面視略枠形状を有している。下部１４は、厚み方向に投影したときに、その内形が光半導体素子５と一致し、その外形が上部１５の外形と一致するように形成されている。下部１４の厚みは、光半導体素子５の厚みと同一である。

上部１５は、被覆シート１の側方（周囲、すなわち、左右方向外側および前後方向外側）に配置されている。具体的には、上部１５は、被覆シート１の周側面と接触し、それらを被覆している。上部１５は、平面視略枠形状を有している。上部１５は、厚み方向に投影したときに、その内形が被覆シート１と一致し、その外形が下部１４の外形と一致するように形成されている。上部１５の開口は、下部１４の開口に対して大きい。上部１５の厚みは、低屈折率層３の厚みＴおよび蛍光体層２の厚みの合計と同一である。

光反射性層７は、１００μｍ厚みとして４５０ｎｍ波長の光で照射したときの光透過率が、例えば、２０％以下、好ましくは、１０％以下であり、また、例えば、０％以上である。

光反射性層７は、例えば、樹脂と光反射性粒子とを含有する光反射樹脂組成物から形成（調製）されている。

樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられ、好ましくは、Ｂステージとなることができる熱硬化性樹脂が挙げられ、より好ましくは、Ｂステージとなることができる熱硬化性シリコーン樹脂が挙げられ、さらに好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂が挙げられる。

光反射性粒子としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムなどの酸化物、例えば、鉛白（塩基性炭酸鉛）、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリンなどの粘土鉱物などの、無機物が挙げられる。好ましくは、酸化チタンが挙げられる。光反射性粒子の屈折率は、例えば、２．０以上、好ましくは、２．５以上であり、また、例えば、５．０以下である。光反射性粒子の平均粒子径は、例えば、０．２５μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。

樹脂および光反射性粒子の含有割合は、用途および目的に応じて適宜設定される。

５−２． シート被覆素子の製造方法
そして、このシート被覆素子４は、被覆シート１を切断する第１工程（図４Ａ参照）、複数の被覆シート１における低屈折率層３を第３剥離シート２３の表面に配置する第２工程（図４Ｂ参照）、複数の光半導体素子５のそれぞれを複数の蛍光体層２のそれぞれの厚み方向他方面に固定する第３工程（図４Ｃ参照）、光反射性層７によって、複数の光半導体素子５および複数の被覆シート１を被覆する第４工程（図５Ｄ参照）、素子集合体１７を切断して、複数のシート被覆素子４を製造する第５工程（図５Ｅ参照）を順に備える、シート被覆素子４の製造方法によって、製造される。

（１）第１工程
図４Ａの太い一点破線で示すように、第１工程では、１枚の被覆シート１を、用途および目的に応じたサイズに切断して、複数枚の被覆シート１を作製する。被覆シート１の切断では、蛍光体層２および低屈折率層３とともに、第１剥離シート２１および第２剥離シート２２を切断する。

（２）第２工程
第２工程では、まず、第２剥離シート２２を低屈折率層３から剥離し、次いで、図４Ｂに示すように、低屈折率層３を、第３剥離シート２３に配置する。具体的には、低屈折率層３の厚み方向一方面を、第３剥離シート２３の厚み方向他方面に接触させる。また、被覆シート１を、面方向に互いに間隔を隔てて複数配置する。

第３剥離シート２３としては、第１剥離シート２１と同様のものが挙げられる。

（３）第３工程
第３工程では、図４Ｃに示すように、光半導体素子５を、蛍光体層２の厚み方向他方面に配置する。具体的には、まず、図４Ｂの矢印で示すように、第１剥離シート２１を蛍光体層２から剥離し、その後、光半導体素子５の対向面１２を、蛍光体層２の厚み方向他方面に接触（被覆）させる。これにより、光半導体素子５は、Ｂステージの蛍光体層２に対して仮固定（密着）される。低屈折率層３は、蛍光体層２に対して光半導体素子５の反対側に位置する。

その後、蛍光体層がＢステージである場合、具体的には、蛍光体層２が含有するフェニル系シリコーン樹脂が、Ｂステージである場合には、蛍光体層２をＣステージ化させる。

具体的には、Ｂステージの蛍光体層２を加熱する。加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下である。また、加熱時間は、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、１８０分以下、好ましくは、１２０分以下である。

蛍光体層２に含有されるフェニル系シリコーン樹脂のＣステージ化によって、蛍光体層２が光半導体素子５と接着する。

第３工程によって、好ましくは、Ｃステージの低屈折率層３およびＣステージの蛍光体層２を備える複数の被覆シート１が、第３剥離シート２３に支持される状態で、作製される。

（４）第４工程
第３工程によって、好ましくは、Ｃステージの低屈折率層３およびＣステージの蛍光体層２を備える複数の被覆シート１が、第３剥離シート２３に支持された状態で、作製される。

図５Ｄに示すように、第４工程では、例えば、まず、光反射シート１６（仮想線）を、複数の光半導体素子５および複数の被覆シート１に対して、上下方向に間隔を隔てて対向配置する。

まず、光反射シート１６を、光反射性層７を構成する光反射樹脂組成物（好ましくは、Ｂステージのフェニル系シリコーン樹脂および光反射性粒子（屈折率が、例えば、２．０以上、好ましくは、２．３以上、例えば、５．０以下）を含有する光反射樹脂組成物）から、面方向（上下方向に直交する方向）に沿うシート状に、形成する。

次いで、複数の光半導体素子５、複数の被覆シート１および第３剥離シート２３と、光反射シート１６とを、熱プレス機（図示せず）にセットする。具体的には、複数の光半導体素子５と、光反射シート１６とが対向配置される。

次いで、図５Ｄの矢印で示すように、光反射シート１６を、複数の光半導体素子５および複数の被覆シート１に対して、熱プレスする。

熱プレスの条件は、光反射シート１６が複数の光半導体素子５および複数の被覆シート１を埋設して変形するように、設定される。

この熱プレスによって、光反射シート１６は、下部１４および上部１５を有する光反射性層７に形成される。

これによって、複数の光半導体素子５と、複数の被覆シート１と、１つの光反射性層７とを備える素子集合体１７が、第３剥離シート２３に支持された状態で、得られる。

次いで、素子集合体１７における光反射性層７を加熱してＣステージ化する。具体的には、素子集合体１７をプレス機３０から取り出し、オーブンなどによって、加熱する。

その後、光反射性層７の上部を、例えば、グラインド加工、溶媒による拭き取り加工、粘着シートによる引き剥がし加工によって、除去する。これによって、光半導体素子５の電極面１１を露出させる。

（５）第５工程
第５工程では、図５Ｅに示すように、面方向に隣接する光半導体素子５の間と、面方向に隣接する被覆シート１の間とに位置する光反射性層７を、例えば、ダイシングなどによって切断する。これにより、素子集合体１７を個片化する。

続いて、図５Ｅの矢印で示すように、シート被覆素子４を第３剥離シート２３から剥離する。

これによって、１つの光半導体素子５、１つの被覆シート１と、１つの光反射性層７とを備えるシート被覆素子４が得られる。

７−３．光半導体装置の製造方法
その後、図５Ｆに示すように、シート被覆素子４を基板９に実装する。具体的には、光半導体素子５を基板９にフリップチップ実装する。より具体的には、光半導体素子５の電極１０を基板９に設けられる端子（図示せず）と電気的に接続する。

これによって、基板９と、シート被覆素子４と、光反射性層７とを備える光半導体装置８が得られる。

光半導体装置８は、好ましくは、基板９と、光半導体素子５と、被覆シート１と、光反射性層７とからなる。

８．第１実施形態の作用効果
この被覆シート１によれば、蛍光体層２と低屈折率層３とが、この順で、屈折率が低くなるので、蛍光体層２により、光半導体素子５を被覆すれば、光の取出効率を向上させることができる。そのため、光半導体素子５を被覆する被覆シート１を備え、発光効率に優れるシート被覆素子４および光半導体装置８を得ることができる。

また、低屈折率層３が、１０μｍを超過する厚みＴを有するので、光の取出効率をより一層向上させることができる。

さらに、この被覆シート１によれば、蛍光体層２が、フェニル系シリコーン樹脂を含有するので、耐熱性に優れる。さらに、フェニル系シリコーン樹脂を含有する蛍光体層２と、メチル系シリコーン樹脂を含有する低屈折率層３とは、フェニル系シリコーン樹脂およびメチル系シリコーン樹脂がともに同じシリコーン樹脂であるので、親和性が高い。そのため、信頼性に優れるシート被覆素子４および光半導体装置８を得ることができる。

この被覆シート１では、低屈折率層３が、１００μｍ以下の厚みＴを有すれば、被覆シート１の薄型化を図ることができる。そのため、薄型化が図れたシート被覆素子４および光半導体装置８を得ることができる。

この被覆シート１では、メチル系シリコーン樹脂が、Ｃステージであれば、低屈折率層３が蛍光体層２を確実に支持することができる。

また、メチル系シリコーン樹脂がたとえＣステージであっても、低屈折率層３に含有されるメチル系シリコーン樹脂と、蛍光体層２に含有されるフェニル系シリコーン樹脂とがともに同じシリコーン樹脂であるので、蛍光体層２および低屈折率層３は、密着性に優れる。そのため、蛍光体層２による光半導体素子５に対する確実な被覆を担保することができる。

この被覆シート１では、低屈折率層３の第２面４２が、凹凸形状を有するので、光の取出効率をより一層向上させることができる。

また、この被覆シート１では、フェニル系シリコーン樹脂が、Ｂステージであれば、蛍光体層２によって、光半導体素子５をより一層確実に被覆することができる。

また、この被覆シート１では、蛍光体層２を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、極小値を有し、極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にあれば、蛍光体層２が光半導体素子５に対して感圧接着することができる。

このシート被覆素子４では、上記した被覆シート１に被覆される光半導体素子５を備えるので、耐熱性、発光効率および信頼性に優れながら、薄型化を図ることができる。

また、このシート被覆素子４では、厚み方向から見たときに、光半導体素子５の側方に配置される光反射性層７をさらに備えるので、光反射層によって、光の取出効率を向上させることができる。

この光半導体装置８では、上記したシート被覆素子４を備えるので、耐熱性、発光効率および信頼性に優れながら、薄型化を図ることができる。

９．変形例
変形例において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

第１実施形態では、本発明の被覆層の一例として蛍光体層２を挙げたが、これに限定されず、蛍光体を含有しない被覆層とすることもできる。

一方、被覆層が蛍光体層２であれば、光半導体素子５から発光された光を波長変換できる。そのため、シート被覆素子４および光半導体装置８は、白色度が高い光を取り出すことができる。

第１実施形態では、図１に示すように、低屈折率層３の第２面４２のみが凹凸形状を有する。しかし、これに限定されない。

図示しないが、低屈折率層３において、第２面４２に代えて、第１面４１のみが凹凸形状を有することができ、あるいは、第２面４２とともに、第１面４１も凹凸形状を有することもできる。

低屈折率層３の第１面４１が凹凸形状を有する場合には、第１面４１に追従して、蛍光体層２の厚み方向他方面も、凹凸形状を有する。

また、低屈折率層３の第１面４１および第２面４２のいずれもが、凹凸形状を有さなくてもよい。

好ましくは、低屈折率層３の第１面４１および第２面４２のうち、少なくともいずれか一方面が、凹凸形状を有する。これより、光の取出効率をより一層向上させることができる。

第１実施形態では、被覆シート１の製造方法において、図２に示すように、蛍光体層２および低屈折率層３のそれぞれを作製し、その後、蛍光体層２および低屈折率層３を貼り合わせている。

しかし、例えば、図示しないが、第２剥離シート２２の厚み方向他方側に、低屈折率層３および蛍光体層２を順に積層することもできる。具体的には、まず、低屈折率層３（好ましくは、Ｃステージの低屈折率層３）を第２剥離シート２２の厚み方向他方面に配置し、次いで、Ａステージの蛍光体樹脂組成物を低屈折率層３の厚み方向他方面に塗布し、その後、加熱する。好ましくは、Ｂステージの蛍光体層２を、Ｃステージの低屈折率層３の厚み方向他方面に作製する。

第１実施形態では、図５Ｄに示すように、仮想線で示す光反射シート１６を用いて、光反射性層７を作製しているが、例えば、図示しないが、光反射シート１６を用いず、光反射樹脂組成物を複数の光半導体素子５および複数の被覆シート１の上に塗布などにより直接配置し、次いで、光反射樹脂組成物をＣステージ化することにより、光反射性層７を作製することもできる。

上記した各変形例によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

＜第２実施形態＞
第２実施形態において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

第１実施形態では、図３に示すように、シート被覆素子４において、被覆シート１が、平面視において、光反射性層７より小さく、かつ、光半導体素子５より大きいサイズを有している。

一方、第２実施形態では、図６に示すように、シート被覆素子４において、被覆シート１が、平面視において、光反射性層７と同一サイズの外形形状を有する。

被覆シート１の側面と、光反射性層７の側面とは、厚み方向に連続している。具体的には、被覆シート１の側面と、光反射性層７の側面とは、面一である。

光反射性層７は、第１実施形態における上部１５（図３参照）を有さない。

このシート被覆素子４を被覆シート１を用いて製造するには、図１が参照されるように、まず、第１剥離シート２１を蛍光体層２から剥離する。

次いで、図７Ａに示すように、蛍光体層２の厚み方向他方面に、複数の光半導体素子５を面方向に互いに間隔を隔てて整列配置する。具体的には、Ｂステージの蛍光体層２の厚み方向他方面に光半導体素子５の対向面１２を密着（感圧接着）させる。

続いて、蛍光体層２がＢステージであれば、Ｂステージの蛍光体層２を加熱によりＣステージ化させる。

次いで、図７Ｂに示すように、光反射性層７を、複数の被覆シート１および複数の光半導体素子５を被覆するように、蛍光体層２の厚み方向他方面に配置する。具体的には、光反射性層７を、隣接する被覆シート１間と、隣接する光半導体素子５間とに充填する。

次いで、図７Ｃに示すように、光反射性層７の上部を除去して、複数の光半導体素子５の電極面１１を露出させる。

次いで、図７Ｃの太い一点破線で示すように、隣接する光半導体素子５間の光反射性層７および被覆シート１を切断する。

これにより、光半導体素子５、被覆シート１および光反射性層７を備える複数のシート被覆素子４を、第２剥離シート２２で支持された状態で、得る。

その後、図７Ｃの矢印で示すように、シート被覆素子４を第２剥離シート２２から剥離する。

その後、図７Ｄに示すように、シート被覆素子４を基板９にフリップチップ実装する。

これによって、基板９およびシート被覆素子４を備える光半導体装置８を得る。

この第２実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

＜第３実施形態＞
第３実施形態において、上記した第１実施形態および第２実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

第２実施形態では、図６に示すように、被覆シート１の側面と、光反射性層７の側面とは、面一である。

一方、第３実施形態では、図８に示すように、被覆シート１の側面と、光反射性層７の側面１３とが、面一である。

被覆シート１は、厚み方向に投影したときに、光半導体素子５と同一形状を有する。

光反射性層７において、下部１４および上部１５の内側面は、厚み方向に沿って面一である。

このシート被覆素子４を製造するには、図９Ａの仮想線で示すように、まず、第１剥離シート２１を蛍光体層２から剥離する。

次いで、図９Ｂに示すように、蛍光体層２の厚み方向他方面に光半導体素子５を配置する。具体的には、Ｂステージの蛍光体層２の厚み方向他方面に光半導体素子５の対向面１２を密着（感圧接着）させる。

続いて、蛍光体層２がＢステージであれば、Ｂステージの蛍光体層２を加熱によりＣステージ化させる。

図９Ｃに示すように、次いで、第２剥離シート２２を低屈折率層３から剥離して、低屈折率層３を別の第４剥離シート２４に載置する。

第４剥離シート２４は、第２剥離シート２２と同様のものが挙げられる。第４剥離シート２４は、平面視において、被覆シート１および光半導体素子５より大きいサイズを有する。

その後、図９Ｄに示すように、光反射性層７によって、被覆シート１および光半導体素子５を埋設するように、光反射性層７を第４剥離シート２４の厚み方向他方側に配置する。

続いて、図９Ｅに示すように、光反射性層７の上部を除去して、光半導体素子５の電極面１１を露出させる。

これによって、光半導体素子５、被覆シート１および光反射性層７を備えるシート被覆素子４を、第４剥離シート２４に支持された状態で得る。

その後、図９Ｆに示すように、シート被覆素子４を基板９にフリップチップ実装する。

これにより、基板９と、シート被覆素子４と、光反射性層７とを備える光半導体装置８が得られる。

この第３実施形態によっても、第１実施形態および第２実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

＜第４実施形態＞
第４実施形態において、上記した第１実施形態〜第３実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

シート被覆素子４は、図１０に示すように、上記した光反射性層７を備えず、光半導体素子５、蛍光体層２および低屈折率層３を備える。好ましくは、シート被覆素子４は、光半導体素子５、蛍光体層２および低屈折率層３のみからなる。

蛍光体層２は、光半導体素子５の対向面１２および側面１３を被覆するように、光半導体素子５の上側および側方に配置されている。すなわち、蛍光体層２は、光半導体素子５の電極面１１以外の５面（１つの対向面１２および４つの側面１３）を完全に被覆するように、光半導体素子５の上側および周囲に配置されている。蛍光体層２は、上下方向に投影したときに、光半導体素子５を含む。蛍光体層２は、上下方向に延び、上端部が閉塞された略四角筒形状を有する。具体的には、蛍光体層２は、光半導体素子５の上側に配置される上部１８と、光半導体素子５の側方に配置される側部１９とを一体的に備えている。

上部１８は、面方向に沿う略平板形状を有しており、厚み方向に投影したときに、蛍光体層２の外形形状をなしている。上部１８の下面の中央部は、光半導体素子５の対向面１２の全面と接触し、上部１８の周端部は、側部１９の上端部と連続している。

側部１９は、上下方向に延びる平面視略矩形枠状（略四角筒形状）を有している。側部１９は、光半導体素子５の側面１３と接触し、それを被覆するように、光半導体素子５の周囲に配置されている。すなわち、側部１９の内周面は、光半導体素子５の側面１３の全面に接触している。

低屈折率層３は、蛍光体層２の上部１８の上面（厚み方向一方面）の全面に接触している。低屈折率層３は、シート被覆素子４において、面方向に延びる略平板形状を有する。低屈折率層３の側面（側端面、周面）は、蛍光体層２の側部１９の外側面と連続している。つまり、低屈折率層３の側面は、蛍光体層２の側部１９の外側面と面一である。

このシート被覆素子４を製造するには、まず、図１１Ａに示すように、複数の光半導体素子５を面方向に間隔を隔てて整列配置する。

具体的には、光半導体素子５の電極面１１を、仮固定シート２６に仮固定（感圧接着）する。仮固定シート２６は、面方向に延びる略板形状を有し、厚み方向一方面に感圧接着層を備える。

次いで、被覆シート１を、複数の光半導体素子５および仮固定シート２６に上下方向に間隔を隔てて対向配置する。具体的には、蛍光体層２と、光半導体素子５とを対向させる。詳しくは、蛍光体層２の厚み方向他方面と、光半導体素子５の対向面１２とを上下方向に対向させる。

なお、被覆シート１において、蛍光体層２を、例えば、Ｂステージのフェニル系シリコーン樹脂を含有する蛍光体樹脂組成物から形成する。好ましくは、加熱によって、十分に軟化して変形できる熱可塑性・熱硬化性シリコーン樹脂（加熱によって保形できる熱可塑性・熱硬化性シリコーン樹脂より、柔軟な熱挙動を示す熱可塑性・熱硬化性シリコーン樹脂）を含有する蛍光体樹脂組成物から形成する。具体的には、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、例えば、５Ｐａ以上、１，０００Ｐａ以下の範囲にある蛍光体樹脂組成物から形成する。

また、蛍光体層２は、次の熱プレスによって、光半導体素子５を十分に埋設できる厚みを有する。具体的には、蛍光体層２は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、１５０μｍ以上の厚みを有する。

続いて、図１１Ｂに示すように、被覆シート１を、複数の光半導体素子５および仮固定シート２６に対して熱プレスする。

これによって、蛍光体層２が、隣接する光半導体素子５間に充填される。蛍光体層２が変形して、蛍光体層２が、光半導体素子５の側面１３および対向面１２を被覆する。蛍光体層２は、複数の光半導体素子５に対応する上記した上部１８および側部１９を有する。

続いて、蛍光体層２がＢステージである場合には、蛍光体層２を加熱によりＣステージ化する。

次いで、図１１Ｃの太い一点破線で示すように、面方向に隣接する光半導体素子５の間の蛍光体層２と、その上の低屈折率層３とを切断する。

これによって、１つの光半導体素子５、１つの蛍光体層２と、１つの低屈折率層３とを備えるシート被覆素子４が、仮固定シート２６に支持された状態で、得られる。

その後、図１１Ｃの仮想線で示すように、シート被覆素子４を、仮固定シート２６から剥離する。

これによって、１つの光半導体素子５、１つの蛍光体層２と、１つの低屈折率層３とを備えるシート被覆素子４を得る。

その後、図１１Ｄに示すように、シート被覆素子４を基板９にフリップチップ実装する。

これにより、基板９と、シート被覆素子４とを備える光半導体装置８が得られる。

この第４実施形態によっても、第１実施形態〜第３実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

＜第５実施形態＞
第５実施形態において、上記した第１実施形態〜第４実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

第５実施形態では、図１２に示すように、蛍光体層２は、鍔部２０をさらに有する。

鍔部２０は、側部１９の下端部から、面方向外側に張り出す張出部である。鍔部２０は、平面視略矩形枠形状を有する。

低屈折率層３は、蛍光体層２の上部１８、側部１９および鍔部２０に追従する形状を有する。すなわち、低屈折率層３は、蛍光体層２と実質的に同一形状を有する。低屈折率層３の周端面は、蛍光体層２の鍔部２０の周端面と面一である。

このシート被覆素子４を製造するには、図１３Ａに示すように、まず、複数の光半導体素子５を、仮固定シート２６の上面（厚み方向一方面）に、面方向に間隔を隔てて複数整列配置する。

次いで、被覆シート１を、複数の光半導体素子５および仮固定シート２６に上下方向に間隔を隔てて対向配置する。

続いて、図１３Ｂに示すように、被覆シート１を、複数の光半導体素子５および仮固定シート２６に対して熱プレスする。

熱プレスでは、上記した鍔部２０に対応する複数の凸部２７を有する型２８を用いる。具体的には、型２８を被覆シート１の上方に配置し、型２８を下方に移動させる。

凸部２７にプレスされた被覆シート１では、仮固定シート２６の上面に接触して、蛍光体層２において鍔部２０が形成されるとともに、低屈折率層３は、鍔部２０に追従する。

続いて、蛍光体層２がＢステージである場合には、蛍光体層２を加熱によりＣステージ化する。

次いで、図１３Ｃの太い一点鎖線で示すように、蛍光体層２の鍔部２０と、その上の低屈折率層３とを切断する。

これによって、１つの光半導体素子５、１つの蛍光体層２と、１つの低屈折率層３とを備えるシート被覆素子４が、仮固定シート２６に支持された状態で、得られる。

その後、図１３Ｃの仮想線で示すように、シート被覆素子４を、仮固定シート２６から剥離する。

これによって、１つの光半導体素子５、１つの蛍光体層２と、１つの低屈折率層３とを備えるシート被覆素子４を得る。

その後、図１３Ｄに示すように、シート被覆素子４を基板９にフリップチップ実装する。

これにより、基板９と、シート被覆素子４とを備える光半導体装置８が得られる。

この第５実施形態によっても、第１実施形態〜第４実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

＜第４および第５実施形態の変形例＞
この変形例において、上記した第４および第５実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

図１０に示すシート被覆素子４（第４実施形態）は、図１３Ａ〜図１３Ｄの製造方法により得られたシート被覆素子４（第５実施形態）における蛍光体層２の鍔部２０、および、それに対応し、側部１９を被覆する低屈折率層３を切断により除去することにより、製造することもできる。

＜第６実施形態＞
第６実施形態の光半導体装置８では、図１４Ｂに示すように、光半導体素子５は、基板９の端子（図示せず）に対して、ワイヤ２９を介してワイヤボンディングされている。

１．光半導体装置
この光半導体装置８は、図１４Ｂに示すように、基板９と、基板９にワイヤボンディングされる光半導体素子５と、光半導体素子５の周りに位置し、基板９の上面に設けられる光反射性層７と、光反射性層７内に充填され、光半導体素子1５を封止する蛍光体層２と、蛍光体層２の上面に位置する低屈折率層３とを備える。好ましくは、光半導体装置８は、基板９と、光半導体素子５と、光反射性層７と、蛍光体層２と、低屈折率層３とのみからなる。

光半導体素子５は、ワイヤ２９を介して、基板９と電気的に接続されている。ワイヤ２９は、線状を有し、その一端が光半導体素子５の電極面１１に位置する端子（図示せず）に電気的に接続され、他端が基板９の表面に位置する端子（図示せず）に電気的に接続されている。なお、光半導体素子５の対向面１２は、基板９の上面に接触する一方、光半導体素子５の電極面１１は、上方を向いている。

光反射性層７は、平面視において、光半導体素子５を囲む枠形状を有するハウジングである。また、光反射性層７は、下方から上方に向かって開口断面積が拡がる断面テーパ形状に形成されている。また、光反射性層７は、白色セラミックスから調製されていてもよい。

蛍光体層２は、光半導体素子５の対向面１２および側面１３を被覆して、光半導体素子５を封止している。蛍光体層２は、ワイヤ２９も封止している。蛍光体層２の上面は、光反射性層７の上面と面一である。

低屈折率層３は、蛍光体層２の上面および光反射性層７の上面の全面を被覆している。低屈折率層３は、光半導体装置８において、面方向に延びる略板形状を有する。

２．光半導体装置の製造方法
光半導体装置８を製造するには、まず、図１４Ａに示すように、基板９と、光半導体素子５と、光反射性層７とを備えるチップサイズパッケージ３０を用意する。

別途、被覆シート１を用意し、被覆シート１と、チップサイズパッケージ３０とを、上下方向に間隔を隔てて対向配置する。具体的には、蛍光体層２が光半導体素子５に向かうように、被覆シート１を配置する。

被覆シート１における蛍光体層２の上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、例えば、５Ｐａ以上、１，０００Ｐａ以下の範囲にある蛍光体樹脂組成物から形成される。

次いで、被覆シート１を上下方向に熱プレスする。

蛍光体層２がＢステージである場合には、熱プレスによって、蛍光体層２は、流動して、光反射性層７内に充填され、光半導体素子５を封止する。具体的には、蛍光体層２の周端部は、低屈折率層３の周端部の下面、および、光反射性層７の上面に熱プレスされ、光反射性層７内に流動するとともに、蛍光体層２の中央部とともに、光半導体素子５の対向面１２および側面１３を被覆する。

その後、蛍光体層２がＢステージである場合は、Ｃステージ化する。これにより、蛍光体層２が光半導体素子５およびワイヤ２９を封止する。低屈折率層３が、蛍光体層２の上面に接着される。

これにより、光半導体装置８が得られる。

３．第６実施形態の作用効果
この第６実施形態によっても、第１実施形態〜第５実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

以下に調製例、実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら調製例、実施例および比較例に限定されない。以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

調製例１
（フェニル系シリコーン樹脂の調製）
特開２０１６−０３７５６２号公報の実施例に記載の調製例１に準拠して、Ａステージのフェニル系シリコーン樹脂（Ｂステージとなることができる１段反応硬化性樹脂）を調製した。

その後、Ａステージのフェニル系シリコーン樹脂を、１００℃１時間で、反応（完全硬化、Ｃステージ化）させて、生成物を得た。

次いで、得られた生成物の^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定して、ケイ素原子に直接結合している炭化水素基におけるフェニル基が占める割合（モル％）を算出したところ、４８％であった。

また、Ｃステージのフェニル系シリコーン樹脂の屈折率を、多波長アッベ屈折率計（ＡＴＡＧＯ社製ｉＤＲ−Ｍ４）を使用し、波長５８９ｎｍにて２５℃で、測定したところ、１．５６であった。

実施例１
（１）蛍光体層の作製
調製例１のＡステージのフェニル系シリコーン樹脂１００質量部に、蛍光体（商品名「Ｙ４６８」、ＹＡＧ：Ｃｅ、平均粒子径１７μｍ、ネモト・ルミマテリアル社製）６０質量部、充填材としてのガラス粒子（屈折率１．５５、平均粒子径２０μｍ、組成および組成比率（質量％）：ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３／ＣａＯ／ＭｇＯ＝６０／２０／１５／５の無機粒子）１００質量部、および、チクソ付与粒子としての煙霧シリカ（屈折率１．４１、平均粒子径２０ｎｍ、Ｒ９７６ｓ（日本アエロジル社製）２質量部を、配合して混合することにより、蛍光体樹脂組成物を調製した。

続いて、図２に示すように、蛍光体樹脂組成物を、第１剥離シート２１（ＰＥＴフィルム、品名「ＳＥ−１」、厚み５０μｍ、フジコー社製）の表面に、加熱後の厚みが７５μｍとなるようにコンマコーターで塗布し、続いて、８０℃、１１．５分加熱（ベイク）した。これにより、Ｂステージの蛍光体層２を、第１剥離シート２１に支持された状態で、作製した。

（２）低屈折率層の作製
メチル系シリコーン樹脂（屈折率１．４１、ＫＥＲ２５００、Ｃステージにおけるケイ素原子に直接結合する炭化水素基におけるメチル基の含有割合１００モル％、信越シリコーン社製）を、低屈折率樹脂組成物（ワニス）として用意した。

続いて、図２に示すように、低屈折率樹脂組成物を、平坦な表面を有する第２剥離シート２２の表面（平坦面）に、加熱後の厚みが２０μｍとなるようにコンマコーターで塗布し、続いて、１５０℃、３時間、加熱した。これにより、Ｃステージの低屈折率層３を、第２剥離シート２２に支持された状態で、作製した。

（３）蛍光体層および低屈折率層の貼り合わせ
次いで、蛍光体層２および低屈折率層３をラミネータにより貼り合わせた。

これによって、蛍光体層２および低屈折率層３を備える被覆シート１を、第１剥離シート２１および第２剥離シート２２で挟まれた状態で、製造した。

その後、第１実施形態に記載の方法によって、図３に示すシート被覆素子４を製造し、続いて、図５Ｆに示す光半導体装置８を製造した。

実施例２〜８、および、比較例１〜７
表１〜表２に記載の処方に変更した以外は、実施例１と同様に処理して、被覆シート１を製造した。

なお、実施例３では、図１の拡大図で示すように、低屈折率層３の第２面４２を凹凸状に形成した以外は、実施例１と同様に処理して、低屈折率層３を作製した。実施例４では、低屈折率樹脂組成物に充填材をさらに配合した以外は、実施例１と同様に処理して、低屈折率層３を作製した。実施例５では、低屈折率樹脂組成物に充填材をさらに配合し、さらに、図１の拡大図で示すように、低屈折率層３の第２面４２を凹凸状に形成した以外は、実施例１と同様に処理して、低屈折率層３を作製した。

具体的には、実施例４および５では、「（２）低屈折率層の作製」においては、メチル系シリコーン樹脂（屈折率１．４１、ＫＥＲ２５００、Ｃステージにおけるケイ素原子に直接結合する炭化水素基におけるメチル基の含有割合１００モル％、信越シリコーン社製）１００質量部に、充填材としてのシリコーン系樹脂粒子（屈折率１．４２、平均粒子径２．０μｍ、トスパールＴＳ１２０、東芝シリコーン社製）４０質量部を配合して混合することにより、低屈折率樹脂組成物（ワニス）を調製した。

また、実施例３および５では、特開２００７−１１００５３号公報の実施例１の記載に準拠して、表面に凹凸形状を有する第２剥離シート２２を作製した。続いて、図２に示すように、低屈折率樹脂組成物を、第２剥離シート２２の表面（凹凸面）に、加熱後の厚みが５０μｍとなるようにコンマコーターで塗布し、続いて、１５０℃、３時間、加熱した。

なお、表１〜表２、配合処方欄の数値は、単位を特に言及しない限り、質量部数を示す。

比較例１については、特開２００５−２９４７３３号公報の実施例１の記載に準拠して、ポリカルボジイミドからなる蛍光体層２、および、エポキシ樹脂からなる低屈折率層３のそれぞれを作製した。

また、比較例５については、低屈折率層３を備えず、蛍光体層２の１層からなる被覆シート１を作製した。

評価
１．蛍光体層の動的粘弾性（貯蔵剪断弾性率Ｇ’）
実施例１および実施例８で得られたＢステージの蛍光体層２のそれぞれを、下記の条件で、動的粘弾性測定した。

［条件］
粘弾性装置：回転式レオメータ（Ｃ−ＶＯＲ装置、マルバーン社製）
サンプル形状：円板形状
サンプル寸法：厚み２２５μｍ、直径８ｍｍ
歪量：１０％
周波数：１Ｈｚ
プレート径：８ｍｍ
プレート間ギャップ：２００μｍ
昇温速度２０℃／分
温度範囲：２０〜２００℃
貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線を図１５に示す。

実施例１の貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値は、２４Ｐａであった。

実施例８の貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値は、２，０００Ｐａであった。

２．高温高湿信頼性
シート被覆素子４を８５℃／８５％ＲＨの高温高湿連続点灯（０．７７Ａ／ｍｍ^２）試験に投入し、初期と１０００時間経過後との全光束変化を評価し、下の基準で評価した。その結果を表１および表２に記載する。
○：１０００時間経過後の全光束の、初期の全光束に対する比率が、９０％以上であった。
×：１０００時間経過後の全光束の、初期の全光束に対する比率が、９０％未満であった。

３．全光束
光半導体装置８の発光効率をＬＥＤ−Ｄｉｅ−Ｐｒｏｂｅｒ（旺■科技股■有限公司ＭＰＩ社製：ＬＥＤＡ−ＡＳ ＤＰ７６ ＬＥＤ）により測定し、下の基準で評価した。その結果を表１および表２に記載する。
◎：発光効率が１５０ｌｍ／Ｗ以上
○：発光効率が１４９ｌｍ／Ｗ以上、１５０ｌｍ／Ｗ未満
△：発光効率が１４８ｌｍ／Ｗ以上、１４９ｌｍ／Ｗ未満
×：発光効率が１４８未満ｌｍ／Ｗ
４．寸法（薄型化）
シート被覆素子４の厚みを測定し、下の基準で評価した。その結果を表１および表２に記載する。
○：厚みが５００μｍ以下であった。
△：厚みが５００μｍ超過であった。

５．封止性
（１）圧縮弾性率
被覆シート１の２５℃における圧縮弾性率を、精密荷重測定機 （ＭＯＤＥＬ−１６０５ＶＣＬ：ＡＩＫＯＨ社製）により測定し、下の基準で評価した。
○：１０ＭＰａ未満
△：１０ＭＰａ以上、８０ＭＰａ以下
×：８０ＭＰａ超過
（２）光半導体素子５への封止性
各実施例および各比較例におけるシート被覆素子４を用いて、図３、図６、図８、図１０、図１２に示す光半導体素子４、および、図１４Ｂに示す光半導体装置８のそれぞれの作製を試みた。

下の基準で評価した。その結果を表１および表２に記載する。
○：シート被覆素子４または光半導体装置８を作製できた。
×：シート被覆素子４または光半導体装置８を作製できなかった。

１ 被覆シート
２ 蛍光体層
３ 低屈折率層
４ シート被覆素子
５ 光半導体素子
７ 光反射性層
８ 光半導体装置
９ 基板
４１ 第１面
４２ 第２面
Ｔ 低屈折率層の厚み

Claims (9)

1. 光半導体素子を被覆するための被覆層と、
   前記被覆層に対して前記光半導体素子の反対側に配置され、前記被覆層の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層と
   を厚み方向に順に備え、
   前記被覆層は、フェニル系シリコーン樹脂を含有し、
   前記低屈折率層は、１０μｍを超過する厚みを有し、メチル系シリコーン樹脂を含有することを特徴とする、被覆シート。
2. 前記低屈折率層は、１００μｍ以下の厚みを有することを特徴とする、請求項１に記載の被覆シート。
3. 前記メチル系シリコーン樹脂が、Ｃステージであることを特徴とする、請求項１または２に記載の被覆シート。
4. 前記低屈折率層の厚み方向における少なくとも一方面は、凹凸形状を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の被覆シート。
5. 前記フェニル系シリコーン樹脂が、Ｂステージであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の被覆シート。
6. 前記被覆層を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、極小値を有し、
   前記極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、
   前記極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にあることを特徴とする、請求項５に記載の被覆シート。
7. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の被覆シートと、
   前記被覆シートの前記被覆層によって被覆される光半導体素子と
   を有することを特徴とする、シート被覆素子。
8. 厚み方向から見たときに、前記光半導体素子の側方に配置される光反射層をさらに備えることを特徴とする、請求項７に記載のシート被覆素子。
9. 請求項７または８に記載のシート被覆素子と、
   前記シート被覆素子の前記光半導体素子が実装される基板と
   を備えることを特徴とする、光半導体装置。

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