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CN110349997A - 有机发光二极管显示器 - Google Patents

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CN110349997A
CN110349997A CN201910265312.8A CN201910265312A CN110349997A CN 110349997 A CN110349997 A CN 110349997A CN 201910265312 A CN201910265312 A CN 201910265312A CN 110349997 A CN110349997 A CN 110349997A
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semiconductor layer
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：柔性基底；半导体层，位于柔性基底上；以及叠置层。晶体管包括：驱动晶体管；第二晶体管，向驱动晶体管的输入电极传输通过数据线传输的数据电压；以及第三晶体管，包括连接到扫描线的栅电极、连接到驱动晶体管的输出电极的第一电极以及连接到驱动晶体管的栅电极的第二电极。第三晶体管包括彼此串联连接并且在第三节点处彼此连接的两个晶体管，第三节点形成在半导体层中，附加电容部分形成在半导体层中并且在第三节点附近，叠置层与半导体层的第三节点和附加电容部分叠置。

Description

有机发光二极管显示器
于2018年4月3日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0038782号且命名为“有机发光二极管显示器”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
实施例涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器。
背景技术
显示装置显示图像，显示装置之中的有机发光二极管显示器已经备受关注。
与液晶显示(LCD)装置不同，有机发光二极管显示器具有自发光特性，并且不需要单独的光源，因此可以具有减小的厚度和重量。此外，有机发光二极管显示器可以提供低功耗、高亮度和高反应速度的高质量特性。
在该背景技术部分中公开的上面的信息仅用于增强对背景的理解，因此上面的信息会包含不构成对本领域普通技术人员来说在本国中已知的现有技术的信息。
发明内容
实施例涉及有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：柔性基底；半导体层，位于柔性基底上，半导体层包括晶体管的沟道、第一电极和第二电极；以及叠置层。晶体管可以包括：驱动晶体管，被构造为向有机发光元件施加电流；第二晶体管，连接到扫描线和数据线，第二晶体管向驱动晶体管的输入电极传输通过数据线传输的数据电压；以及第三晶体管，包括连接到扫描线的栅电极、连接到驱动晶体管的输出电极的第一电极以及连接到驱动晶体管的栅电极的第二电极。第三晶体管可以包括彼此串联连接并且在第三节点处彼此连接的两个晶体管，第三节点可以形成在半导体层中，附加电容部分可以形成在半导体层中并且在第三节点附近，叠置层可以与半导体层的第三节点和附加电容部分叠置。
半导体层可以在第一方向上延伸并且位于第三晶体管内，可以在第二方向上弯曲，然后可以在第二方向上延伸，其中，第二方向与第一方向交叉。
第三节点可以设置在半导体层的弯曲部分处。
附加电容部分可以是半导体层的在弯曲部分处在向上方向上突出的部分。
附加电容部分可以是半导体层的在弯曲部分处在第一方向上突出的部分。
附加电容部分可以是半导体层的在弯曲部分处在第一方向和向上方向上突出的部分。
附加电容部分可以与半导体层在弯曲部分处间隔开预定距离。
叠置层可以在剖视图中设置在柔性基底与半导体层之间。
叠置层可以浮置。
叠置层可以施加有驱动电压ELVDD。
有机发光二极管显示器还可以包括：阻挡层，位于柔性基底上方并且位于叠置层下方；缓冲层，位于叠置层上方并且位于半导体层下方；第一栅极绝缘层，覆盖半导体层；第一栅极导体，位于第一栅极绝缘层上；第二栅极绝缘层，覆盖第一栅极导体和第一栅极绝缘层；第二栅极导体，位于第二栅极绝缘层上；层间绝缘层，覆盖第二栅极导体和第二栅极绝缘层；数据导体，位于层间绝缘层上；以及钝化层，覆盖数据导体和层间绝缘层。数据导体可以包括施加驱动电压ELVDD的驱动电压线，驱动电压线和第二栅极导体可以通过层间绝缘层中的开口彼此电连接，并且第二栅极导体可以通过缓冲层、第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层中的开口电连接到叠置层。
第二栅极导体可以是寄生电容器控制图案。
数据导体可以是连接构件。
叠置层可以在剖视图中设置在半导体层上方。
有机发光二极管显示器还可以包括：阻挡层，位于柔性基底上方并且位于叠置层下方；缓冲层，位于叠置层上方并且位于半导体层下方；第一栅极绝缘层，覆盖半导体层；第一栅极导体，位于第一栅极绝缘层上；第二栅极绝缘层，覆盖第一栅极导体和第一栅极绝缘层；第二栅极导体，位于第二栅极绝缘层上；层间绝缘层，覆盖第二栅极导体和第二栅极绝缘层；数据导体，位于层间绝缘层上；以及钝化层，覆盖数据导体和层间绝缘层。叠置层可以与第一栅极导体或第二栅极导体位于同一层上。
数据导体可以包括施加驱动电压ELVDD的驱动电压线，驱动电压线和叠置层可以通过层间绝缘层中的开口彼此电连接。
叠置层可以与寄生电容器控制图案一体地形成，寄生电容器控制图案可以是第二栅极导体。
实施例也涉及一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：柔性基底；半导体层，位于柔性基底上，半导体层包括晶体管的沟道、第一电极和第二电极；叠置层，位于半导体层和柔性基底之间；以及寄生电容器控制图案，设置为比半导体层距柔性基底远。晶体管可以包括：驱动晶体管，被构造为向有机发光二极管施加电流；第二晶体管，连接到扫描线和数据线，第二晶体管向驱动晶体管的输入电极传输通过数据线传输的数据电压；以及第三晶体管，包括连接到扫描线的栅电极、连接到驱动晶体管的输出电极的第一电极以及连接到驱动晶体管的栅电极的第二电极。第三晶体管可以包括彼此串联连接并且在第三节点处彼此连接的两个晶体管，第三节点可以形成在半导体层中，叠置层、寄生电容器控制图案和半导体层的第三节点可以顺序地叠置。
寄生电容器控制图案可以施加有驱动电压ELVDD。
附加电容部分可以在第三节点附近形成在半导体层中，叠置层可以与半导体层的第三节点和附加电容部分叠置。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例实施例，特征对于本领域技术人员而言将变得清楚，在附图中：
图1示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素的等效电路图；
图2示出根据示例实施例的施加到有机发光二极管显示器的一个像素的信号的时序图；
图3示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；
图4示出图3的像素的一部分的放大图；
图5示出沿图4的线V-V截取的剖视图；
图6示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；
图7示出图6的像素的一部分的放大图；
图8示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；
图9示出图8的像素的一部分的放大图；
图10示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；
图11示出图10的像素的一部分的放大图；
图12示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；
图13示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素的等效电路图；
图14示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；
图15示出沿图14的线XV-XV截取的剖视图；
图16示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；
图17示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；
图18示出沿图17的线XVIII-XVIII截取的剖视图；
图19示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；
图20示出沿图19的线XX-XX截取的剖视图；
图21示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图；
图22示出图13的电路图的一部分；以及
图23示出亮度降低的实验结果。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，这些示例实施例可以以不同的形式实现，并且不应该被理解为受限于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将向本领域的技术人员充分地传达示例实施方式。同样的附图标记始终指同样的元件。
为了清楚地描述本公开，可以省略与描述无关的部分。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。此外，在说明书中，词语“在......上”或“在...上方”意味着设置在对象部分上或下方，并且不一定意味着基于重力方向设置在对象部分的上侧上。
另外，除非明确地描述为相反，否则词语“包括”以及诸如“具有”或“包含”的变型将被理解为暗示包括所陈述的元件，但不排除任何其它元件。
此外，贯穿说明书，短语“在平面上”意味着从顶部观察目标部分，短语“在剖面上”意味着从侧部观察通过竖直切割目标部分而形成的剖面。
在下文中，将参照图1和图2描述根据示例实施例的有机发光二极管显示器。
图1示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素的等效电路图，图2示出根据示例实施例的施加到有机发光二极管显示器的一个像素的信号的时序图。
根据本示例实施例，参照图1，有机发光二极管显示器的像素PX包括连接到若干条信号线127、151、152、153、158、171、172和741的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst以及有机发光二极管OLED。
第三晶体管T3和第四晶体管T4中的每个被示出为包括彼此串联连接的两个晶体管的结构。包括彼此串联连接的两个晶体管的结构意味着两个晶体管T3-1和T3-2的栅电极彼此连接以接收相同的信号的结构，并且一个晶体管的输出信号作为输入信号施加到另一晶体管。
根据本示例实施例，第三晶体管T3形成为具有3-1晶体管T3-1和3-2晶体管T3-2彼此串联连接的结构。3-1晶体管T3-1的栅电极G3-1和3-2晶体管T3-2的栅电极G3-2彼此连接，并且3-1晶体管T3-1的第一电极S3-1和3-2晶体管T3-2的第二电极D3-2也彼此连接。第四晶体管T4也形成为具有两个晶体管彼此串联连接的结构，但是在一些示例实施例中，它可以形成为单个晶体管。
另外，作为一个示例，在图1中示出的像素PX中还包括叠置层M1。叠置层M1与节点(下文中，被称为“第三节点”)N3叠置，在该处第三晶体管T3的3-1晶体管T3-1的第一电极S3-1与第三晶体管T3的3-2晶体管T3-2的第二电极D3-2彼此连接。
叠置层M1可以相对于基底设置在与基底叠置的第三节点N3上方或下方。
根据本示例实施例，可以不向叠置层M1施加单独的电压。因此，叠置层M1可以处于浮置状态。在另一示例实施例中，叠置层M1可以电连接到另一部分以接收电压，并且可施加到叠置层M1的电压可以改变。下面将参照图13描述电压施加到其的叠置层M1。
根据本示例实施例，附加电容形成在第三节点N3与叠置层M1之间，附加电容用于缓冲第三节点N3处的电压改变。
根据本示例实施例，多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7包括驱动晶体管T1、作为与扫描线151连接的开关晶体管的第二晶体管T2和第三晶体管T3、以及用于操作有机发光二极管OLED的其余晶体管T4、T5、T6和T7(在下文中被称为补偿晶体管)。补偿晶体管T4、T5、T6和T7可以包括第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。
多条信号线127、151、152、153、158、171、172和741可以包括扫描线151、前扫描线152、发光控制线153、旁路控制线158、数据线171、驱动电压线172、初始化电压线127和公共电压线741。旁路控制线158可以是前扫描线152的一部分或者可以电连接到前扫描线152。
根据本示例实施例，扫描线151连接到栅极驱动器，以向开关晶体管(即，向第二晶体管T2和第三晶体管T3)传输扫描信号Sn。前扫描线152连接到栅极驱动器，以向第四晶体管T4传输前扫描信号Sn-1，前扫描信号Sn-1施加到设置在其前侧处的像素PX。第四晶体管T4可以包括彼此串联连接的两个晶体管。因此，前扫描信号Sn-1可以施加到包括在第四晶体管T4中的彼此串联连接的两个晶体管中的每个晶体管的栅电极。发光控制线153连接到发光控制器，并且向第五晶体管T5和第六晶体管T6传输用于控制有机发光二极管OLED发光的时间的发光控制信号EM。旁路控制线158向第七晶体管T7传输旁路信号GB，在一些示例实施例中，旁路控制线158可以向第七晶体管T7传输与前扫描信号Sn-1相同的信号。
根据本示例实施例，数据线171是用于传输由数据驱动器产生的数据电压Dm的布线，有机发光二极管(OLED；也被称为“有机发光元件”)的发光亮度根据数据电压Dm改变。驱动电压线172施加驱动电压ELVDD，初始化电压线127传输用于使驱动晶体管T1初始化的初始化电压Vint，公共电压线741施加公共电压ELVSS。可以向驱动电压线172、初始化电压线127和公共电压线741中的每个施加恒定电压。
在下文中，将描述多个晶体管。
根据本示例实施例，驱动晶体管T1是根据所施加的数据电压Dm调整电流输出的晶体管，输出驱动电流Id施加到有机发光二极管OLED。因此，根据数据电压Dm调整有机发光二极管OLED的亮度。在实施方式中，驱动晶体管T1的第一电极S1被设置为能够接收驱动电压ELVDD，并且经由第五晶体管T5连接到驱动电压线172。在本示例实施例中，驱动晶体管T1的第一电极S1连接到第二晶体管T2的第二电极D2，以接收数据电压Dm。第二电极D1(输出侧电极)被设置为能够向有机发光二极管OLED输出电流，并且经由第六晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的阳极。栅电极G1连接到存储电容器Cst的一个电极(第二存储电极E2)。因此，栅电极G1的电压根据存储电容器Cst中存储的电压而变化，从而改变从驱动晶体管T1输出的驱动电流Id。
根据本示例实施例，第二晶体管T2是用于向像素PX传输数据电压Dm的晶体管。栅电极G2连接到扫描线151，第一电极S2连接到数据线171。第二晶体管T2的第二电极D2连接到驱动晶体管T1的第一电极S1。当第二晶体管T2根据通过扫描线151传输的扫描信号Sn而导通时，通过数据线171传输的数据电压Dm传输到驱动晶体管T1的第一电极S1。
根据本示例实施例，第三晶体管T3是用于向存储电容器Cst的第二存储电极E2传输补偿电压(电压Dm+Vth)的晶体管，补偿电压在数据电压Dm经过驱动晶体管T1时改变。第三晶体管T3包括彼此串联连接的3-1晶体管T3-1和3-2晶体管T3-2。3-1晶体管T3-1的栅电极G3-1和3-2晶体管T3-2的栅电极G3-2连接到扫描线151。3-2晶体管T3-2的第一电极S3-2连接到驱动晶体管T1的第二电极D1，3-1晶体管T3-1的第二电极D3-1连接到存储电容器Cst的第二存储电极E2和驱动晶体管T1的栅电极G1。在本示例实施例中，3-1晶体管T3-1的第一电极S3-1和3-2晶体管T3-2的第二电极D3-2在第三节点N3处彼此连接。当第三晶体管T3被描述为一个晶体管时，3-2晶体管T3-2的第一电极S3-2是第三晶体管T3的第一电极，3-1晶体管T3-1的第二电极D3-1是第三晶体管T3的第二电极。第三晶体管T3响应于通过扫描线151接收的扫描信号Sn而导通，以使驱动晶体管T1的栅电极G1和第二电极D1连接，并且使驱动晶体管T1的第二电极D1和存储电容器Cst的第二存储电极E2连接。
根据本示例实施例，第四晶体管T4用于使驱动晶体管T1的栅电极G1和存储电容器Cst的第二存储电极E2初始化。栅电极G4连接到前扫描线152，第一电极S4连接到初始化电压线127。第四晶体管T4的第二电极D4连接到存储电容器Cst的第二存储电极E2和驱动晶体管T1的栅电极G1。第四晶体管T4还包括彼此串联连接的两个晶体管。第四晶体管T4根据通过前扫描线152接收的前扫描信号Sn-1向驱动晶体管T1的栅电极G1和存储电容器Cst的第二存储电极E2传输初始化电压Vint。因此，使驱动晶体管T1的栅电极G1的栅极电压和存储电容器Cst初始化。初始化电压Vint可以是可使驱动晶体管T1导通的低电压。
根据本示例实施例，第五晶体管T5用于向驱动晶体管T1传输驱动电压ELVDD。栅电极G5连接到发光控制线153，第一电极S5连接到驱动电压线172。第五晶体管T5的第二电极D5连接到驱动晶体管T1的第一电极S1。
根据本示例实施例，第六晶体管T6用于向有机发光二极管OLED传输从驱动晶体管T1输出的驱动电流Id。栅电极G6连接到发光控制线153，第一电极S6连接到驱动晶体管T1的第二电极D1。第六晶体管T6的第二电极D6连接到有机发光二极管OLED的阳极。
根据本示例实施例，第五晶体管T5和第六晶体管T6通过经由发光控制线153接收的发光控制信号EM同时导通，并且当驱动电压ELVDD通过第五晶体管T5施加到驱动晶体管T1的第一电极S1时，驱动晶体管T1根据驱动晶体管T1的栅电极G1的电压(即，存储电容器Cst的第二存储电极E2的电压)输出驱动电流Id。输出的驱动电流Id通过第六晶体管T6传输到有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED在电流Ioled流过其时发射光。
根据本示例实施例，第七晶体管T7用于使有机发光二极管OLED的阳极初始化。栅电极G7连接到旁路控制线158，第一电极S7连接到有机发光二极管OLED的阳极，第二电极D7连接到初始化电压线127。旁路控制线158可以连接到前扫描线152，旁路信号GB是与前扫描信号Sn-1相同时序的信号。旁路控制线158可以不连接到前扫描线152，并且可以传输与前扫描信号Sn-1不同的单独的信号。当第七晶体管T7通过旁路信号GB导通时，初始化电压Vint施加到有机发光二极管OLED的阳极以使有机发光二极管OLED的阳极初始化。
根据本示例实施例，存储电容器Cst的第一存储电极E1连接到驱动电压线172，第二存储电极E2连接到驱动晶体管T1的栅电极G1、第三晶体管T3的第二电极D3以及第四晶体管T4的第二电极D4。因此，第二存储电极E2可以确定驱动晶体管T1的栅电极G1的电压，并且可以通过第三晶体管T3的第二电极D3接收数据电压Dm，或者通过第四晶体管T4的第二电极D4接收初始化电压Vint。
在图1的本示例实施例中，在第三晶体管T3中由第三节点N3和叠置层M1形成附加存储电容器。因此，可以减小第三节点N3处的信号改变，从而整体上改善第三晶体管T3的特性。
根据本示例实施例，有机发光二极管OLED的阳极连接到第六晶体管T6的第二电极D6和第七晶体管T7的第一电极S7，有机发光二极管OLED的阴极连接到用于传输公共电压ELVSS的公共电压线741。
在图1的本示例实施例中，像素电路包括七个晶体管(T1至T7)和一个电容器Cst，但是可以不同地改变晶体管的数量和电容器的数量以及晶体管与电容器之间的连接。
有机发光二极管显示器可以包括显示图像的显示区域，像素PX可以以各种形式(诸如矩阵)排列在显示区域中。
现在将参照图1和图2描述根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素的操作。
在初始化时段期间，低电平的前扫描信号Sn-1通过前扫描线152供应到像素PX。施加有低电平的前扫描信号Sn-1的第四晶体管T4的导电性增大，使得初始化电压Vint通过第四晶体管T4施加到驱动晶体管T1的栅电极G1和存储电容器Cst的第二存储电极E2。因此，使驱动晶体管T1和存储电容器Cst初始化。初始化电压Vint的电压低，使得驱动晶体管T1可以导通。
另外，在初始化时段期间，低电平的旁路信号GB施加到第七晶体管T7。施加有低电平的旁路信号GB的第七晶体管T7导通，使得初始化电压Vint通过第七晶体管T7施加到有机发光二极管OLED的阳极。因此，有机发光二极管OLED的阳极也被初始化。
此后，在数据写入时段期间，低电平的扫描信号Sn通过扫描线151供应到像素PX。第二晶体管T2和第三晶体管T3通过低电平的扫描信号Sn导通。
当第二晶体管T2导通时，数据电压Dm通过第二晶体管T2输入到驱动晶体管T1的第一电极S1。
另外，在数据写入时段期间，第三晶体管T3导通，使得驱动晶体管T1的第二电极D1电连接到栅电极G1和存储电容器Cst的第二存储电极E2。驱动晶体管T1的栅电极G1和第二电极D1二极管连接。此外，在初始化时段期间，低电压(初始化电压Vint)施加到栅电极G1。因此，驱动晶体管T1处于导通状态。因此，输入到驱动晶体管T1的第一电极S1的数据电压Dm通过驱动晶体管T1的沟道从第二电极D1输出，然后通过第三晶体管T3存储在存储电容器Cst的第二存储电极E2中。
施加到第二存储电极E2的电压根据驱动晶体管T1的阈值电压Vth而改变，数据电压Dm施加到驱动晶体管T1的第一电极S1，并且当初始化电压Vint施加到驱动晶体管T1的栅电极G1时，第二电极D1中输出的电压可以是“Vgs+Vth”。这里，Vgs是施加到驱动晶体管T1的栅电极G1与第一电极S1的电压之间的差，因此它可以是“Dm-Vint”。因此，从第二电极D1输出并存储在第二存储电极E2中的电压可以是“Dm-Vint+Vth”。
与第三晶体管T3形成在诸如玻璃的刚性基底上的情况相比，第三晶体管T3的反冲电压(kickback voltage)在第三晶体管T3形成在柔性基底上的情况下增大。当显示黑色时，反冲电压的增大是显著的，当交替地显示白色和黑色时，残留灰色余像。当白色和黑色像棋盘或棋盘图案一样交替地显示时，残留灰色余像，这被称为象棋余像。这可以通过降低第三晶体管T3的反冲电压来避免。在本示例性实施例中，形成连接到第三晶体管T3的附加存储电容器，因此包括与第三节点N3叠置的叠置层M1。
在发光时段期间，从发光控制线153供应的发光控制信号EM为低电平，第五晶体管T5和第六晶体管T6导通。因此，驱动电压ELVDD施加到驱动晶体管T1的第一电极S1，并且驱动晶体管T1的第二电极D1连接到有机发光二极管OLED。驱动晶体管T1根据栅电极G1的电压与第一电极S1的电压(即，驱动电压ELVDD)之间的差输出驱动电流Id。驱动晶体管T1的驱动电流Id可以具有与“Vgs-Vth”的平方值成比例的值。这里，Vgs是施加到存储电容器Cst的两个端子的电压之间的差，并且由于Vgs是“Vg–Vs”，所以它可以是“Dm-Vint+Vth-ELVDD”。这里，当通过减去Vth获得“Vgs-Vth”时，它是“Dm-Vint-ELVDD”。因此，驱动晶体管T1的驱动电流Id可以是与驱动晶体管T1的阈值电压Vth无关的电流。
如上所述，即使设置在各个像素PX中的驱动晶体管T1由于工艺分散(processdispersion)而具有不同的阈值电压Vth，示例实施例也可以将驱动晶体管T1的输出电流输出为恒定，从而改善各个像素PX中的驱动晶体管T1的不均匀的特性。
在上面的计算公式中，当晶体管是使用多晶半导体的p型晶体管时，Vth可以是略大于0的值或负值。另外，“+”和“-”的符号可以根据计算电压的方向而改变。然而，即使在这种情况下，作为驱动晶体管T1的输出电流的驱动电流Id也可以具有与阈值电压Vth无关的值。
当上述发光时段结束时，可以从初始化时段重复相同的操作。
依据施加电压或电流的方向，多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的每个的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极而另一个可以是漏电极。
在示例实施例中，当第七晶体管T7在初始化时段使有机发光二极管OLED的阳极初始化时，通过使在驱动晶体管T1实际上不导通的条件下发射的少量电流作为旁路电流Ibp通过第七晶体管T7放电到初始化电压Vint的端子，它甚至可以防止所述少量电流流向有机发光二极管OLED。因此，可以防止有机发光二极管OLED发射不需要的光，从而可以更清楚地显示黑色渐变并且可以提高对比度。旁路信号GB可以是具有与前扫描信号Sn-1的时序不同的时序的信号。在示例实施例中，可以省略第七晶体管T7。
在如上所述操作的像素PX中，叠置层M1可以不操作并且可以保持处于浮置状态。然而，通过叠置层M1在第三晶体管T3与第三节点N3之间形成附加存储电容器，以稳定第三节点N3处的电压变化。因此，可以能够防止余像残留。在本示例实施例中，叠置层M1与第三晶体管T3叠置并且设置在基底与第三晶体管T3之间。因此，当制造第三晶体管T3时，第三晶体管T3可以通过防止杂质来自由塑料或聚酰亚胺(PI)制成的柔性基底而具有期望的特性。
在下文中，将参照图3至图5描述根据示例实施例的有机发光二极管显示器的像素PX和叠置层M1的设置。
图3示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图，图4示出图3的像素的一部分的放大图，图5示出沿图4的线V-V截取的剖视图。
参照图3至图5，根据本示例实施例的有机发光二极管显示器包括主要在第一方向上延伸并且分别传输扫描信号Sn、前扫描信号Sn-1、发光控制信号EM和初始化电压Vint的扫描线151、前扫描线152、发光控制线153和初始化电压线127。旁路信号GB通过前扫描线152传输。有机发光二极管显示器包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸并分别传输数据电压Dm和驱动电压ELVDD的数据线171和驱动电压线172。
根据本示例实施例，有机发光二极管显示器包括驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、存储电容器Cst以及有机发光二极管OLED。叠置层M1与第三晶体管T3的3-1晶体管T3-1和3-2晶体管T3-2连接处的部分(第三节点N3)叠置，从而形成附加存储电容器。
叠置层M1可以由具有导电特性的金属或对应于所述金属的半导体材料形成。根据图3的本示例实施例的叠置层M1设置在基底110(可以是柔性的并且可以由塑料或聚酰亚胺(PI)形成)与半导体层之间。在本示例实施例中，叠置层M1在平面图中与第三晶体管T3中的两个晶体管T3-1和T3-2连接处的第三节点N3叠置，并且可以与两个晶体管T3-1和T3-2的其它部分中的至少一些叠置。叠置层M1处于浮置状态并且不与其它部分电连接。在图3中，为了清楚地示出叠置层M1，叠置层M1由比其它部分粗的线表示。
与叠置层M1叠置的两个晶体管T3-1和T3-2连接处的部分设置在半导体层上，半导体层还包括附加电容部分。将参照图4和图5描述附加电容部分。
图4仅示出第三晶体管T3的外围结构的放大图，示出了围绕第三晶体管T3的扫描线151、叠置层M1和半导体层ACTIVE，图5示出了沿图4的线V-V截取的剖视图。
扫描线151在第一方向上延伸，3-1晶体管T3-1的栅电极G3-1向上突出。另外，扫描线151与半导体层ACTIVE叠置的部分是3-2晶体管T3-2的栅电极G3-2，并且与3-1晶体管T3-1的栅电极G3-1不同，3-2晶体管T3-2的栅电极G3-2不是突出结构，而是扫描线151的在第一方向上延伸的部分。
围绕第三晶体管T3设置的半导体层ACTIVE在第一方向上延伸，经过3-1晶体管T3-1的栅电极G3-1，在第二方向上弯曲，然后向下延伸。半导体层ACTIVE在第二方向上弯曲的部分处具有向上突出的结构(附加电容部分)。因此，半导体层ACTIVE弯曲处的部分和附加电容部分在第二方向上的宽度之和大于在第一方向上延伸的半导体层ACTIVE在第二方向上的宽度(见图4中的箭头)。半导体层ACTIVE弯曲处的部分对应于3-1晶体管T3-1和3-2晶体管T3-2连接到的第三节点N3。因此，附加电容部分设置在第三节点N3附近。
根据本示例实施例，半导体层ACTIVE弯曲处的部分(和附加电容部分)与叠置层M1叠置以形成附加存储电容器。在本示例实施例中，叠置层M1形成为足够大以在平面图中与半导体层ACTIVE弯曲处的部分(和附加电容部分)完全叠置。在图3至图5的本示例实施例中，通过使用叠置层M1形成附加存储电容器，但是为了增加附加存储电容器的电容，对于半导体层ACTIVE而言，添加突出结构。因此，叠置层M1与半导体层ACTIVE(包括附加电容部分)叠置的区域增大，因此附加存储电容器的电容增大。
在图3至图5的本示例实施例中，叠置层M1设置在半导体层ACTIVE与基底110之间，叠置层M1可以由具有导电性的金属或对应于所述金属的半导体材料形成。
返回参照图3，有机发光二极管OLED包括像素电极、有机发射层和公共电极。
根据本示例实施例，驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的每个的沟道设置在延长的半导体层130(也可以用标号“ACTIVE”表示)中。另外，多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的第一电极和第二电极中的至少一些也设置在半导体层130中。通过在图3中向半导体层130添加阴影，使半导体层130示出为容易与其它层区分开。与图3中所示的结构不同，半导体层130可以各种弯曲。半导体层130可以包括诸如多晶硅的多晶半导体或者氧化物半导体。
根据本示例实施例，半导体层130包括掺杂有n型杂质或p型杂质的沟道，设置在沟道的相对侧处的第一掺杂区域和第二掺杂区域具有比沟道中掺杂的杂质的浓度高的掺杂浓度。第一掺杂区域和第二掺杂区域分别对应于多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的第一电极和第二电极，并且当第一掺杂区域和第二掺杂区域中的一个为源区时，另一个为漏区。在半导体层130中，分别来自两个不同的晶体管的第一电极与第二电极之间的区域也被掺杂，使得所述两个不同的晶体管可以彼此电连接。
根据本示例实施例，多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的沟道中的每个与晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的每个晶体管的栅电极叠置，并且设置在晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的每个晶体管的第一电极与第二电极之间。多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以具有基本相同的堆叠结构。在下文中，将主要详细地描述驱动晶体管T1，并且将简略地描述其它晶体管T2、T3、T4、T5、T6和T7。
根据本示例实施例，驱动晶体管T1包括沟道、栅电极155、第一电极S1和第二电极D1。驱动晶体管T1的沟道位于第一电极S1与第二电极D1之间，并且在平面图中与栅电极155叠置。沟道是弯曲的，以便在有限的区域中形成长的沟道。施加到驱动晶体管T1的栅电极155的栅极电压Vg的驱动范围随着沟道的长度增大而加宽，驱动电流Id根据栅极电压Vg稳定地增大。因此，从有机发光二极管OLED发射的光的灰度可以通过改变栅极电压Vg得到精确地控制，有机发光二极管显示器的显示质量也可以得到改善。在本示例实施例中，沟道在若干方向上延伸而不是在一个方向上延伸。因此，由于方向性引起的效果在制造工艺中被抵消，这可以帮助减小工艺分散的效果。因此，可以能够减小或防止诸如点缺陷(例如，即使施加相同的数据电压Dm，也依据像素出现亮度差)的图像质量的劣化(会由于驱动晶体管T1的特性因工艺分散根据显示装置的区域改变而出现)。沟道的形状可以具有示出的Ω形状或各种形状。
根据本示例实施例，栅电极155在平面图中与沟道叠置。第一电极S1和第二电极D1设置在沟道的相对侧处。存储线126的延伸部分是分离的且设置在栅电极155上。存储线126的延伸部分在平面图中与栅电极155叠置，并且第二栅极绝缘层设置在存储线126的延伸部分与栅电极155之间，以形成存储电容器Cst。存储线126的延伸部分是存储电容器Cst的第一存储电极(图1的E1)，栅电极155是第二存储电极(图1的E2)。存储线126的延伸部分设置有开口56，使得栅电极155可以连接到第一数据连接构件71。在开口56中，栅电极155的上表面和第一数据连接构件71通过开口61电连接。第一数据连接构件71连接到第三晶体管T3的第二电极D3，以使驱动晶体管T1的栅电极155和第三晶体管T3的第二电极D3连接。
第二晶体管T2的栅电极可以是扫描线151的一部分。根据本示例实施例，数据线171通过开口62连接到第二晶体管T2的第一电极S2，第一电极S2和第二电极D2可以设置在半导体层130上。
根据本示例实施例，第三晶体管T3由相邻且彼此串联连接的两个晶体管T3-1和T3-2形成。第三晶体管T3可以串联连接以阻止漏电流流过。参照一个第三晶体管T3描述两个晶体管串联连接的结构，第三晶体管T3的第一电极S3(对应于3-2晶体管T3-2的第一电极S3-2)连接到第六晶体管T6的第一电极S6和驱动晶体管T1的第二电极D1。在本示例实施例中，第三晶体管T3的第二电极D3(对应于3-1晶体管T3-1的第二电极D3-1)通过开口63连接到第一数据连接构件71。
根据本示例实施例，第四晶体管T4也包括彼此串联连接的两个第四晶体管T4，两个第四晶体管T4形成在前扫描线152和半导体层130相交处的部分处。第四晶体管T4的栅电极G4可以是前扫描线152的一部分。一个第四晶体管T4的第二电极D4连接到第三晶体管T3的第二电极D3。如上所述，串联连接结构可以用于阻挡漏电流。第二数据连接构件72通过开口65连接到第四晶体管T4的第一电极S4，第一数据连接构件71通过开口63连接到第四晶体管T4的第二电极D4。
第五晶体管T5的栅电极G5可以是发光控制线153的一部分。根据本示例实施例，驱动电压线172通过开口67连接到第五晶体管T5的第一电极S5，第二电极D5通过半导体层130连接到驱动晶体管T1的第一电极S1。
第六晶体管T6的栅电极G6可以是发光控制线153的一部分。根据本示例实施例，第三数据连接构件73通过开口69连接到第六晶体管T6的第二电极D6，第一电极S6通过半导体层130连接到驱动晶体管T1的第二电极D1。
第七晶体管T7的栅电极G7可以是前扫描线152的一部分。根据本示例实施例，第三数据连接构件73通过开口81连接到第七晶体管T7的第一电极S7，第二电极D7连接到第四晶体管T4的第一电极S4。
根据本示例实施例，存储电容器Cst包括彼此叠置的第一存储电极E1和第二存储电极E2，并且第二栅极绝缘层142在第一存储电极E1与第二存储电极E2之间。第二存储电极E2对应于驱动晶体管T1的栅电极155，第一存储电极E1可以是存储线126的延伸部分。根据本示例实施例，第二栅极绝缘层142(见图5)变为电介质，并且通过存储电容器Cst中存储的电荷以及第一存储电极E1与第二存储电极E2之间的电压来确定电容。通过使用栅电极155作为第二存储电极E2，可以在由于驱动晶体管T1的沟道占据像素PX中的大面积而变窄的空间中形成用于存储电容器Cst的空间。
根据本示例实施例，驱动电压线172通过开口68连接到第一存储电极E1。因此，存储电容器Cst存储与通过驱动电压线172向第一存储电极E1传输的驱动电压ELVDD与栅电极155的栅极电压Vg之间的差对应的电荷。
根据本示例实施例，第二数据连接构件72通过开口64连接到初始化电压线127。被称为像素电极的电极通过开口81连接到第三数据连接构件73。
寄生电容器控制图案79可以形成在第三晶体管T3的第三节点N3上。寄生电容器存在于像素PX中，图像质量特性可以在施加到寄生电容器的电压改变时而改变。根据本示例实施例，驱动电压线172通过开口66连接到寄生电容器控制图案79。因此，可以通过向寄生电容器施加驱动电压ELVDD(作为恒定DC电压)来减小或防止图像质量特性的改变。寄生电容器控制图案79可以形成在与示出的区域不同的区域中，并且可以施加除了驱动电压ELVDD之外的电压。在示例实施例中，由于叠置层M1可以省略寄生电容器控制图案79。
在下文中，将根据参照图5的堆叠顺序来描述根据示例实施例的有机发光二极管显示器的整体剖面结构。
在根据本示例实施例的有机发光二极管显示器中，基底110是柔性的并且由诸如塑料或聚酰亚胺(PI)的柔性材料形成。阻挡层111设置在基底110上，由导电金属或具有相同的导电性能的半导体材料形成的叠置层M1设置在阻挡层111上。缓冲层112设置在叠置层M1上。阻挡层111和缓冲层112可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮化硅和氧化铝)，并且还可以包括有机绝缘材料(诸如(例如，添加有环氧树脂的)聚酰亚胺和聚丙烯酸)。
根据本示例实施例，包括多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的沟道、第一电极和第二电极的半导体层130设置在缓冲层112上。第一栅极绝缘层141设置在半导体层130上以覆盖半导体层130。
根据本示例实施例，包括多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的栅电极(第二存储电极E2)、扫描线151、前扫描线152以及发光控制线153的第一栅极导体设置在第一栅极绝缘层141上。
根据本示例实施例，覆盖第一栅极导体的第二栅极绝缘层142设置在第一栅极导体上。第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142可以由诸如氮化硅、氧化硅和氧化铝的材料形成。
根据本示例实施例，包括存储线126、第一存储电极E1、初始化电压线127和寄生电容器控制图案79的第二栅极导体设置在第二栅极绝缘层142上。
根据本示例实施例，覆盖第二栅极导体的层间绝缘层160设置在第二栅极导体上。层间绝缘层160可以由诸如氮化硅、氧化硅和氧化铝的材料形成，并且也可以由有机绝缘材料形成。
根据本示例实施例，包括数据线171、驱动电压线172、第一数据连接构件71、第二数据连接构件72和第三数据连接构件73的数据导体设置在层间绝缘层160上。
根据本示例实施例，覆盖数据导体的钝化层180设置在数据导体上。可以为平坦化层的钝化层180可以包括有机绝缘材料。
根据本示例实施例，像素电极设置在钝化层180上。像素电极通过形成在钝化层180中的开口81连接到第三数据连接构件73。分隔壁设置在钝化层180和像素电极上。分隔壁设置有与像素电极叠置的开口部分，有机发光层设置在开口部分中。公共电极设置在有机发光层和分隔壁上。像素电极、有机发光层和公共电极形成有机发光二极管OLED。
在示例实施例中，像素电极可以是作为空穴注入电极的阳极，公共电极可以是作为电子注入电极的阴极。相反地，像素电极可以是阴极，公共电极可以是阳极。当空穴和电子分别从像素电极和公共电极注入到有机发光层中时，当其中注入的空穴和电子复合的激子从激发态进入基态时，发射光。
根据本示例实施例，由第一栅极导体形成的扫描线151、前扫描线152和发光控制线153在第一方向上延伸，由第二栅极导体形成的存储线126和初始化电压线127也在第一方向上延伸。由数据导体形成的数据线171和驱动电压线172在第二方向上延伸。
根据本示例实施例，数据线171通过形成在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160中的开口62连接到第二晶体管T2的第一电极S2。
根据本示例实施例，驱动电压线172通过形成在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160中的开口67连接到第五晶体管T5的第一电极S5，通过形成在层间绝缘层160中的开口68连接到存储线126的延伸部分(第一存储电极E1)，并且通过形成在层间绝缘层160中的开口66连接到寄生电容器控制图案79。
根据本示例实施例，第一数据连接构件71的一端通过形成在第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160中的开口61连接到栅电极155，并且第一数据连接构件71的另一端通过形成在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160中的开口63连接到第三晶体管T3的第二电极D3和第四晶体管T4的第二电极D4。
根据本示例实施例，第二数据连接构件72的一端通过形成在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160中的开口65连接到第四晶体管T4的第一电极S4，第二数据连接构件72的另一端通过形成在层间绝缘层160中的开口64连接到初始化电压线127。
根据本示例实施例，第三数据连接构件73通过形成在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160中的开口69连接到第六晶体管T6的第二电极D6。
根据本示例实施例，用于保护有机发光二极管OLED的封装层设置在公共电极上。封装层可以接触公共电极，或者可以与公共电极间隔开。封装层可以是堆叠有无机膜和有机膜的薄膜封装层，并且可以包括由无机膜、有机膜和无机膜形成的三层。覆盖层和功能层可以设置在公共电极与封装层之间。
图5详细地示出叠置层M1电连接的结构。
根据本示例实施例，参照图5，阻挡层111设置在基底110上，叠置层M1设置在阻挡层111上。如图3中所示，叠置层M1的位置是在平面图中与第三晶体管T3叠置的位置。叠置层M1设置在缓冲层112上。半导体层130设置在缓冲层112上。在图4中，示出了3-1晶体管T3-1的第二电极D3-1和第一电极S3-1以及3-2晶体管T3-2的第二电极D3-2，3-1晶体管T3-1的沟道设置在3-1晶体管T3-1的第二电极D3-1与第一电极S3-1之间。
根据本示例实施例，第一栅极绝缘层141设置在第三晶体管T3的半导体层ACTIVE和缓冲层112上。3-1晶体管T3-1的栅电极G3-1设置在第一栅极绝缘层141上。第二栅极绝缘层142设置在3-1晶体管T3-1的栅电极G3-1上。
根据本示例实施例，寄生电容器控制图案79设置在第二栅极绝缘层142上。层间绝缘层160设置在寄生电容器控制图案79上。钝化层180设置在层间绝缘层160上。像素电极、有机发光层、公共电极和封装层可以设置在钝化层180上。
根据本示例实施例，图3至图5的叠置层M1浮置并且与半导体层ACTIVE在第三晶体管T3中弯曲处的部分叠置，并且设置在基底110上方和半导体层130下方，以设置在阻挡层111与缓冲层112之间。与叠置层M1叠置以形成附加存储电容器的半导体层ACTIVE包括向上突出部分(附加电容部分)。
根据本示例实施例，在图3至图5的结构中，叠置层M1和寄生电容器控制图案79作为与第三节点N3叠置的层存在，叠置层M1浮置，并且驱动电压ELVDD施加到寄生电容器控制图案79。
在示例实施例中，叠置层M1可以不设置在半导体层ACTIVE与基底110之间，而是可以设置在半导体层ACTIVE上方，并且可以由第一栅极导体、第二栅极导体和数据导体中的一者形成。
在示例实施例中，半导体层ACTIVE的附加电容部分可以具有如图6和图7中所示的结构。
图6示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图，图7示出图6的像素的一部分的放大图。
根据图6和图7的本示例实施例的有机发光二极管显示器与图3和图4的有机发光二极管显示器的相似之处在于它们包括叠置层M1并且在于它们的整体结构，而不同之处在于与叠置层M1叠置的半导体层ACTIVE的形状之间的差异。
在下文中，将参照图6和图7主要描述除了先前在图3至图5中描述的元件之外的元件。
图7示出与先前描述的示例实施例的不同之处(半导体层ACTIVE的附加电容部分)的放大图，从而将主要参照图7描述当前的示例实施例。
图7的示例实施例包括与图4的示例实施例的附加电容部分不同的半导体层ACTIVE的附加电容部分。因此，在图7中，半导体层ACTIVE的附加电容部分在第一方向上突出，例如，在向右方向上突出。
图7作为仅第三晶体管T3的外围结构的放大图，示出了围绕第三晶体管T3的扫描线151、叠置层M1和半导体层ACTIVE。
扫描线151的结构与图4的扫描线151的结构相同。
根据本示例实施例，围绕第三晶体管T3设置的半导体层ACTIVE在第一方向上延伸，经过3-1晶体管T3-1的栅电极G3-1，在第二方向上弯曲，然后向下延伸。半导体层ACTIVE在第二方向上弯曲的部分处具有在第一方向上突出的结构(附加电容部分)。因此，半导体层ACTIVE弯曲处的部分和附加电容部分在第一方向上的宽度之和大于3-1晶体管T3-1的栅电极G3-1在第一方向上的宽度(见图7中的箭头)。在本示例实施例中，半导体层ACTIVE弯曲处的部分和附加电容部分在第一方向上的宽度之和大于在第二方向上延伸的半导体层ACTIVE在第一方向上的宽度。半导体层ACTIVE弯曲处的部分对应于3-1晶体管T3-1和3-2晶体管T3-2连接到的第三节点N3。因此，附加电容部分设置在第三节点N3附近。
根据本示例实施例，叠置层M1设置在由塑料或聚酰亚胺(PI)形成的基底110与半导体层ACTIVE之间。叠置层M1形成为足够大以在平面图中与半导体层ACTIVE弯曲处的部分和附加电容部分完全叠置。在本示例实施例中，叠置层M1在平面图中与第三晶体管T3中两个晶体管T3-1和T3-2连接处的第三节点N3叠置，并且可以与两个晶体管T3-1和T3-2的其它部分中的至少一些叠置。叠置层M1具有浮置状态，并且不与其它部分电连接。
根据本示例实施例，半导体层ACTIVE弯曲处的部分和附加电容部分与叠置层M1叠置以形成附加存储电容器。因此，叠置层M1与第三晶体管T3的3-1晶体管T3-1和3-2晶体管T3-2连接处的部分(第三节点N3)叠置，从而形成附加存储电容器。
在图6和图7的本示例实施例中，通过使用叠置层M1形成附加存储电容器，但是为了增大附加存储电容器的电容，对于半导体层ACTIVE而言，添加突出结构。因此，叠置层M1与半导体层ACTIVE(包括附加电容部分)叠置的区域增大，结果，附加存储电容器的电容增大。因此，缓冲第三节点N3处的电压改变，并且减小第三晶体管T3的反冲电压。因此，可以减少或防止余像。在本示例实施例中，叠置层M1与第三晶体管T3叠置，并且设置在基底110与第三晶体管T3之间。因此，当制造第三晶体管T3时，第三晶体管T3可以通过防止杂质来自由塑料或聚酰亚胺(PI)制成的柔性基底而具有期望的特性。
在图6和图7的本示例实施例中，叠置层M1设置在半导体层ACTIVE与基底110之间，并且叠置层M1可以由具有导电性的金属或对应于所述金属的半导体材料形成。在图6和图7的本示例实施例中，剖视图与图5的剖视图相同。
根据本示例实施例，在图6和图7的结构中，叠置层M1和寄生电容器控制图案79作为与第三节点N3叠置的层存在，叠置层M1浮置，并且驱动电压ELVDD施加到寄生电容器控制图案79。
除了半导体层ACTIVE的与叠置层M1叠置的附加电容部分的结构之外，图6和图7的示例实施例和图3至图5的示例实施例具有相同的特性。因此，图6和图7的本示例实施例可以被示出为与图1的电路图相同的电路图，并且可以接收与图2中示出的时序信号相同的时序信号以进行操作。
在示例实施例中，叠置层M1可以不设置在半导体层ACTIVE与基底110之间，而是可以设置在半导体层ACTIVE上方，并且可以由第一栅极导体、第二栅极导体和数据导体中的一者形成。
在示例实施例中，半导体层ACTIVE的附加电容部分可以具有如图8和图9中示出的结构。
图8示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图，图9示出图8的像素的一部分的放大图。
根据图8和图9的本示例实施例的有机发光二极管显示器与图3和图4的有机发光二极管显示器的相似之处在于它们包括叠置层M1并且在于它们的整体结构，而不同之处在于与叠置层M1叠置的半导体层ACTIVE的形状之间的差异。
在下文中，将参照图8和图9主要描述除了先前在图3至图5中描述的元件之外的元件。
图9示出与先前描述的示例实施例的不同之处(半导体层ACTIVE的附加电容部分)的放大图，从而将参照图9主要描述本示例实施例。
图9的示例实施例包括具有与图4的示例实施例的附加电容部分的结构不同的结构的半导体层ACTIVE的附加电容部分。因此，在图9中，半导体层ACTIVE的附加电容部分在向上方向上且在第一方向上延伸。
图9作为仅第三晶体管T3的外围结构的放大图，示出了围绕第三晶体管T3的扫描线151、叠置层M1和半导体层ACTIVE。
根据本示例实施例，扫描线151的结构与图4中的扫描线151的结构相同。
根据本示例实施例，围绕第三晶体管T3设置的半导体层ACTIVE在第一方向上延伸，经过3-1晶体管T3-1的栅电极G3-1，在第二方向上弯曲，然后向下延伸。半导体层ACTIVE在第二方向上弯曲的部分处具有在向上方向以及第一方向上突出的结构(附加电容部分)。因此，半导体层ACTIVE弯曲处的部分和附加电容部分在第二方向上的宽度之和大于在第一方向上延伸的半导体层ACTIVE在第二方向上的宽度，并且半导体层ACTIVE弯曲处的部分和附加电容部分在第一方向上的宽度之和大于3-1晶体管T3-1的栅电极G3-1在第一方向上的宽度(见图9中的箭头)。半导体层ACTIVE弯曲处的部分对应于3-1晶体管T3-1和3-2晶体管T3-2连接到的第三节点N3。因此，附加电容部分设置在第三节点N3附近。
根据本示例实施例，叠置层M1设置在基底110(可以是柔性的且可以由塑料或聚酰亚胺(PI)形成)与半导体层ACTIVE之间。叠置层M1形成为足够大以在平面图中与全部的附加电容部分叠置。在本示例实施例中，叠置层M1在平面图中与第三晶体管T3中两个晶体管T3-1和T3-2连接处的第三节点N3叠置，并且可以与两个晶体管T3-1和T3-2的其它部分中的至少一些叠置。叠置层M1具有浮置状态，并且不与其它部分电连接。
根据本示例实施例，半导体层ACTIVE弯曲处的部分和附加电容部分与叠置层M1叠置以形成附加存储电容器。因此，叠置层M1与第三晶体管T3的3-1晶体管T3-1和3-2晶体管T3-2连接处的部分(第三节点N3)叠置，从而形成附加存储电容器。
在图8和图9的本示例实施例中，通过使用叠置层M1形成附加存储电容器，但是为了增大附加存储电容器的电容，对于半导体层ACTIVE而言，添加突出结构。因此，叠置层M1与半导体层ACTIVE(包括附加电容部分)叠置的区域增大，结果，附加存储电容器的电容增大。因此，缓冲第三节点N3处的电压改变，并且减小第三晶体管T3的反冲电压。因此，可以减少或防止余像。在本示例实施例中，叠置层M1与第三晶体管T3叠置，并且设置在基底110与第三晶体管T3之间。因此，当制造第三晶体管T3时，第三晶体管T3可以通过防止杂质来自由塑料或聚酰亚胺(PI)制成的柔性基底而具有期望的特性。
在图8和图9的本示例实施例中，叠置层M1设置在半导体层ACTIVE与基底110之间，并且叠置层M1可以由具有导电性的金属或对应于所述金属的半导体材料形成。图8和图9的本示例实施例的剖视图与图5的剖视图相同。
在图8和图9的结构中，叠置层M1和寄生电容器控制图案79作为与第三节点N3叠置的层存在，叠置层M1浮置，并且驱动电压ELVDD施加到寄生电容器控制图案79。
除了半导体层ACTIVE的与叠置层M1叠置的附加电容部分的结构之外，图8和图9的示例实施例和图3至图5的示例实施例具有相同的特性。因此，图8和图9的本示例实施例可以被示出为与图1的示例实施例的电路图相同的电路图，并且可以接收与图2中示出的时序信号相同的时序信号以进行操作。
在示例实施例中，叠置层M1可以不设置在半导体层ACTIVE与基底110之间，而是可以设置在半导体层ACTIVE上方，并且可以由第一栅极导体、第二栅极导体和数据导体中的一者形成。
在示例实施例中，半导体层ACTIVE的附加电容部分可以具有如图10和图11中示出的结构。
图10示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图，图11示出图10的像素的一部分的放大图。
根据图10和图11的本示例实施例的有机发光二极管显示器与图3和图4的有机发光二极管显示器的相似之处在于它们包括叠置层M1并且在于它们的整体结构，而不同之处在于与叠置层M1叠置的半导体层ACTIVE的形状之间的差异。
在下文中，将参照图10和图11主要描述除了先前在图3至图5中描述的元件之外的元件。
图11示出与先前描述的示例实施例的不同之处(半导体层ACTIVE的附加电容部分)的放大图，从而将参照图11主要描述当前的示例实施例。
图11的示例实施例包括具有与图4的示例实施例的附加电容部分的结构不同的结构的半导体层ACTIVE的附加电容部分A1和A2。在图11中，半导体层ACTIVE的附加电容部分A1和A2不在半导体层ACTIVE中延伸和突出，而是与半导体层ACTIVE间隔开预定距离。间隔开预定距离的附加电容部分A1和A2可以与半导体层ACTIVE通过相同的工艺由相同的材料形成。
图11作为仅第三晶体管T3的外围结构的放大图，示出了围绕第三晶体管T3的扫描线151、叠置层M1和半导体层ACTIVE。
根据本示例实施例，扫描线151的结构与图4中的扫描线151的结构相同。
根据本示例实施例，围绕第三晶体管T3设置的半导体层ACTIVE在第一方向上延伸，经过3-1晶体管T3-1的栅电极G3-1，在第二方向上弯曲，然后向下延伸。与半导体层ACTIVE间隔开预定距离的附加电容部分A1和A2设置在第二方向上弯曲的部分处。第一附加电容部分A1被设置为在与第二方向相反的方向上以预定距离与半导体层ACTIVE弯曲处的部分间隔开。在本示例实施例中，第二附加电容部分A2被设置为沿第一方向以预定距离与半导体层ACTIVE弯曲处的部分间隔开。在本示例实施例中，包括两个附加电容部分A1和A2并且两个附加电容部分A1和A2间隔开预定距离。在其它实施方式中，可以包括单个附加电容部分，或者可以包括三个附加电容部分。半导体层ACTIVE弯曲处的部分对应于3-1晶体管T3-1和3-2晶体管T3-2连接到的第三节点N3。因此，附加电容部分设置在第三节点N3附近。
根据本示例实施例，叠置层M1设置在基底110(可以是柔性的且可以由塑料或聚酰亚胺(PI)形成)与半导体层ACTIVE之间。叠置层M1形成为足够大以在平面图中与半导体层ACTIVE弯曲处的部分以及全部的附加电容部分A1和A2叠置。
在本示例实施例中，叠置层M1可以在平面图中与第三晶体管T3中的两个晶体管T3-1和T3-2连接处的第三节点N3叠置，并且可以与两个晶体管T3-1和T3-2的其它部分中的至少一些叠置。根据本示例实施例，叠置层M1具有浮置状态，并且不与其它部分电连接。
根据本示例实施例，半导体层ACTIVE弯曲处的部分以及附加电容部分A1和A2与叠置层M1叠置以形成附加存储电容器。因此，叠置层M1与第三晶体管T3的3-1晶体管T3-1和3-2晶体管T3-2连接处的部分(第三节点N3)叠置，从而形成附加存储电容器。
在图10至图11的本示例实施例中，通过使用叠置层M1形成附加存储电容器，但是为了增大附加存储电容器的电容，对于半导体层ACTIVE而言，添加附加电容部分A1和A2。因此，叠置层M1与半导体层ACTIVE以及附加电容部分A1和A2叠置的区域增大，结果，附加存储电容器的电容增大。因此，缓冲第三节点N3处的电压改变，并且减小第三晶体管T3的反冲电压。因此，可以减少或防止余像。在本示例实施例中，叠置层M1与第三晶体管T3叠置，并且设置在基底110与第三晶体管T3之间。因此，当制造第三晶体管T3时，第三晶体管T3可以通过防止杂质来自由塑料或聚酰亚胺(PI)制成的柔性基底而具有期望的特性。
在图10和图11的本示例实施例中，叠置层M1设置在半导体层ACTIVE与基底110之间，并且叠置层M1可以由具有导电性的金属或对应于所述金属的半导体材料形成。图10和图11的本示例实施例的剖视图与图5的剖视图相同。
根据本示例实施例，在图10和图11的结构中，叠置层M1和寄生电容器控制图案79作为与第三节点N3叠置的层存在，叠置层M1浮置，并且驱动电压ELVDD施加到寄生电容器控制图案79。
除了半导体层ACTIVE的与叠置层M1叠置的附加电容部分A1和A2结构之外，图10和图11的示例实施例和图3至图5的示例实施例具有相同的特性。因此，图10和图11的本示例实施例可以被示出为与图1的电路图相同的电路图，并且可以接收与图2中示出的时序信号相同的时序信号以进行操作。
在示例实施例中，叠置层M1可以不设置在半导体层ACTIVE与基底110之间，而是可以设置在半导体层ACTIVE上方，并且可以由第一栅极导体、第二栅极导体和数据导体中的一者形成。
在示例实施例中，如图12中，半导体层ACTIVE中可以不包括半导体层ACTIVE的附加电容部分。这是可以通过由半导体层ACTIVE弯曲处的部分与叠置层M1的叠置附加地形成的电容来充分减小第三晶体管T3的反冲电压的变化的情况。
图12示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图。
根据图12的本示例实施例的有机发光二极管显示器与图3和图4的有机发光二极管显示器的相似之处在于它们都包括叠置层M1并且在于它们的整体结构，而不同之处在于与叠置层M1叠置的半导体层ACTIVE的形状之间的差异。在图12中，没有附加电容部分形成在半导体层ACTIVE中。
在本示例实施例中，参照图12，围绕第三晶体管T3设置的半导体层ACTIVE在第一方向上延伸，经过3-1晶体管T3-1的栅电极G3-1，在第二方向上弯曲，然后向下延伸。可以另外省略附加电容部分。
与前述示例实施例的叠置层M1的区域相比，在本示例实施例中，叠置层M1的与半导体层ACTIVE的弯曲部分(第三节点N3)叠置的区域在第一方向和第二方向两者上相对窄。
在本示例实施例中，叠置层M1设置在基底110(可以是柔性的且可以由塑料或聚酰亚胺(PI)形成)与半导体层ACTIVE之间。在本示例实施例中，叠置层M1具有浮置状态，并且不与其它部分电连接。
与图1至图11的示例实施例的附加存储电容器的电容相比，图12的本示例实施例的附加存储电容器的电容相对小。因此，图12的本示例实施例可以适用于不需要较大的电容来减小第三晶体管T3的反冲电压的变化的情况。
在图12的本示例实施例中，由于通过使叠置层M1与半导体层ACTIVE叠置引起的附加存储电容器的电容，缓冲第三节点N3处的电压改变，并且减小第三晶体管T3的反冲电压。因此，可以减少或防止余像。在本示例实施例中，叠置层M1与第三晶体管T3叠置，并且设置在基底110与第三晶体管T3之间。因此，当制造第三晶体管T3时，第三晶体管T3可以通过防止杂质来自由塑料或聚酰亚胺(PI)制成的柔性基底而具有期望的特性。
在本示例实施例中，在图12的结构中，叠置层M1和寄生电容器控制图案79作为与第三节点N3叠置的层而存在，叠置层M1浮置，并且驱动电压ELVDD施加到寄生电容器控制图案79。
图12的本示例实施例中的剖视图与图5的剖视图相同。在本示例实施例中，图12的本示例实施例还可以被示出为与图1的电路图相同的电路图，并且可以接收与图2中示出的时序信号相同的时序信号以进行操作。
在示例实施例中，叠置层M1可以不设置在半导体层ACTIVE与基底110之间，而是可以设置在半导体层ACTIVE上方，并且可以由第一栅极导体、第二栅极导体和数据导体中的一者形成。
如果叠置层M1由第二栅极导体形成，则它可以与寄生电容器控制图案79(例如，见图3、图6、图8、图10和图12)设置在同一层上。在这种情况下，可以考虑这样一种方法，其中没有形成寄生电容器控制图案79，或者在保持寄生电容器控制图案79的同时省略叠置层M1。
首先，相对于图3、图6、图8、图10和图12去除寄生电容器控制图案79，使得可以不形成寄生电容器控制图案79。在这种情况下，因为开口66使寄生电容器控制图案79和驱动电压线172电连接，所以也可以省略开口66。
此外，为了在保持寄生电容器控制图案79的同时省略叠置层M1，可以相对于图3、图6、图8、图10和图12去除叠置层M1。寄生电容器控制图案79用作叠置层。在本示例实施例中，省略开口66并且叠置层M1浮置。
在本示例实施例中，叠置层M1不与其它部分电连接并且浮置。在另一实施方式中，叠置层M1可以电连接到像素PX中的其它部分以接收各种电压。
在下文中，将描述施加有驱动电压ELVDD(作为可施加到叠置层M1的各种电压中的一种)的示例实施例。
现在将参照图13描述其电路结构。
图13示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素的等效电路图。
除了叠置层M1电连接到施加有驱动电压ELVDD的驱动电压线172之外，图13总体上对应于图1。
在本示例实施例中，参照图13，当驱动电压ELVDD施加到叠置层M1时，附加存储电容器的一端处的电压被固定，使得附加存储电容器的特性变得恒定，因此可以使第三晶体管T3的与叠置层M1叠置的第三节点N3进一步稳定。
在本示例实施例中，第三晶体管T3的阈值电压Vth因诸如施加到叠置层M1的驱动电压ELVDD的高电压而在负方向上偏移。当第三晶体管T3的阈值电压Vth在负方向上偏移时，使用p型半导体的第三晶体管T3的反冲电压进一步减小，从而使亮度降低减小。
图13的示例实施例与图1的示例实施例的相同之处在于，当如图1的本示例实施例中一样施加图2的信号时，图13的示例实施例操作。
在本示例实施例中，图13的示例实施例也可以应用于围绕第三晶体管T3的半导体层ACTIVE具有如图3至图12的示例实施例中一样的各种结构的情况。因此，电容部分可以突出或可以不突出，或者可以设置为与半导体层ACTIVE间隔开预定距离。
在本示例实施例中，驱动电压ELVDD施加到叠置层M1。
在下文中，将参照图14和图15描述将驱动电压ELVDD施加到叠置层M1的结构。这里，在各种半导体层ACTIVE的结构之中，具有对应于图3的半导体层ACTIVE的结构的示例实施例用作代表。驱动电压ELVDD施加到叠置层M1的示例实施例也可以应用于图6、图8、图10或图12。
图14示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图，图15示出沿图14的线XV-XV截取的剖视图。
在本示例实施例中，参照图14，叠置层M1由具有导电特性的金属或对应于所述金属的半导体材料形成，并且设置在基底110(可以是柔性的且可以由塑料或聚酰亚胺(PI)形成)与半导体层ACTIVE之间。在本示例实施例中，叠置层M1在平面图中与第三晶体管T3中两个晶体管T3-1和T3-2连接处的第三节点N3叠置，并且可以与两个晶体管T3-1和T3-2的其它部分中的至少一些叠置。
在图14的本示例实施例中，与叠置层M1叠置的半导体层ACTIVE还包括附加电容部分，并且如图3中所示向上突出。
在本示例实施例中，围绕第三晶体管T3设置的半导体层ACTIVE在第一方向上延伸，经过3-1晶体管T3-1的栅电极G3-1，在第二方向上弯曲，然后向下延伸。半导体层ACTIVE在第二方向上弯曲的部分处具有向上突出的结构(附加电容部分)。因此，半导体层ACTIVE弯曲处的部分和附加电容部分在第二方向上的宽度之和大于在第一方向上延伸的半导体层ACTIVE在第二方向上的宽度(见图4的箭头)。在图14中，半导体层ACTIVE弯曲处的部分对应于3-1晶体管T3-1和3-2晶体管T3-2连接到的第三节点N3。因此，附加电容部分设置在第三节点N3附近。
在本示例实施例中，半导体层ACTIVE弯曲处的部分和附加电容部分与叠置层M1叠置以形成附加存储电容器。
在本示例实施例中，叠置层M1通过开口57电连接到寄生电容器控制图案79，并且接收驱动电压ELVDD，寄生电容器控制图案79通过开口66电连接到驱动电压线172。
图15中详细示出了叠置层M1和寄生电容器控制图案79的连接结构。
图15中示出的有机发光二极管显示器使用由诸如塑料或聚酰亚胺(PI)的柔性材料形成的基底110。阻挡层111设置在基底110上，并且由导电金属或具有相同导电性能的半导体材料形成的叠置层M1设置在阻挡层111上。
缓冲层112设置在叠置层M1上。阻挡层111和缓冲层112可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮化硅和氧化铝)，并且还可以包括有机绝缘材料(诸如(例如，添加有环氧树脂的)聚酰亚胺和聚丙烯酸)。
在本示例实施例中，包括多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的沟道、第一电极和第二电极的半导体层130设置在缓冲层112上。在图15中，仅对应于第三晶体管T3的一部分的半导体层130示出在剖视局部图中。
在本示例实施例中，覆盖半导体层130的第一栅极绝缘层141设置在半导体层130上。
在本示例实施例中，包括多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的栅电极(第二存储电极E2)、扫描线151、前扫描线152和发光控制线153的第一栅极导体设置在第一栅极绝缘层141上。在图15中，剖视局部图中仅示出第三晶体管T3的栅电极G3-1和G3-2中的一个。
在本示例实施例中，覆盖第一栅极导体的第二栅极绝缘层142设置在第一栅极导体上。第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142可以由诸如氮化硅、氧化硅和氧化铝的材料形成。
在本示例实施例中，包括存储线126、第一存储电极E1、初始化电压线127和寄生电容器控制图案79的第二栅极导体设置在第二栅极绝缘层142上。
在本示例实施例中，开口57形成在缓冲层112、第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142中，以暴露叠置层M1的一部分。寄生电容器控制图案79通过开口57电连接到叠置层M1。寄生电容器控制图案79通过开口66电连接到驱动电压线172。因此，叠置层M1也电连接到驱动电压线172。因此，驱动电压ELVDD施加到叠置层M1。在示例实施例中，叠置层M1可以直接连接到驱动电压线172。
在本示例实施例中，覆盖第二栅极导体的层间绝缘层160设置在第二栅极导体上。层间绝缘层160可以由诸如氮化硅、氧化硅和氧化铝的材料形成，并且还可以由有机绝缘材料形成。
在本示例实施例中，数据导体(包括数据线171、驱动电压线172、第一数据连接构件71、第二数据连接构件72以及第三数据连接构件73)设置在层间绝缘层160上。
覆盖数据导体的钝化层180设置在数据导体上。钝化层180(也被称为平坦化层)可以包括有机绝缘材料。
在本示例实施例中，像素电极、有机发光层、分隔壁和公共电极可以形成在钝化层180上。
参照图14，为了接收驱动电压ELVDD，除了与第三节点N3叠置的部分(叠置部分)之外，叠置层M1还可以包括用于连接的延伸部。在示例实施例中，延伸部的长度可以较短。
在本示例实施例中，参照图14，叠置层M1的叠置部分被形成为足够大以在平面图中与半导体层ACTIVE弯曲处的部分和附加电容部分完全叠置。因此，叠置层M1与半导体层ACTIVE(包括附加电容部分)叠置的区域增大，结果，附加存储电容器的电容增大。第三节点N3处的电压变化由于附加存储电容器而减小，使得第三晶体管T3的反冲电压也减小。
在本示例实施例中，在图14和图15的结构中，叠置层M1和寄生电容器控制图案79作为与第三节点N3叠置的层存在，并且驱动电压ELVDD施加到叠置层M1和寄生电容器控制图案79两者。在另一实施方式中，可以向叠置层M1和寄生电容器控制图案79施加不同的电压。
在上面的描述中，已经描述了叠置层M1接收驱动电压ELVDD并且附加电容部分设置在半导体层ACTIVE中的结构。
在下文中，将参照图16描述叠置层M1接收驱动电压ELVDD但在半导体层ACTIVE中不设置附加电容部分的示例实施例。
图16示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图。
在本示例实施例中，参照图16，叠置层M1由具有导电特性的金属或与所述金属对应的半导体材料形成，并且设置在基底110(可以是柔性的并且可以由塑料或聚酰亚胺(PI)形成)与半导体层ACTIVE之间。在本示例实施例中，叠置层M1在平面图中与第三晶体管T3中两个晶体管T3-1和T3-2连接处的第三节点N3叠置，并且可以与两个晶体管T3-1和T3-2中的其它部分中的至少一些叠置。
在图16的本示例实施例中，与叠置层M1叠置的半导体层ACTIVE不包括附加电容部分。因此，围绕第三晶体管T3设置的半导体层ACTIVE在第一方向上延伸，经过3-1晶体管T3-1的栅电极G3-1，在第二方向上弯曲，然后向下延伸。这里，半导体层ACTIVE弯曲处的部分对应于3-1晶体管T3-1和3-2晶体管T3-2连接到的第三节点N3。
半导体层ACTIVE弯曲处的部分与叠置层M1叠置，以形成附加存储电容器。
在本示例实施例中，叠置层M1通过开口57电连接到寄生电容器控制图案79并且接收驱动电压ELVDD，寄生电容器控制图案79通过开口66电连接到驱动电压线172。
在本示例实施例中，在图16的结构中，叠置层M1和寄生电容器控制图案79作为与第三节点N3叠置的层存在，并且驱动电压ELVDD施加到叠置层M1和寄生电容器控制图案79两者。在另一实施方式中，可以向叠置层M1和寄生电容器控制图案79施加不同的电压。
结合图16的本示例实施例的剖视图与图15相同。因此，在图16的本示例实施例中，叠置层M1和寄生电容器控制图案79的连接结构可以如同图15中一样。
在本示例实施例中，参照图16，为了接收驱动电压ELVDD，除了与第三节点N3叠置的部分(叠置部分)之外，叠置层M1还可以包括用于连接的延伸部。在示例实施例中，延伸部的长度可以较短。
在图16的本示例实施例中，半导体层ACTIVE的附加电容部分可以如同图12中一样不包括在其中。例如，通过由半导体层ACTIVE弯曲处的部分和叠置层M1的叠置而另外形成的电容，可以充分减小第三晶体管T3的反冲电压的变化。
在上面的描述中，已经主要描述了叠置层M1设置在基底110与半导体层ACTIVE之间的情况。在另一实施方式中，叠置层M1可以不设置在半导体层ACTIVE与基底110之间，而是可以设置在半导体层ACTIVE上方，并且可以由第一栅极导体、第二栅极导体和数据导体中的一者形成。
图14至图16示出了其中叠置层M1通过靠近叠置层M1的像素PX的开口57而施加有驱动电压ELVDD，而开口57可以设置在像素PX中的结构。
在下文中，将参照图17和图18描述叠置层M1由第二栅极导体形成的示例实施例。
在本示例实施例中，在图17和图18中，叠置层M1与寄生电容器控制图案79叠置并与寄生电容器控制图案79一体地形成。
图17示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图，图18示出沿图17的线XVIII-XVIII截取的剖视图。
在本示例实施例中，图17和图18中所示的有机发光二极管显示器使用可以是柔性的且可由诸如塑料或聚酰亚胺(PI)的柔性材料形成的基底110。阻挡层111设置在基底110上，缓冲层112设置在阻挡层111上。阻挡层111和缓冲层112可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮化硅和氧化铝)，并且还可以包括有机绝缘材料(诸如(例如，添加有环氧树脂的)聚酰亚胺和聚丙烯酸)。
在本示例实施例中，包括多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的沟道、第一电极和第二电极的半导体层130设置在缓冲层112上。覆盖半导体层130的第一栅极绝缘层141设置在半导体层130上。
在本示例实施例中，包括多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的栅电极(第二存储电极E2)、扫描线151、前扫描线152和发光控制线153的第一栅极导体设置在第一栅极绝缘层141上。
在本示例实施例中，覆盖第一栅极导体的第二栅极绝缘层142设置在第一栅极导体上。第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142可以由诸如氮化硅、氧化硅和氧化铝的材料形成。
在本示例实施例中，包括存储线126、第一存储电极E1和初始化电压线127的第二栅极导体设置在第二栅极绝缘层142上。与寄生电容器控制图案79一体地形成的叠置层M1设置在第二栅极绝缘层142上。寄生电容器控制图案79通过开口66电连接到驱动电压线172。因此，与寄生电容器控制图案79一体地形成的叠置层M1施加有驱动电压ELVDD。
在本示例实施例中，覆盖第二栅极导体的层间绝缘层160设置在第二栅极导体上。层间绝缘层160可以由诸如氮化硅、氧化硅和氧化铝的材料形成，并且还可以由有机绝缘材料形成。
在本示例实施例中，包括数据线171、驱动电压线172、第一数据连接构件71、第二数据连接构件72以及第三数据连接构件73的数据导体设置在层间绝缘层160上。
在本示例实施例中，覆盖数据导体的钝化层180设置在数据导体上。钝化层180(也被称为平坦化层)可以包括有机绝缘材料。
像素电极、有机发光层、分隔壁和公共电极可以形成在钝化层180上。
图17和图18示出叠置层M1由第二栅极导体形成并且接收驱动电压ELVDD的本示例实施例。去除了设置在半导体层ACTIVE与基底110之间的叠置层M1，并且叠置层M1与寄生电容器控制图案79一体地形成。
在示例实施例中，叠置层M1可以由第一栅极导体或数据导体形成。
在图17和图18的本示例实施例中，使用了如图3中示出的向上突出的附加电容部分。然而，附加电容部分可以不同地突出，或者可以不存在附加电容部分，或者附加电容部分可以与半导体层ACTIVE间隔开预定距离。
在图13至图18的示例实施例中，仅将驱动电压ELVDD描述为施加到叠置层M1的电压，但是其它电压(例如，初始化电压Vint、公共电压ELVSS、扫描信号Sn、前扫描信号Sn-1、数据电压Dm或发光控制信号EM)也可以施加到叠置层M1，所述其它电压可以施加到多个晶体管T1至T7的一个端子或者有机发光二极管OLED的一个端子。与叠置层M1叠置的晶体管的沟道的阈值电压Vth可以根据施加到叠置层M1的电压而偏移。当施加到叠置层M1的电压为驱动电压ELVDD时并且当施加到与叠置层M1叠置的晶体管的电压为初始化电压Vint时，所述晶体管的阈值电压Vth可以在相反的方向上偏移。因此，通过利用这样的特性，能够通过根据将要被补偿的晶体管的特性将各种电压施加到叠置层M1来补偿晶体管。在本示例实施例中，可以考虑晶体管的沟道是p型还是n型来确定施加到叠置层M1的电压。
此外，各种其它修改的实施例是可能的，在下文中，将参照图19至图21来描述另一修改的实施例。
现在将描述图19和图20中示出的示例实施例。
图19示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图，图20示出沿图19的线XX-XX截取的剖视图。
图19和图20的示例实施例与图14至图18的示例实施例的相同之处在于叠置层M1施加有驱动电压ELVDD，而它们之间的不同之处在于图19和图20的本示例实施例的接收驱动电压ELVDD的开口没有设置在相邻的像素中而设置在上像素中。
现在将详细地描述图19和图20中示出的示例实施例。
根据图19和图20中示出的本示例实施例的叠置层M1设置在基底110与半导体层ACTIVE之间，如图14至图16中所示。因此，叠置层M1设置在基底110(可以是柔性的且可以由塑料或聚酰亚胺(PI)形成)与半导体层ACTIVE之间，并且由具有导电特性的金属或对应于所述金属的半导体材料形成。
在本示例实施例中，叠置层M1施加有驱动电压ELVDD，例如，叠置层M1通过设置在上像素中的开口而施加有驱动电压ELVDD。
在本示例实施例中，叠置层M1在平面图中与在第三晶体管T3中两个晶体管T3-1和T3-2连接处的第三节点N3叠置，并且可以与两个晶体管T3-1和T3-2中的其它部分中的至少一些部分叠置。两个晶体管T3-1和T3-2连接处的第三节点N3还包括附加电容部分，并且根据图19和图20的本示例实施例的附加电容部分向上突出。
在本示例实施例中，半导体层ACTIVE弯曲处的部分和附加电容部分与叠置层M1叠置以形成附加存储电容器。叠置层M1形成为足够大以在平面图中与半导体层ACTIVE弯曲处的部分和附加电容部分完全叠置。因此，叠置层M1与半导体层ACTIVE(包括附加电容部分)叠置的区域增大，结果，附加存储电容器的电容增大。
在本示例实施例中，如图19和图20中所示，当驱动电压ELVDD施加到叠置层M1时，附加存储电容器的一端处的电压被固定，使得附加存储电容器的特性变得恒定，因此可以使第三晶体管T3的与叠置层M1叠置的第三节点N3进一步稳定。因为诸如驱动电压ELVDD的高电压施加到叠置层M1，所以第三晶体管T3的阈值电压Vth在负方向上偏移。当第三晶体管T3的阈值电压Vth在负方向上偏移时，使用p型半导体的第三晶体管T3的反冲电压进一步减小，从而使亮度降低减小。
在下文中，如图19和图20中所示，将详细地描述叠置层M1通过设置在上像素中的开口57-2被电学地施加有驱动电压ELVDD的结构。
为了参考，在图19中，利用比其它部分的线粗的线来示出叠置层M1，以便更清楚地示出叠置层M1的结构。
根据图19和图20的本示例实施例的叠置层M1包括在平面图中与第三晶体管T3的第三节点N3叠置的延伸部分31-3、接收驱动电压ELVDD的接触部分31-1以及用于使延伸部分31-3和接触部分31-1连接的连接部分31-2。在图19中，叠置层M1被弯曲以连接到驱动电压线172。
根据图19的本示例实施例，驱动电压线172还包括横向突出的突出，以连接到叠置层M1的接触部分31-1。驱动电压线172和叠置层M1通过连接构件78彼此电连接。
在本示例实施例中，参照图20，驱动电压线172的突出通过开口57-1连接到由第二栅极导体形成的连接构件78的一端。连接构件78的另一端通过开口57-2连接到叠置层M1的接触部分31-1，并接收驱动电压ELVDD。
在图19和图20的本示例实施例中，叠置层M1的连接部分31-2与第七晶体管T7叠置。接收驱动电压ELVDD的部分(接触部分31-1)附加地与第七晶体管T7叠置，同时延伸到第三晶体管T3的第三节点N3。根据像素PX的特性，可以省略这种附加的叠置结构。
图21示出了这样的结构：接收驱动电压ELVDD同时延伸到第三晶体管T3的第三节点N3的部分(接触部分31-1)是小的，其中，所述部分附加地与第七晶体管T7叠置。
图21示出根据示例实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图。
根据图21的本示例实施例，与图19的示例实施例不同，叠置层M1的连接部分31-2沿像素PX的外围形成，以使叠置层M1与其它晶体管的叠置最小化。
在图21的本示例实施例中，叠置层M1的连接部分31-2沿像素PX的边界线(由虚线表示)形成，并且不与第七晶体管T7的沟道区叠置。
图21的示例实施例可以具有可消除不期望的寄生电容的优点。
在示例实施例中，叠置层M1可以不设置在半导体层ACTIVE与基底110之间，而是可以设置在半导体层ACTIVE上，并且可以由第一栅极导体、第二栅极导体和数据导体中的一者形成。另外，除了驱动电压ELVDD之外的电压可以施加到叠置层M1。此外，形成在半导体层ACTIVE中的附加电容部分可以不在向上方向上突出，而是可以在横向方向上或在另一方向上突出。此外，可以不存在附加电容部分，或者附加电容部分可以与半导体层ACTIVE间隔开预定距离。
在图19至图21中，尽管叠置层M1通过与像素PX相邻的像素的开口57-2而施加有驱动电压ELVDD，但是开口57-2可以设置在像素的一部分中。
在下文中，将参照图22和图23描述根据示例实施例的效果。
图22示出图13的电路图的一部分。
图22示出与第三晶体管T3相关的附加存储电容器C2和寄生电容器C1。
在本示例实施例中，附加存储电容器C2的一端施加有驱动电压ELVDD，而附加存储电容器C2的另一端是节点N3。寄生电容器C1的一端是节点N3，寄生电容器C1的另一端是第三晶体管T3的栅电极G3-1。虽然图22示出寄生电容器C1的另一端仅为3-1晶体管T3-1的栅电极G3-1，但是寄生电容器C1的另一端可以包括3-2晶体管T3-2的栅电极G3-2。
在该结构中，图22中示出的第三晶体管T3的反冲电压的变化(ΔVn3)通过等式1表示。
[等式1]
ΔVn3＝[C1/(C1+C2)]×ΔV
在等式1中，C1是寄生电容器C1的电容值，C2是附加存储电容器C2的电容值。
寄生电容器C1的电容值是在确定第三晶体管T3的结构时确定的值，因此，没有改变。然而，附加存储电容器C2的电容值根据与叠置层M1叠置的半导体层ACTIVE的尺寸而改变。
根据等式1，可以看出，第三晶体管T3的反冲电压的变化(ΔVn3)随着C2值增大而减小。因此，能够通过增大附加存储电容器C2的电容值来减小第三晶体管T3的反冲电压的变化(ΔVn3)的宽度，在实施方式中，可以在半导体层ACTIVE中提供附加电容部分。因此，根据示例实施例，减小了第三晶体管T3的反冲电压的变化(ΔVn3)，从而改善了显示质量。
尽管图22示出了图13的电路图的一部分，但是因为图13示出了仅附加存储电容器的一个电极浮置的状态，所以第三晶体管T3的反冲电压的变化(ΔVn3)的等式1没有不同。因此，在叠置层M1浮置的本示例实施例中也获得相同的效果。
在下文中，将参照图23使用各种比较示例(Ref)和示例实施例来比较亮度降低的程度。
图23示出亮度降低的实验结果。
在图23中，比较两个比较示例(Ref和T4泄漏)和两个示例实施例(DY+N3屏蔽和EG+N3屏蔽)中的亮度降低的程度。
比较示例1(Ref)具有不存在与第三晶体管T3叠置的层的结构，并且既不形成叠置层M1，也不形成寄生电容器控制图案79。在比较示例1(Ref)中，尽管第三晶体管T3由串联连接的两个晶体管形成，但第四晶体管T4由一个晶体管形成，并且不由串联连接的两个晶体管形成。
在比较示例2(T4泄漏)中，比较示例1(Ref)的第四晶体管T4也由彼此串联连接的两个晶体管形成，并且第三晶体管T3的沟道长度和第四晶体管T4的沟道长度彼此相等。这是仅减少第三晶体管T3和第四晶体管T4中的漏电流的情况。
示例实施例1(DY+N3屏蔽)还包括与比较示例1(Ref)中的第三晶体管T3叠置的层，其中，形成叠置层M1和寄生电容器控制图案79。
示例实施例2(EG+N3屏蔽)还包括与比较示例2(T4泄露)中的第三晶体管T3叠置的层，其中，形成叠置层M1和寄生电容器控制图案79。
如图23中所示，能够确认的是，通过包括与第三晶体管T3叠置的层来减少亮度降低。另外，能够看出，通过减小第三晶体管T3和第四晶体管T4的漏电流，进一步增强亮度降低效果。在实施方式中，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以包括彼此串联连接的两个晶体管。
通过总结和回顾，通常，有机发光二极管显示器包括基底、设置在基底上的多个薄膜晶体管、设置在用于构造薄膜晶体管的布线之间的多个绝缘层以及连接到薄膜晶体管的有机发光元件。已经开发了一种柔性有机发光二极管显示器，柔性有机发光二极管显示器包括含有作为基底的聚合物材料并且能够完全地弯曲的柔性基底。有机发光二极管显示器包括多个像素，每个像素中包括的多个晶体管可以包括多晶半导体或氧化物半导体。
如上所述，实施例涉及一种柔性有机发光二极管显示器。实施例可以提供一种柔性有机发光二极管显示器，在柔性有机发光二极管显示器中，即使晶体管形成在柔性基底上，也可以减小晶体管的反冲电压的变化并且可以不降低显示质量。实施例可以提供一种有机发光二极管显示器，有机发光二极管显示器可以通过增加特定晶体管的存储电容以减小相应晶体管的特性(例如，反冲电压)的变化来防止在交替地显示白色和黑色时残留余像，从而改善有机发光二极管显示器的显示质量。
<符号说明>
110：基底 111：阻挡层
M1：叠置层 112：缓冲层
130：半导体层 141：第一栅极绝缘层
142：第二栅极绝缘层 160：层间绝缘层
180：钝化层 N3：第三节点
56：开口 57、61-69、81：开口
A1、A2：附加电容部分 79：寄生电容器控制图案
126：存储线 127：初始化电压线
151：扫描线 152：前扫描线
153：发光控制线 155：栅电极
158：旁路控制线 171：数据线
172：驱动电压线 71、72、73：数据连接线
741：公共电压线 E1、E2：存储电极
78：连接构件 31-1：接触部分
31-2：连接部分 31-3：延伸部分
T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7：晶体管
这里已经公开了示例实施例，尽管采用了特定术语，但是特定术语仅以一般性和描述性意义来使用和将被解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，如对本领域的普通技术人员来说将明显的是，自提交本申请之日起，除非另外特别指出，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以被单独使用或与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域的技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (20)

1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：
柔性基底；
半导体层，位于所述柔性基底上，所述半导体层包括晶体管的沟道、第一电极和第二电极；以及
叠置层，其中：
所述晶体管包括：驱动晶体管，被构造为向有机发光元件施加电流；第二晶体管，连接到扫描线和数据线，所述第二晶体管向所述驱动晶体管的输入电极传输通过所述数据线传输的数据电压；以及第三晶体管，包括连接到所述扫描线的栅电极、连接到所述驱动晶体管的输出电极的第一电极以及连接到所述驱动晶体管的栅电极的第二电极，并且
所述第三晶体管包括彼此串联连接并且在第三节点处彼此连接的两个晶体管，
所述第三节点形成在所述半导体层中，
附加电容部分形成在所述半导体层中并且在所述第三节点附近，并且
所述叠置层与所述半导体层的所述第三节点和所述附加电容部分叠置。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述半导体层在第一方向上延伸并且位于所述第三晶体管内，在第二方向上弯曲，然后在所述第二方向上延伸，其中，所述第二方向与所述第一方向交叉。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第三节点设置在所述半导体层的弯曲部分处。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述附加电容部分是所述半导体层的在所述弯曲部分处在向上方向上突出的部分。
5.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述附加电容部分是所述半导体层的在所述弯曲部分处在所述第一方向上突出的部分。
6.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述附加电容部分是所述半导体层的在所述弯曲部分处在所述第一方向和向上方向上突出的部分。
7.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述附加电容部分与所述半导体层在所述弯曲部分处间隔开预定距离。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述叠置层在剖视图中设置在所述柔性基底与所述半导体层之间。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，所述叠置层浮置。
10.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，所述叠置层施加有驱动电压。
11.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括：
阻挡层，位于所述柔性基底上方并且位于所述叠置层下方；
缓冲层，位于所述叠置层上方并且位于所述半导体层下方；
第一栅极绝缘层，覆盖所述半导体层；
第一栅极导体，位于所述第一栅极绝缘层上；
第二栅极绝缘层，覆盖所述第一栅极导体和所述第一栅极绝缘层；
第二栅极导体，位于所述第二栅极绝缘层上；
层间绝缘层，覆盖所述第二栅极导体和所述第二栅极绝缘层；
数据导体，位于所述层间绝缘层上；以及
钝化层，覆盖所述数据导体和所述层间绝缘层，
其中；
所述数据导体包括施加所述驱动电压的驱动电压线，
所述驱动电压线和所述第二栅极导体通过所述层间绝缘层中的开口彼此电连接，并且
所述第二栅极导体通过所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层中的开口电连接到所述叠置层。
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二栅极导体是寄生电容器控制图案。
13.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中，所述数据导体是连接构件。
14.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述叠置层在剖视图中设置在所述半导体层上方。
15.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述有机发光二极管显示器还包括：
阻挡层，位于所述柔性基底上方并且位于所述叠置层下方；
缓冲层，位于所述叠置层上方并且位于所述半导体层下方；
第一栅极绝缘层，覆盖所述半导体层；
第一栅极导体，位于所述第一栅极绝缘层上；
第二栅极绝缘层，覆盖所述第一栅极导体和所述第一栅极绝缘层；
第二栅极导体，位于所述第二栅极绝缘层上；
层间绝缘层，覆盖所述第二栅极导体和所述第二栅极绝缘层；
数据导体，位于所述层间绝缘层上；以及
钝化层，覆盖所述数据导体和所述层间绝缘层，
其中：
所述叠置层与所述第一栅极导体或所述第二栅极导体位于同一层上。
16.根据权利要求15中所述的有机发光二极管显示器，其中，
所述数据导体包括施加驱动电压的驱动电压线，并且
所述驱动电压线和所述叠置层通过所述层间绝缘层中的开口彼此电连接。
17.根据权利要求16中所述的有机发光二极管显示器，其中，所述叠置层与寄生电容器控制图案一体地形成，所述寄生电容器控制图案是所述第二栅极导体。
18.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：
柔性基底；
半导体层，位于所述柔性基底上，所述半导体层包括晶体管的沟道、第一电极和第二电极；
叠置层，位于所述半导体层和所述柔性基底之间；以及
寄生电容器控制图案，设置为比所述半导体层距所述柔性基底远，其中：
所述晶体管包括：驱动晶体管，被构造为向有机发光二极管施加电流；第二晶体管，连接到扫描线和数据线，所述第二晶体管向所述驱动晶体管的输入电极传输通过所述数据线传输的数据电压；以及第三晶体管，包括连接到所述扫描线的栅电极、连接到所述驱动晶体管的输出电极的第一电极以及连接到所述驱动晶体管的栅电极的第二电极，
所述第三晶体管包括彼此串联连接并且在第三节点处彼此连接的两个晶体管，
所述第三节点形成在所述半导体层中，并且
所述叠置层、所述寄生电容器控制图案和所述半导体层的所述第三节点顺序地叠置。
19.根据权利要求18所述的有机发光二极管显示器，其中，所述寄生电容器控制图案施加有驱动电压。
20.根据权利要求18所述的有机发光二极管显示器，其中：
附加电容部分在所述第三节点附近形成在所述半导体层中，并且
所述叠置层与所述半导体层的所述第三节点和所述附加电容部分叠置。
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