CN110223724A - 一种nand flash的读操作方法和装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种NAND FLASH的读操作方法和装置，方法包括：读取选中字线的下一字线上的第一页数据和选中字线上的第二页数据；对选中字线进行读取电压补偿操作后，读取选中字线上的第三页数据；根据第一页数据、第二页数据以及第三页数据确定从选中字线读取的各数据。本发明实施例能补偿选中字线的下一字线上编程cell对选中字线上对应的cell阈值电压的影响，有效提高了读取数据的准确性。

Description

一种NAND FLASH的读操作方法和装置

技术领域

本发明涉及存储技术领域，特别是涉及一种NAND FLASH的读操作方法和一种NANDFLASH的读操作装置。

背景技术

NAND FLASH(闪存)是一种非易失存储器，NAND FLASH通过对cell(单元)进行读操作、写操作以及擦除操作来存储数据，具有改写速度快、存储容量大等优点，被广泛使用到电子产品中。

现有技术中，在对NAND FLASH进行读操作时，只是先加一个低电压到选中字线上，和加一个高电压到其它字线上，使其它字线上的cell处于导通状态，然后根据选中字线的导通状态来判断选中cell是擦除状态或者编程状态，以确定读取的数据是0还是1。

现有技术中的读操作方式还存在以下缺点：如果选中字线的下一字线上cell的数据是编程数据，该下一字线上编程cell的浮栅上会有很多负电荷(浮栅电势比较低)。这样有可能会使得选中字线上对应cell的浮栅电势下降，导致选中字线上对应cell的阈值电压比较大。若此时读操作仍然加同样的低电压到选中字线上，由于选中字线上对应cell的阈值电压已经偏移，会导致选中字线上对应cell的数据读取错误。因此，现有技术中的读操作方式读取数据的准确性很低。

发明内容

鉴于上述问题，本发明实施例的目的在于提供一种NAND FLASH的读操作方法和相应的一种NAND FLASH的读操作装置，以解决现有技术中的读操作方式读取数据的准确性低的问题。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种NAND FLASH的读操作方法，包括：

读取选中字线的下一字线上的第一页数据和所述选中字线上的第二页数据；

对所述选中字线进行读取电压补偿操作后，读取所述选中字线上的第三页数据；

根据所述第一页数据、所述第二页数据以及所述第三页数据确定从所述选中字线读取的各数据。

可选地，所述根据所述第一页数据、所述第二页数据以及所述第三页数据确定从所述选中字线读取的各数据，包括：

分别判断所述第一页数据中各数据的数据类型；

当所述数据的数据类型为编程数据时，将所述第三页数据中与所述编程数据对应的数据作为读取数据；

当所述数据的数据类型为擦除数据时，将所述第二页数据中与所述擦除数据对应的数据作为读取数据。

可选地，所述对所述选中字线进行读取电压补偿操作，包括：

对所述选中字线施加第一电压；所述第一电压等于第二电压加预设电压，所述第二电压为读取所述第二页数据时，施加在所述选中字线上的电压。

可选地，所述对所述选中字线进行读取电压补偿操作，包括：

对除所述选中字线之外的其它字线施加第三电压；所述第三电压等于第四电压加预设电压；所述第四电压为读取所述第二页数据时，施加在所述其它字线上的电压。

可选地，所述预设电压的电压范围为100mv-500mv。

本发明实施例的NAND FLASH的读操作方法包括以下优点：在读取选中字线的下一字线上的第一页数据和选中字线上的第二页数据后，对选中字线进行读取电压补偿操作，进而读取选中字线上的第三页数据，最后根据第一页数据、第二页数据以及第三页数据确定从选中字线读取的各数据。由于第三页数据是对选中字线进行读取电压补偿操作后读取的，这样，当选中字线的下一字线上的cell为编程cell时，即当选中字线的下一字线上的数据为编程数据时，将第三页数据中对应的数据作为读取数据，实现了降低甚至消除选中字线的下一字线上的数据为编程数据，对读取选中字线上对应cell的数据影响，从而极大地提高了读取选中字线上数据的准确性。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种NAND FLASH的读操作装置，包括：

第一数据读取模块，用于读取选中字线的下一字线上的第一页数据和所述选中字线上的第二页数据；

第二数据读取模块，用于对所述选中字线进行读取电压补偿操作后，读取所述选中字线上的第三页数据；

读取数据确定模块，用于根据所述第一页数据、所述第二页数据以及所述第三页数据确定从所述选中字线读取的各数据。

可选地，所述读取数据确定模块包括：

判断子模块，用于分别判断所述第一页数据中各数据的数据类型；

第一读取数据确定子模块，用于当所述数据的数据类型为编程数据时，将所述第三页数据中与所述编程数据对应的数据作为读取数据；

第二读取数据确定子模块，用于当所述数据的数据类型为擦除数据时，将所述第二页数据中与所述擦除数据对应的数据作为读取数据。

可选地，所述第二数据读取模块包括：

第一电压施加子模块，用于对所述选中字线施加第一电压；所述第一电压等于第二电压加预设电压，所述第二电压为读取所述第二页数据时，施加在所述选中字线上的电压。

可选地，所述第二数据读取模块包括：

第三电压施加子模块，用于对除所述选中字线之外的其它字线施加第三电压；所述第三电压等于第四电压加预设电压；所述第四电压为读取所述第二页数据时，施加在所述其它字线上的电压。

可选地，所述预设电压的电压范围为100mv-500mv。

本发明实施例的NAND FLASH的读操作装置包括以下优点：在第一数据读取模块读取选中字线的下一字线上的第一页数据和选中字线上的第二页数据后，第二数据读取模块对选中字线进行读取电压补偿操作，进而读取选中字线上的第三页数据，最后读取数据确定模块根据第一页数据、第二页数据以及第三页数据确定从选中字线读取的各数据。由于第三页数据是对选中字线进行读取电压补偿操作后读取的，这样，当选中字线的下一字线上的cell为编程cell时，即当选中字线的下一字线上的数据为编程数据时，将第三页数据中对应的数据作为读取数据，实现了降低甚至消除选中字线的下一字线上的数据为编程数据，对选中字线上对应cell的阈值电压影响，从而极大地提高了读取选中字线上数据的准确性。

附图说明

图1是本发明的一种NAND FLASH的读操作方法实施例的步骤流程图；

图2是本发明的一种NAND FLASH的读操作方法具体实施例的步骤流程图；

图3是本发明的另一种NAND FLASH的读操作方法具体实施例的步骤流程图；

图4是本发明的一种NAND FLASH的读操作装置实施例的结构框图；

图5是本发明的一种NAND FLASH的读操作装置具体实施例的结构框图；

图6是本发明的另一种NAND FLASH的读操作装置实施例的结构框图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

参照图1，其示出了本发明的一种NAND FLASH的读操作方法实施例的步骤流程图，具体可以包括如下步骤：

S1，读取选中字线的下一字线上的第一页数据和选中字线上的第二页数据。

其中，假设选中字线为WLN，则选中字线的下一字线为WL(N+1)，N为大于或等于0的整数。另外，选中字线的下一字线上各cell与选中字线上各cell一一对应，第一页数据中各数据与第二页数据中各数据一一对应。

具体地，步骤S1可以采用先有技术中的读操作方案读取选中字线的下一字线上的第一页数据和选中字线上的第二页数据。

S2，对选中字线进行读取电压补偿操作后，读取选中字线上的第三页数据。

具体地，若选中字线的下一字线上cell为编程cell，则该编程cell的浮栅电势会导致选中字线上对应cell的阈值电压变大，若不对选中字线进行读取电压补偿操作，则有可能无法正确读取选中字线上对应cell的数据。

在步骤S2对选中字线进行读取电压补偿操作后，即便选中字线的下一字线上cell为编程cell，由于步骤S2补偿了选中字线的下一字线上编程cell，对选中字线上对应cell阈值电压的影响，从而步骤S2可以正确读取选中字线上对应cell的数据。

具体地，第三页数据中各数据与第一页数据中各数据一一对应，第三页数据为对选中字线进行读取电压补偿操作后，选中字线上各cell存储的数据。

S3，根据第一页数据、第二页数据以及第三页数据确定从选中字线读取的各数据。

这样，选中字线读取的各数据由第一页数据、第二页数据以及对选中字线进行读取电压补偿操作后读取的第三页数据确定，而不是仅由第二页数据确定，有效提高了读取选中字线上数据的准确性。

可选地，在本发明的一个具体实施例中，参照图2和图3，步骤S3根据第一页数据、第二页数据以及第三页数据确定从选中字线读取的各数据，可以包括：

S31，分别判断第一页数据中各数据的数据类型。

其中，数据的数据类型可以为编程数据或擦除数据。

S32，当数据的数据类型为编程数据时，将第三页数据中与编程数据对应的数据作为读取数据。

具体地，当数据的数据类型为编程数据时，说明该编程数据对应的cell为编程cell，该编程cell对选中字线中对应cell的阈值电压有影响，而第三页数据中各数据为对选中字线进行读取电压补偿操作后读取的数据，将第三页数据中与编程数据对应的数据作为读取数据，实现降低甚至消除编程cell对读取选中字线中对应cell的数据影响，极大地提高了读取选中字线上数据的准确性。

S33，当数据的数据类型为擦除数据时，将第二页数据中与擦除数据对应的数据作为读取数据。

具体地，当数据的数据类型为擦除数据时，说明该擦除数据对应的cell为擦除cell，该擦除cell对选中字线中对应cell的阈值电压没有影响，此时将第二页数据中与擦除数据对应的数据作为读取数据即可。

可选地，在本发明的一个具体实施例中，参照图2，步骤S2对选中字线进行读取电压补偿操作，可以包括：

S21，对选中字线施加第一电压；第一电压等于第二电压加预设电压，第二电压为读取第二页数据时，施加在选中字线上的电压。

其中，步骤S21中预设电压可以根据实际情况进行设置，以使读取选中字线上数据的准确性最高或达到目标准确性为准。可选地，预设电压的电压范围可以为100mv-500mv。

通过步骤S21，可以增大选中字线的电压，以补偿选中字线的下一字线上编程cell对读取选中字线中对应cell的数据影响。

可选地，在本发明的另一个具体实施例中，参照图3，步骤S2对选中字线进行读取电压补偿操作，可以包括：

S22，对除选中字线之外的其它字线施加第三电压；第三电压等于第四电压加预设电压；第四电压为读取第二页数据时，施加在其它字线上的电压。

其中，步骤S22中预设电压可以根据实际情况进行设置，以使读取选中字线上数据的准确性最高或达到目标准确性为准。可选地，预设电压的电压范围可以为100mv-500mv。

通过步骤S22，可以增大除选中字线之外的其它字线的电压，以补偿选中字线的下一字线上编程cell对读取选中字线中对应cell的数据影响。

本发明实施例的NAND FLASH的读操作方法包括以下优点：在读取选中字线的下一字线上的第一页数据和选中字线上的第二页数据后，对选中字线进行读取电压补偿操作，进而读取选中字线上的第三页数据，最后根据第一页数据、第二页数据以及第三页数据确定从选中字线读取的各数据。由于第三页数据是对选中字线进行读取电压补偿操作后读取的，这样，当选中字线的下一字线上的cell为编程cell时，即当选中字线的下一字线上的数据为编程数据时，将第三页数据中对应的数据作为读取数据，实现了降低甚至消除选中字线的下一字线上的数据为编程数据，对读取选中字线上对应cell的数据影响，从而极大地提高了读取选中字线上数据的准确性。

需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。

参照图4，其示出了本发明的一种NAND FLASH的读操作装置实施例的结构框图，具体可以包括如下模块：

第一数据读取模块1，用于读取选中字线的下一字线上的第一页数据和选中字线上的第二页数据。

第二数据读取模块2，用于对选中字线进行读取电压补偿操作后，读取选中字线上的第三页数据。

读取数据确定模块3，用于根据第一页数据、第二页数据以及第三页数据确定从选中字线读取的各数据。

可选地，在本发明的一个具体实施例中，参照图5和图6，读取数据确定模块3可以包括：

判断子模块31，用于分别判断第一页数据中各数据的数据类型。

第一读取数据确定子模块32，用于当数据的数据类型为编程数据时，将第三页数据中与编程数据对应的数据作为读取数据。

第二读取数据确定子模块33，用于当数据的数据类型为擦除数据时，将第二页数据中与擦除数据对应的数据作为读取数据。

可选地，在本发明的一个具体实施例中，参照图5，第二数据读取模块2可以包括：

第一电压施加子模块21，用于对选中字线施加第一电压；第一电压等于第二电压加预设电压，第二电压为读取第二页数据时，施加在选中字线上的电压。

可选地，在本发明的另一个具体实施例中，参照图6，第二数据读取模块可以包括：

第三电压施加子模块22，用于对除选中字线之外的其它字线施加第三电压；第三电压等于第四电压加预设电压；第四电压为读取第二页数据时，施加在其它字线上的电压。

可选地，预设电压的电压范围可以为100mv-500mv。

本发明实施例的NAND FLASH的读操作装置包括以下优点：在第一数据读取模块读取选中字线的下一字线上的第一页数据和选中字线上的第二页数据后，第二数据读取模块对选中字线进行读取电压补偿操作后，进而读取选中字线上的第三页数据，最后读取数据确定模块根据第一页数据、第二页数据以及第三页数据确定从选中字线读取的各数据。由于第三页数据是对选中字线进行读取电压补偿操作后读取的，这样，当选中字线的下一字线上的cell为编程cell时，即当选中字线的下一字线上的数据为编程数据时，将第三页数据中对应的数据作为读取数据，实现了降低甚至消除选中字线的下一字线上的数据为编程数据，对读取选中字线上对应cell的数据影响，从而极大地提高了读取选中字线上数据的准确性。

对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

本领域内的技术人员应明白，本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上，使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种NAND FLASH的读操作方法和一种NAND FLASH的读操作装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种NAND FLASH的读操作方法，其特征在于，包括：

读取选中字线的下一字线上的第一页数据和所述选中字线上的第二页数据；

对所述选中字线进行读取电压补偿操作后，读取所述选中字线上的第三页数据；

根据所述第一页数据、所述第二页数据以及所述第三页数据确定从所述选中字线读取的各数据。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一页数据、所述第二页数据以及所述第三页数据确定从所述选中字线读取的各数据，包括：

分别判断所述第一页数据中各数据的数据类型；

当所述数据的数据类型为编程数据时，将所述第三页数据中与所述编程数据对应的数据作为读取数据；

当所述数据的数据类型为擦除数据时，将所述第二页数据中与所述擦除数据对应的数据作为读取数据。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述选中字线进行读取电压补偿操作，包括：

对所述选中字线施加第一电压；所述第一电压等于第二电压加预设电压，所述第二电压为读取所述第二页数据时，施加在所述选中字线上的电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述选中字线进行读取电压补偿操作，包括：

对除所述选中字线之外的其它字线施加第三电压；所述第三电压等于第四电压加预设电压；所述第四电压为读取所述第二页数据时，施加在所述其它字线上的电压。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述预设电压的电压范围为100mv-500mv。

6.一种NAND FLASH的读操作装置，其特征在于，包括：

第一数据读取模块，用于读取选中字线的下一字线上的第一页数据和所述选中字线上的第二页数据；

第二数据读取模块，用于对所述选中字线进行读取电压补偿操作后，读取所述选中字线上的第三页数据；

读取数据确定模块，用于根据所述第一页数据、所述第二页数据以及所述第三页数据确定从所述选中字线读取的各数据。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述读取数据确定模块包括：

判断子模块，用于分别判断所述第一页数据中各数据的数据类型；

第一读取数据确定子模块，用于当所述数据的数据类型为编程数据时，将所述第三页数据中与所述编程数据对应的数据作为读取数据；

第二读取数据确定子模块，用于当所述数据的数据类型为擦除数据时，将所述第二页数据中与所述擦除数据对应的数据作为读取数据。

8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第二数据读取模块包括：

第一电压施加子模块，用于对所述选中字线施加第一电压；所述第一电压等于第二电压加预设电压，所述第二电压为读取所述第二页数据时，施加在所述选中字线上的电压。

9.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第二数据读取模块包括：

第三电压施加子模块，用于对除所述选中字线之外的其它字线施加第三电压；所述第三电压等于第四电压加预设电压；所述第四电压为读取所述第二页数据时，施加在所述其它字线上的电压。

10.根据权利要求8或9所述的装置，其特征在于，所述预设电压的电压范围为100mv-500mv。