具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例,并不用于限定本发明。
实施例一
参照图1,示出了一种非易失存储器处理方法的流程图,具体可以包括如下步骤:
步骤101:获取非易失存储器中的当前数据编程状态。
本发明实施例中,非易失存储器中可以设置检测模块,通过检测模块可以获取非易失存储器中的当前数据编程状态。具体应用中,检测模块可以在每个编程脉冲完成后都进行一次当前数据编程状态的获取,使得每个编程脉冲完成后,都可以获知该非易失存储器的当前数据编程状态,以实现对非易失存储器的编程操作进行精确的控制;检测模块也可以在两个或多个编程脉冲完成后,进行一次当前数据编程状态的获取,间歇性获知该非易失存储器的当前数据编程状态,以降低检测操作对资源的占用,本发明实施例对获取非易失存储器中的当前数据编程状态的具体方式不做具体限定。
具体应用中,非易失存储器中的当前数据编程状态可以是:已经编程的数据的数量、或者未编程的数据的数量等,本领域技术人员可以根据实际应用场景进行设定,本发明实施例对当前数据编程状态的具体内容不做限定。
步骤102:根据所述当前数据编程状态,确定调节电压。
本发明实施例中,将对非易失存储器的数据编程过程作为一个动态可调的过程,根据非易失存储器中的当前数据编程状态可以确定调节电压。
具体应用中,可以根据当前数据编程状态与上一次获取的数据编程状态的对比情况,确定调节电压。例如,当前数据编程状态为已经编程的数据的数量,则可以根据当前的已编程的数据的数量,与上一次获取的已编程的数据的数量的对比情况,确定调节电压。具体来说,如果当前的已编程的数据的数量,远大于上一次获取的已编程的数据的数量,则说明当前的编程电压过大,编程速度过快,容易对非易失存储器的存储单元造成损伤,因此可以确定调节电压为负值,或者确定调节电压为零,即保持原有的编程电压不再增长。
具体应用中,还可以根据当前数据编程状态与需要编程的全部数据的对比情况,确定调节电压。例如,当前数据编程状态为已经编程的数据的数量,则可以根据当前的已编程的数据的数量,与需要编程的全部数据的对比情况,确定调节电压。具体来说,如果当前的已编程的数据的数量,远小于需要编程的全部数据的数量,则说明可以增大编程电压,加快编程速度,因此可以确定调节电压为正值。
可以理解,本领域技术人员还可以根据实际情况,采用其他方法通过当前数据编程状态,确定调节电压,本发明实施例对此不做具体限定。
步骤103:确定当前编程脉冲对应的第一电压。
本发明实施例中,当对非易失存储器进行编程操作时,每个编程脉冲会对应一个编程电压,将当前获取编程脉冲对应的电压值称为第一电压。
步骤104:根据所述调节电压和所述第一电压,确定下一编程脉冲对应的第二电压。
本发明实施例中,可以将调节电压和第一电压求和,得到第二电压。如果调节电压为正值,则第二电压大于第一电压;如果调节电压为负值,则第二电压小于第一电压;如果调节电压为零,则第二电压等于第一电压。可以理解,本领域技术人员可以对调节电压和第一电压进行其他的线性运算,得到第二电压,本发明实施例对确定下一编程脉冲对应的第二电压的方式不做具体限定。
步骤105:在所述下一编程脉冲中,根据所述第二电压进行编程操作。
本发明实施例中,在确定出第二电压后,在下一编程操作中,采用确定出的第二电压进行编程操作,因为该第二电压是符合当前非易失存储器编程状态的编程电压,因此能够实现对非易失存储器的可靠且高效的编程操作。
综上所述,本发明实施例中,首先获取非易失存储器中的当前数据编程状态,根据当前编程状态确定出调节电压,并确定当前编程脉冲对应的第一电压;然后根据当调节电压和第一电压,确定出下一编程脉冲对应的第二电压;即本发明实施例中,第二电压是根据当前的对非易失存储器的实际编程情况确定的,例如,在一次编程操作中,可以根据当前数据编程状态,将调节电压确定为较大的值,使得第二电压远大于第一电压,在下一编程脉冲中,根据第二电压进行编程操作可以提升编程效率;在另一次的编程中,可以根据当前数据编程状态,将调节电压确定为负值,使得第二电压小于第一电压,在下一编程脉冲中,根据第二电压进行编程操作可以减少对存储单元的损伤,提升存储单元可靠性;从而可以实现对非易失存储器的整个编程过程中,进行可靠且高效的编程操作。
实施例二
参照图2,示出了一种非易失存储器处理方法的具体流程图,具体可以包括如下步骤:
步骤201:获取非易失存储器中的当前数据编程状态;所述非易失存储器对应有初始编程脉冲电压差值。
本发明实施例中,可以设置非易失存储器的初始编程脉冲电压差值,该初始编程脉冲电压差值为:当调节电压为0时,每两个相邻的编程脉冲所对应的编程电压的差值。具体来说,当调节电压为0时,若上一个编程脉冲对应的编程电压为u0,当前编程脉冲对应的编程电压为u1,下一个编程脉冲对应的编程电压为u2,则u1减去u0的差值为该初始编程脉冲电压差值,u2减去u1的差值也为该初始编程脉冲电压差值。
步骤202:根据所述当前数据编程状态,确定调节电压。
作为本发明实施例的一种优选方案,所述当前数据编程状态包括:当前时刻已编程数据的第一数量,步骤202包括:
确定所述第一数量与第二数量的第一差值;所述第二数量为:第一时刻时所述非易失存储器中已编程数据的数量;所述第一时刻早于所述当前时刻;若所述第一差值小于第一阈值,确定调节电压为正值;若所述第一差值大于第一阈值,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零;若所述第一差值等于所述第一阈值,确定调节电压为正值,或,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零。
本发明实施例中,非易失存储器可以设置存储位置,并在该存储位置对每次获取的已编程数据的时刻和数量进行保存。在获取当前已编程数据的第一数量后,可以对该获取该第一数量的时刻,以及该第一数量在存储位置进行存储,并从存储位置取出第一时刻时所获取的非易失存储器中已编程数据的第二数量,该第一时刻早于当前时刻,可以是最接近当前时刻的上一获取已编程数据数量的时刻,也可以是任一早于当前时刻的时刻,本发明实施例对第一时刻的具体值不做限定。
具体应用中,确定当前已编程数据的第一数量,与第一时刻时非易失存储器中已编程数据的第二数量的差为第一差值,如果第一差值小于第一阈值,则说明当前已编程数据的数量,与第一时刻已编程数据的数量相差不大,则可以判定当前的编程效率较低,因此,可以将调节电压确定为正值;如果第一差值大于第一阈值,则说明当前已编程数据的数量,与第一时刻已编程数据的数量相差较大,则可以判定当前的编程速度较快,因此,可以将调节电压确定为负值,或者可以将调节电压确定为零;如果第一差值等于第一阈值,则本领域技术人员可以根据实际场景,确定调节电压为正值,或,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零,本发明实施例对此不作具体限定。该第一阈值的计量单位可以和第一数量、第二数量的计量单位保持一致,例如计量单位统一设定为比特、字节、双字节、个等,第一阈值的具体值可以根据实际的应用场景进行设定,例如,在对非易失存储器编程效率要求较高时,可以将第一阈值设定为较小的值,在对非易失存储器的性能可靠性要求较高时,可以将第一阈值设定为较大的值,本发明实施例对第一阈值不做具体限定。
作为本发明实施例的另一种优选方案,所述当前数据编程状态包括:当前时刻未编程数据的第三数量,步骤202包括:
确定所述第三数量与第四数量的第二差值;所述第三数量为:第二时刻时所述非易失存储器中未编程数据的数量;所述第二时刻早于所述当前时刻;若所述第二差值大于第二阈值,确定调节电压为正值;若所述第二差值小于第二阈值,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零;若所述第二差值等于所述第二阈值,确定调节电压为正值,或,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零。
本发明实施例中,非易失存储器可以设置存储位置,并在该存储位置对每次获取的已编程数据的时刻和数量进行保存。在获取当前未编程数据的第三数量后,可以对该获取该第三数量的时刻,以及该第三数量在存储位置进行存储,并从存储位置取出第二时刻时所获取的非易失存储器中已编程数据的第四数量,该第二时刻早于当前时刻,可以是最接近当前时刻的上一获取已编程数据数量的时刻,也可以是任一早于当前时刻的时刻,本发明实施例对第二时刻的具体值不做限定。
具体应用中,确定当前未编程数据的第三数量,与第二时刻时非易失存储器中未编程数据的第四数量的差为第二差值,因为未编程数据的数量会存着编程操作的进行不断减小,因此通常情况下,第二差值为负值;如果第二差值大于第二阈值,则说明当前未编程数据的数量,与第二时刻未编程数据的数量相差不大,则可以判定当前的编程效率较低,因此,可以将调节电压确定为正值;如果第二差值小于第二阈值,则说明当前未编程数据的数量,与第二时刻未编程数据的数量相差较大,则可以判定当前的编程速度较快,因此,可以将调节电压确定为负值,或者可以将调节电压确定为零;如果第二差值等于第二阈值,则本领域技术人员可以根据实际场景,确定调节电压为正值,或,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零,本发明实施例对此不作具体限定。该第二阈值可以设定为负值,第二阈值的计量单位可以和第三数量、第四数量的计量单位保持一致,例如计量单位统一设定为比特、字节、双字节、个等,第二阈值的具体值可以根据实际的应用场景进行设定,例如,在对非易失存储器编程效率要求较高时,可以将第二阈值设定为较大的负值,在对非易失存储器的性能可靠性要求较高时,可以将第二阈值设定为较小的负值,本发明实施例对第二阈值不做具体限定。
可以理解,本发明实施例中,还可以设定第二阈值为正值,根据第二差值的绝对值与第二阈值的大小关系,确定调节电压,如果第二差值的绝对值小于第二阈值,则说明当前未编程数据的数量,与第二时刻未编程数据的数量相差不大,则可以判定当前的编程效率较低,因此,可以将调节电压确定为正值;如果第二差值的绝对值大于第二阈值,则说明当前未编程数据的数量,与第二时刻未编程数据的数量相差较大,则可以判定当前的编程速度较快,因此,可以将调节电压确定为负值。本发明实施例对此不做具体限定。
作为本发明实施例的另一种优选方案,所述当前数据编程状态包括:当前时刻已编程数据的第五数量,步骤202包括:
确定所述第五数量与数据总量的第一比值,所述数据总量为所述非易失存储器中初始待编程数据的数据总量;若所述第一比值小于第三阈值,确定调节电压为正值;若所述第一比值大于第三阈值,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零;若所述第一比值等于所述第三阈值,确定调节电压为正值,或,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零。
本发明实施例中,非易失存储器在初始进行编程时,可以确定需要编程的数据总量,在获取当前已编程数据的第五数量后,可以确定第五数量与数据总量的第一比值。
具体应用中,如果第一比值小于第三阈值,则说明当前已编程数据的数量,在总的需要编程的数据中占比较小,则可以判定当前的编程效率较低,因此,可以将调节电压确定为正值;如果第一比值大于第三阈值,则说明当前已编程数据的数量,在总的需要编程的数据中占比较大,则可以判定当前的编程速度较快,因此,可以将调节电压确定为负值,或者可以将调节电压确定为零;如果第一比值等于第三阈值,则本领域技术人员可以根据实际场景,确定调节电压为正值,或,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零,本发明实施例对此不作具体限定。该第三阈值的具体值可以根据实际的应用场景进行设定,例如,在对非易失存储器的编程效率要求较高时,可以将第三阈值设定为较小的值,在对非易失存储器的性能可靠性要求较高时,可以将第三阈值设定为较大的值,本发明实施例对第三阈值不做具体限定。
作为本发明实施例的另一种优选方案,所述当前数据编程状态包括:当前时刻未编程数据的第六数量,步骤202包括:
确定所述第六数量与数据总量的第二比值,所述数据总量为所述非易失存储器中初始待编程数据的数据总量;若所述第二比值大于第四阈值,确定调节电压为正值;若所述第二比值小于第四阈值,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零;若所述第二比值等于所述第四阈值,确定调节电压为正值,或,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零。
本发明实施例中,非易失存储器在初始进行编程时,可以确定需要编程的数据总量,在获取当前未编程数据的第六数量后,可以确定第六数量与数据总量的第二比值。
具体应用中,如果第二比值大于第四阈值,则说明当前未编程数据的数量,在总的需要编程的数据中占比较大,则可以判定当前的编程效率较低,因此,可以将调节电压确定为正值;如果第二比值小于第四阈值,则说明当前未编程数据的数量,在总的需要编程的数据中占比较小,则可以判定当前的编程速度较快,因此,可以将调节电压确定为负值,或者可以将调节电压确定为零;如果第二比值等于第四阈值,则本领域技术人员可以根据实际场景,确定调节电压为正值,或,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零,本发明实施例对此不作具体限定。该第四阈值的具体值可以根据实际的应用场景进行设定,例如,在对非易失存储器的编程效率要求较高时,可以将第四阈值设定为较小的值,在对非易失存储器的性能可靠性要求较高时,可以将第四阈值设定为较大的值,本发明实施例对第四阈值不做具体限定。
可以理解,在实际应用中,本领域技术人员还可以根据实际的应用场景,预先设定已编程数据数量的阈值,在获取非易失存储器当前的已编程数据数量后,如果当前的已编程数据数量小于给预先设定的已编程数据数量的阈值,则可以判定当前的编程效率较低,因此,可以将调节电压确定为正值;如果当前的已编程数据数量大于给预先设定的已编程数据数量的阈值,则可以判定当前的编程速度较快,因此,可以将调节电压确定为负值,或者可以将调节电压确定为零;如果当前的已编程数据数量等于给预先设定的已编程数据数量的阈值,则本领域技术人员可以根据实际场景,确定调节电压为正值,或,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零,本发明实施例对此不作具体限定。
在实际应用中,本领域技术人员还可以根据实际的应用场景,预先设定未编程数据数量的阈值,在获取非易失存储器当前的未编程数据数量后,如果当前的未编程数据数量大于给预先设定的已编程数据数量的阈值,则可以判定当前的编程效率较低,因此,可以将调节电压确定为正值;如果当前的未编程数据数量小于给预先设定的已编程数据数量的阈值,则可以判定当前的编程速度较快,因此,可以将调节电压确定为负值,或者可以将调节电压确定为零;如果当前的未编程数据数量等于给预先设定的已编程数据数量的阈值,则本领域技术人员可以根据实际场景,确定调节电压为正值,或,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零,本发明实施例对此不作具体限定。
步骤203:确定当前编程脉冲对应的第一电压。
步骤204:根据所述调节电压,调整所述初始编程脉冲电压差值,得到实际调整电压差值。
步骤205:根据所述第一电压和所述实际调整电压差值,确定下一编程脉冲对应的第二电压。
本发明实施例中,在非易失存储其中可以设置电压调整模块,该电压调整模块可以调整初始编程脉冲电压差值。具体应用中,可以将调节电压与初始编程脉冲电压差值的和,确定为实际调整电压差值。例如,如果调节电压是正值,则确定实际调整电压差值为大于初始编程脉冲电压差值的值;如果调节电压是负值,则确定实际调整电压差值为小于初始编程脉冲电压差值的值;如果调节电压是零,则确定实际调整电压差值为等于初始编程脉冲电压差值的值。即本发明实施例中,实际调整电压差值不是固定的值,是根据当前的数据编程状态确定的、动态变化的值。
在确定出实际调整电压差值后,可以将实际调整电压差值与第一电压的和,作为第二电压,可以理解,本领域技术人员可以对实际调整电压差值和第一电压进行其他的线性运算,得到第二电压,本发明实施例对确定下一编程脉冲对应的第二电压的方式不做具体限定。
本发明实施例中,通过调整非易失存储器的初始编程脉冲电压差值,确定出下一编程脉冲对应的第二电压,可以通过在非易失存储器中简单的设置逻辑模块,由逻辑模块根据调节电压调整初始编程脉冲电压差值实现,调节方式简单,易于实现。
作为本发明实施例的另一种优选方案,所述非易失存储器对应有初始编程电压,和,初始编程脉冲电压差值;步骤204和步骤205可以替换为:
步骤A1:根据所述调节电压,确定初始编程电压调整值。
步骤A2:根据所述第一电压、所述初始编程电压调整值和所述初始编程脉冲电压差值,确定下一编程脉冲对应的第二电压。
本发明实施例中,可以设置非易失存储器的初始编程电压和初始编程脉冲电压差值,使得当调节电压为0时,各编程脉冲对应的编程电压是通过将初始编程电压,与一个或多个初始编程脉冲电压差值进行求和得到,且每两个相邻的编程脉冲所对应的编程电压的差值为初始编程脉冲电压差值。
具体应用中,在非易失存储其中可以设置电压调整模块,该电压调整模块可以调整初始编程电压。具体来说,可以将调节电压确定为初始编程电压调整值。根据该初始编程电压调整值,可以调整初始编程电压,即本发明实施例中,实际的初始编程电压不是固定的值,是根据当前的数据编程状态确定的、动态变化的值。
在确定出初始编程电压调整值后,可以将初始编程电压调整值、第一电压、及初始编程脉冲电压差值进行求和,得到第二电压,可以理解,本领域技术人员可以对初始编程电压调整值、第一电压、及初始编程脉冲电压差值进行其他的线性运算,得到第二电压,本发明实施例对确定下一编程脉冲对应的第二电压的方式不做具体限定。
本发明实施例中,通过调整非易失存储器的初始编程电压,确定出下一编程脉冲对应的第二电压,可以通过在非易失存储器中简单的设置逻辑模块,由逻辑模块根据调节电压调整初始编程电压实现;也可以通过在非易失存储器中设置初始编程电压梯度选项,不同的梯度选项对应不同的初始编程电压值,通过控制梯度选项实现对初始编程电压的调整,本发明实施例对此不做具体限定。
可以理解,作为本发明实施例的另一种优选实施方式,还可以在非易失存储中设置电压调整模块,该电压调整模块既可以实现对初始编程电压的调整,也可以实现对初始编程脉冲电压差值的调整,通过同时对初始编程电压的初始编程脉冲电压差值的调整,确定出第二电压,本发明实施例对此不作具体限定。
步骤206:在所述下一编程脉冲中,根据所述第二电压进行编程操作。
综上所述,本发明实施例中,首先获取非易失存储器中的当前数据编程状态,根据当前编程状态确定出调节电压,并确定当前编程脉冲对应的第一电压;然后根据当调节电压和第一电压,确定出下一编程脉冲对应的第二电压;即本发明实施例中,第二电压是根据当前的对非易失存储器的实际编程情况确定的,例如,在一次编程操作中,可以根据当前数据编程状态,将调节电压确定为较大的值,使得第二电压远大于第一电压,在下一编程脉冲中,根据第二电压进行编程操作可以提升编程效率;在另一次的编程中,可以根据当前数据编程状态,将调节电压确定为负值,使得第二电压小于第一电压,在下一编程脉冲中,根据第二电压进行编程操作可以减少对存储单元的损伤,提升存储单元可靠性;从而可以实现对非易失存储器的整个编程过程中,进行可靠且高效的编程操作。
需要说明的是,对于前述的方法实施例,为了简单描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本发明并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本发明,某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施例均属于优选实施例,所涉及的动作并不一定是本发明所必需的。
实施例三
参照图3,示出了一种非易失存储器处理装置的框图,该装置具体可以包括:
当前数据编程状态获取模块310,用于获取非易失存储器中的当前数据编程状态;
调节电压确定模块320,用于根据所述当前数据编程状态,确定调节电压;
第一电压确定模块330,用于确定当前编程脉冲对应的第一电压;
第二电压确定模块340,用于根据所述调节电压和所述第一电压,确定下一编程脉冲对应的第二电压;
编程模块350,用于在所述下一编程脉冲中,根据所述第二电压进行编程操作。
优选地,参照图4,在图3的基础上,上述装置还可以包括:
较佳地,所述非易失存储器对应有初始编程脉冲电压差值;所述第二电压确定模块340包括:
第二电压确定第一子模块3401,用于根据所述调节电压,调整所述初始编程脉冲电压差值,得到实际调整电压差值;根据所述第一电压和所述实际调整电压差值,确定下一编程脉冲对应的第二电压。
较佳地,所述非易失存储器对应有初始编程电压,和,初始编程脉冲电压差值;所述第二电压确定模块340包括:
第二电压确定第二子模块,用于根据所述调节电压,确定初始编程电压调整值;根据所述第一电压、所述初始编程电压调整值和所述初始编程脉冲电压差值,确定下一编程脉冲对应的第二电压。
较佳地,所述当前数据编程状态包括:当前时刻已编程数据的第一数量,所述调节电压确定模块320包括:
第一调节电压确定子模块3201,用于确定所述第一数量与第二数量的第一差值;所述第二数量为:第一时刻时所述非易失存储器中已编程数据的数量;所述第一时刻早于所述当前时刻;若所述第一差值小于第一阈值,确定调节电压为正值;若所述第一差值大于第一阈值,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零;若所述第一差值等于所述第一阈值,确定调节电压为正值,或,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零。
较佳地,所述当前数据编程状态包括:当前时刻未编程数据的第三数量,所述调节电压确定模块320包括:
第二调节电压确定子模块3202,用于确定所述第三数量与第四数量的第二差值;所述第三数量为:第二时刻时所述非易失存储器中未编程数据的数量;所述第二时刻早于所述当前时刻;若所述第二差值大于第二阈值,确定调节电压为正值;若所述第二差值小于第二阈值,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零;若所述第二差值等于所述第二阈值,确定调节电压为正值,或,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零。
较佳地,所述当前数据编程状态包括:当前时刻已编程数据的第五数量,所述调节电压确定模块320包括:
第三调节电压确定子模块3203,用于确定所述第五数量与数据总量的第一比值,所述数据总量为所述非易失存储器中初始待编程数据的数据总量;若所述第一比值小于第三阈值,确定调节电压为正值;若所述第一比值大于第三阈值,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零;若所述第一比值等于所述第三阈值,确定调节电压为正值,或,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零。
较佳地,所述当前数据编程状态包括:当前时刻未编程数据的第六数量,所述调节电压确定模块320包括:
第四调节电压确定子模块3204,用于确定所述第六数量与数据总量的第二比值,所述数据总量为所述非易失存储器中初始待编程数据的数据总量;若所述第二比值大于第四阈值,确定调节电压为正值;若所述第二比值小于第四阈值,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零;若所述第二比值等于所述第四阈值,确定调节电压为正值,或,确定调节电压为负值,或,确定调节电压为零。
综上所述,本发明实施例中,首先获取非易失存储器中的当前数据编程状态,根据当前编程状态确定出调节电压,并确定当前编程脉冲对应的第一电压;然后根据当调节电压和第一电压,确定出下一编程脉冲对应的第二电压;即本发明实施例中,第二电压是根据当前的对非易失存储器的实际编程情况确定的,例如,在一次编程操作中,可以根据当前数据编程状态,将调节电压确定为较大的值,使得第二电压远大于第一电压,在下一编程脉冲中,根据第二电压进行编程操作可以提升编程效率;在另一次的编程中,可以根据当前数据编程状态,将调节电压确定为负值,使得第二电压小于第一电压,在下一编程脉冲中,根据第二电压进行编程操作可以减少对存储单元的损伤,提升存储单元可靠性;从而可以实现对非易失存储器的整个编程过程中,进行可靠且高效的编程操作。
对于装置实施例而言,由于其与方法实施例基本相似,所以描述的比较简单,相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
本领域内的技术人员应明白,本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此,本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且,本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
在一个典型的配置中,所述计算机设备包括一个或多个处理器(CPU)、输入/输出接口、网络接口和内存。内存可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器,随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式,如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)。内存是计算机可读介质的示例。计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括,但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能光盘(DVD)或其他光学存储、磁盒式磁带,磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质,可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定,计算机可读介质不包括非持续性的电脑可读媒体(transitory media),如调制的数据信号和载波。
本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程非易失存储器处理终端设备的处理器以产生一个机器,使得通过计算机或其他可编程非易失存储器处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程非易失存储器处理终端设备以特定方式工作的计算机可读存储器中,使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品,该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程非易失存储器处理终端设备上,使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理,从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明实施例的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
最后,还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种非易失存储器处理方法和一种非易失存储器处理装置,进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。