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CN109937117B - 晶片的边缘抛光装置及方法 - Google Patents

晶片的边缘抛光装置及方法 Download PDF

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CN109937117B CN201780069895.6A CN201780069895A CN109937117B CN 109937117 B CN109937117 B CN 109937117B CN 201780069895 A CN201780069895 A CN 201780069895A CN 109937117 B CN109937117 B CN 109937117B
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Abstract

本发明的技术问题在于提供一种边缘抛光装置，其具备对于附着在卡盘工作台上的浆料残渣的清洗效果高的清洗机构。解决方案为：边缘抛光装置(1)具备：卡盘工作台(10)，吸附保持晶片(W)；旋转驱动机构，使卡盘工作台(10)旋转；边缘抛光单元(20)，一边将浆料供给至以被卡盘工作台(10)吸附保持的状态旋转的晶片(W)，一边抛光晶片的边缘；及清洗单元(50)，去除卡盘工作台(10)上的浆料残渣。清洗单元(50)包含清洗头(52)，所述清洗头(52)具备高压喷射喷嘴及包围该高压喷射喷嘴的周围的刷子，使用清洗头(52)对卡盘工作台(10)进行高压清洗的同时进行刷子清洗。

Description

晶片的边缘抛光装置及方法
技术领域
本发明涉及一种晶片的边缘抛光装置及方法，尤其涉及一种抛光加工时吸附保持晶片的背面的卡盘工作台的清洗机构。
背景技术
作为半导体器件的基板材料广泛使用硅晶片。硅晶片通过对单晶硅锭依次进行外周磨削、切片、研磨(lapping)、蚀刻、双面抛光、单面抛光、清洗等工序来制造。尤其在最近，为了制成除了晶片的正面和背面这两面以外，连边缘上也没有损伤缺陷的状态，在进行晶片的双面抛光之后进行边缘抛光正在成为主流。专利文献1中记载了能够同时对正面和背面这两面侧的端面和外周表面进行抛光加工的工件外周部的抛光装置。
在晶片的边缘抛光工序中，附着在吸附保持晶片的卡盘工作台上的浆料残渣成为问题。残留在卡盘工作台上的磨粒成为损伤晶片背面的原因，这是因为，若在卡盘工作台上残留有磨粒的状态下夹持晶片的背面，则会在该背面产生损伤缺陷。如上述那样，在进行双面抛光之后进行边缘抛光的情况下，在进行了边缘抛光工序之后只有仅抛光晶片表面的单面抛光工序，而没有改善晶片背面的品质的机会，因此在边缘抛光工序中产生的晶片背面的损伤缺陷尤其成为问题。
为了解决上述问题，期望去除附着在卡盘工作台上的浆料残渣。关于卡盘工作台的清洗方法，例如专利文献2中记载了一种吸附支承面的清洗装置，该吸附支承面的清洗装置通过将纯水等清洗液以高压从喷嘴向半导体晶片加工机的载板的卡盘面(吸附支承面)喷射来清洗卡盘面。在该清洗装置中，吸附支承面朝向下方，被高压清洗液击出的杂质和清洗液一起落下，因此附着在吸附支承面的杂质不用刷子擦拭而被去除。根据专利文献2所记载的清洗装置，能够消除一边用低压水冲洗卡盘面一边用刷子清洗的现有技术的清洗力不足，并且能够解决无法去除比刷子的毛更细小的杂质的问题或杂质只是在卡盘面上移动而不会被去除的问题。
并且，在专利文献3中记载了一种晶片倒角装置，其具备清洗卡盘工作台的上表面的工作台清洗单元。工作台清洗单元由排列在一直线上的清洗液喷嘴、气体喷嘴及清洗刷子构成，在从清洗喷嘴喷射清洗液的状态下，工作台清洗单元沿着卡盘工作台的上表面往复移动，由此清洗刷子在卡盘工作台的上表面滑动，因此能够对卡盘工作台的上表面进行冲洗及刷子清洗。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-297842号公报
专利文献2：日本特开平10-256199号公报
专利文献3：日本特开2000-138191号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
然而，专利文献2中记载的将高压的清洗液喷射到吸附支承面来进行清洗的清洗方法，在吸附支承面朝向下方的情况下是有效的，但在吸附支承面朝向上方的情况下，存在仅是浆料残渣的位置稍微移动的程度而无法充分地去除浆料残渣的问题。并且，专利文献3中记载的清洗方法是对卡盘工作台的上表面进行冲洗及刷子清洗的清洗方法，但是，因为清洗液喷嘴及清洗刷子排列在一直线上，并且通过在与它们的排列方向垂直的方向上使清洗刷子往复移动来进行刷子清洗，因此存在去除堆积在圆形的卡盘工作台的外周部的浆料残渣的效果小的问题。
因此，本发明的目的在于提供一种使用对附着在卡盘工作台上的浆料残渣的清洗效果高的清洗机构的晶片的边缘抛光装置及方法。
用于解决技术问题的方案
为了解决上述技术问题，本发明的晶片的边缘抛光装置，其特征在于，具备：卡盘工作台，吸附保持晶片；旋转驱动机构，使所述卡盘工作台旋转；边缘抛光单元，一边将浆料供给至以被所述卡盘工作台吸附保持的状态旋转的晶片，一边抛光所述晶片的边缘；及清洗单元，去除所述卡盘工作台上的浆料残渣，所述清洗单元包含清洗头，所述清洗头具备高压喷射喷嘴及以包围该高压喷射喷嘴的周围的方式设置的刷子，使用所述清洗头对所述卡盘工作台进行高压清洗的同时进行刷子清洗。
根据本发明，一边喷射高压水来击出卡盘工作台上的浆料残渣，一边用刷子扫出，由此能够扫除浆料残渣，从而能够提高浆料残渣的去除率。并且，由于将高压水封闭在包围的刷子的室内的同时扫除浆料残渣，因此能够防止高压水飞散的同时，效率良好地清洗卡盘工作台。因此，能够防止在晶片的边缘抛光加工时晶片的背面受到损伤。
在本发明中，优选所述清洗单元还包括使所述清洗头在所述卡盘工作台的径向上往复移动的清洗头移动机构。如此通过使清洗头往复移动而能够提高卡盘工作台上的浆料残渣的清洗效果。
在本发明中，优选所述卡盘工作台设置于加工室内，所述清洗头移动机构在边缘抛光工序中使所述清洗头退避到所述加工室的外侧，而在清洗工序中使所述清洗头进入到所述加工室内。此时，优选将所述晶片送到所述加工室内的所述卡盘工作台上的晶片运入口兼作所述清洗头进入所述加工室内的进入口。由此能够通过简单的结构来实现卡盘工作台的清洗机构。
在本发明中，优选被所述边缘抛光单元抛光的晶片为已通过双面抛光工序实施了正面和背面这两面的抛光的晶片。对晶片进行双面抛光后进行边缘抛光的情况下，在边缘抛光后不存在抛光晶片背面的工序，因此需要防止晶片背面的损伤缺陷的产生，但是根据本发明，在边缘抛光工序中能够降低晶片背面的损伤缺陷的产生率，因此能够提高在背面没有损伤缺陷的最终晶片产品的制造成品率。
在本发明中，优选所述卡盘工作台真空吸附所述晶片。在这样的结构的边缘抛光装置中，由于卡盘工作台上的浆料残渣的问题大，因此本发明的效果也明显。
并且，基于本发明的晶片的边缘抛光方法，其特征在于，具备：边缘抛光工序，一边将浆料供给至以被卡盘工作台吸附保持的状态旋转的晶片，一边抛光所述晶片的边缘；及清洗工序，去除所述卡盘工作台上的浆料残渣，在所述清洗工序中，使用清洗头对所述卡盘工作台同时进行高压清洗及刷子清洗，在所述清洗头上以包围高压喷射喷嘴的周围的方式设置有刷子。
根据本发明，一边喷射高压水来击出卡盘工作台上的浆料残渣，一边用刷子扫出，由此能够扫除浆料残渣，从而能够提高浆料残渣的去除率。并且，由于将高压水封闭在包围的刷子的室内的同时扫除浆料残渣，因此能够防止高压水飞散的同时，效率良好地清洗卡盘工作台。因此，能够防止在晶片的边缘抛光加工时晶片的背面受到损伤。
在所述清洗工序中，优选使所述清洗头在所述卡盘工作台的径向上往复移动。如此通过使清洗头往复移动而能够提高卡盘工作台上的浆料残渣的清洗效果。
在本发明中，优选所述卡盘工作台设置于加工室内，所述清洗头在所述边缘抛光工序中退避到加工室的外侧，而在所述清洗工序中进入到所述加工室内。此时，优选将所述晶片送入所述加工室内的所述卡盘工作台上的晶片运入口兼作所述清洗头进入所述加工室内的进入口。由此能够通过简单的结构实现卡盘工作台的清洗机构。
在本发明中，优选所述边缘抛光工序通过所述卡盘工作台真空吸附所述晶片。在这样的边缘抛光方法中，由于卡盘工作台上的浆料残渣的问题大，所以本发明的效果也明显。
在本发明中，优选所述边缘抛光工序是在抛光所述晶片的正面和背面这两面的双面抛光工序之后进行，进一步优选所述边缘抛光工序是在仅对所述晶片的表面进行镜面加工的单面抛光工序之前进行。对晶片进行双面抛光后进行边缘抛光的情况下，在边缘抛光后不存在抛光晶片背面的工序，因此需要防止晶片背面的损伤缺陷的产生，但是，根据本发明，在边缘抛光工序中能够降低晶片背面的损伤缺陷的产生率，因此能够提高在背面没有损伤缺陷的最终晶片产品的制造成品率。
发明效果
根据本发明，能够提供使用残留在卡盘工作台上的浆料残渣的清洗效果得到提高的清洗机构的晶片的边缘抛光装置及方法。
附图说明
图1为表示基于本发明的实施方式的晶片的边缘抛光装置的结构及待机状态的概略剖视图。
图2为表示基于本发明的实施方式的晶片的边缘抛光装置的结构及卡盘工作台的清洗状态的概略剖视图。
图3为表示基于本发明的实施方式的晶片的边缘抛光装置的结构及边缘抛光状态的概略剖视图。
图4为概略地表示边缘抛光单元20的旋转头21的结构的一例的侧面图。
图5为概略地表示边缘抛光头35的结构的一例的图，图5(a)～图5(c)为侧面剖视图，图5(d)为俯视图。
图6为用于说明安装在加工室40内的清洗臂51的动作的俯视图。
图7为表示清洗头52的结构的图，图7(a)为侧面剖视图，图7(b)为俯视图。
图8为说明在边缘抛光工序中浆料残渣堆积在卡盘工作台上的机理的示意图。
图9为说明用清洗单元50进行的浆料残渣的清洗方法的示意图。
图10为表示伴随晶片的加工数量(垫使用期)的增加的晶片背面的损伤缺陷数量的变化的图表。
具体实施方式
以下，参考附图详细说明本发明的优选实施方式。
图1～图3为表示基于本发明的实施方式的晶片的边缘抛光装置的结构的概略剖视图，尤其图1表示卡盘工作台处于下降位置的待机状态，图2表示卡盘工作台的清洗状态，图3表示边缘抛光状态。
如图1～图3所示，该边缘抛光装置1具备：吸附保持晶片的背面的卡盘工作台10、配置于卡盘工作台10上方的边缘抛光单元20及清洗卡盘工作台10的清洗单元50。卡盘工作台10及边缘抛光单元20设置在被上侧侧罩41及下侧侧罩42包围的加工室40内，但清洗单元50设置在加工室40的外侧。
作为加工对象的晶片W例如为硅晶片，是对用CZ法制造的单晶硅锭施加了外周磨削、切片、研磨、蚀刻及双面抛光的晶片。通常，双面抛光工序是在将晶片收纳于载体中的状态下进行，因此，在进行双面抛光时晶片的端面经由浆料而与载体的晶片装填孔的内周面碰撞，双面抛光后的晶片的端面与正面和背面相比较粗糙，并且存在较多的损伤缺陷。但是，在双面抛光工序之后进行边缘抛光工序的情况下，能够充分地去除在双面抛光工序中产生的晶片端面的损伤缺陷，并且在最终晶片产品中，不仅正面和背面这两面还能够提高端面的品质。
卡盘工作台10是在树脂制的卡盘工作台主体10a的上表面贴附卡盘垫10b而成的，卡盘垫10b的上表面构成晶片W的吸附支承面。卡盘垫10b由无纺布、发泡树脂、绒面革等不损伤晶片W的材料构成。并且，在卡盘工作台10的上表面形成有多个通气孔，通气孔与引导负压空气的真空通道连接。载置于卡盘工作台10的上表面的晶片W被供给于通气孔的负压空气真空吸附保持。
卡盘工作台10被固定在旋转轴11的上端部，旋转轴11经由轴承14被设在支承台12上的底座13支承为旋转自如，并与设置于支承台12下方的马达15连结。由此，卡盘工作台10与旋转轴11一起被马达15旋转驱动。如此，旋转轴11及马达15构成使卡盘工作台10旋转的旋转驱动机构。
并且，在底座13内设置有用于升降驱动卡盘工作台10的马达16，卡盘工作台10和旋转轴11及底座13一起被升降驱动。图1及图2的卡盘工作台10处于下降位置(退避位置)，并且图3的卡盘工作台10处于上升位置。
构成加工室40的上侧侧罩41经由升降臂43与缸体44连接，缸体44将上侧侧罩41抬起从而使加工室40开放。如图2所示，从因抬起上侧侧罩41而在与下侧侧罩42之间形成的晶片运入口46将作为加工对象的晶片W送入加工室40内，并载置在卡盘工作台10上。
清洗单元50具备：清洗臂51、设置于清洗臂51的末端部的清洗头52、与清洗臂51的基端部连接的旋转轴53及旋转驱动旋转轴53的马达54，清洗臂51具有在加工室40内进退自如的结构。
本实施方式中，清洗单元50的清洗臂51构成为从晶片运入口46进入加工室40内。进行晶片W的边缘抛光工序时，清洗臂51退避到加工室40的外侧，但进行卡盘工作台10的清洗工序时，清洗臂51进入加工室40内并进行清洗动作。如此，马达54及旋转轴53构成清洗头移动机构，所述清洗头移动机构不仅使清洗头52在卡盘工作台10的径向上往复移动，还在边缘抛光工序中使清洗头52退避到加工室40的外侧，并且在清洗工序中使清洗头进入加工室40内，能够利用设置在加工室40的已有的出入口而使清洗臂51进入加工室40内。
边缘抛光单元20具备：旋转头21、将旋转头21支承为旋转自如的中空轴22及旋转驱动中空轴22的马达23。在中空轴22的内部组装有供给浆料的供给管，其构成为将浆料供给至晶片W的表面的中心部。而且，抛光加工中使用的浆料，从设置于加工室40的倾斜底面的下端的浆料排出口45排出并回收。
图4为概略地表示边缘抛光单元20的旋转头21的结构的一例的侧面图。
旋转头21由上侧环31、在上侧环31的下方与上侧环31平行地设置的环状下侧环32及连结上侧环31和下侧环32的多个连结杆33构成，在上侧环31和下侧环32之间形成有抛光空间21S，在抛光空间21S内加工晶片W。下侧环32的开口直径大于作为加工对象的晶片W的直径(例如450mm)，通过使卡盘工作台10上升，能够使卡盘工作台10上的晶片W通过下侧环32的开口而进入抛光空间21S内。
在旋转头21上设置有多个边缘抛光头35。多个边缘抛光头35均经由边缘抛光臂34安装在上侧环31或者下侧环32，边缘抛光臂34构成为以上侧环31或者下侧环32为中心旋转自如。边缘抛光头35设在朝向抛光空间21S侧的边缘抛光臂34的末端部，在边缘抛光臂34的基端部设有重量部36。
图5为概略地表示边缘抛光头35的结构的一例的图，图5(a)～图5(c)为侧面剖视图，图5(d)为俯视图。
如图5(a)～图5(c)所示，边缘抛光头35有3种，由如图5(a)所示抛光晶片W端面的上方的上侧抛光头35A、如图5(b)所示抛光晶片W端面的下方的下侧抛光头35B、如图5(c)所示抛光晶片W端面的中央的中央抛光头35C构成。此时，优选支承上侧抛光头35A的上侧抛光臂34A轴支承于下侧环32，优选支承下侧抛光头35B的下侧抛光臂34B轴支承于上侧环31。支承中央抛光头35C的中央抛光臂34C可以轴支承于下侧环32，也可以轴支承于上侧环31。如图5(d)所示，这些上侧抛光头35A、下侧抛光头35B及中央抛光头35C沿着晶片W的外周等间隔地配置，由此能够均衡地抛光晶片W的边缘。
使旋转头21旋转时，根据施加于重量部36的离心力F和以上侧环31或者下侧环32为支点的杠杆原理，边缘抛光臂34转动而将边缘抛光头35按压到晶片W的端面。边缘抛光头35一边按压晶片W的边缘，一边在晶片W的周围旋转，因此晶片W的边缘以适当的压力被抛光。
如此经边缘抛光后的晶片W，经过仅对其表面进行镜面加工的单面抛光工序或清洗工序等，而成为最终晶片产品。基于本实施方式的晶片制造方法是在双面抛光后进行边缘抛光的，虽然进行边缘抛光之后不存在抛光晶片背面的工序，但边缘抛光装置1在边缘抛光工序后定期实施清洗工序，并去除卡盘工作台10上的浆料残渣，因此能够大幅地降低在边缘抛光工序中损伤晶片背面的概率。因此，能够提供不仅正面和背面这两面还改善了边缘的缺陷品质的晶片。
图6为用于说明安装在加工室40内的清洗臂51的动作的俯视图。
如图6所示，在清洗臂51的末端部51a设置有具有刷子的清洗头52，清洗臂51的基端部51b轴支承于旋转轴53。而且，旋转轴53进行旋转，由此，清洗臂51以基端部51b为中心在规定角度θ的范围内摆动，清洗头52在卡盘工作台10的中心部和外周部之间，与卡盘工作台10的上表面平行地往复移动，从而清洗设有通气孔10h的卡盘工作台10的上表面。
图7为表示清洗头52的结构的图，图7(a)为侧面剖视图，图7(b)为俯视图。
如图7(a)及图7(b)所示，清洗头52具备：安装在清洗臂51的树脂制的环状基座55、喷射纯水等清洗液的高压喷射喷嘴56及以包围高压喷射喷嘴56的方式设置成环状的刷子57。高压喷射喷嘴56嵌入于基座55的中空部，刷子57植设在基座55的底面。
刷子57是将作为多个细丝(例如50个)的集合体的刚毛束57a配置在高压喷射喷嘴56的周围而成的，且以包围高压喷射喷嘴56的方式设置成环状。优选高压喷射喷嘴56的外径和刷子57之间的空间宽度d为10mm以上且20mm以下。这是因为，空间宽度d窄于10mm的情况下，被刷子57包围的室的空间过于狭窄而变得难以将浆料残渣封闭，并且空间宽度d宽于20mm的情况下，用刷子57扫出因高压水而浮起的浆料残渣的效果变弱。
高压喷射喷嘴56经由配管58及泵与槽连接，槽内的清洗液被供给到高压喷射喷嘴56。优选高压喷射喷嘴56的开口156a的直径为0.5mm以上且2.5mm以下，优选高压喷射压力为10MPa左右。并且，优选从高压喷射喷嘴56的末端到刷子57的末端为止的高度h为15mm以上且25mm以下。这是因为，高度h低于15mm时，被刷子57包围的室的空间过于狭窄而变得难以将浆料残渣封闭，并且高度h高于25mm时，用刷子57扫出因高压水而浮起的浆料残渣的效果变弱。
图8为说明在边缘抛光工序中，浆料残渣堆积在卡盘工作台上的机理的示意图。
如图8所示，在边缘抛光工序中，将含有磨粒的浆料S供给至晶片W的表面的中心部时，该浆料S被通过晶片W的旋转而产生的离心力向外周方向流动并供给至边缘抛光头35，沿着晶片W的外周移动的边缘抛光头35和该浆料S一起抛光晶片W的边缘。此时，浆料S的一部分从晶片W的正面侧绕到背面侧，附着在卡盘工作台10的卡盘垫的外周部的表面。认为，晶片W的背面与卡盘工作台10密合，但是当晶片W高速旋转时，其端部(外周部)在上下方向振动，从而在晶片W和卡盘工作台10之间产生间隙，所以浆料残渣会附着在卡盘工作台10的端部。因此，在本实施方式中，用清洗头52清洗卡盘工作台10的上表面，由此去除浆料S的残渣。
图9为说明利用清洗单元50而进行的浆料残渣的清洗方法的示意图。
如图9所示，卡盘工作台10的清洗工序中，清洗头52的刷子抵压在卡盘工作台10的外周部上，清洗头52与卡盘工作台10的上表面平行地往复移动，由此将附着在卡盘工作台10的上表面的浆料残渣扫除。进行清洗工序时，从高压喷射喷嘴56喷出高压水，所以能够将卡盘工作台上的浆料残渣击出，并且能够用刷子扫出并去除被高压水浮起的浆料残渣。尤其，将高压水封闭在包围的刷子的室内的同时扫除浆料残渣，因此能够防止高压水飞散并且效率良好地清洗卡盘工作台10。
如以上说明，基于本实施方式的晶片的边缘抛光装置1中，清洗头52是由高压喷射喷嘴56与设置于其周围的环状的刷子57的组合构成，对卡盘工作台10进行高压清洗的同时进行刷子清洗，因此能够确实地去除浆料残渣。因此，能够制造出背面的损伤缺陷的数量非常少的晶片。
以上，说明了本发明的优选实施方式，但本发明不限定于上述实施方式，在不脱离本发明主旨的范围内能够进行各种改变，且这些当然也包含在本发明的范围内。
实施例
针对卡盘工作台的清洗工序的有无对经边缘抛光后的晶片的背面的品质造成的影响进行了评价。作为加工对象的晶片使用了如下晶片，即对通过CZ法制造的单晶硅锭依次实施外周磨削、切片、研磨、蚀刻、双面抛光之后的450mm硅晶片。
在评价试验中，使用图1所示的边缘抛光装置预先进行300个晶片的边缘抛光工序后，再进行卡盘工作台的清洗工序，进一步连续执行5个评价用晶片的边缘抛光工序，将这样的清洗工序和5个评价用晶片的边缘抛光工序交替地重复进行各5次，从而得到了25个评价用晶片的实施例样品。
将卡盘工作台的清洗条件设为：晶片转速为200rpm，晶片旋转方向为逆时针旋转，清洗头的摆动次数为37次，清洗臂的摆动开始角度为50°，清洗臂的摆动折回角度为90℃，清洗臂的摆动速度为10°/sec，高压喷射压力为10MPa，卡盘清洗位置为21mm，清洗时间为5分钟。并且，作为构成卡盘工作台的吸附支承面的卡盘垫，使用了厚度为0.5～0.8mm，压缩率为2～10％的绒面革型。
另一方面，除了在连续执行5个评价用晶片的边缘抛光工序后不执行卡盘工作台的清洗工序这一点以外，在与实施例相同条件下连续执行边缘抛光工序，得到了25个评价用晶片的比较例样品。即，在比较例样品的制造中，在执行300个晶片的边缘抛光工序后，仅执行1次卡盘工作台的清洗工序，然后完全没有进行卡盘工作台的清洗。
然后，用颗粒计数器分别测定评价用晶片的实施例样品及比较例样品的背面，求出了大小为200nm以上的损伤缺陷的数量。
图10为表示伴随晶片的加工数量(垫使用期)的增加的晶片背面的损伤缺陷数量的变化的图表。
如图10所示，未进行卡盘工作台的清洗工序的比较例中，损伤缺陷的数量随着晶片的加工数量的增加而慢慢增加，在第15个晶片的时候，损伤缺陷的数量超过了阈值即300个，而且在第25个晶片的时候达到了约500个。另一方面，进行了卡盘工作台的清洗工序的实施例中，与晶片的加工数量的增加无关地，损伤缺陷的数量始终小于50个。如此确认了通过定期地实施卡盘工作台的清洗工序，能够降低经边缘抛光后的晶片的背面的损伤缺陷的数量。
附图标记说明
1-边缘抛光装置，10-卡盘工作台，10a-卡盘工作台主体，10b-卡盘垫，10h-通气孔，11-旋转轴，12-支承台，13-底座，15-马达(卡盘工作台旋转)，16-马达(卡盘工作台升降用)，20-边缘抛光单元，21-旋转头，21S-抛光空间，22-中空轴，23-马达(旋转头旋转用)，31-上侧环，32-下侧环，33-连结杆，34-边缘抛光臂，34A-上侧抛光臂，34B-下侧抛光臂，34C-中央抛光臂，35-边缘抛光头，35A-上侧抛光头，35B-下侧抛光头，35C-中央抛光头，36-重量部，40-加工室，41-上侧侧罩，42-下侧侧罩，43-升降臂，44-缸体，45-浆料排出口，46-晶片运入口，50-清洗单元，51-清洗臂，51a-清洗臂的末端部，51b-清洗臂的基端部，52-清洗头，53-旋转轴，54-马达，55-基座，56-高压喷射喷嘴，56a-高压喷射喷嘴的开口，57-刷子(环状刷子)，57a-刚毛束，58-配管，S-浆料，W-晶片。

Claims (8)

1.一种晶片的边缘抛光装置，其特征在于，具备：
卡盘工作台，吸附保持晶片；
旋转驱动机构，使所述卡盘工作台旋转；
边缘抛光单元，一边将浆料供给至以被所述卡盘工作台吸附保持的状态旋转的晶片，一边抛光所述晶片的边缘；及
清洗单元，去除所述卡盘工作台上的浆料残渣，
所述清洗单元包括清洗头，所述清洗头具备高压喷射喷嘴及以包围该高压喷射喷嘴的周围的方式设置的刷子，使用所述清洗头对所述卡盘工作台进行高压清洗的同时进行刷子清洗，
所述清洗单元还包括使所述清洗头在所述卡盘工作台的径向上往复移动的清洗头移动机构，
所述卡盘工作台被设置于加工室内，
所述清洗头移动机构在边缘抛光工序中使所述清洗头退避到所述加工室的外侧，而在清洗工序中使所述清洗头进入所述加工室内。
2.根据权利要求1所述的晶片的边缘抛光装置，其中，
被所述边缘抛光单元抛光的晶片为已通过双面抛光工序进行了正面和背面这两面的抛光的晶片。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的边缘抛光装置，其中，
所述卡盘工作台真空吸附所述晶片。
4.一种晶片的边缘抛光方法，其特征在于，具备：
边缘抛光工序，一边将浆料供给至以被卡盘工作台吸附保持的状态旋转的晶片，一边抛光所述晶片的边缘；及
清洗工序，去除所述卡盘工作台上的浆料残渣，
所述清洗工序中，使用清洗头对所述卡盘工作台进行高压清洗的同时进行刷子清洗，在所述清洗头上以包围高压喷射喷嘴的周围的方式设置有刷子，
所述清洗工序中，使所述清洗头在所述卡盘工作台的径向上往复移动，
所述卡盘工作台被设置于加工室内，
所述清洗头在所述边缘抛光工序中退避到加工室的外侧，而在所述清洗工序中进入到所述加工室内。
5.根据权利要求4所述的晶片的边缘抛光方法，其中，
所述边缘抛光工序是在抛光所述晶片的正面和背面这两面的双面抛光工序之后进行。
6.根据权利要求4或5所述的晶片的边缘抛光方法，其中，
在所述边缘抛光工序中通过所述卡盘工作台真空吸附所述晶片。
7.根据权利要求4或5所述的晶片的边缘抛光方法，其中，
所述边缘抛光工序是在仅对所述晶片的正面进行镜面加工的单面抛光工序之前进行。
8.根据权利要求6所述的晶片的边缘抛光方法，其中，
所述边缘抛光工序是在仅对所述晶片的正面进行镜面加工的单面抛光工序之前进行。
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