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JPH06275582A - ウエハ加工装置 - Google Patents

ウエハ加工装置

Info

Publication number
JPH06275582A
JPH06275582A JP8532193A JP8532193A JPH06275582A JP H06275582 A JPH06275582 A JP H06275582A JP 8532193 A JP8532193 A JP 8532193A JP 8532193 A JP8532193 A JP 8532193A JP H06275582 A JPH06275582 A JP H06275582A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
suction table
cleaning
cleaned
soft resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8532193A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiyuki Morimoto
俊之 森本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP8532193A priority Critical patent/JPH06275582A/ja
Publication of JPH06275582A publication Critical patent/JPH06275582A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハの面取り装置において吸着テ−ブルに
よりウエハを真空チャックして支持し砥石に接触させて
ウエハのへりを研削している。ウエハと吸着テ−ブルの
間に異物を挟み込むと、ウエハの面が傷つくことがあ
る。ウエハの損傷を防止できる加工装置を与えることが
目的。 【構成】 吸着テ−ブルの裏面を洗浄水で洗い発泡軟質
樹脂の清拭器で拭いさらに空気を吹き付けて乾燥させ
る。ウエハもブラシで清掃する。ウエハと吸着テ−ブル
の両方からごみが除去されるので、吸着テ−ブルでウエ
ハを吸着してもウエハが傷つくことがない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハの面取
り加工装置の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハは円形の薄い板である。イ
ンゴットを内周刃ブレ−ドなどにより薄層に切断する。
これをアズカットウエハという。これをエッチングした
りラッピングして厚さを整える。アズカットウエハは、
そのままではへりが鋭く尖っているので欠けたりする惧
れがある。そこで、ウエハの外周部のへりを丸く削ると
いう作業を行う。これを面取りという。凹曲面を有する
円形の回転砥石を用いて面取りを行う。凹曲面の形状曲
率は、所望の面取りの曲線に合致するように決定する。
ウエハは、円形の吸着テ−ブルに吸着させることによっ
て支持する。吸着テ−ブルも回転させ砥石も回転させ
る。
【0003】吸着テ−ブルを支持するパイプには、真空
排気装置が接続される。吸着テ−ブルの接触面にはパイ
プに連通する幾つかの穴を持っている。空気が漏れない
ように吸着テ−ブルとウエハは密着させる。真空排気装
置を作動させ吸着テ−ブルとウエハの間の空隙の空気を
吸い出す。ウエハと吸着テ−ブルの間が真空状態にな
る。真空力により吸着テ−ブルがウエハを吸着し固定す
る。
【0004】凹曲面を有する回転砥石により薄いウエハ
の周辺部に面取り部を形成するのであるから、砥石に対
してウエハの軸方向の高さが一定していなければならな
い。ウエハと砥石の位置(高さ)が食い違うと、所望の
曲面をウエハの周縁に設けることができない。
【0005】吸着テ−ブルは下向きの面を持ち、この面
がウエハを吸着する。ウエハと吸着テ−ブルの吸着面と
の間にごみなどが存在すると、これが柔らかいウエハ面
を傷つける惧れがある。シリコンウエハの場合は硬い材
料であるのでごみなどにより傷つく可能性は少ない。し
かし化合物半導体ウエハの場合は柔らかいのでちょっと
したごみのために面が傷つくということがある。
【0006】吸着テ−ブルによって吸着したウエハのへ
りを回転砥石で削るので吸着テ−ブルには切り屑が飛来
し付着する。吸着テ−ブルは何回も繰り返し使用される
ので切り屑などの汚れが付き易い。切り屑を付けたまま
ウエハを吸着すると屑のためにウエハが傷ついてしま
う。これを防ぐために、従来は吸着テ−ブルの下面に洗
浄水を吹き付けて洗浄しゴム製のワイパ−で拭き取りを
行っていた。これにより吸着テ−ブルに付着した屑など
を除去できる。この洗浄は毎回行う。これにより常に吸
着テ−ブルの下面を清浄に保つことができる。
【0007】これに反しウエハの表面は洗浄されない。
ウエハは多数枚がウエハカセットに収容されこれを1枚
ずつ搬送装置によって取り出して、吸着テ−ブルまで運
びこれに取り付ける。ウエハの表面は前工程により清浄
になっているとされているものか、ウエハ表面の清浄化
はなされていなかった。ウエハの上に屑がたとえ乗って
いたとしてもこれを除去するということはない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来、半導体ウエハの
面取り加工装置において、吸着テ−ブルのみ簡易洗浄が
なされていた。しかしウエハはたとえ前工程において清
浄表面を持つとしてもこれがウエハカセットに収容され
搬送する間に異物が落下するということもありうる。ま
た吸着テ−ブルの清浄化作業も十分とは言えないと思
う。
【0009】削り屑などの異物をウエハと吸着テ−ブル
の間に挟み込んだまま真空チャックすると、柔らかいウ
エハが異物のために傷ついてしまう。このあとエッチン
グしたり研磨したりしても深い傷の場合はこれを除去す
ることができない。
【0010】本発明はウエハと吸着テ−ブルの両者を面
取りの直前において清浄化し、異物がウエハと吸着テ−
ブルの間に挟み込まれないようにしたウエハ面取り加工
装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明のウエハ加工装置
は、面取り加工の直前に、ウエハをブラシで清掃し、吸
着テ−ブルも水によって洗浄し軟質樹脂で水とごみを拭
き取るようにしている。このためウエハの搬送装置の途
中にブラシを設けてウエハの上面を清掃する。また吸着
テ−ブルは面取り加工を行う加工室の上方に設けた洗浄
室で下面に水を吹き付けさらに樹脂製の清拭器で面を拭
うようにしている。さらにブラシで異物を除去したウエ
ハに空気を吹き付けるようにすれば一層効果があり、吸
着テ−ブルにも空気を吹き付けるとさらに良い。
【0012】
【作用】ウエハの面取り加工を行う場合、従来はウエハ
の上面を清掃しなかったし吸着テ−ブルの清掃も不十分
であったため、吸着テ−ブルによりウエハの面が傷つく
ことがあった。しかし本発明では、ウエハの上面をブラ
シで清掃するのでウエハの上に異物が付着しているとい
うことはない。
【0013】また吸着テ−ブルの下面を洗浄し清拭器で
拭うようになっている。吸着テ−ブルの方にもごみなど
が付着しているということがない。ためにウエハを吸着
テ−ブルで真空チャックしてウエハのヘリを回転砥石で
面取りした場合、挟み込まれた異物によりウエハが傷つ
くということはない。従って歩留り良く面取り加工を行
うことができる。
【0014】また加工室とは別の空間で吸着テ−ブルを
洗浄し清拭器で清掃するようにすれば、加工室のよごれ
により吸着テ−ブルが汚染される可能性がない。より完
全に吸着テ−ブルが清浄化されるので、ごみ除去の効果
がより高くなる。
【0015】
【実施例】図1は本発明の実施例に係るウエハ加工装置
の平面図である。図2は同じ物の正面図である。ウエハ
1はウエハ搬送装置2によってウエハカセット(図示せ
ず)から水平方向に搬送される。ウエハの停止位置に
は、ウエハセンタリング3がありこれが、ウエハの位置
を正しく決める。ウエハ搬送装置2の上にウエハが戴置
されて真空チャックして運ばれるが、必ずしも正しい位
置にあるとは限らないので、ここで正しい位置に置き直
す。
【0016】側方にウエハセンタリング3がある。これ
は前後にテフロンの円盤の緩衝材を付けたコの字型の部
材である。これが左右から接近してきてウエハ1を挟
む。するとウエハ1がウエハ搬送装置2の上で正しい位
置に直る。ウエハセンタリング3が開き、ウエハ1が開
放される。ウエハ搬送装置2がさらに進んで、ロ−ルブ
ラシ4の下を通過する。ロ−ルブラシ4はモ−タ5によ
って回転駆動される。ロ−ルブラシ4がウエハ1の上面
を擦ることにより清掃する。さらに、エアブロ−6によ
って、ウエハ1の上面が空気により清掃される。ふたつ
の装置によって、ウエハの上面に載っていた異物が除去
される。
【0017】ロ−ルブラシ4は、回転してウエハを清掃
するものである。多くの直毛を植えたブラシ状のもので
も良い。さらに多孔性の軟質樹脂を円柱状に巻いて利用
しても良い。この場合、穴径が40〜100μmで、気
孔率が80〜90%の軟質樹脂が適する。たとえばカネ
ボウベルクリン(商標名)が好適である。
【0018】従来、このようにウエハ上面のごみを取る
作業はなされていなかった。本発明はウエハ上面を清掃
することによりウエハに載っていた異物によりウエハが
傷つく可能性を除くことができる。ウエハ搬送装置2が
さらに延びて、加工室7に入り吸着テ−ブル8によって
吸着されるのであるが、その前に吸着テ−ブル8が洗浄
される。
【0019】吸着テ−ブル8は、従来水洗いされゴムの
ワイパ−で拭き取られていただけであった。これでは不
十分であるので、本発明で加工室7の上に洗浄室10を
設けここで吸着テ−ブル8を特別に洗浄する。これを図
3に示す。洗浄室10と、加工室7の間には仕切り11
があり、一部に開口12がある。開口12をシャッタ−
13で開閉できる。
【0020】加工室7では回転砥石9によりウエハの面
取りがなされるので、研磨材や水、削りくずが飛び散
る。洗浄室10は汚れていてはいけない。そこで洗浄室
10は別室としているのである。吸着テ−ブル8を上下
に移動させる機構があるが、図示を省略している。吸着
テ−ブル8を引き上げるために前記の開口12がある。
吸着テ−ブル8を洗浄室10に引き上げてからシャッタ
−13を閉じる。
【0021】側方から洗浄器14を延ばす。洗浄器14
は吸着テ−ブル8の下で停止する。図4に示すように、
円盤状であるが、内部が空洞になっており、洗浄水と空
気を通すことができるようになっている。腕16が洗浄
器14と、清拭器15とを支持しており、水平方向に移
動できるようになっている。腕16はまた洗浄水とエア
の通り道にもなっている。
【0022】洗浄器14が吸着テ−ブル8の真下に位置
し、回転しながら洗浄水を吹き上げる。吸着テ−ブル8
の下面が清掃される。さらにエアにより吸着テ−ブル8
の下面の水が除去される。このあと腕16がさらに前進
し、吸着テ−ブル8の下面を清拭器15が拭う。これが
重要である。清拭器15は発泡体の軟質樹脂部を折り畳
んで上向きに二つの止め具の間に差し込んで固定したも
のである。
【0023】軟質樹脂は、多孔質の樹脂が適する。たと
えば穴径が40〜100μmで、気孔率が80〜90%
のものが良い。孔径が40μmよりも小さいと塵を吸着
する効果が少ない。孔径が100μmよりも大きいと小
さな塵を吸着できない。このようなものとして、カネボ
ウベルクリン(商標名)が好適である。多孔性であるの
が、ごみなどを効率良く吸着することができる。しかし
これよりも少し気孔率の低いものも使える。たとえば、
気孔率が30〜80%のものも利用できる。30%以下
の気孔率のものは十分に塵を吸収することができない。
【0024】このほかにポリエチレン、塩化ビニルなど
の発泡体を清拭器の材料として用いることも可能であ
る。
【0025】このように吸着テ−ブル8は、洗浄室10
に於いて、水洗いされ、空気で乾燥させ、ごみを吹き飛
ばし、加えて発泡軟質樹脂で拭き清められる。ために吸
着テ−ブルに付着していた異物は全て除去される。
【0026】本発明の効果を調べるために、4インチG
aAsウエハと吸着テ−ブルを次の条件で洗浄清掃し、
ウエハを吸着テ−ブルで吸着し各25枚ずつ面取り加工
を行った。そして洗浄清掃条件の違いにより25枚のう
ち、不良枚数の発生を調べた。従来方法では不良枚数は
25枚中20枚であった。不良というのはウエハにキズ
が付いていたり割れたりするものを意味する。結果を表
1に示す。
【0027】加工条件 ウエハ 4インチφ 700μmt ケミカル研磨量 20μm 吸着テ−ブル吸着面直径 90mmφ 吸着圧力 3kg/cm
2 ウエハ試験枚数 25枚
【0028】
【表1】
【0029】いずれの場合でも、従来法よりは不良発生
枚数が少ない。ウエハの清掃についていえば、エアブロ
−は少しであるが傷つき防止の効果を挙げている。ロ−
ルブラシの材質は、ゴムはあまりごみの除去に有効でな
いようである。弾性に富むが表面が平滑でごみなどを吸
い取ってしまうことができないからであろう。樹脂製ブ
ラシというのは線状の樹脂をブラシ状に植毛したもので
あるが、これはゴムよりは有効である。しかし、なおご
み取り効果が不十分である。これは一旦ごみを吸着して
も永久保持できず、ごみが再び表面に出てくるからであ
ろう。
【0030】最も有効なのは、発泡軟質樹脂のものであ
る。これは先述のようにカネボウベルクリン等である。
軟質樹脂であるので、ウエハ面を柔らかくしかも前面に
接触しながら清掃できる。発泡してあるので擦り取った
異物を面積の広い内部の空洞部に吸着できる。ために異
物の除去に優れ再汚染を起こさないのであろう。軟質樹
脂部の材質は多孔質であることが望ましいが、気孔率で
いうと、80〜90%、孔径は40〜100μm程度で
あるのが良い。
【0031】吸着テ−ブルの清掃条件についていうと、
洗浄室は有ったほうが良い。洗浄室がないと、加工室で
吸着テ−ブルを洗浄し乾燥することになる。加工室は研
磨材粉末や研磨液などで汚れているから、吸着テ−ブル
に汚れが付き易いのであろう。清掃の方法について見る
と、水とエアだけのものよりも、水とエアと軟質樹脂の
清拭器により拭き取った方がより効果的であるというこ
とが分かる。
【0032】
【発明の効果】本発明は、半導体ウエハの面取り加工を
行う際、吸着テ−ブルの下面とウエハの上面をブラシや
清拭器によって清掃する。ために異物が吸着テ−ブルと
ウエハの間に挟み込まれるということがない。面取り加
工を行っている間において、ウエハが異物によってキズ
付くことがなく、次の効果を挙げることができる。
【0033】ウエハと吸着テ−ブルに付着していた異
物を除去することによりウエハが傷つき難い。たとえ傷
ついても浅いキズである。
【0034】ウエハを擦るロ−ルブラシに発泡体の軟
質樹脂を用いれば異物除去効率がさらに良くなる。ウエ
ハの損傷をさらに効果的に防止できる。
【0035】ウエハをロ−ルブラシで擦って清掃した
後、さらにエアブロ−を行うとウエハ上の異物除去の効
率がさらに高揚する。
【0036】吸着テ−ブルに洗浄水を回転しながら吹
き付け、発泡体の軟質樹脂で水を拭き取り、エアブロ−
で吹き飛ばすので、吸着テ−ブルから異物が効果的に除
去される。
【0037】加工室とは別異の洗浄室で吸着テ−ブル
を洗浄するので、吸着テ−ブルへの新たな異物の付着を
防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係るウエハ加工装置の平面
図。
【図2】本発明の実施例に係るウエハ加工装置の正面
図。
【図3】本発明の実施例に係るウエハ加工装置の加工室
と洗浄室の縦断面図。
【図4】本発明の実施例に係るウエハ加工装置の吸着テ
−ブル洗浄器の底面図。
【符号の説明】
1 ウエハ 2 ウエハ搬送装置 3 ウエハセンタリング 4 ロ−ルブラシ 5 モ−タ 6 エアブロ− 7 加工室 8 吸着テ−ブル 9 回転砥石 10 洗浄室 11 仕切り 12 開口 13 シャッタ− 14 洗浄器 15 清拭器(発泡体の軟質樹脂) 16 腕 17 洗浄水及びエア吹き出し口

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウエハの外周を研削しへりを丸く面取り
    する回転砥石と、ウエハを吸着し回転支持しながら砥石
    にウエハを接触させる吸着テ−ブルと、ウエハを吸着テ
    −ブルの下に搬送し加工されたウエハを吸着テ−ブルか
    ら搬送する搬送装置と、回転砥石を収容する加工室とを
    有し、ウエハの搬送経路の途中にブラシを設けウエハの
    上面を清掃し、洗浄水と空気を吹き出す洗浄器を設けて
    吸着テ−ブルの下面を洗浄し、さらに軟質樹脂の清拭器
    によって吸着テ−ブルの下面を清掃するようにした事を
    特徴とするウエハ加工装置。
  2. 【請求項2】 吸着テ−ブルを洗浄する洗浄器を収容す
    る洗浄室が設けられ、洗浄室と加工室との間にシャッタ
    −が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の
    ウエハ加工装置。
  3. 【請求項3】 ウエハを清掃するブラシと吸着テ−ブル
    を清掃する清拭器のうち少なくとも一方が多孔性の軟質
    樹脂からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の
    ウエハ加工装置。
  4. 【請求項4】 多孔性の軟質樹脂の孔径が40〜100
    μmであり、気孔率が80〜90%である請求項3に記
    載のウエハ加工装置。
JP8532193A 1993-03-18 1993-03-18 ウエハ加工装置 Pending JPH06275582A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8532193A JPH06275582A (ja) 1993-03-18 1993-03-18 ウエハ加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8532193A JPH06275582A (ja) 1993-03-18 1993-03-18 ウエハ加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06275582A true JPH06275582A (ja) 1994-09-30

Family

ID=13855361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8532193A Pending JPH06275582A (ja) 1993-03-18 1993-03-18 ウエハ加工装置

Country Status (1)

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JP (1) JPH06275582A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000216122A (ja) * 1999-01-20 2000-08-04 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウェ―ハの平面研削方法
JP2011249640A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Et System Engineering Co Ltd 半導体ウェーハの分離装置
JP2018079523A (ja) * 2016-11-15 2018-05-24 株式会社Sumco ウェーハのエッジ研磨装置及び方法

Cited By (3)

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JP2000216122A (ja) * 1999-01-20 2000-08-04 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウェ―ハの平面研削方法
JP2011249640A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Et System Engineering Co Ltd 半導体ウェーハの分離装置
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