JPH06275582A - ウエハ加工装置 - Google Patents
ウエハ加工装置Info
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- JPH06275582A JPH06275582A JP8532193A JP8532193A JPH06275582A JP H06275582 A JPH06275582 A JP H06275582A JP 8532193 A JP8532193 A JP 8532193A JP 8532193 A JP8532193 A JP 8532193A JP H06275582 A JPH06275582 A JP H06275582A
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Links
- 238000003754 machining Methods 0.000 title 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 27
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 9
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 4
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005187 foaming Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 102
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハの面取り装置において吸着テ−ブルに
よりウエハを真空チャックして支持し砥石に接触させて
ウエハのへりを研削している。ウエハと吸着テ−ブルの
間に異物を挟み込むと、ウエハの面が傷つくことがあ
る。ウエハの損傷を防止できる加工装置を与えることが
目的。 【構成】 吸着テ−ブルの裏面を洗浄水で洗い発泡軟質
樹脂の清拭器で拭いさらに空気を吹き付けて乾燥させ
る。ウエハもブラシで清掃する。ウエハと吸着テ−ブル
の両方からごみが除去されるので、吸着テ−ブルでウエ
ハを吸着してもウエハが傷つくことがない。
よりウエハを真空チャックして支持し砥石に接触させて
ウエハのへりを研削している。ウエハと吸着テ−ブルの
間に異物を挟み込むと、ウエハの面が傷つくことがあ
る。ウエハの損傷を防止できる加工装置を与えることが
目的。 【構成】 吸着テ−ブルの裏面を洗浄水で洗い発泡軟質
樹脂の清拭器で拭いさらに空気を吹き付けて乾燥させ
る。ウエハもブラシで清掃する。ウエハと吸着テ−ブル
の両方からごみが除去されるので、吸着テ−ブルでウエ
ハを吸着してもウエハが傷つくことがない。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハの面取
り加工装置の改良に関する。
り加工装置の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハは円形の薄い板である。イ
ンゴットを内周刃ブレ−ドなどにより薄層に切断する。
これをアズカットウエハという。これをエッチングした
りラッピングして厚さを整える。アズカットウエハは、
そのままではへりが鋭く尖っているので欠けたりする惧
れがある。そこで、ウエハの外周部のへりを丸く削ると
いう作業を行う。これを面取りという。凹曲面を有する
円形の回転砥石を用いて面取りを行う。凹曲面の形状曲
率は、所望の面取りの曲線に合致するように決定する。
ウエハは、円形の吸着テ−ブルに吸着させることによっ
て支持する。吸着テ−ブルも回転させ砥石も回転させ
る。
ンゴットを内周刃ブレ−ドなどにより薄層に切断する。
これをアズカットウエハという。これをエッチングした
りラッピングして厚さを整える。アズカットウエハは、
そのままではへりが鋭く尖っているので欠けたりする惧
れがある。そこで、ウエハの外周部のへりを丸く削ると
いう作業を行う。これを面取りという。凹曲面を有する
円形の回転砥石を用いて面取りを行う。凹曲面の形状曲
率は、所望の面取りの曲線に合致するように決定する。
ウエハは、円形の吸着テ−ブルに吸着させることによっ
て支持する。吸着テ−ブルも回転させ砥石も回転させ
る。
【0003】吸着テ−ブルを支持するパイプには、真空
排気装置が接続される。吸着テ−ブルの接触面にはパイ
プに連通する幾つかの穴を持っている。空気が漏れない
ように吸着テ−ブルとウエハは密着させる。真空排気装
置を作動させ吸着テ−ブルとウエハの間の空隙の空気を
吸い出す。ウエハと吸着テ−ブルの間が真空状態にな
る。真空力により吸着テ−ブルがウエハを吸着し固定す
る。
排気装置が接続される。吸着テ−ブルの接触面にはパイ
プに連通する幾つかの穴を持っている。空気が漏れない
ように吸着テ−ブルとウエハは密着させる。真空排気装
置を作動させ吸着テ−ブルとウエハの間の空隙の空気を
吸い出す。ウエハと吸着テ−ブルの間が真空状態にな
る。真空力により吸着テ−ブルがウエハを吸着し固定す
る。
【0004】凹曲面を有する回転砥石により薄いウエハ
の周辺部に面取り部を形成するのであるから、砥石に対
してウエハの軸方向の高さが一定していなければならな
い。ウエハと砥石の位置(高さ)が食い違うと、所望の
曲面をウエハの周縁に設けることができない。
の周辺部に面取り部を形成するのであるから、砥石に対
してウエハの軸方向の高さが一定していなければならな
い。ウエハと砥石の位置(高さ)が食い違うと、所望の
曲面をウエハの周縁に設けることができない。
【0005】吸着テ−ブルは下向きの面を持ち、この面
がウエハを吸着する。ウエハと吸着テ−ブルの吸着面と
の間にごみなどが存在すると、これが柔らかいウエハ面
を傷つける惧れがある。シリコンウエハの場合は硬い材
料であるのでごみなどにより傷つく可能性は少ない。し
かし化合物半導体ウエハの場合は柔らかいのでちょっと
したごみのために面が傷つくということがある。
がウエハを吸着する。ウエハと吸着テ−ブルの吸着面と
の間にごみなどが存在すると、これが柔らかいウエハ面
を傷つける惧れがある。シリコンウエハの場合は硬い材
料であるのでごみなどにより傷つく可能性は少ない。し
かし化合物半導体ウエハの場合は柔らかいのでちょっと
したごみのために面が傷つくということがある。
【0006】吸着テ−ブルによって吸着したウエハのへ
りを回転砥石で削るので吸着テ−ブルには切り屑が飛来
し付着する。吸着テ−ブルは何回も繰り返し使用される
ので切り屑などの汚れが付き易い。切り屑を付けたまま
ウエハを吸着すると屑のためにウエハが傷ついてしま
う。これを防ぐために、従来は吸着テ−ブルの下面に洗
浄水を吹き付けて洗浄しゴム製のワイパ−で拭き取りを
行っていた。これにより吸着テ−ブルに付着した屑など
を除去できる。この洗浄は毎回行う。これにより常に吸
着テ−ブルの下面を清浄に保つことができる。
りを回転砥石で削るので吸着テ−ブルには切り屑が飛来
し付着する。吸着テ−ブルは何回も繰り返し使用される
ので切り屑などの汚れが付き易い。切り屑を付けたまま
ウエハを吸着すると屑のためにウエハが傷ついてしま
う。これを防ぐために、従来は吸着テ−ブルの下面に洗
浄水を吹き付けて洗浄しゴム製のワイパ−で拭き取りを
行っていた。これにより吸着テ−ブルに付着した屑など
を除去できる。この洗浄は毎回行う。これにより常に吸
着テ−ブルの下面を清浄に保つことができる。
【0007】これに反しウエハの表面は洗浄されない。
ウエハは多数枚がウエハカセットに収容されこれを1枚
ずつ搬送装置によって取り出して、吸着テ−ブルまで運
びこれに取り付ける。ウエハの表面は前工程により清浄
になっているとされているものか、ウエハ表面の清浄化
はなされていなかった。ウエハの上に屑がたとえ乗って
いたとしてもこれを除去するということはない。
ウエハは多数枚がウエハカセットに収容されこれを1枚
ずつ搬送装置によって取り出して、吸着テ−ブルまで運
びこれに取り付ける。ウエハの表面は前工程により清浄
になっているとされているものか、ウエハ表面の清浄化
はなされていなかった。ウエハの上に屑がたとえ乗って
いたとしてもこれを除去するということはない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来、半導体ウエハの
面取り加工装置において、吸着テ−ブルのみ簡易洗浄が
なされていた。しかしウエハはたとえ前工程において清
浄表面を持つとしてもこれがウエハカセットに収容され
搬送する間に異物が落下するということもありうる。ま
た吸着テ−ブルの清浄化作業も十分とは言えないと思
う。
面取り加工装置において、吸着テ−ブルのみ簡易洗浄が
なされていた。しかしウエハはたとえ前工程において清
浄表面を持つとしてもこれがウエハカセットに収容され
搬送する間に異物が落下するということもありうる。ま
た吸着テ−ブルの清浄化作業も十分とは言えないと思
う。
【0009】削り屑などの異物をウエハと吸着テ−ブル
の間に挟み込んだまま真空チャックすると、柔らかいウ
エハが異物のために傷ついてしまう。このあとエッチン
グしたり研磨したりしても深い傷の場合はこれを除去す
ることができない。
の間に挟み込んだまま真空チャックすると、柔らかいウ
エハが異物のために傷ついてしまう。このあとエッチン
グしたり研磨したりしても深い傷の場合はこれを除去す
ることができない。
【0010】本発明はウエハと吸着テ−ブルの両者を面
取りの直前において清浄化し、異物がウエハと吸着テ−
ブルの間に挟み込まれないようにしたウエハ面取り加工
装置を提供することを目的とする。
取りの直前において清浄化し、異物がウエハと吸着テ−
ブルの間に挟み込まれないようにしたウエハ面取り加工
装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明のウエハ加工装置
は、面取り加工の直前に、ウエハをブラシで清掃し、吸
着テ−ブルも水によって洗浄し軟質樹脂で水とごみを拭
き取るようにしている。このためウエハの搬送装置の途
中にブラシを設けてウエハの上面を清掃する。また吸着
テ−ブルは面取り加工を行う加工室の上方に設けた洗浄
室で下面に水を吹き付けさらに樹脂製の清拭器で面を拭
うようにしている。さらにブラシで異物を除去したウエ
ハに空気を吹き付けるようにすれば一層効果があり、吸
着テ−ブルにも空気を吹き付けるとさらに良い。
は、面取り加工の直前に、ウエハをブラシで清掃し、吸
着テ−ブルも水によって洗浄し軟質樹脂で水とごみを拭
き取るようにしている。このためウエハの搬送装置の途
中にブラシを設けてウエハの上面を清掃する。また吸着
テ−ブルは面取り加工を行う加工室の上方に設けた洗浄
室で下面に水を吹き付けさらに樹脂製の清拭器で面を拭
うようにしている。さらにブラシで異物を除去したウエ
ハに空気を吹き付けるようにすれば一層効果があり、吸
着テ−ブルにも空気を吹き付けるとさらに良い。
【0012】
【作用】ウエハの面取り加工を行う場合、従来はウエハ
の上面を清掃しなかったし吸着テ−ブルの清掃も不十分
であったため、吸着テ−ブルによりウエハの面が傷つく
ことがあった。しかし本発明では、ウエハの上面をブラ
シで清掃するのでウエハの上に異物が付着しているとい
うことはない。
の上面を清掃しなかったし吸着テ−ブルの清掃も不十分
であったため、吸着テ−ブルによりウエハの面が傷つく
ことがあった。しかし本発明では、ウエハの上面をブラ
シで清掃するのでウエハの上に異物が付着しているとい
うことはない。
【0013】また吸着テ−ブルの下面を洗浄し清拭器で
拭うようになっている。吸着テ−ブルの方にもごみなど
が付着しているということがない。ためにウエハを吸着
テ−ブルで真空チャックしてウエハのヘリを回転砥石で
面取りした場合、挟み込まれた異物によりウエハが傷つ
くということはない。従って歩留り良く面取り加工を行
うことができる。
拭うようになっている。吸着テ−ブルの方にもごみなど
が付着しているということがない。ためにウエハを吸着
テ−ブルで真空チャックしてウエハのヘリを回転砥石で
面取りした場合、挟み込まれた異物によりウエハが傷つ
くということはない。従って歩留り良く面取り加工を行
うことができる。
【0014】また加工室とは別の空間で吸着テ−ブルを
洗浄し清拭器で清掃するようにすれば、加工室のよごれ
により吸着テ−ブルが汚染される可能性がない。より完
全に吸着テ−ブルが清浄化されるので、ごみ除去の効果
がより高くなる。
洗浄し清拭器で清掃するようにすれば、加工室のよごれ
により吸着テ−ブルが汚染される可能性がない。より完
全に吸着テ−ブルが清浄化されるので、ごみ除去の効果
がより高くなる。
【0015】
【実施例】図1は本発明の実施例に係るウエハ加工装置
の平面図である。図2は同じ物の正面図である。ウエハ
1はウエハ搬送装置2によってウエハカセット(図示せ
ず)から水平方向に搬送される。ウエハの停止位置に
は、ウエハセンタリング3がありこれが、ウエハの位置
を正しく決める。ウエハ搬送装置2の上にウエハが戴置
されて真空チャックして運ばれるが、必ずしも正しい位
置にあるとは限らないので、ここで正しい位置に置き直
す。
の平面図である。図2は同じ物の正面図である。ウエハ
1はウエハ搬送装置2によってウエハカセット(図示せ
ず)から水平方向に搬送される。ウエハの停止位置に
は、ウエハセンタリング3がありこれが、ウエハの位置
を正しく決める。ウエハ搬送装置2の上にウエハが戴置
されて真空チャックして運ばれるが、必ずしも正しい位
置にあるとは限らないので、ここで正しい位置に置き直
す。
【0016】側方にウエハセンタリング3がある。これ
は前後にテフロンの円盤の緩衝材を付けたコの字型の部
材である。これが左右から接近してきてウエハ1を挟
む。するとウエハ1がウエハ搬送装置2の上で正しい位
置に直る。ウエハセンタリング3が開き、ウエハ1が開
放される。ウエハ搬送装置2がさらに進んで、ロ−ルブ
ラシ4の下を通過する。ロ−ルブラシ4はモ−タ5によ
って回転駆動される。ロ−ルブラシ4がウエハ1の上面
を擦ることにより清掃する。さらに、エアブロ−6によ
って、ウエハ1の上面が空気により清掃される。ふたつ
の装置によって、ウエハの上面に載っていた異物が除去
される。
は前後にテフロンの円盤の緩衝材を付けたコの字型の部
材である。これが左右から接近してきてウエハ1を挟
む。するとウエハ1がウエハ搬送装置2の上で正しい位
置に直る。ウエハセンタリング3が開き、ウエハ1が開
放される。ウエハ搬送装置2がさらに進んで、ロ−ルブ
ラシ4の下を通過する。ロ−ルブラシ4はモ−タ5によ
って回転駆動される。ロ−ルブラシ4がウエハ1の上面
を擦ることにより清掃する。さらに、エアブロ−6によ
って、ウエハ1の上面が空気により清掃される。ふたつ
の装置によって、ウエハの上面に載っていた異物が除去
される。
【0017】ロ−ルブラシ4は、回転してウエハを清掃
するものである。多くの直毛を植えたブラシ状のもので
も良い。さらに多孔性の軟質樹脂を円柱状に巻いて利用
しても良い。この場合、穴径が40〜100μmで、気
孔率が80〜90%の軟質樹脂が適する。たとえばカネ
ボウベルクリン(商標名)が好適である。
するものである。多くの直毛を植えたブラシ状のもので
も良い。さらに多孔性の軟質樹脂を円柱状に巻いて利用
しても良い。この場合、穴径が40〜100μmで、気
孔率が80〜90%の軟質樹脂が適する。たとえばカネ
ボウベルクリン(商標名)が好適である。
【0018】従来、このようにウエハ上面のごみを取る
作業はなされていなかった。本発明はウエハ上面を清掃
することによりウエハに載っていた異物によりウエハが
傷つく可能性を除くことができる。ウエハ搬送装置2が
さらに延びて、加工室7に入り吸着テ−ブル8によって
吸着されるのであるが、その前に吸着テ−ブル8が洗浄
される。
作業はなされていなかった。本発明はウエハ上面を清掃
することによりウエハに載っていた異物によりウエハが
傷つく可能性を除くことができる。ウエハ搬送装置2が
さらに延びて、加工室7に入り吸着テ−ブル8によって
吸着されるのであるが、その前に吸着テ−ブル8が洗浄
される。
【0019】吸着テ−ブル8は、従来水洗いされゴムの
ワイパ−で拭き取られていただけであった。これでは不
十分であるので、本発明で加工室7の上に洗浄室10を
設けここで吸着テ−ブル8を特別に洗浄する。これを図
3に示す。洗浄室10と、加工室7の間には仕切り11
があり、一部に開口12がある。開口12をシャッタ−
13で開閉できる。
ワイパ−で拭き取られていただけであった。これでは不
十分であるので、本発明で加工室7の上に洗浄室10を
設けここで吸着テ−ブル8を特別に洗浄する。これを図
3に示す。洗浄室10と、加工室7の間には仕切り11
があり、一部に開口12がある。開口12をシャッタ−
13で開閉できる。
【0020】加工室7では回転砥石9によりウエハの面
取りがなされるので、研磨材や水、削りくずが飛び散
る。洗浄室10は汚れていてはいけない。そこで洗浄室
10は別室としているのである。吸着テ−ブル8を上下
に移動させる機構があるが、図示を省略している。吸着
テ−ブル8を引き上げるために前記の開口12がある。
吸着テ−ブル8を洗浄室10に引き上げてからシャッタ
−13を閉じる。
取りがなされるので、研磨材や水、削りくずが飛び散
る。洗浄室10は汚れていてはいけない。そこで洗浄室
10は別室としているのである。吸着テ−ブル8を上下
に移動させる機構があるが、図示を省略している。吸着
テ−ブル8を引き上げるために前記の開口12がある。
吸着テ−ブル8を洗浄室10に引き上げてからシャッタ
−13を閉じる。
【0021】側方から洗浄器14を延ばす。洗浄器14
は吸着テ−ブル8の下で停止する。図4に示すように、
円盤状であるが、内部が空洞になっており、洗浄水と空
気を通すことができるようになっている。腕16が洗浄
器14と、清拭器15とを支持しており、水平方向に移
動できるようになっている。腕16はまた洗浄水とエア
の通り道にもなっている。
は吸着テ−ブル8の下で停止する。図4に示すように、
円盤状であるが、内部が空洞になっており、洗浄水と空
気を通すことができるようになっている。腕16が洗浄
器14と、清拭器15とを支持しており、水平方向に移
動できるようになっている。腕16はまた洗浄水とエア
の通り道にもなっている。
【0022】洗浄器14が吸着テ−ブル8の真下に位置
し、回転しながら洗浄水を吹き上げる。吸着テ−ブル8
の下面が清掃される。さらにエアにより吸着テ−ブル8
の下面の水が除去される。このあと腕16がさらに前進
し、吸着テ−ブル8の下面を清拭器15が拭う。これが
重要である。清拭器15は発泡体の軟質樹脂部を折り畳
んで上向きに二つの止め具の間に差し込んで固定したも
のである。
し、回転しながら洗浄水を吹き上げる。吸着テ−ブル8
の下面が清掃される。さらにエアにより吸着テ−ブル8
の下面の水が除去される。このあと腕16がさらに前進
し、吸着テ−ブル8の下面を清拭器15が拭う。これが
重要である。清拭器15は発泡体の軟質樹脂部を折り畳
んで上向きに二つの止め具の間に差し込んで固定したも
のである。
【0023】軟質樹脂は、多孔質の樹脂が適する。たと
えば穴径が40〜100μmで、気孔率が80〜90%
のものが良い。孔径が40μmよりも小さいと塵を吸着
する効果が少ない。孔径が100μmよりも大きいと小
さな塵を吸着できない。このようなものとして、カネボ
ウベルクリン(商標名)が好適である。多孔性であるの
が、ごみなどを効率良く吸着することができる。しかし
これよりも少し気孔率の低いものも使える。たとえば、
気孔率が30〜80%のものも利用できる。30%以下
の気孔率のものは十分に塵を吸収することができない。
えば穴径が40〜100μmで、気孔率が80〜90%
のものが良い。孔径が40μmよりも小さいと塵を吸着
する効果が少ない。孔径が100μmよりも大きいと小
さな塵を吸着できない。このようなものとして、カネボ
ウベルクリン(商標名)が好適である。多孔性であるの
が、ごみなどを効率良く吸着することができる。しかし
これよりも少し気孔率の低いものも使える。たとえば、
気孔率が30〜80%のものも利用できる。30%以下
の気孔率のものは十分に塵を吸収することができない。
【0024】このほかにポリエチレン、塩化ビニルなど
の発泡体を清拭器の材料として用いることも可能であ
る。
の発泡体を清拭器の材料として用いることも可能であ
る。
【0025】このように吸着テ−ブル8は、洗浄室10
に於いて、水洗いされ、空気で乾燥させ、ごみを吹き飛
ばし、加えて発泡軟質樹脂で拭き清められる。ために吸
着テ−ブルに付着していた異物は全て除去される。
に於いて、水洗いされ、空気で乾燥させ、ごみを吹き飛
ばし、加えて発泡軟質樹脂で拭き清められる。ために吸
着テ−ブルに付着していた異物は全て除去される。
【0026】本発明の効果を調べるために、4インチG
aAsウエハと吸着テ−ブルを次の条件で洗浄清掃し、
ウエハを吸着テ−ブルで吸着し各25枚ずつ面取り加工
を行った。そして洗浄清掃条件の違いにより25枚のう
ち、不良枚数の発生を調べた。従来方法では不良枚数は
25枚中20枚であった。不良というのはウエハにキズ
が付いていたり割れたりするものを意味する。結果を表
1に示す。
aAsウエハと吸着テ−ブルを次の条件で洗浄清掃し、
ウエハを吸着テ−ブルで吸着し各25枚ずつ面取り加工
を行った。そして洗浄清掃条件の違いにより25枚のう
ち、不良枚数の発生を調べた。従来方法では不良枚数は
25枚中20枚であった。不良というのはウエハにキズ
が付いていたり割れたりするものを意味する。結果を表
1に示す。
【0027】加工条件 ウエハ 4インチφ 700μmt ケミカル研磨量 20μm 吸着テ−ブル吸着面直径 90mmφ 吸着圧力 3kg/cm
2 ウエハ試験枚数 25枚
2 ウエハ試験枚数 25枚
【0028】
【表1】
【0029】いずれの場合でも、従来法よりは不良発生
枚数が少ない。ウエハの清掃についていえば、エアブロ
−は少しであるが傷つき防止の効果を挙げている。ロ−
ルブラシの材質は、ゴムはあまりごみの除去に有効でな
いようである。弾性に富むが表面が平滑でごみなどを吸
い取ってしまうことができないからであろう。樹脂製ブ
ラシというのは線状の樹脂をブラシ状に植毛したもので
あるが、これはゴムよりは有効である。しかし、なおご
み取り効果が不十分である。これは一旦ごみを吸着して
も永久保持できず、ごみが再び表面に出てくるからであ
ろう。
枚数が少ない。ウエハの清掃についていえば、エアブロ
−は少しであるが傷つき防止の効果を挙げている。ロ−
ルブラシの材質は、ゴムはあまりごみの除去に有効でな
いようである。弾性に富むが表面が平滑でごみなどを吸
い取ってしまうことができないからであろう。樹脂製ブ
ラシというのは線状の樹脂をブラシ状に植毛したもので
あるが、これはゴムよりは有効である。しかし、なおご
み取り効果が不十分である。これは一旦ごみを吸着して
も永久保持できず、ごみが再び表面に出てくるからであ
ろう。
【0030】最も有効なのは、発泡軟質樹脂のものであ
る。これは先述のようにカネボウベルクリン等である。
軟質樹脂であるので、ウエハ面を柔らかくしかも前面に
接触しながら清掃できる。発泡してあるので擦り取った
異物を面積の広い内部の空洞部に吸着できる。ために異
物の除去に優れ再汚染を起こさないのであろう。軟質樹
脂部の材質は多孔質であることが望ましいが、気孔率で
いうと、80〜90%、孔径は40〜100μm程度で
あるのが良い。
る。これは先述のようにカネボウベルクリン等である。
軟質樹脂であるので、ウエハ面を柔らかくしかも前面に
接触しながら清掃できる。発泡してあるので擦り取った
異物を面積の広い内部の空洞部に吸着できる。ために異
物の除去に優れ再汚染を起こさないのであろう。軟質樹
脂部の材質は多孔質であることが望ましいが、気孔率で
いうと、80〜90%、孔径は40〜100μm程度で
あるのが良い。
【0031】吸着テ−ブルの清掃条件についていうと、
洗浄室は有ったほうが良い。洗浄室がないと、加工室で
吸着テ−ブルを洗浄し乾燥することになる。加工室は研
磨材粉末や研磨液などで汚れているから、吸着テ−ブル
に汚れが付き易いのであろう。清掃の方法について見る
と、水とエアだけのものよりも、水とエアと軟質樹脂の
清拭器により拭き取った方がより効果的であるというこ
とが分かる。
洗浄室は有ったほうが良い。洗浄室がないと、加工室で
吸着テ−ブルを洗浄し乾燥することになる。加工室は研
磨材粉末や研磨液などで汚れているから、吸着テ−ブル
に汚れが付き易いのであろう。清掃の方法について見る
と、水とエアだけのものよりも、水とエアと軟質樹脂の
清拭器により拭き取った方がより効果的であるというこ
とが分かる。
【0032】
【発明の効果】本発明は、半導体ウエハの面取り加工を
行う際、吸着テ−ブルの下面とウエハの上面をブラシや
清拭器によって清掃する。ために異物が吸着テ−ブルと
ウエハの間に挟み込まれるということがない。面取り加
工を行っている間において、ウエハが異物によってキズ
付くことがなく、次の効果を挙げることができる。
行う際、吸着テ−ブルの下面とウエハの上面をブラシや
清拭器によって清掃する。ために異物が吸着テ−ブルと
ウエハの間に挟み込まれるということがない。面取り加
工を行っている間において、ウエハが異物によってキズ
付くことがなく、次の効果を挙げることができる。
【0033】ウエハと吸着テ−ブルに付着していた異
物を除去することによりウエハが傷つき難い。たとえ傷
ついても浅いキズである。
物を除去することによりウエハが傷つき難い。たとえ傷
ついても浅いキズである。
【0034】ウエハを擦るロ−ルブラシに発泡体の軟
質樹脂を用いれば異物除去効率がさらに良くなる。ウエ
ハの損傷をさらに効果的に防止できる。
質樹脂を用いれば異物除去効率がさらに良くなる。ウエ
ハの損傷をさらに効果的に防止できる。
【0035】ウエハをロ−ルブラシで擦って清掃した
後、さらにエアブロ−を行うとウエハ上の異物除去の効
率がさらに高揚する。
後、さらにエアブロ−を行うとウエハ上の異物除去の効
率がさらに高揚する。
【0036】吸着テ−ブルに洗浄水を回転しながら吹
き付け、発泡体の軟質樹脂で水を拭き取り、エアブロ−
で吹き飛ばすので、吸着テ−ブルから異物が効果的に除
去される。
き付け、発泡体の軟質樹脂で水を拭き取り、エアブロ−
で吹き飛ばすので、吸着テ−ブルから異物が効果的に除
去される。
【0037】加工室とは別異の洗浄室で吸着テ−ブル
を洗浄するので、吸着テ−ブルへの新たな異物の付着を
防ぐことができる。
を洗浄するので、吸着テ−ブルへの新たな異物の付着を
防ぐことができる。
【図1】本発明の実施例に係るウエハ加工装置の平面
図。
図。
【図2】本発明の実施例に係るウエハ加工装置の正面
図。
図。
【図3】本発明の実施例に係るウエハ加工装置の加工室
と洗浄室の縦断面図。
と洗浄室の縦断面図。
【図4】本発明の実施例に係るウエハ加工装置の吸着テ
−ブル洗浄器の底面図。
−ブル洗浄器の底面図。
1 ウエハ 2 ウエハ搬送装置 3 ウエハセンタリング 4 ロ−ルブラシ 5 モ−タ 6 エアブロ− 7 加工室 8 吸着テ−ブル 9 回転砥石 10 洗浄室 11 仕切り 12 開口 13 シャッタ− 14 洗浄器 15 清拭器(発泡体の軟質樹脂) 16 腕 17 洗浄水及びエア吹き出し口
Claims (4)
- 【請求項1】 ウエハの外周を研削しへりを丸く面取り
する回転砥石と、ウエハを吸着し回転支持しながら砥石
にウエハを接触させる吸着テ−ブルと、ウエハを吸着テ
−ブルの下に搬送し加工されたウエハを吸着テ−ブルか
ら搬送する搬送装置と、回転砥石を収容する加工室とを
有し、ウエハの搬送経路の途中にブラシを設けウエハの
上面を清掃し、洗浄水と空気を吹き出す洗浄器を設けて
吸着テ−ブルの下面を洗浄し、さらに軟質樹脂の清拭器
によって吸着テ−ブルの下面を清掃するようにした事を
特徴とするウエハ加工装置。 - 【請求項2】 吸着テ−ブルを洗浄する洗浄器を収容す
る洗浄室が設けられ、洗浄室と加工室との間にシャッタ
−が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の
ウエハ加工装置。 - 【請求項3】 ウエハを清掃するブラシと吸着テ−ブル
を清掃する清拭器のうち少なくとも一方が多孔性の軟質
樹脂からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の
ウエハ加工装置。 - 【請求項4】 多孔性の軟質樹脂の孔径が40〜100
μmであり、気孔率が80〜90%である請求項3に記
載のウエハ加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8532193A JPH06275582A (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | ウエハ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8532193A JPH06275582A (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | ウエハ加工装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06275582A true JPH06275582A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13855361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8532193A Pending JPH06275582A (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | ウエハ加工装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06275582A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000216122A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェ―ハの平面研削方法 |
JP2011249640A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Et System Engineering Co Ltd | 半導体ウェーハの分離装置 |
JP2018079523A (ja) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 株式会社Sumco | ウェーハのエッジ研磨装置及び方法 |
-
1993
- 1993-03-18 JP JP8532193A patent/JPH06275582A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000216122A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェ―ハの平面研削方法 |
JP2011249640A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Et System Engineering Co Ltd | 半導体ウェーハの分離装置 |
JP2018079523A (ja) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 株式会社Sumco | ウェーハのエッジ研磨装置及び方法 |
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