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CN109270751B - 阵列基板及液晶显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及液晶显示面板。该阵列基板的每一像素单元中，薄膜晶体管的栅极及用于将薄膜晶体管与像素电极连接的过孔分别位于该像素单元靠近相邻的两条数据线的两侧，从而使像素单元两侧的开口率差异显著降低，在不影响开口率的情况下，有效解决了由于开口率差异导致的视角差异，提升显示品质。

Description

阵列基板及液晶显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等，在平板显示领域中占主导地位。
现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管基板(Thin FilmTransistor Array Substrate，TFT Array Substrate)与彩色滤光片基板(Color Filter，CF)之间灌入液晶分子，并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。
现有技术中，阵列基板一般设有多条扫描线、多条数据线及共通电极线，扫描线及共通电极线均位于第一金属层，数据线位于第一金属层上方的第二金属层。彩膜基板一般包括黑色矩阵、红绿蓝色阻、公共电极及隔垫物(PS)，隔垫物用于维持阵列基板与彩膜基板之间的间距均匀。
现有的采用COA(色阻层制作在阵列基板一侧)技术的液晶显示面板一般会在衬底上设置阵列排布的TFT器件、多条数据线、多条扫描线以形成阵列基板并在阵列基板上形成色阻层，在将该形成有色阻层的阵列基板与彩膜基板进行对组时，会将隔垫物设置在对应TFT器件的位置，由于色阻层的存在，可以对TFT器件进行保护，可防止隔垫物移动和挤压对TFT器件电性造成影响。然而，对于非COA设计的液晶显示面板，其隔垫物与阵列基板之间并没有色阻层作为保护层，此时若仍将隔垫物对应TFT器件设置，可能会对TFT电性产生影响，因此，对于非COA设计的显示面板，只能将隔垫物对应扫描线设置，为保证阵列基板与彩膜基板发生错位时隔垫物仍能够准确无误地起到支撑作用，需要增加扫描线的宽度，这会影响像素的开口率。为最大限度提高像素的开口率，请参阅图1，现有的一种阵列基板包括多条扫描线1100及多条数据线2100，多条扫描1100与多条数据线2100交叉设置，形成阵列排布的多个像素单元，每一像素单元均包括薄膜晶体管T’及像素电极3000，所述薄膜晶体管T’包括栅极1200、源极2200及漏极2300，一行像素单元的薄膜晶体管T’的栅极1200对应连接一条扫描线1100，一列像素单元的薄膜晶体管T’的漏极2300对应连接一条数据线2100，每一薄膜晶体管T’的源极2200通过过孔9001连接其所在的像素单元的像素电极3000，并且在每一像素单元中，薄膜晶体管T’的栅极1200及过孔9001位于该像素单元的同侧，在将该阵列基板与彩膜基板进行对组得到液晶显示面板时，请参阅图2，彩膜基板上的黑色矩阵5000需要覆盖扫描线1100、数据线2100、以及薄膜晶体管T’除了与像素电极3000连接处以外的其他部分，通过在彩膜基板与阵列基板之间对应扫描线1100除了与数据线2100交叉部分以外的部分上设置隔垫物，该结构的阵列基板能够在保证隔垫物不会影响TFT器件电性的情况下最大限度提升子像素的开口率，然而，该结构的阵列基板的一个像素区域两侧的开口率不同，如图2所示，像素区域左侧的开口率明显小于右侧的开口率，当对具有该阵列基板的液晶显示器进行列反转驱动时，像素区域两侧的穿透率会不同，因此会造成视角差异，影响显示品质。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板，开口率高，且能够消除视角差异。
本发明的另一目的在于提供一种液晶显示面板，开口率高，且能够消除视角差异。
为实现上述目的，本发明首先提供一种阵列基板，包括多条扫描线及多条数据线；多条扫描线与多条数据线交叉设置，形成阵列排布的多个像素单元；每一像素单元均包括薄膜晶体管及像素电极；所述薄膜晶体管包括栅极、源极及漏极；一行像素单元的薄膜晶体管的栅极对应连接一条扫描线，一列像素单元的薄膜晶体管的源极及漏极中的一个对应连接一条数据线，每一薄膜晶体管的源极及漏极中的另一个通过过孔连接其所在的像素单元的像素电极；
每一像素单元中，薄膜晶体管的栅极及过孔分别位于该像素单元靠近相邻的两条数据线的两侧。
所述薄膜晶体管还包括有源图案；每一薄膜晶体管中，所述有源图案设于栅极上，源极及漏极分别与有源图案的两端连接。
每一像素单元中，薄膜晶体管的漏极的一端连接有源图案的一端，另一端连接对应的数据线，源极的一端连接有源图案的另一端，另一端向与该像素单元相邻的两条数据线中远离薄膜晶体管的栅极的一条延伸，并通过过孔连接该像素单元的像素电极。
所述源极包括依次连接的第一部分、第二部分及连接端；所述第一部分连接于有源图案并沿平行于数据线的方向延伸，所述第二部分沿平行于扫描线的方向延伸，所述过孔与所述连接端对应。
所述漏极包括依次连接的第三部分及第四部分；所述第三部分连接于有源图案并向远离有源图案的方向延伸；所述第四部分沿平行于扫描线的方向延伸并将第三部分与对应的数据线连接。
所述阵列基板包括第一金属层及设于第一金属层上方且与第一金属层绝缘的第二金属层；
所述多条扫描线及多个像素单元的薄膜晶体管的栅极均位于第一金属层；所述多条数据线及多个像素单元的薄膜晶体管的源极及漏极均位于第二金属层。
所述扫描线与数据线交叠部分的宽度小于扫描线除了与数据线交叠部分以外的部分的宽度。
本发明还提供一种液晶显示面板，包括上述的阵列基板及与所述阵列基板相对设置的彩膜基板。
所述彩膜基板包括黑色矩阵，所述黑色矩阵与多条扫描线、多条数据线及多个薄膜晶体管相对设置，并至少部分暴露薄膜晶体管与像素电极的连接处。
所述液晶显示面板还包括设于阵列基板与彩膜基板之间的多个隔垫物，所述多个隔垫物对应多条扫描线除了与数据线交叠部分以外的部分设置，隔垫物在扫描线上的投影位于扫描线边缘内侧。
本发明的有益效果：本发明提供的一种阵列基板的每一像素单元中，薄膜晶体管的栅极及用于将薄膜晶体管与像素电极连接的过孔分别位于该像素单元靠近相邻的两条数据线的两侧，从而使像素单元两侧的开口率差异显著降低，在不影响开口率的情况下，有效解决了由于开口率差异导致的视角差异，提升显示品质。本发明提供的一种液晶显示面板的开口率高，且能够消除视角差异。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的一种采用非COA技术的阵列基板的俯视示意图；
图2为图1所示的阵列基板与彩膜基板对组后被彩膜基板的黑色矩阵覆盖的示意图；
图3为本发明的阵列基板的俯视示意图；
图4为本发明的阵列基板的扫描线、数据线及薄膜晶体管的俯视示意图；
图5为本发明的液晶显示面板对应扫描线设置隔垫物的示意图；
图6为本发明的液晶显示面板的黑色矩阵的设置示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图3及图4，本发明提供一种阵列基板，包括多条扫描线110及多条数据线210，多条扫描线110与多条数据线210交叉设置，形成阵列排布的多个像素单元1。每一像素单元1均包括薄膜晶体管T及像素电极300。所述薄膜晶体管T包括栅极120、源极220及漏极230。一行像素单元1的薄膜晶体管T的栅极120对应连接一条扫描线110，一列像素单元1的薄膜晶体管T的源极220及漏极230中的一个对应连接一条数据线210，每一薄膜晶体管T的源极220及漏极230中的另一个通过过孔901连接其所在的像素单元1的像素电极300。
每一像素单元1中，薄膜晶体管T的栅极120及过孔901分别位于该像素单元1靠近相邻的两条数据线210的两侧。
具体地，请参阅图3及图4，所述薄膜晶体管T还包括有源图案400。每一薄膜晶体管T中，所述有源图案400设于栅极120上，源极220及漏极230分别与有源图案400的两端连接。
具体地，在图3及图4所示的实施例中，每一像素单元1中，薄膜晶体管T的漏极230的一端连接有源图案400的一端，另一端连接对应的数据线210，源极220的一端连接有源图案400的另一端，另一端向与该像素单元1相邻的两条数据线210中远离薄膜晶体管T的栅极120的一条延伸，并通过过孔901连接该像素单元1的像素电极300。
进一步地，所述源极220包括依次连接的第一部分221、第二部分222及连接端223。所述第一部分221连接于有源图案400并沿平行于数据线210的方向延伸，所述第二部分222沿平行于扫描线110的方向延伸，所述过孔901与所述连接端223对应。所述漏极230包括依次连接的第三部分231及第四部分232。所述第三部分231连接于有源图案400并向远离有源图案400的方向延伸。所述第四部分232沿平行于扫描线110的方向延伸并将第三部分231与对应的数据线210连接。
具体地，所述阵列基板包括第一金属层及设于第一金属层上方且与第一金属层绝缘的第二金属层。所述多条扫描线110及多个像素单元1的薄膜晶体管T的栅极120均位于第一金属层。所述多条数据线210及多个像素单元1的薄膜晶体管T的源极220及漏极230均位于第二金属层。
进一步地，第一金属层中还设置有公共电极线130。
优选地，所述扫描线110与数据线210交叠部分的宽度小于扫描线110除了与数据线210交叠部分以外的部分的宽度。
需要说明的是，本发明的阵列基板设置每一像素单元1中，薄膜晶体管T的栅极120及用于将薄膜晶体管T与像素电极300连接的过孔901分别位于该像素单元1靠近相邻的两条数据线210的两侧，栅极120及过孔901均是影响开口率的重要因素，通过此种结构设置，使得像素单元1两侧的开口率差异显著降低，在不影响开口率的情况下，有效解决了由于开口率差异导致的视角差异，提升显示品质，与此同时，该阵列基板不影响由源极220与栅极120组成的电容的大小，从而对像素充电率无影响，并且对像素的开口率及穿透率不会造成损失，提升产品的品质。
基于同一发明构思，请参阅图5及图6，并结合图3及图4，本发明还提供一种液晶显示面板，包括上述的阵列基板及与所述阵列基板相对设置的彩膜基板。在此不再对阵列基板的结构做重复性描述。
具体地，所述液晶显示面板还包括设于阵列基板与彩膜基板之间的多个隔垫物600，所述多个隔垫物600对应多条扫描线100除了与数据线210交叠部分以外的部分设置，隔垫物600在扫描线110上的投影位于扫描线110边缘内侧，从而利用隔垫物600维持所述阵列基板与彩膜基板之间的间距均匀，并且即使阵列基板与彩膜基板的相对移动，隔垫物600也能准确无误地起到支撑作用。该隔垫物600可制作在阵列基板侧，也可制作在彩膜基板侧，均不会影响本发明的实现。
具体地，所述彩膜基板包括黑色矩阵500，所述黑色矩阵500与多条扫描线110、多条数据线210及多个薄膜晶体管T相对设置，并至少部分暴露薄膜晶体管T与像素电极300的连接处。
具体地，所述阵列基板为非COA型的阵列基板，所述彩膜基板还包括色阻层(未图示)。
需要说明的是，本发明的液晶显示面板设置每一像素单元1中，薄膜晶体管T的栅极120及用于将薄膜晶体管T与像素电极300连接的过孔901分别位于该像素单元1靠近相邻的两条数据线210的两侧，栅极120及过孔901均是影响开口率的重要因素，通过此种结构设置，使得像素单元1两侧的开口率差异显著降低，在不影响开口率的情况下，有效解决了由于开口率差异导致的视角差异，提升显示品质，与此同时，该阵列基板不影响由源极220与栅极120组成的电容的大小，从而对像素充电率无影响，并且对像素的开口率及穿透率不会造成损失，提升产品的品质。
综上所述，本发明的阵列基板的每一像素单元中，薄膜晶体管的栅极及用于将薄膜晶体管与像素电极连接的过孔分别位于该像素单元靠近相邻的两条数据线的两侧，从而使像素单元两侧的开口率差异显著降低，在不影响开口率的情况下，有效解决了由于开口率差异导致的视角差异，提升显示品质。本发明的液晶显示面板的开口率高，且能够消除视角差异。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (7)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括多条扫描线(110)及多条数据线(210)；多条扫描线(110)与多条数据线(210)交叉设置，形成阵列排布的多个像素单元(1)；每一像素单元(1)均包括薄膜晶体管(T)及像素电极(300)；所述薄膜晶体管(T)包括栅极(120)、源极(220)及漏极(230)；一行像素单元(1)的薄膜晶体管(T)的栅极(120)对应连接一条扫描线(110)，一列像素单元(1)的薄膜晶体管(T)的源极(220)及漏极(230)中的一个对应连接一条数据线(210)，每一薄膜晶体管(T)的源极(220)及漏极(230)中的另一个通过过孔(901)连接其所在的像素单元(1)的像素电极(300)；
每一像素单元(1)中，薄膜晶体管(T)的栅极(120)及过孔(901)分别位于该像素单元(1)靠近相邻的两条数据线(210)的两侧；
所述薄膜晶体管(T)还包括有源图案(400)；每一薄膜晶体管(T)中，所述有源图案(400)设于栅极(120)上，源极(220)及漏极(230)分别与有源图案(400)的两端连接；
每一像素单元(1)中，薄膜晶体管(T)的漏极(230)的一端连接有源图案(400)的一端，另一端连接对应的数据线(210)，源极(220)的一端连接有源图案(400)的另一端，另一端向与该像素单元(1)相邻的两条数据线(210)中远离薄膜晶体管(T)的栅极(120)的一条延伸，并通过过孔(901)连接该像素单元(1)的像素电极(300)；
所述源极(220)包括依次连接的第一部分(221)、第二部分(222)及连接端(223)；所述第一部分(221)连接于有源图案(400)并沿平行于数据线(210)的方向延伸，所述第二部分(222)沿平行于扫描线(110)的方向延伸，所述过孔(901)与所述连接端(223)对应。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极(230)包括依次连接的第三部分(231)及第四部分(232)；所述第三部分(231)连接于有源图案(400)并向远离有源图案(400)的方向延伸；所述第四部分(232)沿平行于扫描线(110)的方向延伸并将第三部分(231)与对应的数据线(210)连接。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，包括第一金属层及设于第一金属层上方且与第一金属层绝缘的第二金属层；
所述多条扫描线(110)及多个像素单元(1)的薄膜晶体管(T)的栅极(120)均位于第一金属层；所述多条数据线(210)及多个像素单元(1)的薄膜晶体管(T)的源极(220)及漏极(230)均位于第二金属层。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述扫描线(110)与数据线(210)交叠部分的宽度小于扫描线(110)除了与数据线(210)交叠部分以外的部分的宽度。
5.一种液晶显示面板，其特征在于，包括如权利要求1所述的阵列基板及与所述阵列基板相对设置的彩膜基板。
6.如权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括黑色矩阵(500)，所述黑色矩阵(500)与多条扫描线(110)、多条数据线(210)及多个薄膜晶体管(T)相对设置，并至少部分暴露薄膜晶体管(T)与像素电极(300)的连接处。
7.如权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，还包括设于阵列基板与彩膜基板之间的多个隔垫物(600)，所述多个隔垫物(600)对应多条扫描线(110)除了与数据线(210)交叠部分以外的部分设置，隔垫物(600)在扫描线(110)上的投影位于扫描线(110)边缘内侧。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111243439B (zh) * 2020-03-04 2021-09-24 Tcl华星光电技术有限公司 一种显示面板及装置
CN113867056B (zh) * 2020-06-30 2023-01-10 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板和显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105911783A (zh) * 2016-06-24 2016-08-31 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板
CN107121861A (zh) * 2017-06-20 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及液晶显示设备

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4802896B2 (ja) * 2005-09-09 2011-10-26 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
KR101250790B1 (ko) * 2006-06-30 2013-04-04 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조방법
CN100545725C (zh) * 2006-12-28 2009-09-30 中华映管股份有限公司 像素结构与液晶显示面板
TWI383232B (zh) * 2009-03-19 2013-01-21 Au Optronics Corp 薄膜電晶體陣列基板
CN102280443B (zh) * 2010-06-08 2014-06-11 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板的结构及制造方法
CN103901684B (zh) * 2012-12-28 2018-02-09 上海中航光电子有限公司 一种ips模式的液晶显示器
CN103353683B (zh) * 2013-06-26 2016-02-10 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板以及包括该阵列基板的显示装置
CN103928471B (zh) * 2014-03-24 2016-10-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN104465672B (zh) * 2014-12-26 2018-01-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
KR102519516B1 (ko) * 2015-12-18 2023-04-06 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN105607370A (zh) * 2016-02-04 2016-05-25 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶面板
CN105867031A (zh) * 2016-06-01 2016-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft基板以及液晶显示面板
CN105974659B (zh) * 2016-07-29 2020-07-07 上海中航光电子有限公司 阵列基板及显示面板
CN107329311B (zh) * 2017-08-03 2020-04-28 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105911783A (zh) * 2016-06-24 2016-08-31 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板
CN107121861A (zh) * 2017-06-20 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及液晶显示设备

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