CN100545725C - 像素结构与液晶显示面板 - Google Patents
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Abstract
一种像素结构,包括扫描线、数据线、第一次像素、耦合电极以及第二次像素。第一次像素包括第一薄膜晶体管与第一像素电极,而第一像素电极通过第一薄膜晶体管与扫描线及数据线电性连接。耦合电极配置于数据线的上方,且耦合电极与数据线电性绝缘。第二次像素包括第二薄膜晶体管与第二像素电极,而第二像素电极与第二薄膜晶体管电性连接,且第二薄膜晶体管电性连接耦合电极。当从斜视角方向观看影像时,借由此像素结构可改善影像色偏的问题。此外,一种具有上述像素结构的液晶显示面板也被提出。
Description
技术领域
本发明涉及一种像素结构及具有此像素结构的液晶显示面板,尤其涉及一种能改善影像色偏(color shift of image)的液晶显示面板及其像素结构。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)由于具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性,因而已逐渐成为市场的主流。目前,市场对于液晶显示器的性能要求是朝向高对比度(High Contrast Ratio)、快速反应与广视角等特性。其中,能够达成广视角要求的技术,一般是采用多域垂直配向(Multi-domain Vertically Alignment,MVA)薄膜晶体管液晶显示器。
图1是现有的多域垂直配向薄膜晶体管液晶显示面板的剖面示意图。请参照图1,此液晶显示面板100包括:薄膜晶体管阵列基板110、彩色滤光基板120以及液晶层130。借由设置在薄膜晶体管阵列基板110及彩色滤光基板120的突起物140或狭缝图案(图未示),当在两基板110、120之间形成电场时,可使液晶层130中的液晶分子132往不同的方向倾倒而形成4个区域(4domain)的分布。如此一来,可达到广视角的显示效果。
虽然多域垂直配向或水平配向的薄膜晶体管液晶显示器可以达到广视角的目的,但是当使用者在较大的视角进行观看时,所见的影像会产生颜色偏白(color washout)的现象。
图2是现有的多域垂直配向薄膜晶体管液晶显示器在不同视角(θ)(ψ=0)下的γ曲线图。请参照图2,其中,纵轴表示辉度(TDS),而横轴表示灰阶值(gray level)。由图2中可知,当视角越大时,其γ曲线变形越严重,亦即,色偏现象越严重。在较大的视角方向产生色偏的原因是在中、低灰阶时的辉度偏大,所以改善色偏现象的方法便是有效地降低此时的辉度。在美国专利US 2005/0030439号中,揭露了一种将像素分割为两个次像素(sub-pixel)的设计。
图3是现有一种薄膜晶体管阵列基板的俯视示意图。请参照图3,第一像素电极190a与第二像素电极190b分别位于像素190的左右两个区域。其中,第一像素电极190a通过接触窗开口181而与漏极175电性连接。并且,漏极175延伸到第二像素电极190b的下方。因此,第二像素电极190b的电压经由电容耦合效应而产生一压降,使得施加在第二像素电极190b上的电压小于施加在第一像素电极190a上的电压。借此,可达到在中、低灰阶时,第二像素电极190b的区域较暗,而在高灰阶时第一像素电极190a与第二像素电极190b的区域辉度相近的效果。所以,像素190可以改善在大视角时所产生的色偏现象。
然而,在不同的面板尺寸与像素解析度下,存在着必须维持突起物或狭缝的间距,以使面板的反应时间、光透过率等特性最佳化的需求。所以,上述将像素190分为左右两个部分的像素设计,会受到必须维持突起物或狭缝的间距的限制,而难以调整第一像素电极190a与第二像素电极190b的面积比例。
另外,上述的像素190是对应到同一个薄膜晶体管,并且分别施加在第一像素电极190a与第二像素电极190b上的电压并不相同,所以对应第一像素电极190a与第二像素电极190b的共用电压(Vcom)也需不同。因此,画面闪烁(Flicker)的现象将会变得较为严重。
图4是对应图3的薄膜晶体管阵列基板的彩色滤光基板的俯视示意图。请共同参照图3与图4,由于漏极175的材质为金属,所以其不能透光。为了避免降低像素190的开口率,漏极175必须对应如图4所示的突起物272而设置。但是,若是在面板组立时发生组立偏移,将会使漏极175没有被突起物272遮蔽而降低面板的开口率。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的是提供一种像素结构,利用此种像素结构的液晶显示面板可以减少色偏的现象,并且可易于调整次像素的面积比例、改善画面闪烁以及解决开口率下降等问题。
本发明的另一目的是提供一种液晶显示面板,其除了可解决色偏的问题之外,并且可易于调整次像素的面积比例、改善画面闪烁以及解决开口率下降等问题。
为达上述或是其他目的,本发明提出一种像素结构,包括扫描线、数据线、第一次像素、耦合电极以及第二次像素。第一次像素包括第一薄膜晶体管与第一像素电极,而第一像素电极通过第一薄膜晶体管与扫描线及数据线电性连接。耦合电极配置于数据线的上方,且耦合电极与数据线电性绝缘。第二次像素包括第二薄膜晶体管与第二像素电极,而第二像素电极与第二薄膜晶体管电性连接,且第二薄膜晶体管电性连接耦合电极。
在本发明的一实施例中,上述的第一薄膜晶体管具有一第一元件宽/长比,第二薄膜晶体管具有一第二元件宽/长比,且第一元件宽/长比与第二元件宽/长比大致上相同。
在本发明的一实施例中,上述的第一次像素的面积与第二次像素的面积比例介于1∶1~1∶2之间。
在本发明的一实施例中,上述的第一像素电极以及该第二像素电极中分别包括有一配向狭缝图案。
在本发明的一实施例中,上述的像素结构还包括一配向凸起图案,配置于第一像素电极以及第二像素电极上。
在本发明的一实施例中,上述的像素结构还包括一共用电极,配置于第一像素电极以及第二像素电极的底下。
在本发明的一实施例中,上述的耦合电极的材质包括透明导电材质。
为达上述或是其他目的,本发明再提出一种液晶显示面板,包括薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光基板以及液晶层。薄膜晶体管阵列基板具有多个像素结构,其中每一像素结构包括包括扫描线、数据线、第一次像素、耦合电极以及第二次像素。第一次像素包括第一薄膜晶体管与第一像素电极,而第一像素电极通过第一薄膜晶体管与扫描线及数据线电性连接。耦合电极配置于数据线的上方,且耦合电极与数据线电性绝缘。第二次像素包括第二薄膜晶体管与第二像素电极,而第二像素电极与第二薄膜晶体管电性连接,且第二薄膜晶体管电性连接耦合电极。彩色滤光基板配置于薄膜晶体管阵列基板的对向。液晶层配置于薄膜晶体管阵列基板以及彩色滤光基板之间。
在本发明的一实施例中,上述的第一薄膜晶体管具有一第一元件宽/长比,第二薄膜晶体管具有一第二元件宽/长比,且第一元件宽/长比与第二元件宽/长比大致上相同。
在本发明的一实施例中,上述的第一次像素的面积与第二次像素的面积比例介于1∶1~1∶2之间。
在本发明的一实施例中,上述的每一像素结构的第一像素电极以及第二像素电极中分别包括有一配向狭缝图案。
在本发明的一实施例中,上述的薄膜晶体管阵列基板上还包括配置有一配向凸起图案,位于第一像素电极以及第二像素电极上。
在本发明的一实施例中,上述的彩色滤光基板上还包括配置有一配向凸起图案。
在本发明的一实施例中,上述的彩色滤光基板上还包括配置有一配向狭缝图案。
在本发明的一实施例中,上述的每一像素结构还包括共用电极,配置于第一像素电极以及第二像素电极的底下。
在本发明的一实施例中,上述的彩色滤光基板还包括一共用电极层。
在本发明的一实施例中,上述的耦合电极的材质包括透明导电材质。
借由在单一像素结构中设置第一次像素与第二次像素,且利用耦合电极与数据线的电容耦合效应使第二次像素的电压不同于第一次像素的电压。因此,单一像素结构中可产生不同的电场分布,使单一像素结构内的液晶分子产生不同方向的液晶分子排列。如此一来,便可以解决影像色偏的问题。另外,由于耦合电极设置于数据线的上方,因此,当组立液晶显示面板时,可避免组立位移所造成的开口率下降的问题。再者,此像素结构可易于调整第一次像素与第二次像素的面积比例以及改善画面闪烁的问题。
附图说明
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合附图作详细说明,其中附图为:
图1是现有的多域垂直配向薄膜晶体管液晶显示器的剖面示意图。
图2是现有的多域垂直配向薄膜晶体管液晶显示器在不同视角(θ)(ψ=0)下的γ曲线图。
图3是现有一种薄膜晶体管阵列基板的俯视示意图。
图4是对应图3的薄膜晶体管阵列基板的彩色滤光基板的俯视示意图。
图5A是本发明实施例的一种像素结构的俯视示意图。
图5B是沿着图5A中的A-A’线的剖面示意图。
图5C是图5A的像素结构的等效电路图。
图6是使用者观看面板的示意图。
图7是在不同Ccp∶(Cs2+Clc2)比值下,具有图5A所示的像素结构的液晶显示面板在斜视方向(θ,ψ)=(60°,0°)的γ曲线的示意图。
图8A是Ccp∶(Cs2+Clc2)的比值与D值的关系示意图。
图8B是Ccp∶(Cs2+Clc2)的比值与亮度值关系的示意图。
图9是本发明较佳实施例的另一种像素结构的俯视示意图。
图10是在不同Ccp∶(Cs2+Clc2)比值下,具有图9所示的像素结构的液晶显示面板在斜视方向(θ,ψ)=(60°,0°)的γ曲线的示意图。
图11A是Ccp∶(Cs2+Clc2)的比值与D值的关系示意图。
图11B是Ccp∶(Cs2+Clc2)的比值与亮度值关系的示意图。
图12是本发明较佳实施例的一种液晶显示面板的示意图。
主要元件符号说明如下:
100、600:液晶显示面板
110、610:薄膜晶体管阵列基板
120、620:彩色滤光基板
130、630:液晶层
132:液晶分子
140、272:突起物
175:漏极
181:接触窗开口
190:像素
190a、334:第一像素电极
190b、354:第二像素电极
300、500、612:像素结构
310:扫描线
320:数据线
330:第一次像素
332:第一薄膜晶体管
332a、352a:通道层
332b、352b:源极
332c、352c:漏极
334a、354a:配向图案
340:耦合电极
350:第二次像素
352:第二薄膜晶体管
360:栅绝缘层
362:保护层
364:接触窗开口
370a、370b:共用电极
380、622:基板
410:视线
420:面板的法线
624:黑矩阵
626:彩色滤光层
628:共用电极层
A-A’:剖面线
Cs1、Clc1、Cs2、Clc2、Ccp、Ccp_com:电容
θ:视线和垂直于面板的法线的夹角
ψ:视线投影于面板的线和面板中心水平线的夹角
具体实施方式
图5A是本发明实施例的一种像素结构的俯视示意图。请参照图5A,此像素结构300包括扫描线310、数据线320、第一次像素330、耦合电极340以及第二次像素350。第一次像素330包括第一薄膜晶体管332与第一像素电极334,而第一像素电极334通过第一薄膜晶体管332与扫描线310及数据线320电性连接。耦合电极340配置于数据线320的上方,且耦合电极340与数据线320电性绝缘。第二次像素350包括第二薄膜晶体管352与第二像素电极354,而第二像素电极354与第二薄膜晶体管352电性连接,且第二薄膜晶体管352电性连接耦合电极340。
在本实施例中,扫描线310以及数据线320是配置于基板380上。第一次像素330的第一薄膜晶体管332、以及第二次像素350的第二薄膜晶体管352都是形成在扫描线310上,并且都以扫描线310的一部份作为其栅极。当然,在另一实施例中,也可以采用将第一薄膜晶体管332与第二薄膜晶体管352配置在栅极图案(图未示)上,并且使栅极图案与扫描线310电性连接的方式。
另外,第一薄膜晶体管332包括栅极(即扫描线310的一部份)、通道层332a、源极332b与漏极332c,其中,通道层332a设置在覆盖于栅极上的栅绝缘层360(如图5B所示),而源极332b、漏极332c设置于通道层332a上。同样地,第二薄膜晶体管352包括栅极(即扫描线310的一部份)、通道层352a、源极352b与漏极352c,其构造与第一薄膜晶体管332类似。关于第一薄膜晶体管332与第二薄膜晶体管352的详细构造,本领域技术人员应可了解,并可以进行适当的变化,在此将不予以赘述。
请继续参照图5A,第一像素电极334以及第二像素电极354中可以设置有配向图案334a、354a。在一实施例中,配向图案334a、354a例如是配向狭缝图案,使其配置于第一像素电极334以及第二像素电极354中。在另一实施例中,配向图案334a、354a也可以是配向凸起图案,使其配置于第一像素电极334以及第二像素电极354上。借由配向图案334a、354a的设置,可使具有此像素结构300的液晶显示面板产生广视角的效果。
再者,像素结构300也可以还包括共用电极370a、370b,分别配置于第一像素电极334以及第二像素电极354的底下。借此,共用电极370a、370b分别与第一像素电极334以及第二像素电极354形成储存电容器,而使施加在第一像素电极334与第二像素电极354上的电压能维持一段时间。另外,上述的第一像素电极334、第二像素电极354、以及耦合电极340的材质可以是透明导电材质,亦即,可以是铟锡氧化物、铟锌氧化物或是其他适合的材质。
值得注意的是,如图5A所示的第二薄膜晶体管352与设置在数据线320上方的耦合电极340电性连接,进而使施加在第一像素电极334与第二像素电极354的电压不相同。
图5B是沿着图5A中的A-A’线的剖面示意图。请共同参照图5A~5B,来自数据线320的数据电压直接经过第一薄膜晶体管332而施加到第一像素电极334上;而施加到第二像素电极354上的电压,是借由电容耦合效应(capacitance coupled effect)所产生的一小于数据电压的电压。
更详细而言,在第二次像素350中配置的第二薄膜晶体管352,其源极352b会经由在保护层362中所形成的接触窗开口364而与耦合电极340电性连接。由于耦合电极340位于数据线320的上方,所以,当对于数据线320施加数据电压时,借由数据线320与耦合电极340之间产生的电容耦合效应,可使耦合电极340上产生一小于数据电压的电压。之后,再经由第二薄膜晶体管352将此电压施加于第二像素电极354上。
承上述,具有此像素结构300的液晶显示面板可利用同一个数据电压,在第一像素电极334的区域以及第二像素电极354的区域中形成不同的电场分布。因此,位于第一像素电极334的区域中的液晶分子(图未示)以及位于第二像素电极354区域中的液晶分子(图未示)会进一步产生不同的倾倒方向。如此一来,像素结构300可以达到8区域分布(8domain)的效果。借此,可达到在中、低灰阶时,第二像素电极354的区域较暗,而在高灰阶时第一像素电极334与第二像素电极354的区域辉度相近的效果。其结果是,可以改善在较大的斜视角方向观看影像时,所产生的影像色偏现象。
特别是,耦合电极340位于不透光的数据线320上方。相较于如图3、4所示的现有技术而言,当组立具有此像素结构300的液晶显示面板时,可避免因为组立精度不佳而使耦合电极340露出于像素区域中的问题。如此一来,可以防止具有此像素结构300的液晶显示面板的开口率下降。
并且,由于耦合电极340配置于数据线320上方,所以,可降低数据线320与位于彩色滤光基板620(如图12所示)侧的共用电极层628(如图12所示)之间因电性耦合所产生的电容。因此,像素结构300可减少串音现象(crosstalk)的发生程度。并且,对于第一像素电极334、第二像素电极354边缘受到数据线320的电场影响而产生的暗纹也会较轻微。
请继续参照图5A,第一薄膜晶体管332可以具有一第一元件宽/长比W1/L1,第二薄膜晶体管352可以具有一第二元件宽/长比W2/L2,且第一元件宽/长比W1/L1与第二元件宽/长比W2/L2大致上相同。
也就是说,通过调整第一薄膜晶体管332第一元件宽/长比W1/L1、以及第二薄膜晶体管352第二元件宽/长比W2/L2,可使第一次像素330与第二次像素350之间的正负框(frame)压差缩小,以改善画面闪烁的问题。
表一为通过调整薄膜晶体管的元件宽/长比而缩小正负框压差的结果。
表一
请共同参照表一与图5A,当第二次像素350中的第二薄膜晶体管352的通道宽度W2为13.70μm时,第二次像素350已经具有足够的充电能力。但是,在中间阶调L127的正负框压差却高达30mV,因此,会产生画面闪烁以及面板烧附(image sticking)的问题。因此,借由调整第二薄膜晶体管352的通道宽度W2为14.45μm,而使压降为4mV。如此一来,将可改善画面闪烁与避免面板烧附(image sticking)的问题。
图5C是图5A的像素结构的等效电路图。请共同参照图5A与图5C,在第一次像素330中会产生Cs1、Clc1等电容,其中,电容Cs1经由第一像素电极334与共用电极370a电性耦合而产生,而电容Clc1经由第一像素电极334与共用电极层628(如图12所示)电性耦合而产生,此共用电极层628(如图12所示)位于第一像素电极334对向的彩色滤光基板620(如图12所示)上。
另外,在第二次像素350中会产生Cs2、Clc2、Ccp及Ccp_com等电容,其中,电容Cs2经由第二像素电极354与共用电极370b电性耦合而产生。电容Clc2经由第二像素电极354与共用电极层628电性耦合而产生,此共用电极层628(如图12所示)位于第二像素电极354对向的彩色滤光基板620上(如图12所示)。电容Ccp经由数据线320以及耦合电极340电性耦合而产生。电容Ccp_com经由耦合电极340与共用电极层628(如图12所示)电性耦合而产生,此共用电极层628位于第二像素电极354对向的彩色滤光基板620(如图12所示)上。由图5C可知,借由电容耦合效应,使施加在第二次像素350上的电压不同于施加在第一次像素330的电压。并且,可借由改变第二次像素350中的Ccp∶(Cs2+Clc2)的比值,而改善影像色偏的现象。
在对于改善斜视角方向所产生的影像色偏问题,一般是利用以下的公式(1)进行评估:
其中,D(θ,ψ)表示色偏改善程度的评估值;ΔBi,j表示任两阶调的亮度差值,其中,ΔBi,j(on axis)为正视角时的情形,ΔBi,j(off axis)为斜视角的情形。而θ为视线410和垂直于面板的法线420的夹角,ψ为视线410投影于面板的线和面板中心水平线的夹角,如图6的使用者观看面板的示意图所示。
当D值越小时,表示影像色偏的改善程度越佳。一般而言,未具有本实施例的8区域分布的多域垂直配向液晶显示器,其D值为0.92,亦即其影像色偏的问题较为严重。但是,当改变第二次像素350中的Ccp∶(Cs2+Clc2)的比值时,可调整D值的大小。
图7是在不同Ccp∶(Cs2+Clc2)比值下,具有图5A所示的像素结构的液晶显示面板在斜视方向(θ,ψ)=(60°,0°)的γ曲线的示意图。请参照图7,其中的纵轴为亮度值,横轴为灰阶值,并且Ccp∶(Cs2+Clc2)的比值分别为1.6、1.4以及1.2。由图7中可知,一般的4区域分布(4-D)的γ曲线变形十分严重,也就是有严重的色偏现象。然而,当将Ccp∶(Cs2+Clc2)调整为1.6∶1时,此时的D值以0.46为最小值,并可见到γ曲线会被修正以使斜视角色偏情形最为轻微。
但是,当改变Ccp∶(Cs2+Clc2)的比值时,需同时考虑到亮度的需求。也就是,为了改善色偏现象,通常会降低Ccp∶(Cs2+Clc2)的比值,以使D值下降。于此同时,亮度也会随之下降,而造成亮度不足的情形。反之,为了提升亮度而增加Ccp∶(Cs2+Clc2)的比值时,此时会使D值增加,反而使影像色偏较为严重。
图8A是Ccp∶(Cs2+Clc2)的比值与D值的关系示意图。图8B是Ccp∶(Cs2+Clc2)的比值与亮度值关系的示意图。以TV面板模拟为例,由图8A与图8B中可知,当Ccp∶(Cs2+Clc2)调整为2.3∶1时,此时D值约为0.51,并且,亮度可提高到420nits。再者,可以再利用双重增光膜(Dual BrightnessEnhancement Film,DBEF),使亮度增加到550nits,以符合同时改善影像色偏与提供适当的亮度的需求。
图9是本发明较佳实施例的另一种像素结构的俯视示意图。请参见图9,此像素结构500与图5A中所示的像素结构300相类似,因此,相同的元件以相同的标号表示。图5A的像素结构300与图9的像素结构500不同之处在于:在图9的像素结构500中,第一次像素330的面积小于第二次像素350的面积。
更详细而言,如图5A与图9所示,第一次像素330的面积与第二次像素350的面积比例可以是介于1∶1~1∶2之间。借由调整第一次像素330与第二次像素350的面积比例,可以在相同亮度的条件下,更佳地改善影像色偏的情形。请继续参照图9,当第一次像素330的面积与第二次像素350的面积比例为1∶2时,可以加强中、低灰阶的γ曲线抑制程度,借此可进一步改善色偏现象。
图10是在不同Ccp∶(Cs2+Clc2)比值下,具有图9所示的像素结构的液晶显示面板在斜视方向(θ,ψ)=(60°,0°)的γ曲线的示意图。请参照图10,其中的纵轴为亮度值,横轴为灰阶值,且Ccp∶(Cs2+Clc2)比值分别为1.6、1.4以及1.2。由图10中可知,当改变Ccp∶(Cs2+Clc2)的比值时,可改变D值的大小。相较于一般的4区域分布(4-D)的γ曲线,可见到具有像素结构500的液晶显示面板的γ曲线会被修正到没有色偏的情形。
图11A是Ccp∶(Cs2+Clc2)的比值与D值的关系示意图。图11B是Ccp∶(Cs2+Clc2)的比值与亮度值关系的示意图。以TV面板模拟为例,由图11A与图11B中可知,当Ccp∶(Cs2+Clc2)调整为1.6∶1时,此时的D值为最小值,其约为0.36。虽然色偏现象有较佳的改善,但是此时的亮度略微不足,其仅为290nit。因此,可调整Ccp∶(Cs2+Clc2)为2.3∶1,使D值约为0.52。虽然色偏的程度会稍微提升,但是,亮度却可提高到400nits。于此同时,若是再配合双重增光膜的使用,可使亮度增加到520nits,以符合同时改善色偏现象与提供适当的亮度的需求。由上述的数据可知,借由调整面积比例,相同亮度下的D值可以更低,而能够更佳地改善色偏的问题。
图12是本发明较佳实施例的一种液晶显示面板的示意图。此液晶显示面板600包括薄膜晶体管阵列基板610、彩色滤光基板620以及液晶层630。薄膜晶体管阵列基板610具有多个像素结构612,其中每一像素结构612例如为图5A或图9所示的像素结构300、500,在此不予以重述。彩色滤光基板620配置于薄膜晶体管阵列基板610的对向。液晶层630配置于薄膜晶体管阵列基板610以及彩色滤光基板620之间。
值得注意的是,如图5A所示,利用耦合电极340与数据线320的电容耦合效应,可以使施加在第二次像素350的电压与施加在第一次像素330上的电压不同。因此,像素结构300可以达到8区域分布(8domain)的效果。如此一来,可达到在中、低灰阶时第二次像素350较暗,而在高灰阶时第一次像素330与第二次像素350辉度相近的效果。其结果是,可以改善在较大的斜视角方向观看影像时,所产生的影像色偏现象。
请再参照图12,彩色滤光基板620包括基板622、配置于基板622上的黑矩阵624与彩色滤光层626,以及共用电极层628。彩色滤光层626例如由红、绿、蓝色滤光图案所构成。黑矩阵624的材质例如是金属或黑树脂。而电极层628是覆盖在黑矩阵624以及彩色滤光层626表面上,其用以与薄膜晶体管阵列基板610上的第一次像素330与第二次像素350之间产生一电场,以使液晶层630中的液晶分子产生扭转而达到显示的目的。
在一实施例中,彩色滤光基板620上还包括一配向凸起图案(图未示)或是配向狭缝图案(图未示),其搭配设置在薄膜晶体管阵列基板610上的像素结构612上的配向图案,以达到广视角的效果。配向图案可以是配向狭缝图案或是配向凸起图案。当然,本发明并不限定配向凸起图案与配向狭缝图案的设置方式与形状,其可以是多域垂直配向的结构,或是其他种变化。
总之,利用了本发明的像素结构300、500的液晶显示面板600,将可以达到改善影像色偏、避免开口率下降、改善画面闪烁,且可易于调整次像素的面积比例等效果。
综上所述,本发明的像素结构与液晶显示面板具有以下的优点:
(1)借由在单一像素结构中设置第一次像素与第二次像素,且利用耦合电极与数据线的电容耦合效应使第二次像素的电压不同于第一次像素的电压。如此一来,可改善影像色偏的问题。
(2)由于将耦合电极设置于数据线的上方,所以,当组立液晶显示面板时,可避免组立位移使耦合电极露出于像素区域中所造成的开口率下降的问题。
(3)利用耦合电极的屏蔽作用,可降低数据线与位于彩色滤光基板侧的共用电极层之间因电性耦合所产生的电容。所以,此像素结构可减少串音现象的发生程度。并且,也可解决因为数据线对于第一像素电极与第二像素电极的影响所造成的暗纹。
(4)此像素结构可通过调整第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的元件宽长比,而使第一次像素与第二次像素之间的正负框压差缩小,进而改善画面闪烁的问题。
(5)此像素结构易于调整第一次像素与第二次像素的面积比例,以符合同时改善色偏与提供适当亮度的需求。
(6)通过调整Ccp∶(Cs2+Clc2)的比值,可以得到较佳的亮度并且改善影像色偏。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,可作出各种等效修改和替换,因此本发明的保护范围以所附的权利要求书所界定的为准。
Claims (17)
1.一种像素结构,其特征在于包括:
一扫描线与一数据线;
一第一次像素,包括:
一第一薄膜晶体管;
一第一像素电极,借由所述第一薄膜晶体管与所述扫描线及所述数据线电性连接;
一耦合电极,配置于所述数据线的上方,且所述耦合电极与所述数据线电性绝缘;以及
一第二次像素,包括:
一第二薄膜晶体管;
一第二像素电极,与所述第二薄膜晶体管电性连接,且所述第二薄膜晶体管电性连接所述耦合电极。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一薄膜晶体管具有一第一元件宽/长比,所述第二薄膜晶体管具有一第二元件宽/长比,且所述第一元件宽/长比与所述第二元件宽/长比大致上相同。
3.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一次像素的面积与所述第二次像素的面积比例介于1∶1~1∶2之间。
4.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一像素电极以及所述第二像素电极中分别包括有一配向狭缝图案。
5.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,还包括一配向凸起图案,配置于所述第一像素电极以及所述第二像素电极上。
6.如权利要求1所述的像素结构,其其特征在于,还包括一共用电极,配置于所述第一像素电极以及所述第二像素电极的底下。
7.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述耦合电极的材质包括透明导电材质。
8.一种液晶显示面板,其特征在于包括:
一薄膜晶体管阵列基板,其具有多个像素结构,其中每一像素结构包括:
一扫描线与一数据线;
一第一次像素,包括:
一第一薄膜晶体管;
一第一像素电极,通过所述第一薄膜晶体管与所述扫描线及所述数据线电性连接;
一耦合电极,位于所述数据线的上方,且所述耦合电极与所述数据线电性绝缘,以及;
一第二次像素,包括:
一第二薄膜晶体管;
一第二像素电极,与所述第二薄膜晶体管电性连接,且所述第二薄膜晶体管电性连接所述耦合电极;
一彩色滤光基板,配置于所述薄膜晶体管阵列基板的对向;以及
一液晶层,配置于所述薄膜晶体管阵列基板以及所述彩色滤光基板之间。
9.如权利要求8所述的液晶显示面板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管具有一第一元件宽/长比,所述第二薄膜晶体管具有一第二元件宽/长比,且所述第一元件宽/长比与所述第二元件宽/长比大致上相同。
10.如权利要求8所述的液晶显示面板,其特征在于,所述第一次像素的面积与所述第二次像素的面积比例介于1∶1~1∶2之间。
11.如权利要求8所述的液晶显示面板,其特征在于,每一像素结构的所述第一像素电极以及所述第二像素电极中分别包括有一配向狭缝图案。
12.如权利要求8所述的液晶显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板上还包括配置有一配向凸起图案,位于所述第一像素电极以及所述第二像素电极上。
13.如权利要求8所述的液晶显示面板,其特征在于,所述彩色滤光基板上还包括配置有一配向凸起图案。
14.如权利要求8所述的液晶显示面板,其特征在于,所述彩色滤光基板上还包括配置有一配向狭缝图案。
15.如权利要求8所述的液晶显示面板,其特征在于,每一像素结构还包括一共用电极,配置于所述第一像素电极以及所述第二像素电极的底下。
16.如权利要求8所述的液晶显示面板,其特征在于,所述彩色滤光基板还包括一共用电极层。
17.如权利要求8所述的液晶显示面板,其特征在于,所述耦合电极的材质包括透明导电材质。
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