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CN108140629A - 模制体和用于高电压应用的具有模制体的电气装置 - Google Patents

模制体和用于高电压应用的具有模制体的电气装置 Download PDF

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CN108140629A CN201680052679.6A CN201680052679A CN108140629A CN 108140629 A CN108140629 A CN 108140629A CN 201680052679 A CN201680052679 A CN 201680052679A CN 108140629 A CN108140629 A CN 108140629A
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electrical device
ribbed
molding
electrical
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D·格伦
S·布莱克本
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Wei Sha Dell Electronics Co Ltd
Vishay Dale Electronics LLC
Original Assignee
Wei Sha Dell Electronics Co Ltd
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Publication date
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Abstract

提供一种包括容纳电气部件的带肋模制体的电气装置。带肋模制体包括沿着表面的至少一部分具有多个肋的至少一个表面或部分。电气部件可以是无源或有源电气部件。电气部件可以连接到引线框并模制到带肋模制体中。

Description

模制体和用于高电压应用的具有模制体的电气装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年8月7日提交的美国临时专利申请62/202,580的权益，其全部内容通过引用并入本文，如同在本文中充分阐述一样。
技术领域
本发明涉及用于高电压应用的包括包装在模制体中的各电气部件的电气装置，并且具体涉及具有带肋模制体的电气部件。
背景技术
各种电气部件可用作具有模制体的装置，例如形成在各模制包装中的各电气部件。
例如，无源部件可以形成为模制装置。模制无源装置先前已经以平坦矩形类型的包装或主体模制，具有平坦的各侧面。这种装置的示例，例如，由Vishay Dale提供的线绕和各金属膜电阻，标记为WSR、WSC、WSF和PSF。这样的装置具有如图21A-21H中的示例所示的大致矩形的外壳。所示的模制无源装置通常包括平坦的外表面。
在内部，模制无源装置容纳一个或多个无源元件，例如，一个或多个电阻器、电容器和/或电感器。诸如电阻元件的无源元件可以被熔焊或钎焊到引线框。然后将电阻元件和引线框组件模制在矩形形状的包装或主体中。如上所述，外表面通常是平坦的，例如，具有各种平坦的表面。所述各引线可以形成在包装的各端表面以形成表面安装装置。
取决于应用的需求，可以将各种无源元件附接到包装的各引线。这种包装的一种用途可以是，例如，模制芯片分压器。诸如各种类型的二极管、半导体、整流器、晶体管和集成电路的各有源电气部件也可以被形成为模制装置。具有大致平坦、矩形或圆形表面的模制体的这种模制的有源装置是可获得的。
需要一种用于电气部件的模制体，所述模制体具有在高电压应用中允许提高性能的主体形状。
发明内容
总体上，本发明涉及一种包括用于电气部件的带肋模制体的电气装置，其中，所述带肋模制体包括沿着该表面的至少一部分具有多个肋的至少一个表面或部分。带肋模制体设计用于增加在主体的带肋部分或多个部分的不同侧上的各引线之间的表面距离。
在本发明的一个方面中，形成带肋模制体容纳电气部件，该电气部件可以是无源部件或有源部件。电气部件可以连接到引线框。所述引线框可以带有延伸到带肋模制体外部的引线，并且在带肋模制体周围弯曲以形成，例如，表面安装装置。电气部件可以在与带肋模制体包覆模制之前预先模制或涂覆。
根据本发明的带肋模制体的一个或多个表面或部分可以包括肋。在本发明的一个方面中，本发明的带肋模制体仅沿着模制体的一部分具有肋。带肋模制体可以进一步具有非带肋或平坦的表面或部分。
还提供了制作包括容纳电气部件的带肋模制体的电气装置的方法。
附图说明
有利的特征仅以示例性的方式描述，并不意图以任何方式或形式限制本发明。以下将参照附图中的各实施例通过示例的方式关于其他特征和优点来描述本发明。附图中的各图显示：
图1示出了根据本发明的具有带肋模制体的电气部件的实施例的顶部前侧透视图。
图2示出了具有图1的带肋模制体的电气部件的顶部后侧透视图。
图3示出了具有图1的带肋模制体的电气部件的底部第一侧透视图。
图4示出了具有图1的带肋模制体的电气部件的底部第二侧透视图。
图5示出了具有图1的带肋模制体的电气部件的底部平面图。
图6示出了具有图1的带肋模制体的电气部件的顶部平面图。
图7示出了如图1所示模制到带肋模制体内部的引线框、引线和电气部件的顶部第一侧透视图。
图8示出了图7的引线框、各引线和电气部件的顶部第二侧透视图。
图9示出了具有图1的带肋模制体的电气部件的第一侧平面视图。
图10示出了具有图1的带肋模制体的电气部件的部分透明的第一侧平面视图。
图11以透视图详细示出了具有图1的带肋模制体的电气部件的带肋部分。
图12示出了根据本发明的实施例的具有带肋模制体的电气部件的顶部第一侧透视图。
图13示出根据图12的具有带肋模制体的电气部件的底部第一侧透视图。
图14示出了具有图12的带肋模制体的电气部件的底部平面图。
图15示出了具有图12的带肋模制体的电气部件的顶部平面图。
图16示出具有图12的带肋模制体的电气部件的带肋部分的详细的第一侧顶部透视图。
图17A示出了根据本发明的具有带肋模制体的电气部件的一个实施例的顶部后侧透视图。
图17B示出了具有图17A的带肋模制体的电气部件的顶部前侧透视图。
图18示出了具有图17A的带肋模制体的电气部件的底部前侧透视图。
图19A示出了根据本发明的附接到用于带肋模制体的引线框的半导体的实施例的前侧顶部透视图。
图19B示出了附接到图19A的引线框的半导体的后侧顶部透视图。
图20A示出了根据本发明的附接到用于带肋模制体的引线框的二极管的后侧顶部透视图。
图20B示出了附接到图20A的引线框的二极管的前侧顶部透视图。
图21A-21H示出了具有从各个角度具有平坦的表面的模制体的示例性的各电气部件。
图22是示出根据本发明的具有带肋模制体的电气部件的实施例的说明性的制造过程的流程图。
具体实施方式
本发明涉及一种具有带肋模制体的电气部件，所述带肋模制体包括沿着带肋模制体的至少一部分或表面的一个或多个即复数个肋，用于高电压应用。带肋模制体在高电压应用中允许提高性能。
本文提供的描述旨在使本领域技术人员能够制作和使用所述实施例。然而，对于本领域的技术人员来说，各种修改、等同物、变型、组合和替代方案将是明显的。任何和所有这样的修改、变型、等同物、组合和替代方案均旨在落入由权利要求限定的本发明的精神和范围内。
在下面的描述中使用某些术语仅为了方便，而不是限制性的。词语“右”、“左”、“顶部”和“底部”表示引用的图中的各方向。除非另有特别说明，否则在权利要求和说明书的相应部分中使用的词“一”和“一个”被定义为包括一个或多个所引用的项目。所述术语包括上述具体提及的词语、其衍生词以及具有类似含义的词语。短语“至少一个”后跟两个或多各项目的列表，例如“A、B或C”，是指A、B或C中的任何一个以及它们的任何组合。
如图1-11所示，根据本发明的一个实施例，包括用于高电压应用的包封在带肋模制体中的电气部件的电气装置1(在本发明的上下文中有时也被称为“模制装置”)包括至少一个或多个即复数个肋8沿着和/或形成在带肋模制体9的至少一部分中，例如装置的带肋模制体9的外表面。设置了带肋模制体9(在本发明的上下文中有时也称为“模制体”)，模制体9用作被模制体容纳和/或包装或模制在模制体中的电气部件或多个部件的包装。在图1-11所示的实施例中，所示的电气部件是无源部件，也就是，诸如金属膜电阻器的电阻器。
如图1-11所示的方位所示，带肋模制体9包括顶部表面10、相反的底部表面11、前表面12、后表面13、左侧表面14和右侧表面15。第一引线16从在左侧表面14中的开口延伸，并且第二引线30和第三引线31从在右侧表面15中的开口延伸。如图1、图3、图4和图5所示，第一引线16可以包括位于第一部分33和第二部分34之间的槽32。第一引线16沿着左侧表面14的一部分延伸并且弯曲到主体下方以沿着底部表面11的一部分分布并形成单个表面安装部分35。如图2、图3、图4和图5所示，第二引线30和第三引线31沿着右侧表面15的一部分延伸，并弯曲到主体下方以沿着底部表面11的一部分分布，并且形成第二引线表面安装部分和第三引线表面安装部分。
如图1-11所示，并在图11中更详细地示出，带肋模制体9包括沿着模制体的带肋部分的一个或多个肋8。所述肋8优选沿着前表面12、底部表面11和后表面13而形成、模制和/或定位。如图1-11所示的实施例中，肋由形成在带肋模制体中的各通道55的凹陷和/或刻痕而形成。这些在图11中更详细地示出。所述肋8可以沿着带肋模制体9的一个或多个表面延伸。
肋8可以包括顶壁18和各侧壁19，并且底壁20可以设置在相邻的肋8之间。底壁可以沿着平面大致对齐，所述平面沿着每个带肋表面分布。可以设想的是，肋可以具有任何期望的形状，诸如平面、矩形或圆形的突起。侧壁19可以是直的或以一定角度倾斜的，尽管可以使用其他配置。肋8优选地沿着前表面12、底部表面11和后表面13的带肋部分连续地且不间断地分布。例如，图5示出了装置的带肋部分，所述部分以R标记。每个肋8可以是沿着模制体的一个或多个表面延伸的连续件。或者，可以在肋中一个或多个位置处形成槽或间隙。另外，一些肋，例如，端肋50和51，可以仅沿着模制体的一个表面，例如底部表面11，延伸。相邻的肋8在肋之间形成具有选定深度的通道55。在图11中更详细地示出了沿着模制体的底部的带肋部分。
带肋模制体9还可以包括这样的部分，所述部分不包括肋，例如，非带肋的，诸如图5中所示的标记为N和N'的部分。例如，相反端引线部分21可以是平坦的以容纳引线16、30、31，具有所述引线沿着主体底部形成表面安装端子。在一个实施例中，各引线部分21优选不包括肋，并且形成为具有平坦的各表面，如图1-11所示。
所述引线16、30、31可以沿着左侧表面14和右侧表面15以及沿着在模制体的端部处的平坦的引线部分21附近的底部表面11的部分延伸。在优选实施例中，顶部表面10不包括通道55，并且保持平坦表面，如图1、图2和图6所示。顶部表面10具有在各侧表面中形成的肋8的各顶部(各顶端)，但是各顶部是平坦的并且与带肋模制体9的顶部表面10的其余部分位于同一平面内。这允许模制体的标记以及装置1的自动板定位。引线16、30、31附接到引线框41和/或形成引线框41的一部分，所述引线框将为无源部件提供支撑。端肋50、51可以设置为将引线部分与模制体的带肋部分分隔。
在一个实施例中，如图7和图8所示，无源部件23被模制到带肋模制体9的内部区域中，并被耦合到引线框41。例如，无源部件23可以是电阻器42，包括耦合到引线框41的电阻元件25，并且具有与包括第一引线16的引线框的第一部分41a接触或以其他方式连接(例如通过电连接)的第一端26，以及与包括第二引线30和第三引线31的引线框的第二部分41b接触或以其他方式连接(例如通过电连接)的第二端27。电阻元件25可以包括，例如，形成在基板60上的氮化钽电阻膜，如陶瓷基板。电阻器42可以附接到引线框，例如通过焊接、摩擦配合、夹紧或其他类型的附接。虽然示出了电阻器42，但是可以理解，根据本发明的各原理，其他无源部件也可以被包装成具有带肋模制体。
特别地，图7和图8中所示的电阻器42包括高电压电阻器300，所述高电压电阻器在与第一端26相邻处与高电压导体301电连通，并且在第二端27处与电压感测导体302、低电压电阻器303和接地导体304电连通。电介质外套305可以被施加在电阻器42上方。电气部件用作芯片分压器。电气部件可以在与带肋模制体包覆模制之前预先模制或涂覆。在该布置中，第一引线16可以包括高电压端子，第二引线30可以包括电压感测端子，并且第三引线31可以包括接地端子。
模制体的许多属性可以变化。例如，模制体的尺寸(高度、长度、宽度)、肋的高度、每个肋的宽度、各肋之间的距离、肋的数量、通道的深度和/或宽度、带肋部分的长度、构成模制体的材料和/或模制体的其他属性可以根据模制的无源部件的各要求和/或各用途而变化。
另外，模制体的带肋部分与非带肋部分的比例可根据偏好和应用而变化。因此，例如，模制体的非带肋部分可以沿着模制体的表面的长度N和N'延伸，而带肋部分R可以沿着长度R延伸，如图5所示。N、N'和R的长度可以修整。例如，N和N'的组合长度可以大于R的长度，可以小于R的长度，或者可以等于R的长度。N和N'可以具有不同的长度或者基本相等的长度。R的长度可以选择为N或N'的长度或N和N'的组合长度的倍数或比率。
用于模制体的材料可以是任何模制化合物，并且优选地，例如，具有600V的比较跟踪指数(CTI)的模制化合物。
例如，电阻元件可以根据关于，例如，任何厚膜(例如电阻器型号CDHV)或薄膜(例如电阻器型号PTN)、线绕(例如电阻器型号RS)、金属带(例如电阻器型号WSL)或金属膜(例如电阻器型号PTF)的原理。电阻元件可以包括，仅作为说明而非限制，氮化钽电阻膜或氧化钌。本领域技术人员将认识到用于形成可用于根据本发明的模制无源部件的这种电阻元件的许多电阻元件和材料。
引线和引线框可以由提供良好的导电性和可成形性的任何金属合金形成，优选为具有镀层的以实现可焊性的铜合金。
带肋模制体设计用于增加从第一引线到第二引线和/或第三引线的表面距离，通过增加“蠕变距离”(在两个不绝缘的导体之间的最短距离)允许在所述引线之间施加更高的电压。例如，这在国际电工委员会(IEC)60664-1中被描述。根据本发明的装置可以形成为符合蠕变距离以避免由于诸如例如在IEC60664-1及其附录中所描述的跟踪而导致的故障。
当使用碳基封装材料时，表面污染物和高电压的存在会产生导电轨迹，所述轨迹将降低元件及其安装的应用的性能和安全性。带肋模制包装与包含例如聚合物、热塑性材料、聚酰胺材料或具有600V的比较跟踪指数(CTI)的其他类似材料或材料的组合能够使装置符合对于2500Vrms的基本绝缘或1250Vrms的加强绝缘的污染等级2的要求。对于参考电压额定值，例如考虑芯片分压器，从接地端子或电压检测端子到高电压端子的表面距离必须至少为12.5mm，以避免由于跟踪造成的故障。具有CTI为175V的参考模制化合物和非带肋包装只能满足对于550Vrms的基本绝缘或225Vrms的加强绝缘的污染等级2的要求。因此，与没有带肋表面的类似设计相比，本发明的新型带肋设计提供了更高的性能。
图12-16示出了根据本发明的具有带肋模制体的电气部件的另一个实施例。该实施例与图1-11所示的实施例相比具有相似的特征(如相似编号所示)，但具有比图1-11所示实施例更低的比较轮廓(例如，与图9中所示的高度H相比，如图13所示的较低高度H')。如图12、图15和图16所示，一些肋8还包括邻近一些肋8的底壁20和顶部表面10的台阶28。这提供了沿着带肋模制体9的顶部表面10的中央部分的较小直径的平坦的表面部分70，具有延伸到台阶28的底部的深度D，带有台阶28的基部对应于在“台阶”肋中的一个的顶端。如图15所示，深度D小于顶部表面10的全宽W。如图12-16所示，这种布置提供沿着各种表面的各种大小和深度的肋。图12-16所示的实施例可以容纳无源电气部件，如关于图1-11所述。另外，如图12-16所示的模制体的类型可以用于容纳有源电气部件，如下面进一步详细描述的。
虽然图1-16中示出了引线的说明性布置，本发明的带肋模制体可以采用任何类型的引线布置。例如，品牌电阻器型号WSR、WSC、WSN、WSL、WSF、PSF示出了可以被并入根据本发明的模制无源装置的引线布置。作为另一个示例，可以将二、三和四引线布置并入到根据本发明的模制无源装置中。
本发明的带肋模制体还可以容纳有源电气部件，诸如，例如二极管、半导体、整流器、晶体管或集成电路。图17A-20B示出了具有根据本发明的模制体的有源电气部件的示例。图17A和图17B示出了容纳有源部件81的组装的模制的装置80。带肋模制体82包括顶部表面83、相反的底部表面84、后表面85、前表面86、左侧表面87和右侧表面88。第一引线89从在左侧表面87中的开口延伸，并且第二引线90从在右侧表面88中的开口延伸。如图17A所示，第一引线89包括在第一部分92和第二部分93之间的槽91。第一引线89沿着左侧表面的一部分延伸并且在主体下方弯曲以沿着底部表面84的一部分分布并且形成单个表面安装部分94。如图17B所示，第二引线90沿着右侧表面的一部分延伸并且在主体下方弯曲以沿着底部表面84的一部分分布。模制主体82的至少一部分包括肋107，如那些前文所述和所示的。
图17A和图17B可以容纳和/或包封例如半导体芯片。为了说明的目的而示出的半导体芯片100可以在图19A和图19B中看到，所述半导体芯片被连接到引线框103。半导体芯片100包括第一导电表面101和第二导电表面102。半导体芯片100的第一导电表面101可以被芯片键合或引线键合到引线框103的第一连接部分104。半导体芯片100的第二导电表面102可以被芯片键合或者引线键合到引线框103的第二连接部分105。然后，将带肋模制体82模制在半导体芯片100和引线框103周围，留下第一引线89和第二引线90暴露，使得各引线可以沿着带肋模制体82的各侧表面和底表面弯曲以形成表面安装端子。
图20A和图20B示出了具有阴极端201和阳极端202的二极管200。第一镀层引线203和第二镀层引线204从二极管200的相反端轴向延伸。引线203、204熔焊或钎焊到引线框205，并且引线框具有带有第一引线207的第一部分206和带有第二引线209的第二部分208。然后，将带肋模制体82模制在二极管200和引线框205周围，留下第一引线207和第二引线209暴露，使得引线可沿着带肋模制体82的各侧表面和底表面弯曲以形成表面安装端子。
虽然有源双端电气部件在图19A-20B中示出，将可以理解的是，三端有源电气部件，例如高电压FET或IGBT，可以与根据本发明的带肋模制体包装。另外，根据本发明的教导，多重电气部件可以容纳在带肋模制体内。因此，根据本发明的教导，带肋模制体可以容纳，例如，在带有三个或多个引线的包装中的多重二极管。
现在将参照图22以无源部件为例描述根据本发明的具有带肋模制体的电气部件以形成模制装置的形成。根据本发明并用作分压器的模制无源部件可以如下形成。引线框被冲压并形成为期望的配置(1000)。厚膜(例如芯片分压器，型号为零件CDHV或CDMV)或薄膜分压器可以用作电阻元件。该电阻元件包括一个连接到阻塞电阻(低压电阻)的蛇形电阻(高电压电阻)，并被配置为分压器。电阻材料是厚膜电阻器(印刷)或薄膜电阻器(溅射和图案化)，在具有厚膜印刷和/或溅射的导体的陶瓷基板上(1010)。然后将该电阻器连接到引线框，例如通过将电阻器焊接到冲压成形的引线框中(1020)。可将防潮物施加到安装的电阻器和引线框以覆盖电阻部分(1030)。电气部件组件也可以在其与带肋模制体一起包覆模制之前预先模制或涂覆。然后在组件周围模制包括具有复数个肋的表面的带肋模制体(1040)。在模制之后，标记装置(1050)、修整引线框(1060)、在模制体周围形成引线(1070)，并且对装置进行电测试(1080)。作为最后一步，各完成的元件被包装(1090)。
应该认识到，前面的描述仅仅是为了说明，而不是作为任何限制。可以想到，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对所描述的实施例进行各种替代和修改。已经如此详细地描述了本发明，本领域技术人员可以理解并明显的是，可以进行许多物理变化，只是其中的一些在本发明的详细说明书中被举例说明，而不改变其中体现的发明概念和原理。还应该认识到，仅并入部分的优选实施例的许多实施例是可能的，相对于那些部分，其不会改变其中体现的发明概念和原理。因此，本实施例和可选配置在所有方面都被认为是示例性的和/或说明性的而非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是由前面的描述来指明，并且对本实施方式的所有替代实施例和变化因此落入所述权利要求的等同物的含义和范围内被并入其中。

Claims (25)

1.一种用于高电压应用的电气装置，包括：
连接到第一引线和第二引线的电气部件；
在所述电气部件和在所述第一引线和所述第二引线的部分周围形成的模制体，所述第一引线从所述模制体的第一侧延伸，并且所述第二引线从所述模制体的第二侧延伸；
其中，在所述第一引线与所述第二引线之间的所述模制体的至少一部分包括带肋部分。
2.根据权利要求1所述的电气装置，其中，所述模制体包括顶部表面、相反的底部表面、前表面、相反的后表面、左侧表面和相反的右侧表面，并且其中，所述肋部分包括顶部表面、底部表面、前表面或后表面中的一个的至少一部分。
3.根据权利要求1所述的电气装置，还包括连接到所述电气部件的与所述第二引线相同一侧的第三引线。
4.根据权利要求3所述的电气装置，其中，所述第一引线从所述左侧表面延伸，并且所述第二引线和所述第三引线从所述右侧表面延伸。
5.根据权利要求2所述的电气装置，其中，所述底部表面的至少一部分包括在所述第一引线与所述第二引线之间的多个肋。
6.根据权利要求5所述的电气装置，其中，所述前表面的至少一部分包括在所述第一引线与所述第二引线之间的多个肋。
7.根据权利要求6所述的电气装置，其中，所述后表面的至少一部分包括在所述第一引线与所述第二引线之间的多个肋。
8.根据权利要求7所述的电气装置，其中，至少一些所述肋沿着所述前表面、底部表面和后表面连续地延伸。
9.根据权利要求8所述的电气装置，其中，所述顶面大致平坦。
10.根据权利要求1所述的电气装置，其中，所述电气装置是无源部件或有源部件。
11.根据权利要求10所述的电气装置，其中，所述电气装置是包含电阻器、电感器、电容器或芯片分压器的无源部件。
12.根据权利要求10所述的电气装置，其中，所述电气装置是包括二极管、半导体、整流器、晶体管或集成电路的有源部件。
13.根据权利要求4所述的电气装置，其中，所述引线沿着所述第一和第二侧表面以及沿着所述装置的所述底部的至少部分转向以形成表面安装装置。
14.根据权利要求1所述的电气装置，其中，所述模制体包括邻近所述第一侧表面的第一表面安装部分和邻近所述第二侧表面的第二表面安装部分，并且其中，所述第一和第二表面安装部分不包括肋。
15.根据权利要求10所述的电气装置，其中，所述电气部件安装在包括至少第一引线和第二引线的引线框上。
16.根据权利要求15所述的电气装置，其中，所述模制体包封所述电气部件和引线框，留下至少部分所述引线暴露。
17.根据权利要求1所述的电气装置，其中，所述带肋模制体包括具有600V的比较跟踪指数(CTI)的材料。
18.根据权利要求1所述的电气装置，其中，所述电气部件具有至少两个引线。
19.根据权利要求6所述的电气装置，进一步包括：在所述模制体中邻近所述带肋部分的至少一部分形成的台阶。
20.一种制造用于高电压应用的电气装置的方法，包括以下步骤：
将电气部件连接到包括至少两个引线的引线框；
模制带肋模制体，所述带肋模制体至少包括在电气部件和在引线框的部分周围的带肋部分，留下所述至少一个引线的部分暴露；以及
在带肋模制体周围形成各引线的端部。
21.根据权利要求20所述的方法，还包括以下步骤：先于在所述电气部件周围模制所述带肋模制体，将防潮物施加到所述电气部件的部分上。
22.根据权利要求21所述的方法，还包括标记所述带肋模制体的一部分的步骤。
23.根据权利要求22所述的方法，还包括修整所述引线框的步骤。
24.根据权利要求23所述的方法，还包括测试所述装置的步骤。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，所述带肋模制体包括具有600V的比较跟踪指数(CTI)的材料。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117766470A (zh) * 2024-02-20 2024-03-26 北京怀柔实验室 半导体器件的封装结构和封装方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202013011690U1 (de) * 2013-04-05 2014-02-26 Isabellenhütte Heusler Gmbh & Co. Kg Messwiderstand
WO2017027315A1 (en) 2015-08-07 2017-02-16 Vishay Dale Electronics, Llc Molded body and electrical device having a molded body for high voltage applications
US10483178B2 (en) * 2017-01-03 2019-11-19 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including an encapsulation material defining notches
CN110165442B (zh) * 2018-02-12 2020-11-03 泰达电子股份有限公司 金属块焊接柱组合及其应用的电源模块
JP7169771B2 (ja) * 2018-05-25 2022-11-11 Koa株式会社 抵抗器
EP3821262A1 (en) * 2018-07-11 2021-05-19 LEM International SA Current transducer with integrated primary conductor
US11682606B2 (en) * 2019-02-07 2023-06-20 Ford Global Technologies, Llc Semiconductor with integrated electrically conductive cooling channels
JP2023084418A (ja) * 2021-12-07 2023-06-19 Koa株式会社 電子部品
US12224218B2 (en) * 2022-02-11 2025-02-11 Wolfspeed, Inc. Semiconductor packages with increased power handling
USD1056862S1 (en) 2022-08-24 2025-01-07 Wolfspeed, Inc. Semiconductor package

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5446623A (en) * 1993-08-24 1995-08-29 Rohm Co. Ltd. Surface mounting type polar electronic component
CN1393020A (zh) * 2000-09-14 2003-01-22 松下电工株式会社 电磁装置和高电压发生装置及电磁装置的制造方法
US20070205503A1 (en) * 2006-03-03 2007-09-06 Fairchild Korea Semiconductor, Ltd. Package and package assembly of power device
CN101355042A (zh) * 2007-07-25 2009-01-28 嘉盛马来西亚公司 具有暴露金属管芯座的薄塑料无引线封装
US8575767B1 (en) * 2012-10-06 2013-11-05 Ixys Corporation Reflow of thermoplastic sheet for passivation of power integrated circuits
JP2014192283A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Nec Commun Syst Ltd 電子機器、実装基板、及び実装基板の製造方法

Family Cites Families (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US696757A (en) 1901-09-05 1902-04-01 Gen Electric Shunt for electrical instruments.
US779737A (en) 1904-08-18 1905-01-10 Gen Electric Shunt for electrical measuring instruments.
US859255A (en) 1905-01-13 1907-07-09 Gen Electric Shunt for electrical measuring instruments.
US3238489A (en) * 1962-06-11 1966-03-01 Dale Electronics Electrical resistor
US3795046A (en) * 1972-04-05 1974-03-05 Sprague Electric Co Method of making a heat sinked resistor
JPS556086Y2 (zh) * 1973-07-12 1980-02-12
US4159459A (en) 1977-06-23 1979-06-26 Angstrohm Precision, Inc. Non-inductive cylindrical thin film resistor
JPS5517324U (zh) * 1978-07-18 1980-02-04
US4529958A (en) * 1983-05-02 1985-07-16 Dale Electronics, Inc. Electrical resistor
US4906802A (en) * 1988-02-18 1990-03-06 Neal Castleman Molded chip carrier
JPH03222350A (ja) * 1990-01-29 1991-10-01 Hitachi Ltd 樹脂封止形半導体装置及びその実装構造
US5173766A (en) * 1990-06-25 1992-12-22 Lsi Logic Corporation Semiconductor device package and method of making such a package
JPH0677354A (ja) 1992-08-24 1994-03-18 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH0766325A (ja) * 1993-08-26 1995-03-10 Rohm Co Ltd 合成樹脂パッケージ型電子部品の構造
US5481241A (en) 1993-11-12 1996-01-02 Caddock Electronics, Inc. Film-type heat sink-mounted power resistor combination having only a thin encapsulant, and having an enlarged internal heat sink
US5582240A (en) 1994-09-19 1996-12-10 Motorola, Inc. Pneumatically coupled heat sink assembly
JPH0897333A (ja) * 1994-09-29 1996-04-12 Tokin Corp 半導体モールドパッケージ
US5604477A (en) 1994-12-07 1997-02-18 Dale Electronics, Inc. Surface mount resistor and method for making same
US5835679A (en) 1994-12-29 1998-11-10 Energy Converters, Inc. Polymeric immersion heating element with skeletal support and optional heat transfer fins
US5709960A (en) * 1996-06-21 1998-01-20 Motorola, Inc. Mold compound
TW379276B (en) * 1997-04-10 2000-01-11 Ver Zur Forderung Des Inst Fur Porous flow-through molded body and method for its production
EP0926733B1 (en) 1997-12-16 2004-03-17 STMicroelectronics S.r.l. Card assembly of power device in plastic package with external heat sink soldered to the internal heat sink
JP3871802B2 (ja) * 1998-04-14 2007-01-24 松下電器産業株式会社 樹脂成形基板及び樹脂成形基板の製造方法
JP2000306935A (ja) * 1999-04-23 2000-11-02 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6392208B1 (en) 1999-08-06 2002-05-21 Watlow Polymer Technologies Electrofusing of thermoplastic heating elements and elements made thereby
US6617685B1 (en) 1999-08-30 2003-09-09 Sun Microsystems, Inc. Clip heat sink assembly
US6181234B1 (en) 1999-12-29 2001-01-30 Vishay Dale Electronics, Inc. Monolithic heat sinking resistor
US6680015B2 (en) 2000-02-01 2004-01-20 Cool Options, Inc. Method of manufacturing a heat sink assembly with overmolded carbon matrix
DE10017741A1 (de) * 2000-04-10 2001-10-25 Infineon Technologies Ag Gehäuse für Halbleiterchips
US7119447B2 (en) 2001-03-28 2006-10-10 International Rectifier Corporation Direct fet device for high frequency application
JP2003100749A (ja) 2001-09-20 2003-04-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US20030139510A1 (en) 2001-11-13 2003-07-24 Sagal E. Mikhail Polymer compositions having high thermal conductivity and dielectric strength and molded packaging assemblies produced therefrom
US20030116552A1 (en) 2001-12-20 2003-06-26 Stmicroelectronics Inc. Heating element for microfluidic and micromechanical applications
JP4059181B2 (ja) * 2003-09-29 2008-03-12 株式会社村田製作所 多端子型積層セラミック電子部品の製造方法
US7345364B2 (en) 2004-02-04 2008-03-18 Agere Systems Inc. Structure and method for improved heat conduction for semiconductor devices
US7190068B2 (en) 2004-06-25 2007-03-13 Intel Corporation Bottom heat spreader
DE202004018188U1 (de) * 2004-11-23 2005-03-03 Hübener, Paul Vorrichtung zur Herstellung von Teigtaschen
US7718967B2 (en) 2005-01-26 2010-05-18 Analog Devices, Inc. Die temperature sensors
US7692148B2 (en) 2005-01-26 2010-04-06 Analog Devices, Inc. Thermal sensor with thermal barrier
US7190252B2 (en) 2005-02-25 2007-03-13 Vishay Dale Electronics, Inc. Surface mount electrical resistor with thermally conductive, electrically insulative filler and method for using same
US7166913B2 (en) 2005-04-19 2007-01-23 International Business Machines Corporation Heat dissipation for heat generating element of semiconductor device and related method
US7671455B2 (en) 2005-11-02 2010-03-02 International Rectifier Corporation Semiconductor device package with integrated heat spreader
JP4301248B2 (ja) 2006-01-16 2009-07-22 パナソニック電工株式会社 電磁装置
JP2006108721A (ja) 2006-01-16 2006-04-20 Matsushita Electric Works Ltd 電磁装置
JP4846434B2 (ja) 2006-05-09 2011-12-28 コーア株式会社 セメント抵抗器
JP5076549B2 (ja) * 2007-02-23 2012-11-21 株式会社デンソー 半導体装置
WO2008148029A1 (en) 2007-05-25 2008-12-04 Molex Incorporated Heat sink for a heat generator and a power source
WO2009005108A1 (ja) 2007-06-29 2009-01-08 Koa Corporation 抵抗器
JP4982894B2 (ja) 2007-08-03 2012-07-25 コーア株式会社 セメント抵抗器
US7843309B2 (en) 2007-09-27 2010-11-30 Vishay Dale Electronics, Inc. Power resistor
US20090154111A1 (en) 2007-12-17 2009-06-18 Lynch Thomas W Reticulated heat dissipation
TWI355068B (en) * 2008-02-18 2011-12-21 Cyntec Co Ltd Electronic package structure
US7763970B2 (en) 2008-02-27 2010-07-27 Infineon Technologies Ag Power module
DE102009004136B4 (de) 2009-01-06 2011-09-01 Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg Elektrische Anschlussklemme zum Durchführen einer Leitung durch eine Wandung
USD613258S1 (en) 2009-05-15 2010-04-06 Koninklije Philips Electronics N.V. Heatsink
US9646755B2 (en) 2010-11-15 2017-05-09 Pulse Electronics, Inc. Advanced electronic header apparatus and methods
WO2012151347A1 (en) 2011-05-03 2012-11-08 Vishay Dale Electronics, Inc. Heat spreader for electrical components
JP5683419B2 (ja) * 2011-09-14 2015-03-11 ホシデン株式会社 コネクタ及びこれを備えた電子機器
DE102012102567B4 (de) 2012-03-26 2016-02-25 Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg Verschiebbare Isolationsbarriere
JP6152615B2 (ja) 2013-03-28 2017-06-28 Fdk株式会社 巻線部品
WO2017027315A1 (en) 2015-08-07 2017-02-16 Vishay Dale Electronics, Llc Molded body and electrical device having a molded body for high voltage applications

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5446623A (en) * 1993-08-24 1995-08-29 Rohm Co. Ltd. Surface mounting type polar electronic component
CN1393020A (zh) * 2000-09-14 2003-01-22 松下电工株式会社 电磁装置和高电压发生装置及电磁装置的制造方法
US20070205503A1 (en) * 2006-03-03 2007-09-06 Fairchild Korea Semiconductor, Ltd. Package and package assembly of power device
CN101355042A (zh) * 2007-07-25 2009-01-28 嘉盛马来西亚公司 具有暴露金属管芯座的薄塑料无引线封装
US8575767B1 (en) * 2012-10-06 2013-11-05 Ixys Corporation Reflow of thermoplastic sheet for passivation of power integrated circuits
JP2014192283A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Nec Commun Syst Ltd 電子機器、実装基板、及び実装基板の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117766470A (zh) * 2024-02-20 2024-03-26 北京怀柔实验室 半导体器件的封装结构和封装方法
CN117766470B (zh) * 2024-02-20 2024-05-14 北京怀柔实验室 半导体器件的封装结构和封装方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7042738B2 (ja) 2022-03-28
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ES2974813T3 (es) 2024-07-01
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EP3332421A1 (en) 2018-06-13
US10566272B2 (en) 2020-02-18
IL257339B (en) 2021-07-29
JP2018522423A (ja) 2018-08-09
IL257339A (en) 2018-03-29
MX388187B (es) 2025-03-19
TW201717223A (zh) 2017-05-16
KR20180039121A (ko) 2018-04-17
HK1256144A1 (zh) 2019-09-13
EP3332421A4 (en) 2019-04-10
US20180261533A1 (en) 2018-09-13
CN116314100A (zh) 2023-06-23
US20170040239A1 (en) 2017-02-09
US9865532B2 (en) 2018-01-09
CA2995090A1 (en) 2017-02-16
WO2017027315A1 (en) 2017-02-16
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