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JPH0897333A - 半導体モールドパッケージ - Google Patents

半導体モールドパッケージ

Info

Publication number
JPH0897333A
JPH0897333A JP26152394A JP26152394A JPH0897333A JP H0897333 A JPH0897333 A JP H0897333A JP 26152394 A JP26152394 A JP 26152394A JP 26152394 A JP26152394 A JP 26152394A JP H0897333 A JPH0897333 A JP H0897333A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode terminals
view
semiconductor
radiator
creeping
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26152394A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Ono
敏明 小野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokin Corp filed Critical Tokin Corp
Priority to JP26152394A priority Critical patent/JPH0897333A/ja
Publication of JPH0897333A publication Critical patent/JPH0897333A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電極端子間および電極端子と放熱器間の沿面
距離を大きくとり、沿面放電電圧を上げた半導体モール
ドパッケージを供する。 【構成】 電極端子２の間をモールド樹脂の凸部４でへ
だてるようにし、複数の電極端子間の沿面距離を大きく
し、沿面放電が起きにくくする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体モールドパッケ
ージに関するものであり、更に詳しくは、沿面放電を起
きにくくしたモールドパッケージの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体モールドパッケージの形状
は、図９に示すような形状であり、電極端子２間に高電
圧が印加された時、電極間で沿面放電が起こる。また、
図１０は、図９に示す従来の半導体モールドパッケージ
を放熱器１１に取り付けた状態を示しているが、金属製
の放熱器１１に取り付けた場合は、電極端子２に高電圧
が印加された時、電極端子２と放熱器１１との間に沿面
放電が起こる可能性があるという欠点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の技術的課題
は、沿面放電電圧を大きくして、沿面放電が起こりにく
い構造の半導体モールドパッケージを供することであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、モールド樹脂
成形された半導体デバイスの、複数の電極端子間のモー
ルド樹脂部分に凹凸や、電極端子の一部をモールド樹脂
で囲むようにして、複数の電極端子間の沿面距離を大き
くして、沿面放電が起きにくくした構造とする。
【０００５】また、半導体デバイスを金属性の放熱器に
取り付けて使用する場合に半導体デバイスの放熱器に取
り付ける側のモールド樹脂部分を階段状にえぐることに
より、電極端子と放熱器間の沿面距離を大きくして、沿
面放電が起きにくくした構造とする。
【０００６】
【作用】沿面放電は、固体絶縁物の表面に水の薄膜が吸
着し、または、固体絶縁物表面が汚損されたために、固
体絶縁物表面で放電が発生するものであり、この場合、
固体絶縁物及び空気の絶縁耐力よりも表面の絶縁耐力が
小さくなっている。放電電圧は、沿面距離に比例するこ
とから、沿面放電電圧を大きくすることは、電極間、あ
るいは電極と他の導電体との沿面距離を大きくした構造
とすることによって達成できる。
【０００７】
【実施例】以下に実施例を挙げ、本発明の半導体モール
ドパッケージについて、図面を参照して詳細に説明す
る。
【０００８】（実施例１）図１に示すように、電極端子
２間の沿面放電電圧を大きくするために、電極端子２間
にモールド樹脂成形時に凸部４を形成し、電極端子２間
の沿面距離を大きくする。
【０００９】（実施例２）図２に示すように、電極端子
２間の沿面放電電圧を大きくするために、電極端子２間
にモールド樹脂成形時に凹部５を形成し、電極端子２間
の沿面距離を大きくする。
【００１０】（実施例３）図３に示すように、電極端子
２間の沿面放電電圧を大きくするために、電極端子２間
のモールドパッケージとの接続部近辺をモールド樹脂成
形時に樹脂で覆うような樹脂封止６を作製し、電極端子
２間の沿面距離を大きくする。
【００１１】（実施例４）図４に示すように、電極端子
２と放熱器１１（図８参照）の沿面放電電圧を大きくす
るために、モールド成形時に、放熱器側で電極端子接続
部近傍の樹脂モールド３を階段状にえぐって段差８を形
成し、電極端子２と放熱器１１間の沿面距離を大きくす
る。
【００１２】（実施例５）図５に示すように、電極端子
２間及び電極端子２と放熱器１１（図８参照）間の沿面
放電電圧を大きくするために、モールド成形時に、電極
端子２間に凸部４、及び放熱器側で電極端子接続部近傍
の樹脂モールド３に階段状の段差７を形成し、電極端子
２間及び電極端子２と放熱器１１間の沿面距離を大きく
する。
【００１３】（実施例６）図６に示すように、電極端子
２間及び電極端子２と放熱器１１（図８参照）間の沿面
放電電圧を大きくするために、モールド成形時に、電極
端子２間に凹部５、及び放熱器側で電極端子接続部近傍
の樹脂モールド３に階段状の段差８を形成し、電極端子
２間及び電極端子２と放熱器１１間の沿面距離を大きく
する。
【００１４】（実施例７）図７に示すように、電極端子
２間及び電極端子２と放熱器１１（図８参照）間の沿面
放電電圧を大きくするために、モールド成形時に、電極
端子２間のモールドパッケージとの接続部近辺を樹脂で
覆うような樹脂封止６、及び放熱器側で電極端子接続部
近傍の樹脂モールド３に階段状の段差９を形成し、電極
端子２間及び電極端子２と放熱器１１間の沿面距離を大
きくする。
【００１５】図８に、実施例１の半導体モールドパッケ
ージを放熱器に取り付けた状態を示している。
【００１６】なお、以上、３端子の半導体モールドパッ
ケージについて説明したが、本発明による構造は、端子
数が変わっても適用可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上、述べたように、本発明の半導体モ
ールドパッケージによれば、電極端子間及び電極端子と
放熱器間の構造を、樹脂により、凹凸や階段状の段差を
形成して変えることにより、沿面距離が大きくとれて、
沿面放電電圧を大きく改善した半導体モールドパッケー
ジが得られるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１による半導体モールドパッケージを示
す図。図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は側面図、図１
（ｃ）は平面図（裏面）、図１（ｄ）は正面図。
【図２】実施例２による半導体モールドパッケージを示
す図。図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は側面図、図２
（ｃ）は平面図（裏面）、図２（ｄ）は正面図。
【図３】実施例３による半導体モールドパッケージを示
す図。図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は側面図、図３
（ｃ）は平面図（裏面）、図３（ｄ）は正面図。
【図４】実施例４による半導体モールドパッケージを示
す図。図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は側面図、図４
（ｃ）は平面図（裏面）、図４（ｄ）は正面図。
【図５】実施例５による半導体モールドパッケージを示
す図。図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は側面図、図５
（ｃ）は平面図（裏面）、図５（ｄ）は正面図。
【図６】実施例６による半導体モールドパッケージを示
す図。図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は側面図、図６
（ｃ）は平面図（裏面）、図６（ｄ）は正面図。
【図７】実施例７による半導体モールドパッケージを示
す図。図７（ａ）は平面図、図７（ｂ）は側面図、図７
（ｃ）は平面図（裏面）、図７（ｄ）は正面図。
【図８】図１の半導体モールドパッケージを放熱器に取
り付けた状態を断面で示す説明図。
【図９】従来の半導体モールドパッケージの形状を断面
で示す説明図。図９（ａ）は平面図、図９（ｂ）は側面
図、図９（ｃ）は平面図（裏面）、図９（ｄ）は正面
図。
【図１０】図９の半導体パッケージを放熱器に取り付け
た状態を断面で示す説明図。
【符号の説明】
１ 半導体リードフレーム ２ 電極端子 ３ 樹脂モールド ４ （パッケージ）凸部 ５ （パッケージ）凹部 ６ 端子包囲樹脂部 ７，８，９ 階段状段差 １０ 電極端子・放熱器間沿面構造（階段状段差） １１ 放熱器

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 モールド樹脂成形された半導体デバイス
    の複数の電極端子間のモールド樹脂部分に凹凸を設けた
    構造であることを特徴とする半導体モールドパッケー
    ジ。
  2. 【請求項２】 モールド樹脂成形された半導体デバイス
    の複数の電極端子のモールド樹脂部分との接続部近傍を
    モールド樹脂で覆った構造であることを特徴とする半導
    体モールドパッケージ。
  3. 【請求項３】 放熱器に取り付けられた半導体デバイス
    の放熱器側で電極端子接続部近傍のモールド樹脂部分が
    階段状にえぐられた構造であることを特徴とする半導体
    モールドパッケージ。
JP26152394A 1994-09-29 1994-09-29 半導体モールドパッケージ Pending JPH0897333A (ja)

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JP26152394A JPH0897333A (ja) 1994-09-29 1994-09-29 半導体モールドパッケージ

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JPH0897333A true JPH0897333A (ja) 1996-04-12

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ID=17363092

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JP26152394A Pending JPH0897333A (ja) 1994-09-29 1994-09-29 半導体モールドパッケージ

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