CN107807493B - 掩膜板和曝光设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种掩膜板，用于对阵列基板进行曝光，所述阵列基板包括显示区域和环绕所述显示区域的周边区域，所述显示区域包括多个显示有源区，所述周边区域包括多个周边有源区，所述周边有源区的长度大于所述显示有源区的长度，所述掩膜板包括掩膜层，所述掩膜层包括对应于所述周边有源区的第一掩膜部，所述第一掩膜部包括多个彼此间隔的掩膜条；在所述第一掩膜部中，所述掩膜条的透光程度与其他部分的透光程度不同。相应地，本发明还提供一种曝光设备，本发明能够提高对阵列基板有源区曝光的均匀性。

Description

掩膜板和曝光设备

技术领域

本发明涉及显示装置的制作领域，具体涉及一种掩膜板和曝光

设备。

背景技术

在阵列基板中，显示区设置有多个用于显示的薄膜晶体管，非显示区设置有多个用于防静电的薄膜晶体管。通常，显示区的薄膜晶体管的有源层宽度通常较小，以减少漏电；非显示区的薄膜晶体管的有源层宽度较大，以提高防静电效果。在阵列基板的制作过程中，为了减少工艺步骤，越来越多的厂商将薄膜晶体管的有源层和源漏电极采用一张半色调掩膜板(Half Tone Mask，HTM)来制作。半色调掩膜板包括透光区、半透光区和不透光区，其中，半透光区设置有半透光膜(透光率优选为50％)。以采用正性光刻胶为例，在曝光时，将半色调掩膜板的不透光区对应源漏电极区；半透光区对应有源区；透光区对应其他区域；以使显影后，有源区的光刻胶保留一部分，源漏电极区的光刻胶全部保留，其他区域的光刻胶被去除。但是，在曝光过程中，光源是从掩膜板的一侧向另一侧扫描的，扫描时会产生拖影，即，光线从不透光区刚进入半透光区以及即将进入不透光区时，透光率会有一定的过渡，进而导致半透光区的实际透光率较大，中间的实际透光率较小。如图1所示的是利用半透光膜对长度较大的有源区进行曝光时各位置的透光率示意图，图中实线为理论透光率曲线，虚线为实际透光率曲线，可以看出，在实际曝光时，半透光膜的实际透光率逐渐过渡为50％时，还会有一定程度的增加，从而出现过曝光，而有源区的长度越大，过曝光的区域越长，有源区长度方向的中部的过曝光程度越大甚至断裂，进而降低后续刻蚀构图的均匀性。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种掩膜板和曝光设备，以提高有源区的曝光均一性。

为了解决上述技术问题之一，本发明提供一种掩膜板，用于对阵列基板进行曝光，所述阵列基板包括显示区域和环绕所述显示区域的周边区域，所述显示区域包括多个显示有源区，所述周边区域包括多个周边有源区，所述周边有源区的长度大于所述显示有源区的长度，所述掩膜板包括掩膜层，所述掩膜层包括对应于所述周边有源区的第一掩膜部，所述第一掩膜部包括多个彼此间隔的掩膜条；在所述第一掩膜部中，所述掩膜条的透光程度与其他部分的透光程度不同。

优选地，所述掩膜层还包括与所述显示有源区对应的第二掩膜部，该第二掩膜部为半透光膜。

优选地，所述阵列基板还包括多个显示源极区和多个显示漏极区，每个显示有源区均对应一个显示漏极区和一个显示漏极区，每个显示有源区均位于相应的显示漏极区和相应的显示漏极区之间，

所述掩膜层还包括与所述显示有源区对应的第二掩膜部、与所述显示源极区对应的第三掩膜部、与显示漏极区对应的第四掩膜部和分别设置在所述第二掩膜部两端的两个遮光块；所述第三掩膜部和所述第四掩膜部均不透光，所述第二掩膜部全透光，所述第三掩膜部、所述第四掩膜部和两个所述遮光块环绕所述第二掩膜部设置。

优选地，在所述第一掩膜部中，所述掩膜条的透光程度低于其他部分的透光程度。

优选地，在所述第一掩膜部中，

所述掩膜条不透光，其他部分全透光；

或者，所述掩膜条半透光，其他部分全透光；

或者，所述掩膜条不透光，其他部分半透光。

优选地，所述第一掩膜部包括沿其宽度方向排列的两个所述掩膜条，所述掩膜条的延伸方向与所述第一掩膜部的宽度方向交叉；两个所述掩膜条之间的距离大于所述周边有源区的宽度；所述第一掩膜部中，所述掩膜条以外的部分半透光。

优选地，所述第一掩膜部包括沿其宽度方向排列的多个所述掩膜条，所述掩膜条的延伸方向与所述第一掩膜部的宽度方向相交叉，距离最远的两个第一掩膜条之间的距离小于所述周边有源区的宽度；或者，

所述第一掩膜部包括沿其长度方向排列的多个所述掩膜条，所述掩膜条的延伸方向与所述第一掩膜部的长度方向相交叉，距离最远的两个掩膜条之间的距离小于所述周边有源区的长度。

优选地，所述掩膜条的宽度在0.5μm～1.5μm之间，相邻两个掩膜条之间的间距在0.5μm～1.5μm之间。

相应地，本发明还提供一种曝光设备，包括扫描光源和本发明提供的上述掩膜板。

优选地，当所述掩膜板为上述一种掩膜板时，所述扫描光源的扫描方向为所述第一掩膜部的长度方向；

当所述掩膜板为上述另一种掩膜板时，所述扫描光源的扫描方向为所述掩膜条的排列方向。

在本发明中，掩膜板的第一掩膜部包括多个彼此间隔的掩膜条，掩膜条的透光程度与第一掩膜部其他部分的透光程度不同，在曝光设备的限制下和光的衍射作用下，第一掩膜部从整体上也是成半透光的。与现有技术中通过设置半透光膜实现半透光效果的方式相比，本发明采用设置多个掩膜条的方式实现半透光效果时，由于掩膜条的设置会对其所在区域及附近的透光效果产生一定的影响，因此，可以在第一掩膜部中均匀设置多个掩膜条，以使得对周边有源区的光刻胶曝光时，同一个周边有源区中的光刻胶的曝光效果在整体上更均匀；或者通过在靠近第一掩膜部的边缘且靠近第一掩膜部中部的位置设置掩膜条，以补偿现有技术中产生的中间曝光量大于两端曝光量的现象，进而提高刻蚀形成的有源层的均一性。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1是现有技术中利用半透光膜对长度较大的有源区进行曝光时，半透光膜中各位置的透光率示意图；

图2本发明提供的掩膜板的第一掩膜部中掩膜条的第一种排布方式示意图；

图3是图2沿A-A线的剖视图；

图4是第一掩膜部中掩膜条的第二种排布方式示意图；

图5是第一掩膜部中掩膜条的第三种排布方式示意图；

图6是第一掩膜部中各部分透光程度的第一种设置方式示意图；

图7是第一掩膜部中各部分透光程度的第二种设置方式示意图；

图8是第一掩膜部中各部分透光程度的第三种设置方式示意图；

图9是第一掩膜部采用图6中所示结构时，第一掩膜部中各位置的透光率示意图；

图10是第二掩膜部为全透光且两端未设置遮光块时，第二掩膜部中各位置的透光率示意图；

图11是第二掩膜部及其周围区域的第一种结构示意图；

图12是图11沿C-C线的剖视图；

图13是第二掩膜部采用图12中所示结构时，第二掩膜部中各位置的透光率示意图；

图14是第二掩膜部及其周围区域的第二种结构示意图；

图15是图14沿D-D线的剖视图；

其中，附图标记为：

10、第一掩膜部；11、掩膜条；20、第二掩膜部；30、第三掩膜部；40、第四掩膜部；50、第五掩膜部；60、第六掩膜部；70、遮光块；80、衬底。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。

作为本发明的一方面，提供一种掩膜板，用于对阵列基板进行曝光，所述阵列基板包括显示区域和环绕所述显示区域的周边区域，所述显示区域包括多个显示有源区，所述周边区域包括多个周边有源区，所述周边有源区的长度大于所述显示有源区的长度。具体地，周边有源区的长度大于3μm，通常情况下，可以达到60μm；显示有源区的长度小于3μm。结合图2至图8所示，所述掩膜板包括设置在衬底80上的掩膜层，该掩膜层包括对应于所述周边有源区的第一掩膜部10，第一掩膜部10包括多个彼此间隔的掩膜条11；掩膜条11的透光程度与第一掩膜部10其他部分的透光程度不同。本发明中，透光程度可以分为全透光、半透光和不透光，全透光是指透光率接近100％，例如，透光率在80％～100％之间；不透光是指透光率接近0，例如，透光率在0～19％之间；半透光则是介于全透光与不透光之间，例如，透光率在20％～80％之间，优选为50％。在本发明的各个附图中，以不同的剖面线表示不同透光程度。

所述掩膜板可以用在同步制作薄膜晶体管的有源层和源漏极的工艺中。所述薄膜晶体管包括用于形成在阵列基板显示区域的显示薄膜晶体管、用于形成在阵列基板周边区域的周边薄膜晶体管。所述显示有源区是指，显示薄膜晶体管的有源层所在区域；类似地，所述周边有源区是指，显示薄膜晶体管的有源层所在区域。可以理解的是，显示区域中还包括多个显示源极区(即，显示薄膜晶体管的源极所在区域)和多个显示漏极区(即，显示薄膜晶体管的漏极所在区域)，每个显示有源区均对应一个显示漏极区和一个显示漏极区，每个显示有源区均位于相应的显示漏极区和相应的显示漏极区之间。需要说明的是，上述显示有源区的长度即为该显示有源区沿显示漏极区和显示源极区排列方向的尺寸，也即，显示有源区与显示漏极区之间的距离。同样，周边区域中每个周边有源区的两侧分别设置有一个周边漏极区和一个周边源极区；周边有源区的长度即为该周边有源区沿周边源极区和周边漏极区排列方向上的尺寸，也即，周边源极区与周边漏极区之间的距离。

在同步制作薄膜晶体管的有源层和源、漏极时，采用正性光刻胶的情况下，曝光时将掩膜板的半透光区对应周边有源区和显示有源区进行半曝光；将掩膜板的不透光区对应显示源极区、显示漏极区、周边源极区、周边漏极区；将掩膜板的全透光区对应其余区域，以使得显影后，显示源极区、显示漏极区、周边源极区、周边漏极区的光刻胶全部保留，显示有源区和周边有源区的光刻胶保留一部分；其余部分的光刻胶全部去除。当然，也可以采用负性光刻胶，此时，只需将全透光区和不透光区互换即可，而半透光区位置不变。

在本发明中，第一掩膜部10包括多个彼此间隔的掩膜条11，掩膜条11的透光程度与第一掩膜部10其他部分的透光程度不同，也就是说，掩膜条11和第一掩膜部10其他部分中的至少一者是透光或半透光的。具体可以使掩膜条11的透光程度低于其他部分的透光程度，并将掩膜条11的宽度设置得较细，这种情况下，由于曝光设备有一定的曝光极限，因此，即使掩膜条11本身不透光、其他部分全透光，在曝光设备的限制下和光的衍射作用下，掩膜条11下方及附近的光刻胶也并不是完全接收不到光线或完全接收到光线，而是均会接收到一部分，那么当掩膜条11之间的距离很小时，第一掩膜部10从整体上也是成半透光的。相类似的，当掩膜条11或第一掩膜部10的其他部分为半透光时，也能够使得第一掩膜部10从整体上成半透光效果。

与现有技术中通过设置半透光膜实现半透光效果的方式相比，本发明采用设置多个掩膜条11的方式实现半透光效果时，由于掩膜条11的设置会对其所在区域及附近的透光效果产生一定的影响，因此，可以在第一掩膜部10中均匀设置多个掩膜条11，以使得对周边有源区的光刻胶曝光时，同一个周边有源区中的光刻胶的曝光效果在整体上更均匀；或者通过在靠近第一掩膜部10的边缘且靠近第一掩膜部10中部的位置设置掩膜条11，以补偿现有技术中产生的中间曝光量过大的现象，进而提高刻蚀形成的有源层的均一性。

为了使得曝光过程中，即使在掩膜条11本身不透光的情况下，也能够第一掩膜部10产生半透光的效果，在本发明中，掩膜条11的宽度在0.5μm～1.5μm之间，具体可以为1μm。

下面结合图2至图15对本发明的掩膜板的结构进行具体介绍。

和阵列基板相对应地，如图2、图4和图5所示，掩膜层包括与周边有源区对应的第一掩膜部10、与显示源极区对应的第三掩膜部30、与显示漏极区对应的第四掩膜部40；如图11和图14所示，掩膜层还包括与显示有源区对应的第二掩膜部20、与周边源极区对应的第五掩膜部50和与周边漏极区对应的第六掩膜部60。需要说明的是，本发明中的掩膜层表示一整层结构，其中各个掩膜部并不一定是实体的结构，当其中某一个掩膜部为全透光时，其可以为镂空的。本发明以曝光过程中采用正性光刻胶为例进行说明，此时，第三掩膜部30、第四掩膜部40、第五掩膜部50和第六掩膜部60均是不透光的。

作为本发明的一种具体实施方式，在第一掩膜部10中，掩膜条11的透光程度低于其他部分的透光程度。更具体地，如图6所示，在第一掩膜部10中，掩膜条11不透光，其他部分全透光。或者，如图7所示，在第一掩膜部10中，掩膜条11半透光，其他部分全透光。或者，如图8所示，在第一掩膜部10中，掩膜条11不透光，其他部分半透光。采用图6所示的第一掩膜部10对长度较大的周边有源区进行曝光时，第一掩膜部10中各位置的透光率如图9所示，图9中实线为第一掩膜部10的理论透光率曲线，虚线为第一掩膜部10的实际透光率曲线，图9以及下文提及的图10、图13中，端部是沿光扫描方向的中部，中部是沿光扫描方向的中部。可见，间隔设置多个不透光的掩膜条11时，理论上掩膜条11的位置是不透光的，但是，由于光的衍射和曝光设备的曝光极限，会使得掩膜条11下方会接收到一定的光线，而掩膜条11之间的区域，由于光的拖影现象，也不会是完全透光的，从而使得第一掩膜部10整体上实现均匀的半透光效果。

其中，将掩膜条11设置为不透光时，可以将其采用不透光的材料制成。将第一掩膜部10中的掩膜条11以外的其他部分为全透光时，可以将其设置为镂空结构，如图6和图7所示。将掩膜条11或其他部分为半透光时，可以将其设置为半透光膜的结构。

第一掩膜部10中的掩膜条11的第一种排布方式可以如图2和图3所示，第一掩膜部10包括沿其宽度方向排列的两个所述掩膜条11，掩膜条11的延伸方向与第一掩膜部10的宽度方向交叉；两个掩膜条11之间的距离大于所述周边有源区(图2中的虚线框区域)的宽度；第一掩膜部10中，掩膜条11以外的部分半透光。其中，第一掩膜部10的宽度为其沿第五掩膜部50与第六掩膜部60排列方向上的尺寸。掩膜条11具体可以沿第一掩膜部10的长度方向延伸。应当理解的是，在构图工艺中，经过曝光、显影、刻蚀后，阵列基板上与第一掩膜部10相对应的区域形成的图形大小并不与第一掩膜部10完全相同，而是会发生一定程度的收缩，因此，第一掩膜部10的宽度是大于阵列基板上的周边有源区的宽度的。

在进行曝光时，将第一掩膜部10与周边有源区相对设置、将第五掩膜部50与周边源极区相对设置、将第六掩膜部60与周边漏极区相对设置，并使得两个掩膜条朝向周边掩膜区的正投影分别位于周边掩膜区有源区的沿其宽度方向的两侧。与现有技术中只利用半透光膜对周边有源区进行曝光的方式相比，当采用图2中的结构对周边有源区曝光时，曝光设备的光源沿第一掩膜部10的长度方向扫描至第一掩膜部10中部时，掩膜条11的设置可以使得周边有源区的光刻胶在靠近掩膜条11投影的位置的曝光量减少，从而补偿第一掩膜部10中部对光刻胶曝光量过大的情况，减少第一掩膜部10中部和两端对光刻胶的曝光差异。

在图2中的实施方式中，掩膜条11的长度可以近似等于周边有源区的长度；而由于掩膜条11的作用对周边有源区中部曝光量过大的现象进行补偿，因此，掩膜条11的长度也可以小于周边有源区的长度，在进行曝光时，使两个掩膜条11朝周边有源区的正投影分别位于周边有源区沿宽度方向的两侧，并靠近周边有源区沿长度方向的中部。

掩膜条11的第二种排布方式可以如图4所示，第一掩膜部10包括沿其宽度方向排列的多个掩膜条11，掩膜条11的延伸方向与第一掩膜部10的宽度方向相交叉，掩膜条11具体可以沿第一掩膜部10的长度方向延伸。距离最远的两个掩膜条11之间的距离小于所述周边有源区的宽度。在进行曝光时，将第一掩膜部10与周边有源区相对设置，并使得多个掩膜条11朝向周边掩膜区的正投影均位于周边掩膜区范围内，曝光设备的光源沿第一掩膜部10的宽度方向进行扫描。由于掩膜条11的设置会在一定程度上影响相应位置的曝光量，因此，当多个掩膜条11均匀分布时，第一掩膜部10沿光扫描方向上各位置的透光率在整体上也变得更均匀，从而使得同一个周边有源区中不同位置光刻胶的曝光量整体上分布得更均匀。

掩膜条11的第三种排布方式可以如图5所示，第一掩膜部10包括沿其长度方向排列的多个掩膜条11，掩膜条11的延伸方向与第一掩膜部10的长度方向相交叉，掩膜条11具体可以沿第一掩膜部10的宽度方向延伸。并且，距离最远的两个掩膜条11之间的距离小于所述周边有源区的长度。这种实施方式和图4中的实施方式相似，不同之处在于，在曝光时，在利用图5中的第一掩膜部10曝光时，光源的扫描方向沿第一掩膜部10的长度方向。即，两种方式中，光扫描方向均是与掩膜条11排列方向相同的。

在图4和图5中，以掩膜条11不透光，第一掩膜部10中其他部分半透光为例进行示意，此时，图4的BB剖视图与图8一致。当然，图4和图5中，也可以使掩膜条11为半透光、第一掩膜部10中其他部分全透光；或者掩膜条11不透光、第一掩膜部10中其他部分全透光。

在图4和图5的实施方式中，当掩膜条11之间的距离过大时，有可能会导致靠近掩膜条11的位置与两个掩膜条11之间的中部位置的透光效果不同，并且，第一掩膜部10中，掩膜11条以外的部分完全透光时，当掩膜条11之间的距离过大、掩膜条11过窄时，有可能导致第一掩膜部10整体还是接近于全透光的。为此，在本发明中，将掩膜条11的宽度设置在0.5μm～1.5μm之间，并且，对于图4和图5的实施方式，将相邻两个掩膜条11之间的间距设置在0.5μm～1.5μm之间，优选为1.1μm。

以上为对所述掩膜层的第一掩膜部10的结构的描述，而对于掩膜层的第二掩膜部20。由于显示有源区的长度较小(通常在2.0μm～2.5μm之间)，如果在第二掩膜部20中设置多个掩膜条，那么在利用该第二掩膜部20对显示有源区的光刻胶进行曝光时，将会出现光刻胶曝光不够的现象；而如果第二掩膜部20设置为透明，将第二掩膜部20两端的第三掩膜部30和第四掩膜部40设置为不透光，那么由于第二掩膜部20的长度一般比显示有源区的长度大一点，这个长度不足以使第二掩膜部20产生半透光的效果，因此，这样又会导致第二掩膜部20中间的实际透光率过大，如图10所示，从而发生过曝光。为了使显示有源区的光刻胶的曝光更均匀，本发明中，第二掩膜部20及其周围区域采用以下两种结构。

第一种结构如图11和图12所示，第二掩膜部20采用为半透光膜。这种情况下，第二掩膜部20中各位置的透光率如图13所示，虽然，第二透光部20中部的实际透光率也会超过理论透光率，但是，由于第二透光部20本身是半透光的，且长度较小，因此，并不会像图1中那样发生过曝光或两端与中间曝光效果相差过大的情况，也不会像图10那样出现中间过曝光的现象，从而改善曝光效果。

第二种结构如图14和图15所示，掩膜层除了包括上述第二掩膜部20、第三掩膜部30和第四掩膜部40之外，还包括分别设置在第二掩膜部20两端的两个遮光块70。其中，第三掩膜部30和第四掩膜部40均不透光，第二掩膜部20全透光(具体可设置为镂空的形式)，第三掩膜部30、第四掩膜部40和两个遮光块70环绕第二掩膜部20设置。遮光块70的形状没有限定，可以是方形、圆形、三角形、半圆形、扇形等。在未设置遮光块70的情况下，第二掩膜部20中部会出现曝光量过大的情况；设置遮光块70之后，靠近遮光块70位置的曝光量会下降，从而可以补偿第二掩膜部20中部曝光量过大的情况，提高曝光均一性。为了使得全透光的第二掩膜部20能够产生半透光的效果，可以将显示源极区与显示漏极区之间的距离设置为较小值，例如，在1.5～2.5μm之间。

需要说明的是，在阵列基板上，显示有源区可能会呈弯折形状，相应地，第二掩膜部20也会呈弯折的形状，如图14所示，这种情况下，显示有源区的长度即为显示源极区与显示漏极区之间的距离，第二掩膜部20的长度即为第三掩膜部30与第四掩膜部40之间的距离。

作为本发明的另一方面，提供一种曝光设备包括扫描光源和上述掩膜板。在利用曝光设备对阵列基板进行曝光时，将上述掩膜板设置于阵列基板的待曝光侧，且所述掩膜板的第一掩膜部的位置与所述阵列基板的周边有源区的位置对应；并使扫描光源位于所述掩膜板背离所述阵列基板的一侧，之后利用扫描光源沿预定方向对所述掩膜板进行光扫描。

由于本发明提供的上述掩膜板的第一掩膜部能够半透光效果，且通过掩膜条的设置可以使得第一掩膜部中部和两端对相应位置的光刻胶的曝光量更加接近，因此，在利用所述曝光设备对阵列基板曝光时，周边有源区的曝光效果更均匀，从而提高刻蚀形成的图形均一性。

具体地，当所述掩膜板的第一掩膜部如图2所示时，将掩膜板设置于阵列基板曝光侧时，使得两个所述掩膜条朝向所述周边有源区的正投影位于所述周边掩膜区的沿其宽度方向的两侧。而扫描光源的扫描方向为所述第一掩膜部的长度方向。当所述掩膜板的第一掩膜部如图4或图5所示时，将掩膜板设置于阵列基板曝光侧时，使得每个掩膜条在所述朝向所述周边有源区的正投影均位于所述周边有源区范围内；而扫描光源的扫描方向为所述掩膜条的排列方向。采用图4和图5的结构时，第一掩膜部的曝光效果已在上文进行说明，这里不再赘述。

以上为对本发明提供的掩膜板和曝光设备的描述，可以看出，本发明提供的掩膜板能够提高显示有源区和周边有源区的曝光均一性；另外，掩膜板可以采用与现有掩膜板相同的制作工艺制作，无需额外的工艺时间和成本。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种掩膜板，用于对阵列基板进行曝光，所述阵列基板包括显示区域和环绕所述显示区域的周边区域，所述显示区域包括多个显示有源区，所述周边区域包括多个周边有源区，所述周边有源区的长度大于所述显示有源区的长度，所述掩膜板包括掩膜层，其特征在于，所述掩膜层包括对应于所述周边有源区的第一掩膜部，所述第一掩膜部包括多个彼此间隔的掩膜条；在所述第一掩膜部中，所述掩膜条的透光程度与其他部分的透光程度不同；

所述掩膜层还包括与所述显示有源区对应的第二掩膜部，该第二掩膜部为半透光膜或者由第三掩膜部、第四掩膜部和两个遮光块环绕的全透光区。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，在所述第一掩膜部中，所述掩膜条的透光程度低于其他部分的透光程度。

3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，在所述第一掩膜部中，

所述掩膜条不透光，其他部分全透光；

或者，所述掩膜条半透光，其他部分全透光；

或者，所述掩膜条不透光，其他部分半透光。

4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜部包括沿其宽度方向排列的两个所述掩膜条，所述掩膜条的延伸方向与所述第一掩膜部的宽度方向交叉；两个所述掩膜条之间的距离大于所述周边有源区的宽度；所述第一掩膜部中，所述掩膜条以外的部分半透光。

5.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜部包括沿其宽度方向排列的多个所述掩膜条，所述掩膜条的延伸方向与所述第一掩膜部的宽度方向相交叉，距离最远的两个第一掩膜条之间的距离小于所述周边有源区的宽度；或者，

所述第一掩膜部包括沿其长度方向排列的多个所述掩膜条，所述掩膜条的延伸方向与所述第一掩膜部的长度方向相交叉，距离最远的两个掩膜条之间的距离小于所述周边有源区的长度。

6.根据权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜条的宽度在0.5μm～1.5μm之间，相邻两个掩膜条之间的间距在0.5μm～1.5μm之间。

7.一种曝光设备，其特征在于，包括扫描光源和权利要求1至6中任意一项所述的掩膜板。

8.根据权利要求7所述的曝光设备，其特征在于，当所述掩膜板为权利要求4所述的掩膜板时，所述扫描光源的扫描方向为所述第一掩膜部的长度方向；

当所述掩膜板为权利要求5所述的掩膜板时，所述扫描光源的扫描方向为所述掩膜条的排列方向。

Images