CN107534022A - 电子部件收纳用封装体、电子装置以及电子模块 - Google Patents
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims 8
- 238000009434 installation Methods 0.000 title claims 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 149
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract description 44
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 34
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 23
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 7
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003490 calendering Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49822—Multilayer substrates
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Layout of the interconnection structure
- H01L23/5286—Arrangements of power or ground buses
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02102—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02133—Means for compensation or elimination of undesirable effects of stress
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- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/0504—Holders or supports for bulk acoustic wave devices
- H03H9/0509—Holders or supports for bulk acoustic wave devices consisting of adhesive elements
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
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- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
- H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
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Abstract
电子部件收纳用封装体包含:基部,其包括具有电子部件的搭载部的第1主面;框部,其在基部上包围搭载部而设,具有第2主面;框状金属化层,其设于框部的第2主面;和侧面导体,其设于框部的内侧面、将框状金属化层和形成于第1主面的中继导体连接,在侧面导体的宽度方向上,绝缘膜从一端覆盖到另一端。
Description
技术领域
本发明涉及用于气密地容纳压电振动元件等电子部件的电子部件收纳用封装体等。
背景技术
过去,作为用于搭载压电振动元件或半导体元件等电子部件的电子部件收纳用封装体,一般使用在陶瓷烧结体等所构成的绝缘基板设置了容纳电子部件的搭载部的封装体。在绝缘基板的上表面接合盖体以便堵塞搭载部。这样的电子部件收纳用封装体基本由绝缘基板和布线导体构成,该绝缘基板具有在上表面有电子部件的搭载部的平板状的基部以及在基部的上表面包围搭载部而被层叠的框状的框部,该布线导体从搭载部形成到基部的下表面等。
布线导体当中设于搭载部的部分作为连接电子部件的连接导体发挥功能,设于基部的下表面(绝缘基板的下表面)的部分作为外部连接用的导体(外部连接导体)发挥功能。而且,在搭载部搭载电子部件,使电子部件的各电极与连接导体电连接,之后使搭载部被盖体等密封,从而制作电子装置。另外,在框部的上表面为了接合由金属构成的盖体而形成框状金属化层。关于该电子部件收纳用封装体,盖体通过银钎料等密封材料与框状金属化层接合,从而电子部件在搭载部被气密密封。
另外,为了成为将搭载电子部件的搭载部内与外部噪声屏蔽开的结构,有使框状金属化层以及盖体成为与接地电位同电位的情况。为了做出这样的结构,例如在框部的内侧面设置侧面导体,进而在搭载部上设置与成为接地电位的外部连接用的导体连接的中继导体,将框状金属化层和成为接地电位的外部连接用的导体经由侧面导体或中继导体等进行连接(参考JP特开2000-312060号公报)。
发明内容
-发明要解决的课题-
但近年来,电子部件收纳用封装体越来越谋求小型化。与此相伴,设于搭载部的各布线导体间的裕度或包围的框部的宽度不断变小。
因而,若如过去那样在框部的内侧面设置侧面导体,或在搭载部上设置与侧面导体连接的中继导体,则在这些布线导体的表面会被覆镀覆层,钎料易于润湿,在将盖体接合到框状金属化层时,钎料易于经由侧面导体向中继导体侧扩展,因此,有在密封时会发生钎料的容积不足从而密封可靠性降低的可能性,或者有扩展的钎料所引起的与接近的其他布线导体的短路、电子部件的动作不良等的可能性。
-用于解决课题的手段-
本发明的1个方式中的电子部件收纳用封装体特征在于,包含:基部,其包括具有电子部件的搭载部的第1主面;框部,其在该基部上包围所述搭载部而设,具有第2主面;框状金属化层,其设于该框部的所述第2主面;和侧面导体,其设于所述框部的内侧面,将所述框状金属化层和形成于所述第1主面的中继导体连接,在该侧面导体的宽度方向上,绝缘膜从一端覆盖到另一端。
本发明的1个方式中的电子装置特征在于,具有:上述的电子部件收纳用封装体;和被搭载于该电子部件收纳用封装体的电子部件。
本发明的1个方式中的电子模块特征在于,具有:上述的电子装置;和被连接了该电子装置的模块用基板。
-发明的效果-
根据本发明的1个方式中的电子部件收纳用封装体,包含:基部,其包括具有电子部件的搭载部的第1主面;框部,其在基部上被设为包围搭载部,具有第2主面;框状金属化层,其设于框部的第2主面;和侧面导体,其设于框部的内侧面,将框状金属化层和形成于第1主面的中继导体连接,在侧面导体的宽度方向上,绝缘膜从一端覆盖到另一端,因此在将盖体用钎料等接合在框状金属化层时,能抑制钎料经由该侧面导体扩展到搭载部。因而,能实现抑制了钎料的容积不足所引起的密封可靠性的降低以及扩展的钎料所引起的与接近的其他布线导体的短路的电子部件收纳用封装体。
根据本发明的1个方式中的电子装置,通过使用上述的电子部件收纳用封装体,能实现抑制了电子部件的密封工序中的密封可靠性的降低以及短路的动作可靠性高的电子装置。
根据本发明的1个方式中的电子模块,通过使用上述的电子装置,提高了对搭载于搭载部的电子部件的密封可靠性,能实现动作可靠性卓越的电子模块。
附图说明
图1(a)是表示本发明的实施方式中的电子部件收纳用封装体的顶视透视图,(b)是(a)的X-X’线的剖面透视图。
图2是表示本发明的实施方式中的电子部件收纳用封装体的主要部分的剖面透视图。
图3是表示本发明的实施方式中的电子部件收纳用封装体的主要部分的立体图。
图4是表示本发明的实施方式中的电子部件收纳用封装体的其他示例的主要部分剖面透视图。
图5是表示本发明的实施方式中的电子部件收纳用封装体的其他示例中的主要部分的立体图。
具体实施方式
参考附图来说明本发明的实施方式中的电子部件收纳用封装体等。图1(a)是表示本发明中的电子部件收纳用封装体100的实施方式的一例的顶视透视图,图1(b)是图1(a)的X-X’线的剖面透视图。
在图1中,电子部件收纳用封装体100具有成为向模块用基板125的安装面的第1主面102以及成为密封面的第2主面,在绝缘基板101设有搭载部104。在搭载部104搭载压电振动元件等电子部件110。绝缘基板101具有相互层叠的框部105以及基部106。另外,在绝缘基板101的外周边角部形成缺口108。该缺口108以在电子部件收纳用封装体100的制造中途将各布线基板区域(未图示)间经由设于缺口108的内侧面的内面导体(未图示)而电连接等为目的形成,但也可以不设置内面导体而通过设于内部的布线导体将各布线基板区域间电连接,在该情况下,配合所使用的电子装置120的形态,也可以不形成缺口108。
在框部105的第2主面103形成框状金属化层112,进而在框部105的内侧面设置侧面导体115。另外,在基部106中的侧面导体115的正下方的搭载部104设有中继导体117。并且,从框状金属化层112导通到侧面导体115、中继导体117,在绝缘基板101的下表面设置从基部106的中继导体117通过贯通导体109连接的外部连接导体107。
在该示例的布线基板中还设置设于框部105的第2主面103的框状金属化层112、位于搭载部104内并连接电子部件110的一对连接导体111。关于该电子部件收纳用封装体100,盖体114通过银钎料等钎件118接合在绝缘基板101的框状金属化层112上,从而电子部件110被气密密封。
另外,在本实施方式中,绝缘基板101具有在厚度方向的剖面透视下凹型的搭载部104。在该电子部件收纳用封装体100气密密封压电振动元件等电子部件110来形成电子装置120。将搭载部104密封的盖体114在图1中为了方便而透视。
在平板状的基部106上层叠框部105来形成绝缘基板101。另外,在俯视观察下,框部105包围基部106的上表面的搭载部104。通过该框部105的内侧面和在搭载部104的内侧露出的基部106来设置用于搭载电子部件110的凹型的搭载部104。
框部105以及基部106例如由氧化铝质烧结体、氮化铝烧结体、莫来石质烧结体或玻璃-陶瓷烧结体等陶瓷材料构成。绝缘基板101例如整体的外形在俯视观察下是一边的长度为1.6~10mm程度的长方形,是厚度为0.3~2mm程度的板状,在其上表面具有凹型的搭载部104。
若是框部105以及基部106由氧化铝质烧结体构成的情况,则在氧化铝、氧化硅、氧化镁以及氧化钙等原料粉末中添加混合适当的有机粘合剂以及溶剂、塑化剂等并做成泥浆状,并且使其用刮刀法、辊压延法等薄片成型法成为薄片状,由此得到多片陶瓷生片,接下来对一部分陶瓷生片实施适当的冲孔加工来使其成型为框状,并将其上下层叠,使得框状的陶瓷生片分别位于未成型为框状的平板状的陶瓷生片的上表面,将该层叠体在高温下进行烧成,由此能制作绝缘基板101。
例如在分别制作成排列成为单片的绝缘基板101的基板区域的母基板(未图示)后分割成单片,来制作绝缘基板101。母基板具有相互层叠的具有成为基部106的多个区域的平板状的绝缘层(未图示)和具有分别成为框部105的多个区域的(排列了多个开口部)绝缘层(未图示)。
框部105可以在上表面设有框状金属化层112,在外侧面具有缺口108。另外,在基部106设置连接导体111、贯通导体109、侧面导体115、中继导体117以及外部连接导体107,作为用于将搭载于搭载部104的电子部件110和模块用基板125的外部电气电路电连接的导电路。另外,在该示例中,在绝缘基板101的边角部设有缺口108,但还有设置在绝缘基板101的外侧面的其他场所的长边侧或短边侧的情况。
在此,在电子装置在搭载部104搭载TCXO(Temperature Compensated CrystalOscillator、温度补偿晶振)等多个电子部件(未图示)的情况下,为了设置搭载多个电子部件的阶梯状的内侧面,还有框部105由2层以上的绝缘层构成的情况。
搭载部104例如配合四角板状的电子部件110而在俯视观察为四边形状。在图1的示例中,在该四边形状的搭载部104的相互相邻的2个边角部设置一对连接导体111。该连接导体111作为用于连接搭载于搭载部104的压电振动元件等电子部件110的电极(未图示)的导体层发挥功能。若电子部件110是压电振动元件,则通常其外形俯视观察下为四边形状,在其主面的边角部设置连接用的一对电极(未图示)。为了能容易且可靠地进行电极的连接,连接导体111设置在搭载部104的边角部。
电子部件110的各电极与连接导体111的连接经由导电性粘结剂等接合件113进行。即,如图1(a)所示那样,将电子部件110定位在搭载部104,使得设于电子部件110的主面的边角部的一对电极与设于搭载部104上一对连接导体111对置,将预先被覆在连接导体111的接合件113加热并使其硬化,由此将电子部件110的电极和连接导体111连接。
另外,由于在本实施方式的示例中作为电子部件110说明了利用压电振动元件的示例,因此连接导体111设置在上述那样的位置,但在搭载其他电子部件(未图示)的情况下,另外在搭载多个其他电子部件的情况下,连接导体111也可以按照该电子部件的电极的配置来改变位置、形状而进行设置。作为这样的其他电子部件,例如能举出陶瓷压电元件或声表面波元件等压电元件、半导体元件、电容元件以及电阻元件等。
本发明的实施方式中的电子部件收纳用封装体100包含:基部106,其包括具有电子部件110的搭载部104的第1主面102;框部105,其在基部106上包围搭载部104而设,具有第2主面103;框状金属化层112,其设于框部105的第2主面103;和侧面导体115,其设于框部105的内侧面,将框状金属化层112和形成于第1主面102的中继导体117连接,在侧面导体115的宽度方向上,绝缘膜116从一端覆盖到另一端。
根据这样的结构,在将盖体114用钎料118等接合在框状金属化层112时,能抑制钎料118经由侧面导体115扩展到搭载部104。因而,能实现抑制了钎料118的容积不足引起的密封可靠性的降低以及扩展的钎料118引起的与接近的其他布线导体(未图示)的短路的电子部件收纳用封装体100。在图1(a)、(b)示出上述的电子部件收纳用封装体100的示例。另外,在图2中将图1中的主要部分示出为剖面透视图。另外,在图3示出在图2的结构中从搭载部104侧观察框部105的侧面的情况下的立体图。
在连接导体111、框状金属化层112、侧面导体115、中继导体117以及外部连接导体107等的露出面,为了防止氧化腐蚀,并使连接导体111与电子部件110的电极的连接、或外部连接导体107与模块用基板125的连接等更容易或稳固,可以在它们的露出的表面依次被覆1~20μm程度的厚度的镍镀覆层和0.1~3.0μm程度的厚度的金镀覆层。
在如此在各布线导体的露出面被覆镀覆层的情况下,为了将电子部件110气密密封,将盖体114用银钎料等钎料118接合到绝缘基板101上时的密封材料易于经由镀覆层扩展到框状金属化层112,经由侧面导体115侵入到搭载部104侧,在这样的情况下,也是绝缘膜116在侧面导体115的宽度方向上从一端覆盖到另一端的结构,绝缘膜116不被钎料118润湿,因此能抑制钎料118经由侧面导体115扩展到搭载部104。因而能实现抑制了钎料118向搭载部104的扩展所引起的与接近的其他布线导体的短路的电子部件收纳用封装体100。
另外,侧面导体115以及中继导体117并不限定于图1所示那样的向搭载部104的外周边角部的位置,可以配合所使用的电子装置120的形态设于电子部件收纳用封装体100的搭载部104的短边侧、长边侧。另外,绝缘膜116并不限定于图3所示那样的矩形,也可以用设置圆形或椭圆状等进行设置。如此,通过做出在绝缘膜116的外周部带圆的结构,有抑制绝缘膜116从框部105剥落的效果。进而,绝缘膜116的形成位置由于若覆盖框部105的第2主面103侧(密封面侧)的一部分,就会缩窄盖体114与框状金属化层112的密封宽度,因而不优选。因而,将绝缘膜116设置在不会使密封宽度缩窄的位置是重要的。例如在绝缘膜116覆盖框状金属化层112的延伸部119的一部分的构成中,不会因绝缘膜116而盖体114与框状金属化层112的密封宽度缩窄。
如此,为了在框部105的内侧面在侧面导体115以及侧面导体115的宽度方向上设置从一端覆盖到另一端的绝缘膜116,例如在成为绝缘基板101的陶瓷生片在给定的位置形成成为框状金属化层112、侧面导体115、中继导体117的金属化膏,进而在成为侧面导体115的金属化膏的上表面,在给定的位置形成成为绝缘膜116的陶瓷膏,使其在侧面导体115的宽度方向上从一端覆盖到另一端即可。在此,陶瓷膏期望使用实质与绝缘基板101相同的材料。所谓相同的材料,是指在烧成后包含与绝缘基板101相同的陶瓷成分的材料,该陶瓷膏配合进行涂敷的方法(例如丝网印刷等)的规格来调整在陶瓷混合的粘合剂、溶剂的添加量。
进而,为了在已形成金属化膏、陶瓷膏的成为绝缘基板101的陶瓷生片的表面设置凹型的搭载部104,能用形成凸凹部的加压夹具(未图示)进行加压来形成。这时,为了对成为搭载部104的底部的部分加压而决定加压夹具的位置,由此陶瓷生片被加压夹具的凸部按压的部分成为搭载部104,被夹具的凹部按压的部分成为框部105。然后,成为侧面导体115、中继导体117的金属化膏被凸部按压而在框部105的内侧面形成侧面导体115,并在框部105的正下方的搭载部104形成中继导体117。另外,形成于搭载部104的连接导体111也能通过与中继导体117同样的工序形成。另外,若作为在所使用的陶瓷生片、金属化膏、陶瓷膏添加的粘合剂而使用进行玻璃转化的温度为用加压夹具加压时的温度以下的粘合剂,则能用加压夹具对陶瓷生片等进行加压时良好地进行框部105以及侧面导体115等的成型。
此时,加压夹具的凹部的宽度以及深度恒定,加压加工后的框部105的宽度以及高度也能设为恒定。因而如过去那样在框部105预先形成贯通孔,在贯通孔填充金属化膏,之后用金属模具等将贯通孔的一部分冲孔来形成侧面导体,进而在侧面导体的表面涂敷成为绝缘膜的陶瓷膏,在这样的工序中,与所涂敷的陶瓷膏的厚度相应地,框宽变宽,即使通过这样的工序在侧面导体115的表面形成绝缘膜116,也能使加压加工后的框部105的宽度恒定从而提高尺寸精度。然后,能通过设有连接导体111、中继导体117的基部106、和设有框状金属化层112、侧面导体115的框部105一体化的陶瓷生片成型体来制作排列多个成为电子部件收纳用封装体100的布线基板区域的母基板(未图示)。
另外,在上述的示例中,示出了通过对平板状的陶瓷生片进行加压工序来一并形成框部105和基部106,由此制作母基板的示例,但可以分开制作框部105和基部106,将框部105和基部106层叠来制作母基板。由此能使用多层的陶瓷生片制作复杂的形状的绝缘基板101。
另外,本发明的实施方式中的电子部件收纳用封装体100的特征在于,框状金属化层112的一部分在框部105的内侧面具有延伸部119,延伸部119的表面和绝缘膜116的表面设置在同一面上。根据这样的结构,由于不会在框部105的侧面形成绝缘膜116引起的阶差,因此难以在将电子部件110搭载在搭载部104的情况下或者以所使用的电子部件收纳用封装体100的温度环境导致的热膨胀、热收缩等为起因而对绝缘膜116施加应力,能抑制绝缘膜116剥落。另外,能加大搭载部104的开口部,能实现电子部件110的搭载性卓越的结构。
如此,如图2、图3所示那样,成为如下结构:在框部105的内侧面在侧面导体115、以及侧面导体115的宽度方向上设置从一端覆盖到另一端的绝缘膜116,被绝缘膜116覆盖的侧面导体115埋设于框部105的内侧,框状金属化层112的延伸部119的表面和绝缘膜116的表面设于同一面上。在此,侧面导体115的一部分在框部105的侧面露出,框状金属化层112的延伸部119的表面、绝缘膜116的表面和侧面导体115的表面设于同一面上,在这样的情况下,也由于在侧面导体115的宽度方向设置从一端覆盖到另一端的绝缘膜116,因此绝缘膜116不会被钎料118润湿,能在从框状金属化层112的延伸部119越过绝缘膜116在搭载部104侧的侧面露出的侧面导体115抑制钎料118经由侧面导体115扩展到搭载部104。因而能实现抑制了钎料118向搭载部104的扩展所引起的与接近的其他布线导体的短路且电子部件110的搭载性卓越的电子部件收纳用封装体100。另外,在框状金属化层112的延伸部119的表面或侧面导体115的表面的一部分露出的情况下,可以在这些布线导体的露出部被覆镍镀覆层、金镀覆层等镀覆层,虽然表面向搭载部104侧隆起这些镀覆层的厚度的份,但不会促进钎料118向搭载部104的扩展。
搭载于搭载部104的电子部件110例如能举出水晶振动元件等压电振动元件。压电振动元件对连接导体111的电连接通过导电性的接合件113进行。接合件113例如是添加了由银等导电性材料构成的导电性粒子而成的导电性粘结剂。
另外,包含延伸部119的框状金属化层112和侧面导体115电连接,经由设于搭载部104的中继导体117、设于基部106的贯通导体109而与设于成为安装面的第1主面102的外部连接导体107连接。并且通过这样的结构,框状金属化层112以及盖体114成为与接地电位同电位,成为搭载电子部件110的搭载部104内被从外部噪声屏蔽的结构。
另外,本发明的实施方式中的电子部件收纳用封装体100的特征在于,绝缘膜116从侧面导体115连续覆盖到中继导体117。根据这样的结构,由于不会在框部105的侧面设有绝缘膜116引起的阶差,因此难以在将电子部件110搭载在搭载部104的情况下或以热膨胀、热收缩等为起因而在绝缘膜116施加应力,能抑制绝缘膜116剥落。另外,在将电子部件110搭载在搭载部104的情况下,能抑制对侧面导体115以及中继导体117施加应力而剥落。另外,由于能加大搭载部104的开口部并且也不会在搭载部104的表面设置阶差,因此能加大搭载部104的容纳部,进而能有效果地实现电子部件110的搭载性卓越的电子部件收纳用封装体100。
如此,如图4、图5所示那样,在框部105的内侧面在侧面导体115、以及侧面导体115的宽度方向上设置从一端覆盖到另一端的绝缘膜116,被绝缘膜116大幅覆盖的侧面导体115埋设于框部105的内侧,并且在设于搭载部104的中继导体117中,也成为被绝缘膜116大幅覆盖的中继导体117埋设于搭载部104的内侧的结构。进而成为框状金属化层112的延伸部119的表面和绝缘膜116的表面形成在同一面上且搭载部104的表面和绝缘膜116的表面设于同一面上的结构。
因而即使在搭载部104、框部105设置侧面导体115、中继导体117等布线导体,这些布线导体也埋设于搭载部104、框部105,不会因设置布线导体而减小搭载部104的开口部以及深度。由此,在将压电振动子等电子部件110搭载于搭载部104时,能降低电子部件110与框部105的侧面接触或与设于搭载部104的布线导体等接触的可能性。
进而,若绝缘膜116覆盖侧面导体115以及中继导体117以不使它们露出,就会更有效地抑制钎料118向搭载部104的扩展所引起的与接近的其他布线导体的短路。即,就算假设钎料118到达没有高低差的搭载部104,也由于中继导体117的全部被绝缘膜116覆盖并且绝缘膜116与基部106同样地不会被钎料118润湿,因此搭载部104上的钎料118难以扩展,抑制了与接近的其他布线导体的短路。
另外,如图1(a)所示那样,中继导体117是在搭载部104的外周边角部扇状地设置1处的结构,但并不限于此,也可以是配合使用的电子装置120的形态而在搭载部104的外周的其他场所也以半圆状或矩形等形状设置多处的结构。
本发明的实施方式中的电子装置120的特征在于,具有上述的任一者记载的电子部件收纳用封装体100和搭载于电子部件收纳用封装体100的电子部件110。
根据这样的结构,由于在框部105的侧面不设绝缘膜116引起的阶差,因此难以在将电子部件110搭载在搭载部104的情况下或以热膨胀、热收缩等为起因而在绝缘膜116施加应力,能抑制绝缘膜116剥落。另外,使用较大地设置搭载部104的开口部、电子部件110的搭载性卓越的电子部件收纳用封装体100,能实现减低了搭载的电子部件110与密封材料的钎料118的接触、或布线导体间的短路的可能性的动作可靠性卓越的装置。
如此,在电子部件收纳用封装体100的框状金属化层112用钎料118等接合盖体114时,能抑制钎料118经由侧面导体115扩展到搭载部104,抑制了钎料118的容积不足引起的密封可靠性的降低以及扩展的钎料118引起的与接近的其他布线导体的短路,成为动作可靠性卓越的电子装置120。
作为电子装置120,例如是在电子部件收纳用封装体100的搭载部104搭载了水晶振动元件等压电振动元件的压电振子。在由搭载部104和盖体114构成的容器内气密密封压电振动元件而成为电子装置120。另外,还包含搭载于电子部件收纳用封装体100的搭载部104的电子部件110不仅有压电振动元件还有IC、其他电子部件(未图示)等多个部件的电子装置120。
具体地,是为了对搭载于搭载部104的压电振动元件进行更正确的温度补偿而在压电振动元件的近旁搭载了温度补偿用的IC的电子装置、或在压电振动元件的近旁搭载了热敏电阻元件的电子装置等。在这些电子部件110被容纳在电子部件收纳用封装体100的搭载部104后,堵塞搭载部104地在电子部件收纳用封装体100的框部105接合盖体114,从而在搭载部104内将压电振动元件等气密密封。
本发明的实施方式中的电子模块130的特征在于,具有上述记载的电子装置120和连接电子装置120的模块用基板125。根据这样的结构,能使用减低了搭载的电子部件110与密封材料的钎料118的接触或布线导体间的短路的可能性、动作可靠性卓越的电子装置120来实现动作可靠性高的电子模块130。
在将这样的电子模块130搭载于电子设备(未图示)的情况下,通过使框状金属化层112以及盖体114成为与接地电位同电位,成为搭载部104内被从外部噪声屏蔽的结构。即,能抑制来自外部的电磁波到达容纳于搭载部104的电子部件110的量。换言之,这样的电子模块130成为能抑制来自电子设备的电磁波到达的量、能抑制来自电子设备的电磁波的影响的结构。本发明的实施方式中的电子模块130中使用的电子部件收纳用封装体100如上述那样在框部105的内侧面设置侧面导体115、以及侧面导体115的宽度方向上从一端覆盖到另一端的绝缘膜116。进而,是被绝缘膜116覆盖的侧面导体115埋设于框部105的内侧并且框状金属化层112的延伸部119的表面和绝缘膜116的表面设于同一面上的结构。根据这样的结构,由于抑制了作为用于使框状金属化层112以及盖体114成为与接地电位同电位的导电路发挥作用的侧面导体115从框部105剥落或断线,能实现搭载于搭载部104的电子部件110更进一步有效果地被从外部噪声屏蔽的结构,能实现难以受到外部噪声的影响的电子模块130。
另外,本公开并不限定于上述的实施方式的一例,只要是不脱离本发明的要旨的范围,就能进行种种变更。例如在电子部件收纳用封装体100中,搭载部104由1处凹部构成,但也可以是搭载部104由多个凹部构成的结构。另外,在第2主面103侧形成凹部,但也可以制作成如下那样的电子部件收纳用封装体100:和第2主面103侧一起,在第1主面102侧也形成成为搭载部104的凹部,纵剖面观察下为所谓的H型结构。
Claims (7)
1.一种电子部件收纳用封装体,其特征在于,包含:
基部,其包括具有电子部件的搭载部的第1主面;
框部,其在该基部上被设为包围所述搭载部,且具有第2主面;
框状金属化层,其设于该框部的所述第2主面;和
侧面导体,其设于所述框部的内侧面,将所述框状金属化层和形成于所述第1主面的中继导体连接,
在该侧面导体的宽度方向上,绝缘膜从一端覆盖到另一端。
2.根据权利要求1所述的电子部件收纳用封装体,其特征在于,
所述框状金属化层的一部分在所述框部的内侧面具有延伸部,该延伸部的表面和所述绝缘膜的表面设于同一面上。
3.根据权利要求2所述的电子部件收纳用封装体,其特征在于,
所述侧面导体的表面的一部分设于所述同一面上。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的电子部件收纳用封装体,其特征在于,
所述绝缘膜从所述侧面导体连续覆盖到所述中继导体。
5.根据权利要求1、2或不引用权利要求3的权利要求4所述的电子部件收纳用封装体,其特征在于,
所述绝缘膜进行覆盖,以使所述侧面导体以及所述中继导体不露出。
6.一种电子装置,其特征在于,具有:
权利要求1~5中任一项所述的电子部件收纳用封装体;和
被搭载于该电子部件收纳用封装体的电子部件。
7.一种电子模块,其特征在于,具有:
权利要求6所述的电子装置;和
被连接了该电子装置的模块用基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810170392.4A CN108461450B (zh) | 2015-11-25 | 2016-11-17 | 电子部件收纳用封装体、电子装置以及电子模块 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015-229783 | 2015-11-25 | ||
JP2015229783 | 2015-11-25 | ||
PCT/JP2016/084125 WO2017090508A1 (ja) | 2015-11-25 | 2016-11-17 | 電子部品収納用パッケージ、電子装置および電子モジュール |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810170392.4A Division CN108461450B (zh) | 2015-11-25 | 2016-11-17 | 电子部件收纳用封装体、电子装置以及电子模块 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107534022A true CN107534022A (zh) | 2018-01-02 |
CN107534022B CN107534022B (zh) | 2019-03-15 |
Family
ID=58763498
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201680024555.7A Active CN107534022B (zh) | 2015-11-25 | 2016-11-17 | 电子部件收纳用封装体、电子装置以及电子模块 |
CN201810170392.4A Active CN108461450B (zh) | 2015-11-25 | 2016-11-17 | 电子部件收纳用封装体、电子装置以及电子模块 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810170392.4A Active CN108461450B (zh) | 2015-11-25 | 2016-11-17 | 电子部件收纳用封装体、电子装置以及电子模块 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10355665B2 (zh) |
EP (1) | EP3349243B1 (zh) |
JP (2) | JP6342591B2 (zh) |
KR (1) | KR101943895B1 (zh) |
CN (2) | CN107534022B (zh) |
WO (1) | WO2017090508A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114026785A (zh) * | 2019-06-27 | 2022-02-08 | 京瓷株式会社 | 电子部件收纳用封装件、电子装置以及电子模块 |
CN116250078A (zh) * | 2021-03-19 | 2023-06-09 | Ngk电子器件株式会社 | 封装体 |
CN114026785B (zh) * | 2019-06-27 | 2025-07-22 | 京瓷株式会社 | 电子部件收纳用封装件、电子装置以及电子模块 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017126596A1 (ja) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージ、多数個取り配線基板、電子装置および電子モジュール |
JP7021919B2 (ja) * | 2017-11-27 | 2022-02-17 | 京セラ株式会社 | 圧電振動デバイス及び圧電振動デバイスの製造方法 |
CN111512432B (zh) * | 2017-12-28 | 2023-09-05 | 京瓷株式会社 | 布线基板、电子装置以及电子模块 |
CN111566808B (zh) | 2018-01-24 | 2023-08-22 | 京瓷株式会社 | 布线基板、电子装置以及电子模块 |
JP7142080B2 (ja) * | 2018-02-26 | 2022-09-26 | 京セラ株式会社 | 電子部品搭載用パッケージ、電子装置および電子モジュール |
US20190297758A1 (en) * | 2018-03-23 | 2019-09-26 | Intel IP Corporation | Electromagnetic shielding cap, an electrical system and a method for forming an electromagnetic shielding cap |
JP7075810B2 (ja) * | 2018-04-26 | 2022-05-26 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージ、電子装置、および電子モジュール |
WO2020208999A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | Ngkエレクトロデバイス株式会社 | 電子部品収納用パッケージ |
JP7128352B2 (ja) * | 2019-04-22 | 2022-08-30 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージ、電子装置、および電子モジュール |
JP7430579B2 (ja) * | 2020-06-19 | 2024-02-13 | Ngkエレクトロデバイス株式会社 | パッケージおよびその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH104155A (ja) * | 1996-06-15 | 1998-01-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 電子部品用パッケージ |
US20110127655A1 (en) * | 2009-11-27 | 2011-06-02 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP4981696B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2012-07-25 | 日本特殊陶業株式会社 | パッケージ |
CN104769710A (zh) * | 2013-01-22 | 2015-07-08 | 京瓷株式会社 | 电子元件搭载用封装件、电子装置以及摄像模块 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3699609B2 (ja) | 1999-04-28 | 2005-09-28 | 京セラ株式会社 | 電子部品搭載用基板 |
JP3860364B2 (ja) * | 1999-08-11 | 2006-12-20 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波装置 |
JP3567822B2 (ja) * | 1999-10-29 | 2004-09-22 | 株式会社村田製作所 | 電子部品と通信機装置および電子部品の製造方法 |
JP4046641B2 (ja) | 2003-03-10 | 2008-02-13 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 電子デバイスのパッケージ、ベース基板、電子部品及びそれの製造方法 |
CN1700481A (zh) * | 2004-05-18 | 2005-11-23 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管封装结构和封装方法 |
JP2006303335A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Sony Corp | 電子部品搭載用基板及びそれを用いた電子装置 |
JP5312223B2 (ja) * | 2009-06-25 | 2013-10-09 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
JP5665473B2 (ja) | 2010-01-23 | 2015-02-04 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージ |
JP5907454B2 (ja) * | 2011-12-22 | 2016-04-26 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置およびデバイスパッケージ部材 |
TWI489918B (zh) * | 2012-11-23 | 2015-06-21 | Subtron Technology Co Ltd | 封裝載板 |
JP6001426B2 (ja) * | 2012-11-27 | 2016-10-05 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用セラミック基板およびそれを用いた電子部品実装パッケージ |
CN104412381B (zh) | 2013-01-31 | 2018-01-09 | 京瓷株式会社 | 电子元件搭载用基板、电子装置以及摄像模块 |
JP6215663B2 (ja) | 2013-05-23 | 2017-10-18 | 京セラ株式会社 | 電子素子収納用パッケージおよび電子装置 |
JP6215574B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2017-10-18 | 京セラ株式会社 | 電子部品搭載用基板およびそれを用いた電子部品実装パッケージ |
-
2016
- 2016-11-17 KR KR1020177027699A patent/KR101943895B1/ko active Active
- 2016-11-17 EP EP16868456.1A patent/EP3349243B1/en active Active
- 2016-11-17 WO PCT/JP2016/084125 patent/WO2017090508A1/ja unknown
- 2016-11-17 CN CN201680024555.7A patent/CN107534022B/zh active Active
- 2016-11-17 US US15/570,900 patent/US10355665B2/en active Active
- 2016-11-17 JP JP2017552379A patent/JP6342591B2/ja active Active
- 2016-11-17 CN CN201810170392.4A patent/CN108461450B/zh active Active
-
2018
- 2018-05-16 JP JP2018094508A patent/JP6496865B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-29 US US16/458,029 patent/US11394362B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH104155A (ja) * | 1996-06-15 | 1998-01-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 電子部品用パッケージ |
JP4981696B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2012-07-25 | 日本特殊陶業株式会社 | パッケージ |
US20110127655A1 (en) * | 2009-11-27 | 2011-06-02 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN104769710A (zh) * | 2013-01-22 | 2015-07-08 | 京瓷株式会社 | 电子元件搭载用封装件、电子装置以及摄像模块 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114026785A (zh) * | 2019-06-27 | 2022-02-08 | 京瓷株式会社 | 电子部件收纳用封装件、电子装置以及电子模块 |
CN114026785B (zh) * | 2019-06-27 | 2025-07-22 | 京瓷株式会社 | 电子部件收纳用封装件、电子装置以及电子模块 |
CN116250078A (zh) * | 2021-03-19 | 2023-06-09 | Ngk电子器件株式会社 | 封装体 |
CN116250078B (zh) * | 2021-03-19 | 2023-10-24 | Ngk电子器件株式会社 | 封装体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018152585A (ja) | 2018-09-27 |
CN108461450B (zh) | 2021-06-18 |
EP3349243B1 (en) | 2019-09-04 |
WO2017090508A1 (ja) | 2017-06-01 |
JP6496865B2 (ja) | 2019-04-10 |
US11394362B2 (en) | 2022-07-19 |
EP3349243A1 (en) | 2018-07-18 |
US20180358949A1 (en) | 2018-12-13 |
EP3349243A4 (en) | 2018-09-19 |
JPWO2017090508A1 (ja) | 2017-12-28 |
KR101943895B1 (ko) | 2019-01-30 |
US20190326877A1 (en) | 2019-10-24 |
KR20170122255A (ko) | 2017-11-03 |
CN107534022B (zh) | 2019-03-15 |
US10355665B2 (en) | 2019-07-16 |
JP6342591B2 (ja) | 2018-06-13 |
CN108461450A (zh) | 2018-08-28 |
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |