CN107195266B - 显示装置 - Google Patents

Abstract

显示装置包括：多个脉冲输出电路，其中的每个向两种扫描线中的一个输出信号；和多个反转脉冲输出电路，其中的每个向两种扫描线中另一个输出从脉冲输出电路输出的信号的反转或大致上反转信号。多个反转脉冲输出电路中的每个利用用于操作多个脉冲输出电路的至少两种信号来操作。从而，在反转脉冲输出电路中产生的直通电流可以减少。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及显示装置，具体地涉及包括移位寄存器的显示装置，在该移位寄存器中晶体管是n沟道晶体管或p沟道晶体管（仅具有一个导电类型的晶体管）。

背景技术

已知的显示装置是有源矩阵显示装置，其中设置在矩阵中的多个像素包括相应的开关。每个像素根据通过开关的期望电位（图像信号）输入来显示图像。

有源矩阵显示装置需要通过控制扫描线的电位来控制在像素中提供的开关的开关的电路（扫描线驱动器电路）。一般的扫描线驱动器电路包括组合的n沟道晶体管和p沟道晶体管，但扫描线驱动器电路还可以使用n沟道晶体管或p沟道晶体管形成。注意前面的扫描线驱动器电路可以比后面的扫描线驱动器电路具有更低的功耗。另一方面，后面的扫描线驱动器电路可以通过比前面的扫描线驱动器电路更小的数量的制造步骤形成。

当扫描线驱动器电路使用n沟道晶体管或p沟道晶体管形成时，输出到扫描线的电位从输出到扫描线驱动器电路的电力供应电位改变。具体地，当扫描线驱动器电路仅使用n沟道晶体管形成时，至少一个n沟道晶体管在扫描线与用于向扫描线驱动器电路供应高电力供应电位的接线之间提供。因此，可以输出到扫描线的高电位从高电力供应电位减小了至少一个n沟道晶体管的阈值电压。采用相似的方式，当扫描线驱动器电路仅使用p沟道晶体管形成时，可以输出到扫描线的低电位从供应给扫描线驱动器电路的低电力供应电位增加。

作为对上面的问题的回应，已经提出提供这样的扫描线驱动器电路，其使用n沟道晶体管或p沟道晶体管形成并且可以在不变的情况下向扫描线输出供应给扫描线驱动器电路的电力供应电位。

例如，在专利文件1中公开的扫描线驱动器电路包括n沟道晶体管，其控制扫描线之间的电连接和以恒定频率在高电力供应电位与低电力供应电位之间交替的时钟信号。当高电力供应电位输入到n沟道晶体管的漏极时，其栅极的电位可以通过使用其栅极与源极之间的电容性耦合而增加。从而，在专利文件1中公开的扫描线驱动器电路中，与高电力供应电位相同或大致上相同的电位可以从n沟道晶体管的源极输出到扫描线。

在设置在有源矩阵显示装置中的每个像素中提供的开关的数量不限于一个。一些显示装置在每个像素中包括多个开关并且单独控制相应开关来显示图像。例如，专利文件2公开了这样的显示装置，其在每个像素中包括两种晶体管（p沟道晶体管和n沟道晶体管）并且晶体管的开关单独地由不同的扫描线控制。为了控制单独提供的两种扫描线的电位，进一步提供两种扫描线驱动器电路（扫描线驱动器电路A和扫描线驱动器电路B）。在专利文件2中公开的显示装置中，单独提供的扫描线驱动器电路将具有大致上相反相位的信号输出到扫描线。

引用列表

专利文献

[PLT1]日本公布的专利申请号2008-122939

[PLT2]日本公布的专利申请号2006-106786。

发明内容

如在专利文件2中公开的，还存在有这样的显示装置，其中扫描线驱动器电路对两种扫描线中的一个输出向两种扫描线中的另一个所输出的信号的反转或大致上反转的信号。这样的扫描线驱动器电路使用n沟道晶体管或p沟道晶体管形成。例如，在专利文件1中公开的扫描线驱动器电路（其向扫描线输出信号）可将这些信号输出到两种扫描线中的一个和反相器，并且该反相器可将信号输出到两种扫描线中的另一个。

注意在反相器使用n沟道晶体管或p沟道晶体管形成的情况下，产生大量的直通电流，其直接导致显示装置的高功耗。

综上所述，本发明的一个实施例的目标是在扫描线驱动器电路（其使用n沟道晶体管或p沟道晶体管形成）对两种扫描线中的一个输出向两种扫描线中的另一个所输出的信号的反转或大致上反转的信号时使包括该扫描线驱动器电路的显示装置的功耗减少。

根据本发明的一个实施例的显示装置包括：多个脉冲输出电路，其中的每个将信号输出到两种扫描线中的一个；和多个反转脉冲输出电路，其中的每个将从脉冲输出电路中的每个输出的信号的反转或大致上反转信号输出到两种扫描线中的另一个。多个反转脉冲输出电路中的每个利用用于操作多个脉冲输出电路的信号来操作。

具体地，本发明的一个实施例是显示装置，其包括：设置在m行和n列（m和n是大于或等于4的自然数）中的多个像素；第一至第m扫描线，其中的每一个电连接到设置在第一至第m行中的对应一个中的n个像素；第一至第m反转扫描线，其中的每一个电连接到设置在第一至第m行中的对应一个中的n个像素；和移位寄存器，其电连接到该第一至第m扫描线和该第一至第m反转扫描线。设置在第k行（k是小于或等于m的自然数）中的像素每个包括通过选择信号到第k扫描线的输入而导通的第一开关，和通过选择信号到第k反转扫描线的输入而导通的第二开关。此外，移位寄存器包括第一至第m脉冲输出电路和第一至第m反转脉冲输出电路。起始脉冲所输入（仅当s是1时）或从第（s-1）脉冲输出电路输出的移位脉冲所输入的第s（s是小于或等于（m-2）的自然数）脉冲输出电路（选择信号从其中输出到第s扫描线，并且移位脉冲从其中输出到第（s+1）脉冲输出电路）包括第一晶体管（其在从起始脉冲或从第（s-1）脉冲输出电路输出的移位脉冲的输入开始直到移位期结束的第一期间中导通），并且通过在该第一期间中使用该第一晶体管的栅极与源极之间的电容性耦合而从该第一晶体管的源极输出与输入该第一晶体管的漏极的第一时钟信号的电位相同或大致上相同的电位。从第s脉冲输出电路输出的移位脉冲所输入的第（s+1）脉冲输出电路（选择信号从其中输出到第（s+1）扫描线，并且移位脉冲从其中输出到第（s+2）脉冲输出电路）包括第二晶体管（其在从第s脉冲输出电路输出的移位脉冲的输入开始直到移位期结束的第二期间中导通），并且通过在该第二期间中使用该第二晶体管的栅极与源极之间的电容性耦合而从该第二晶体管的源极输出与输入该第二晶体管的漏极的第二时钟信号的电位相同或大致上相同的电位。第s脉冲输出电路（从第s脉冲输出电路输出的移位脉冲被输入其中、第二时钟信号被输入其中并且选择信号从其中输出到第s反转扫描线）包括第三晶体管（其在从第s脉冲输出电路输出的移位脉冲的输入开始直到第二时钟信号的电位改变的第三期间中关断），并且在该第三期间后从该第三晶体管的源极输出选择信号到第s反转扫描线。

本发明的另一个实施例是显示装置，其中输入第s反转脉冲输出电路的第二时钟信号被从上面的显示装置中的第（s+1）脉冲输出电路输出的移位脉冲所取代。

在根据本发明的一个实施例的显示装置中，反转脉冲输出电路的操作被至少两种信号控制。从而，在反转脉冲输出电路中产生的直通电流可以减少。此外，用于操作多个脉冲输出电路的信号用作这两种信号。即，反转脉冲输出电路可以在不额外产生信号的情况下操作。

附图说明

图1图示显示装置的配置示例，

图2A图示扫描线驱动器电路的配置示例，图2B图示各种信号的波形的示例，图2C图示脉冲输出电路的端子，并且图2D图示反转脉冲输出电路的端子，

图3A图示脉冲输出电路的配置示例，图3B图示其操作示例，图3C图示反转脉冲输出电路的配置示例，并且图3D图示其操作示例，

图4A图示像素的配置示例，并且图4B图示其操作示例，

图5图示扫描线驱动器电路的变化形式，

图6A图示扫描线驱动器电路的变化形式，并且图6B图示各种信号的波形的示例，

图7图示扫描线驱动器电路的变化形式，

图8A和8B图示脉冲输出电路的变化形式，

图9A和9B图示脉冲输出电路的变化形式，

图10A至10C图示反转脉冲输出电路的变化形式，

图11A至11D是图示晶体管的特定示例的横截面图，

图12A至12D是图示晶体管的特定示例的横截面图，

图13A和13B是图示晶体管的特定示例的顶视图，

图14A至14F每个图示电子器件的示例。

具体实施方式

在下文中，本发明的实施例将参照附图详细描述。注意，本发明不限于下文的描述，并且本领域内技术人员容易理解可以在不偏离本发明的精神和范围的情况下进行多种改变和修改。因此，本发明不应局限于下文的实施例的描述。

首先，根据本发明的一个实施例的显示装置的配置示例参照图1、图2A至2D、图3A至3D以及图4A和4B描述。

显示装置的配置示例

图1图示显示装置的配置示例。图1中的该显示装置包括设置在m行和n列中的多个像素10、扫描线驱动器电路1、信号线驱动器电路2、电流源3以及m个扫描线4和m个反转扫描线5（其中的每个电连接到像素10中的任意一行并且其电位由扫描线驱动器电路1控制）、n个信号线6（其中的每个电连接到像素10的任一列并且其电位由信号线驱动器电路2控制）和电力供应线7，其提供有多个分支线并且电连接到电流源3。

扫描线驱动器电路的配置示例

图2A图示包括在图1中的显示装置中的扫描线驱动器电路1的配置示例。图2A中的扫描线驱动器电路1包括用于对扫描线驱动器电路供应第一至第四时钟信号（GCK1至GCK4）的接线、用于供应第一至第四脉宽控制信号（PWC1至PWC2）的接线、第一至第m脉冲输出电路20_1至20_m（其通过扫描线4_1至4_m而电连接到设置在第一至第m行中的像素10）和第一至第m反转脉冲输出电路60_1至60_m，其通过反转扫描线5_1至5_m而电连接到设置在第一至第m行中的像素10。

第一至第m脉冲输出电路20_1至20_m配置成响应于输入第一脉冲输出电路20_1内的对于扫描线驱动器电路的起始脉冲（GSP）而每移位期相继输出移位脉冲。具体地，在输入对于扫描线驱动器电路的起始脉冲（GSP）后，第一脉冲输出电路20_1在整个移位期中将移位脉冲输出到第二脉冲输出电路20_2。接着，在从第一脉冲输出电路输出的移位脉冲输入第二脉冲输出电路20_2之后，第二脉冲输出电路20_2在整个移位期中将移位脉冲输出到第三脉冲输出电路20_3。这之后，重复上面的操作直到移位脉冲输入第m脉冲输出电路20_m。

此外，第一至第m脉冲输出电路20_1至20_m中的每个具有在输入移位脉冲时将选择信号输出到相应的扫描线的功能。注意，选择信号指用于接通开关（其的开关由扫描线的电位控制）的信号。

图2B图示上文描述的信号的特定波形的示例。

具体地，在图2B中对于扫描线驱动器电路的第一时钟信号（GCK1）定期在高电平电位（高电力供应电位（Vdd））与低电平电位（低电力供应电位（Vss））之间交替，并且具有大约1/4的占空比。对于扫描线驱动器电路的第二时钟信号（GCK2）具有从扫描线驱动器电路的第一时钟信号（GCK1）移位1/4周期的相位；对于扫描线驱动器电路的第三时钟信号（GCK3）具有从扫描线驱动器电路的第一时钟信号（GCK1）移位1/2周期的相位；并且对于扫描线驱动器电路的第四时钟信号（GCK4）具有从扫描线驱动器电路的第一时钟信号（GCK1）移位3/4周期的相位。

此外，第一脉宽控制信号（PWC1）的电位在对于扫描线驱动器电路的第一时钟信号（GCK1）的电位变成高电平电位之前变成高电平电位，并且在对于扫描线驱动器电路的第一时钟信号（GCK1）的电位是高电平电位时的期间中变成低电平电位，并且第一脉宽控制信号（PWC1）具有小于1/4的占空比。第二脉宽控制信号（PWC2）具有从第一脉宽控制信号（PWC1）移位1/4周期的相位；第三脉宽控制信号（PWC3）具有从第一脉宽控制信号（PWC1）移位1/2周期的相位；并且第四脉宽控制信号（PWC4）具有从第一脉宽控制信号（PWC1）移位3/4周期的相位。

在图2A中的显示装置中，相同的配置可以应用于第一至第m脉冲输出电路20_1至20_m。注意，包括在脉冲输出电路中的多个端子的电连接关系根据脉冲输出电路而不同。特定连接关系参照图2A和2C描述。

第一至第m脉冲输出电路20_1至20_m中的每个具有端子21至27。端子21至24以及端子26是输入端子；端子25和27是输出端子。

首先，描述端子21。第一脉冲输出电路20_1的端子21电连接到用于对扫描线驱动器电路供应起始脉冲（GSP）的接线。第二至第m脉冲输出电路20_2至20_m的端子21电连接到它们相应的前级脉冲输出电路的相应端子27。

接着，描述端子22。第（4a-3）脉冲输出电路（a是小于或等于m/4的自然数）的端子22电连接到用于对扫描线驱动器电路供应第一时钟信号（GCK1）的接线。第（4a-2）脉冲输出电路的端子22电连接到用于对扫描线驱动器电路供应第二时钟信号（GCK2）的接线。第（4a-1）脉冲输出电路的端子22电连接到用于对扫描线驱动器电路供应第三时钟信号（GCK3）的接线。第4a脉冲输出电路的端子22电连接到用于对扫描线驱动器电路供应第四时钟信号（GCK4）的接线。

然后，描述端子23。第（4a-3）脉冲输出电路的端子23电连接到用于对扫描线驱动器电路供应第二时钟信号（GCK2）的接线。第（4a-2）脉冲输出电路的端子23电连接到用于对扫描线驱动器电路供应第三时钟信号（GCK3）的接线。第（4a-1）脉冲输出电路的端子23电连接到用于对扫描线驱动器电路供应第四时钟信号（GCK4）的接线。第4a脉冲输出电路的端子23电连接到用于对扫描线驱动器电路供应第一时钟信号（GCK1）的接线。

接着，描述端子24。第（4a-3）脉冲输出电路的端子24电连接到用于供应第一脉宽控制信号（PWC1）的接线。第（4a-2）脉冲输出电路的端子24电连接到用于供应第二脉宽控制信号（PWC2）的接线。第（4a-1）脉冲输出电路的端子24电连接到用于供应第三脉宽控制信号（PWC3）的接线。第4a脉冲输出电路的端子24电连接到用于供应第四脉宽控制信号（PWC4）的接线。

接着，描述端子25。第x脉冲输出电路（x是小于或等于m的自然数）的端子25电连接到第x行中的扫描线4_x。

接着，描述端子26。第y脉冲输出电路（y是小于或等于（m-1）的自然数）的端子26电连接到第（y+1）脉冲输出电路的端子27。第m脉冲输出电路的端子26电连接到用于对第m脉冲输出电路供应停止信号（STP）的接线。在提供第（m+1）脉冲输出电路的情况下，对于第m脉冲输出电路的停止信号（STP）对应于从第（m+1）脉冲输出电路的端子27输出的信号。具体地，对于第m脉冲输出电路的停止信号（STP）可以通过提供第（m+1）脉冲输出电路作为假电路或通过直接从外部输入该信号而供应给第m脉冲输出电路。

脉冲输出电路中的每个中的端子27的连接关系已经在上文描述。因此，要参考上文的描述。

在图2A中的显示装置中，相同的配置可以应用于第一至第m反转脉冲输出电路60_1至60_m。然而，包括在反转脉冲输出电路中的多个端子的电连接关系根据反转脉冲输出电路而不同。特定连接关系参照图2A和2D描述。

第一至第m反转脉冲输出电路60_1至60_m中的每个具有端子61至63。端子61和62是输入端子；端子63是输出端子。

首先，描述端子61。第（4a-3）反转脉冲输出电路的端子61电连接到用于对扫描线驱动器电路供应第二时钟信号（GCK2）的接线。第（4a-2）反转脉冲输出电路的端子61电连接到用于对扫描线驱动器电路供应第三时钟信号（GCK3）的接线。第（4a-1）反转脉冲输出电路的端子61电连接到用于对扫描线驱动器电路供应第四时钟信号（GCK4）的接线。第4a反转脉冲输出电路的端子61电连接到用于对扫描线驱动器电路供应第一时钟信号（GCK1）的接线。

接着，描述端子62。第x反转脉冲输出电路的端子62电连接到第x个脉冲输出电路的端子27。

然后，描述端子63。第x反转脉冲输出电路的端子63电连接到第x行中的反转扫描线5_x。

脉冲输出电路的配置示例

图3A图示在图2A和2C中图示的脉冲输出电路的配置示例。在图3A中图示的脉冲输出电路包括晶体管31至39。

晶体管31的源极和漏极中的一个电连接到供应高电力供应电位（Vdd）的接线（在下文也称为高电力供应电位线）；并且晶体管31的栅极电连接到端子21。

晶体管32的源极和漏极中的一个电连接到用于供应低电力供应电位（Vss）的接线（在下文也称为低电力供应电位线）；并且晶体管32的源极和漏极中的另一个电连接到晶体管31的源极和漏极中的另一个。

晶体管33的源极和漏极中的一个电连接到端子22；晶体管33的源极和漏极中的另一个电连接到端子27；并且晶体管33的栅极电连接到晶体管31的源极和漏极中的另一个和晶体管32的源极和漏极中的另一个。

晶体管34的源极和漏极中的一个电连接到低电力供应电位线；晶体管34的源极和漏极中的另一个电连接到端子27；并且晶体管34的栅极电连接到晶体管32的栅极。

晶体管35的源极和漏极中的一个电连接到低电力供应电位线；晶体管35的源极和漏极中的另一个电连接到晶体管32的栅极和晶体管34的栅极；并且晶体管35的栅极电连接到端子21。

晶体管36的源极和漏极中的一个电连接到高电力供应电位线；晶体管36的源极和漏极中的另一个电连接到晶体管32的栅极、晶体管34的栅极以及晶体管35的源极和漏极中的另一个；并且晶体管36的栅极电连接到端子26。

晶体管37的源极和漏极中的一个电连接到高电力供应电位线；晶体管37的源极和漏极中的另一个电连接到晶体管32的栅极、晶体管34的栅极、晶体管35的源极和漏极中的另一个以及晶体管36的源极和漏极中的另一个；并且晶体管37的栅极电连接到端子23。

晶体管38的源极和漏极中的一个电连接到端子24；晶体管38的源极和漏极中的另一个电连接到端子25；并且晶体管38的栅极电连接到晶体管31的源极和漏极中的另一个、晶体管32的源极和漏极中的另一个以及晶体管33的栅极。

晶体管39的源极和漏极中的一个电连接到低电力供应电位线；晶体管39的源极和漏极中的另一个电连接到端子25；并且晶体管39的栅极电连接到晶体管32的栅极、晶体管34的栅极、晶体管35的源极和漏极中的另一个、晶体管36的源极和漏极中的另一个以及晶体管37的源极和漏极中的另一个。

注意在下面的描述中，晶体管31的源极和漏极中的另一个、晶体管32的源极和漏极中的另一个、晶体管33的栅极和晶体管38的栅极电连接所在的节点称为节点A。另外，晶体管32的栅极、晶体管34的栅极、晶体管35的源极和漏极中的另一个、晶体管36的源极和漏极中的另一个、晶体管37的源极和漏极中的另一个以及晶体管39的栅极电连接所在的节点称为节点B。

脉冲输出电路的操作示例

上文描述的脉冲输出电路的操作示例参照图3B描述。具体地，图3B图示在移位脉冲从第一脉冲输出电路20_1输入时输入第二脉冲输出电路20_2的相应端子的信号、从这些相应端子输出的信号的电位以及节点A和节点B的电位。此外，还图示从第三脉冲输出电路20_3的端子25输出的信号（Gout3）以及从其端子27输出的信号（SRout3，输入第二脉冲输出电路20_2的端子26的信号）。注意在图3B中，Gout代表从脉冲输出电路中的任一个输出到对应扫描线的信号，并且SRout代表从脉冲输出电路中的任一个输出到后级脉冲输出电路的信号。

首先，参照图3B，描述移位脉冲从第一脉冲输出电路20_1输入第二脉冲输出电路20_2的情况。

在期间t1中，高电平电位（高电力供应电位（Vdd））输入端子21。从而，晶体管31和35导通。因此，节点A的电位增加到高电平电位（从高电力供应电位（Vdd）减小了晶体管31的阈值电压的电位），并且节点B的电位减小到低电力供应电位（Vss）。因此，晶体管33和38导通并且晶体管32、34和39关断。综上所述，在期间t1中，从端子27输出的信号输入端子22，并且从端子25输出的信号输入端子24。在这里在期间t1中，输入端子22的信号和输入端子24的信号两者都处于低电平电位（低电力供应电位（Vss））。因此，在期间t1中，第二脉冲输出电路20_2将低电平电位（低电力供应电位（Vss））输出到第三脉冲输出电路20_3的端子21以及像素部分中的第二行中的扫描线。

在期间t2中，输入端子的信号的水平未从期间t1中的电平改变。因此，从端子25和27输出的信号的电位也未改变；低电平电位（低电力供应电位（Vss））从其中输出。

在期间t3中，高电平电位（高电力供应电位（Vdd））输入端子24。注意节点A的电位（晶体管31的源极的电位）增加到期间t1中的高电平电位（从高电力供应电位（Vdd）减小了晶体管31的阈值电压的电位）。因此，晶体管31关断。这时，到端子24的高电平电位（高电力供应电位（Vdd））输入通过使用晶体管38的栅极与源极之间的电容性耦合而进一步使节点A的电位（晶体管38的栅极的电位）增加（自举）。由于该自举，从端子25输出的信号的电位未从输入端子24的高电平电位（高电力供应电位（Vdd））减少。因此，在期间t3中，第二脉冲输出电路20_2将高电平电位（高电力供应电位（Vdd）=选择信号）输出到像素部分中的第二行中的扫描线。

在期间t4中，高电平电位（高电力供应电位（Vdd））输入端子22。因此，因为节点A的电位已经通过自举而增加，从端子27输出的信号的电位未从输入端子22的高电平电位（高电力供应电位（Vdd））减小。因此，在期间t4中，端子27输出高电平电位（高电力供应电位（Vdd）），其被输入端子22。即，第二脉冲输出电路20_2向第三脉冲输出电路20_3的端子21输出高电平电位（高电力供应电位（Vdd）=移位脉冲）。在期间t4中，输入端子24的信号的电位保持在高电平电位（高电力供应电位（Vdd）），使得从第二脉冲输出电路20_2输出到像素部分中的第二行中的扫描线的信号的电位保持在高电平电位（高电力供应电位（Vdd）=选择信号）。此外，低电平电位（低电力供应电位（Vss））被输入端子21来关断晶体管35，这不直接影响在期间t4中从第二脉冲输出电路20_2输出的信号。

在期间t5中，低电平电位（低电力供应电位（Vss））被输入端子24。在该期间中，晶体管38保持导通。因此，在期间t5中，第一脉冲输出电路20_1向像素部分中的第二行中的扫描线输出低电平电位（低电力供应电位（Vss））。

在期间t6中，输入端子的信号的电平未从期间t5中的电平改变。因此，从端子25和27输出的信号的电位也未改变；低电平电位（低电力供应电位（Vss））从端子25输出并且高电平电位（高电力供应电位（Vdd）=移位脉冲）从端子27输出。

在期间t7中，高电平电位（高电力供应电位（Vdd））被输入端子23。从而，晶体管37导通。因此，节点B的电位增加到高电平电位（从高电力供应电位（Vdd）减小了晶体管37的阈值电压的电位），使得晶体管32、34和39导通。因此，节点A的电位减小到低电平电位（低电力供应电位（Vss）），使得晶体管33和38关断。综上所述，在期间t7中，从端子25和27输出的信号都处于低电力供应电位（Vss）。也就是说，在期间t7中，第二脉冲输出电路20_2向第三脉冲输出电路20_3的端子21以及像素部分中的第二行中的扫描线输出低电力供应电位（Vss）。

反转脉冲输出电路的配置示例

图3C图示在图2A和2D中图示的反转脉冲输出电路的配置示例。图3C中的反转脉冲输出电路包括晶体管71至74。

晶体管71的源极和漏极中的一个电连接到高电力供应电位线；并且晶体管71的栅极电连接到端子61。

晶体管72的源极和漏极中的一个电连接到低电力供应电位线；晶体管72的源极和漏极中的另一个电连接到晶体管71的源极和漏极中的另一个；并且晶体管72的栅极电连接到端子62。

晶体管73的源极和漏极中的一个电连接到高电力供应电位线；晶体管73的源极和漏极中的另一个电连接到端子63；并且晶体管73的栅极电连接到晶体管71的源极和漏极中的另一个和晶体管72的源极和漏极中的另一个。

晶体管74的源极和漏极中的一个电连接到低电力供应电位线；晶体管74的源极和漏极中的另一个电连接到端子63；并且晶体管74的栅极电连接到端子62。

注意在下面的描述中，晶体管71的源极和漏极中的另一个、晶体管72的源极和漏极中的另一个以及晶体管73的栅极电连接所在的节点称为节点C。

反转脉冲输出电路的操作示例

反转脉冲输出电路的操作示例参照图3D描述。具体地，图3D图示输入第二反转脉冲输出电路20_2的相应端子的信号、从其中输出的信号的电位以及节点C的电位（在图3B中在期间t1至t7中）。注意在图3D中，输入端子的信号每个在括号中示出。此外，在图3D中，GBout代表输出到反转脉冲输出电路的反转扫描线中的任一个的信号。

在期间t1至t3中，低电平电位被输入端子61和62。从而，晶体管71、72和74关断。因此，节点C的电位保持在高电平电位。因此，晶体管73导通。节点C的电位通过使用晶体管73的栅极与源极（在期间t1至t3中电连接到端子63的源极和漏极中的另一个）之间的电容性耦合而高于高电力供应电位（Vdd）与晶体管73的阈值电压之和（自举）。综上所述，在期间t1至t3中，从端子63输出的信号的电位是高电力供应电位（Vdd）。即，在期间t1至t3中，第二反转脉冲输出电路60_2向像素部分中的第二行中的反转扫描线输出高电力供应电位（Vdd）。

在期间t4中，高电平电位（高电力供应电位（Vdd））被输入端子62。从而，晶体管72和74导通。因此，节点C的电位减小到低电平电位（低电力供应电位（Vss）），使得晶体管73关断。综上所述，在期间t4中，从端子63输出的信号的电位变成低电力供应电位（Vss）。即，在期间t4中，第二反转脉冲输出电路60_2向像素部分中的第二行中的反转扫描线输出低电力供应电位（Vss）。

在期间t5和t6中，输入端子的信号的电平未从期间t4中的电平改变。因此，从端子63输出的信号的电位也未改变；输出电平电位（低电力供应电位（Vss））。

在期间t7中，高电平电位（高电力供应电位（Vdd））被输入端子61并且低电平电位（低电力供应电位（Vss））被输入端子62。从而，晶体管71导通并且晶体管72和74关断。因此，节点C的电位减小到高电平电位（从高电力供应电位（Vdd）减小了晶体管71的阈值电压的电位），使得晶体管73导通。此外，节点C的电位通过使用晶体管73的栅极与源极之间的电容性耦合而高于高电力供应电位（Vdd）与晶体管73的阈值电压之和（自举）。综上所述，在期间t7中，从端子63输出的信号的电位变成高电力供应电位（Vdd）。即，在期间t7中，第二反转脉冲输出电路60_2向像素部分中的第二行中的反转扫描线输出高电力供应电位（Vdd）。

像素的配置示例

图4A是图示图1中的像素10的配置示例的电路图。图4A中的像素10包括晶体管11至16、电容器17和元件18，其包括通过一对电极之间的电流激发而发射光的有机材料（在下文也称为有机电致发光（EL）元件）。

晶体管11的源极和漏极中的一个电连接到信号线6；并且晶体管11的栅极电连接到扫描线4。

晶体管12的源极和漏极中的一个电连接到用于供应公共电位的接线；并且晶体管12的栅极电连接到扫描线4。注意公共电位在这里是低于给予电力供应线7的电位。

晶体管13的栅极电连接到扫描线4。

晶体管14的源极和漏极中的一个电连接到电力供应线7；晶体管14的源极和漏极中的另一个电连接到晶体管13的源极和漏极中的一个；并且晶体管14的栅极电连接到反转扫描线5。

晶体管15的源极和漏极中的一个电连接到晶体管13的源极和漏极中的一个以及晶体管14的源极和漏极中的另一个；晶体管15的源极和漏极中的另一个电连接到晶体管11的源极和漏极中的另一个；并且晶体管15的栅极电连接到晶体管13的源极和漏极中的另一个。

晶体管16的源极和漏极中的一个电连接到晶体管11的源极和漏极中的另一个以及晶体管15的源极和漏极中的另一个；晶体管16的源极和漏极中的另一个电连接到晶体管12的源极和漏极中的另一个；并且晶体管16的栅极电连接到反转扫描线5。

电容器17的一个电极电连接到晶体管13的源极和漏极中的另一个以及晶体管15的栅极；并且电容器17的另一个电极电连接到晶体管12的源极和漏极中的另一个以及晶体管16的源极和漏极中的另一个。

有机EL元件18的阳极电连接到晶体管12的源极和漏极中的另一个、晶体管16的源极和漏极中的另一个以及电容器17的另一个电极。有机EL元件18的阴极电连接到用于供应公共电位的接线。注意给予电连接到晶体管12的源极和漏极中的一个的接线的公共电位可与给予有机EL元件18的阴极的公共电位不同。

在下文，晶体管13的源极和漏极中的另一个、晶体管15的栅极以及电容器17的该一个电极电连接所在节点称为节点D。晶体管13的源极和漏极中的该一个、晶体管14的源极和漏极中的另一个以及晶体管15的源极和漏极中的该一个电连接所在的节点称为节点E。晶体管11的源极和漏极中的该一个、晶体管15的源极和漏极中的另一个以及晶体管16的源极和漏极中的该一个电连接所在的节点称为节点F。晶体管12的源极和漏极中的另一个、晶体管16的源极和漏极中的另一个、电容器17的另一个电极以及有机EL元件18的阳极电连接所在的节点称为节点G。

像素的操作示例

上面的像素的操作示例参照图4B描述。具体地，图4B图示设置在像素部分中的第二行中的扫描线4_2和反转扫描线5_2的电位、在图3B和3D中在期间t1至t7中输入信号线6的图像信号。在图4B中，输入接线的信号每个在括号中示出。此外，在图4B中，“DATA”代表图像信号。

在期间t1和t2中，选择信号未被输入扫描线4_2，并且选择信号被输入反转扫描线5_2。从而，晶体管11、12和13关断，并且晶体管14和16导通。因此，对应于晶体管15的栅极的电位（节点D的电位）的电流从电力供应线供应给有机EL元件18。即，像素10根据电容器17中持有的图像信号来显示图像。注意在期间t1和t2中，对于在第一行中设置的像素的图像信号（data_1）从信号线驱动器电路2输入信号线6。

在期间t3中，选择信号被输入扫描线4_2。从而，晶体管11、12和13导通，从而例如在电容器17的该一个电极与信号线6之间以及电容器17的该一个电极与电力供应线7之间导致短路。因此，电容器17中持有的图像信号丢失（初始化）。

在期间t4中，选择信号未被输入反转扫描线5_2。从而，晶体管14和16关断。此外，对于设置在第二行中的像素的图像信号（data_2）被输入信号线6。因此，节点F具有对应于图像信号（data_2）的电位。

注意在期间t4中，节点D和E具有成为对应于图像信号（data_2）的电位与晶体管15的阈值电压之和的电位（在下文称为数据电位）。这是因为当节点D和E具有高于数据电位的电位时，晶体管15导通并且节点D和E的电位减小到数据电位。此外，即使在晶体管14和16关断并且晶体管15关断之后的时候（在节点D和E具有等于节点F的电位与晶体管15的阈值电压之和的电位后），节点F的电位改变为对应于图像信号（data_2）的电位，节点D的电位通过使用节点D与F之间的电容性耦合而改变。因此，在该情况下，节点D和E的电位也减小到数据电位。

在期间t4中，节点G的电位由于节点G与用于通过晶体管12而供应公共电位的接线之间的短路而变成公共电位。

因此，在期间t4中，施加到电容器17的电压等于数据电位（节点D的电位）与公共电位（节点G的电位）之间的差。

在期间t5和t6中，选择信号未被输入扫描线4_2。从而，晶体管11、12和13关断。

在期间t7中，选择信号被输入反转扫描线5_2。从而，晶体管14和16导通。注意，已知在晶体管的饱和区域中的漏电流与晶体管的阈值电压和晶体管的栅极与源极之间的电压之间的电位差的平方成比例。在这里，晶体管15的栅极与源极之间的电压变成施加到电容器17的电压（数据电位（对应于图像信号（data_2）的电位与晶体管15的阈值电压之和）与公共电位之和）。因此，晶体管15的饱和区域中的漏电流与对应于图像信号（data_2）的电位和公共电位之间的差的平方成比例。在该情况下晶体管15的饱和区域中的漏电流不取决于晶体管15的阈值电压。

注意，节点G的电位改变使得与在晶体管15中产生的相同的电流流到有机EL元件18。在这里，当节点G的电位改变时，节点D的电位通过使用通过电容器17的电容性耦合而改变。因此，即使当节点G的电位改变时，晶体管15可以向有机EL元件18供应恒定电流。

通过上面的操作，像素10根据图像信号（data_2）显示图像。

在该说明书中公开的显示装置

在该说明书中公开的显示装置中，反转脉冲输出电路的操作由至少两种信号控制。从而，在反转脉冲输出电路中产生的直通电流可以减少。此外，用于操作多个脉冲输出电路的信号用作这两种信号。即，反转脉冲输出电路可以在不额外产生信号的情况下操作。

变化形式

上面的显示装置是本发明的一个实施例；本发明还包括具有与上面的显示装置的结构不同的结构。下面示出本发明的另一个实施例的示例。注意，本发明还包括示出为本发明的另一个实施例的示例的具有下面多个元件中的任一个的显示装置。

显示装置的变化形式

作为上文描述的显示装置，已经例举在每个像素中包括有机EL元件的显示装置（在下文也称为EL显示装置）；然而，本发明的显示装置不限于EL显示装置。例如，本发明的显示装置可以是通过控制液晶的排列而显示图像的显示装置（液晶显示装置）。

扫描线驱动器电路的变化形式

此外，包括在上文描述的显示装置中的扫描线驱动器电路的配置不限于图2A中的。例如，使用图5、图6A和图7中的扫描线驱动器中的任一个作为包括在上面的显示装置中的扫描线驱动器电路，这是可能的。

图5中的扫描线驱动器电路1与图2A中的扫描线驱动器电路1的不同之处在于，第y个反转脉冲输出电路60_y（y是小于或等于（m-1）的自然数）的端子61电连接到第（y+1）脉冲输出电路的端子27并且第m反转脉冲输出电路60_m的端子61电连接到用于对第m脉冲输出电路供应停止信号（STP）的接线。图5中的扫描线驱动器电路1还可以向扫描线和反转扫描线输出与从图2A中的扫描线驱动器电路1输出的那些相似的信号。

在图2A中的扫描线驱动器电路1中，高电平电位在比图5中的扫描线驱动器电路1更短的周期中被输入反转脉冲输出电路的端子61。即，包括在反转脉冲输出电路中的晶体管71在较短的周期中导通（参见图2A、2B、2D和图3C）。因此，即使当包括在反转脉冲输出电路中的晶体管73的栅极的电位由于在晶体管72中产生的泄漏电流或类似物而减小时，电位可以再次增加。从而，使反转脉冲输出电路向对应的反转扫描线输出比高电力供应电位（Vdd）更低的电位的概率降低，这是可能的。

另一方面，在图5中的扫描线驱动器电路1中，用于对扫描线驱动器电路供应第一至第四时钟信号（GCK1至GCK4）的接线的寄生电容可以比图2A中的扫描线驱动器电路1中的那些更低。因此，图5中的扫描线驱动器电路1可以具有比图2A中的扫描线驱动器电路1更低的功耗。

图6A中的扫描线驱动器电路1与图2A中的扫描线驱动器电路1的不同之处在于，它利用对于扫描线驱动器电路的两种时钟信号以及两种脉宽控制信号来操作。因此，脉冲输出电路与反转脉冲输出电路之间的连接关系也不同（参见图6A）。

具体地，图6A中的扫描线驱动器电路1包括用于对扫描线驱动器电路供应第五时钟信号（GCK5）的接线、用于对扫描线驱动器电路供应第六时钟信号（GCK6）的接线、用于供应第五脉宽控制信号（PWC5）的接线和用于供应第六脉宽控制信号（PWC6）的接线。

图6B图示上文描述的图6A中的信号的特定波形的示例。在图6B中对于扫描线驱动器电路的第五时钟信号（GCK5）定期在高电平电位（高电力供应电位（Vdd））与低电平电位（低电力供应电位（Vss））之间交替，并且具有大约1/2的占空比。此外，对于扫描线驱动器电路的第六时钟信号（GCK6）具有从扫描线驱动器电路的第五时钟信号（GCK5）移位1/2周期的相位。第五脉宽控制信号（PWC5）的电位在对于扫描线驱动器电路的第五时钟信号（GCK5）的电位变成高电平电位之前变成高电平电位，并且在对于扫描线驱动器电路的第五时钟信号（GCK5）的电位是高电平电位时的期间中变成低电平电位，并且第五脉宽控制信号（PWC5）具有小于1/2的占空比。第六脉宽控制信号（PWC6）具有从第五脉宽控制信号（PWC5）移位1/2周期的相位。

图6A中的扫描线驱动器电路1还可以向扫描线和反转扫描线输出与从图2A中的扫描线驱动器电路1输出的那些相似的信号。

注意，在图2A中的扫描线驱动器电路1中，用于对扫描线驱动器电路供应第一至第四时钟信号（GCK1至GCK4）的接线的寄生电容可以比图6A中的扫描线驱动器电路1中的那些更低。因此，图2A中的扫描线驱动器电路1可以具有比图6A中的扫描线驱动器电路1更低的功耗。

另一方面，在图6A中的扫描线驱动器电路1中，操作扫描线驱动器电路所必需的信号的数量可以比图2A中的扫描线驱动器电路1中的更小。

图7中的扫描线驱动器电路1与图2A中的扫描线驱动器电路1的不同之处在于，它在没有脉宽控制信号的情况下操作。因此，脉冲输出电路与反转脉冲输出电路之间的连接关系也不同（参见图7）。

在图7中的扫描线驱动器电路1中，从脉冲输出电路输出到对应扫描线的选择信号是与输出到后级脉冲输出电路的移位脉冲相同的信号。从而，从脉冲输出电路输出到扫描线的信号（扫描线的电位）和从反转脉冲输出电路输出到反转扫描线的信号（反转扫描线的电位）具有相反的相位。使用图7中的扫描线驱动器电路1作为包括在显示装置中的扫描线驱动器电路，这是可能的。

注意，在图2A中的扫描线驱动器电路1中，在用于向第y行中的扫描线输出选择信号的期间与用于向第（y+1）行中的扫描线输出选择信号的期间之间存在比图7中的扫描线驱动器电路1中的更宽的间隔。从而，即使当对于扫描线驱动器电路的第一至第四时钟信号（GCK1至GCK4）中的任一个被延迟或具有钝波形时，与图6A中的扫描线驱动器电路1相比，图7中的扫描线驱动器电路1可以准确地将图像信号输入像素。

另一方面，在图7中的扫描线驱动器电路1中，操作扫描线驱动器电路所必需的信号的数量可以比图2A中的扫描线驱动器电路1中的更小。

脉冲输出电路的变化形式

包括在上面的扫描线驱动器电路中的脉冲输出电路的配置不限于图3A中的。例如，使用图8A和8B以及图9A和图9B中的脉冲输出电路中的任一个作为包括在上面的扫描线驱动器电路中的脉冲输出电路，这是可能的。

此外，图8A中的脉冲输出电路具有这样的配置，其中晶体管50添加到图3A中的脉冲输出电路。晶体管50的源极和漏极中的一个电连接到高电力供应电位线；晶体管50的源极和漏极中的另一个电连接到晶体管32的栅极、晶体管34的栅极、晶体管35的源极和漏极中的另一个、晶体管36的源极和漏极中的另一个、晶体管37的源极和漏极中的另一个以及晶体管39的栅极；并且晶体管50的栅极电连接到复位端子（复位）。注意，对于该复位端子，高电平电位可以在显示装置的垂直回扫期中被输入，并且低电平电位可以在除该垂直回扫期以外的期间中被输入。从而，脉冲输出电路的每个节点的电位可以被初始化，使得可以防止故障。

图8B中的脉冲输出电路具有这样的配置，其中晶体管51添加到图3A中的脉冲输出电路。晶体管51的源极和漏极中的一个电连接到晶体管31的源极和漏极中的另一个以及晶体管32的源极和漏极中的另一个；晶体管51的源极和漏极中的另一个电连接到晶体管33的栅极和晶体管38的栅极；并且晶体管51的栅极电连接到高电力供应电位线。注意，晶体管51在节点A具有高电平电位时的期间（图3B中的期间t1至t6）中关断。因此，其中添加晶体管51的配置使得在期间t1至t6中中断晶体管33的栅极与晶体管38的栅极之间以及晶体管31的源极和漏极中另一个与晶体管32的源极和漏极中另一个之间的电连接成为可能。从而，在脉冲输出电路中的自举期间的负载可以在包括在期间t1至t6中的期间中减少。

图9A中的脉冲输出电路具有这样的配置，其中晶体管52添加到图8B中的脉冲输出电路。晶体管52的源极和漏极中的一个电连接到晶体管33的栅极以及晶体管51的源极和漏极中的另一个；晶体管52的源极和漏极中的另一个电连接到晶体管38的栅极；并且晶体管52的栅极电连接到高电力供应电位线。采用与上面的相似的方式，在脉冲输出电路中的自举期间的负载可以利用晶体管52而减少。

图9B中的脉冲输出电路具有这样的配置，其中晶体管51从图9A中图示的脉冲输出电路去除并且晶体管53添加到图9A中图示的脉冲输出电路。晶体管53的源极和漏极中的一个电连接到晶体管31的源极和漏极中的另一个、晶体管32的源极和漏极中的另一个以及晶体管52的源极和漏极中的该一个；晶体管53的源极和漏极中的另一个电连接到晶体管33的栅极；并且晶体管53的栅极电连接到高电力供应电位线。采用与上面的相似的方式，在脉冲输出电路中的自举期间的负载可以利用晶体管53而减少。此外，在晶体管33和38开关时在脉冲输出电路中产生的伪脉冲的效应可以减少。

反转脉冲输出电路的变化形式

包括在上面的扫描线驱动器电路中的反转脉冲输出电路的配置不限于图3C中的。例如，图10A至10C中的反转脉冲输出电路中的任一个可以用作包括在上面的扫描线驱动器电路中的脉冲输出电路。

图10A中的反转脉冲输出电路具有这样的配置，其中电容器80添加到图3C中的反转脉冲输出电路。电容器80的一个电极电连接到晶体管71的源极和漏极中的另一个、晶体管72的源极和漏极中的另一个以及晶体管73的栅极；并且电容器80的另一个电极电连接到端子63。注意，电容器80可以防止晶体管73的栅极的电位变化。另一方面，图3C中的反转脉冲输出电路可以具有比图10A中的反转脉冲输出电路更小的电路面积。

图10B中的反转脉冲输出电路具有这样的配置，其中晶体管81添加到图10A中的反转脉冲输出电路。晶体管81的源极和漏极中的一个电连接到晶体管71的源极和漏极中的另一个以及晶体管72的源极和漏极中的另一个；晶体管81的源极和漏极中的另一个电连接到晶体管73的栅极以及电容器80的该一个电极；并且晶体管81的栅极电连接到高电力供应电位线。注意，晶体管81可以防止晶体管71和72击穿。具体地，在图3C中的反转脉冲输出电路中，节点C的电位由于自举而明显改变，使得晶体管71和72的源极与漏极之间（尤其在晶体管72的源极与漏极之间）的电压明显改变，这可导致晶体管71和72击穿。相比之下，在图10B中的反转脉冲输出电路中，当晶体管73的栅极的电位通过自举而增加时，晶体管81关断，使得节点C的电位由于自举而未明显改变。因此，使晶体管71和72的源极与漏极之间电压的变化减少，这是可能的。另一方面，图3C或图10A中的反转脉冲输出电路可以具有比图10B中的反转脉冲输出电路更小的电路面积。

图10C中的反转脉冲输出电路可以具有使得电连接到晶体管73的源极和漏极中的一个的接线从高电力供应电位线变成用于供应图3C中的反转脉冲输出电路的电力供应电位（Vcc）的接线的这样的配置。在这里，电力供应电位（Vcc）高于低电力供应电位（Vss）并且低于高电力供应电位（Vdd）。此外，该变化可以使从反转脉冲输出电路输出到对应反转扫描线的电位改变的概率降低。此外，它可以防止上面的击穿。另一方面，在图3C中的反转脉冲输出电路中，操作反转脉冲输出电路所必需的电力供应电位的数量可以比图10C中的反转脉冲输出电路中的更小。

像素的变化形式

包括在上面的显示装置中的像素的配置不限于图4A中的。例如，尽管图4A中的像素仅使用n沟道晶体管形成，本发明不限于该配置。即，在根据本发明的一个实施例的显示装置中，像素可以备选地仅使用p沟道晶体管或组合的n沟道晶体管和p沟道晶体管形成。

注意当在像素中提供的晶体管仅具有一个导电类型时（如在图4A中图示的），像素可以高度集成。这是因为在通过将杂质注入半导体层而给予晶体管不同的导电类型的情况下，需要在n沟道晶体管与p沟道晶体管之间提供间隙（边界）。相比之下，间隙在像素使用仅具有一个导电类型的晶体管形成的情况下是不必要的。

晶体管的特定示例

下面参照图11A至11D以及图12A至12D示出在上文描述的扫描线驱动器电路中包括的晶体管的特定示例。注意，在下文描述的晶体管中的任一个可以包括在扫描线驱动器电路和像素两者中。

晶体管的沟道形成区可以使用任何半导体材料形成；例如，可以使用例如硅或硅锗等包含族14元素的半导体材料、包含金属氧化物的半导体材料或类似物。此外，半导体材料中的任一个可以是非晶或结晶的。

还可以使用任何氧化物半导体材料，并且优选地使用包含从In、Ga、Sn和Zn选择的至少一个的氧化物半导体。例如，基于In-Sn-Zn-O的氧化物优选地用作氧化物半导体，因为可以获得具有高场效应迁移率和高可靠性的晶体管。该规则也适用于下面的氧化物：四组分金属氧化物，例如基于In-Sn-Ga-Zn-O的氧化物；三组分金属氧化物，例如基于In-Ga-Zn-O的氧化物（也称为IGZO）、基于In-Al-Zn-O的氧化物、基于Sn-Ga-Zn-O的氧化物、基于Al-Ga-Zn-O的氧化物、基于Sn-Al-Zn-O的氧化物、基于In-Hf-Zn-O的氧化物、基于In-La-Zn-O的氧化物、基于In-Ce-Zn-O的氧化物、基于In-Pr-Zn-O的氧化物、基于In-Nd-Zn-O的氧化物、基于In-Pm-Zn-O的氧化物、基于In-Sm-Zn-O的氧化物、基于In-Eu-Zn-O的氧化物、基于In-Gd-Zn-O的氧化物、基于In-Tb-Zn-O的氧化物、基于In-Dy-Zn-O的氧化物、基于In-Ho-Zn-O的氧化物、基于In-Er-Zn-O的氧化物、基于In-Tm-Zn-O的氧化物、基于In-Yb-Zn-O的氧化物或基于In-Lu-Zn-O的氧化物；双组分金属氧化物，例如基于In-Zn-O的氧化物、基于Sn-Zn-O的氧化物、基于Al-Zn-O的氧化物、基于Zn-Mg-O的氧化物、基于Sn-Mg-O的氧化物、基于In-Mg-O的氧化物或基于In-Ga-O的氧化物；单组分金属氧化物，例如基于In-O的氧化物、基于Sn-O的氧化物或基于Zn-O的氧化物；及类似物。

图11A至11D以及图12A至12D图示其中在氧化物半导体中形成沟道的晶体管的特定示例。注意，图11A至11D以及图12A至12D图示底栅型晶体管的特定示例，但顶栅型晶体管也可以用作该晶体管。此外，图11A至11D以及图12A至12D图示交错晶体管的特定示例，但共面晶体管也可以用作该晶体管。

图11A至11D是图示用于制造晶体管（所谓的沟道蚀刻型晶体管）的步骤的横截面图。

首先，在衬底400上形成导电膜，该衬底400是具有绝缘表面的衬底，并且然后通过使用光掩模的光刻步骤提供栅电极层401。

实现大规模生产的玻璃衬底特别优选地用作衬底400。当要在随后的步骤中进行的热处理的温度是高的时，应变点高于或等于730度的玻璃衬底可用作用于衬底400的玻璃衬底。对于衬底400，例如，使用例如铝硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃或硼硅酸钡玻璃等玻璃材料。

可在衬底400与栅电极层401之间提供充当基极层的绝缘层。该基极层具有防止杂质元素从衬底400扩散的功能，并且可以使用氮化硅层、氧化硅层、氧化氮化硅层和氧氮化硅层中的一个或多个而以单层或堆叠层结构来形成。

氧氮化硅指这样的硅，其中氧的含量高于氮的；例如，氧氮化硅包含原子百分比在50%至70%的氧、原子百分比在0.5%至15%的氮、原子百分比在25%至35%的硅以及原子百分比0%至10%的氢。另外，氧化氮化硅指这样的硅，其中氮的含量高于氧的；例如，氧化氮化硅包含原子百分比在5%至30%的氧、原子百分比在20%至55%的氮、原子百分比在25%至35%的硅以及原子百分比在10%至25%的氢。注意，上面的范围通过卢瑟福背散射能谱法（RBS）或氢前向散射能谱法（HFS）测量。此外，构成元素的总百分比不超过原子百分比100%。

栅电极层401可使用下面的材料中的至少一个而以单层或堆叠层结构形成：Al、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Mo、Ag、Ta和W、其氮化物、其氧化物及其合金。备选地，可使用包含至少In和Zn的氧化物或氧氮化物。例如，可使用基于In-Ga-Zn-O-N的材料。

接着，在栅电极层401上形成栅极绝缘层402。在形成栅电极层401后，栅极绝缘层402在不暴露于空气的情况下通过溅射法、蒸发法、等离子体化学气相沉积（PVCD）法、脉冲激光沉积（PLD）法、原子层沉积（ALD）法、分子束外延（MBE）法或类似物而形成。

栅极绝缘层402优选地是通过热处理而释放氧的绝缘膜。

通过热处理手段来释放氧意味着释放的氧（其转化成氧原子）的量大于或等于1.0*10¹⁸个原子/cm³，优选地大于或等于3.0*10²⁰个原子/cm³（在热脱附能谱（TDS）分析中）。

下面示出这样的方法，其中释放的氧的量使用TDS分析通过转化成氧原子来测量。

TDS分析中释放的气体的量与能谱的积分值成比例。因此，释放气体的量可以从测量的能谱的积分值与标准样品的参考值之间的比率来计算。标准样品的参考值指样本中包含的预定原子的密度与能谱的积分值的比率。

例如，从绝缘膜释放的氧分子的数量（N_O2）可以利用包含处于预定密度的氢的硅晶圆（其是标准样品）的TDS分析结果以及绝缘膜的TDS分析结果根据方程（1）来找出。在这里，具有质量数32的所有能谱（其通过TDS分析而获得）假设源于氧分子。作为具有质量数32的气体而给出的CH₃OH假设它可能不存在而未被入考虑。此外，包括具有质量数17或18的氧原子（其是氧原子的同位素）的氧分子也因为这样的分子在自然界中的比例极小而未被考虑。

[数学式1]

（1）。

在方程（1）中，N_H2是通过将从标准样品释放的氢气分子的数量转化成密度而获得的值。S_H2是在标准样品经受TDS分析时能谱的积分值。在这里，标准样品的参考值设置成N_H2/ S_H2。S_O2是在绝缘膜经受TDS分析时能谱的积分值。α是在TDS分析中影响能谱强度的系数。对于方程1的细节，参考日本公布的专利申请号H06-275697。注意，从上面的绝缘膜释放的氧的量使用包含1*10¹⁶个原子/cm³的氢原子的硅晶圆作为标准样品利用由ESCO Ltd.生产的热脱附能谱分析仪EMD-WA1000S/W来测量。

此外，在TDS分析中，氧部分检测为氧原子。氧分子与氧原子之间的比率可以从氧分子的电离率测量。注意，因为上面的α包括氧分子的电离率，释放的氧原子的数量还可以通过评估释放的氧分子的数量而估计。

注意，N_O2是释放的氧分子的数量。释放的氧的量在转化为氧原子时是释放的氧分子的数量的两倍。

在上面的结构中，氧通过热处理而从其中释放的膜可以是氧过剩的氧化硅（SiO_x（X>2））。在氧过剩的氧化硅（SiO_x（X>2））中，每单位体积氧原子的数量是每单位体积硅原子数量的两倍多。每单位体积硅原子的数量和氧原子的数量通过卢瑟福背散射能谱法来测量。

由栅极绝缘层402对氧化物半导体膜的氧供应可以使其之间的界面态密度降低。因此，可以防止在氧化物半导体膜与栅极绝缘层402之间的界面处捕获载流子，使得晶体管的电特性几乎没有下降。

此外，在一些情况下，电荷由于氧化物半导体膜中的氧空位而产生。一般，氧化物半导体膜中的氧空位的部分充当施主并且引起电子（其是载流子）的释放。因此，晶体管的阈值电压在负方向上移位。为了防止此，由栅极绝缘层402向氧化物半导体膜（其与栅极绝缘层402接触）供应足够的氧，优选地过剩的氧，使得氧化物半导体膜中引起阈值电压在负方向上移位的氧空位可以减少。

栅极绝缘层402优选地足够平坦使得氧化物半导体膜的晶体生长可是容易的。

栅极绝缘层402可以使用下面的材料中的至少一个而以单层或堆叠层结构来形成：氧化硅、氧氮化硅、氧化氮化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化铪、氧化锆、氧化钇、氧化镧、氧化铯、氧化钽和氧化镁。

栅极绝缘层402优选地在高于或等于室温并且低于或等于200度（优选地高于或等于50度并且低于或等于150度）的衬底加热温度在氧气气氛中通过溅射法而形成。注意，稀有气体可添加到氧气；在该情况下，氧气的百分比是30 vol.%或更高，优选地50 vol.%或更高，更优选地80 vol.%或更高。栅极绝缘层402的厚度在100nm至1000nm的范围内，优选地200nm至700nm。在膜形成时较低的衬底加热温度、在膜形成气氛中较高的氧气百分比或较大的栅极绝缘层402厚度导致在栅极绝缘层402上进行热处理时释放更大量的氧。膜中氢的浓度通过溅射法可以比通过PCVD法减少得更多。注意，栅极绝缘层402可具有大于1000nm的厚度，但具有使得生产率不降低的厚度。

然后，在栅极绝缘层402上通过溅射法、蒸发法、PCVD法、PLD法、ALD法、MBE法或类似物而形成氧化物半导体膜403。图11A是上面的步骤后的横截面图。

氧化物半导体膜403具有在1nm至40nm范围内的厚度，优选地3nm至20nm。特别地，在晶体管具有30nm或更少的沟道长度并且氧化物半导体膜403具有近似5nm厚度的情况下，短沟道效应可以受到抑制并且可以获得稳定的电特性。

特别地，其中基于In-Sn-Zn-O的材料用于氧化物半导体膜403的晶体管可以具有高的场效应迁移率。

其中沟道在包含In、Sn和Zn作为主要组分的氧化物半导体膜中形成的晶体管可以通过在加热衬底时形成氧化物半导体膜或通过在形成氧化物半导体膜后进行热处理而可以具有有利的特性。注意，主要组分指在组成中包含原子百分比为5%或以上的元素。

通过在形成包含In、Sn和Zn作为主要组分的氧化物半导体膜后有意加热衬底，晶体管的场效应迁移率可以提高。此外，晶体管的阈值电压可以正移来使晶体管常断。

氧化物半导体膜403使用具有2.5eV或以上（优选地2.8eV或以上，更优选地3.0eV或以上）带隙的材料而形成，以便使晶体管的关断态电流减少。借助于对于氧化物半导体膜403具有在上面的范围中的带隙的材料，晶体管的关断态电流可以减少。

在氧化物半导体膜403中，氢、碱金属、碱土金属及类似物被减少使得杂质的浓度极其低，这是优选的。这是因为上面的包含在氧化物半导体膜403中的杂质形成的能级促使在带隙中复合从而而导致晶体管的关断态电流增加。

氧化物半导体膜403中氢的浓度（其通过二次离子质谱法（SIMS）而测量）低于5*10¹⁹cm^-3，优选地低于或等于5*10¹⁸cm^-3，更优选地低于或等于1*10¹⁸cm^-3，再更优选地低于或等于5*10¹⁷cm^-3。

此外，通过SIMS测量的氧化物半导体膜403中碱金属的浓度如下。钠的浓度低于或等于5*10¹⁶cm^-3，优选地低于或等于1*10¹⁶cm^-3，更优选地低于或等于1*10¹⁵cm^-3。相似地，锂的浓度低于或等于5*10¹⁵cm^-3，优选地低于或等于1*10¹⁵cm^-3。相似地，钾的浓度低于或等于5*10¹⁵cm^-3，优选地低于或等于1*10¹⁵cm^-3。

包括沿c轴对齐并且在从a-b平面、顶表面或界面的方向看时具有三角形或六边形原子排列的晶体（也称为c轴对齐的晶体（CAAC））的氧化物半导体膜（也称为c轴对齐的结晶氧化物半导体膜（CAAC-OS膜））可用作氧化物半导体膜403。在该晶体中，金属原子采用分层方式沿c轴排列，或金属原子和氧原子采用分层的方式沿c轴排列，并且a轴或b轴的方向在a-b平面中变化（晶体绕c轴扭转）。

在广泛的意义上，CAAC意指非单晶体，其包括这样的相，当从垂直于a-b平面的方向看时具有三角形、六边形、正三角形、正六边形原子排列并且其中当从垂直于c轴的方向看时金属原子以分层的方式排列或金属原子和氧原子以分层的方式排列。

CAAC-OS膜不是单晶体，但这不意味着CAAC-OS膜仅由非晶组分组成。尽管CAAC-OS膜包括结晶的部分（结晶部分），一个结晶部分与另一个结晶部分之间的边界在一些情况下是不清楚的。包括在CAAC-OS膜中的结晶部分的c轴可在一个方向（例如，垂直于形成CAAC-OS膜所在的衬底表面或CAAC-OS膜的顶表面的方向）上对齐。备选地，包括在CAAC-OS膜中的个体结晶部分的a-b平面的法线可在某一方向（例如，例如，垂直于形成CAAC-OS膜所在的衬底表面或CAAC-OS膜的表面的方向）上对齐。作为这样的CAAC-OS膜的示例，存在形成为膜形状并且在从垂直于膜的表面或形成CAAC-OS膜所在的衬底表面的方向看时具有三角形或六边形原子排列并且其中当观看膜的横截面时金属原子以分层的方式排列或金属原子和氧原子（或氮原子）以分层的方式排列的氧化膜。

氧化物半导体膜403优选地在100度至600度（优选地150度至550度，更优选地200度至500度）的衬底加热温度在氧气气氛中通过溅射法而形成。氧化物半导体膜403的厚度是从1nm至40nm，优选地从3nm至20nm。在形成膜时衬底加热温度越高，获得的氧化物半导体膜403中的杂质浓度越低。此外，氧化物半导体膜403中的原子排列是有序的，其密度增加，使得容易形成晶体或CAAC。此外，因为采用氧气气氛用于膜形成，例如稀有气体原子等不必要的原子未包含在氧化物半导体膜403中，使得容易形成晶体或CAAC。注意，可使用包括氧气和稀有气体的混合气体气氛。在该情况下，氧气的百分比是30 vol.%或更高，优选地50vol.%或更高，更优选地80 vol.%或更高。氧化物半导体膜403越薄，晶体管的短沟道效应越低。然而，当氧化物半导体膜403太薄时，氧化物半导体膜403明显受到界面散射的影响；从而，场效应迁移率可减小。

在基于In-Sn-Zn-O的材料通过溅射法而形成为氧化物半导体膜403的情况下，优选地使用具有原子比为In:Sn:Zn=2:1:3、1:2:2、1:1:1或20:45:35的In-Sn-Zn-O靶材。当氧化物半导体膜403使用具有前面提到的组成比的In-Sn-Zn-O靶材而形成时，容易形成晶体或CAAC。

接着，进行第一热处理。在减压气氛、惰性气氛或氧化气氛中进行该第一热处理。通过该第一热处理，氧化物半导体膜403中的杂质浓度可以减少。图11B是上面步骤后的横截面图。

第一热处理优选地采用在减压气氛或惰性气氛中完成热处理并且然后气氛改变为氧化气氛同时温度保持并且进一步进行热处理这样的方式进行。通过在减压气氛或惰性气氛中进行热处理，氧化物半导体膜403中的杂质浓度可以有效减少；同时，产生氧空位。因此，进行在氧化气氛中的热处理以便使产生的氧空位减少。

通过除在氧化物半导体膜403上形成膜时加热衬底外还进行第一热处理，膜中的杂质能级的数量可以明显减少。因此，晶体管的场效应迁移率可以增加到接近随后描述的理想的场效应迁移率。

注意，氧离子可注入氧化物半导体膜403并且例如氢等杂质可通过热处理而从氧化物半导体膜403释放使得氧化物半导体膜403可以在与热处理相同的时间结晶或通过随后进行的热处理而结晶。

氧化物半导体膜403可通过激光束照射而不是第一热处理来选择性地结晶。备选地，可在进行第一热处理时进行激光束照射使得氧化物半导体膜403可以选择性地结晶。激光束照射在惰性气氛、氧化气氛或减压气氛中进行。连续波激光束（在下文称为CW激光束）或脉冲波激光束（在下文称为脉冲激光束）可以在激光束照射情况下使用。例如，使用下列是可能的：例如Ar激光束、Kr激光束或准分子激光束等气体激光束；使用单晶体或多晶YAG、YVO₄、镁橄榄石（Mg₂SiO₄）、YAlO₃或GdVO₄（以作为掺杂剂的Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta中的一个或多个来掺杂）作为介质而发射的激光束；例如玻璃激光束、红宝石激光束、变石激光束或Ti:蓝宝石激光束等固态激光束；或使用铜蒸气和金蒸气中的一个或两个而发射的蒸气激光束。通过利用这样的激光束的一次谐波或激光束的一次谐波的第二谐波至第五谐波中的任一个来照射，氧化物半导体膜403可以结晶。注意，用于照射的激光束优选地具有比氧化物半导体膜403的带隙更大的能量。例如，可使用从KrF、ArF、XeCl或XeF准分子激光器发射的激光束。注意，激光束可以是线性激光束。

注意，激光束照射可在不同的条件下多次进行。例如，在稀有气体气氛或减压气氛中进行第一激光束照射并且在氧化气氛中进行第二激光束照射，这是优选的，因为在该情况下，在氧化物半导体膜403中的氧空位减少时可以获得高结晶度。

接着，氧化物半导体膜403通过光刻步骤或类似物而加工成岛状来形成氧化物半导体膜404。

接着，导电膜在栅极绝缘层402和氧化物半导体膜404上形成，并且然后进行光刻步骤或类似物来形成源电极405A和漏电极405B。该导电膜可通过溅射法、蒸发法、PCVD法、PLD法、ALD法、MBE法或类似物而形成。与栅极电极层401类似，源电极405A和漏电极405B可使用下面的材料中的至少一个而形成为单层或堆叠层结构：Al、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Mo、Ag、Ta和W、其氮化物、其氧化物及其合金。

接着，充当顶部绝缘膜的绝缘膜406通过溅射法、蒸发法、PCVD法、PLD法、ALD法、MBE法或类似物而形成。图11C是上面步骤后的横截面图。绝缘膜406可通过与形成栅极绝缘层402的相似的方法而形成。

可形成保护绝缘膜（未示出）来堆叠在绝缘膜406上。该保护绝缘膜优选地具有甚至在例如250度至450度或优选地150度至800度进行一小时热处理时防止氧通过其中的性质。

在绝缘膜406的外围中提供具有这样的性质的保护绝缘膜的情况下，通过热处理而从绝缘膜406释放的氧可以被禁止朝晶体管外部扩散。因为采用该方式使氧保持在绝缘膜406中，可以防止晶体管的场效应迁移率减小，阈值电压中的变化可以减少并且可靠性可以提高。

保护绝缘膜可使用下面的材料中的至少一个而形成为单层或堆叠层结构：氧化氮化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化铪、氧化锆、氧化钇、氧化镧、氧化铯、氧化钽和氧化镁。

在形成绝缘膜406后，进行第二热处理。图11D是上面步骤后的横截面图。在150度至550度（优选地250度至400度）在减压气氛、惰性气氛或氧化气氛中进行该第二热处理。该第二热处理可以使氧从栅极绝缘层402和绝缘膜406释放，并且使氧化物半导体膜404中的氧空位减少。此外，栅极绝缘层402与氧化物半导体膜404之间以及氧化物半导体膜404与绝缘膜406之间的界面态密度可以降低，从而导致晶体管的阈值电压的变化减小以及晶体管的可靠性提高。

包括经受第一和第二热处理的氧化物半导体膜404的晶体管具有高的场效应迁移率以及低的关断态电流。具体地，每微米沟道宽度的关断态电流可以是1*10^-18 A或更低、1*10^-21 A或更低或1*10^-24 A或更低。

氧化物半导体膜404优选地是非单晶体。这是因为在晶体管的操作或来自外部的光或热在氧化物半导体膜404（其完全是单晶体）中产生氧空位的情况下，由于该氧空位造成的载流子在氧化物半导体膜404中产生（由于在修复氧空位的晶格之间没有氧）；因此，晶体管的阈值电压可在负方向上移位。

氧化物半导体膜404优选地具有结晶度。例如，优选地使用多晶氧化物半导体膜或CAAC-OS膜作为氧化物半导体膜403。

通过上文描述的步骤，可以制造在图11D中图示的晶体管。

具有与上面的晶体管的结构不同的结构的晶体管参照图12A至12D描述。注意，图12A至12D是图示制造所谓的蚀刻停止晶体管（也称为沟道停止晶体管和沟道保护晶体管）的步骤的横截面图。

图12A至12D中图示的晶体管与图11A至11D中图示的晶体管的不同之处在于提供充当蚀刻停止膜的绝缘膜408。因此，在下文省略与图11A至11D的相同的描述，并且要参考上文的描述。

通过上文描述的步骤，可以获得在图12A和12B中的横截面图中图示的结构。

图12C中的绝缘膜408可以采用与形成栅极绝缘层402和绝缘膜406的相似的方式形成。即，通过热处理而从其中释放氧的绝缘膜优选地用作绝缘膜408。

充当蚀刻停止膜的绝缘膜408可以防止氧化物半导体膜404在光刻步骤或类似物中被蚀刻用于形成源电极405A和漏电极405B。

在形成图12D中的绝缘膜406后，进行第二热处理使得氧从绝缘膜408以及从绝缘膜406释放。从而，使氧化物半导体膜404中的氧空位减少的效应可以进一步提高。此外，栅极绝缘层402与氧化物半导体膜404之间以及氧化物半导体膜404与绝缘膜408之间的界面态密度可以降低，从而导致晶体管的阈值电压的变化减少并且晶体管可靠性增加。

通过上文描述的步骤，可以制造在图12D中图示的晶体管。

扫描线驱动器电路和像素可以包括在图11D和图12D中图示的晶体管中的任一个。例如，参照图13A和13B描述其中晶体管用作图4A中的晶体管11的配置。具体地，图13A是在图11D中图示的晶体管用作晶体管11的情况下的顶视图，并且图13B是在图12D中图示的晶体管用作晶体管11的情况下的顶视图。注意，在图13A中沿线C1-C2的横截面是图11D，并且在图13B中沿线C1-C2的横截面是图12D。

在图13A和13B中图示的晶体管中的每个中，充当图4A中的信号线6的接线的部分用作晶体管11的源极和漏极中的该一个，并且充当扫描线4的接线的部分用作晶体管11的栅极。采用该方式，在显示装置中提供的接线的部分可以用作晶体管的端子。

包括液晶显示装置的各种电子器件

参照图14A至14F，下面示出电子器件的示例，其每个包括在该说明书中公开的液晶显示装置。

图14A图示膝上型计算机，其包括主体2201、外壳2202、显示部分2203、键盘2204及类似物。

图14B图示个人数字助理（PDA），其包括主体2211，该主体2211具有显示部分2213、外部接口2215、操作按钮2214及类似物。用于操作的触控笔作为附件而包括在其中。

图14C图示作为电子纸的示例的电子书阅读器2220。该电子书阅读器2220包括两个外壳，外壳2221和外壳2223。这些外壳2221和2223通过轴部分2237（电子书阅读器2220可以沿其打开和关闭）而彼此绑定。利用这样的结构，电子书阅读器2220可以如纸质书来使用。

显示部分2225包含在外壳2221中，并且显示部分2227包含在外壳2223中。显示部分2225和显示部分2227可显示一个图像或不同的图像。在显示部分显示彼此不同的图像的结构中，例如，右显示部分（图14C中的显示部分2225）可以显示文本并且左显示部分（图14C中的显示部分2227）可以显示图像。

此外，在图14C中，外壳2221提供有操作部分及类似物。例如，外壳2221提供有电力供应2231、操作键2233、扬声器2235及类似物。利用操作键2233，可以翻页。注意，键盘、指点装置或类似物还可在外壳的表面（在其上提供显示部分）上提供。此外，外部连接端子（耳机端子、USB端子、可以连接到例如AC适配器和USB电缆等各种电缆的端子，或类似物）、记录介质插入部分及类似物可在外壳的背表面或侧表面上提供。此外，电子书阅读器2220可具有电子字典的功能。

电子书阅读器2220可配置成无线传送和接收数据。通过无线通信，可以从电子书服务器购买并且下载期望的书本数据。

注意，电子纸可以在多种领域中应用于装置，只要它们显示信息即可。除电子书阅读器外，例如，电子纸可以用于例如列车等车辆中的海报、广告、例如信用卡等多种卡中的显示器及类似物。

图14D图示移动电话。该移动电话包括两个外壳：外壳2240和2241。该外壳2241提供有显示面板2242、扬声器2243、麦克风2244、指点装置2246、拍摄装置镜头2247、外部连接端子2248及类似物。外壳2240提供有用于对移动电话充电的太阳能电池2249、外部存储器插槽2250及类似物。天线包含在外壳2241中。

显示面板2242具有触摸面板功能。显示为图像的多个操作键2245在图14D中由虚线图示。注意，移动电话包括升压电路，用于将从太阳能电池2249输出的电压提高到每个电路所需要的电压。此外，除上面的结构外，移动电话还可以包括非接触式IC芯片、小型记录装置或类似物。

显示面板2242的显示取向视情况根据应用模式而改变。此外，拍摄装置镜头2247在与显示面板2242相同的表面上提供，并且从而它可以用作视频电话。扬声器2243和麦克风2244可以用于视频电话通话、记录并且播放声音等，以及语音通话。此外，处于它们如在图14D中图示的那样打开的状态的外壳2240和2241可以滑动使得一个叠在另一个上；因此，便携式电话可以缩小，这使得便携式电话适合于携带。

外部连接端子2248可以连接到AC适配器或多种电缆，例如USB电缆，其实现移动电话的充电以及数据通信。此外，大量的数据可以通过将记录介质插入外部存储器插槽2250而保存和移动。此外，除上面的功能外，还可提供红外通信功能、电视接收功能或类似物。

图14E图示数字拍摄装置，其包括主体2261、显示部分（A）2267、目镜2263、操作开关2264、显示部分（B）2265、电池2266及类似物。

图14F图示电视机。在电视机2270中，显示部分2273包含在外壳2271中。显示部分2273可以显示图像。在这里，外壳2271由座2275支撑。

电视机2270可以通过外壳2271的操作开关或单独远程控制器2280来操作。可以利用远程控制器2280的操作键2279来控制频道和音量使得可以控制在显示部分2273上显示的图像。此外，远程控制器2280可具有显示部分2277，其中显示从远程控制器2280传出的信息。

注意，电视机2270优选地提供有接收器、调制解调器及类似物。一般的电视广播可以利用该接收器而被接收。此外，当电视机经由调制解调器而有线或无线连接到通信网络时，可以进行单向（从发送器到接收器）或双向（在发送器与接收器之间或在接收器之间）数据通信。

标号说明

1	扫描线驱动器电路	2	信号线驱动器电路
				3	电流源	4	扫描线
5	反转扫描线	6	信号线
				7	电力供应线	10	像素
11	晶体管	12	晶体管
				13	晶体管	14	晶体管
15	晶体管	16	晶体管
				17	电容器	18	有机EL元件
20	脉冲输出电路	21	端子
				22	端子	23	端子
24	端子	25	端子
				26	端子	27	端子
31	晶体管	32	晶体管
				33	晶体管	34	晶体管
35	晶体管	36	晶体管
				37	晶体管	38	晶体管
39	晶体管	50	晶体管
				51	晶体管	52	晶体管
53	晶体管	60	反转脉冲输出电路
				61	端子	62	端子
63	端子	71	晶体管
				72	晶体管	73	晶体管
74	晶体管	80	电容器
				81	晶体管	400	衬底
401	栅极电极层	402	栅极绝缘层
				403	氧化物半导体膜	404	氧化物半导体膜
405A	源电极	405B	漏电极
				406	绝缘膜	408	绝缘膜
2201	主体	2202	外壳
				2203	显示部分	2204	键盘
2211	主体	2212	触控笔
				2213	显示部分	2214	操作按钮
2215	外部接口	2220	电子书阅读器
				2221	外壳	2223	外壳
2225	显示部分	2227	显示部分
				2231	电力供应	2233	操作键
2235	扬声器	2237	轴部分
				2240	外壳	2241	外壳
2242	显示面板	2243	扬声器
				2244	麦克风	2245	操作键
2246	指点装置	2247	拍摄装置透镜
				2248	外部连接端子	2249	太阳能电池
2250	外部存储器插槽	2261	主体
				2263	目镜	2264	操作开关
2265	显示部分（B）	2266	电池
				2267	显示部分（A）	2270	电视机
2271	外壳	2273	显示部分
				2275	座	2277	显示部分
2279	操作键	2280	远程控制器

该申请基于在2011年5月13日向日本专利局提交的日本专利申请序列号2011-108318，其的全部内容通过引用结合于此。

Claims (6)

1.一种显示装置，包括：

像素，包括EL元件和第一至第三晶体管；以及

驱动器电路，包括多个脉冲输出电路和多个反转脉冲输出电路，

其中，所述第一晶体管配置为供应电流至所述EL元件，

其中，所述第二晶体管配置为控制图像信号到所述像素的输入，

其中，所述第三晶体管设置在所述第一晶体管与所述EL元件之间或所述第一晶体管与电力供应线之间，

其中，所述多个脉冲输出电路各包括第一脉冲输出电路和第二脉冲输出电路，

其中，所述多个反转脉冲输出电路各包括第一反转脉冲输出电路，

其中，所述第一脉冲输出电路配置为输出第一选择信号至所述第二晶体管的栅极，

其中，所述第一脉冲输出电路配置为输出经过第四晶体管的第一时钟信号的信号，该信号输出至所述第二脉冲输出电路和所述第一反转脉冲输出电路作为第一移位脉冲，

其中，所述第二脉冲输出电路配置为输出经过第五晶体管的第二时钟信号的信号作为第二移位脉冲，

其中，所述第一反转脉冲输出电路包括第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管和第九晶体管，

其中，所述第六晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第七晶体管的源极和漏极中的一个以及所述第八晶体管的栅极，

其中，所述第八晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第九晶体管的源极和漏极中的一个以及所述第三晶体管的栅极，

其中，所述第二时钟信号输入至所述第六晶体管的栅极，并且

其中，所述第一移位脉冲输入至所述第七晶体管的栅极和所述第九晶体管的栅极。

2.根据权利要求1所述的显示装置，

其中，所述第四晶体管和所述第五晶体管各包括氧化物半导体层作为沟道形成区。

3.根据权利要求2所述的显示装置，

其中，所述氧化物半导体层具有结晶度。

4. 一种显示装置，包括：

像素，包括EL元件和第一至第三晶体管；以及

驱动器电路，包括多个脉冲输出电路和多个反转脉冲输出电路，

其中，所述第一晶体管配置为供应电流至所述EL元件，

其中，所述第二晶体管配置为控制图像信号到所述像素的输入，

其中，所述第三晶体管设置在所述第一晶体管与所述EL元件之间或所述第一晶体管与电力供应线之间，

其中，所述多个脉冲输出电路各包括第一脉冲输出电路和第二脉冲输出电路，

其中，所述多个反转脉冲输出电路各包括第一反转脉冲输出电路，

其中，所述第一脉冲输出电路配置为输出第一选择信号至所述第二晶体管的栅极，

其中，所述第一脉冲输出电路配置为输出经过第四晶体管的第一时钟信号的信号，该信号输出至所述第二脉冲输出电路和所述第一反转脉冲输出电路作为第一移位脉冲，

其中，所述第二脉冲输出电路配置为输出经过第五晶体管的第二时钟信号的信号作为第二移位脉冲，

其中，所述第一反转脉冲输出电路包括第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管和第十晶体管，

其中，所述第六晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第七晶体管的源极和漏极中的一个，

其中，所述第六晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一个通过所述第十晶体管电连接到所述第八晶体管的栅极，

其中，所述第八晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第九晶体管的源极和漏极中的一个以及所述第三晶体管的栅极，

其中，所述第二时钟信号输入至所述第六晶体管的栅极，并且

其中，所述第一移位脉冲输入至所述第七晶体管的栅极和所述第九晶体管的栅极。

5.根据权利要求4所述的显示装置，

其中，所述第四晶体管和所述第五晶体管各包括氧化物半导体层作为沟道形成区。

6.根据权利要求5所述的显示装置，

其中，所述氧化物半导体层具有结晶度。

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