CN106971980A - 一种阵列基板的制作方法及阵列基板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，包括第一金属层，以形成薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线以及第二数据线；其中，第一数据线与第二数据线位于扫描线两端，且互不连接；第二金属层，以形成薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，连接线用于连接第一数据线与第二数据线。本发明的阵列基板的制作方法及阵列基板，通过在第一绝缘层上生长第一金属层，以形成薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线第二数据线，且在第二绝缘层上生长第二金属层，以形成薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，连接线用于连接第一数据线与第二数据线，从而简化了工艺流程，进而节约成本，提高产品的良率以及市场竞争力。

Description

一种阵列基板的制作方法及阵列基板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板。

背景技术

现在开发的自容内嵌式(Incell Touch)触控技术是将有效显示区的公共电极分成小区块作为触控电极。每个触控电极都有连接触控芯片的触控信号线以接收触控信号。

参阅图1，图1为现有的阵列基板的结构示意图，如图1所示，在现有的阵列基板制程中，在基板101上生长有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道102。在有源层上依次生长第一绝缘层103和第一金属层，以形成薄膜晶体管的栅极104和扫描线105。在第一金属层上生长第二绝缘层106，随后在第二绝缘层上生长第二金属层，以形成薄膜晶体管的源极107和漏极108，以及数据线109，接着在第二金属层上依次生长有机平坦化层110和第三金属层，以形成触控信号线111。在第三金属层上依次生长第三绝缘层112和第四金属层，以形成触控电极113。在第四金属层上生长第四绝缘层114和第五金属层，以形成像素电极115。其中，像素115电极通过第一过孔116与薄膜晶体管的漏极108连接，触控电极113通过第二过孔117与触控信号线111连接。

由此可见，为了制作触控信号线111，在制作阵列基板时，新增一道金属制程，及第三金属层，其增加了产品的制作成本并且会降低产品的良率。

故，有必要提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，能够简化工艺流程，进而节约成本，提高产品的良率以及市场竞争力。

本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括：

基板；

在所述基板上生长有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道；

在所述有源层上生长第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上生长第一金属层，以形成所述薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线第二数据线；其中，所述第一数据线与所述第二数据线位于所述扫描线两端，且互不连接；

在所述第一金属层上生长第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上生长第二金属层，以形成所述薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，所述连接线用于连接所述第一数据线与所述第二数据线；

在所述第二金属层上生长有机平坦化层；

在所述有机平坦化层上生长第三金属层，以形成触控电极，其中，所述触控电极与所述触控信号线连接；

在所述第三金属层上生长第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上生长第四金属层，以形成像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极连接。

在本发明的阵列基板的制作方法中，所述第二绝缘层上设有第一通孔和第二通孔，所述连接线通过所述第一通孔与所述第一数据线连接，所述连接线通过所述第二通孔与所述第二数据线连接。

在本发明的阵列基板的制作方法中，所述薄膜晶体管的源极通过第三通孔与所述薄膜晶体管的导电沟道的一端连接，所述薄膜晶体管的漏极通过第四通孔与所述薄膜晶体管的导电沟道的另一端连接。

在本发明的阵列基板的制作方法中，所述第三通孔以及所述第四通孔均贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。

在本发明的阵列基板的制作方法中，所述像素电极通过第五通孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。

在本发明的阵列基板的制作方法中，所述第五通孔均贯穿所述第三绝缘层、所述第三金属层以及所述有机平坦化层。

在本发明的阵列基板的制作方法中，所述触控电极通过第六通孔与所述触控信号线连接。

在本发明的阵列基板的制作方法中，所述第六通孔贯穿所述有机平坦化层。

在本发明的阵列基板的制作方法中，在所述在所述基板上生长有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道的步骤之前，还包括：

在所述基板上依次形成遮光层以及第四绝缘层。

依据本发明的上述目的，还提供一种阵列基板，包括：

基板；

在所述基板上的有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道；

在所述有源层上的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上的第一金属层，以形成所述薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线第二数据线；其中，所述第一数据线与所述第二数据线位于所述扫描线两端，且互不连接；

在所述第一金属层上的第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上的第二金属层，以形成所述薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，所述连接线用于连接所述第一数据线与所述第二数据线；

在所述第二金属层上的有机平坦化层；

在所述有机平坦化层上的第三金属层，以形成触控电极，其中，所述触控电极与所述触控信号线连接；

在所述第三金属层上的第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上的第四金属层，以形成像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极连接。

本发明的阵列基板的制作方法及阵列基板，通过在第一绝缘层上生长第一金属层，以形成薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线第二数据线，且在第二绝缘层上生长第二金属层，以形成薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，连接线用于连接第一数据线与第二数据线，从而简化了工艺流程，进而节约成本，提高产品的良率以及市场竞争力。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为现有的阵列基板的结构示意图；

图2为本发明优选实施例提供的阵列基板的制作方法的步骤流程示意图；

图3为本发明优选实施例的阵列基板的制作方法制成的阵列基板结构示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

参阅图2，图2为本发明优选实施例提供的阵列基板的制作方法的步骤流程示意图。如图1所示，本优选实施例的阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

步骤S101，在基板上生长有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道。

步骤S102，在有源层上生长第一绝缘层。

步骤S103，在第一绝缘层上生长第一金属层，以形成薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线以及第二数据线；其中，第一数据线与第二数据线位于扫描线两端，且互不连接。

步骤S104，在第一金属层上生长第二绝缘层。

步骤S105，在第二绝缘层上生长第二金属层，以形成薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，连接线用于连接第一数据线与第二数据线。

步骤S106，在第二金属层上生长有机平坦化层。

步骤S107，在有机平坦化层上生长第三金属层，以形成触控电极，其中，触控电极与触控信号线连接。

步骤S108，在第三金属层上生长第三绝缘层。

步骤S109，在第三绝缘层上生长第四金属层，以形成像素电极，像素电极与薄膜晶体管的漏极连接。

特别地，本优选实施例的阵列基板的制作方法中，为了防止阵列基板的显示区中的薄膜晶体管器件漏电，一般会在薄膜晶体管的导电沟道的下方设置一遮光层，其中，该遮光层采用的材料为金属。因而，在采用本发明的阵列基板的制作方法时，上述步骤S102之前，还包括：在基板上依次形成遮光层以及第四绝缘层。其中，第四绝缘层用于阻隔遮光层与有源层，使得导电沟道与遮光层阻隔开。

具体地，以下对本优选实施例的阵列基板的制作方法形成的阵列基板的结构进行详细描述。参阅图3，图3为本发明优选实施例的阵列基板的制作方法制成的阵列基板结构示意图。如图3所示，在基板301上依次形成遮光层302、第四绝缘层303、有源层304、第一绝缘层305、第一金属层306、第二绝缘层307、第二金属层308、有机平坦化层309、第三金属层310、第三绝缘层311以及第四金属层312。其中，遮光层302设置在阵列基板中的薄膜晶体管的下方；有源层304图形化形成薄膜晶体管的导电沟道3041；第一金属层306形成薄膜晶体管的栅极3061、扫描线3062、第一数据线3063以及第二数据线3064；第二金属层308形成薄膜晶体管的源极3081、漏极3082、连接线3083以及触控信号线3084；第三金属层310用于形成触控电极3101；第四金属层312用于形成像素电极3121。

本优选实施例与现有技术的区别在于，现有技术是通过生长三层金属层分别形成数据线、扫描线以及触控信号线，制程步骤较复杂，而本优选实施例的阵列基板的制作方法，则是通过生长两层金属层形成数据线、扫描线以及触控信号线，简化了工艺，进而节约了成本。

具体地，在第一金属层306中同时形成的扫描线3062、第一数据线3063以及第二数据线3064，其中第一数据线3063与第二数据线3064位于扫描线3062两端，为了使第一数据线3063和第二数据线3064连接并且不与扫描线3062连接，通过在第二金属层308中形成一连接线3083用于连接第一数据线3063与第二数据线3064，并且在第二绝缘层307中开设第一通孔3071和第二通孔3072，连接线3083通过第一通孔3071与第一数据线3063的一端连接，连接线3083通过第二通孔3072与第二数据线3064的另一端连接。同时在第二金属层308中还形成触控信号线3084，触控信号线3084与连接线3083无连接关系并且通过将触控信号线3084设置在黑色矩阵区域，可以提高开口率。

另外，薄膜晶体管的源极3081通过第三通孔30811与薄膜晶体管的导电沟道3041的一端连接，薄膜晶体管的漏极3082通过第四通孔30821与薄膜晶体管的导电沟道3041的另一端连接。第三通孔30811以及第四通孔30821均贯穿第一绝缘层305和第二绝缘层307。

像素电3121通过第五通孔31211与薄膜晶体管的漏极3082连接。第五通孔31211均贯穿第三绝缘层311、第三金属层310以及有机平坦化层309。

触控电极3101通过第六通孔31011与触控信号线3084连接。第六通孔31011贯穿有机平坦化层309。

本优选实施例的阵列基板的制作方法，通过在第一绝缘层上生长第一金属层，以形成薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线第二数据线，且在第二绝缘层上生长第二金属层，以形成薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，连接线用于连接第一数据线与第二数据线，从而简化了工艺流程，进而节约成本，提高产品的良率以及市场竞争力。

本发明还提供一种阵列基板，包括：

基板；在基板上的有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道；在有源层上的第一绝缘层；在第一绝缘层上的第一金属层，以形成薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线第二数据线；其中，第一数据线与第二数据线位于扫描线两端，且互不连接；在第一金属层上的第二绝缘层；在第二绝缘层上的第二金属层，以形成薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，连接线用于连接第一数据线与第二数据线；在第二金属层上的有机平坦化层；在有机平坦化层上的第三金属层，以形成触控电极，其中，触控电极与触控信号线连接；在第三金属层上的第三绝缘层；在第三绝缘层上的第四金属层，以形成像素电极，像素电极与薄膜晶体管的漏极连接。

第二绝缘层上设有第一通孔和第二通孔，连接线通过第一通孔与第一数据线连接，连接线通过第二通孔与第二数据线连接。

薄膜晶体管的源极通过第三通孔与薄膜晶体管的导电沟道的一端连接，薄膜晶体管的漏极通过第四通孔与薄膜晶体管的导电沟道的另一端连接。

第三通孔以及所述第四通孔均贯穿第一绝缘层和第二绝缘层。

像素电极通过第五通孔与薄膜晶体管的漏极连接。第五通孔均贯穿第三绝缘层、第三金属层以及有机平坦化层。

触控电极通过第六通孔与触控信号线连接。第六通孔贯穿平坦化层。

另外，在基板上还包括遮光层以及第四绝缘层。

本发明的阵列基板与上述阵列基板的制作方法形成的阵列基板一致，具体可参照上述阵列基板的制作方法的优选实施例的描述，在此不再赘述。

本发明的阵列基板的制作方法及阵列基板，通过在第一绝缘层上生长第一金属层，以形成薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线第二数据线，且在第二绝缘层上生长第二金属层，以形成薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，连接线用于连接第一数据线与第二数据线，从而简化了工艺流程，进而节约成本，提高产品的良率以及市场竞争力。

综上，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

基板；

在所述基板上生长有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道；

在所述有源层上生长第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上生长第一金属层，以形成所述薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线以及第二数据线；其中，所述第一数据线与所述第二数据线位于所述扫描线两端，且互不连接；

在所述第一金属层上生长第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上生长第二金属层，以形成所述薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，所述连接线用于连接所述第一数据线与所述第二数据线；

在所述第二金属层上生长有机平坦化层；

在所述有机平坦化层上生长第三金属层，以形成触控电极，其中，所述触控电极与所述触控信号线连接；

在所述第三金属层上生长第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上生长第四金属层，以形成像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层上设有第一通孔和第二通孔，所述连接线通过所述第一通孔与所述第一数据线连接，所述连接线通过所述第二通孔与所述第二数据线连接。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极通过第三通孔与所述薄膜晶体管的导电沟道的一端连接，所述薄膜晶体管的漏极通过第四通孔与所述薄膜晶体管的导电沟道的另一端连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第三通孔以及所述第四通孔均贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述像素电极通过第五通孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第五通孔均贯穿所述第三绝缘层、所述第三金属层以及所述有机平坦化层。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述触控电极通过第六通孔与所述触控信号线连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第六通孔贯穿所述有机平坦化层。

9.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述在所述基板上生长有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道的步骤之前，还包括：

在所述基板上依次形成遮光层以及第四绝缘层。

10.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

在所述基板上的有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道；

在所述有源层上的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上的第一金属层，以形成所述薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线第二数据线；其中，所述第一数据线与所述第二数据线位于所述扫描线两端，且互不连接；

在所述第一金属层上的第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上的第二金属层，以形成所述薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，所述连接线用于连接所述第一数据线与所述第二数据线；

在所述第二金属层上的有机平坦化层；

在所述有机平坦化层上的第三金属层，以形成触控电极，其中，所述触控电极与所述触控信号线连接；

在所述第三金属层上的第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上的第四金属层，以形成像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极连接。