CN106876413A - 一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置,该阵列基板包括透明的公共电极,还包括:多条第一公共电极线和多条第二公共电极线,所述多条第一公共电极线和多条第二公共电极线交叉设置,形成网格状,所述第一公共电极线通过第一过孔与所述公共电极连接,所述第二公共电极线通过第二过孔与所述公共电极连接。本发明的网格状的公共电极线能够有效降低公共电极的电阻,且能够保证整个面板的公共电压的稳定均一。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置。
背景技术
现有技术中的包括公共电极的阵列基板,为了减小透明公共电极的电阻以及为公共电极传递信号,会在栅金属层设置与栅线平行的金属公共电极线(也称为gate层公共电极线),gate层公共电极线通过过孔与透明公共电极连接。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置,用于解决现有技术中显示面板的公共电压的分布不均,公共电压不稳定,造成显示不良的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种阵列基板,包括透明的公共电极,还包括:多条第一公共电极线和多条第二公共电极线,所述多条第一公共电极线和多条第二公共电极线交叉设置,形成网格状,所述第一公共电极线通过第一过孔与所述公共电极连接,所述第二公共电极线通过第二过孔与所述公共电极连接。
优选地,所述第一公共电极线和第二公共电极线异层设置。
优选地,所述阵列基板还包括多条栅线,所述第一公共电极线与所述栅线同层且平行设置。
优选地,所述阵列基板还包括多条数据线,所述第二公共电极线与所述数据线同层且平行设置。
优选地,所述阵列基板为双栅线型阵列基板,相邻的两行亚像素之间设置有两条栅线,相邻的两列亚像素之间隔列设置一条数据线,所述第二公共电极线设置于未设置所述数据线的两列亚像素之间。
优选地,每一亚像素的公共电极分开设置,处于同一行的公共电极通过第一公共电极线连通,处于同一列的公共电极通过第二公共电极线连通。
本发明还提供一种显示面板,包括上述阵列基板。
本发明还提供一种显示装置,包括上述显示面板。
本发明还提供一种阵列基板的制作方法,包括形成透明的公共电极的步骤,还包括:形成多条第一公共电极线和多条第二公共电极线的步骤,所述多条第一公共电极线和多条第二公共电极线交叉设置,形成网格状,所述第一公共电极线通过第一过孔与所述公共电极连接,所述第二公共电极线通过第二过孔与所述公共电极连接。
优选地,所述第一公共电极线和第二公共电极线异层设置。
优选地,所述阵列基板的制作方法还包括形成多条栅线的步骤,其中,所述第一公共电极线与所述栅线通过一次构图工艺形成,且平行于所述栅线。
优选地,所述阵列基板的制作方法还包括形成多条数据线的步骤,其中,所述第二公共电极线与所述数据线通过一次构图工艺形成,且平行于所述数据线。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
为阵列基板上的公共电极设置与其连接的网格状的公共电极线,能够有效降低公共电极的电阻,同时,由于公共电极线呈网格状分布,不是现有技术中单纯的只有横向设置的gate层公共电极线,从而可以保证整个面板的公共电压的稳定均一,此外,由于网格状的公共电极线能够有效降低公共电极的电阻,从而可以相应减小每一条公共电极线的线宽,以提高开口率。
附图说明
图1为本发明一实施例的阵列基板的俯视图;
图2为本发明另一实施例的阵列基板的剖视图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
现有技术中的阵列基板由于只在横向上具有gate层公共电极线,整个面板的公共电压的分布相对不均,公共电压不稳定,从而会造成显示不良。本发明实施例提供一种阵列基板,包括:透明的公共电极,多条第一公共电极线和多条第二公共电极线,所述多条第一公共电极线和多条第二公共电极线交叉设置,形成网格状,所述第一公共电极线通过第一过孔与所述公共电极连接,所述第二公共电极线通过第二过孔与所述公共电极连接。
本发明实施例中,为阵列基板的公共电极设置与其连接的网格状的公共电极线,能够有效降低公共电极的电阻,同时,由于公共电极线呈网格状分布,不是单纯的只有横向设置的gate层公共电极线,从而可以保证整个面板的公共电压的稳定均一,此外,由于网格状的公共电极线能够有效降低公共电极的电阻,从而可以相应减小每一条公共电极线的线宽,以提高开口率。
公共电极通常采用ITO等透明导电材料制成。
优选地,第一公共电极线和第二公共电极线可以采用金属导电材料制成,以有利于公共电极的电阻的减少。
然而,在本发明的其他一些实施例中,也不排除第一公共电极线和第二公共电极线采用透明导电材料制成,以提高开口率。
优选地,所述第一公共电极线和第二公共电极线形成的网格状结构覆盖公共电极所在区域。
本发明实施例中,所述第一公共电极线和第二公共电极线可以同层设置,也可以异层设置。
当第一公共电极线和第二公共电极线同层设置时,所述第一公共电极线和第二公共电极线连接,为了避免与阵列基板的其他功能膜层上的图形造成干扰,该种情况下,第一公共电极线和第二公共电极线通常需要单独一层设置。
当所述第一公共电极线和第二公共电极线异层设置时,所述第一公共电极线和/或第二公共电极线可以与阵列基板上的其他功能膜层同层设置,以降低膜层厚度,优选地,还可以与其他导电层功能膜层同层设置,从而可以与该导电功能膜层通过一次构图工艺形成,节省mask数量,降低成本。
所述阵列基板还包括多条栅线,优选地,所述第一公共电极线可以与所述栅线同层设置,以节省mask数量,降低成本。进一步优选地,所述第一公共电极线可以与栅线平行设置。当然,在本发明的其他一些实施例中,也不排除所述第一公共电极线可以与栅线同层,且与栅线垂直设置的可能,此时,每一第一公共电极线需要在与栅线交叉的位置处断开。
所述第一公共电极线与所述栅线同层且平行设置时,可以是一行亚像素对应一条第一公共电极线,也可以是多行亚像素对应一条第一公共电极线。
所述阵列基板还包括多条数据线,优选地,所述第二公共电极线可以与所述数据线同层设置,以节省mask数量,降低成本。进一步优选地,所述第二公共电极线可以与数据线平行设置。当然,在本发明的其他一些实施例中,也不排除所述第二公共电极线可以与数据线同层,且于数据线垂直设置的可能,此时,每一第二公共电极线需要在与数据线交叉的位置处断开。
所述第二公共电极线与所述数据线线同层且平行设置时,可以是一列亚像素对应一条第二公共电极线,也可以是多列亚像素对应一条第二公共电极线。
请参考图,图1为本发明一实施例的阵列基板的俯视图,本发明实施例中的阵列基板为双栅型阵列基板,包括:多条栅线101和多条数据线102,相邻的两行亚像素之间设置有两条栅线101,相邻的两列亚像素之间,隔列设置一条数据线102,每一亚像素的公共电极103均分开设置。所述阵列基板还包括:多条第一公共电极线104和多条第二公共电极线105,所述第一公共电极线104与所述栅线101同层且平行设置,所述第二公共电极线105与所述数据线同层且平行设置,所述第二公共电极线105设置于未设置所述数据线102的两列亚像素之间。所述第一公共电极线104和第二公共电极线105形成网格状。所述第一公共电极线104通过第一过孔106与所述公共电极103连接,所述第二公共电极线105通过第二过孔107与所述公共电极103连接。
本发明实施例中,利用双栅线型阵列基板隔列设置一条数据线的特殊结构,在未设置数据线的一列设置第二公共电极线,与第一公共电极线形成网格状的公共电极线,从而可以保证整个面板的公共电压的稳定均一,此外,由于网格状的公共电极线能够有效降低公共电极的电阻,从而可以相应减小每一条公共电极线的线宽,以提高开口率。
本发明实施例中,每一亚像素的公共电极103分开设置,处于同一行的公共电极103通过第一公共电极线104连通,处于同一列的公共电极103通过第二公共电极线105连通,从而使得整面公共电极103全部导通。
每一亚像素的公共电极分开设置的阵列基板,现有技术中,必须通过过孔以及上层金属(如源漏金属层或公共电极层)跨接布线使得相邻亚像素的公共电极导通,进而导通整面公共电极,这种设计不但增加了走线而且增加了走线与其它电极(如源漏电极、栅电极等)的交叠和侧向电容,电容的增加会使得负载增大,对亚像素充电同样造成影响。
本发明实施例中,无需设置跨接布线,在横向上通过第一公共电极线可将同行的公共电极连接起来,在纵向上通过第二公共电极线便可将同列的公共电极连接起来,结构简单,此外,还有效降低了公共电极与周边电极的电容,使得亚像素的充电更加容易。
请参考图2,图2为本发明另一实施例的阵列基板的剖面示意图,该实施例中的阵列基板与图1所示的实施例中的阵列基板的区别在于,公共电极103为条状公共电极,而,图1所示的实施例中,公共电极103为块状公共电极。图2中,100为衬底基板,108为栅绝缘层,109为像素电极,110为绝缘层。
从图2中可以很明显的看出,通过第一过孔106和第二过孔107,公共电极103可以与位于栅金属层的第一公共电极线104和位于源漏金属层的第二公共电极线105连接起来。其中第一过孔106为深过孔,第二过孔107为浅过孔。
本发明实施例中的阵列基板可以为HADS阵列基板,也可以为IPS阵列基板,或者其他类型的包括公共电极的阵列基板。
本发明实施例还提供一种显示面板,包括上述任一实施例中的阵列基板。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括上述显示面板。
本发明实施例中的显示装置还可以包括驱动芯片,所述驱动芯片可以与第一公共电极线和/或第二公共电极线连接,用于通过第一公共电极线和/或第二公共电极线向公共电极传输公共电压信号。
本发明实施例还提供一种阵列基板的制作方法,包括形成透明的公共电极的步骤,还包括:形成多条第一公共电极线和多条第二公共电极线的步骤,所述多条第一公共电极线和多条第二公共电极线交叉设置,形成网格状,所述第一公共电极线通过第一过孔与所述公共电极连接,所述第二公共电极线通过第二过孔与所述公共电极连接。
优选地,所述第一公共电极线和第二公共电极线异层设置。
所述的阵列基板的制作方法,还包括形成多条栅线的步骤,优选地,所述第一公共电极线与所述栅线通过一次构图工艺形成,且平行于所述栅线。
所述的阵列基板的制作方法还包括形成多条数据线的步骤,其中,优选地,所述第二公共电极线与所述数据线通过一次构图工艺形成,且平行于所述数据线。
除非另作定义,本发明中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也相应地改变。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (12)
1.一种阵列基板,包括透明的公共电极,其特征在于,还包括:多条第一公共电极线和多条第二公共电极线,所述多条第一公共电极线和多条第二公共电极线交叉设置,形成网格状,所述第一公共电极线通过第一过孔与所述公共电极连接,所述第二公共电极线通过第二过孔与所述公共电极连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极线和第二公共电极线异层设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括多条栅线,所述第一公共电极线与所述栅线同层且平行设置。
4.根据权利要求2或3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括多条数据线,所述第二公共电极线与所述数据线同层且平行设置。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板为双栅线型阵列基板,相邻的两行亚像素之间设置有两条栅线,相邻的两列亚像素之间隔列设置一条数据线,所述第二公共电极线设置于未设置所述数据线的两列亚像素之间。
6.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,每一亚像素的公共电极分开设置,处于同一行的公共电极通过第一公共电极线连通,处于同一列的公共电极通过第二公共电极线连通。
7.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述阵列基板。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求7所述的显示面板。
9.一种阵列基板的制作方法,包括形成透明的公共电极的步骤,其特征在于,还包括:形成多条第一公共电极线和多条第二公共电极线的步骤,所述多条第一公共电极线和多条第二公共电极线交叉设置,形成网格状,所述第一公共电极线通过第一过孔与所述公共电极连接,所述第二公共电极线通过第二过孔与所述公共电极连接。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述第一公共电极线和第二公共电极线异层设置。
11.根据权利要求10所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,还包括形成多条栅线的步骤,其中,所述第一公共电极线与所述栅线通过一次构图工艺形成,且平行于所述栅线。
12.根据权利要求10或11所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,还包括形成多条数据线的步骤,其中,所述第二公共电极线与所述数据线通过一次构图工艺形成,且平行于所述数据线。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018166178A1 (zh) * | 2017-03-17 | 2018-09-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
CN108597392A (zh) * | 2018-06-21 | 2018-09-28 | 祺虹电子科技(深圳)有限公司 | 透明基板及透明显示屏 |
CN109375431A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-02-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110058468A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-07-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素驱动电路及液晶显示面板 |
WO2021027216A1 (zh) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2022036846A1 (zh) * | 2020-08-19 | 2022-02-24 | 惠科股份有限公司 | 显示装置及其驱动方法 |
CN114690496A (zh) * | 2022-03-25 | 2022-07-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板、阵列基板及其制造方法 |
CN114690490A (zh) * | 2022-03-18 | 2022-07-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其显示面板 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110543039B (zh) * | 2019-09-10 | 2022-09-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060082284A1 (en) * | 2004-10-15 | 2006-04-20 | Makoto Shibusawa | Display and array substrate |
CN1862825A (zh) * | 2005-05-11 | 2006-11-15 | Lg电子株式会社 | 发光器件及其制造方法、以及发光显示器及其制造方法 |
CN101334564A (zh) * | 2007-06-28 | 2008-12-31 | 上海广电Nec液晶显示器有限公司 | 一种液晶显示装置及其制造方法 |
CN105093750A (zh) * | 2015-08-14 | 2015-11-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft阵列基板结构及其制作方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100661725B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-12-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
KR101147267B1 (ko) * | 2005-12-10 | 2012-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR20080013163A (ko) * | 2006-08-07 | 2008-02-13 | 삼성전자주식회사 | 마스크, 이를 이용한 표시기판 및 표시기판 제조 방법 |
KR20110013159A (ko) * | 2009-07-30 | 2011-02-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 |
CN102135691B (zh) * | 2010-09-17 | 2012-05-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法和液晶显示器 |
KR20120136239A (ko) * | 2011-06-08 | 2012-12-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
CN102790012A (zh) | 2012-07-20 | 2012-11-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置 |
KR102009319B1 (ko) | 2012-11-22 | 2019-08-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치와 그의 제조방법 |
CN103077944B (zh) * | 2013-01-18 | 2016-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、阵列基板及其制作方法 |
CN103278987B (zh) * | 2013-05-24 | 2015-07-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、该阵列基板断线修复方法及显示装置 |
CN103943627B (zh) * | 2013-07-30 | 2017-06-06 | 上海中航光电子有限公司 | 一种tft阵列基板 |
KR102062913B1 (ko) * | 2013-09-30 | 2020-03-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 |
CN103926759B (zh) * | 2014-04-28 | 2016-08-17 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示装置 |
CN104880871B (zh) | 2015-06-23 | 2018-05-11 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN106876413A (zh) * | 2017-03-17 | 2017-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
-
2017
- 2017-03-17 CN CN201710159841.0A patent/CN106876413A/zh active Pending
- 2017-09-29 WO PCT/CN2017/104162 patent/WO2018166178A1/zh active Application Filing
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- 2017-09-29 US US15/779,222 patent/US11296123B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060082284A1 (en) * | 2004-10-15 | 2006-04-20 | Makoto Shibusawa | Display and array substrate |
CN1862825A (zh) * | 2005-05-11 | 2006-11-15 | Lg电子株式会社 | 发光器件及其制造方法、以及发光显示器及其制造方法 |
CN101334564A (zh) * | 2007-06-28 | 2008-12-31 | 上海广电Nec液晶显示器有限公司 | 一种液晶显示装置及其制造方法 |
CN105093750A (zh) * | 2015-08-14 | 2015-11-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft阵列基板结构及其制作方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018166178A1 (zh) * | 2017-03-17 | 2018-09-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
US11296123B2 (en) | 2017-03-17 | 2022-04-05 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device |
CN108597392A (zh) * | 2018-06-21 | 2018-09-28 | 祺虹电子科技(深圳)有限公司 | 透明基板及透明显示屏 |
CN108597392B (zh) * | 2018-06-21 | 2024-05-31 | 广州市祺虹电子科技有限公司 | 透明基板及透明显示屏 |
CN109375431A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-02-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110058468A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-07-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素驱动电路及液晶显示面板 |
WO2021027216A1 (zh) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2022036846A1 (zh) * | 2020-08-19 | 2022-02-24 | 惠科股份有限公司 | 显示装置及其驱动方法 |
CN114690490A (zh) * | 2022-03-18 | 2022-07-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其显示面板 |
CN114690496A (zh) * | 2022-03-25 | 2022-07-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板、阵列基板及其制造方法 |
CN114690496B (zh) * | 2022-03-25 | 2023-08-22 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板、阵列基板及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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