CN105824158A - 阵列基板、显示装置及阵列基板制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板、显示装置及阵列基板制作方法，属于显示器领域。所述阵列基板包括基板和设置在所述基板上的电极层，所述电极层包括多个第一电极和多个第二电极，所述多个第一电极和所述多个第二电极交替间隔设置在所述基板上，且任一所述第二电极的高度大于任一所述第一电极的高度；所述第一电极和所述第二电极的极性相反。在本发明中，通过将电极层中的第二电极设置成比第一电极高，从而使得第二电极和第一电极间的水平电场发生倾斜，倾斜后，第二电极和第一电极的间隔区域的中间位置处电场水平方向的分量相对于水平电场而言变强，使得两个电极中间位置对应的液晶偏转角度增大，从而提高了两个电极中间位置光透过率。
Description
技术领域
本发明涉及显示器领域，特别涉及一种阵列基板、显示装置及阵列基板制作方法。
背景技术
在液晶显示技术中，高级超维场转换(AdvancedSuperDimensionSwitch，简称ADS)技术以透过率高、视角宽、响应速度快和功耗低等优点逐渐成为液晶显示领域的重要技术之一。基于ADS模式的显示面板通过狭缝电极层中狭缝电极之间所产生的电场，以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。
现有的基于ADS模式的显示面板包括彩膜基板、阵列基板、以及两者对盒之后灌注的液晶，其中，阵列基板包括依次设置在衬底基板上的公共电极层(即板状电极层)、绝缘层和像素电极层(即狭缝电极层)。当加电压时，液晶在电场作用下发生扭曲旋转，从而达到控制光线的目的。
像素电极层包括交替间隔设置的多个正电极和负电极，每两个相邻的正电极和负电极的间隔区域形成水平电场，该水平电场在间隔区域中从外向内呈下降趋势，因此该间隔区域的中间位置的水平电场最小，该位置对应的液晶偏转角度较小，导致该位置的光透过率过较小，从而影响显示面板的显示效果。
发明内容
为了解决两个相邻的电极的间隔的中间位置光透过率过小的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板、显示装置及阵列基板制作方法。所述技术方案如下：
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括基板和设置在所述基板上的电极层，所述电极层包括多个第一电极和多个第二电极，所述多个第一电极和所述多个第二电极交替间隔设置在所述基板上，且任一所述第二电极的高度大于任一所述第一电极的高度；所述第一电极和所述第二电极的极性相反。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述基板包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的公共电极层、设置在所述公共电极层上的绝缘层，所述电极层设置在所述绝缘层上，所述第一电极和所述第二电极为像素电极。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述绝缘层包括：子绝缘层和设置在所述子绝缘层上的多个平行间隔设置的长条形绝缘块；所述多个第一电极设置在所述子绝缘层上，所述多个第二电极分别设置在多个绝缘块上，且每个所述绝缘块上设置一个所述第二电极。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述第二电极覆盖在所述绝缘块的顶面上。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述绝缘块在垂直于所述绝缘块的长度方向上的截面为梯形，所述第二电极覆盖在所述绝缘块的顶面和侧面上。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述绝缘块在垂直于所述绝缘块的长度方向上的截面为等腰梯形。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述等腰梯形的底角为75-85度。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述等腰梯形的高为1微米-3微米。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述绝缘块为树脂块。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述绝缘层包括多个平行间隔设置的长条形凸台，所述多个第一电极设置在多个凸台之间，所述多个第二电极分别设置在所述多个凸台上，且每个所述凸台上设置一个第二电极。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括第一方面任一项所述的阵列基板。
第三方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板制作方法，所述方法包括：
制作基板；
在基板上形成电极层，所述电极层包括多个第一电极和多个第二电极，所述多个第一电极和所述多个第二电极交替间隔设置在所述基板上，且任一所述第二电极的高度大于任一所述第一电极的高度；所述第一电极和所述第二电极的极性相反。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述制作基板，包括：
在衬底基板上制作公共电极层；
在所述公共电极层上制作绝缘层，所述电极层设置在所述绝缘层上，所述第一电极和所述第二电极为像素电极。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述绝缘层包括：所述子绝缘层和设置在所述子绝缘层上的多个平行间隔设置的长条形绝缘块，所述在所述公共电极层作绝缘层，包括：
在所述公共电极层上制作子绝缘层；
在所述子绝缘层上制作多个绝缘块；
所述多个第一电极设置在所述子绝缘层上，所述多个第二电极分别设置在所述多个绝缘块上，且每个所述绝缘块上设置一个所述第二电极。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述在所述公共电极层作绝缘层，包括：
在所述公共电极层上沉积绝缘层；
通过构图工艺在所述绝缘层上形成多个平行间隔设置的长条形凸台，所述多个第一电极设置在多个凸台之间，所述多个第二电极分别设置在所述多个凸台上，且每个所述凸台上设置一个第二电极。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
在本发明中，通过将电极层中的第二电极设置成比第一电极高，从而使得第二电极和第一电极间的水平电场发生倾斜，倾斜后，第二电极和第一电极的间隔区域的中间位置处电场水平方向的分量相对于水平电场而言变强，使得两个电极中间位置对应的液晶偏转角度增大，从而提高了两个电极中间位置光透过率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图3是现有的阵列基板结构的透过率示意图；
图4是图2所示阵列基板结构的透过率示意图；
图5是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的一种阵列基板制作方法的流程图；
图9是本发明实施例提供的另一种阵列基板制作方法的流程图；
图10是本发明实施例提供的阵列基板制作过程中的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的阵列基板制作过程中的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的阵列基板制作过程中的结构示意图；
图13是本发明实施例提供的阵列基板制作过程中的结构示意图；
图14是本发明实施例提供的另一种阵列基板制作方法的流程图；
图15是本发明实施例提供的阵列基板制作过程中的结构示意图；
图16是本发明实施例提供的阵列基板制作过程中的结构示意图；
图17是本发明实施例提供的阵列基板制作过程中的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，参见图1，阵列基板包括基板100和设置在基板100上的电极层200，电极层200包括多个第一电极201和多个第二电极202，多个第一电极201和多个第二电极202交替间隔设置在基板100上，且任一第二电极202的高度大于任一第一电极201的高度；第一电极201和第二电极202的极性相反。
其中，第二电极202的高度为第二电极202的顶面到基板100的距离，第一电极201的高度为第一电极201的顶面到基板100的距离。或者，第二电极202的高度为第二电极202的顶面到第二电极202的底面的距离，第一电极201的高度为第一电极201的顶面到第一电极201的底面的距离。第一电极201和第二电极202的顶面为远离基板100的一面，第一电极201和第二电极202的底面为靠近基板100的一面。
在本发明中，通过将电极层中的第二电极设置成比第一电极高，从而使得第二电极和第一电极间的水平电场发生倾斜，倾斜后，第二电极和第一电极的间隔区域的中间位置处电场水平方向的分量相对于水平电场而言变强，使得两个电极中间位置对应的液晶偏转角度增大，从而提高了两个电极中间位置光透过率。
本实施例提供的上述阵列基板适用于ADS型液晶显示面板，当该阵列基板为ADS型液晶显示面板的阵列基板时，第一电极201和第二电极202均为像素电极。
在具体实现时，可以通过设计支撑物(具体可以是后文中的凸台或绝缘块)使第二电极202的高度大于第一电极201的高度，具体参见后文图2～图7提供的阵列基板。
在具体实现时，还可以通过增大第二电极202的厚度(第二电极202的厚度大于第一电极201的厚度)，使得第二电极202的高度大于第一电极201的高度。
除此之外，本实施例提供的上述阵列基板还可以适用于其他类型的显示面板，例如平面转换(In-PlaneSwitching，简称IPS)型液晶显示面板，当该阵列基板为IPS型液晶显示面板的阵列基板时，第一电极201为像素电极，第二电极202为公共电极；或者，第一电极201为公共电极，第二电极202为像素电极。
在具体实现时，同样可以采用设计支撑物或者增大第二电极的厚度的方式，使得第二电极202的高度大于第一电极201的高度，这里不再赘述。
图2是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，参见图2，阵列基板包括衬底基板101、设置在衬底基板101上的公共电极层102、设置在公共电极层102上的绝缘层103、设置在绝缘层103上的像素电极层200，像素电极层200包括多个第一像素电极201(也即前述第一电极)和多个第二像素电极202(也即前述第二电极)，多个第一像素电极201和多个第二像素电极202交替间隔设置在绝缘层103上，且任一第二像素电极202的高度大于任一第一像素电极201的高度；第一像素电极201和第二像素电极202的极性相反。
在本发明中，通过将像素电极层200中的第二像素电极202设置成比第一像素电极201高，从而使得第二像素电极202和第一像素电极201间的水平电场发生倾斜，倾斜后，第二像素电极202和第一像素电极201的间隔区域的中间位置处电场水平方向的分量相对于水平电场而言变强，使得两个像素电极中间位置对应的液晶偏转角度增大，从而提高了两个像素电极中间位置光透过率。
图3所示为现有的阵列基板结构(第一像素电极和第二像素电极设置在同一水平面)的透过率示意图，图中A所示位置为两个像素电极的间隔区域的中间位置。图4所示为图2中阵列基板结构的透过率示意图。根据图3和图4可以看出，采用图2所示阵列基板结构能够提高两个像素电极的间隔区域的中间位置的透过率。
在如图2所示的阵列基板中，上述绝缘层103为一体结构，绝缘层103上形成有多个凸台103A，所述多个第一电极设置在所述多个凸台之间，多个第二像素电极202分别设置在多个凸台103A上，且每个凸台103A上设置一个第二像素电极202，如图2所示。
其中，多个凸台103A可以为多个平行间隔设置的长条形凸台。本发明实施例中，平行设置指的是长条形凸台的长度方向平行设置或者宽度方向平行设置。
在本实施例中，衬底基板101可以是玻璃基板，公共电极层102和像素电极层200可以为氧化铟锡(IndiumTinOxides，简称ITO)薄膜层。绝缘层103可以为氮化硅或氮氧化硅层。
图5是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，参见图5，该阵列基板与图2所示的阵列基板的不同之处在于，绝缘层103包括：子绝缘层1031和设置在子绝缘层1031上的多个绝缘块1032。
多个第一像素电极201设置在子绝缘层1031上，多个第二像素电极202分别设置在多个绝缘块1032上，且每个绝缘块1032上设置一个第二像素电极202。在该实现方式中，通过将第二像素电极202设置在绝缘块1032上，从而抬高了第二像素电极202的高度，使得水平电场发生倾斜。
其中，多个绝缘块1032可以为多个平行间隔设置的长条形绝缘块。本发明实施例中，平行设置指的是长条形绝缘块的长度方向平行设置或者宽度方向平行设置。
在本发明实施例的另一种实现方式中，第二像素电极202覆盖在绝缘块1032的顶面上。这种设置既能保证第二像素电极202的正常布置，又不至于使得绝缘块1032所占面积过大，影响相邻像素电极的设置。
在本发明实施例中，子绝缘层1031可以为氮化硅或氮氧化硅层。绝缘块1032可以为树脂块。采用树脂材料，不仅绝缘性能好，且透光性能好。当然在其他实施例中，绝缘块1032也可以采用其他绝缘材料制成，例如氮化硅、氮氧化硅等。
图6是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，参见图6，该阵列基板与图2的阵列基板的不同之处在于：凸台103A在垂直于凸台103A的长度方向上的截面为梯形，第二像素电极202覆盖在梯形的顶面和侧面上，这种方式可以进一步提高两个像素电极之间的中间位置的水平电场强度，从而进一步提高了两个像素电极之间的中间位置的透过率。
进一步地，凸台103A在垂直于凸台103A的长度方向上的截面为等腰梯形。
具体地，等腰梯形的底角可以为75-85度，这种角度设置能够获得较好的水平电场强度增强效果。
具体地，等腰梯形的高可以为1微米-3微米。高度过小，不能使两个像素电极中间位置处电场水平方向的分量获得足够的增强；高度过大，会导致阵列基板过厚。
图7是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，参见图7，该阵列基板与图5的阵列基板的不同之处在于：绝缘块1032在垂直于绝缘块1032的长度方向上的截面为梯形，第二像素电极202覆盖在梯形的顶面和侧面上。
进一步地，绝缘块1032在垂直于绝缘块1032的长度方向上的截面为等腰梯形。
具体地，等腰梯形的底角可以为75-85度。
具体地，等腰梯形的高可以为1微米-3微米。等腰梯形的高度过小，不能使两个像素电极中间位置处电场水平方向的分量获得足够的增强；高度过大，会导致阵列基板过厚。
在本发明实施例中，绝缘块1032可以为树脂块。采用树脂材料，不仅绝缘性能好，且透光性能好。当然在其他实施例中，绝缘块1032也可以采用其他绝缘材料制成，例如氮化硅、氮氧化硅等。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括图1～图7提供的阵列基板。
在具体实施时，本发明实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本发明中，通过将电极层中的第二电极设置成比第一电极高，从而使得第二电极和第一电极间的水平电场发生倾斜，倾斜后，第二电极和第一电极的间隔区域的中间位置处电场水平方向的分量相对于水平电场而言变强，使得两个电极中间位置对应的液晶偏转角度增大，从而提高了两个电极中间位置光透过率。
图8是本发明实施例还提供的一种阵列基板制作方法的流程图，参见图8，方法包括：
步骤301：制作基板。
步骤302：在基板上形成电极层，电极层包括多个第一电极和多个第二电极，多个第一电极和多个第二电极交替间隔设置在基板上，且任一第二电极的高度大于任一第一电极的高度；第一电极和第二电极的极性相反。
本实施例提供的上述阵列基板制作方法适用于ADS型液晶显示面板的阵列基板制作，当该阵列基板制作方法用于制作ADS型液晶显示面板的阵列基板时，上述第一电极和第二电极均为像素电极。
在具体实现时，可以通过设计支撑物(具体可以是后文中的凸台或绝缘块)使第二电极的高度大于第一电极的高度，具体参见后文图9～图10提供的阵列基板制作方法。
在具体实现时，还可以通过增大第二电极的厚度(第二电极的厚度大于第一电极的厚度)，使得第二电极的高度大于第一电极的高度。
除此之外，本实施例提供的上述阵列基板制作方法还可以适用于其他类型的显示面板的阵列基板制作，例如平面转换(In-PlaneSwitching，简称IPS)型液晶显示面板，当该阵列基板制作方法用于制作IPS型液晶显示面板的阵列基板时，上述第一电极为像素电极，第二电极为公共电极；或者，第一电极为公共电极，第二电极为像素电极。
在具体实现时，同样可以采用设计支撑物或者增大第二电极的厚度的方式，使得第二电极的高度大于第一电极的高度，这里不再赘述。
在本发明中，通过将电极层中的第二电极设置成比第一电极高，从而使得第二电极和第一电极间的水平电场发生倾斜，倾斜后，第二电极和第一电极的间隔区域的中间位置处电场水平方向的分量相对于水平电场而言变强，使得两个电极中间位置对应的液晶偏转角度增大，从而提高了两个电极中间位置光透过率。
图9是本发明实施例还提供的另一种阵列基板制作方法的流程图，参见图9，方法包括：
步骤401：在衬底基板上制作公共电极层。
如图10所示，在衬底基板101上制作公共电极层102。
其中，衬底基板可以是玻璃基板，公共电极层可以为ITO薄膜层。
步骤402：在公共电极层上制作子绝缘层。
如图11所示，在公共电极层102上制作子绝缘层1031。
其中，子绝缘层可以为氮化硅或氮氧化硅层。
步骤403：在子绝缘层上制作多个平行间隔设置的长条形绝缘块。
如图12或图11所示，在子绝缘层1031上制作多个绝缘块1032。
其中，绝缘块可以为树脂块。采用树脂材料，不仅绝缘性能好，且透光性能好。当然在其他实施例中，绝缘块也可以采用其他绝缘材料制成，例如氮化硅、氮氧化硅等。
步骤404：在绝缘层上制作像素电极层，像素电极层包括多个第一像素电极和多个第二像素电极，多个第一像素电极和多个第二像素电极交替间隔设置在绝缘层上，多个第一像素电极设置在子绝缘层上，多个第二像素电极分别设置在多个绝缘块上，且每个绝缘块上设置一个第二像素电极。
如图13所示，在本发明实施例的一种实现方式中，绝缘块1032在垂直于绝缘块1032的长度方向上的截面为矩形，在该实现方式中，第二像素电极202覆盖在绝缘块1032的顶面上，如图5所示。
如图12所示，在本发明实施例的另一种实现方式中，绝缘块1032在垂直于绝缘块1032的长度方向上的截面为梯形，在该实现方式中，第二像素电极202覆盖在绝缘块1032的顶面和侧面上，如图7所示。
具体地，绝缘块在垂直于绝缘块的长度方向上的截面为等腰梯形。
其中，等腰梯形的底角可以为75-85度。
其中，等腰梯形的高可以为1微米-3微米。等腰梯形的高度过小，不能使两个像素电极中间位置处电场水平方向的分量获得足够的增强；高度过大，会导致阵列基板过厚。
本实施例中，像素电极层可以为ITO薄膜层。
在本发明中，通过将像素电极层中的第二像素电极设置成比第一像素电极高，从而使得第二像素电极和第一像素电极间的水平电场发生倾斜，倾斜后，第二像素电极和第一像素电极的间隔区域的中间位置处电场水平方向的分量相对于水平电场而言变强，使得两个像素电极中间位置对应的液晶偏转角度增大，从而提高了两个像素电极中间位置光透过率。
图14是本发明实施例还提供的另一种阵列基板制作方法的流程图，该制作方法与图9提供的方法的区别在于制作绝缘层的步骤不同，参见图14，方法包括：
步骤501：在衬底基板上制作公共电极层。
如图10所示，在衬底基板101上制作公共电极层102。
步骤502：在公共电极层上沉积绝缘层。
如图15所示，在公共电极层102上沉积绝缘层103。
步骤503：通过构图工艺在绝缘层上形成多个平行间隔设置的长条形凸台。
如图16或图15所示，通过构图工艺在绝缘层103上形成多个凸台103A。
步骤404：在绝缘层上制作像素电极层，像素电极层包括多个第一像素电极和多个第二像素电极，多个第一像素电极和多个第二像素电极交替间隔设置在绝缘层上，且多个第一电极设置在多个凸台之间，多个第二像素电极分别设置在多个凸台上，且每个凸台上设置一个第二像素电极。
如图17所示，在本发明实施例的一种实现方式中，凸台103A在垂直于凸台103A的长度方向上的截面为矩形，在该实现方式中，第二像素电极202覆盖在凸台103A的顶面上，如图2所示。
如图16所示，在本发明实施例的另一种实现方式中，凸台103A在垂直于凸台103A的长度方向上的截面为梯形，在该实现方式中，第二像素电极202覆盖在凸台103A的顶面和侧面上，如图6所示。
进一步地，凸台在垂直于凸台的长度方向上的截面为等腰梯形。
具体地，等腰梯形的底角可以为75-85度。
具体地，等腰梯形的高可以为1微米-3微米。等腰梯形的高度过小，不能使两个像素电极中间位置处电场水平方向的分量获得足够的增强；高度过大，会导致阵列基板过厚。
在本发明中，通过将像素电极层中的第二像素电极设置成比第一像素电极高，从而使得第二像素电极和第一像素电极间的水平电场发生倾斜，倾斜后，第二像素电极和第一像素电极的间隔区域的中间位置处电场水平方向的分量相对于水平电场而言变强，使得两个像素电极中间位置对应的液晶偏转角度增大，从而提高了两个像素电极中间位置光透过率。
以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (15)
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板和设置在所述基板上的电极层，所述电极层包括多个第一电极和多个第二电极，所述多个第一电极和所述多个第二电极交替间隔设置在所述基板上，且任一所述第二电极的高度大于任一所述第一电极的高度；所述第一电极和所述第二电极的极性相反。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基板包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的公共电极层、设置在所述公共电极层上的绝缘层，所述电极层设置在所述绝缘层上，所述第一电极和所述第二电极为像素电极。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括：子绝缘层和设置在所述子绝缘层上的多个平行间隔设置的长条形绝缘块；所述多个第一电极设置在所述子绝缘层上，所述多个第二电极分别设置在多个绝缘块上，且每个所述绝缘块上设置一个所述第二电极。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极覆盖在所述绝缘块的顶面上。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘块在垂直于所述绝缘块的长度方向上的截面为梯形，所述第二电极覆盖在所述绝缘块的顶面和侧面上。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘块在垂直于所述绝缘块的长度方向上的截面为等腰梯形。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述等腰梯形的底角为75-85度。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述等腰梯形的高为1微米-3微米。
9.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘块为树脂块。
10.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括多个平行间隔设置的长条形凸台，所述多个第一电极设置在多个凸台之间，所述多个第二电极分别设置在所述多个凸台上，且每个所述凸台上设置一个第二电极。
11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至10任一项所述的阵列基板。
12.一种阵列基板制作方法，其特征在于，所述方法包括：
制作基板；
在基板上形成电极层，所述电极层包括多个第一电极和多个第二电极，所述多个第一电极和所述多个第二电极交替间隔设置在所述基板上，且任一所述第二电极的高度大于任一所述第一电极的高度；所述第一电极和所述第二电极的极性相反。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述制作基板，包括：
在衬底基板上制作公共电极层；
在所述公共电极层上制作绝缘层，所述电极层设置在所述绝缘层上，所述第一电极和所述第二电极为像素电极。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述绝缘层包括：所述子绝缘层和设置在所述子绝缘层上的多个平行间隔设置的长条形绝缘块，所述在所述公共电极层作绝缘层，包括：
在所述公共电极层上制作子绝缘层；
在所述子绝缘层上制作多个绝缘块；
所述多个第一电极设置在所述子绝缘层上，所述多个第二电极分别设置在所述多个绝缘块上，且每个所述绝缘块上设置一个所述第二电极。
15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述在所述公共电极层作绝缘层，包括：
在所述公共电极层上沉积绝缘层；
通过构图工艺在所述绝缘层上形成多个平行间隔设置的长条形凸台，所述多个第一电极设置在多个凸台之间，所述多个第二电极分别设置在所述多个凸台上，且每个所述凸台上设置一个第二电极。
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|---|---|
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106647057A (zh) * | 2016-12-22 | 2017-05-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板、彩膜基板及液晶面板 |
| CN107544183A (zh) * | 2017-09-20 | 2018-01-05 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种液晶显示装置 |
| CN107656407A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| CN107664880A (zh) * | 2017-09-20 | 2018-02-06 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种液晶显示装置 |
| CN108345153A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-07-31 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示装置及其制作方法 |
| WO2018205647A1 (zh) * | 2017-05-12 | 2018-11-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
| CN109324449A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-02-12 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示装置及其驱动方法 |
| CN109445214A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-03-08 | 昆山龙腾光电有限公司 | 阵列基板及制作方法和液晶显示面板 |
| WO2019056678A1 (zh) * | 2017-09-20 | 2019-03-28 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种液晶显示装置 |
| CN111708229A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN112631027A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-09 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法和显示装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090153761A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-18 | Hong-Jo Park | Display device |
| CN102736329A (zh) * | 2011-04-05 | 2012-10-17 | 株式会社日立显示器 | 液晶显示装置 |
| CN102830560A (zh) * | 2012-08-27 | 2012-12-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法 |
| CN102854671A (zh) * | 2012-08-14 | 2013-01-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶显示装置 |
| CN103018979A (zh) * | 2012-12-21 | 2013-04-03 | 昆山龙腾光电有限公司 | 蓝相液晶显示装置 |
| CN103926752A (zh) * | 2013-07-30 | 2014-07-16 | 上海中航光电子有限公司 | 一种液晶显示器、平面转换模式的阵列基板及其制造方法 |
| CN103984161A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-08-13 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置 |
| CN105204246A (zh) * | 2015-10-29 | 2015-12-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | 半透半反式液晶显示面板 |
-
2016
- 2016-05-30 CN CN201610369998.1A patent/CN105824158A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090153761A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-18 | Hong-Jo Park | Display device |
| CN102736329A (zh) * | 2011-04-05 | 2012-10-17 | 株式会社日立显示器 | 液晶显示装置 |
| CN102854671A (zh) * | 2012-08-14 | 2013-01-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶显示装置 |
| CN102830560A (zh) * | 2012-08-27 | 2012-12-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法 |
| CN103018979A (zh) * | 2012-12-21 | 2013-04-03 | 昆山龙腾光电有限公司 | 蓝相液晶显示装置 |
| CN103926752A (zh) * | 2013-07-30 | 2014-07-16 | 上海中航光电子有限公司 | 一种液晶显示器、平面转换模式的阵列基板及其制造方法 |
| CN103984161A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-08-13 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置 |
| CN105204246A (zh) * | 2015-10-29 | 2015-12-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | 半透半反式液晶显示面板 |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106647057A (zh) * | 2016-12-22 | 2017-05-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板、彩膜基板及液晶面板 |
| WO2018205647A1 (zh) * | 2017-05-12 | 2018-11-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
| US11409168B2 (en) | 2017-05-12 | 2022-08-09 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, display panel and display device |
| WO2019056678A1 (zh) * | 2017-09-20 | 2019-03-28 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种液晶显示装置 |
| CN107544183A (zh) * | 2017-09-20 | 2018-01-05 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种液晶显示装置 |
| CN107664880A (zh) * | 2017-09-20 | 2018-02-06 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种液晶显示装置 |
| CN107664880B (zh) * | 2017-09-20 | 2018-09-14 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种液晶显示装置 |
| CN107656407A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| CN107656407B (zh) * | 2017-09-28 | 2020-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| CN108345153A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-07-31 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示装置及其制作方法 |
| CN108345153B (zh) * | 2018-03-21 | 2020-12-29 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 液晶显示装置及其制作方法 |
| CN109324449B (zh) * | 2018-11-15 | 2021-06-22 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 液晶显示装置及其驱动方法 |
| CN109324449A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-02-12 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示装置及其驱动方法 |
| CN109445214A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-03-08 | 昆山龙腾光电有限公司 | 阵列基板及制作方法和液晶显示面板 |
| CN109445214B (zh) * | 2018-12-13 | 2021-09-21 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 阵列基板及制作方法和液晶显示面板 |
| CN111708229A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN112631027A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-09 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法和显示装置 |
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