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CN105785639A - 低反射金属结构、显示面板及其制作方法 - Google Patents

低反射金属结构、显示面板及其制作方法 Download PDF

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CN105785639A
CN105785639A CN201610331716.9A CN201610331716A CN105785639A CN 105785639 A CN105785639 A CN 105785639A CN 201610331716 A CN201610331716 A CN 201610331716A CN 105785639 A CN105785639 A CN 105785639A
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CN
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reflection
patterned
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CN201610331716.9A
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王硕宏
林巧雯
张家铭
林俊男
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AUO Corp
Original Assignee
AU Optronics Corp
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Publication date
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Abstract

本发明提供一种低反射金属结构、显示面板及其制作方法，其中，制作低反射金属层的方法，包括下列步骤。于金属层的上及/或下形成一低反射层，其中低反射层包括一金属氧化物层或一金属氮氧化物层。对低反射层与金属层进行一图案化工艺，以同时形成一图案化低反射层以及一图案化金属层。

Description

低反射金属结构、显示面板及其制作方法
技术领域
本发明关于一种低反射金属结构及其制作方法，尤指一种具有低反射金属结构的显示面板及其制作方法。
背景技术
液晶显示面板由于具有外型轻薄、耗电量少以及应用范围广等特性，故已成为目前显示器的主流商品。由于液晶显示面板内的金属结构例如导线会反射外界的光线，造成用户在使用液晶显示面板时会看到液晶显示面板的内部导线，因此目前常见的作法是在液晶显示面板内设置黑色矩阵层，以防止导线反射外界光线的情形发生。然而，黑色矩阵层的设置会造成液晶显示面板的开口率下降，使得显示亮度降低。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种低反射金属结构、显示面板及其制作方法，以减少金属结构的可视性并提升显示面板的开口率。
为达上述的目的，本发明提供一种制作低反射金属结构的方法。首先，提供第一基板。然后，于第一基板上形成金属层。接着，于金属层上及/或下形成低反射层，其中低反射层包括金属氧化物层或金属氮氧化物层。随后，对低反射层与金属层进行图案化工艺，以形成图案化低反射层以及图案化金属层。
其中，于该金属层上及/或下形成该低反射层的步骤包括进行一反应性溅镀工艺步骤。
其中，该制作低反射金属结构的方法，另包括：
于该金属层上及/或下形成该低反射层时，同时于该第一基板与该图案化低反射层之间，或该金属层与该低反射层之间形成一接口层；以及
利用该图案化工艺一并对该接口层进行图案化。
其中，该接口层的材料包括金属氧化物或金属氮氧化物。
其中，于该金属层上形成该低反射层时，该图案化低反射层仅覆盖该图案化金属层的顶表面而未覆盖该图案化金属层的侧表面。
其中，该图案化低反射层的厚度介于之间。
其中，该图案化金属层具有一迭合结构，包括一底金属层以及一顶金属层位于该底金属层上。
其中，该底金属层的厚度介于之间，且该顶金属层的厚度介于之间。
其中，该图案化低反射层的反射率介于2％至20％之间。
其中，该金属氧化物层中氧的含量原子百分比介于5％至50％之间。
其中，该金属氧化物层包括一钼氧化物层或一钼钽氧化物层。
其中，该金属氮氧化物层中氧的含量原子百分比介于5％至50％之间，且该金属氮氧化物层中氮的含量介于1％至10％之间。
其中，该金属氮氧化物层包括一钼氮氧化物层或一钼钽氮氧化物层。
其中，该图案化金属层的侧表面与底表面之间具有一夹角，且该夹角介于10度至80度之间。
其中，该低反射层为非晶相。
其中，另包括在形成该金属层与该低反射层之前，先于该第一基板上形成一薄膜层，且该薄膜层为硅薄膜、硅氧化合物薄膜或硅氮化合物薄膜的单层或多层结构。
为达上述的目的，本发明又提供一种制作显示面板的方法。首先，进行上述的制作低反射金属结构的方法。然后，于第一基板上形成多个像素结构。接着，于第一基板上形成第二基板。随后，于第一基板与第二基板之间形成显示介质层。
为达上述的目的，本发明另提供一种低反射金属结构，包括第一基板、图案化金属层以及图案化低反射层。图案化金属层设置于第一基板上。图案化低反射层设置于图案化金属层上及/或下。
其中，该图案化低反射层设置于该图案化金属层上时，该图案化低反射层仅覆盖该图案化金属层的顶表面而未覆盖该图案化金属层的侧表面。
其中，该图案化低反射层的厚度介于之间。
其中，该图案化金属层具有一迭合结构，其包括一底金属层以及一顶金属层位于该底金属层上。
其中，该底金属层的厚度介于之间，且该顶金属层的厚度介于之间。
其中，该图案化低反射层的反射率介于2％至20％之间。
其中，该图案化低反射层包括一金属氧化物层或一金属氮氧化物层。
其中，该金属氧化物层中氧的含量原子百分比介于5％至50％之间。
其中，该金属氧化物层包括一钼氧化物层或一钼钽氧化物层。
其中，该金属氮氧化物层中氧的含量原子百分比介于5％至50％之间，且该金属氮氧化物层中氮的含量介于1％至10％之间。
其中，该金属氮氧化物层包括一钼氮氧化物层或一钼钽氮氧化物层。
其中，该图案化金属层的侧表面与底表面之间具有一夹角，且该夹角介于10度至80度之间。
其中，另包括一接口层，设置于该第一基板与该图案化低反射层之间，或该图案化金属层与该图案化低反射层之间。
其中，该接口层的材料包括金属氧化物或金属氮氧化物。
其中，该图案化低反射层为非晶相。
为达上述的目的，本发明更提供一种显示面板，包括上述的低反射金属结构、多个像素结构、第二基板以及显示介质层。多个像素结构设置于第一基板上。第二基板设置于第一基板上。显示介质层设置于第一基板与第二基板之间。
其中，该显示面板包括一彩色滤光片，设置于该第一基板上或该第二基板上。
其中，该图案化金属层包括一栅极线、一栅极、一共通线、一数据线、一源极或一漏极的其中至少一者。
本发明的低反射金属结构、显示面板及其制作方法于图案化金属层上及/或下设置图案化低反射层，使得图案化金属层受到遮蔽而降低反射外界光线，借此取代现有技术的黑色矩阵层。由于本发明的显示面板及其制作方法不需要设置黑色矩阵层，因此相较于现有技术的显示面板而言可有效提升显示面板的开口率并同时减少一道光掩模工艺，进而降低工艺复杂度以及工艺成本。
附图说明
图1至图4为本发明的第一实施例的制作低反射金属结构的方法的示意图。
图5为本发明的第二实施例的低反射金属结构的剖面示意图。
图6为本发明的第三实施例的低反射金属结构的剖面示意图。
图7A为本发明的第四实施例的低反射金属结构的剖面示意图。
图7B为金属层和第一基板的间无接口层的穿透式电子显微镜图。
图7C为金属层和第一基板的间有接口层的穿透式电子显微镜图。
图7D为拍摄图7B所示结构的显示器所显示的黑画面颜色。
图7E为拍摄图7C所示结构的显示器所显示的黑画面颜色。
图7F为图7B所示结构于不同波长下与反射率的关系图。
图7G为图7C所示结构于不同波长下与反射率的关系图。
图7H为本发明的第四实施例的低反射金属结构的变化实施例的剖面示意图。
图8为本发明的第五实施例的低反射金属结构的剖面示意图。
图9为本发明的一实施例的显示面板的上视图。
图10为沿图9中A-A’剖线所绘示的剖面示意图。
图11为沿图9中B-B’剖线所绘示的剖面示意图。
其中，附图标记：
C接触窗CE共通电极
CH通道层CL共通线
D漏极D1、D2、D3厚度
DL数据线G栅极
GI栅极绝缘层GL栅极线
M显示介质层P像素结构
PE像素电极R反应性溅镀工艺
S源极S1第一基板
S2第二基板TFT薄膜晶体管
θ夹角10金属层
12图案化金属层12B底金属层
12L底表面12S侧表面
12T顶金属层12U顶表面
14,14’界面层20,20’低反射层
22,22’图案化低反射层30保护层
24薄膜层
具体实施方式
为使本领域技术人员能更进一步了解本发明，下文特举本发明的较佳实施例，并配合所附图式，详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。
请参考图1至图4，图1至图4为本发明的第一实施例的制作低反射金属结构的方法的示意图。如图1所示，首先，提供一第一基板S1，第一基板S1的材质可为塑料、玻璃、或其他适合材料。接着，如图2所示，于第一基板S1上形成一金属层10，金属层10较佳系由导电性较佳的材料例如金属材料所形成，举例而言，金属材料可包括铝、铜、银、钛、钼、钽、铌或钕的其中至少一者、上述材料的金属复合层、上述材料的合金或其他适合的金属导电材料。于本实施例中，金属层10系为单层金属层，但本发明不以此为限，金属层10亦可为金属材料的迭合结构，或其它材料与金属材料的迭合结构。然后，如图3所示，于金属层10上形成一低反射层20，其中低反射层20包括一金属氧化物层或一金属氮氧化物层。随后，如图4所示，对低反射层20与金属层10进行一图案化工艺，以形成一图案化低反射层22以及一图案化金属层12。精确而言，图案化低反射层22可选择性形成并覆盖图案化金属层12的顶表面12U，而未覆盖图案化金属层12的侧表面，但本发明不以此为限，在变化实施例中，图案化低反射层22亦可形成于图案化金属层12的底表面12L(图4未绘示出设置于图案化金属层12的底表面12L下的图案化低反射层22)，或是图案化金属层12的顶表面12U及底表面12L都有覆盖图案化低反射层22。
具体来说，于金属层10上形成低反射层20的步骤包括进行物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,PVD)工艺，包括反应性溅镀(reactivesputtering)及非反应性溅镀(non-reactivesputtering)。当等离子轰击靶材时，于反应室中通入特定反应气体，使得反应气体与靶材进行化学反应，以形成覆盖金属层10的低反射层20。当通入的反应气体为氧气时，则会形成金属氧化物层的低反射层20，当通入的反应气体为氮气与氧气的混合气体时，则会形成金属氮氧化物层的低反射层20。金属氧化物层或金属氮氧化物层中的金属材料可包括钽、银、钛、钼、锌或铌的其中至少一者、上述材料的合金或其他适合的金属材料。举例而言，金属氧化物层可包括钼氧化物层或钼钽氧化物层，且金属氧化物层中氧的含量系介于5％至50％之间，但本发明不以此为限。金属氮氧化物层可包括钼氮氧化物层或钼钽氮氧化物层，且金属氮氧化物层中氧的原子百分比(atomicpercent)含量系介于5％至50％之间，且金属氮氧化物层中氮的含量系介于1％至10％之间，但本发明不以此为限。此外，由于低反射层20可利用物理气相沉积工艺所形成，因此低反射层20的结构除了结晶相(crystallinephase)外，也可能为非晶相(amorphousphase)结构。相较于结晶相而言，非晶相的低反射层20具有一均质结构(homogeneousstructure)，以及更佳的耐久性(durablity)，可避免位于其下方的金属层10氧化，并使得金属层10与低反射层20不易在后续工艺中受到损伤而造成其性质改变。
请继续参考图4，图案化金属层12的侧表面12S与底表面12L之间具有一夹角θ，且夹角θ介于10度至80度之间。当夹角θ越大时，图案化金属层12的侧表面12S越陡，因此在垂直投影的观察方向上，较不容易观察到图案化金属层12及侧表面12S所反射的光线，使得用户无法察觉显示面板内部的图案化金属层12，达到良好的遮光效果。进一步而言，因图案化低反射层22系于低反射层20以及金属层10同时进行图案化工艺后而产生，因此可借由图案化工艺来调整夹角θ的大小，举例来说，夹角θ可因图案化金属层12厚度的不同而改变。相较于利用加热工艺而产生的图案化低反射层而言，其图案化低反射层系于金属层经图案化工艺后才形成，因此图案化低反射层无法在其形成的过程中调整图案化金属层的夹角的角度，而本发明的低反射层20以及金属层10系同时进行图案化工艺，因此可借由改变低反射层20以及金属层10的厚度而调整夹角θ的大小，进而使低反射金属结构符合后续工艺所需的规格。另外，相较于现有技术技术，本发明的低反射金属结构可于单一图案化工艺中形成，故本发明的制作低反射金属结构的方法具有降低工艺复杂度以及工艺成本的效果。
此外，图案化低反射层22系由低反射层20经图案化工艺后所得，因此图案化低反射层22包括金属氧化物层或金属氮氧化物层，其中金属氧化物层与金属氮氧化物层均具有良好的低反射效果。举例而言，金属氧化物层中氧的含量，其原子百分比(atomicpercent)系介于5％至50％之间，但本发明不以此为限。金属氮氧化物层中氧的含量系介于5％至50％之间，且金属氮氧化物层中氮的含量系介于1％至10％之间，但本发明不以此为限。进一步而言，适当控制金属氧化物层或金属氮氧化物层中氧的含量以及调整夹角θ的大小，可使得图案化低反射层22具有较佳的低反射效果，因此图案化金属层12会遮蔽并降低反射外界光线，故可取代现有技术设置黑色矩阵层的作法。
下文将依序介绍本发明的其它实施例的显示面板及其制作方法，且为了便于比较各实施例的相异处并简化说明，在下文的各实施例中使用相同的符号标注相同的组件，且主要针对各实施例的相异处进行说明，而不再对重复部分进行赘述。
请参考图5。图5为本发明的第二实施例的低反射金属结构的剖面示意图。如图5所示，本实施例与第一实施例的不同之处在于，于本实施例中，图案化金属层12具有迭合结构，包括底金属层12B以及顶金属层12T位于底金属层12B上，其中顶金属层12T较佳系由导电性较佳的材料例如金属材料所形成，金属材料可包括铝、铜、银、钛、钼、钽、铌或钕的其中至少一者、上述材料的合金或其他适合的金属导电材料。底金属层12B较佳为有助于将顶金属层12T附着于第一基板S1的金属材料，上述的金属材料可包括铝、银、钛、钼、钽、铌或钕的其中至少一者、上述材料的合金或其他适合的金属材料。举例而言，顶金属层12T可为铜(Cu)、铝(Al)或铝钕合金(AlNd)，而底金属层12B可为钼(Mo)以增加顶金属层12T的附着力，但本发明不以此为限。此外，底金属层12B的厚度D1系介于之间，且顶金属层12T的厚度D2系介于之间，但本发明不以此为限，而图案化低反射层22的厚度D3系介于之间，但本发明不以此为限，而可视设计需求更改其厚度。此外，图案化低反射层22的反射率随其厚度而变化，当图案化低反射层22的厚度D3介于之间时，图案化低反射层22的反射率(于可见光下)可介于2％至20％之间，因此图案化低反射层22可以有效地吸收光线并降低图案化金属层12的反射效果，所以图案化低反射层22可作为遮光图案层并进一步取代黑色矩阵层。
请参考图6，图6为本发明的第三实施例的低反射金属结构的剖面示意图。如图6所示，本实施例与第二实施例的不同之处在于，于金属层10上形成低反射层20时，可借由同步调控氧气的流量，而同时于金属层10与低反射层20之间自行反应生成一层极薄的接口层(interlayer)14，然后，再利用图案化工艺一并对金属层10、低反射层20以及接口层14进行图案化，以形成图案化金属层12、图案化低反射层22以及图案化的接口层14。接口层14的材料可包括金属氧化物或金属氮氧化物，且金属氧化物层或金属氮氧化物层中的金属材料可包括钽、钼、铌、铟、锡、锌或镓的其中至少一者或其合金，或为其他适合的金属材料，但本发明不以此为限。举例而言，金属氧化物层可包括铟锡氧化物层(ITO)或铟镓锌氧化物层(IGZO)。其中，接口层14的存在有助于吸收光线，因此可进一步降低图案化金属层12的反射效果，故可使图案化低反射层22发挥较佳地遮光效果并进一步取代黑色矩阵层。
另外，于低反射层20与金属层10之间，更可以形成由金属氧化物或金属氮氧化物的所堆栈而成的多层结构(图未示)，以达到进一步降低图案化金属层12反射率的效果。举例来说，于金属层10形成之后，可另沉积一层金属氧化物层或金属氮氧化物层或由金属氧化物或金属氮氧化物的所堆栈而成的多层结构(图未示)于金属层10上，接着再继续形成低反射层20于金属氧化物层或金属氮氧化物层上，然后再利用图案化工艺一并对金属层10、低反射层20、金属氧化物层或金属氮氧化物层以及接口层14进行图案化。因由金属氧化物或金属氮氧化物的所堆栈而成的多层结构与接口层14同样具有降低图案化金属层12的反射效果，因此可进一步降低图案化金属层12的反射，故可使图案化低反射层22发挥较佳地遮光效果并进一步取代黑色矩阵层。
请参考图7A，图7A为本发明的第四实施例的低反射金属结构的剖面示意图。本实施例与第三实施例的不同之处在于，本实施例系于金属层10下形成低反射层20’，亦即在形成金属层10之前先形成低反射层20’，并且在形成低反射层20’时，可选择性地借由调控氧气的流量，使得低反射层20’与第一基板S1之间自行反应生成一层极薄的接口层14’，然后，再利用图案化工艺一并对金属层10、低反射层20’以及接口层14’进行图案化，以形成图案化金属层12、图案化低反射层22’以及图案化的接口层14’，如图7A所示。图案化低反射层22’的材料较佳可与图案化低反射层22的材料相同，且接口层14’的材料较佳可与接口层14的材料相同，但本发明不以此为限。在一变化实施例中，于金属层10下形成低反射层20’时，可选择性地不于金属层10与低反射层20’之间形成接口层。在另一变化实施例中，本发明可在形成金属层10之前先形成低反射层20’，并且在形成低反射层20’时，可选择性地借由调控氧气的流量，使得低反射层20’与第一基板S1之间自行反应生成一层极薄的接口层14，如图7C所示。
请参考图7B至图7G，图7B为金属层10和第一基板S1之间无接口层14的穿透式电子显微镜(TransmissionElectronMicroscopy；TEM)图，而图7C为金属层10和第一基板S1之间具有接口层14的穿透式电子显微镜图，图7D及图7E为分别拍摄图7B所示结构以及图7C所示结构的显示器所显示的黑画面状态，图7F则为图7B所示结构于不同波长(可见光波段)下与反射率的关系图，而图7G为图7C所示结构于不同波长(可见光段)下与反射率的关系图。比较图7D和图7E可以发现若结构中无接口层14(如图7B所示结构)，则无法达到良好的遮光效果(如图7D)，因此在黑画面时所显示的状态，无法呈现如图7E所显现的黑色，而例如会呈现偏红色。另外，由图7F及图7G的结果可知，若有界面层14时(如图7C所示结构)，在长波长的范围(例如约600nm以上)时，其反射率会较无接口层14(如图7B所示结构)时低，因此具有较佳的遮光效果。
请参考图7H，图7H为本发明第四实施例的低反射金属结构的变化实施例的剖面示意图。在本发明的第四实施例的低反射金属结构的架构下，甚至可以利用化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)工艺，先于第一基板S1上形成薄膜层24，之后再形成低反射层20’与金属层10，其中薄膜层24可以为硅薄膜、硅氧化合物薄膜或硅氮化合物薄膜的单层或多层结构，例如：硅(Si)、氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)，例如图7H所示的薄膜层24，但本发明不以此为限，之后再形成低反射层20’或金属层10，此作法可以进一步降低图案化低反射层22’或图案化金属层12的反射，并增进整体低反射金属结构的一致性(Uniformity)，故可发挥更佳的遮光效果。需注意的是，因薄膜层24不需要图案化，因此薄膜层24的形成不会造成工艺复杂度。
请参考图8，图8为本发明的第五实施例的低反射金属结构的剖面示意图。如图8所示，本实施例与第三实施例的不同之处在于，于金属层10上形成低反射层20时，同时于金属层10下形成低反射层20’，并借由调控氧气的流量，同时于金属层10与低反射层20之间以及金属层10与低反射层20’之间自行反应生成极薄的接口层14、14’，然后，再利用图案化工艺一并对金属层10、低反射层20、20’以及接口层14、14’进行图案化，以形成图案化金属层12、图案化低反射层22、22’以及图案化的接口层14、14’。低反射层20’的材料较佳可与低反射层20的材料相同，且接口层14’的材料较佳可与接口层14的材料相同，但本发明不以此为限。因接口层14’与接口层14同样具有降低图案化金属层12的反射效果，因此可进一步降低图案化金属层12的反射，故可使图案化低反射层22发挥较佳地遮光效果并进一步取代黑色矩阵层。
请参考图9至图11并同时参考图2至图6。图9为本发明的一实施例的显示面板的上视图。图10为沿图9中A-A’剖线所绘示的剖面示意图。图11为沿图9中B-B’剖线所绘示的剖面示意图。如图9至图11所示，本实施例系揭示一种制作显示面板的方法，包括进行前述的制作低反射金属结构的步骤，以形成图案化金属层12以及其上及/或下的图案化低反射层22，并于第一基板S1上形成多个像素结构P。图10及图11的图案化低反射层22设置在图案化金属层12的上方，系为本发明的示范实施例，本发明不以此为限，图案化低反射层22设置于图案化金属层12的上及/或下，皆属于本发明的范围。具体来说，图案化金属层12可包括栅极线GL、栅极G、共通线CL、数据线DL、源极S、漏极D或任何线路的其中至少一者。举例而言，当图案化金属层12为栅极线GL、栅极G与共通线CL，则其上会形成有图案化低反射层22；当图案化金属层12为数据线DL、源极S、漏极D或任何线路，则其上会形成有图案化低反射层22。本发明的图案化金属层12不以上述组件为限而可为第一基板S1上的任何金属结构。在本实施例中，栅极线GL、栅极G、共通线CL、数据线DL、源极S、漏极D或任何线路上皆具有图案化低反射层22，因此栅极线GL、栅极G、共通线CL、数据线DL、源极S、漏极D或任何线路会受到遮蔽而不会反射外界光线。
在本实施例中，像素结构P可包括薄膜晶体管TFT、共通电极CE以及像素电极PE，其中薄膜晶体管TFT包括栅极G、源极S、漏极D、栅极绝缘层GI以及通道层CH。在本实施例中，薄膜晶体管TFT系为底栅极型薄膜晶体管，但本发明不以此为限，薄膜晶体管TFT也可以是顶栅极型薄膜晶体管或其他类型的薄膜晶体管。具体来说，薄膜晶体管TFT的栅极G系与栅极线GL电性连接，薄膜晶体管TFT的源极S系与数据线DL电性连接。此外，像素电极PE借由接触窗C与薄膜晶体管TFT的漏极D电性连接。在本实施例中，栅极线GL与数据线DL之间以及共通线CL与数据线DL之间设置有栅极绝缘层GI，以电性绝缘栅极线GL与数据线DL以及共通线CL与数据线DL。此外，像素电极PE和共通电极CE之间亦设有保护层30。另外，本发明提供显示面板的光源时，其光线经过显示面板的顺序可以是：先经过具有薄膜晶体管TFT的第一基板S1再经过第二基板S2；或是先经过第二基板S2再经过具有薄膜晶体管TFT的第一基板S1。详细来说，于本实施例中，薄膜晶体管TFT系制作于光先通过的基板，但本发明不以此为限。于本发明另一实施例中，光可先经过第二基板S2，再经过具薄膜晶体管TFT的第一基板S1，其中第一基板S1上的线路具有图案化低反射层22的结构，因此可以改善显示面板的光学特性，并能达到全平面显示面板的目标，亦即本发明的显示面板可为无边框的显示面板。
随后，于第一基板S1上形成第二基板S2。然后，于第一基板S1与第二基板S2之间形成显示介质层M。第二基板S2的材质可为塑料、玻璃、或其他适合材料。第一基板S1或第二基板S2上可设置彩色滤光层(图未示)，例如COA(colorfilteronarray)结构，且彩色滤光层可包括多个彩色滤光图案(图未示)，例如：红色、绿色以及蓝色彩色滤光图案，但本发明不以此为限。显示介质层M系密封于第一基板S1与第二基板S2之间，且显示介质层M可包括液晶层、有机发光二极管(OLED)组件或电泳层(electrophoresis)，且应用范围也可涵盖触控式显示器或3D立体显示器等，但本发明不以此为限。于本实施例中，共通电极CE系设置于第二基板S2上，但本发明不以此为限，共通电极CE可选择设置于第二基板S2或第一基板S1的其中一者上。
借由在图案化金属层12上方形成图案化低反射层22，可以使得图案化低反射层22取代原本遮蔽栅极线GL、栅极G、共通线CL、数据线DL、源极S或漏极D的黑色矩阵层，因此用户无法观察到显示面板内部的金属走线。故相较于现有技术的显示面板，本实施例的显示面板的开口率可以有效地提高，且本实施例所提供的制作显示面板的方法可以省去制造黑色矩阵层的步骤，进而达到降低工艺成本的效果。
综上所述，在本发明的低反射金属结构、显示面板及其制作方法中，图案化金属层上系设置图案化低反射层，使得图案化金属层受到遮蔽而不会反射外界光线，借此减少金属结构的可视性并取代现有技术的黑色矩阵层。由于本发明的显示面板及其制作方法不需要设置黑色矩阵层，因此相较于现有技术的显示面板而言可有效提升显示面板的开口率并同时减少一道光掩模工艺，进而降低工艺复杂度以及工艺成本。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (36)

1.一种制作低反射金属结构的方法，其特征在于，包括：
提供一第一基板；
于该第一基板上形成一金属层；
于该金属层上及/或下形成一低反射层，该低反射层包括一金属氧化物层或一金属氮氧化物层；以及
对该低反射层与该金属层进行一图案化工艺，以形成一图案化低反射层以及一图案化金属层。
2.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，于该金属层上及/或下形成该低反射层的步骤包括进行一反应性溅镀工艺步骤。
3.根据权利要求2所述的制作低反射金属结构的方法，另包括：
于该金属层上及/或下形成该低反射层时，同时于该第一基板与该图案化低反射层之间，或该金属层与该低反射层之间形成一接口层；以及
利用该图案化工艺一并对该接口层进行图案化。
4.根据权利要求3所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该接口层的材料包括金属氧化物或金属氮氧化物。
5.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，于该金属层上形成该低反射层时，该图案化低反射层仅覆盖该图案化金属层的顶表面而未覆盖该图案化金属层的侧表面。
6.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该图案化低反射层的厚度介于之间。
7.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该图案化金属层具有一迭合结构，包括一底金属层以及一顶金属层位于该底金属层上。
8.根据权利要求7所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该底金属层的厚度介于之间，且该顶金属层的厚度介于 之间。
9.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该图案化低反射层的反射率介于2％至20％之间。
10.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该金属氧化物层中氧的含量原子百分比介于5％至50％之间。
11.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该金属氧化物层包括一钼氧化物层或一钼钽氧化物层。
12.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该金属氮氧化物层中氧的含量原子百分比介于5％至50％之间，且该金属氮氧化物层中氮的含量介于1％至10％之间。
13.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该金属氮氧化物层包括一钼氮氧化物层或一钼钽氮氧化物层。
14.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该图案化金属层的侧表面与底表面之间具有一夹角，且该夹角介于10度至80度之间。
15.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该低反射层为非晶相。
16.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，另包括在形成该金属层与该低反射层之前，先于该第一基板上形成一薄膜层，且该薄膜层为硅薄膜、硅氧化合物薄膜或硅氮化合物薄膜的单层或多层结构。
17.一种制作显示面板的方法，其特征在于，包括：
进行权利要求1所述的该制作低反射金属结构的方法；
于该第一基板上形成多个像素结构；
于该第一基板上形成一第二基板；以及
于该第一基板与该第二基板之间形成一显示介质层。
18.根据权利要求17所述的制作显示面板的方法，其特征在于，该图案化金属层包括一栅极线、一栅极、一共通线、一数据线、一源极或一漏极的其中至少一者。
19.一种低反射金属结构，其特征在于，包括：
一第一基板；
一图案化金属层，设置于该第一基板上；以及
一图案化低反射层，设置于该图案化金属层上及/或下。
20.根据权利要求19所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该图案化低反射层设置于该图案化金属层上时，该图案化低反射层仅覆盖该图案化金属层的顶表面而未覆盖该图案化金属层的侧表面。
21.根据权利要求19所述的低反射金属结构，其特征在于，该图案化低反射层的厚度介于之间。
22.根据权利要求19所述的低反射金属结构，其特征在于，该图案化金属层具有一迭合结构，其包括一底金属层以及一顶金属层位于该底金属层上。
23.根据权利要求22所述的低反射金属结构，其特征在于，该底金属层的厚度介于之间，且该顶金属层的厚度介于 之间。
24.根据权利要求19所述的低反射金属结构，其特征在于，该图案化低反射层的反射率介于2％至20％之间。
25.根据权利要求19所述的低反射金属结构，其特征在于，该图案化低反射层包括一金属氧化物层或一金属氮氧化物层。
26.根据权利要求25所述的低反射金属结构，其特征在于，该金属氧化物层中氧的含量原子百分比介于5％至50％之间。
27.根据权利要求25所述的低反射金属结构，其特征在于，该金属氧化物层包括一钼氧化物层或一钼钽氧化物层。
28.根据权利要求25所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该金属氮氧化物层中氧的含量原子百分比介于5％至50％之间，且该金属氮氧化物层中氮的含量介于1％至10％之间。
29.根据权利要求25所述的低反射金属结构，其特征在于，该金属氮氧化物层包括一钼氮氧化物层或一钼钽氮氧化物层。
30.根据权利要求19所述的低反射金属结构，其特征在于，该图案化金属层的侧表面与底表面之间具有一夹角，且该夹角介于10度至80度之间。
31.根据权利要求19所述的低反射金属结构，其特征在于，另包括一接口层，设置于该第一基板与该图案化低反射层之间，或该图案化金属层与该图案化低反射层之间。
32.根据权利要求31所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该接口层的材料包括金属氧化物或金属氮氧化物。
33.根据权利要求19所述的低反射金属结构，其特征在于，该图案化低反射层为非晶相。
34.一种显示面板，其特征在于，包括：
根据权利要求19所述的该低反射金属结构；
多个像素结构，设置于该第一基板上；
一第二基板，设置于该第一基板上；以及
一显示介质层，设置于该第一基板与该第二基板之间。
35.根据权利要求34所述的显示面板，其特征在于，包括一彩色滤光片，设置于该第一基板上或该第二基板上。
36.根据权利要求34所述的显示面板，其特征在于，该图案化金属层包括一栅极线、一栅极、一共通线、一数据线、一源极或一漏极的其中至少一者。
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