CN105453191A - 导电基板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种导电基板及其制造方法。本发明的一个实施方案的制造导电基板的方法包含以下步骤：a)制备包括导电膜的基板；b)在包括导电膜的基板的前表面上形成金属层；c)在金属层上形成绝缘层图案；d)通过使用绝缘层图案作为掩模来过度蚀刻金属层而形成金属层图案；以及e)重新形成绝缘层图案。

Description

导电基板及其制造方法

技术领域

本申请要求于2013年8月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2013-0097410号的优先权和权益，其全部内容通过引证的方式纳入本说明书。

本申请涉及一种导电基板及其制备方法。

背景技术

在相关技术中，在有机发光器件、有机太阳能电池等的正极(anode)电极中，ITO主要用作主电极，并且主要使用由金属制成的辅助电极以防止由于ITO的高电阻而造成的光效率的损失等。

在形成辅助电极的方法中，辅助电极通过以下步骤形成：在基板上沉积并图案化ITO，在ITO上沉积并图案化金属，然后在金属上涂布并图案化绝缘材料。然而，由于在该方法中需要多个图案化工艺，该工艺复杂且设备投资成本增加，并因此上述方法并不是一种合理的方法。

此外，主要使用聚酰亚胺作为绝缘材料，但是为了图案化通过将绝缘材料涂布于金属上而形成的绝缘层，聚酰亚胺具有高光吸收的特性。然而，存在具有高光吸收的聚酰亚胺的透明度不足的问题。

发明内容

技术问题

本发明的目的在于提供一种制备导电基板的方法及通过该方法制备的导电基板，与相关技术中的工艺相比，本方法中工艺的数目减少且经济可行性大幅提高。

技术方案

本申请的一个实施方案提供一种制备导电基板的方法，其包括：a)提供包含导电层的基板；b)在包含导电层的基板的整个表面上形成金属层；c)在金属层上形成绝缘层图案；d)通过使用绝缘层图案作为掩模(mask)来过度蚀刻金属层而形成金属层图案；以及e)重新形成绝缘层图案。

本申请的另一实施方案提供一种导电基板，其包括：基板；在所述基板上所形成的导电图案；在所述导电图案上所形成的金属层图案；以及覆盖所述金属层图案的绝缘层图案。

有益效果

根据本申请的实施方案，没有使用用于形成设置于导电图案上的金属层图案的单独的光致抗蚀剂材料和单独的剥离溶液，并因此，不存在成本增加和环境污染的问题，并且所述方法由于与现有光刻工艺相比过程更为简单而具有经济性。此外，由于在形成设置于导电图案上的金属层图案时所用的掩模图案没有移除并且所述图案重新形成以用于使所述金属层图案绝缘，未被所述绝缘层绝缘的金属层图案是不存在的，并因此，没有留下外来物质，从而防止短路。

附图说明

图1为示意性地示出本申请的一个实施方案的制备导电基板的方法的示意图。

图2为示意性地示出本申请的另一实施方案的导电基板的示意图。

最佳实施方式

在下文中，将更详细地描述本申请。

本申请的一个实施方案的制备导电基板的方法包括a)提供包含导电层的基板；b)在包含导电层的基板的整个表面上形成金属层；c)在金属层上形成绝缘层图案；d)通过使用绝缘层图案作为掩模来过度蚀刻金属层而形成金属层图案；以及e)重新形成绝缘层图案。

本申请的一个实施方案的制备导电基板的方法示例于下图1中。然而，本申请的范围并不限于图1，且可添加额外的工艺。

在本申请的实施方案中，步骤a)为提供包含导电层的基板的步骤。导电层可为图案化导电层。此外，步骤a)可包含在基板上形成导电层以及图案化导电层。

基板的材料可根据本申请的制备导电基板的方法所应用的领域进行适当地选择，并且作为优选的实例，包括玻璃、无机材料基板、塑料基板、其他柔性基板等，但所述材料并不限于此。

导电层可包括透明导电氧化物。在本文中，所述透明导电氧化物可为包括选自铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、镓(Ga)、铈(Ce)、镉(Cd)、镁(Mg)、铍(Be)、银(Ag)、钼(Mo)、钒(V)、铜(Cu)、铱(Ir)、铑(Rh)、钌(Ru)、钨(w)、钴(Co)、镍(Ni)、锰(Mn)、铝(Al)和镧(La)中的至少一种的氧化物。

形成并图案化导电层的方法可使用选自溅射法(sputteringmethod)、电子束蒸发法(E-beamevaporationmethod)、热蒸发法(thermalevaporationmethod)、激光分子束外延法(lasermolecularbeamepitaxy(L-MBE)method)和脉冲激光沉积法(pulsedlaserdeposition(PLD)method)中的任一种物理气相沉积法(physicalvapordeposition(PVD)method)；选自热化学气相沉积法(thermalchemicalvapordepositionmethod)、等离子体增强化学气相沉积法(plasma-enhancedchemicalvapordeposition(PECVD)method)、光化学气相沉积法(lightchemicalvapordepositionmethod)、激光化学气相沉积法(laserchemicalvapordepositionmethod)、金属-有机化学气相沉积法(metal-organicchemicalvapordeposition(MOCVD)method)和氢化物气相外延法(hydridevaporphaseepitaxy(HVPE)method)中的任一种化学气相沉积法(chemicalvapordeposition)；原子层沉积法(atomiclayerdeposition(ALD)method)；光刻法(photolithographymethod)；激光等。

在本申请的实施方案中，步骤b)为在包含导电层的基板的整个表面上形成金属层的步骤。此外，步骤b)可包含在基板和图案化的导电层的整个表面上形成金属层。

所述金属层优选为单层或多层，其包括银、铝、铜、钕、钼、铬或其合金，但并不限于此。

形成金属层的方法没有特别限制，且可使用选自溅射法、电子束蒸发法、热蒸发法、激光分子束外延(L-MBE)法和脉冲激光沉积(PLD)法中的任一种物理气相沉积(PVD)法；选自热化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法、光化学气相沉积法、激光化学气相沉积法、金属-有机化学气相沉积(MOCVD)法和氢化物气相外延(HVPE)法中的任一种化学气相沉积法；或原子层沉积(ALD)法。

在本申请的实施方案中，步骤c)为在金属层上形成绝缘层图案的步骤。

形成绝缘层图案的方法可使用印刷法、光刻法、照相法(phtographymethod)、使用掩模的方法，或激光转移法，例如热转移成像法，但并不限于此。

特别地，形成绝缘层图案的方法优选为印刷法，并且印刷法可通过以所需的图案形状转移并随后烧制含绝缘材料的浆料或油墨至具有导电层的基板上而进行。转移方法没有特别限制，但图案形成于图案转移介质如凹雕(intaglio)或丝网上，并且所需的图案可通过使用所形成的图案而转移至导电层上。在图案转移介质上形成图案形状的方法可使用本领域中已知的方法。

所述印刷法没有特别限制，并且可使用诸如胶版印刷(offsetprinting)、反向胶版印刷(reverseoffsetprinting)、丝网印刷、凹版印刷(gravureprinting)等的印刷法。所述胶版印刷可通过以下步骤进行：将浆料填充至刻有图案的凹雕中，先将浆料转移至称为橡皮布(blanket)的硅橡胶上，并随后再通过使橡皮布和具有导电层的基板接触而转移浆料。所述丝网印刷可通过以下步骤进行：将浆料置于具有图案的丝网上，并随后在压橡胶滚轴时通过孔洞丝网将浆料直接置于具有导电层的基板上。所述凹版印刷可通过以下步骤进行：将刻有图案的橡皮布卷绕于辊上，在图案中填充浆料，并随后将浆料转移至具有导电层的基板上。在本申请中，所述方法可单独使用或组合使用。此外，还可使用本领域中技术人员已知的其他印刷法。

在凹版胶版印刷法或反向胶版印刷法的情况下，因为大部分油墨或浆料由于橡皮布的防粘着性(releaseproperty)而转移至具有导电层的基板上，所以不需单独的橡皮布清洁工艺。所述凹雕可通过精确地蚀刻基板而制备。所述凹雕可通过蚀刻金属板而制备，或通过用聚合物树脂进行光学图案化而制备。

在形成绝缘层图案之后，所述绝缘层图案的锥角优选为大于0℃且小于90℃，且更优选为10℃以上且70℃以下。在本文中，锥角意指绝缘层图案的末端与其下层(即金属层的表面)之间的角度。锥角可测量为从绝缘层图案的端点至使该绝缘层图案的上表面平滑的起点的具有平均正切斜率的直线与所述绝缘层图案的下层的表面之间的角度。

当绝缘层图案的锥角在所述范围内时，在步骤e)中，易于重新形成绝缘层图案，且所述绝缘层图案可充分地覆盖金属层图案。

优选通过使用除绝缘性质之外还具有不与在形成金属层图案时所用的蚀刻剂反应的耐酸性以及与导电层具有足够的粘附性的材料而形成。特别地，本申请的实施方案包括e)重新形成绝缘层图案以覆盖金属层图案，并且在步骤e)中，当使用通过进行热、溶剂、蒸气(溶剂的蒸气)或等离子体的处理而重新形成绝缘层图案的方法时，作为绝缘层材料，优选使用通过进行热、溶剂、蒸气(溶剂的蒸气)、等离子体等的处理而具有移动性和耐酸性的聚合物材料，且更优选使用具有交联性质的聚合物材料。

优选绝缘层图案的材料具有泄漏电流为10^-1amp以下的绝缘性质。绝缘层图案的材料的泄漏电流可为10^-16amp以上。绝缘层图案的材料对用于相应的方法中的金属层的蚀刻剂可具有耐酸性，并且例如，当该材料通过浸渍或喷雾法接触相应金属层的蚀刻剂时，优选该材料不改变形状持续10分钟以上。此外，绝缘层图案的材料在下述用于步骤e)的加工条件下可具有移动性。

在下述绝缘层图案的重新形成条件下优选使用具有烧制或固化性质的聚合物材料作为绝缘层图案的材料。在本申请中，作为绝缘层材料，可使用UV可固化树脂和热固性树脂。因为UV可固化树脂可不使用溶剂，这不同于热固性树脂，所以不存在溶剂蒸发的问题，并因此，有利于形成具有稳定形状的精细图案。具体而言，绝缘层图案的材料的实例可使用酰亚胺类聚合物、双酚类聚合物、环氧类聚合物、丙烯酸类聚合物、酯类聚合物、酚醛类聚合物或其组合。在这些聚合物中，优选丙烯酸、酰亚胺类或酚醛树脂。此外，绝缘层图案的材料的实例可使用酰亚胺类单体、双酚类单体、环氧类单体、丙烯酸类单体和酯类单体中的两种以上单体的共聚物或组合，例如环氧化丙烯酸树脂或环氧类单体和丙烯酸类单体的共聚物。

在通过印刷法形成绝缘层图案的情况下，可通过控制固体含量或适当地选择溶剂而提高工艺余量(processmargin)。

用于形成绝缘层图案的印刷组合物的固体含量可根据印刷方法的类别或绝缘层图案的厚度而进行不同的控制。例如，在使用凹版印刷法的情况下，绝缘层图案组合物的固体含量可为70至80重量％。此外，在通过使用反向胶版印刷法形成厚度为100nm至10μm，更优选500nm至2μm的绝缘层图案的情况下，绝缘层图案组合物的固体含量可为10至25重量％。然而，本申请的范围并不限于所述实例，且绝缘层图案组合物的固体含量可由本领域技术人员根据其他材料或工艺条件而进行控制。

作为可在绝缘层图案组合物中添加的溶剂，可使用可用于本领域中的溶剂，并且可使用单一溶剂或两种以上的溶剂的混合溶剂。例如，如果溶剂为用于印刷法中的橡皮布材料，例如，不会损害聚二甲基硅氧烷(PDMS)的溶剂，所述溶剂并没有特别限制。例如，可使用丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、乙醇、碳酸异丙烯酯、丁基溶纤剂、二甲基乙酰胺(DMAc)、甲乙酮(MEK)、甲基异丁基酮(MIBK)等。

用于形成绝缘层图案的组合物还可包括粘合促进剂、表面活性剂等。

此外，所述绝缘层图案的厚度可大于金属层图案的厚度以便绝缘层图案充分地覆盖金属层图案，但并不限于此。此外，所述绝缘层图案的宽度可由本领域技术人员根据本申请方法所应用的领域进行适当的选择，并且没有特别限制。例如，绝缘层图案的底部的宽度可具有可覆盖金属层图案的上表面和侧面的尺寸。

在本申请的实施方案中，步骤d)为通过使用绝缘层图案作为掩模来过度蚀刻金属层而形成金属层图案的步骤。

在步骤d)中，金属层图案的形成可通过使用绝缘层图案作为掩模来蚀刻金属层而进行。

蚀刻方法可为使用蚀刻剂的湿法蚀刻法或使用等离子体或激光的干法蚀刻法，但并不限于此。

在使用湿法蚀刻法的情况下，作为蚀刻剂，可使用硝酸(HNO₃)溶液、磷酸/硝酸/乙酸的混合酸溶液、过氧化氢、高氯酸、盐酸、氢氟酸和草酸中的一种或两种以上或其水溶液。如果需要，可添加用于蚀刻所需的金属层的添加剂和其他成分。然而，蚀刻剂并不限于上述实例，且可使用通常已知为相应金属层的蚀刻溶液的蚀刻剂。

在步骤d)中，当蚀刻金属层时，进行过度蚀刻，并因此，可在绝缘层图案的边缘下方形成底切(undercut)。

术语“底切”意指以下的形状：当第一层形成于基板上，第二层形成于第一层上，并随后通过使用第二层作为掩模仅对第一层进行选择性蚀刻时，第一层的侧面被过度蚀刻，并因此，第一层的区域小于第二层的区域。在本文中，术语“使用第二层作为掩模”意指第二层没有因蚀刻而变形或移除，而是保持原状。

在常规蚀刻过程中，在通过使用第二层作为掩模而蚀刻第一层的情况下，进行蚀刻以使第一层的图案具有与第二层的图案相同的形状，并防止产生底切。

然而，在本申请中，优选当为了在绝缘层图案的下方形成底切而蚀刻导电层时，金属层图案可在步骤e)中被绝缘层图案充分覆盖。此外，在为了形成所述底切而蚀刻金属层的情况下，由于所述蚀刻可充分地进行，外来物质如残余金属材料几乎不会留在其中没有形成金属层图案的基板上，并因此，具有在最终产品中不会产生诸如短路的问题的优点。

在步骤d)中，当产生底切时，绝缘层图案的宽度或长度大于金属层图案的宽度或长度，并且在该情况下，绝缘层图案的宽度或长度与金属层图案的宽度或长度之差优选大于金属层图案的厚度，且更优选比金属层图案的厚度大两倍以上。在此情况下，其原因在于所述绝缘层图案的边缘通过重新形成而向下沉以充分地覆盖金属层图案。

此外，当产生底切时，金属层图案的锥角优选为大于0°且小于90°，更优选大于0°且小于45°，且再更优选大于0°且小于30°。在本文中，锥角意指金属层图案的末端与其下层(即导电层的表面)之间的角度。锥角可测量为从金属层图案的端点至使该金属层图案的上表面平滑的起点的具有平均正切斜率的直线与所述金属层图案的下层的表面之间的角度。在金属层图案的锥角在所述范围内的情况下，重新形成绝缘层图案的边缘以充分地覆盖金属层图案。与相关技术不同，通过使用该方法，本申请可提供包括锥角小的金属层图案的导电基板。

在步骤d)中，导电图案与覆盖导电图案的绝缘层图案之间产生的空隙的厚度可根据用于形成金属层图案的蚀刻时间进行控制。在蚀刻时间增加时，在随后的步骤e)中，当重新形成绝缘层图案时，绝缘层图案与金属层图案之间形成的空隙的厚度可能增加。当所述空隙非常大时，在用于去除外来杂质的二次蚀刻或清洁过程期间可能出现所述间隙周围的绝缘层图案的变形。

在本申请的实施方案中，用于形成金属层图案的蚀刻时间可根据诸如在形成金属层图案时所用的蚀刻剂的种类或浓度、金属层的种类和蚀刻温度等条件而改变。例如，所述蚀刻时间为恰好蚀刻时间(just-etchingtime)至比恰好蚀刻时间长2,000％的时间，优选比恰好蚀刻时间长1至1,000％的时间，更优选比恰好蚀刻时间长1至500％的时间，且再更优选比恰好蚀刻时间长5至100％的时间。在本文中，所述恰好蚀刻时间意指蚀刻出与掩模相同的形状的图案所花费的时间。

用于形成金属层图案的蚀刻温度也可根据诸如在形成金属层图案时所用的蚀刻剂的种类或浓度、金属层的种类和蚀刻温度等条件而改变，并且例如蚀刻温度可为室温至80℃，且优选30至70℃。

所述蚀刻方法可为深蚀刻法(deepetchingmethod)、喷雾法等，且更优选用于均匀蚀刻的喷雾法。

在金属层为多层的情况下，可使用用于在相同时间和几乎相同速变下蚀刻多层的蚀刻剂。

在本申请的实施方案中，步骤e)为重新形成绝缘层图案的步骤。

在本申请中，术语“覆盖”意指绝缘层图案在其形状改变的同时回流(reflow)以接触所述金属层图案的侧面和所述基板，从而使金属层图案与外界隔离。此外，在本申请中，术语“重新形成”，作为本说明书中所定义的术语，意指在绝缘层图案具有移动性以覆盖其下方的金属层图案的同时其形状改变。

在步骤e)中，所述重新形成可使用化学现象，其中通过例如热、溶剂或其蒸气(溶剂的蒸气)、等离子体处理等向所述绝缘层图案提供移动性并因此使所述绝缘层图案变形，然后所述绝缘层图案通过额外的热处理或等离子体处理或溶剂的去除而固化。或者，所述绝缘层图案可因施加压力至绝缘层图案而进行物理变形。

更优选所述绝缘层图案的重新形成通过使用热或溶剂(或溶剂的蒸气)而进行，且在该情况下，如上所述，优选使用塑料或可固化聚合物材料作为绝缘层材料。

当绝缘层图案通过使用热而重新形成时，优选一种方法，其中通过施加热而使绝缘层材料具有移动性以下沉至导电层与绝缘层之间的空间，然后在进一步施加热时，所述材料固化并因此移动性消失。在该情况下，加热温度可由本领域技术人员根据绝缘层材料进行适当的选择。可控制加热条件以使绝缘层图案具有所需的交联度(例如10至100％)以及所需的绝缘性质(例如10^-1amp以下的泄漏电流)。例如，优选的是所述绝缘层材料在120℃至350℃的温度下加热至增加5至60℃。此外，可进行相同温度下的热处理或不同温度下的重复热处理。作为详述实例，在使用酰亚胺类树脂作为绝缘层图案材料的情况下，热处理可在250至300℃的温度下进行。作为另一实例，在使用酚醛类树脂作为绝缘层图案材料的情况下，热处理可在120℃至140℃的温度下进行。

此外，在通过使用溶剂或溶剂的蒸气而重新形成绝缘层图案的情况下，优选一种重新形成方法，其中当绝缘层图案暴露于溶剂的蒸气(气体)气氛下(溶剂退火)且溶剂和绝缘材料相互反应时，绝缘层材料具有移动性，并因此，当绝缘层图案变形以接触基板并随后在预定温度下加热以干燥溶剂从而去除溶剂时，该绝缘层材料固化且移动性消失。在该情况下，溶剂可由本领域技术人员根据绝缘层材料进行适当的选择，并且选自可溶解绝缘层材料的溶剂组。例如，在使用酚醛类树脂作为绝缘图案材料的情况下，IPA可用作溶剂。此外，干燥温度适当地接近所选择的溶剂的沸点且优选在室温至300℃之间，但并不限于此。

此外，在本申请的实施方案中，在所述图案化的导电层的末端，可形成所述绝缘层图案的至少一部分以接触所述基板。换言之，在所述图案化的导电层的末端，绝缘层图案可覆盖图案化的导电层的侧面。

在本申请的实施方案中，在形成绝缘层图案的步骤c)期间或之后，可进行软烤工艺(soft-bakeprocess)。具体而言，所述软烤工艺可在步骤c)过程中的在金属层上形成绝缘层图案之后或在步骤d)中的形成金属层图案之前进行。软烤意指通过提供绝缘层图案与其邻接的层之间的粘附性并同时固化所述绝缘层图案的至少一部分，防止软烤工艺或随后的工艺中的绝缘层图案的变形，且可在其后进行的绝缘层图案的重新形成中稳定地形成绝缘层图案的回流形状。通过软烤工艺实现的绝缘层图案的固化度可由本领域技术人员根据绝缘层图案的材料或其后进行的重新形成条件而确定，并且例如，所述固化度可在0至100％范围内。

所述软烤工艺的条件可由本领域技术人员根据绝缘层图案的材料、绝缘层图案的厚度、用于形成金属层图案的蚀刻条件——例如蚀刻剂的种类、蚀刻时间、蚀刻温度等——进行选择。当软烤温度非常高时，绝缘层图案的交联度非常高，并因此，可发生变形，例如卷曲变形。

作为一个实例，在通过印刷法使用酚醛类聚合物而形成绝缘层图案的情况下，所述软烤可在80至85℃下进行2至3分钟。作为另一实例，在通过使用丙烯酸类聚合物而形成绝缘层图案的情况下，所述软烤可在170至190℃下进行5至15分钟。作为另一实例，在通过使用光敏聚酰亚胺(PSPI)聚合物而形成绝缘层图案的情况下，所述软烤可在110至150℃下进行1至15分钟。

当软烤温度非常低时，难以实现通过进行软烤的效果，并且当软烤温度非常高时，绝缘层图案的边缘变形而翘起，并因此，所述变形不利于重新形成绝缘层图案以覆盖金属层图案。软烤时间根据材料或工艺条件而变化并且例如，所述软烤可进行约2至3分钟，但本申请并不限于此。

本申请的实施方案可还包括在步骤e)中的重新形成绝缘层图案之后的清洁步骤。在清洁步骤中，可使用步骤d)中所用的蚀刻剂。进行清洁步骤以移除外来物质。

本申请的实施方案的一个示意图示于下文给出的图1中。然而，本申请的范围限于图1，可根据需要进行除了图1中所示的工艺中的至少一个之外的工艺并可根据需要进行额外的工艺。

此外，本申请的实施方案的导电基板包括基板；在所述基板上所形成的导电图案；在所述导电图案上所形成的金属层图案；以及覆盖所述金属层图案的绝缘层图案。

在本申请的实施方案的导电基板中，由于关于基板、导电图案、金属层图案、绝缘层图案等的内容与上述内容相同，在此省略其详细描述。

此外，在本申请的实施方案中，在所述导电图案的末端处，所述绝缘层图案的至少一部分可接触基板。换言之，在所述导电图案的末端处，绝缘层图案可覆盖导电图案的侧面。

本申请的实施方案的导电基板可用作电子器件和有机发光二极管照明装置的电极，但本申请并不限于此。所述电子器件的实例包括触摸屏、显示器、半导体等。

具体而言，当本申请的实施方案的导电基板应用于有机发光二极管照明装置时，导电基板的导电图案可用作有机发光二极管的阳极电极且导电基板的金属层图案可用作阳极电极的辅助电极。

此外，在本申请的实施方案中，提供包括导电基板的显示器件。

在本申请的实施方案中，提供包括导电基板的照明装置。

根据本申请的实施方案，由于没有使用用于形成设置于导电图案上的金属层图案的单独的光致抗蚀剂材料和单独的剥离溶液，不存在成本增加和环境污染的问题，并且所述方法由于与现有光刻工艺相比工艺更为简单而具有经济性。此外，由于在形成设置于导电图案上的金属层图案时所用的掩模图案没有移除并且所述图案重新形成以用于使所述金属层图案绝缘，未被所述绝缘金属层绝缘的金属层图案是不存在的，并因此，没有留下外来物质，从而防止短路。

Claims (18)

1.一种用于制备导电基板的方法，包含：

a)提供包含导电层的基板；

b)在包含导电层的基板的整个表面上形成金属层；

c)在金属层上形成绝缘层图案；

d)通过使用绝缘层图案作为掩模来过度蚀刻金属层而形成金属层图案；以及

e)重新形成绝缘层图案。

2.权利要求1的方法，其中所述导电层为图案化的导电层。

3.权利要求1的方法，其中所述步骤a)包含：

在基板上形成导电层以及图案化所述导电层。

4.权利要求1的方法，其中所述导电层包含透明导电氧化物。

5.权利要求4的方法，其中所述透明导电氧化物为包括选自铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、镓(Ga)、铈(Ce)、镉(Cd)、镁(Mg)、铍(Be)、银(Ag)、钼(Mo)、钒(V)、铜(Cu)、铱(Ir)、铑(Rh)、钌(Ru)、钨(W)、钴(Co)、镍(Ni)、锰(Mn)、铝(Al)和镧(La)中的一种或多种的氧化物。

6.权利要求2的方法，其中所述步骤b)包含：

在所述基板和图案化的导电层的整个表面上形成金属层。

7.权利要求1的方法，其中所述金属层为单层或多层，其包括银、铝、铜、钕、钼、铬或其合金。

8.权利要求1的方法，其中所述形成绝缘层图案的方法使用印刷法、光刻法、照相法、使用掩模的方法或激光转移法。

9.权利要求1的方法，其中所述绝缘层图案的锥角为大于0°且小于90°。

10.权利要求1的方法，其中在金属层的过度蚀刻过程中，底切在绝缘层图案的边缘下方形成。

11.权利要求2的方法，其中在所述图案化的导电层的末端处，所述绝缘层图案的至少一部分形成以接触基板。

12.一种导电基板，包含：

基板；

导电图案，其形成于基板上；

金属层图案，其形成于导电图案上；以及

绝缘层图案，其覆盖金属层图案。

13.权利要求12的导电基板，其中所述导电图案包括透明导电氧化物。

14.权利要求12的导电基板，其中所述透明导电氧化物为包括选自铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、镓(Ga)、铈(Ce)、镉(Cd)、镁(Mg)、铍(Be)、银(Ag)、钼(Mo)、钒(V)、铜(Cu)、铱(Ir)、铑(Rh)、钌(Ru)、钨(W)、钴(Co)、镍(Ni)、锰(Mn)、铝(Al)和镧(La)中的一种或多种的氧化物。

15.权利要求12的导电基板，其中所述金属层图案包括银、铝、铜、钕、钼、铬或其合金。

16.权利要求12的导电基板，其中在所述导电层的末端处，所述绝缘层图案的至少一部分具有接触基板的结构。

17.一种显示器件，其包括权利要求12至16中任一项的导电基板。

18.一种照明装置，其包括权利要求12至16中任一项的导电基板。