TW201330053A - 於薄膜元件中壓印圖案化材料的製程 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種用於將材料圖案化的方法，該等材料係化敏有機半導體或位於化敏有機半導體之上。該方法使用壓印微影術及一雙層體光阻結構，該雙層體光阻結構同時保護較低層免於有害溶劑之侵害並藉由產生一基蝕幾何圖形至光阻圖案以產生更乾淨的掀離(liftoff)。

Description

於薄膜元件中壓印圖案化材料的製程

本發明係描述了一種形成高解析圖案之方法，該方法係於化感有機電子材料之上使用奈米壓印微影術或使用化感有機電子材料進行奈米壓模印影術。更特別地說，本發明詳述一種用於將有機半導體上之微細金屬線予以圖案化以生產高密度有機記憶體晶片的方法。

奈米壓模微影術(NIL)及相關的硬罩圖案化技術如步進快閃式壓印微影術(S-FIL)或噴射快閃式(Jet and Flash)壓印微影術(J-FIL)，係使用一硬罩或“印模”，用以於一作為光阻之下層聚合物材料上印記一圖形的薄膜圖案化技術。一但該印模係壓印至該光阻中並放鬆後，該印模上高起之區的圖案被複製於該光阻中。該光阻使用一剝除程序被由基材移除之前，該光阻圖案可以一蝕刻方法被轉移至該下層材料，一般而言係牽涉一氧氣電漿蝕刻。

壓印微影術係一非常高解析度之技術，因其無須受限於光微影術之繞射限制。該印模可使用一較慢地、高解析度技術例如電子束微影術製成，其特徵受限於10奈米或小於10奈米，使其成為未來一用於記憶體及積體電路之高解析度圖案化的具吸引力之微影技術。

掀離(liftoff)係另一可行於壓印微影術的方法，據此一光阻層被壓印，過量的光阻被以一蝕刻方法(去殘渣法(descum))移除，一材料，例如金屬被沉積於圖案化基材 上，而該光阻被移除，將材料留於該原始壓印圖案之該“孔洞”中。此方法對於將不存在有偏好地蝕刻化學品之金屬(例如鉑)予以圖案化為特別良好的。

此掀離技術對用於將化感材料例如有機半導體予以圖案化，或於該等材料上進行圖案化為不佳的。該等用於元件例如有機發光二極體(OLED)、有機薄膜電晶體(OTFT)或有機記憶體(OMEM)之材料，對於半導體本身(例如於高解析度有機發光二極體像素中)或對於其他材料例如該等層體之上的金屬(例如有機薄膜電晶體之源極/汲極及有機記憶體之頂電極)，都具有高解析度圖案化之需求。具有此限制之原因係於掀離過程中用於移除光阻之粗糙溶劑及對於一去殘渣(descum)步驟之需求，其將使應用於化感材料上之掀離過程受限。

使用經圖案化之有機材料與基材上之特徵或結構結合之各種元件為已知的。該等元件通常被認為具有低成本之潛力，由於有機材料一般較無機材料便宜，且該等有機材料可被迅速塗佈於大的基材上、以使大的、低成本的元件得以製成。該等元件之一例子係一使用有機發光二極體(OLEDs)之顯示器。除了提供一低成本之潛力，該等顯示器具有產生更有效率之光源及具有比大多數相競爭之顯示技術更佳視覺品質的潛力。因此，有機發光二極體顯示器具有於眾多市場中取代液晶顯示器(LCD)及電漿顯示器之潛力。此有機發光二極體技術可更加的使用於其它裝置之中，包括可調整色彩的燈。相似元件結構可使用有機半導體以形成有機光伏元件、 有機記憶體元件及有機電子組件；例如有機薄膜電晶體(OTFTs)。

不幸地，對於有機發光二極體技術，特別是有機發光二極體顯示器技術之接受度為緩慢地。此緩慢地接受速度之主因至少部分來自於將此等材料圖案化以形成一實用顯示器裝置之高成本。各種圖案化有機材料以形成全彩有機發光二極體顯示器之途徑已被嘗試過。藉由將有機材料經由陰影遮罩進行汽相沉積以圖案化不同顏色之材料已被證實為有用的。然而此等陰影遮罩會限制顯示器之解析度、可被成功塗佈之基材的尺寸並增加該工站時間(TACT time)。其它的途徑，例如使用雷射沉積以圖案化彩色射極已被演示，但此技術經常產生低產率之顯示器且經常造成顯著的殘餘物之浪費。不同顏色之有機射極之壓印解決方法亦被討論，但此等方法典型地造成射極相較於以汽相沉積予以沉積之射極具有明顯較低的放射效率。此較低效率係起因於增加的接觸電阻及常被使用之聚合材料通常具有較低的發光效率和較短的生命期之事實(相較於小分子材料)，且使用溶液沉積法限制了可被沉積於另一層體，用以處理載體經過有機層之移動之層體的數量。其它用於形成多彩有機發光二極體元件之途徑亦被嘗試，包括將白色射極與經圖案化之有色射極一同使用。然而，該等途徑亦減低該有機發光二極體顯示器中之射極的有效效能。其它有機元件，包括有機薄膜電晶體亦受到相似的圖案化課題影響。

另一種免除有機材料之細部圖案化之途徑係採 用含有一層或多層之塗佈放射層之有機發光二極體顯示器結構。例如，Miller et al發表於2006年11月26日之美國專利案第7,142,179號，標題為“有機發光二極體顯示器元件”及Cok et al發表於2007年7月31日之美國專利案第7,250,722號，標題為“有機發光二極體元件”，各自討論一結構，該結構具有一第一有機發光二極體建構於一第一及一第二圖案化電極與一塗佈電極之間，具有一第二有機發光二極體建構於該第二圖案化電極及一經塗佈電極之間。該等文件之中，該第一有機發光二極體須經圖案化以允許該第二圖案化電極被連接至該基材。更進一步地，該第二電極需於其被沉積於該有機發光二極體之上後被圖案化。該等結構在未將有機材料之至少一層予以圖案化之下，產生了較高光源輸出的效率。然而，該等結構需要穿越有機層將非常小的結構予以圖案化，以形成一穿越該有機層之通孔，及將一有機層之上的導體層予以圖案化。用於提供該等孔洞並於高速製造環境下於一有機層上形成該有機圖案之穩健的方法係於習知技術中未知的。對於多層光伏及其他有機元件，相似的結構亦是偏好的。

於無機電子元件中，運用光微影技術以圖案化位於大的基材上之無機導體層半導體的複數個薄膜層及具有高解析度的無機導體層，以形成電子組件之陣列係已知的。不幸地，對於用於形成該等元件之該光微影材料及溶劑，係已知於其會溶解有機材料。因此，不可能將已知用於製造無機固態電路之光微影材料及溶劑將有機材料之層 體予以圖案化，特別是含有活性半導體有機材料之層體或形成於有機材料之上之層體。

最近，光阻材料及溶劑已於習知技藝中討論以促進用於圖案化聚有機半導體層之光微影技術的使用。例如，Zakhidov et al.2008年於發表於先進材料(Advanced Materials)之第3481-3484頁中之一文章，其標題為“以氫氟醚作為正交溶劑用於有機電子材料之化學處理”，討論了一種用於圖案化聚有機材料的方法，其中一經氟化之光阻被沉積於一基材上，選擇性的被暴露至一能量源以改變光阻之一部分的溶解度，該光阻係於一含有氫氟醚之溶劑中研製，以研製該圖案並移除未被暴露的光阻圖案之部分。該氫氟醚中經交聯之光阻的溶解度接著藉由使用另一溶劑被重建。一活性有機半導體接著被沉積於剩餘的光阻上且剩餘光阻被掀離以將該活性有機半導體圖案化。因此，此文獻演示了將一經單一溶液塗佈、聚合物有機半導體於一基材上予以圖案化。相同的通用方法也由Lee et al.於2008年發表於美國化學學會期刊(the Journal of the American Chemical Society)第11564頁至11565頁，其標題為“酸敏感性半全氟烷基芳烴：用於有機電子元件之顯像材料”。

Taylor et al.於2009年3月19日發表於先進材料(Advanced Materials)第2314-2317頁且標題為“聚(3,4-乙烯二氧基口賽吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT：PSS)之正交圖案化：用於使用氫氟醚溶劑之有機電子元件”討論了一底部接觸薄膜電晶體的形成，其中一聚合物有機導體(例如，聚 (3,4-乙烯二氧基口賽吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT：PSS))系形成於一基材上，一光阻於該導體上被形成並圖案化，該導體被蝕刻，一第二光阻被施用且於一有機半導體(例如，2,3,6,7-二苯并蒽)被施用及圖案化之前被圖案化。

該等文獻皆討論使用一改良光微影方法及材料將經溶液塗佈之聚有機材料予以圖案化，以生成電路中之組成物，該等方法及材料之使用如同該等並未被施用於有機發光二極體元件之材料。另外，該等文獻討論了此等材料及方法用於聚合物的應用，而無法提供一用於圖案化小分子有機材料層之方法。另外，根據此方法必須進行複數個光圖案化步驟，特別是對於各個經圖案化之層體的單一光圖案步驟，以於包含至少一有機層及沉積於此有機層之上之層體的複數個層(如一電子導體)中形成圖案。一些光微影方法之步驟，包括將光微影材料暴露於輻射下以進行該光圖案化步驟，係典型地於空氧中進行。不幸地，空氣含有氧氣及水氣，其係能與有機材料反應的。因此，藉由形成可光圖案化材料之複數個層體(有些形成於有機層之上)，而進行有機元件之複數層體的光圖案化，可能導致元件具有被降級的效能。另外，進行各個此等光微影步驟係相當昂貴的，且須一個完整的光微影步驟，包括該可光圖案化材料之沉積，及對於元件中各個層之圖案化進行曝曬、顯影及掀離。

於另一途徑中，Katz and Dhar於2009年4月10日之世界專利案第WO 2009/126916號，標題為“使用經氟 化之化合物將元件圖案化”中討論於基材上形成一將被圖案化之活性層，於該活性層上提供一經氟化之材料的阻絕層，於該經氟化層上形成一可光圖案化層並將該可光圖案化層暴露於輻射下，其中該方法可使該活性層被圖案化。然而，此途徑需要將複數個層體沉積以圖案化一單一活性層。

於另一途徑中，發表於2007年4月10日之美國專利案第7,202,179號，標題為“形成至少一種薄膜元件的方法”中討論一種方法，其中使用一三維模板以於元件之層體上浮雕一三維結構，且該等底層係被蝕刻以提供該最終結構。此方法容許於一元件中之不同層體中形成不同的圖案，因為使用了一單一壓印微影步驟，故不需要複數個微影步驟之組合，允許此步驟可被使用以於不穩定的基材上形成元件，例如，於製造過程中被延展及收縮之塑膠。不幸地，被提供的該方法僅適用於無機結構，因為該方法使用之材料及與有機半導體不相容於有機半導體材料。且，該方法實施技術現今並無使用於大量製造且須嚴格的程序控制以使得圖案化步驟達成所期望的結果。

因此，需存在有一方法，該方法允許有機材料層之一第一圖案之形成，以及至少一於一分離之活性材料層的第二、不同的圖案被形成於該有機層上。此方法需為強健地，允許圖案形成為接近微米解析度者且於顯影時無須將有機材料暴露於空氣。特別期望的是，該方法相容於汽相沉積及小分子有機材料。理想地，此相同方法亦可相容 於非有機元件以允許此等元件中之複數個層體於一單一微影步驟中被圖案化成不同之圖案。

發明概要

本發明描述一種用於高解析度圖案化的方法，該方法用於將一有機電子元件中之有機半導體層上之導體層予以高解析度圖案化，其係使用一雙層體壓印圖案化方法。該方法包括，首先於提供一基材並於該基材之上沉積有機及無機材料，使該頂部層成為一有機層。一層經全氟酸化或經半過氟酸化之聚合物使用無害的含氟溶劑被塗佈於該有機層之上，形成一保護塗層。一第二可壓印熱塑性塑膠層或可光硬化樹脂層(為通常用於奈米壓印微影術中之型式者)接著被塗佈於該經氟化之聚合物層之上。一具有高起的圖案之壓印印模被使得與該複數層堆疊物相接觸並壓入其中，因此該印模之高起的特徵穿透該雙層體堆疊物(經氟化之聚合物加上壓印光阻層)之頂部層並進入該經氟化之層體中。一但該印模被由該基材移除，該基材係以一含氟溶劑清洗，以由該壓印區底部移除該基材並於雙層體堆疊物中產生輕微的基蝕輪廓。一蒸發層，例如一金屬接著被沉積於該晶圓表面。一含氟溶劑可接著被使用以將該雙層體堆疊物由該基材掀離，於該有機材料頂部留有一圖案化層。

2‧‧‧基材提供步驟

4‧‧‧沉積有機半導體材料步驟

6‧‧‧塗佈緩衝層步驟

8‧‧‧塗佈壓印光阻步驟

10‧‧‧提供印模步驟

12‧‧‧壓印至雙層體中之步驟

14‧‧‧(選擇性地)紫外光硬化步驟

16‧‧‧移除印模步驟

18‧‧‧蝕刻緩衝層步驟

20‧‧‧沉積材料步驟

22‧‧‧雙層體之掀離步驟

24‧‧‧有機元件

26‧‧‧基材

28‧‧‧一或多層有機層

30‧‧‧緩衝層

30a‧‧‧經暴露之緩衝層

32‧‧‧壓印光阻層

32a‧‧‧經暴露之壓印光阻

34a‧‧‧雙層體上之被沉積材料

34b‧‧‧有機層上之被沉積材料

38‧‧‧基材階段

40‧‧‧經有機物塗佈之基材階段

42‧‧‧經緩衝層塗佈之基材階段

44‧‧‧經壓印光阻塗佈之基材階段

46‧‧‧印模及基材階段

48‧‧‧印模壓印階段

50‧‧‧(選擇性地)紫外光硬化階段

52‧‧‧壓印雙層體階段

54‧‧‧蝕刻緩衝層階段

56‧‧‧沉積材料階段

58‧‧‧完成階段

圖1流程圖描述本發明之一實施例的步驟； 圖2處理圖描述一元件之產生的各個階段，該元件係使用本發明之方法的一個實施例而形成。

用以實施發明之形態

本發明描述了一種於一基材上形成一有機元件的方法，該基材具有一藉由以壓印方法形成的圖案化層，其中該有機元件包括一形成於該基材及該圖案化導體層之間的活性有機層。特別是，一光阻雙層體係被形成於該有機層之上，其可能或不會被一先前程序予以圖案化，且此層體係以一具有高起之區之剛性印模壓印。該雙層體含有一頂部層，其係一典型地用於壓印微影術程序之材料，及一作為下層之有機材料之緩衝層的底層，及一用於終止該程序之犧牲層。該產生的凸紋圖案延伸穿越該頂部壓印層並進入其下之緩衝層的雙層體中，但止於到達該有機層之前。該印模被移除之後，一含氟溶劑被使用以蝕刻去除該殘留於該壓印圖案之底層的經氟化之層體及該頂部光阻層下之一些材料，形成一基蝕輪廓。當該光阻落於該光阻雙層體時，藉由將落於該壓印區域之材料與該有機層接觸，一薄膜接著被沉積。一無害的溶劑被用於將該雙層體掀離，僅留下落於該有機層上之沉積材料。

圖1之流程圖中描述了本發明之一方法的一實施例，該實施例用於形成一有機元件，該元件具有一與一有機層之至少一部份相接觸且位於一於一有機層之至少一部份之上的圖案化導體層。圖2伴隨著圖1，並顯示一有機元 件24，一有機記憶元件之特定部分，於此方法中之發展過程的不同階段。此方法中，該導體層係沉積於一有機層之上，如此一來其係與有機層之至少一部份電性接觸並接著被圖案化。如圖1中所示，此方法包括，首先提供一基材26(流程2)如圖2中之階段38中所示。有機半導體材料之一個或多個層體接著被沉積於該基材26之上以形成一個或多個有機層28(流程4)。如圖2之階段40所示，此將於該元件之活性區中，於該基材26之上形成有機層之一致的層體。

一經氟化層係被塗佈(流程6)於該有機層28之上，如方法圖42所示，以形成經氟化之犧牲層30。此層體係以一溶劑沉積，該溶劑對於下層有機層28為無害的，於此實施例中，使用一含氟溶劑例如氫氟醚(HFE)，雖然此溶劑類別不是唯一可使用於此方法者。該塗佈方法可包括旋轉塗佈、浸漬塗佈、刮片法、狹縫塗佈或一真空沉積方法。如圖2之圖表44所示，一壓印光阻於層體30上被塗佈(流程8)，形成一層體32。

一印模被裝備(流程10)，其係由剛性或半剛性材料製成，具有高起的特徵，該特徵定義該基材上之所需的圖案，如圖2之46所示。該印模可由各種材料製成，包括但不限於矽、玻璃、全氟聚醚(PFPE)、聚二甲基矽氧烷(PDMS)或金屬。該印模可為透明或不透明的，前者係紫外光硬化步驟14所必須者。該印模亦可含有不透明及透明元素，例如具有鉻金屬塗佈於該殘留特徵末端，因此該紫外光硬化步驟不會影響該壓印區域。

該印模係被壓印至該雙層體堆疊物12中，如圖表48所示。該壓印之深度為重要的，因該印模需穿越該頂部層32進入該緩衝層30中，但不穿越該層而進入該有機層28中。該壓印之深度可藉由該凸紋特徵之高度及該壓印工具(未圖示)之行為而控制，該工具用以將該基材提起或降低該印模以控制距離。

一紫外光硬化步驟14係選擇性地，且係與該壓印光阻層32及該緩衝層30兩者之組成物及性質有關。於許多案例中，一壓印光阻係一紫外光硬化樹脂，其係於紫外光照射下被交聯。以此方式，其可由一低黏度態(以使其於該印模四處流動)達到一高黏度態，以允許其於一旦該印模被移除時將該凸印形狀形成。另一方法係一熱導黏度變化，雖然該溫度起伏對於許多有機材料或塑膠基材為太過極端地。雖然紫外光亦可能損害有機材料，一吸收材料，例如一染劑可被添加至該緩衝層30以預防大量紫外光輻射穿透。該緩衝層30並不是必須為紫外光敏感性的。然而，紫外光敏感度可能用於改變該緩衝層之性質，以控制其後續以溶劑蝕刻時之溶解度。兩個雙層體材料之材料性質的改變如圖2中圖表52所示。該印模由該基材16移除，於該有機層28頂部留下該壓印層。該等層體現在被選擇性地以紫外光照射並被標定為照射緩衝層30a及照射壓印層32a。接著一無害溶劑例如含氟溶劑被用於將緩衝層18予以蝕刻。該被移除及產生的基蝕輪廓如54所示。基蝕的量需足夠大量以於沉積時形成一不連續膜，但不會過大使得鄰近特徵被 藉由一通道相連接，以致降低該壓印光阻膜之穩定度並造成特徵崩散。

材料被沉積(流程20)於該元件24之上，如圖表56中所示。落於該存留雙層體結構34a之上的材料係與和該有基層28接觸之材料34b物理性斷開。於先前步驟18移除該緩衝層材料之後，該沉積層34b可形成與該有基層28相接觸之一俐落且緊密的連接。該雙層體係藉由一無害溶劑被剝除或掀離(流程22)，該溶劑可溶解該緩衝層30或使之浮起，同時留下不被損害之有機層28。該沉積膜36之落於該雙層體上的該部分被移除，於該有機層28上留下一圖案化層。可能需要更多層體或程序以完成元件24，其可藉由此方法或其他方法被達成。

本發明中，該“基材”一詞意旨任何支撐物，其可被有機材料塗佈以提供結構之完整性。習知之基材包括剛性基材，例如典型地由不鏽鋼箔或塑膠形成。該基材26亦可提供一部分之環境障蔽以保護該有機材料免於濕氣或氧氣，但此非必須的。該基材26可為不透明的、透明的或半透明的。該基材26可進一步包括一個或多個無機層，例如金屬匯流排線或無機半導體材料用以電性導通至該有機元件。該基材26可包括有機材料之非導體層以展現作用，例如將該活性有機層由基材上之導電元素絕緣或使該基材之表面平滑以容許活性有機材料28之一致層體的形成。

本發明中“有機層”一詞意旨一有機化學化合物之層體，其提供一活性電性作用。該有機層28之將被形成 的有機材料通常將會為半導體並典型地被形成為一或多個薄層，通常其厚度小於50奈米。該等有機材料可為小分子有機材料、單聚體、聚合物或該等材料之混合物。本發明之一些較佳實施例中，該等有機材料將被毯狀塗佈。意謂其將被沉積以將該基材22之單一廣大區域均勻塗佈以形成該有機層28。然而，此過程於一些實施例中並不需要。此等材料可於被沉積以形成一有機層28時被圖案化於該基材26上，該有機層28係與該基材26之表面斷開。於一較佳實施例中，較偏好於將該緩衝層塗佈(流程6)或將該導體層塗佈(流程20)之前將該最後的活性有機材料沉積，以使該有機材料含有聚合物線，以提供該有機層穩定性。如此一來，將有機材料沉積於該基材上之步驟包括將至少一種聚合有機材料予以沉積及將該緩衝層直接塗佈於該至少一種聚合有機材料之上。藉由提供一活性電功能，該有機材料用於導電，作為一半導體用以控制該電流，或作為一絕緣體用以預防或減少該電流。

於本發明所描述之例子中揭露了一緩衝層30及被塗佈於該一或多個有機層“之上”以形成一可壓印圖案化層體的壓印層32。“之上”一詞係被定義為於該可光圖案化層被塗佈之前，一有機層被沉積於該基材上。於一些實施例中，該可光圖案化層將被直接塗佈於一或多個有機層之上。於另一實施例中，一或多個有機層將被沉積且一圖案化無機層將被生成於該有機層之上，覆蓋該有機層之一部分，而該光阻溶液將被塗佈，使其直接與該有機層之一部 分接觸而不具有任何中間無機層。於更進一步實施例中，一無機層於施用該緩衝層30前被形成於該有機層之上。雖然該無機層可以對該有機層提供保護，於實務元件孔洞中，其中該無機層通常防止了藉由提供該等無機層有效的保護而預防該有機層免於緩衝材料溶液的侵害。因此，於一些實施例中，使用該經氟化緩衝材料及本發明中所敘述之溶劑為重要的，以於甚至是於一些情況下達成高產率，該等情況係該有機層於將該基材暴露於一緩衝材料溶劑(甚至當該有機溶劑係稍微被一中介無機層所保護)之前被沉積。

該“緩衝層”及“緩衝材料”之詞語意謂一種材料，該材料同時對於用於該有機層28之上為安全地，及可進一步提供保護使其免於該用於沉積之溶劑侵害並於其上處理該壓印光阻層。於一實施例中，一經氟化之聚合材料系用作於一緩衝層，並以一溶劑，例如氟酸謎(HFE)所鑄造，例如由3M企業提供之諾維克7600(Novec 7600)或諾維克7500(Novec 7500)。該聚合物可由一種單一經氟化之單體所組成，或為一或多種經氟化及非經氟化之共聚單體之混和物。氟化及非氟化之單體的比例可被用於控制該緩衝層30對於該有機層28之表面的黏性特性，及該壓印光阻32對於該緩衝層30之黏性。一光敏元素可被併入該緩衝材料中，其對該蝕刻溶劑呈現較低的溶解度。該一特性可使用於一些光阻系統中所出現之去保護方案。

該“壓印層”一詞意旨通常被用於壓印微影術中 之材料。該等材料典型地落於兩個寬廣的類別中：熱塑性聚合物及光硬化樹脂。

該被沉積之材料可為一導體層、一有機層或一無機半導體或絕緣層。該較佳實施例係將一導體層於步驟20中沉積以產生一元件，例如記憶元件或一頂部接觸有機電晶體。

該“導體層”一詞意旨一於一有機層之後形成的層體或複數個薄膜層之組合物，其中該層體或複數個薄膜層之組合物功能性地提供一能夠於該有機層中產生一電場的單一導電元素。該導體層可為透明的、半透明的或不透明的。用於本發明之實施例之典型的導體層將具有一介於10奈米(以允許一連續膜體的形成)及小於300奈米(以允許該膜體被本發明中所述之溶劑滲透)之間的厚度。此導體層可由能夠將電性提供至該有機半導體層之有機或無機材料所形成。然而，於本發明之一些較佳實施例中，該等導體層將包括一無機金屬。此無機金屬將較佳地經由汽相沉積或濺鍍而施用。

用於形成該等導體層之典型地無機材料將包括金屬，例如銀、金、鉑、銅及鋁；特定經摻雜之金屬氧化物亦可，例如銦錫氧化物或銦鋅氧化物。同樣地，導體層可使用多種方法形成，包括印染或濺鍍。然而，如先前所論述的，於一些實施例中，較佳者係使用汽化或其他提供線性沉積(line of sight deposition)之方法沉積該無機導體層。

Claims (8)

1. 一種用於形成一具有圖案化導體層之有機元件的方法，該方法包括：a.提供一基材；b.將有機材料沉積於該基材之上以形成一或多層之有機層；c.將一光阻溶液塗佈於該一或多層有機層之上以形成一可壓印圖案化之雙層體，其中該溶液包括一緩衝層材料及一沉積溶劑；d.於該光阻雙層體中使用一具有高起之區域的印模以形成一圖案；e.將該頂部光阻層以一經控制之方式予以基蝕，該基蝕係藉由以一溶劑將該底層蝕刻，該溶液係與該頂部層化學正交；f.於該基材上沉積一導體層；以及g.將該雙層體堆疊物以一溶劑予以掀離(lift-off)。
2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該緩衝層係一全氟化或半氟化之聚合物。
3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該沉積溶劑屬於氟化溶劑的類別，包括但不限於氫氟醚。
4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該用於將該雙層體予以基蝕之溶劑係一氟化溶劑。
5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該用於將該雙層體堆疊物予以掀離之溶劑係一氟化溶劑。
6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中第1項之(f)步驟係被一蝕刻步驟所取代。
7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該蝕刻步驟係一反應式離子蝕刻(RIE)程序。
8. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該蝕刻步驟係一濕式化學程序。