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CN105229804A - 发光器件及其制备方法 - Google Patents

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CN105229804A CN201480029199.9A CN201480029199A CN105229804A CN 105229804 A CN105229804 A CN 105229804A CN 201480029199 A CN201480029199 A CN 201480029199A CN 105229804 A CN105229804 A CN 105229804A
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Abstract

提供一种发光器件及其制备方法。该方法包括用于生长p型半导体层的方法，所述p型半导体层具有低浓度掺杂层、未掺杂层和高浓度掺杂层。在所述低浓度掺杂层和所述高浓度掺杂层的生长期间供应N2气体和H2气体两者，而在所述未掺杂层的生长期间切断H2气体的供应并且供应N2气体。因此，包含在所述未掺杂层中的Mg的掺杂浓度能得以进一步降低，并且由此，所述p型半导体层内的空穴迁移率能得以增强。

Description

发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种氮化物半导体发光器件，并且更具体地，涉及一种包括p型半导体层的氮化物半导体发光器件及其制备方法。
背景技术
通常，氮化物半导体发光器件包括：n型半导体层、有源层和p型半导体层。在有源层中，电子和空穴进行复合(recombined)而发光。有源层中的电子和空穴的复合率直接影响到发光器件的发光效率。为了增强有源层中的电子和空穴的复合率，所述发光器件需要防止电子的溢流，并且p型AlGaN层的电子阻挡层被用于此目的。
另一方面，有一种控制p型半导体层中的掺杂分布的方法，以提高从有源层到p型半导体层中的空穴的注入效率。例如，专利文献(韩国专利登记号10-0838196)公开了一种对空穴注入效率的改进，其通过划分空穴注入层和p型接触层而实现，其中所述空穴注入层比所述p型接触层具有更低的掺杂剂浓度。另外，此文件公开了一种结构，在该结构中未掺杂层设置在包覆层与空穴注入层之间或在空穴注入层与p型接触层之间。
根据此专利文献，增大空穴注入层中的空穴的迁移率，以促进待被注入有源层中的空穴的运动。然而，根据该专利文献，以相对低的浓度掺杂空穴注入层，由此限制了对空穴迁移率的改善。
此外，虽然该专利文献公开了不掺有Mg的未掺杂层，但是除了Mg源气体外，未掺杂层是基本上在与空穴注入层和p型接触层相同的源气体和载气体的条件下生长的。在这种情况下，即使不供应Mg源气体，未掺杂层仍具有相对高浓度的Mg，由此减小空穴迁移率。
技术问题
本发明的示例性实施例提供：一种能够提高空穴注入有源层中的效率的发光器件及其制备方法。
本发明的示例性实施例提供：一种能够减少p型半导体层中的未掺杂层的掺杂剂浓度的生长p型半导体层的方法，以及一种制造发光器件的方法。
发明内容
根据本发明的一个方面，一种发光器件包括：n型半导体层；p型半导体层；有源层，其设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间；以及电子阻挡层，其设置在所述p型半导体层与所述有源层之间。所述p型半导体层包括层叠结构，在所述层叠结构中低浓度掺杂层、未掺杂层和高浓度掺杂层依次层叠成一者在另一者之上，并且，所述未掺杂层的厚度大于所述低浓度掺杂层与所述高浓度掺杂层的厚度的总和。
相对厚的未掺杂层被设置在所述低浓度掺杂层与所述高浓度掺杂层之间，以增加空穴迁移率，由此提高空穴注入效率。
低浓度掺杂层所具有的掺杂剂浓度是1E20/cm3至5E20/cm3，高浓度掺杂层所具有的掺杂剂浓度是5E20/cm3至1E21/cm3，并且未掺杂层所具有的掺杂剂浓度小于2E19/cm3。另外，依据其深度，未掺杂层所具有的掺杂剂浓度是1E19/cm3至小于2E19/cm3。
通过掺杂剂浓度为小于2E19/cm3的未掺杂层被布置在掺杂剂浓度为1E20/cm3以上的低浓度掺杂层与掺杂剂浓度为5E20/cm3以上的高浓度掺杂层之间的所述结构，从而进一步改善了发光器件的空穴迁移率。
低浓度掺杂层可接触电子阻挡层。通过掺杂层被布置成接触电子阻挡层的所述结构，发光器件能够通过电子阻挡层轻松实现到有源层中的空穴注入。高浓度掺杂层可以是p型接触层，由此降低接触电阻。
发光器件可以是发光二极管芯片，并且可以是垂直型或横向型发光器件，但不限于此。
根据本发明的另一个方面，提供一种经由金属有机化学气相沉积生长p型半导体层的方法。所述生长p型半导体层的方法包括：通过将氮源气体、镓源气体、Mg源气体、N2气体和H2气体供应到腔室中，在腔室内的基底上生长低浓度掺杂层；通过将氮源气体、镓源气体和N2气体供应到腔室中，同时阻止Mg源气体和H2气体的供应，在低浓度掺杂层上生长未掺杂层；以及通过将氮源气体、镓源气体、Mg源气体、N2气体和H2气体供应到腔室中，在未掺杂层上生长高浓度掺杂层。
在低浓度掺杂层和高浓度掺杂层的生长期间，将H2气体供应到腔室中，由此提高半导体层的晶体质量，并且在未掺杂层的生长期间，阻止H2的供应，由此降低未掺杂层内的掺杂剂浓度。
生长p型半导体层的方法可进一步包括：在低浓度掺杂层的生长之前，通过将氮源气体和N2气体供应到腔室中，同时阻止镓源气体、Mg源气体和H2气体的供应，将腔室的气体环境改变成氮和NH3的气体环境。此工艺能够实现将H2气体从腔室内充分脱除出。腔室内的气体环境改变成为氮和NH3的气体环境可能花费3分钟至10分钟。
在低浓度掺杂层和高浓度掺杂层的生长期间，H2气体的流率可高于N2气体的流率。在低浓度掺杂层和高浓度掺杂层的生长期间，H2气体的流率可以是N2气体的流率的三至五倍。
在低浓度掺杂层和高浓度掺杂层的生长期间NH3气体的流率可小于H2气体的流率，并且在未掺杂层的生长期间N2气体的流率可高于NH3气体的流率。
例如，在低浓度掺杂层和高浓度掺杂层的生长期间，N2、H2和NH3的流率比可为大约1∶3∶1，并且在未掺杂层的生长期间，N2、H2和NH3流率比可为大约3∶0∶1。
在低浓度掺杂层和高浓度掺杂层的生长期间，可主要供应H2气体，由此提高在基底上生长的半导体层的晶体质量，并且在未掺杂层的生长期间，可增加N2气体的流率而同时阻止H2的供应，由此使腔室内的总压力保持恒定。
生长温度可按低浓度掺杂层、未掺杂层和高浓度掺杂层的次序降低。
低浓度掺杂层所具有的掺杂剂浓度可以是1E20/cm3至5E20/cm3，高浓度掺杂层所具有的掺杂剂浓度可以是5E20/cm3至1E21/cm3，并且未掺杂层所具有的掺杂剂浓度可以小于2E19/cm3。
在高浓度掺杂层的生长之后，p型半导体层可在腔室内经受热处理。因此，可以激活p型半导体层内的掺杂剂。
根据本发明的又一个方面，提供一种制造发光器件的方法。制造发光器件的方法包括：通过金属有机化学气相沉积，在基底上生长n型半导体层、有源层、电子阻挡层以及p型半导体层。这里，p型半导体层可通过如上所提出的生长p型半导体层的方法来生长，并且可生长在电子阻挡层上。
有益效果
根据示例性实施例，相对厚的非掺杂层设置在低浓度掺杂层和高浓度掺杂层之间，以增加空穴迁移率，由此提高发光器件的空穴注入效率。此外，在未掺杂层的生长期间，阻止H2气体的供应，以进一步减少未掺杂层内的掺杂剂浓度，由此进一步增加未掺杂层内的空穴迁移率。
附图说明
图1是根据本发明的一个示例性实施例的发光器件的示意截面图。
图2是描绘气体和温度分布的示意图，用于示出根据本发明的一个示例性实施例的生长p型半导体层的方法。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述本发明的示例性实施例。以下实施例以说明的方式给出，以便向本领域技术人员提供对本发明的透彻理解。因此，本发明不限于在此公开的实施例，并且也可以以不同的形式实施。在附图中，用于清楚和说明的目的，元件的宽度、长度、厚度等可能有所夸大。在整篇说明书中，具有相同或类似功能的相似部件将由相同的附图标记表示。
图1是根据本发明的一个示例性实施例的发光器件的示意截面图。
参照图1，该发光器件可包括：基底(21)、缓冲层(23)、n型半导体层25、超晶格层(27)、有源层(29)、电子阻挡层(31)和p型半导体层(33)。
基底(21)可以是例如图案化的蓝宝石基底、尖晶石基底、碳化硅基底或氮化镓基底，但不限于此。
缓冲层(23)可包括低温缓冲层和高温缓冲层。当基底(21)是氮化镓时，可省略缓冲层(23)。
n型半导体层(25)包括n型接触层。n型半导体层(25)可由(Al，Ga，In)N类的III族氮化物半导体材料形成，并且可由单层或多层构成。例如，n型半导体层(25)包括GaN层，并且可以通过掺杂例如Si的n型掺杂剂而形成。
也可采用超晶格层(27)，以提高有源层的电流分散和晶体质量。超晶格层(27)可通过重复层叠例如GaN/InGaN或InGaN/InGaN层而形成。
有源层(27)设置在n型半导体层(25)与p型半导体层(33)之间，并且可具有：具有单阱层的单量子阱结构，或多量子阱结构，在多量子阱结构中，阱层和垒层交替层叠成一层在另一层之上。阱层可例如由InGaN形成，并且垒层可由氮化镓半导体形成，例如GaN，垒层具有比阱层更宽的带隙。
电子阻挡层(31)设置在有源层(29)与p型半导体层(33)之间，并防止从有源层(29)至p型半导体层(33)的电子的溢流。电子阻挡层(31)可由氮化镓半导体形成，例如AlGaN，电子阻挡层(31)通常具有比p型半导体层(33)更宽的带隙。
p型半导体层(33)包括：低浓度掺杂层(33a)、未掺杂层(33b)和高浓度掺杂层(33c)。低浓度掺杂层(33a)、未掺杂层(33b)和高浓度掺杂层(33c)可由氮化镓半导体材料形成，例如GaN，它们除了掺杂剂浓度外具有相同的组成。因此，当从电极(未示出)供应时，空穴能够穿过p型半导体层(33)而无能量垒。低浓度掺杂层(33a)可设置成接触电子阻挡层(31)。此外，高浓度掺杂层(33c)可以是接触电极(未示出)的p型接触层。
未掺杂层(33b)的厚度可大于低浓度掺杂层(33a)和高浓度掺杂层(33c)的厚度的总和。例如，低浓度掺杂层(33a)所具有的厚度可以是5nm至20nm，未掺杂层(33b)所具有的厚度可以是60nm至110nm，并且高浓度掺杂层(33c)所具有的厚度可以是10nm至30nm。
低浓度掺杂层(33a)所具有的掺杂剂浓度可以是1E20/cm3至5E20/cm3，高浓度掺杂层(33c)所具有的掺杂剂浓度可以是5E20/cm3至1E21/cm3，并且未掺杂层(33b)所具有的掺杂剂浓度可小于2E19/cm3。另外，依据其深度，未掺杂层(33b)所具有的掺杂剂浓度可以是1E19/cm3至小于2E19/cm3。
因为未掺杂层(33b)被形成为相对大的厚度并且掺杂剂浓度被降低，因此发光器件已经显著增加空穴迁移率，由此提高进入有源层(29)中的空穴注入效率。
图2是描绘气体和温度分布的示意图，用于示出根据示例性实施例的生长p型半导体层(33)的方法。这里，通过金属有机化学气相沉积，使p型半导体层(33)生长，并且，通过金属有机化学气相沉积，缓冲层(23)、n型半导体层(25)、超晶格层(27)、有源层(29)以及电子阻挡层(31)也可在同一腔室内原位生长。
参照图1和图2，利用装载在腔室内的基底(21)，将金属源气体、氮源气体和载气体或大气气体供应到腔室中以生长半导体层，比如缓冲层(23)、n型半导体层(25)、超晶格层(27)、有源层(29)以及电子阻挡层(31)。可按需将n型掺杂剂的源气体供应到腔室中。
金属源气体包括Ga源气体、Al源气体和/或In源气体，并且依据待生长的氮化镓半导体层的金属成分来供应适当的源气体。例如，通常，可将TMGa或TEGa用作Ga源气体，可将TMAl或TEAl用作Al源气体，并且可将TMIn或TEIn用作In源气体。
另一方面，一般可将NH3用作氮(N)源气体，并且可将SiH4用作n型掺杂剂的源气体。另外，通常可将N2和/或H2用作载气体或环境气体。
在电子阻挡层(31)的生长之后，通过金属有机化学气相沉积，使p型半导体层(33)在腔室内生长。可在100Torr至300Torr的压力下使p型半导体层(33)生长。
首先，在例如970℃至990℃的温度下，低浓度掺杂层(33a)在电子阻挡层(31)上生长。通过将Mg源气体(例如Cp2Mg)、N2气体和H2气体连同氮源气体(例如NH3)和镓源气体(例如TMGa或TEGa)一起供应到腔室中，可使低浓度掺杂层(33a)生长。此时，N2气体以大约30L/min至50L/min的流率供应，H2气体可以140L/min至160L/min的流率供应，NH3气体可以30至50L/min的流率供应。例如，N2∶H2∶NH3的流率比可为1∶3∶1。另一方面，可确定Mg源气体的流率来实现合适的掺杂浓度，并且低浓度掺杂层(33a)所具有的Mg掺杂浓度可以是大约1E20/cm3至5E20/cm3。
在低浓度掺杂层(33a)的生长之后，在例如940℃至970℃的温度下，使未掺杂层(33b)生长。通过将氮源气体(例如NH3)、镓源气体(例如TMGa或TEGa)和N2气体供应到腔室中同时阻止Mg源气体和H2气体的供应，使未掺杂层(33b)生长。例如，N2源气体可以大约140L/min至160L/min的流率供应，H2源气体可以0L/min的流率供应，NH3气体可以30L/min至50L/min的流率供应。特别地，N2∶H2∶NH3的流率比可为3∶0∶1。
一般地，即使在Mg源气体不被供应的情况下，在未掺杂层(33b)的生长期间，将Mg从低浓度掺杂层(33a)供应到未掺杂层(33b)。本发明的发明人发现，在未掺杂层(33b)的生长期间，H2气体的供应加速了Mg的供应。因此，可通过阻止在未掺杂层(33b)的生长期间对H2的供应来减少未掺杂层(33b)内的掺杂剂浓度。
未掺杂层(33b)的掺杂剂浓度能够受低浓度掺杂层(33a)和高浓度掺杂层(33c)的掺杂浓度所影响，并且未掺杂层(33b)所具有掺杂浓度可以在本文所描述的低浓度掺杂层(33a)和高浓度掺杂层(33b)的掺杂浓度内，小于2E19/cm3。此外，依据其深度未掺杂层(33b)的掺杂剂浓度可在1E19/cm3至低于2E19/cm3的范围。这样的掺杂浓度难以通过生长p型半导体层的典型方法而实现，典型方法中，在未掺杂层的生长期间供应H2气体。
另一方面，可将腔室的气体环境可在未掺杂层(33b)的生长之前改变成氮气和NH3的气体环境。为此，在低浓度掺杂层(33b)的生长之前，可将氮源气体和N2气体供应到腔室中，同时阻止镓源气体、Mg源气体和H2气体的供应。腔室内的气体环境改变成为氮和NH3的气体环境可进行大约3至10分钟。
在低浓度掺杂层(33b)的生长之后，在例如910℃至940℃的温度下，可使高浓度掺杂层(33c)生长。通过将氮源气体(例如NH3)、镓源气体(例如TMGa或TEGa)、Mg源气体(例如Cp2Mg)、N2气体和H2气体供应到腔室中，使高浓度掺杂层(33c)在未掺杂层(33b)上生长。例如，N2气体可以30L/min至50L/min的流率供应，H2气体可以140L/min至160L/min的流率供应，并且NH3气体可以30L/min至50L/min的流率供应。例如，N2∶H2∶NH3的流率比可为1∶3∶1，并且除了Mg源气体的流率外，可使高浓度掺杂层(33c)在与低浓度掺杂层(33b)相同的条件下生长。另一方面，可确定Mg源气体的流率来实现合适的掺杂浓度，并且低浓度掺杂层(33a)所具有的Mg掺杂浓度可以是大约5E20/cm3至1E21/cm3。
在高浓度掺杂层(33c)的生长之后，将腔室的温度降低至大约700℃至800℃，并且p型半导体层(33)在N2气体环境中经受热处理。
根据此实施例，通过阻止在未掺杂层(33b)的生长期间的H2气体的供应，能够使未掺杂层(33b)的掺杂剂浓度降低。此外，在低浓度掺杂层(33a)和高浓度掺杂层(33c)的生长期间，可供应N2气体和H2气体，由此防止p型半导体层(33)的晶体质量的劣化。
然后，形成电极以分别接触n型半导体层(25)和p型半导体层(33)，随后将半导体层的层叠结构切块成独个的发光二极管芯片，由此提供横向型或倒装芯片型发光器件。在一些示例实施例中，支撑基底(未示出)可形成在p型半导体层(33)的上表面上，并且可移除基底(21)，由此提供一种生长基底从其上移除的发光器件，例如垂直型发光二极管芯片。
(实验例)
为了证实光输出和Mg掺杂分布依赖于未掺杂层(33b)的生长期间的H2气体的供应，通过改变在未掺杂层(33b)的生长期间的N2∶H2∶NH3的流率比，制得一些发光二极管芯片。这里，在未掺杂层(33b)的生长期间，将N2∶H2∶NH3的基准流率比设定为1∶3∶1，并且将相比较的流率比在相同的压力条件下设定为3∶0∶1。
作为发光二极管芯片的光输出的测量结果，通过阻止在未掺杂层(33b)的生长期间的H2的供应而制得的发光二极管芯片所具有的光输出比基准样品高出大约10％。
另一方面，在相同的条件下，对实验例中制得的样品的Mg掺杂分布经行SIMS分析。对于基准样品，观察到在未掺杂层(33b)中在低浓度掺杂层(33a)与未掺杂层(33b)之间的边界附近大约3E19/cm3或以上的显著的Mg掺杂浓度，还观察到该Mg掺杂浓度展示出从高浓度掺杂层(33c)与未掺杂层(33b)之间的边界至低浓度掺杂层(33a)与未掺杂层(33b)之间的边界逐渐增大的趋势，并且在该未掺杂层(33b)中的Mg掺杂浓度依据其深度在大约8E18/cm3至大约3E19/cm3的范围中。
与此相反，在通过阻止未掺杂层(33b)的生长期间的H2气体的供应而制得的发光二极管芯片中，观察到在未掺杂层(33b)中在低浓度掺杂层(33a)与未掺杂层(33b)之间的边界附近的Mg掺杂浓度小于2E19/cm3，还观察到该Mg掺杂浓度展示出从高浓度掺杂层(33c)与未掺杂层(33b)之间的边界至低浓度掺杂层(33a)与未掺杂层(33b)之间的边界逐渐增大的趋势。依据其长度，在未掺杂层(33b)中的Mg掺杂浓度在1E19/cm3至小于2E19/cm3的范围中。
因此，可看出，通过阻止在未掺杂层(33b)的生长期间的H2气体的供应，能够抑制Mg从低浓度掺杂层(33a)到未掺杂层(33b)的引入，由此降低未掺杂层(33b)中的Mg掺杂浓度。此外，可以预料，未掺杂层(33b)中的Mg掺杂浓度的降低将提高空穴迁移率，由此通过空穴注入效率的改善而提高光输出。

Claims (19)

1.一种发光器件，其包括：
n型半导体层；
p型半导体层；
有源层，其设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间；以及
电子阻挡层，其设置在所述p型半导体层与所述有源层之间，
其中，所述p型半导体层包括层叠结构，在所述层叠结构中低浓度掺杂层、未掺杂层和高浓度掺杂层依次层叠成一者在另一者之上，并且
所述未掺杂层的厚度大于所述低浓度掺杂层与所述高浓度掺杂层的厚度的总和。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述低浓度掺杂层所具有的掺杂剂浓度是1E20/cm3至5E20/cm3，所述高浓度掺杂层所具有的掺杂剂浓度是5E20/cm3至1E21/cm3，并且所述未掺杂层所具有的掺杂剂浓度小于2E19/cm3。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述低浓度掺杂层接触所述电子阻挡层，并且所述高浓度掺杂层是p型接触层。
4.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述发光器件是横向型、倒装芯片型或垂直型发光二极管芯片。
5.一种使用金属有机化学气相沉积生长p型半导体层的方法，包括：
通过将氮源气体、镓源气体、Mg源气体、N2气体和H2气体供应到腔室中，在所述腔室内的基底上生长低浓度掺杂层；
通过将所述氮源气体、所述镓源气体和所述N2气体供应到所述腔室中，同时阻止所述Mg源气体和所述H2气体的供应，在所述低浓度掺杂层上生长未掺杂层；以及
通过将所述氮源气体、所述镓源气体、所述Mg源气体、所述N2气体和所述H2气体供应到所述腔室中，在所述未掺杂层上生长高浓度掺杂层。
6.根据权利要求5所述的使用金属有机化学气相沉积生长p型半导体层方法，进一步包括：
在所述低浓度掺杂层的生长之前，通过将所述氮源气体和所述N2气体供应到所述腔室中，同时阻止所述镓源气体、所述Mg源气体和所述H2气体的供应，将所述腔室的气体环境改变成氮和NH3的气体环境。
7.根据权利要求5所述的使用金属有机化学气相沉积生长p型半导体层方法，其中，在所述低浓度掺杂层和所述高浓度掺杂层的生长期间，所述H2气体的流率高于所述N2气体的流率。
8.根据权利要求7所述的使用金属有机化学气相沉积生长p型半导体层方法，其中，在所述低浓度掺杂层和所述高浓度掺杂层的生长期间，所述H2气体的流率是所述N2气体的流率的三至五倍。
9.根据权利要求8所述的使用金属有机化学气相沉积生长p型半导体层方法，其中，在所述低浓度掺杂层和所述高浓度掺杂层的生长期间，所述NH3气体的流率小于所述H2气体的流率，并且，在所述未掺杂层的生长期间，所述N2气体的流率高于所述NH3气体的流率。
10.根据权利要求5所述的使用金属有机化学气相沉积生长p型半导体层方法，其中，生长温度按所述低浓度掺杂层、所述未掺杂层和所述高浓度掺杂层的次序降低。
11.一种制造发光器件的方法，所述方法包括：
通过金属有机化学气相沉积，在基底上生长n型半导体层、有源层、电子阻挡层、和p型半导体层，
其中，所述生长所述p型半导体层包括：
通过将氮源气体、镓源气体、Mg源气体、N2气体和H2气体供应到所述腔室中，在所述电子阻挡层上生长低浓度掺杂层；
通过将所述氮源气体、所述镓源气体和所述N2气体供应到所述腔室中，同时阻止所述Mg源气体和所述H2气体的供应，在所述低浓度掺杂层上生长未掺杂层；以及
通过将所述氮源气体、所述镓源气体、所述Mg源气体、所述N2气体和所述H2气体供应到所述腔室中，在所述未掺杂层上生长高浓度掺杂层。
12.根据权利要求11所述制造发光器件的方法，进一步包括：
在所述低浓度掺杂层的生长之前，通过将所述氮源气体和所述N2气体供应到所述腔室中，同时阻止所述镓源气体、所述Mg源气体和所述H2气体的供应，将所述腔室的气体环境改变成氮和NH3的气体环境。
13.根据权利要求12所述制造发光器件的方法，其中，用于将所述腔室的气体环境改变成所述氮和NH3的气体环境的时间为3至10分钟。
14.根据权利要求11所述制造发光器件的方法，其中，在所述低浓度掺杂层和所述高浓度掺杂层的生长期间，所述H2气体的流率高于所述N2气体的流率。
15.根据权利要求14所述制造发光器件的方法，其中，在所述低浓度掺杂层和所述高浓度掺杂层的生长期间，所述H2气体的流率是所述N2气体的流率的三至五倍。
16.根据权利要求15所述制造发光器件的方法，其中，在所述低浓度掺杂层和所述高浓度掺杂层的生长期间，所述NH3气体的流率小于所述H2气体的流率，并且，在所述未掺杂层的生长期间，所述N2气体的流率高于所述NH3气体的流率。
17.根据权利要求16所述制造发光器件的方法，其中，在所述低浓度掺杂层和所述高浓度掺杂层的生长期间，所述N2气体、所述H2气体和所述NH3气体的流率比为1∶3∶1，并且，在所述未掺杂层的生长期间，所述N2气体、所述H2气体和所述NH3气体的流率比为3∶0∶1。
18.根据权利要求11所述制造发光器件的方法，进一步包括：
在所述高浓度掺杂层的生长之后，热处理所述腔室内的所述p型半导体层。
19.根据权利要求11所述制造发光器件的方法，其中，所述低浓度掺杂层所具有的掺杂剂浓度是1E20/cm3至5E20/cm3，所述高浓度掺杂层所具有的掺杂剂浓度是5E20/cm3至1E21/cm3，并且所述未掺杂层所具有的掺杂剂浓度小于2E19/cm3。
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