CN104530992A - 一种聚酰亚胺薄膜高强度拼接方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种聚酰亚胺薄膜高强度拼接方法，步骤一、将聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位固定在薄膜拼接装置的铝合金底座上；步骤二、将聚氨酯热熔胶粉末均匀涂覆于聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位表面；步骤三、将聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位覆盖在聚氨酯热熔胶粉末上，并固定在铝合金底座上；步骤四、打开电源，将铝合金底座加热至300℃，保持2分钟；步骤五、将薄膜拼接装置的压模压在聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位，保持2分钟；步骤六、关闭电源，自然冷却，完成聚酰亚胺薄膜的高强度拼接；本发明可适用于聚酰亚胺薄膜材料的高强度拼接；可根据具体薄膜拼接要求采用拼接装置，操作简单、拼接强度高、可实现不同型面薄膜的拼接制备。
Description
技术领域
本发明属于薄膜材料拼接技术领域，具体涉及一种聚酰亚胺薄膜高强度拼接方法。
背景技术
聚酰亚胺薄膜具有高机械强度、高耐温、抗辐照、耐腐蚀、耐原子氧侵蚀等特点，在航空航天方面具有优良的应用前景，是目前航天器用柔性薄膜的优选材料。目前聚酰亚胺薄膜的最大幅宽为1.5m，而未来空间用薄膜材料向大面积发展，因此需要将薄膜拼接。此外，部分空间用薄膜材料需要用薄膜制备成抛物面面、球形、曲面等非平面，而聚酰亚胺薄膜只能实现平面薄膜的生产，因此需要将薄膜裁切成小片然后进行拼接，从而实现曲面的制备。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种聚酰亚胺薄膜高强度拼接方法，能够根据聚酰亚胺薄膜具体的拼接要求实现不同型面薄膜的拼接制备。
实现本发明的技术方案如下：
一种聚酰亚胺薄膜高强度拼接方法，具体过程如下：
步骤一、将聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位固定在薄膜拼接装置的铝合金底座上；
步骤二、将聚氨酯热熔胶粉末均匀涂覆于聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位表面；
步骤三、将聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位覆盖在聚氨酯热熔胶粉末上，并固定在铝合金底座上；
步骤四、打开电源，将铝合金底座加热至300℃，保持2min；
步骤五、将薄膜拼接装置的压模压在聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位，保持2min；
步骤六、关闭电源，自然冷却，完成聚酰亚胺薄膜的高强度拼接。
有益效果：本发明可适用于聚酰亚胺薄膜材料的高强度拼接。可根据具体薄膜拼接要求采用拼接装置，操作简单、拼接强度高、可实现不同型面薄膜的拼接制备。可应用于柔性反射器、充气卫星、超柔太阳翼等各种空间环境柔性部件。
附图说明
图1为聚酰亚胺薄膜高强度拼接方法示意图。
图2为薄膜拼接装置示意图。
具体实施方式
下面结合附图并举实施例，对本发明进行详细描述。
如图1所示，本发明提供了一种聚酰亚胺薄膜高强度拼接方法，具体步骤如下：
如图2所示，本发明中的薄膜拼接装置包括铝合金底座、第一薄膜固定片、第二薄膜固定片、第三薄膜固定片、第四薄膜固定片和压模。
步骤一、将聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位通过薄膜拼接装置的第一薄膜固定片和第二薄膜固定片固定在薄膜拼接装置的铝合金底座上；
步骤二、将聚氨酯热熔胶粉末均匀涂覆于聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位表面；
步骤三、将聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位覆盖在聚氨酯热熔胶粉末上，并用薄膜拼接装置的第三薄膜固定片和第四薄膜固定片固定在铝合金底座上；
步骤四、打开电源，将铝合金底座加热至300℃，保持2分钟；
步骤五、将薄膜拼接装置的压模压在聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位，使聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位和聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位充分粘合，保持2min；
步骤六、关闭电源，自然冷却，完成聚酰亚胺薄膜的高强度拼接。
综上所述，以上仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种聚酰亚胺薄膜高强度拼接方法，其特征在于，具体过程如下：
步骤一、将聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位固定在薄膜拼接装置的铝合金底座上；
步骤二、将聚氨酯热熔胶粉末均匀涂覆于聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位表面；
步骤三、将聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位覆盖在聚氨酯热熔胶粉末上，并固定在铝合金底座上；
步骤四、打开电源，将铝合金底座加热至300℃，保持2分钟；
步骤五、将薄膜拼接装置的压模压在聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位，保持2分钟；
步骤六、关闭电源，自然冷却，完成聚酰亚胺薄膜的高强度拼接。
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