[go: up one dir, main page]

CN104503175B - 一种具有数据线自修复功能的阵列基板及液晶显示装置 - Google Patents

一种具有数据线自修复功能的阵列基板及液晶显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104503175B
CN104503175B CN201410818036.0A CN201410818036A CN104503175B CN 104503175 B CN104503175 B CN 104503175B CN 201410818036 A CN201410818036 A CN 201410818036A CN 104503175 B CN104503175 B CN 104503175B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
gate
data
substrate
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410818036.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104503175A (zh
Inventor
王勐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201410818036.0A priority Critical patent/CN104503175B/zh
Priority to US14/426,335 priority patent/US9746730B2/en
Priority to PCT/CN2014/095558 priority patent/WO2016101307A1/zh
Publication of CN104503175A publication Critical patent/CN104503175A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104503175B publication Critical patent/CN104503175B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
    • H10D86/443—Interconnections, e.g. scanning lines adapted for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136263—Line defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请公开了一种具有数据线自修复功能的阵列基板及液晶显示装置。其中，具有数据线自修复功能的阵列基板包括多个像素单元，所述像素单元至少包括层叠设置有栅极层、栅极绝缘层、数据层以及像素电极层，每个所述像素单元设置有透光区域，其中，所述像素单元还设置有开口区域；所述开口区域对应的所述栅极层保留，且所述栅极层绝缘层未覆盖所述栅极层，所述开口区域对应的数据层与所述栅极层接触，使所述数据层中的任一断开的数据线能够通过所述栅极层导通连接。上述方案，能够自动修复断开的数据线，能够降低生产中数据线的断线不良率。

Description

一种具有数据线自修复功能的阵列基板及液晶显示装置
技术领域
本申请涉及显示设备技术领域，特别是涉及一种具有数据线自修复功能的阵列基板及液晶显示装置。
背景技术
目前，液晶显示装置包括相对设置的第一基板、第二基板，以及夹持在第一基板和第二基板之间的液晶层。第一基板邻近第二基板的一侧设置有多个像素单元，每个像素单元至少层叠设置有栅极层、栅极绝缘层、数据层、像素电极层以及公共电极层。其中，像素电极层与公共电极层之间还设置有绝缘层。每个像素单元的透光区域对应的栅极层、数据层均被刻蚀掉，两个相邻的透光区域之间的区域对应的栅极层以及像素电极层均被刻蚀掉。栅极层用于设置扫描线，数据层用于设置数据线，包括源极走线以及漏极走线。
当生产第二基板时，由于第二基板的数据层中的数据线经常存在断线问题，容易导致经组装后的液晶显示装置所显示的颜色不均匀或出现暗纹的情况，降低产品良率。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种具有数据线自修复功能的阵列基板及液晶显示装置，能够自动修复断开的数据线，改善液晶显示装置的显示效果，能够降低生产中数据线的断线不良率。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种具有数据线自修复功能的阵列基板，所述阵列基板包括多个像素单元，所述像素单元至少包括层叠设置有栅极层、栅极绝缘层、数据层以及像素电极层，每个所述像素单元设置有透光区域，其中，所述像素单元还设置有开口区域；所述开口区域对应的所述栅极层保留，且所述栅极层绝缘层未覆盖所述栅极层，所述开口区域对应的数据层与所述栅极层接触，使所述数据层中的任一断开的数据线能够通过所述栅极层导通连接。
其中，所述栅极层绝缘层与所述开口区域对应的栅极层之间不接触。
其中，所述透光区域对应的所述玻璃基板未覆盖所述栅极绝缘层。
其中，所述开口区域设置于两个相邻的所述透光区域之间的区域。
其中，每个所述像素单元设置至少两个开口区域。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种具有数据线自修复功能的液晶显示装置，所述液晶显示装置包括所述液晶显示装置包括相对设置的第一基板、第二基板，以及夹持在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，其中，所述第一基板包括多个像素单元，所述像素单元至少包括层叠设置有栅极层、栅极绝缘层、数据层以及像素电极层，每个所述像素单元设置有透光区域，其中，所述像素单元还设置有开口区域；所述开口区域对应的所述栅极层保留，且所述栅极层绝缘层未覆盖所述栅极层，所述开口区域对应的数据层与所述栅极层接触，使所述数据层中的任一断开的数据线能够通过所述栅极层导通连接。
其中，所述栅极层绝缘层与所述开口区域对应的栅极层之间不接触。
其中，所述透光区域对应的所述玻璃基板未覆盖所述栅极绝缘层。
其中，所述开口区域设置于两个相邻的所述透光区域之间的区域。
其中，每个所述像素单元设置至少两个开口区域。
本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请通过在第一基板每个像素单元上设置开口区域，并使开口区域对应的数据层与栅极层接触，使数据层中的任一断开的数据线能够通过所述栅极层导通连接，能够自动修复断开的数据线，能够降低生产中数据线的断线不良率。
去掉透光区域的栅极绝缘层，能够提高透光率。
附图说明
图1是本申请液晶显示装置一实施方式的结构示意图；
图2是本申请阵列基板一实施方式的结构示意图；
图3是本申请阵列基板另一实施方式的结构示意图；
图4是本申请阵列基板中其中一个像素单元一实施方式的俯视图；
图5是本申请阵列基板中其中一个像素单元另一实施方式的俯视图；
图6是本申请阵列基板中其中一个像素单元又一实施方式的俯视图
图7是本申请像素单元的开口区域一实施方式的截面图；
图8是本申请像素单元的透光区域一实施方式的截面图；
图9是图7、图8中A区域一实施方式的截面图。
具体实施方式
以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施方式中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
本申请旨在提供一种具有数据线自修复功能的阵列基板及液晶显示装置，具有数据线自修复功能的液晶显示装置包括相对设置的第一基板、第二基板，以及夹持在第一基板和第二基板之间的液晶层，第一基板为阵列基板。液晶显示装置可以为电视或电脑等大尺寸的液晶显示器，也可以为手机或便携式移动终端等小尺寸的液晶显示屏。
参阅图1，图1是本申请液晶显示装置一实施方式的结构示意图。液晶显示装置100包括相对设置的第一基板1100、第二基板1200，以及夹持在第一基板1100和第二基板1200之间的液晶层(图未示)。其中，第一基板1100为TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)基板，第一基板1100包括多个像素单元，每个像素单元设置有透光区域；第二基板1200为CF(Color Filter，彩色滤光片)基板。下面以第一基板中的其中一个像素单元为例进行说明。
请一并参阅图2至图3，图2是本申请阵列基板一实施方式的结构示意图，图3是本申请阵列基板另一实施方式的结构示意图。
当液晶显示装置为电视或电脑等大尺寸的液晶显示器时，如图2所示，第一基板1100至少包括第一玻璃基板1110以及多个像素单元1120，多个像素单元1120设置于第一玻璃基板1110邻近第二基板1200的一侧。其中，每个像素单元1120至少包括层叠设置的栅极层1121、栅极绝缘层1122、数据层1123以及像素电极层1124。
第二基板1200至少包括第二玻璃基板1210以及公共电极1220，公共电极1220设置于第二玻璃基板1200邻近第一基板1100的一侧。
当液晶显示装置为手机或便携式移动终端等小尺寸的液晶显示屏时，公共电极设置于第一基板1100，第二基板1200中的公共电极1120用氧化铟锡替代。
如图3所示，第一基板1100至少包括第一玻璃基板1110以及多个像素单元1120，多个像素单元1120设置于第一玻璃基板1110邻近第二基板1200的一侧。其中，每个像素单元1120至少包括层叠设置的栅极层1121、栅极绝缘层1122、数据层1123、像素电极层1124以及公共电极层1125。像素电极层1124以及公共电极层1125还设置有绝缘层(图未示)。
区别于现有技术，本申请的像素单元1120还设置有开口区域1400；开口区域1400对应的栅极层1121保留，且栅极层绝缘层1122未覆盖栅极层1121，开口区域1400对应的数据层1123与栅极层1121接触，使数据层1123中的任一断开的数据线能够通过栅极层1121导通连接。其中，开口区域1400为栅极绝缘层1122开口区域。
可选地，栅极层绝缘层1122与开口区域1400对应的栅极层1121之间不接触。
可选地，透光区域1300对应的第一玻璃基板1210未覆盖栅极绝缘层。
可选地，开口区域1400设置于两个相邻的透光区域1300之间的区域。
可选地，每个像素单元1120设置至少两个开口区域。
具体地，在制作电视或电脑等大尺寸的液晶显示器1000的第一基板1100时，在第一玻璃基板1110的表面先设置上栅极层1121，并将每个像素单元的透光区域1300对应的栅极层1121刻蚀掉。
然后，在栅极层1121之上设置栅极绝缘层1122，以使栅极层绝缘层1122覆盖栅极层1121。其中，栅极层绝缘层1122与开口区域1400对应的栅极层1121可以接触，也可以不接触。
在设置好栅极绝缘层1122之后，将预设的开口区域对应栅极绝缘层1122刻蚀掉，从而使得栅极层绝缘层1122未覆盖栅极层1121，以形成栅极绝缘层的开口区域1400。
之后，在栅极绝缘层1122之上再设置数据层1123，以使数据层1123覆盖栅极层绝缘层1122，使得开口区域1400对应的数据层1123与栅极层1121接触。其中，需要将透光区域1300对应的数据层1123刻蚀掉。
之后，在数据层1123之上再继续设置像素电极层1124，以使像素电极层1124覆盖数据层1123。其中，需要将两个相邻的像素单元1121的透光区域1300之间的区域对应的像素电极层1124刻蚀掉，以使透光区域1300对于的两个相邻的像素单元1121的透光区域1300之间的区域对于的数据层1123不被像素电极层1124覆盖。
当使数据层1123中的任一数据线断开时，数据信号经过断开的数据线的一端传输到与数据层1123接触的栅极层1121，再经过栅极层1121传输到断开的数据线的另一端，从而使得任一断开的数据线能够通过栅极层1121导通连接，自动修复断开的数据线，能够降低生产中数据线的断线不良率。
在制作手机或便携式移动终端等小尺寸的液晶显示屏1000的第一基板1100时，与制作电视或电脑等大尺寸的液晶显示器1000的第一基板1100的不同之处在于，在设置好像素电极层1124之后，还需要在像素电极层1124之上设置公共电极层1125，以使公共电极层1125覆盖像素电极层1124。
其中，需要将将两个相邻的像素单元1121的透光区域1300之间的区域对应的像素电极层1124刻蚀掉，以使透光区域1300对于的两个相邻的像素单元1121的透光区域1300之间的区域对于的数据层1123不被像素电极层1124覆盖。
可以理解的是，每个像素单元1120的透光区域1300可以相同，也可以不同。
本申请的开口区域1400设置于两个相邻的像素单元1121的透光区域1300之间的区域。
在其他实施方式中，开口区域1400也可以设置于其他区域，此处不做限制。
开口区域1400的形状可以为正方形，也可以为长方形，但并不限于此，开口区域1400还可以为其他的形状，此处不做限制，只要能够使得开口区域1400对应的数据层1123能够与栅极层1121接触即可。开口区域1300的数量可以为一个，也可以为至少两个。
其中，开口区域1400的面积越大，数据层1123能够与栅极层1121接触区域的面积越大，能够使得接触区域的面积所包含的数据线越多，数据线自修复功能越强。但开口区域1400的面积越大，像素单元1120的寄生电容越大，需要修复的数据线的信号延迟越大，液晶电容充电速度越慢。将寄生电容大的第一基板1100组装成液晶显示装置时，液晶显示装置因液晶电容不能充到额定值而偏暗。
可选地，每个像素单元1120的透光区域1300对应的栅极绝缘层1122也被刻蚀掉，以提高液晶显示装置的透光率。
制作完成的第一基板1100的像素单元的俯视图如图4至图6所示。图4是本申请阵列基板中其中一个像素单元一实施方式的俯视图；图5是本申请阵列基板中其中一个像素单元另一实施方式的俯视图；图6本申请阵列基板中其中一个像素单元又一实施方式的俯视图。
下面以如图3所示的第一基板1100展示每个像素单元对应的透光区域、开口区域以及两个邻近的开口区域之间的A区域的剖面叠层图。
请一并参阅图7至图9，图7是本申请像素单元的开口区域一实施方式的截面图；图8是本申请像素单元的透光区域一实施方式的截面图；图9是图7、图8中A区域一实施方式的截面图。
如图4所示，制作完成的第一基板1100的每个像素单元设置有一个透光区域1300，在两个相邻透光区域1300之间分别设置一个开口区域1400。在本实施方式中开口区域1400均为矩形，开口区域1400的长度小于或等于邻近透光区域1400的一侧的长度，开口区域1400的宽度不小于开口区域1400对应的数据层1123的宽度，但并不限于此，用户可以根据实际需求设置开口区域1400的位置以及尺寸。
开口区域1400的截面图(剖面图)如图7所示，开口区域1400对应的栅极层1121保留，并且开口区域1400对应栅极层绝缘1122层未覆盖栅极层1121，开口区域1400对应的数据层1123与栅极层1122接触。开口区域1400对应公共电极层1125覆盖数据层1123，其中，数据层1123与公共电极层1125之间设置有绝缘层(图未示)。
由于，开口区域1400对应的数据层1123与栅极层1122接触，能够使数据层1123中的任一断开的数据线能够通过栅极层1122导通连接，从而自动修复断开的数据线，能够降低生产中数据线的断线不良率。
其中，开口区域1400的宽度为栅极层1121左右两侧的栅极绝缘层1122之间的距离。开口区域1400对应的栅极层1121与其他区域的栅极层1121之间不接触，是相互独立的，开口区域1400对应的栅极层1121起到导体的作用。当数据层1123中的任一数据线断开时，断开额数据线上传输的信号经过断开的一端传输到栅极层1121，再传输到断开的另一端。
栅极层绝缘层1122与开口区域1400对应的栅极层1121之间可以是接触的，也可以是不接触的。
透光区域1300的截面图(剖面图)如图8所示，透光区域1300对应的第一玻璃基板1110未覆盖栅极绝缘层1122。像素电极层1124以及公共电极层1125叠层设置于第一玻璃基板1110上。其中，第一玻璃基板1110与像素电极层1124之间还设置有绝缘层(图未示)；像素电极层1124与公共电极1125之间还设置有绝缘层(图未示)。可以理解的是，在制作图3所示的第一基板1100时，每个像素单元1120的透光区域1300对应的栅极层1121、栅极绝缘层1122、数据层1123均被刻蚀掉。
上述方案，通过在第一基板每个像素单元上设置开口区域，并使开口区域对应的数据层与栅极层接触，使数据层中的任一断开的数据线能够通过所述栅极层导通连接，能够自动修复断开的数据线，能够降低生产中数据线的断线不良率。去掉透光区域的栅极绝缘层，能够提高透光率。
如图5所示，在另一种实施方式中，像素单元1120设置有4个开口区域，分别平均设置于两个相邻的透光区域1300之间。在本实施方式中开口区域1400均为矩形，同一侧的开口区域1400的长度的总和小于或等于邻近透光区域1400的一侧的长度，开口区域1400的宽度不小于开口区域1400对应的数据层1123的宽度，但并不限于此，用户可以根据实际需求设置开口区域1400的位置以及尺寸。
开口区域1400的截面图(剖面图)如图7所示，开口区域1400对应的栅极层1121保留，并且开口区域1400对应栅极层绝缘1122层未覆盖栅极层1121，开口区域1400对应的数据层1123与栅极层1122接触。开口区域1400对应的公共电极层1125覆盖数据层1123，其中，数据层1123与公共电极层1125之间设置有绝缘层(图未示)。开口区域1400的宽度为栅极层1121左右两侧的栅极绝缘层1122之间的距离。
由于，开口区域1400对应的数据层1123与栅极层1122接触，能够使数据层1123中的任一断开的数据线能够通过栅极层1122导通连接，从而自动修复断开的数据线，能够降低生产中数据线的断线不良率。
栅极层绝缘层1122与开口区域1400对应的栅极层1121之间可以是接触的，也可以是不接触的。
透光区域1300的截面图(剖面图)如图8所示，透光区域1300对应的第一玻璃基板1110未覆盖栅极绝缘层1122。像素电极层1124以及公共电极层1125叠层设置于第一玻璃基板1110上。其中，第一玻璃基板1110与像素电极层1124之间还设置有绝缘层(图未示)；像素电极层1124与公共电极1125之间还设置有绝缘层(图未示)。可以理解的是，在制作图3所示的第一基板1100时，每个像素单元1120的透光区域1300对应的栅极层1121、栅极绝缘层1122、数据层1123均被刻蚀掉。
两个相邻的开口区域1400之间的A区域的截面图(剖面图)如图9所示，A区域对应的栅极层1121保留，并且开口区域1400对应栅极层绝缘1122层覆盖栅极层1121，开口区域1400对应的数据层1123与栅极层1122不接触。开口区域1400对应的公共电极层1125覆盖数据层1123，其中，数据层1123与公共电极层1125之间还设置有绝缘层(图未示)。
两个相邻开口区域1400之间的A区域1400对应的栅极层1121的宽度与开口区域1400对应的栅极层1121的宽度相同，其长度不小于开口区域1400对应的数据层1123的长度。并且，A区域对应的栅极层1121与开口区域1400对应的栅极层1121是相互接触，与其他区域的栅极层1121是相对独立的。A区域以及开口区域1400对应的栅极层1121起到导体的作用，使数据层1123中的任一断开的数据线能够通过栅极层1122导通连接。
当开口区域1400对应的数据层1123中的任一数据线断开时，由于，开口区域1400对应的数据层1123与栅极层1122接触，数据层1123中的任一断开的数据线能够通过栅极层1122导通连接。断开的数据线上传输的信号通过断开的一端传输到开口区域1400对应的栅极层1121，再传输到断开的另一端，从而自动修复断开的数据线，能够降低生产中数据线的断线不良率。
当两个相邻的开口区域1400之间的A区域对应的数据层1123中任一数据线断开时，断开的一端与邻近的其中一个开口区域1400对应的栅极层1121接触，断开的另一端与邻近的另一个开口区域1400对应的栅极层1121接触，断开的数据线通过断点邻近的两个开口区域1400导通。断开的数据线上传输的信号经过邻近断开的一端的其中一个开口区域1400对应的栅极层1121，以及A区域对应的栅极层1121，再传输到邻近断开的另一端的另一个开口区域1400对应的栅极层1121，以传输到断开的另一端，从而自动修复断开的数据线，能够降低生产中数据线的断线不良率。
上述方案，通过在第一基板每个像素单元上设置多个开口区域，并使开口区域对应的数据层与栅极层接触，使数据层中的任一断开的数据线能够通过所述栅极层导通连接，能够自动修复断开的数据线，能够降低生产中数据线的断线不良率。去掉透光区域的栅极绝缘层，能够提高透光率。
如图6所示，在又一种实施方式中，像素单元1120设置有6个开口区域，分别平均设置于两个相邻的透光区域1300之间。在本实施方式中开口区域1400均为矩形，同一侧的开口区域1400的长度的总和小于或等于邻近透光区域1400的一侧的长度，开口区域1400的宽度不小于开口区域1400对应的数据层1123的宽度，但并不限于此，用户可以根据实际需求设置开口区域1400的位置以及尺寸。
开口区域1400的截面图(剖面图)如图7所示，开口区域1400对应的栅极层1121保留，并且开口区域1400对应栅极层绝缘1122层未覆盖栅极层1121，开口区域1400对应的数据层1123与栅极层1122接触。开口区域1400对应的公共电极层1125覆盖数据层1123，其中，数据层1123与公共电极层1125之间设置有绝缘层(图未示)。开口区域1400的宽度为栅极层1121左右两侧的栅极绝缘层1122之间的距离。
栅极层绝缘层1122与开口区域1400对应的栅极层1121之间可以是接触的，也可以是不接触的。
透光区域1300的截面图(剖面图)如图8所示，透光区域1300对应的第一玻璃基板1110未覆盖栅极绝缘层1122。像素电极层1124以及公共电极层1125叠层设置于第一玻璃基板1110上。其中，第一玻璃基板1110与像素电极层1124之间还设置有绝缘层(图未示)；像素电极层1124与公共电极1125之间还设置有绝缘层(图未示)。可以理解的是，在制作图3所示的第一基板1100时，每个像素单元1120的透光区域1300对应的栅极层1121、栅极绝缘层1122、数据层1123均被刻蚀掉。
任意两个相邻的开口区域1400之间的A区域的截面图(剖面图)如图9所示，A区域对应的栅极层1121保留，并且开口区域1400对应栅极层绝缘1122层覆盖栅极层1121，开口区域1400对应的数据层1123与栅极层1122不接触。开口区域1400对应的公共电极层1125覆盖数据层1123，其中，数据层1123与公共电极层1125之间还设置有绝缘层(图未示)。
其中，任意两个相邻开口区域1400之间的A区域1400对应的栅极层1121的宽度与开口区域1400对应的栅极层1121的宽度相同，其长度不小于开口区域1400对应的数据层1123的长度。并且，A区域对应的栅极层1121与开口区域1400对应的栅极层1121是相互接触，与其他区域的栅极层1121是相对独立的。A区域以及开口区域1400对应的栅极层1121起到导体的作用，使数据层1123中的任一断开的数据线能够通过栅极层1122导通连接。
当开口区域1400对应的数据层1123中的任一数据线断开时，由于，开口区域1400对应的数据层1123与栅极层1122接触，数据层1123中的任一断开的数据线能够通过栅极层1122导通连接。断开额数据线上传输的信号通过断开的一端传输到开口区域1400对应的栅极层1121，再传输到断开的另一端，从而自动修复断开的数据线，能够降低生产中数据线的断线不良率。
当任意两个相邻的开口区域1400之间的A区域对应的数据层1123中任一数据线断开时，断开的一端与邻近的其中一个开口区域1400对应的栅极层1121接触，断开的另一端与邻近的另一个开口区域1400对应的栅极层1121接触，断开的数据线通过断点邻近的两个开口区域1400导通。断开的数据线上传输的信号经过邻近断开的一端的其中一个开口区域1400对应的栅极层1121，以及A区域对应的栅极层1121，再传输到邻近断开的另一端的另一个开口区域1400对应的栅极层1121，以传输到断开的另一端，从而自动修复断开的数据线，能够降低生产中数据线的断线不良率。
可以理解的是，在图7至9的基础上去掉像素电极层1125以及数据层1123与像素电极层1125之间的绝缘层(图未示)，即可得到如图2所示的第一基板1100对应的透光区域、开口区域以及两个邻近的开口区域之间的A区域的剖面叠层图。当数据层1123中任一数据线断开时的工作原理与上述实施方式中所揭示的工作原理相同，此处不赘述。
上述方案，通过在第一基板每个像素单元上设置开口区域，并使开口区域对应的数据层与栅极层接触，使数据层中的任一断开的数据线能够通过所述栅极层导通连接，能够自动修复断开的数据线，能够降低生产中数据线的断线不良率。去掉透光区域的栅极绝缘层，能够提高透光率。
可以理解的是，像素单元中的开口区域的数量并不限于2个、4个或6个，可以根据实际需求设置为其他值，其工作原理与本申请所公开的几个实施方式的工作原理类似，具体根据实际情况参阅相关内容，此处不赘述。
本申请提供的几个像素单元实施方式中，图4中的开口区域的面积均大于图5和图6中开口区域的面积。图4对应的像素单元的数据线自修复能力均大于图5和图6对应的像素单元的数据线自修复能力。但图4对应的像素单元的寄生电容也均大于图5和图6对应的像素单元的寄生电容，数据线上传输的信号延迟较大。寄生电容是由没有开口区域对应数据层与其他层(例如，ITO层)形成的。
寄生电容越大的像素单元对应的液晶电容的充电电压偏离额定电压值越远，液晶显示装置因液晶电容不能充到额定值偏暗。数据信号延迟越大的像素单元的充电能力越弱。例如，充电速度越慢、充电时间较长。
其中，开口区域1400的面积越大，数据层1123能够与栅极层1121接触区域的面积越大，能够使得接触区域的面积所包含的数据线越多，数据线自修复功能越强。但开口区域1400的面积越大，像素单元1120的寄生电容越大，需要修复的数据线的信号延迟越大，液晶电容充电速度越慢。将寄生电容大的第一基板1100组装成液晶显示装置时，液晶显示装置因液晶电容不能充到额定值而偏暗。
本申请所公开的几个实施方式中，主要对栅极层和栅极绝缘层做了改进。通过在栅极绝缘层设置开口区域，保留开口区域对应的栅极层，且栅极层绝缘层未覆盖栅极层，开口区域的对应的数据层与栅极层接触，使数据层中的任一断开的数据线能够通过栅极层导通连接；能够自动修复断开的数据线，能够降低生产中数据线的断线不良率，能够提高透光率。
可以理解的是，当其他阵列基板的叠层结构不同于本申请如图2、图3所示的叠层结构时，可参照本申请所公开的方案，在原有叠层的基础上，按照相同的方法对栅极层和栅极绝缘层改进，即可实现自动修复断开的数据线的功能，以达到降低生产中数据线的断线不良率，提高透光率的技术效果。具体的实施方式请参阅相关描述，此处不赘述。
以上描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施方式中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。

Claims (10)

1.一种具有数据线自修复功能的阵列基板，所述阵列基板包括多个像素单元，所述像素单元至少包括层叠设置有栅极层、栅极绝缘层、数据层以及像素电极层，每个所述像素单元设置有透光区域，其特征在于，所述像素单元还设置有开口区域；
所述开口区域对应的所述栅极层保留，且所述栅极层绝缘层未覆盖所述栅极层，所述开口区域对应的数据层与所述栅极层接触，使所述数据层中的任一断开的数据线能够通过所述栅极层导通连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极层绝缘层与所述开口区域对应的栅极层之间不接触。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括玻璃基板，所述透光区域对应的所述玻璃基板未覆盖所述栅极绝缘层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述开口区域设置于两个相邻的所述透光区域之间的区域。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素单元设置至少两个开口区域。
6.一种具有数据线自修复功能的液晶显示装置，所述液晶显示装置包括所述液晶显示装置包括相对设置的第一基板、第二基板，以及夹持在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，其中，所述第一基板包括多个像素单元，所述像素单元至少包括层叠设置有栅极层、栅极绝缘层、数据层以及像素电极层，每个所述像素单元设置有透光区域，其特征在于，所述像素结构还设置有开口区域；
所述开口区域对应的所述栅极层保留，且所述栅极层绝缘层未覆盖所述栅极层，所述开口区域对应的数据层与所述栅极层接触，使所述数据层中的任一断开的数据线能够通过所述栅极层导通连接。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于，所述栅极层绝缘层与所述开口区域对应的栅极层之间不接触。
8.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一基板包括第一玻璃基板，所述透光区域对应的所述第一玻璃基板未覆盖所述栅极绝缘层。
9.根据权利要求6-8任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，所述开口区域设置于两个相邻的所述透光区域之间的区域。
10.根据权利要求9所述的液晶显示装置，其特征在于，每个所述像素单元设置至少两个开口区域。
CN201410818036.0A 2014-12-24 2014-12-24 一种具有数据线自修复功能的阵列基板及液晶显示装置 Active CN104503175B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410818036.0A CN104503175B (zh) 2014-12-24 2014-12-24 一种具有数据线自修复功能的阵列基板及液晶显示装置
US14/426,335 US9746730B2 (en) 2014-12-24 2014-12-30 Array substrate having data line self-repairing function and liquid crystal device
PCT/CN2014/095558 WO2016101307A1 (zh) 2014-12-24 2014-12-30 一种具有数据线自修复功能的阵列基板及液晶显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410818036.0A CN104503175B (zh) 2014-12-24 2014-12-24 一种具有数据线自修复功能的阵列基板及液晶显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104503175A CN104503175A (zh) 2015-04-08
CN104503175B true CN104503175B (zh) 2017-07-07

Family

ID=52944580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410818036.0A Active CN104503175B (zh) 2014-12-24 2014-12-24 一种具有数据线自修复功能的阵列基板及液晶显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9746730B2 (zh)
CN (1) CN104503175B (zh)
WO (1) WO2016101307A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114023767A (zh) * 2021-10-26 2022-02-08 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法和显示面板

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1385827A (zh) * 2001-05-10 2002-12-18 达碁科技股份有限公司 液晶显示器的数据线的修补方法
CN201004141Y (zh) * 2006-09-29 2008-01-09 上海广电光电子有限公司 具有修复结构的液晶显示用tft阵列基板
CN101114655A (zh) * 2007-08-07 2008-01-30 上海广电光电子有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、修复方法
CN202306077U (zh) * 2011-10-14 2012-07-04 深圳市华星光电技术有限公司 Tft-lcd阵列基板
CN103207482A (zh) * 2012-12-20 2013-07-17 深超光电（深圳）有限公司 可修补数据线之画素电极结构及其制作方法
CN103278987A (zh) * 2013-05-24 2013-09-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、该阵列基板断线修复方法及显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63265223A (ja) * 1987-04-23 1988-11-01 Alps Electric Co Ltd 薄膜トランジスタアレイおよびその製法
US7019805B2 (en) * 2002-12-31 2006-03-28 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device having a multi-domain structure and a manufacturing method for the same
CN100432766C (zh) * 2006-01-09 2008-11-12 中华映管股份有限公司 液晶显示器的激光修补结构及其方法
KR20070117738A (ko) * 2006-06-09 2007-12-13 삼성전자주식회사 표시기판의 리페어 방법 및 이에 의해 리페어된 표시기판

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1385827A (zh) * 2001-05-10 2002-12-18 达碁科技股份有限公司 液晶显示器的数据线的修补方法
CN201004141Y (zh) * 2006-09-29 2008-01-09 上海广电光电子有限公司 具有修复结构的液晶显示用tft阵列基板
CN101114655A (zh) * 2007-08-07 2008-01-30 上海广电光电子有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、修复方法
CN202306077U (zh) * 2011-10-14 2012-07-04 深圳市华星光电技术有限公司 Tft-lcd阵列基板
CN103207482A (zh) * 2012-12-20 2013-07-17 深超光电（深圳）有限公司 可修补数据线之画素电极结构及其制作方法
CN103278987A (zh) * 2013-05-24 2013-09-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、该阵列基板断线修复方法及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104503175A (zh) 2015-04-08
US9746730B2 (en) 2017-08-29
WO2016101307A1 (zh) 2016-06-30
US20160342052A1 (en) 2016-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103293811B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN102629606B (zh) 阵列基板及其制备方法和显示装置
US9372573B2 (en) Array substrate, touch panel and driving method thereof
US20160342048A1 (en) Thin film transistor array substrate, liquid crystal panel and liquid crystal display device
US10050061B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, display device
US9488881B2 (en) Array substrate and display device
CN105514119A (zh) Tft基板的制作方法及tft基板
CN104571715A (zh) 阵列基板及其制作方法和驱动方法、显示装置
CN106653770A (zh) 一种显示面板及其阵列基板
US9190427B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, and display device
CN103278986B (zh) 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法
CN104576656A (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN206074968U (zh) 阵列基板及显示装置
CN104280963A (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN103345095A (zh) 一种tft-lcd阵列基板及显示装置
CN107422547A (zh) 一种显示面板及显示装置
CN105068340B (zh) 阵列基板、显示装置及其制作方法
CN102629037B (zh) 阵列基板、液晶面板及其制造方法
CN103984165A (zh) 液晶面板以及液晶显示器
CN104062814A (zh) 一种像素电极层、阵列基板、显示面板和显示装置
CN102929056B (zh) 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
CN104393003A (zh) 一种tft基板及其制造方法
CN101893774B (zh) 液晶显示面板及其制造方法
CN104503175B (zh) 一种具有数据线自修复功能的阵列基板及液晶显示装置
CN105607370A (zh) 阵列基板及其制作方法、液晶面板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant