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CN104246913A - 导电结构及其制备方法 - Google Patents

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CN104246913A CN201380004731.7A CN201380004731A CN104246913A CN 104246913 A CN104246913 A CN 104246913A CN 201380004731 A CN201380004731 A CN 201380004731A CN 104246913 A CN104246913 A CN 104246913A
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conductive pattern
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Abstract

本发明提供一种包括暗色图案的导电结构，所述导电结构包括基板、导电图案和CuOx(0＜x≤1)；以及用于制造所述导电结构的方法。所述导电结构能够防止由导电图案造成的反射而不影响导电图案的导电性，并且通过提高吸光度能够改善导电图案被隐匿的能力。因此，使用所述导电结构能够开发显示面板并改善该显示面板的可见性。

Description

导电结构及其制备方法
技术领域
本申请要求于2012年4月18日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0040104的优先权和权益，在此通过引用并入该申请的全部内容。
本说明书涉及一种导电结构体及其制备方法。
背景技术
通常，触屏面板根据信号检测模式可被分为以下几类。电阻型，在对其施加直流电压的状态下通过电流或电压值的变化感应通过压力按压的位置；电容型，在对其施加交流电压的状态下使用电容耦合；电磁型，在施加磁场的状态下由电压的改变感应被选择的位置；等等。
近来，随着对大面积触屏面板需要的增加，就需要开发一种可以实现具有优异的可见性同时降低电极的电阻的大型触屏面板的技术。
发明内容
技术问题
在本发明涉及的领域内，需要开发一种用于提高各种类型的触屏面板性能的技术。
技术方案
本发明的示例性实施方式提供一种导电结构体，其包括：基板；设置在基板上的导电图案；以及设置在导电图案的至少一个表面上并包含CuOx(0<x≤1)的暗化图案，
其中，所述导电图案具有10μm以下的线宽，
所述暗化图案具有20nm至60nm的厚度，并且
所述导电结构体在可见光区域具有2至3的平均折射率和0.2至1.5的平均消光系数(k)。
此外，本发明的另一示例性实施方式提供一种制备导电结构体的方法，所述方法包括：
在基板上形成具有10μm以下线宽的导电图案；以及
在形成所述导电图案之前、之后或前后形成包含CuOx(0<x≤1)且厚度为20nm至60nm的暗化图案，
其中，所述导电结构体在可见光区域具有2至3的平均折射率和0.2至1.5的平均消光系数(k)。
此外，本发明的另一示例性实施方式提供一种制备导电结构体的方法，所述方法包括：
在基板上形成导电层；
在形成所述导电层之前、之后或前后形成包含CuOx(0<x≤1)且厚度为20nm至60nm的暗化层，以及
通过分别或同时使所述导电层和暗化层图案化而形成具有10μm以下线宽的导电图案和暗化图案，
其中，所述导电结构体在可见光区域内具有2至3的平均折射率和0.2至1.5的平均消光系数(k)。
本发明的另一示例性实施方式提供一种包括所述导电结构体的触屏面板。
本发明的另一示例性实施方式提供一种包括所述导电结构体的显示器件。
本发明的另一示例性实施方式提供一种包括所述导电结构体的太阳能电池。
有益效果
根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体可以防止由导电图案造成的反射而不会影响导电图案的导电性，并且可以通过提高导电结构体的吸光度来改善导电图案的隐匿。此外，使用根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体，可以形成包括该导电结构体的具有改善的可见性的触屏面板、显示器件和太阳能电池。
附图说明
图1至图3为本发明的各示例性实施方式，并且为显示包括暗化图案的导电结构体的层压结构的图。
图4显示实施例1至4和对比例1至5中的根据波长测量的总反射率的值。
图5显示对比例6至10中的根据波长测量的总反射率的值。
图6显示由椭圆计测量的实施例1中的光学常数的平均折射率(n)和平均消光系数(k)。
图7显示实施例1和2中的CIE L*a*b*彩色坐标值和颜色。
<附图标记>
100：基板
200：暗化图案
220：暗化图案
300：导电图案
具体实施方式
以下将更详细地描述本发明。
在本说明书中，显示器件统指TV、计算机监视器等，并且包括形成影像的显示部件以及支撑所述显示部件的壳体。
显示部件的例子包括：等离子体显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、电泳显示器、阴极射线管(CRT)、OLED显示器等。所述显示部件可包括用于实现影像的RGB像素图案和另外的滤光片。
同时，对于显示器件，随着智能电话、平板电脑、IPTV等的广泛使用的加速，对于其中人手被用作直接输入装置而无需单独的输入装置(例如，键盘、远程控制器等)的触摸功能的需要逐渐增加。此外，还需要能够识别特定的点并能够书写的多触摸功能。
目前，大多数市售的触屏面板(TSP)是基于透明导电ITO薄膜，但在施用大面积触屏面板时，由于因ITO透明电极本身的相对高的薄层电阻(最小值150Ω/□，由日东电工株式会(Nitto Denko Corporation)生产的ELECRYSTA)造成的RC延迟，存在触摸识别速度变慢和为了克服减慢的速度而需引入另外的补偿片等的问题。
本发明人已经研究了用金属精细图案代替透明ITO薄膜的技术。因此，本发明人已经发现，当将具有高导电性的Ag、Mo/Al/Mo、Mo/Ti/Cu等金属薄膜用于触屏面板的电极时，当实施具有特定形状的精细电极图案，可能因为外部光线的高反射、雾度值等而发生对眼睛的炫目等，并且由于高反射造成的可视性，也造成图案可见的问题。此外，本发明人已经发现在制备过程中可能需要昂贵的目标成本，或者存在许多工艺复杂的情况。
因此，本发明的示例性实施方式致力于提供一种导电结构体，其可区别于其中使用现有技术的基于ITO的透明导电薄膜层的触屏面板并可被应用于触屏面板，在该触屏面板中改善了金属精细图案电极的隐匿性和对外部光线的反射和衍射性能。
根据本发明的示例性实施方式的导电结构体，其包括：基板；设置在所述基板上的导电图案；和设置在所述导电图案的至少一个表面上并包含CuOx(0<x≤1)的暗化图案，其中，所述导电图案具有10μm以下的线宽，所述暗化图案具有20nm至60nm的厚度，并且所述导电结构体在可见光区域具有2至3的平均折射率和0.2至1.5的平均消光系数(k)。
在此，所述暗化图案可以仅设置在导电图案的一个表面上，或者可以设置在导电图案的两个表面上。
根据本发明的示例性实施方式的导电结构体可包括：基板；设置在基板上的厚度为20nm至60nm并包含CuOx(0<x≤1)的暗化图案；和设置在暗化图案上的并具有10μm以下的线宽的导电图案。
根据本发明的示例性实施方式的导电结构体可包括：基板；设置在基板上的厚度为20nm至60nm并包含CuOx(0<x≤1)的暗化图案；设置在暗化图案上并具有10μm以下的线宽的导电图案；和设置在导电图案上的厚度为20nm至60nm并包含CuOx(0<x≤1)的暗化图案。
本发明人已经发现在包括设置在有效屏幕部分的导电金属精细图案的触屏面板中，因图案层的光反射和衍射性能主要影响导电金属精细图案的可见性，并已经努力来改善这种状况。具体地，在基于ITO的现有触屏面板中，因导电图案的反射比造成的问题由于ITO本身的高透光率而不具有较大的影响，但本发明人已经发现在包括设置在有效屏幕部分内的导电金属精细图案的触屏面板中，导电金属精细图案的反射比和暗化性能是重要的。
在根据本发明的示例性实施方式所述的触屏面板中，为了降低导电金属精细图案的反射比并改善吸光性能，可以引入暗化图案。所述暗化图案可以设置在触屏面板内的导电图案的至少一个表面上，从而极大地改善因导电图案的高反射比造成的可见性降低的问题。
具体地，所述暗化图案具有吸光特性并因此可以通过降低入射到导电图案本身的光线和从导电图案反射的光线的量而降低由导电图案造成的反射比。此外，所述暗化图案可具有比导电图案更低的反射比。这样，与用户直接看到导电图案的情况相比，可以降低光的反射比，因此可以大幅度改善导电图案的可见性。
在本说明书中，所述暗化图案是指具有光吸收特性并因此能够减少入射到导电图案本身的光线和从导电图案反射的光线的量的层，并且暗化图案可以表述为如光吸收图案、经黑化的图案(blackened pattern)、黑化图案(blackening pattern)等的术语。
在本发明的示例性实施方式中，导电结构体可具有1Ω/□至300Ω/□，优选1Ω/□至100Ω/□，更优选1Ω/□至50Ω/□，并且进一步优选1Ω/□至20Ω/□的薄层电阻。
当导电结构体的薄层电阻为1Ω/□至300Ω/□时，存在可以替代现有技术中的ITO透明电极的作用。当导电结构体的薄层电阻为1Ω/□至100Ω/□时，或者为1Ω/□至50Ω/□时，特别是1Ω/□至20Ω/□时，与使用现有技术中的ITO透明电极时相比，薄层电阻显著降低，因此优势在于当施加信号时，RC延迟变短并且触摸识别速度可明显提高，并且容易将所述导电结构体应用于10英寸以上的大面积的触屏。
在导电结构体中，导电层或暗化层在图案化之前的薄层电阻可为大于0Ω/□且在2Ω/□以下，并且优选为大于0Ω/□且在0.7Ω/□以下。当薄层电阻为2Ω/□以下时，特别是为0.7Ω/□以下时，导电层或暗化层在图案化之前的薄层电阻越低，就越容易进行精细图案的设计和制备工艺，并且导电结构体在图案化之后的薄层电阻降低，因此存在电极的反应速度加速的作用。可以根据导电层或暗化层的厚度来控制薄层电阻。
根据本发明的示例性实施方式的导电结构体可具有0.2至1.5，并且优选0.4至1.0的可见光区域内的平均消光系数k。当平均消光系数k为0.2以上时，存在能够实现暗化的效果。平均消光系数k也被称作吸收系数，并且是确定导电结构体的透光率的因数，其作为可以定义在特定波长下导电结构体吸收光线有多强的度量。例如，当为透明介电材料时，k<0.2，其中K值非常小。但是，在材料中的金属组分的含量越高，k值就越高。如果金属组分的含量进一步提高，则几乎不出现透射，并且在大多数情况下，金属变成其上仅发生表面反射的金属，并且消光系数k变为大于1.5，这对于形成暗化图案不是优选的。
在本发明的示例性实施方式中，导电结构体在可见光区域内可具有2至3的平均折射率。
在本说明书中，可见光区域是指具有360nm至820nm的波长的区域。
在本发明的示例性实施方式中，暗化图案可具有20nm至60nm，优选25nm至50nm，并且更优选30nm至50nm的厚度。在暗化图案中，根据所用的材料和制备工艺，优选的厚度可以彼此不同，但考虑到蚀刻性能，当厚度小于20nm时可能不容易控制工艺，而当厚度大于60nm时暗化图案就生产速度而言可能是不利的。当厚度优选地为25nm至50nm，更优选为30nm至50nm时，容易控制工艺并且提高了生产速度，因此暗化图案就生产工艺而言更为有利。在这种情况下，反射进一步减少并且更好地形成暗化图案，因此存在有益效果。
在本发明的示例性实施方式中，暗化图案可具有20％以下，优选15％以下，更优选10％以下，并且进一步优选5％以下和3％以下的总反射率。总反射率越小，效果越好。
总反射率的测量可以在与其上暗化图案与导电图案相接触的表面相对的方向上进行。当在这一方向上进行测量时，总反射率可为20％以下，优选15％以下，更优选10％以下，并且进一步优选5％以下和3％以下。总反射率越小，效果越好。
此外，在导电图案和基板之间设置暗化图案，并且可在基板侧进行所述测量。当在基板侧测量总反射率时，总反射率可为20％以下，优选15％以下，更优选10％以下并且进一步优选5％以下和3％以下。总反射率越小，效果越好。
在本说明书中，总反射率是指：在用黑化层(完全黑化)处理与待测量的表面相对的表面后，以90°入射到待测量的表面上的、具有300nm至800nm、优选380nm至780nm并且更优选550nm的波长的光线的反射率。
在本发明的示例性实施方式中，在导电结构体中的暗化图案可具有20％以下、优选15％以下、更优选10％以下并且进一步优选6％以下的总反射率。总反射率越小，效果越好。
在本说明书中，总反射率可为：基于300nm至680nm、优选450nm至650nm并且更优选550nm的波长值，当将入射光线定义为100％时，在通过光入射到其上的图案层或导电结构体反射的反射光线中测量的值。
在根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体中，暗化图案可包括与导电图案相接触的第一表面和面对所述第一表面的第二表面。当在暗化图案的第二表面侧测量导电结构体的总反射率时，导电结构体的总反射率Rt可以通过下面的公式1来计算。
[公式1]
总反射率(Rt)＝基板的反射率+闭口率×暗化图案的反射率
此外，当以导电结构体的构造层压两个导电结构体时，导电结构体的总反射率Rt可以通过下面的公式2来计算。
[公式2]
总反射率(Rt)＝基板的反射率+闭口率×暗化图案的反射率×2
在公式1和2中，基板的反射率可为触摸式强化玻璃的反射率，而当表面为膜时，基板的反射率可为膜的反射率。
此外，闭口率可通过基于导电结构体的平坦表面的由导电图案所覆盖的区域的面积比(即，1-开口率)来表示。
因此，根据暗化图案的存在或不存在的差异取决于暗化图案的反射率。就此而言，根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体的总反射率Rt，与具有相同的构造但不存在暗化图案的导电结构体的总反射率R0相比，可以减少10％至20％、20％至30％、30％至40％、40％至50％和50％至70％。即，在公式1和2中，当闭口率范围从1％改变至10％时，总反射率的范围从1％改变至30％，可以显示这样的效果，即，总反射率减少的最大量为70％，并且总反射率减少的最小量为10％。
在根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体中，所述暗化图案包括与导电图案接触的第一表面和面对所述第一表面的第二表面，并且当在暗化图案的第二表面侧上测量导电结构体的总反射率时，导电结构体的总反射率Rt与基板的总反射率R0的差异可为40％以下、30％以下、20％以下和10％以下。
在本发明的示例性实施方式中，基于CIE(Commission Internationale del'Eclairage)L*a*b*彩色坐标，所述导电结构体可具有50以下、更优选20以下的亮度值(L*)。亮度值越小，总反射率变得越低，因此存在有益效果。
在本发明的示例性实施方式中，在导电结构体中很少会存在针孔，即使存在针孔，其直径可为3μm以下，更优选1μm以下。当导电结构体中的针孔直径为3μm以下时，可以防止断路的发生。此外，当导电结构体中很少存在针孔时，并且因此针孔的数量非常少时，可以防止断路的发生。
在本发明的示例性实施方式中，暗化图案可以与导电图案同时或分别被图案化。
在本发明的示例性实施方式中，暗化图案和导电图案可以同时地或通过单独的图案化步骤来形成层压结构。就此而言，所述层压结构可以区别于其中至少部分光吸收材料被挤压或分散在导电图案中的结构，或者其中表面侧上的单层的部分导电图案已经被另外的表面处理物理地或化学地改性的结构。
此外，在根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体中，暗化图案可以直接设置在基板或导电图案上而不插入粘合剂层或粘合层。粘合剂层或粘合层会影响耐久性或光学性能。此外，根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体完全不同于在制备方法中使用粘合剂层或粘合层的情况。另外，根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体与使用粘合剂层或粘合层的情况相比具有基板或导电图案与暗化图案的优异界面性能。
在本发明的示例性实施方式中，暗化图案由单层或具有两个以上层的多层构成。
在本发明的示例性实施方式中，优选的是暗化图案显示非彩色系列的颜色。此时，非彩色系列的颜色是指不选择性地吸收入射到对象表面的光线并且直到对于各成分的波长光线均被均匀地反射和吸收才显现的颜色。
在本发明的示例性实施方式中，暗化图案可另外包含介电材料和金属中的至少一种。介电材料的例子包括：SiO、SiO2、MgF2、SiNx(x为1以上的整数)等，但不限于此。金属的例子包括：Fe、Co、Ti、V、Al、Au、Ag等，但不限于此。在本发明的示例性实施方式中，暗化图案可另外包含一种以上的介电材料和一种以上的金属。
在本发明的示例性实施方式中，优选的是，随着介电材料变得更远离外部光线入射的方向，介电材料的分布逐渐减少，而金属的分布方式与其相反。此时，介电材料可具有20wt％至50wt％的含量，而金属可具有50wt％至80wt％的含量。
在本发明的示例性实施方式中，暗化图案可以仅设置在导电图案的一个表面上，或设置在其两个表面上。在此，暗化图案可具有与导电图案形状相同的图案。但是，暗化图案的图案尺寸无需与导电图案的图案尺寸完全相同，其中暗化图案的线宽比导电图案的线宽更窄或更宽的情况也涵盖在本发明的范围内。
在本发明的示例性实施方式中，暗化图案可具有线宽小于或大于导电图案的线宽的图案形状。例如，暗化图案可具有设置了导电图案的面积的80％至120％的面积。
在本发明的示例性实施方式中，暗化图案优选具有线宽等于或大于导电图案的线宽的图案形状。
当暗化图案具有线宽大于导电图案的线宽的图案形状时，暗化图案可具有这样更大的作用，即，当由用户观察时暗化图案阻挡导电图案，因此优势在于暗化图案可以有效地阻挡因导电图案自身的光泽或反射导致的影响。但是，即使当暗化图案的线宽等于导电图案的线宽时，也可以实现本发明要实现的效果。
在根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体中，可将透明基板用作基板，但对于基板不做特别限定，例如，可以使用玻璃、塑料基板、塑料膜等。
在本发明的示例性实施方式中，对于导电图案的厚度不做特别限定，但0.01μm至10μm的厚度就导电层的导电性和图案形成工艺的经济效益而言会显示出更好的效果。
在本发明的示例性实施方式中，导电图案的材料适合地为具有1×106Ω·cm至30×106Ω·cm，并且可优选为具有1×106Ω·cm至7×106Ω·cm的电阻率的材料。
在根据本发明的示例性实施方式的导电结构体中，所述导电图案的材料可包含一种以上的金属、金属合金、金属氧化物、金属氮化物等。所述导电图案的材料可以是具有优异的导电性并容易被蚀刻的金属材料。但是，通常，具有优异导电性的材料的缺点是高反射比。但是，可在本发明中使用暗化图案，从而使用具有高反射比的材料形成导电图案。在本发明中，即使在使用具有70％至80％的反射比的材料时，通过加入暗化图案，也可以降低反射比，改善导电图案的隐匿性，并且可以保持或改善对比性能。
在本发明的示例性实施方式中，导电图案的材料的具体例子包括单层膜或多层膜，所述单层膜或多层膜包含一种以上的铜、铝、银、钕、钼、镍、它们的合金、它们的氧化物、它们的氮化物等，并且更优选铜。
当所述导电图案包含铜时，暗化图案包含CuOx(0<x≤1)，因此可以进行集中蚀刻，结果是，在制备过程中效率高并且降低了成本，因此导电图案在经济上是有利的。此外，铜具有1.7×10-6cm的电阻率，因此比具有2.8×10-6cm的电阻率的Al更具优势。因此，为了满足薄层电阻值大于0Ω/□且为2Ω/□以下，并且更优选为大于0Ω/□且为0.7Ω/□以下，铜的优势在于导电图案的厚度可以比由Al形成的导电图案的厚度更薄。可以根据导电图案的厚度来控制薄层电阻。例如，为了使薄层电阻满足0.6Ω/□至0.7Ω/□，Al需要形成具有80nm至90nm的厚度，但Cu需要形成具有55nm至65nm的厚度并由于形成图案的厚度更薄而更节约。此外，参照实验实施例6，Cu比Al在溅射步骤中具有更高的产率，Cu的产率大约是Al的2.5倍，因此理论上可以预期沉积速度被提高至4至5倍。因此，包含Cu的导电图案具有高效率并且在制备过程中是节约的，从而具有更优异的优势。
在本发明的示例性实施方式中，导电图案可具有大于0μm至10μm以下的线宽，优选0.1μm至10μm，更优选0.2μm至8μm，并且进一步优选0.5μm至5μm。
在本发明的示例性实施方式中，导电图案的开口率，即，未被图案覆盖的面积的比例，可为70％以上、85％以上和95％以上。此外，导电图案的开口率可为90％至99.9％，但不限于此。
在本发明的示例性实施方式中，导电图案可为规则图案或不规则图案。
作为规则图案，可以使用如网状图案等的本领域的图案形式。对不规则图案不做特别限定，但也可以是构成维诺图(Voronoi diagram)的图形的边界形式。当在本发明中一起使用不规则图案和暗化图案时，由具有方向性的照明引起的反射光线的衍射图案可以通过不规则图案来除去，并且通过暗化图案可以使光线散射造成的影响最小化，从而使可见性的问题最小化。
在本发明的示例性实施方式中，导电图案包括连续连接的闭合图形的边界结构，在任一单位面积(1cm×1cm)的导电图案中不存在具有相同形状的闭合图形，并且闭合图形的顶点数量不同于与所述闭合图形具有相同数量的四边形的顶点的数量。
闭合图形的顶点数量不同于与所述闭合图形具有相同数量的四边形的顶点数量。更具体地，闭合图形的顶点数量可大于与所述闭合图形具有相同数量的四边形的顶点数量，大于四边形的顶点数量的1.9倍至2.1倍，但不限于此。
在本发明的示例性实施方式中，所述闭合图形彼此连续地连接，例如，当闭合图形为多边形时，彼此相邻的闭合图形可以具有共用至少一条边的形式。
在本发明的示例性实施方式中，导电图案包括连续连接的闭合图形的边界结构，在任一单位面积(1cm×1cm)的导电图案中不存在具有相同形状的闭合图形，并且闭合图形的顶点数量可不同于通过连接各闭合图形的重心之间的最短距离而形成的多边形的顶点数量。
闭合图形的顶点数量可不同于通过连接各闭合图形的重心之间的最短距离而形成的多边形的顶点数量。更具体地，闭合图形的顶点数量可大于通过连接各闭合图形的重心之间的最短距离而形成的多边形的顶点数量，大于多边形的顶点数量的1.9倍至2.1倍，但不限于此。
本发明的示例性实施方式提供一种导电基板，其中导电图案包括连续连接的闭合图形的边界结构，在任一单位面积(1cm×1cm)的导电图案中不存在具有相同形状的闭合图形，并且闭合图形具有50以上的下面的公式3的值。
[公式3]
(顶点之间距离的标准差/顶点之间距离的平均数)×100
本发明的示例性实施方式提供一种导电基板，其中，当通过在导电图案的一个表面上照射从光源发出的直线光而获得透射型衍射图案的图像时，该图像具有小于21的公式4的值。
[公式4]
(根据角区域的透射型衍射图案的强度的标准差/根据角区域的透射型衍射图案的强度的平均数)×100
在公式4中，角区域是指其中从透射型衍射图案的图像中心的0至360度按每10度平分的区域。
当获得透射型衍射图案的图像时，该图像可具有小于21、15以下和10以下的公式4的值。
在本发明的示例性实施方式中，导电图案包括连续连接的闭合图形的边界结构，并且闭合图形的边界结构可以用各种方式来改进，例如直线、曲线、锯齿线、它们的组合等。
在本发明的示例性实施方式中，在单位面积的导电图案中可以不存在相同的闭合图形。
在本发明的示例性实施方式中，导电图案包括连续连接的闭合图形的边界结构，并且当构成闭合图形的边界的线相对于任意直线的角度的0至180度被以10度单位平分时，对于属于各角度范围的线的数量，下面的公式5的值可为小于21、15以下和10以下。
[公式5]
(与角度范围对应的线的数量的标准差/与角度范围对应的线的数量的平均数)×100
在示例性实施方式中，在导电图案中公式3至5的值可以在单位面积的导电图案中计算。单位面积可为其中形成导电图案的面积，且可以为，例如3.5cm×3.5cm等，但不限于此。
顶点限定为构成导电图案的闭合图形的边界的线彼此交叉处的点。
通过形成如上所述的图案，可以实施触屏所需的精细的导电图案。在触屏中，当不能实施精细的导电图案时，可能不能实现触屏所需的如电阻等的物理性能。
使用现有技术中的金属网状图案的触屏基本不能提供用于避免所谓的波纹(Moire)现象的解决方案，因此在本发明中应用不规则图案作为导电图案。此时，为了确定无论对于何种显示器都不会出现波纹现象的临界值，试图通过确认根据各种不规则度是否会出现波纹和反射型衍射现象来定量临界值。
在本发明的示例性实施方式中，导电图案包括连续连接的闭合图形的边界结构，并且闭合图形的顶点的数量不同于与所述闭合图形具有相同数量的四边形的顶点数量。
在本发明的示例性实施方式中，导电图案包括连续连接的闭合图形的边界结构，并且闭合图形的顶点数量不同于通过连接各闭合图形的重心之间的最短距离而形成多边形的顶点数量。
在本发明的示例性实施方式中，导电图案包括连续连接的闭合图形的边界结构，并且所述闭合图形具有50以上的公式3的值。
在本发明的示例性实施方式中，导电图案可为闭合图形的边界结构的形式，所述闭合图形通过在将任意点各自布置在规则排列的单元格内之后连接与其他点的距离相比最靠近各点的点来形成。
此时，当将不规则度引入到将任意点布置在规则排列的单元格中的方法中时，可以形成根据本发明的导电图案。例如，当不规则度赋值为0时，当单元格为规则的正方形时，在导电图案中形成规则的正方形网状结构，而当单元格为规则的六边形时，在导电图案内形成蜂巢结构。即，根据本发明的导电图案是指其中不规则度不为0的图案。
根据本发明的具有不规则图案形式的导电图案可抑制形成图案的线的倾斜现象(tipping phenomenon)等，并可以允许从显示器获得均匀的透光率，可以允许将相对于单位面积的线密度保持在相同的水平，并可以确保均匀的导电性。
在本发明的示例性实施方式中，导电图案的单位面积(3.5cm×3.5cm)内的闭合图形的顶点数量可为6,000以上、7,000以上、15,000以上和245,000以下，但可以根据本领域技术人员需要的透光率和导电性来调节。
在本发明的示例性实施方式中，导电图案可具有10μm以下的线宽，并且在导电图案的3.5cm×3.5cm的面积内，闭合图形的顶点数量可为6,000至245,000。此外，导电图案可具有7μm以下的线宽，并且在导电图案的3.5cm×3.5cm的面积内，闭合图形的顶点数量可为7,000至62,000。此外，导电图案可具有5μm以下的线宽，在导电图案的3.5cm×3.5cm的面积内，闭合图形的顶点数量可为15,000至62,000。
在单位面积内形成图案的至少一个图形可具有不同于其他图形的形式。
在本发明的示例性实施方式中，暗化图案和导电图案可在其侧表面上具有正锥角(tapered angle)，但设置在与导电图案的基板侧相对的表面上的暗化图案或导电图案也可以具有相反的锥角。
在后面的图1至图3中示出了根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体的实施例。图1至图3是为示出基板、导电图案和暗化图案的层压顺序，并且导电图案和暗化图案可为在实际应用于精细透明电极(例如触屏面板等)时不同于前层的图案形式。
图1示出了其中暗化图案200设置在基板100和导电图案300之间的情况。当用户从基板侧看向触屏面板时，可以很大程度地降低由导电图案造成的反射比。
图2示出了其中暗化图案200设置在导电图案300上的情况。当用户从基板侧的相对表面看向触屏面板时，可以很大程度地降低由导电图案造成的反射比。
图3示出了其中暗化图案200和220均设置在基板100和导电图案300之间，以及在导电图案300上的情况。当用户从基板侧和与其相对的一侧看向触屏面板时，可以很大程度地降低由导电层造成的反射比。
在根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体的结构中，暗化图案可设置在导电图案的至少一个表面上。
根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体的结构可为其中顺序层压基板、暗化图案、导电图案和暗化图案的结构。此外，导电结构体在最外侧的暗化图案上可另外包括导电图案和暗化图案。
也就是说，根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体的结构可为基板/暗化图案/导电图案的结构、基板/导电图案/暗化图案的结构、基板/暗化图案/导电图案/暗化图案的结构、基板/导电图案/暗化图案/导电图案的结构、基板/暗化图案/导电图案/暗化图案/导电图案/暗化图案的结构、基板/暗化图案/导电图案/暗化图案/导电图案/暗化图案/导电图案/暗化图案的结构等。
根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体的制造方法包括：在基板上形成具有10μm以下的线宽的导电图案；并且在形成导电图案之前、之后或前后形成厚度为20nm至60nm并包含CuOx(0<x≤1)的暗化图案，其中，所述导电结构体在可见光区域具有2至3的平均折射率和0.2至1.5的平均消光系数(k)。
根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体的制造方法包括：在基板上形成导电层；在形成导电层之前、之后或前后形成厚度为20nm至60nm并包含CuOx(0<x≤1)的暗化层；并通过分别或同时使导电层和暗化层图案化来形成具有10μm以下的线宽的导电图案和暗化图案，其中，所述导电结构体在可见光区域具有2至3的平均折射率和0.2至1.5的平均消光系数(k)。
在本发明的示例性实施方式中，用于制造导电结构体的方法可在基板上形成暗化层，在形成暗化层之后形成导电层，并在形成导电层之后形成暗化层，并且可包括分别或同时使暗化层和导电层图案化。
在制造导电结构体的方法中，在图案化之前的导电层或暗化层的薄层电阻可为大于0Ω/□且为2Ω/□以下，并且优选为大于0Ω/□且为0.7Ω/□以下。当薄层电阻为2Ω/□以下时，特别是0.7Ω/□以下时，在图案化之前的导电层或暗化层的薄层电阻越低，精细图案化的设计和制造工艺越容易进行，并且在图案化之后的导电结构体的薄层电阻被降低，因此有提高电极的反应速度的作用。
在本发明的示例性实施方式中，在暗化图案或暗化层的形成中，可以使用本领域已知的方法来形成暗化图案或暗化层。例如，可以通过如沉积、溅射、湿涂法、气化、电解电镀或化学镀、层压金属箔等的方法来形成暗化图案或暗化层，并且所述暗化图案或暗化层可优选通过溅射法来形成。
例如，当形成包含Cu的导电层和包含CuOx(0<x≤1)的暗化层时，当将惰性气体(例如Ar气体)用作溅射气体时，优势在于使用CuO单一材料溅射靶。例如，使用如AlOxNy的Al金属靶来应用活性溅射法时，需要控制如O2和N2的活性气体的分压。但是，本发明使用如CuO的单一材料靶，因此优势在于由于不需要控制活性气体的分压而对工艺的控制相对容易，并且即使对于形成精细导电结构体也可以使用Cu蚀刻剂来进行集中蚀刻。
在本发明的示例性实施方式中，对于形成导电图案的方法不做特别限定，并且可以通过印刷法来直接形成导电图案，并且可以使用形成导电层然后对该导电层进行图案化的方法。
在本发明的示例性实施方式中，当通过印刷法来形成导电图案时，可以使用导电材料的油墨或膏剂，并且除了导电材料，所述膏剂可进一步包含粘合剂树脂、溶剂、玻璃粉等。
当形成导电层然后图案化时，可以使用具有抗蚀刻特性的材料。
在本发明的示例性实施方式中，可以通过如沉积、溅射、湿涂法、气化、电解电镀或化学镀、层压金属箔等的方法来形成导电层。作为用于形成导电层的方法，也可以使用在基板上涂覆有机金属、纳米金属或其组合物的溶液、然后通过烧结和/或干燥使其具有导电性的方法。作为有机金属，可以使用有机银，而作为纳米金属，可以使用纳米银颗粒等。
在本发明的示例性实施方式中，通过采用使用抗蚀刻图案的方法可以使导电层图案化。抗蚀刻图案可以通过使用印刷法、光刻胶法、照相法、使用掩膜的方法或激光转印(例如，热转印成像)等来形成抗蚀刻图案，并且所述方法更优选印刷法或光刻胶法，但不限于此。使用抗蚀刻图案蚀刻导电薄膜并使其图案化，并且抗蚀刻图案可以通过剥脱法(strip process)而被容易地除去。
本发明的示例性实施方式提供包括导电结构体的触屏面板。例如，在静电电容型触屏面板中，可将根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体用作触摸响应型电极基板。
本发明的示例性实施方式提供包括触屏面板的显示器。
除了上述包括基板、导电图案和暗化图案的导电结构体之外，根据本发明的示例性实施方式的触屏面板可进一步包括另外的结构体。在这种情况下，两个结构体可以以相同的方向布置，也可以以彼此相反的方向布置。可以包括在本发明的触屏面板内的两个以上的结构体不需要具有相同的结构，并且任一个、优选仅在离用户最近的一侧上的结构体可包括如上所述的基板、导电图案和暗化图案，并且另外包括的结构体可以不包括已经被图案化的暗化层。此外，在两个以上的结构体内的层压结构可以彼此不同。当包括两个以上的结构体时，可以在它们之间设置绝缘层。此时，可以使绝缘层另外具有作为粘合层的功能。
根据本发明的示例性实施方式的触屏面板可包括：下基板；上基板；和电极层，所述电极层设置在与上基板相接触的下基板的表面和与下基板相接触的上基板的表面中的一个表面上或者设置在这两个表面上。电极层可用于检测X-轴位置和Y-轴位置。
此时，设置在下基板且与上基板相接触的下基板的表面上的电极层以及设置在上基板且与下基板相接触的上基板的表面上的电极层之一或两者可为根据本发明的示例性实施方式的上述导电结构体。当仅有一个电极层为根据本发明的导电结构体时，另一个可具有本领域已知的导电图案。
当将电极层设置在上基板和下基板两者的一个表面上以形成双层电极层时，可以在下基板和上基板之间设置绝缘层或隔离片，这样就能恒定地保持电极层之间的间隔而不会出现它们之间的连接。绝缘层可包括粘合剂或者UV或热固性树脂。触屏面板在上述导电结构体中可进一步包括与导电图案连接的接地部。例如，接地部可以形成在其上形成基板的导电图案的表面的边缘部分。此外，可以在包括导电结构体的层压体的至少一个表面上设置减反射膜、偏振膜和防指纹膜的至少一种。除了上述功能性膜，根据设计规范还可以进一步包括不同类型的功能膜。可将如上所述的触屏面板应用到显示器，例如OLED显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、阴极射线管(CRT)和等离子体显示面板(PDP)。
在根据本发明的示例性实施方式所述的触屏面板中，导电图案和暗化图案可各自设置在基板的两个表面上。
根据本发明的示例性实施方式所述的触屏面板可在导电结构体上另外包括电极部或衬垫部。此时，可以相同的导电结构体形成有效屏幕部、电极部和衬垫部。
在根据本发明的示例性实施方式所述的触屏面板中，暗化图案可以设置在用户看向的一侧上。
本发明的示例性实施方式提供包括导电结构体的显示器件。根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体可用在显示器件的滤色片基板或薄膜晶体管基板等中。
本发明的示例性实施方式提供包括导电结构体的太阳能电池。例如，所述太阳能电池可包括阳极电极、阴极电极、光敏层、空穴传输层和/或电子传输层，并且可将根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体用作阳极电极和/或阴极电极。
所述导电结构体可以在显示器件或太阳能电池中替代现有技术中的ITO，并且可以灵活地应用。此外，所述导电结构体可以与CNT、导电聚合物和石墨烯(graphene)等一起用作下一代的透明电极。
实施例
将参照实施例、对比例和实验实施例来详细描述本发明。但是，提供下面的实施例、对比例和实验实施例仅为了解释说明的目的，而不是以任何方式来将本发明的范围限定于此。
<实施例1>
使用Cu单一靶通过直流电源溅射(DC溅射)法在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基板上形成具有60nm厚度的Cu层作为导电层，并且使用CuO单一靶通过射频溅射(RF溅射)法形成具有35nm厚度的包含CuOx(0<x≤1)的暗化层，从而制造实施例1的导电结构体。
<实施例2>
使用Cu单一靶通过直流电源溅射(DC溅射)法在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基板上形成具有60nm厚度的Cu层作为导电层，并且使用CuO单一靶通过RF溅射法形成具有50nm厚度的包含CuOx(0<x≤1)的暗化层，从而制造实施例2的导电结构体。
<实施例3>
使用Cu单一靶通过直流电源溅射(DC溅射)法在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基板上形成具有60nm厚度的Cu层作为导电层，并且使用CuO单一靶通过RF溅射法形成具有60nm厚度的包含CuOx(0<x≤1)的暗化层，从而制造实施例3的导电结构体。
<实施例4>
使用Al单一靶通过直流电源溅射(DC溅射)法在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基板上形成具有80nm厚度的Al层作为导电层，并且使用CuO单一靶通过RF溅射法形成具有50nm厚度的包含CuOx(0<x≤1)的暗化层，从而制造实施例4的导电结构体。
<对比例1>
使用Cu单一靶通过直流电源溅射(DC溅射)法在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基板上形成具有60nm厚度的Cu层作为导电层，从而制造对比例1的导电结构体。
<对比例2>
使用Al单一靶通过直流电源溅射(DC溅射)法在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基板上形成具有80nm厚度的Al层作为导电层，从而制造对比例2的导电结构体。
<对比例3>
使用Cu单一靶通过直流电源溅射(DC溅射)法在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基板上形成具有60nm厚度的Cu层作为导电层，并且使用CuO单一靶通过RF溅射法形成具有10nm厚度的包含CuOx(0<x≤1)的暗化层，从而制造对比例3的导电结构体。
<对比例4>
使用Cu单一靶通过直流电源溅射(DC溅射)法在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基板上形成具有60nm厚度的Cu层作为导电层，并且使用CuO单一靶通过RF溅射法形成具有80nm厚度的包含CuOx(0<x≤1)的暗化层，从而制造对比例4的导电结构体。
<对比例5>
使用Cu单一靶通过直流电源溅射(DC溅射)法在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基板上形成具有60nm厚度的Cu层作为导电层，并且使用CuO单一靶通过RF溅射法形成具有100nm厚度的包含CuOx(0<x≤1)的暗化层，从而制造对比例5的导电结构体。
<对比例6>
使用Cu单一靶通过直流电源溅射(DC溅射)法在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基板上形成具有60nm厚度的Cu层作为导电层，并且使用CuO单一靶通过RF溅射法形成具有10nm厚度的包含CuOx(0<x≤1)的暗化层，从而制造对比例6的导电结构体。
<对比例7>
使用Cu单一靶通过直流电源溅射(DC溅射)法在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基板上形成具有60nm厚度的Cu层作为导电层，并且使用CuO单一靶通过射频溅射(RF溅射)法形成具有30nm厚度的包含CuOx(0<x≤1)的暗化层，从而制造对比例7的导电结构体。
<对比例8>
使用Cu单一靶通过直流电源溅射(DC溅射)法在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基板上形成具有60nm厚度的Cu层作为导电层，并且使用CuO单一靶通过RF溅射法形成具有50nm厚度的包含CuOx(0<x≤1)的暗化层，从而制造对比例8的导电结构体。
<对比例9>
使用Cu单一靶通过直流电源溅射(DC溅射)法在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基板上形成具有60nm厚度的Cu层作为导电层，并且使用CuO单一靶通过RF溅射法形成具有60nm厚度的包含CuOx(0<x≤1)的暗化层，从而制造对比例9的导电结构体。
<对比例10>
使用Cu单一靶通过直流电源溅射(DC溅射)法在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基板上形成具有60nm厚度的Cu层作为导电层，并且使用CuO单一靶通过RF溅射法形成具有80nm厚度的包含CuOx(0<x≤1)的暗化层，从而制造对比例10的导电结构体。
<实验实施例1>
使用Solidspec3700(UUV-Vis分光光度计，由岛津公司(Shimadzu Corp.)制造)模拟根据实施例1至4和对比例1至5的导电结构体的波长的总反射率，结果显示在后面的图4中。另外，实施例1至4和对比例1至5的导电结构体在可见光区域的平均反射率显示在下表1中。
[表1]
类别 平均反射率(％)
实施例1 11.0
实施例2 20.1
实施例3 31.1
实施例4 7.3
对比例1 75.2
对比例2 90.8
对比例3 55.5
对比例4 42.1
对比例5 41.4
如表1中的结果所示，能够知晓的是，如在本发明中的，其中暗化图案的厚度为20nm至60nm的导电结构体具有比导电结构体具有超过暗化图案的厚度范围的厚度的情况更低的反射性能，因此可以改善导电图案的隐匿性。
<实验实施例2>
通过椭圆计测量实施例1至4的导电结构体的光学常数的平均折光指数(n)和平均消光系数(k)，并示于图6中。更具体地，实施例1至4在可见光区域的平均折光指数和平均消光系数分别为2.45和0.8。
<实验实施例3>
通过椭圆计测量对比例6至10的导电结构体的光学常数的平均折光指数(n)和平均消光系数(k)。更具体地，对比例6至10在可见光区域的平均折光指数和平均消光系数分别为2.45和1.8。
<实验实施例4>
使用Solidspec3700(UV-Vis分光光度计，由岛津公司制造)模拟根据对比例6至10的导电结构体的波长的总反射率，并将结果显示在后面的图5中。此外，实施例1至4和对比例6至10的导电结构体在可见光区域的平均反射率显示在下表2中。
[表2]
如表2中的结果所示，能够知晓的是，其中暗化图案的厚度为20nm至60nm、在可见光区域的平均折射率为2至3并且在可见光区域内的平均消光系数(k)为0.2至1.5的导电结构体的反射性较低，因此，可以改善导电图案的隐匿性。
<实验实施例5>
测量实施例1和2的CIE L*a*b*彩色坐标值和颜色，并将结果显示在表3和图7中。
[表3]
L* a* b*
实施例1 19.88 33.02 -22.19
实施例2 47.20 -7.82 -10.97
<实验实施例6>
在相同的沉积条件下，对比用Al形成导电层的情况下和用Cu形成导电层的情况下的沉积速度。沉积标准为DC150W，3m托3'圆靶。
[表4]
平均沉积速度 Al Cu
nm/min 10 25
从表4的结果能够知晓的是，由Cu形成导电层的情况就沉积速度而言是有益的，并因此就制备过程而言是高效的。Cu的情况的优势在于使用Cu的情况的生产力最大为使用Al的情况的4至5倍。Cu的电阻是Al的电阻的1.5至2倍，因此其获得相同薄层电阻所需的厚度变为Al的厚度的1.5分之一至2分之一。此外，当回顾在实验实施例4中获得的沉积速度时，Cu的沉积速度是Al的2.5倍。因此，Cu能够将生产率提高至Al的4至5倍，因此优势在于可以以很快的速度形成相对薄的厚度。
以下，比较在包含Al的导电层上由AlNx(0<x<1)形成暗化层时的沉积速度和在包含Cu的导电层上由CuOx(0<x≤1)形成暗化层时的沉积速度。通过以时间除对应于预定时间沉积的厚度来计算沉积速度。AlNx的沉积标准为DC100W，使用反应溅射法，CuOx(0<x≤1)的沉积标准为RF100W。
[表5]
平均沉积速度 AlNx CuOx
nm/min 0.7 1
从表5的结果能够知晓：形成包含CuOx(0<x≤1)的暗化层的情况就沉积速度而言是有利的并且因此就制备过程而言是高效的。
根据本发明的示例性实施方式所述的导电结构体和包括所述导电结构体的触屏面板通过在导电层的至少一个表面内引入包含CuOx(0<x≤1)的暗化层可以防止由于导电层的反射而不影响导电层的导电性，并且通过改善导电结构体的吸光度可以改善导电层的隐匿性。
此外，通过引入上述暗化层可以进一步改善触屏面板的对比性能。另外，并不限制制造包含CuOx(0<x≤1)的暗化层的工艺，该工艺的优势在于即使在用于精细电极图案化的蚀刻过程中也可以用通用的铝蚀刻剂进行集中蚀刻。
此外，如上文已经描述的，本发明通过集中地蚀刻导电层和暗化层可以制造包括具有10μm以下线宽的导电图案的导电结构体。
本发明所述领域的技术人员能够基于所述内容在本发明的范围内进行各种应用和改进。
尽管已经详细描述了本发明的具体部分，但对本领域技术人员而言显而易见的是这种具体描述仅为优选的示例性实施方式而本发明的范围不限于此。因此，本发明的实际范围将由随附的权利要求书及其等效内容来限定。

Claims (23)

1.一种导电结构体，其包括：
基板；
设置在所述基板上的导电图案；和
设置在所述导电图案的至少一个表面上并包含CuOx(0<x≤1)的暗化图案，
其中，所述导电图案具有10μm以下的线宽，所述暗化图案具有20nm至60nm的厚度，并且所述导电结构体在可见光区域内具有2至3的平均折射率和0.2至1.5的平均消光系数(k)。
2.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化图案具有在与所述导电图案相接触的表面的对侧表面的方向上测量的、20％以下的总反射率。
3.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化图案设置在所述导电图案和所述基板之间并且具有在所述基板侧测量的、20％以下的总反射率。
4.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体具有1Ω/□至300Ω/□的薄层电阻。
5.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体在可见光区域具有0.4至1.0的平均消光系数(k)。
6.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体具有基于CIE L*a*b*彩色坐标的50以下的亮度值(L*)。
7.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化图案另外包含选自介电材料和金属的一种或多种。
8.根据权利要求7所述的导电结构体，其中，所述介电材料选自SiO、SiO2、MgF2和SiNx，x为1以上的整数。
9.根据权利要求7所述的导电结构体，其中，所述金属选自Fe、Co、Ti、V、Al、Au和Ag。
10.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电图案具有0.01μm至10μm的厚度。
11.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电图案包含选自金属、金属合金、金属氧化物和金属氮化物的一种或多种材料，并且所述材料具有1×106Ω·cm至30×106Ω·cm的电阻率。
12.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电图案包含选自铜、铝、银、钕、钼、镍、它们的合金、它们的氧化物和它们的氮化物的一种或多种。
13.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化图案设置在所述导电图案的两个表面上。
14.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化图案的线宽等于或大于所述导电图案的线宽。
15.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化图案具有为所述导电图案的面积的80％至120％的面积。
16.一种触屏面板，其包括根据权利要求1-15中任一项所述的导电结构体。
17.一种显示装置，其包括根据权利要求1-15中任一项所述的导电结构体。
18.一种太阳能电池，其包括根据权利要求1-15中任一项所述的导电结构体。
19.一种用于制备导电结构体的方法，所述方法包括：
在基板上形成具有10μm以下线宽的导电图案；以及
在形成所述导电图案之前、之后或者前后，以20nm至60nm的厚度形成包含CuOx(0<x≤1)的暗化图案，
其中，所述导电结构体在可见光区域内具有2至3的平均折射率和0.2至1.5的平均消光系数(k)。
20.一种用于制备导电结构体的方法，所述方法包括：
在基板上形成导电层；
在形成所述导电层之前、之后或前后，以20nm至60nm的厚度形成包含CuOx(0<x≤1)的暗化层；以及
通过分别或同时使所述导电层和暗化层图案化而形成具有10μm以下线宽的导电图案和暗化图案，
其中，所述导电结构体在可见光区域内具有2至3的平均折射率和0.2至1.5的平均消光系数(k)。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述导电层或暗化层具有大于0Ω/□且为2Ω/□以下的薄层电阻。
22.根据权利要求19所述的方法，其中，使用溅射法来形成所述暗化图案。
23.根据权利要求20所述的方法，其中，使用溅射法来形成所述暗化层。
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