CN107197627A - 导电结构体及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种导电结构体及其制造方法。根据本发明的一个实施方案的导电结构体的制造方法包括以下步骤：在基板上形成金属层；以及在所述金属层上形成暗化层，其中，所述暗化层的形成步骤通过使用CO₂的反应溅射来进行。

Description

导电结构体及其制造方法

技术领域

本申请要求于2015年2月10日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0020520的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用并入本文中。

本申请涉及一种导电结构体及其制造方法。

背景技术

通常，根据信号检测类型，触摸屏面板可以如下分类。换言之，可以分为在施加直流电压时通过电流或电压值的变化检测被压力按压的位置的电阻型；在施加交流电压时利用电容耦合的电容型；在施加磁场时根据电压变化检测选定位置的电磁型，等等。

近来，随着对大面积触摸屏面板的需求的增加，需要开发能够实现具有优异可视性(visibility)同时降低电极电阻的大型触摸屏面板的技术。

发明内容

技术问题

在本领域中，需要开发用于改善各种类型的触摸屏面板的性能的技术。

技术方案

本申请的一个示例性实施方案提供一种导电结构体的制造方法，包括：

在基板上形成金属层，以及

在所述金属层上形成暗化层，

其中，所述暗化层的形成通过使用CO₂的反应溅射来进行。

本发明的另一示例性实施方案提供一种导电结构体的制造方法，包括：

在基板上形成暗化层，以及

在所述暗化层上形成金属层，

其中，所述暗化层的形成通过使用CO₂的反应溅射来进行。

本发明的另一示例性实施方案提供一种通过所述导电结构体的制造方法制造的导电结构体。

本发明的再一示例性实施方案提供一种导电结构体，包括：

基板；

设置在所述基板上的金属层；以及

设置在所述金属层的至少一个表面上的暗化层，

其中，所述暗化层包含(CuO_x)_aC_b，x在0<x≤1的范围内，a+b＝1，b在0<b≤0.1的范围内。

本发明的又一示例性实施方案提供一种包括所述导电结构体的电子装置。

有益效果

根据本申请的示例性实施方案的导电结构体不影响导电图案的导电性，并且通过改善吸光度，可以防止由导电图案引起的反射并且改善导电图案的遮蔽性(concealment)。此外，在根据本申请的示例性实施方案的导电结构体中，暗化层利用使用CO₂的反应溅射来形成，结果，与现有技术中暗化层利用使用O₂的反应溅射来形成的情况相比，可以通过抑制高温变性来提供一种稳定的暗化层，并且即使在沉积速率方面也可以提供一种改进的工艺。

另外，使用根据本发明的示例性实施方案的导电结构体，可以开发具有改善的可视性的电子装置，如触摸屏面板、显示装置和太阳能电池。

附图说明

图1至图3是分别示意性地示出根据本申请的一个示例性实施方案的包括暗化层的导电结构体的层压结构；

图4是示出根据本发明的示例性实施方案的实施例1和比较例1中的导电结构体在热处理之前和之后的反射率随着CO₂反应气体或O₂反应气体的分压比(％)的变化的图；

图5是示出根据本发明的一个示例性实施方案的通过使用CO₂的反应溅射而形成的暗化层的组成分布的图；

图6是示出现有技术中通过使用O₂的反应溅射而形成的暗化层的组成分布的图。

<附图标记>

100：基板

200：暗化层

220：暗化层

300：金属层

具体实施方式

下文中，将更详细地描述本发明。

在本申请中，显示装置统称地指TV、计算机显示器等，并且包括形成图像的显示元件和支撑显示元件的壳体。

作为显示元件，可以例示为等离子显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、电泳显示器、阴极射线管(CRT)、OLED显示器等。在显示元件中，可以设置用于呈现图像的RGB像素图案和附加滤光器。

同时，关于显示装置，随着智能手机、平板PC、IPTV等的普及加速，对在没有单独的输入设备(如键盘或遥控器)的情况下将人手变为直接输入设备的触摸功能的需求逐渐增加。此外，需要能够书写的多点触摸功能和特定点识别。

目前商业化的大多数触摸屏面板(TSP)以透明导电ITO薄膜为基础，但是在应用于大面积触摸屏面板时，具有如下问题：由于由ITO透明电极本身相对较高的表面电阻(最小为150Ω/□(Ω/square)，由Nitto Denko Corporation制造的ELECRYSTA产品)引起的RC延迟，使得触摸识别速度降低，为了克服这种问题，需要引入附加的补偿芯片。

本发明人研究了用金属精细图案替代透明ITO薄膜的技术。结果，本发明人发现，在使用具有较高导电性的金属薄膜作为用于触摸屏面板的电极的情况下，当应用具有特定形状的精细电极图案时，在高反射率引起的可视性方面，由于对外部光的较高的反射率、雾度值等，会产生图案被人眼很好地观察到以及眩目的问题。此外，在制造过程中，本发明人发现，在许多情况下目标值昂贵或者过程复杂。

另外，在使用金属细线作为透明电极的情况下，最大的问题是反射的颜色。由于金属的独特光泽，会产生由外部光源引起的诸如眩目的可视性问题，因此，需要在金属表面上形成能够减少反射的附加层。

在现有技术中作为暗化结构的诸如AlOxNy/Al的结构的情况下，尽管具有优异的特性，但是由于较低的生产率而产生缺点，本发明人引入了Cu基暗化结构。

在使用电极层和基于Cu(具有比Al更低的比电阻值)的暗化层的情况下，用于满足制造触摸屏所需的表面电阻的薄膜的厚度可以更小，特别地，在溅射过程中，由于Cu材料具有比Al高约三倍的优异的溅射效率值，因此，理论上，沉积速率可以提高约三倍。

Cu电极也可以利用Cu氧化物来变黑，并且Cu电极层可以通过物理沉积方法和化学沉积方法形成，CuO也可以通过诸如直接溅射方法、反应溅射方法、蒸发沉积方法等的方法来形成。然而，当使用Cu氧化物作为暗化层的材料时，在保持高温和高湿的情况下观察到Cu暗化结构的变色，因此，作为初衷的金属的暗化功能劣化，最终，会引起触摸屏的可视性问题。此外，在后处理如膜的热处理以及电极丝附加工艺中所产生的高温过程等中，会引起稳定性问题。

因此，本申请提供一种导电结构体，该导电结构体可以与使用常规ITO类透明导电薄膜层的触摸屏面板不同，并且可以应用于具有改善的金属精细图案电极的遮蔽性能以及对外部光的反射和衍射性能的触摸屏面板。

另外，本申请提供一种导电结构体及其制造方法，所述制造方法能够克服使用O₂的常规反应溅射方法的较低的生产率、在高温和高湿度下的变色问题等。

根据本申请的一个示例性实施方案的导电结构体的制造方法包括：在基板上形成金属层；以及在所述金属层上形成暗化层，其中，所述暗化层的形成通过使用CO₂的反应溅射来进行。

另外，根据本申请的另一示例性实施方案的导电结构体的制造方法包括：在基板上形成暗化层；以及在所述暗化层上形成金属层，其中，所述暗化层的形成通过使用CO₂的反应溅射来进行。在这种情况下，所述制造方法还可以包括在金属层上形成暗化层。

在本申请中，暗化层指能够通过吸收来减少入射到金属层本身的光的量和从金属层反射的光的量的层，暗化层可以用术语吸收层、吸光层、黑化层、暗色层等来表示。

在本申请中，暗化层可以包含选自金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的至少一种，但是不限于此。在这种情况下，所述金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物可以包含选自Fe、Co、Ti、V、Al、Au、Cu和Ag中的至少一种金属，但是不限于此。根据本申请的示例性实施方案，除了上述金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物之外，暗化层可以另外包含诸如SiO、SiO₂、MgF₂和SiNx(x为1以上的整数)的介电材料。

特别地，暗化层可以包含(CuO_x)_aC_b，在这种情况下，x可以在0<x≤1的范围内，a+b＝1，b可以在0<b≤0.1的范围内。

在根据本申请的导电结构体的制造方法中，暗化层利用使用CO₂的反应溅射来形成，结果，与暗化层利用使用O₂的常规反应溅射来形成的情况相比，可以通过抑制高温变性来提供一种稳定的暗化层，并且在沉积速率方面也可以提供一种改进的工艺。

根据本申请的导电结构体的制造方法，当形成暗化层时，反应溅射可以通过同时注入CO₂和Ar来进行。在这种情况下，CO₂的分压可以为66％以上、80％以上和90％以上，但是不限于此。此外，在暗化层中，可以含有少量的C，更特别地，暗化层中C的含量可以小于0.3重量％，但是不限于此。

在本申请中，基板可以使用透明基板，并且没有特别地限制，例如，基板可以使用玻璃、塑料基板、塑料膜等。

在本申请中，金属层的材料可以是具有优异导电性且易于蚀刻的金属材料。然而，通常，具有优异导电性的材料具有反射率高的缺点。然而，在本申请中，通过使用具有较高反射率的材料，使用暗化层来形成金属层。在本申请中，即使在使用反射率为70至80％以上的材料的情况下，也可以添加暗化层来降低反射率、改善金属层的遮蔽性，并且保持或改善对比度特性。

金属层的材料的具体实例可以是含有铜、铝、银、钕、钼、镍和它们的合金中的至少一种的单层或多层，更优选地为铜或铝的单层或多层，但是不限于此。

另外，金属层和暗化层可以包含不同的金属原子，也可以包含相同的金属原子。

在本申请中，金属层的形成可以使用本领域中已知的方法进行。例如，金属层可以通过诸如直接溅射方法、反应溅射方法、蒸发沉积方法等的方法形成，但是不限于此。

在本申请中，可以另外包括分别地或同时地使金属层和暗化层图案化的过程。

换言之，在根据本申请的示例性实施方案的导电结构体的制造方法中，在基板上形成金属层，通过使金属层图案化来形成金属图案，然后可以在金属图案上形成暗化层或暗化图案。此外，在根据本申请的另一示例性实施方案的导电结构体的制造方法中，在基板上形成金属层，在金属层上形成暗化层，然后通过同时使金属层和暗化层图案化，可以形成金属图案和暗化图案。

另外，在根据本申请的示例性实施方案的导电结构体的制造方法中，在基板上形成暗化层，通过使暗化层图案化来形成暗化图案，然后可以在暗化图案上形成金属层或金属图案。此外，在根据本申请的另一示例性实施方案的导电结构体的制造方法中，在基板上形成暗化层，在暗化层上形成金属层，然后通过同时使金属层和暗化层图案化，可以形成金属图案和暗化图案。

在本申请中，金属图案的线宽可以大于0μm且为10μm以下，特别地为0.1μm以上且为10μm以下，更特别地为0.2μm以上且为8μm以下，还更特别地为0.5μm以上且为5μm以下。

在本申请中，金属图案的开口率，即，未被图案覆盖的面积比例可以为70％以上、85％以上和95％以上。此外，金属图案的开口率可以为90至99.9％，但是不限于此。

在本申请中，金属图案可以是规则图案和不规则图案。

作为规则图案，可以使用本领域中的图案形式，如网格图案。对不规则图案没有特别地限制，但是可以是包含泰森多边形图(voronoi diagram)的图形的边界线形式。在本申请中，在一起使用不规则图案和暗化图案的情况下，由定向照明引起的反射光的衍射图案可以通过不规则图案除去，并且可以通过暗化层使光的散射的影响最小化，因此，可以使可视性的问题最小化。

在本申请中，金属图案包括连续连接的封闭图形(closed figures)的边缘结构，并且金属图案在任意单位区域(1cm×1cm)内不具有相同形状的封闭图形，封闭图形中的顶点(apexes)数可以与具有与封闭图形的数量相同的数量的四边形中的顶点数不同。

封闭图形中的顶点数与具有与封闭图形的数量相同的数量的四边形中的顶点数不同。更特别地，封闭图形中的顶点数可以比具有与封闭图形的数量相同的数量的四边形中的顶点数多或者多1.9至2.1倍，但是不限于此。

在本申请中，封闭图形彼此连续地连接，例如，当封闭图形是多边形时，相邻的封闭图形可以共用至少一个边。

在本申请中，金属图案包括连续连接的封闭图形的边缘结构，并且金属图案在任意单位区域(1cm×1cm)内不具有相同形状的封闭图形，封闭图形中的顶点数可以与通过连接封闭图形的重心之间的最短距离而形成的多边形中的顶点数不同。

封闭图形中的顶点数与通过连接封闭图形的重心之间的最短距离而形成的多边形中的顶点数不同。更特别地，封闭图形中的顶点数可以比通过连接封闭图形的重心之间的最短距离而形成的多边形中的顶点数多或者多1.9至2.1倍，但是不限于此。

在本申请中，金属图案包括连续连接的封闭图形的边缘结构，并且金属图案在任意单位区域(1cm×1cm)内不具有相同形状的封闭图形，在封闭图形中，下面的式3中的值可以是50以上。

[式3]

(顶点之间的距离的标准偏差/顶点之间的距离的平均值)×100

在本申请中，当通过将从光源发出的直线光照射到金属图案的一个表面上而得到透射的衍射图案的图像时，在该图像中，下面的式4的值可以小于21。

[式4]

(随着角度区域变化的透射的衍射图案的强度的标准偏差/随着角度区域变化的透射的衍射图案的平均强度)×100

在式4中，角度区域指从透射的衍射图案的图像中心以每10°分割0°至360°的区域。

当得到透射的衍射图案的图像时，在该图像中，式4中的值可以小于21、为15以下以及为10以下。

在本申请中，金属图案包括彼此连续连接的封闭图形的边缘结构，并且封闭图形的边缘结构可以以各种形式，如直线、曲线、之字形(zigzag)和它们的组合来改变。

在本申请中，金属图案在单位区域中可以不具有相同的封闭图形。

在本申请中，导电图案包括连续连接的封闭图形的边缘结构，当在构成封闭图形的边缘的线与任意直线之间形成的角度在0°至180°中以10°的单位分割时，相对于各个角度范围内的线数，下面的式5的值可以小于21、为15以下以及为10以下。

[式5]

(角度范围中的线数的标准偏差/角度范围中的线数的平均值)×100

在本申请中，在金属图案中，式3至式5中的值可以在导电图案的单位区域内计算。单位区域可以是由金属图案形成的区域，例如，为3.5cm×3.5cm，但是不限于此。

顶点将被定义为指构成金属图案的封闭图形的边缘的线彼此交叉的点。

由此，形成图案以实现触摸屏中所需的精细金属图案。在触摸屏中，当没有实现精细金属图案时，不能得到触摸屏所需的物理性能，如电阻等。

在本申请中，金属图案可以是封闭图形的边缘结构的形式，其通过在规则排列的单位单元中设置任意点，并将这些点与距离其它点最近的点连接而形成。

在这种情况下，在在规则排列的单位单元中设置任意点的方法中引入不规则性的情况下，可以形成根据本申请的示例性实施方案的金属图案。例如，当不规则度为0时，当单位单元为正方形时，金属图案具有方形网格结构，当单位单元为正六边形时，金属图案具有蜂窝状结构。

通过根据本申请的示例性实施方案的不规则图案形式的金属图案，可以抑制构成图案的线的覆盖现象，可以从显示器得到均匀的透光率，并且可以将单位区域的线密度保持在同一水平，并且可以确保均匀的导电性。

在本申请中，在金属图案中，单位区域(3.5cm×3.5cm)内的封闭图形的顶点数可以为6,000以上、7,000以上、15,000以上且为245,000以下，但是可以根据本领域技术人员需要的透光率和导电性进行调节。

在本申请中，金属图案的线宽为10μm以下，并且在金属图案中，在3.5cm×3.5cm的区域中的封闭图形的顶点数可以为6,000至245,000。此外，金属图案的线宽为7μm以下，并且在金属图案中，在3.5cm×3.5cm的区域中的封闭图形的顶点数可以为7,000至62,000。此外，金属图案的线宽为5μm以下，并且在金属图案中，在3.5cm×3.5cm的区域中的封闭图形的顶点数可以为15,000至62,000。

在单位区域中构成图案的至少一个图形可以具有与其它图形不同的形状。

在本申请中，暗化图案和金属图案的边可以具有正锥度角，但是设置在金属图案的基板或金属图案的对面的暗化图案可以具有倒锥度角。

另外，本申请的另一示例性实施方案提供一种通过所述导电结构体的制造方法制造的导电结构体。

另外，本申请的又一示例性实施方案提供一种导电结构体，包括：基板；设置在所述基板上的金属层；以及设置在所述金属层的至少一个表面上的暗化层。

特别地，所述导电结构体的暗化层包含(CuO_x)_aC_b，x在0<x≤1的范围内，a+b＝1，b在0<b≤0.1的范围内。

根据本申请的示例性实施方案的导电结构体的一个实例示于下面的图1至图3中。图1至图3例示了基板、金属层和暗化层的层压顺序，当将其实际应用于触摸屏面板等的精细透明电极时，金属层和暗化层可以具有图案化的形状，而不是全部表面层。

参照图1，示出了暗化层200设置在基板100和金属层300之间。当用户从基板侧观察触摸屏面板时，可以大大降低由金属层引起的反射。

参照图2，示出了暗化层200设置在金属层300上。当用户从基板侧的对面观察触摸屏面板时，可以大大降低由金属层引起的反射。

参照图3，示出了暗化层200和220设置在基板100和金属层300之间以及在金属层300上。当用户从基板侧及其对面观察触摸屏面板时，可以大大降低由金属层引起的反射。

在根据本申请的示例性实施方案的导电结构体的结构中，暗化层可以设置在金属层的至少一个表面上。

根据本申请的示例性实施方案的导电结构体的结构可以是基板、暗化层、金属层和暗化层顺序层压的结构。此外，导电结构体可以另外包括在最外面的暗化层上的金属层和暗化层。

换言之，根据本申请的示例性实施方案的导电结构体的结构可以是基板/暗化层/金属层的结构、基板/金属层/暗化层的结构、基板/暗化层/金属层/暗化层的结构、基板/金属层/暗化层/金属层的结构、基板/暗化层/金属层/暗化层/金属层/暗化层的结构、基板/暗化层/金属层/暗化层/金属层/暗化层/金属层/暗化层的结构等。

在本申请的示例性实施方案中，导电结构体的表面电阻可以为1Ω/□以上且为300Ω/□以下，特别地为1Ω/□以上且为100Ω/□以下，更特别地为1Ω/□以上且为50Ω/□以下，还更具体地为1Ω/□以上且为20Ω/□以下。

如果导电结构体的表面电阻为1Ω/□以上且为300Ω/□以下，则具有替代现有技术中的ITO透明电极的效果。当导电结构体的表面电阻为1Ω/□以上且为100Ω/□以下，或为1Ω/□以上且为50Ω/□以下，特别地，1Ω/□以上且为20Ω/□以下时，与使用现有技术中的ITO透明电极的情况相比，表面电阻显著较低。因此，具有当施加信号时RC延迟变短的优点，结果，可以显著改善触摸识别速度，并且容易应用于具有10英寸以上的大面积的触摸屏。

在导电结构体中，图案化之前的金属层或暗化层的表面电阻可以大于0Ω/□且为2Ω/□以下，特别地，大于0Ω/□且为0.7Ω/□以下。当表面电阻为2Ω/□以下，特别地，0.7Ω/□以下时，由于图案化之前的金属层或暗化层的表面电阻降低，因此，容易进行精细图案化设计和制造过程，并且图案化之后导电结构体的表面电阻降低，因此，具有提高电极的反应速率的效果。可以根据金属层或暗化层的厚度来调节表面电阻。

在根据本发明的示例性实施方案的导电结构体中，在可见光区域中的平均消光系数k可以为0.2至1.5，特别地为0.4至1.0。当平均消光系数k为0.2以上时，具有能够暗化的效果。平均消光系数k被称为吸收系数，并且作为能够定义导电结构体吸收特定波长的光的强烈程度的度量，是决定导电结构体的透光率的因素。例如，在透明介电材料的情况下，k<0.2，该k值非常小。然而，随着材料中的金属成分增加，k值增大。如果金属成分进一步增加，则金属成分变为几乎不发生透射并且仅主要发生表面反射的金属，并且消光系数k大于1.5，因此，在暗化层的形成方面不优选。

在本发明的示例性实施方案中，在导电结构体中，在可见光区域中的平均折射率可以为2至3。

在本申请中，可见光区域指波长为360nm至820nm的区域。

在本发明的示例性实施方案中，暗化层的厚度可以为20nm至60nm，特别地为25nm至50nm，更特别地为30nm至50nm。暗化图案的优选厚度可以根据所使用的材料和制造过程而变化，但是考虑到蚀刻特性，当厚度小于20nm时，所述过程会不容易调节，当厚度大于60nm时，在生产率方面会不利。特别地，当厚度为25nm以上且为50nm以下，更特别地为30nm至50nm时，所述过程容易调节并且生产率改善，因此，在制造过程中会更有利。在这种情况下，反射进一步降低，并且暗化层更好得形成，因此，具有更有利的效果。

在本发明的示例性实施方案中，暗化层的总反射率可以为20％以下，特别地为15％以下，更特别地为10％以下，还更特别地为5％以下和3％以下。因为总反射率越小，效果越好。

总反射率可以在暗化层与金属层接触的表面的相对表面的方向上测量。在该方向上测量的总反射率可以为20％以下，特别地为15％以下，更特别地为10％以下，还更特别地为5％以下和3％以下。反射率越小，效果越好。

另外，暗化层设置在金属层和基板之间，并且可以在基板侧测量总反射率。当在基板侧测量总反射率时，总反射率可以为20％以下，特别地为15％以下，更特别地为10％以下，还更特别地为5％以下和3％以下。因为总反射率越小，效果越好。

在本申请中，总反射率是指在用完全黑色处理与待测表面相对的表面之后，对于以90°入射到待测表面上的波长为300至800nm，特别地为380至780nm，更特别地为550nm的光的反射率。

在本发明的示例性实施方案中，在导电结构体中，暗化层的总反射率可以为20％以下，特别地为15％以下，更特别地为10％以下，还更特别地为6％以下。因为总反射率越小，效果越好。

在本申请中，总反射率可以是当入射光被定义为100％时，基于由光入射的目标图案层或导电结构体所反射的波长值为300至680nm，特别地为450至650nm，更特别地为550nm的反射光而测量的值。

在根据本发明的示例性实施方案的导电结构体中，暗化图案可以包括与金属图案接触的第一表面和面向该第一表面的第二表面。当在暗化图案的第二表面侧测量导电结构体的总反射率时，导电结构体的总反射率Rt可以由下面的式1计算。

[式1]

总反射率Rt＝基板的反射率+闭合率×暗化图案的反射率

此外，当导电结构体的结构为两种类型的导电结构体层压的情况时，导电结构体的总反射率Rt可以由下面的式2计算。

[式2]

总反射率Rt＝基板的反射率+闭合率×暗化图案的反射率×2

在式1和式2中，基板的反射率可以是触摸强化玻璃的反射率，当表面是膜时，基板的反射率可以是膜的反射率。

另外，闭合率可以由基于导电结构体的平面，被金属图案覆盖的区域所占据的面积比例，换言之，(1-开口比例)来表示。

因此，具有暗化图案的情况和不具有暗化层的情况之间的差异取决于暗化层的反射率。在这一方面，与除了不具有暗化图案之外具有相同结构的导电结构体的总反射率R₀相比，根据本申请的示例性实施方案的导电结构体的总反射率Rt可以降低10％至20％、20％至30％、30％至40％、40％至50％以及50％至70％。换言之，在式1和式2中，当将总反射率的范围变为1％至30％，同时将闭合率的范围变为1％至10％时，可以表现出最大为70％的降低总反射率的效果，并且可以表现出最小为10％的降低总反射率效果。

在根据本申请的示例性实施方案的导电结构体中，暗化图案包括与金属图案接触的第一表面和面向该第一表面的第二表面。当在暗化图案的第二表面侧测量导电结构体的总反射率时，导电结构体的总反射率Rt与基板的总反射率R₀之间的差可以为40％以下、30％以下、20％以下和10％以下。

在本申请的示例性实施方案中，基于国际照明委员会(CommissionInternationale de l'Eclairage，CIE)的L*a*b*色坐标，导电结构体的对比度值L*可以为50以下，更特别地为20以下。因为对比度值降低，总反射率降低，从而有利。

另外，在根据本申请的示例性实施方案的导电结构体中，暗化图案可以直接设置在基板或金属图案上，而不插入粘附层或粘合层。粘附层或粘合层会影响耐久性或光学性能。此外，根据本申请的示例性实施方案的导电结构体的制造方法与使用粘附层或粘合层的情况完全不同。此外，与使用粘附层或粘合层的情况相比，在本申请的示例性实施方案中，基板或金属图案与暗化图案之间的界面特性优异。

在本申请的示例性实施方案中，暗化图案可以由单层或两个以上层形成。

在本申请的示例性实施方案中，暗化图案可以具有非彩色(achromatic color)。在这种情况下，非彩色指当入射到物体表面的光没有被选择性地吸收，而是被均匀地反射并且在每个成分的波长处被吸收时所表现出的颜色。

本发明的另一示例性实施方案提供一种包括所述导电结构的电子装置。

所述电子装置可以包括触摸屏面板、显示装置、太阳能电池等，但是不限于此。

更特别地，例如，在电容型触摸屏面板中，根据本发明的示例性实施方案的导电结构体可以用作触摸感应型电极基板。

除了包括基板、金属层和暗化层的导电结构体之外，触摸屏面板还可以包括附加结构体。在这种情况下，两个结构可以沿相同的方向设置，或者可以沿彼此相反的方向设置。可以包括在本发明的触摸屏面板中的两个以上结构体不必具有相同的结构，并且任意一个，优选地，仅离用户最近的结构体可以包括基板、金属层和暗化层，并且附加结构体可以不包括图案化的暗化层。此外，两个以上结构体中的层压结构可以彼此不同。当包括两个以上结构体时，可以在它们之间设置绝缘层。在这种情况下，绝缘层可以另外具有粘附层的功能。

根据本申请的示例性实施方案的触摸屏面板可以包括：下基板；上基板；以及电极层，该电极层设置在与上基板接触的下基板的表面以及与下基板接触的上基板的表面中的任意一个表面上或两个表面上。电极层可以分别执行检测X轴位置和检测Y轴位置的功能。

在这种情况下，设置在下基板上和与上基板接触的下基板的表面上的电极层；以及设置在上基板上和与下基板接触的上基板的表面上的电极层中的一个或两个可以是根据本申请的上述示例性实施方案的导电结构体。在电极层中仅有一个是根据本申请的导电结构体的情况下，其余的电极层可以具有本领域中已知的金属图案。

在将电极层设置在上基板和下基板两者的一个表面上以形成两层的电极层的情况下，可以在下基板与上基板之间设置绝缘层或垫片，以便均匀地保持电极层之间的距离，并且使电极层不彼此接触。绝缘层可以包含粘合剂或者UV或热固性树脂。触摸屏面板还可以包括连接至上述导电结构体中的金属图案的接地部分。例如，接地部分可以在基板的具有金属图案的表面的边缘处形成。此外，可以在包括导电结构体的层压体的至少一个表面上设置防反射膜、偏光膜和防指纹膜中的至少一种。根据设计规格，除了上述功能膜之外，还可以包括不同种类的功能膜。如上所述，触摸屏面板可以应用于诸如OLED显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、阴极射线管(CRT)和PDP的显示装置中。

在根据本申请的示例性实施方案的触摸屏面板中，金属图案和暗化图案可以分别设置在基板的两个表面上。

根据本申请的示例性实施方案的触摸屏面板可以另外包括在导电结构体上的电极部分或衬垫部分(pad portion)。在这种情况下，有效屏幕部分、电极部分和衬垫部分可以由相同的导体组成。

在根据本申请的示例性实施方案的触摸屏面板中，可以在用户观察的一侧设置暗化图案。

另外，在显示装置中，根据本申请的示例性实施方案的导电结构体可以用在滤光器基板、薄膜晶体管基板等中。

另外，太阳能电池可以包括阳极电极、阴极电极、光敏层、空穴传输层和/或电子传输层，并且根据本申请的示例性实施方案的导电结构体可以用作阳极电极和/或阴极电极。

所述导电结构体可以替代显示装置或太阳能电池中的常规ITO，并且可以用于柔性应用。此外，所述导电结构体可以与CNT、导电聚合物、石墨烯等一起用作下一代透明电极。

下文中，将参照实施例、比较例和试验例更详细地描述本发明。然而，下面的实施例、比较例和试验例仅是例示本发明，本发明的范围不限于此。

<实施例>

<实施例1>

通过使用Cu单一靶的直流溅射方法在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板上形成厚度为60nm的Cu层作为导电层，并且通过CO₂反应溅射方法，在Cu单一靶中形成厚度为35nm且含有少量(小于0.3重量％)的C的包含CuOx(0＜x＜1)的暗化层，从而制造实施例1的导电结构体。在这种情况下，在CO₂:Ar气体的分压为0％至100％下进行试验，并且在66％以上的分压下可以形成目标物质。用于沉积的放电电压为150W，使用3英寸的溅射装置，当放电电压进行转换时，放电电压为约3.29W/cm²。将沉积过程中的过程压力保持为约3mTorr。

<比较例1>

通过使用Cu单一靶的直流溅射方法在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板上形成厚度为60nm的Cu层作为导电层，并且通过O₂反应溅射方法，在Cu单一靶中形成厚度为35nm的包含CuOx(0＜x＜1)的暗化层，从而制造比较例1的导电结构体。在这种情况下，在O₂:Ar气体的分压为0％至100％下进行试验，并且在20％以上的分压下可以形成目标物质。用于沉积的放电电压为150W，使用3英寸的溅射装置，当放电电压进行转换时，放电电压为约3.29W/cm²。将沉积过程中的过程压力保持为约3mTorr。

<试验例>

1)热处理之前和之后反射率的变化

在实施例1和比较例1中制造的导电结构体在热处理之前和之后的反射率随着CO₂反应气体的分压比(％)或O₂反应气体的分压比(％)的变化示于下面的图4中。下面的图4的上部的分压比(％)指CO₂/O₂与Ar的分压比。在这种情况下，热处理条件为150℃和30分钟。

根据下面的图4的结果，可以看出，如在本申请中，在使用CO₂反应气体的情况下，热处理之前和之后反射率几乎没有变化。

2)暗化层的组成分布

图5示出了在热处理之前和之后在实施例1中制造的导电结构体中的暗化层的组成分布。图6示出了在热处理之前和之后在比较例1中制造的导电结构体中的暗化层的组成分布。在这种情况下，热处理条件为150℃和30分钟。

3)沉积速率

当制造实施例1和比较例1的导电结构体时，评价随着反应气体的类型而变化的沉积速率，并示于下面的表1中。

[表1]

结果，根据本申请的示例性实施方案的导电结构体不影响导电图案的导电性，并且可以通过改善吸光度来防止由导电图案引起的反射并且改善导电图案的遮蔽性。此外，在根据本申请的示例性实施方案的导电结构体中，暗化层利用使用CO₂的反应溅射来形成，结果，与暗化层利用使用O₂的常规反应溅射来形成的情况相比，可以通过抑制高温变性来提供一种稳定的暗化层，并且在沉积速率方面也可以提供一种改进的工艺。

另外，使用根据本申请的示例性实施方案的导电结构体，可以开发具有改善的可视性的电子装置，如触摸屏面板、显示装置和太阳能电池。

Claims (17)

1.一种导电结构体的制造方法，包括：

在基板上形成金属层，以及

在所述金属层上形成暗化层，

其中，所述暗化层的形成通过使用CO₂的反应溅射来进行。

2.一种导电结构体的制造方法，包括：

在基板上形成暗化层，以及

在所述暗化层上形成金属层，

其中，所述暗化层的形成通过使用CO₂的反应溅射来进行。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，当形成所述暗化层时，所述反应溅射通过同时注入CO₂和Ar来进行。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，CO₂的分压为66％以上。

5.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述暗化层包含选自金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，所述金属氧化物、所述金属氮化物或所述金属氮氧化物包含选自Fe、Co、Ti、V、Al、Au、Cu、Ag和它们的合金中的至少一种金属。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其中，所述金属层和所述暗化层包含相同的金属原子。

8.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述暗化层包含(CuO_x)_aC_b，x在0<x≤1的范围内，a+b＝1，b在0<b≤0.1的范围内。

9.根据权利要求1或2所述的制造方法，还包括：

分别地或同时地使所述金属层和所述暗化层图案化。

10.一种通过权利要求1或2所述的导电结构体的制造方法制造的导电结构体。

11.一种导电结构体，包括：

基板；

设置在所述基板上的金属层；以及

设置在所述金属层的至少一个表面上的暗化层，

其中，所述暗化层包含(CuO_x)_aC_b，x在0<x≤1的范围内，a+b＝1，b在0<b≤0.1的范围内。

12.根据权利要求11所述的导电结构体，其中，在所述暗化层与所述金属层接触的表面的相对表面的方向上测量的总反射率为20％以下。

13.根据权利要求11所述的导电结构体，其中，所述暗化层设置在所述金属层和所述基板之间，在所述基板侧测量的总反射率为20％以下。

14.根据权利要求11所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的表面电阻为1Ω/□以上且为300Ω/□以下。

15.根据权利要求11所述的导电结构体，其中，所述导电结构体在可见光区域中的平均消光系数k为0.4至1.0。

16.根据权利要求11所述的导电结构体，其中，所述导电结构体基于CIE L*a*b*色坐标的对比度值L*为50以下。

17.一种包括权利要求11至16中的任意一项所述的导电结构体的电子装置。