[go: up one dir, main page]

CN104241496A - Led用的金属基板 - Google Patents

Led用的金属基板 Download PDF

Info

Publication number
CN104241496A
CN104241496A CN201310241767.9A CN201310241767A CN104241496A CN 104241496 A CN104241496 A CN 104241496A CN 201310241767 A CN201310241767 A CN 201310241767A CN 104241496 A CN104241496 A CN 104241496A
Authority
CN
China
Prior art keywords
adjustment
coating
alloy
metal substrate
cuw
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310241767.9A
Other languages
English (en)
Inventor
大下文夫
山口雅弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Takamatsu Plating Co Ltd
Original Assignee
Takamatsu Plating Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Takamatsu Plating Co Ltd filed Critical Takamatsu Plating Co Ltd
Priority to CN201310241767.9A priority Critical patent/CN104241496A/zh
Publication of CN104241496A publication Critical patent/CN104241496A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供一种LED用的金属基板,作为金属基板的芯材而着眼于材质具有与Mo接近(是耐高温、热膨胀系数小、在真空中极为稳定的材料)的特性的其他金属,通过对其加以改善而具备高亮度、高散热的功能,即便是不熟练也不会失败而能够切实地粘接设置LED元件。在CuW合金的核心基板上隔着Ni或Ni-P合金的基底镀层而形成用于改善CuW的硬度的调整镀层,该调整镀层为如下三种调整镀层的任一种:AuSn的合金调整镀层(3);Au和Sn层叠的复合调整镀层(4);In和Au层叠的复合调整镀层(5),能够通过该调整镀层与LED元件的外延层粘接。

Description

LED用的金属基板
技术领域
本发明涉及与硅晶圆等同样地按搭载的LED元件切出并使用、从而也被称为金属晶圆的LED用的金属基板。
背景技术
以往,本申请的申请人等以特征为高亮度、高散热的LED用的基板为目的物,进行了镀敷方法的研究、开发,而制造并提供了在Mo的芯材的两面镀Cu的金属基板(专利文献1)。在该说明书中将该金属基板称为“DMD”。
DMD现在用的很多并提供给厂商,在后续厂商处经过通过粘接来组装LED元件的精细的工序,而最终组装成LED芯片,但当被提供的后续厂商尤其是处于国外时,作业员对于该粘接工序并不能得心应手。
专利文献1:JP特开2012-109288号公报
其原因是:在DMD的情况下,作为其基底材料的芯材Mo具有柔性,因此在粘接工序中会产生翘曲,因此会产生未粘接部分等,导致接合出现问题。为此,进行了大量的实验,尝试了通过对DMD施加镀层来进行改善,但成为了在Mo(或DMD)的柔性的不稳定的问题之上施加镀层的方法(参照表1),因此无法从根本上解决该缺点。
[表1]
DMD CuW(11%Cu)
硬度 160 300
导热率(W/(m·k)) 160~180 170~180
热膨胀系数(106/k) 5.1~(通过Cu厚度调整) 6.5
发明内容
本发明鉴于以上的情况,其课题在于提供一种LED的金属基板,作为金属基板的芯材而着眼于材质具有与Mo接近(是耐高温、热膨胀系数小、在真空中极为稳定的材料)的特性的其他金属,通过对其加以改善而具备高亮度、高散热的功能,即便是不熟练也不会失败而能够切实地粘接设置LED元件。
为了解决上述课题,本发明提供一种LED用的金属基板,其特征在于,在CuW合金的核心基板上隔着Ni或Ni-P合金的基底镀层而形成用于改善CuW的硬度的调整镀层,该调整镀层为如下三种调整镀层的任一种:
(1)AuSn的合金调整镀层3;
(2)Au和Sn层叠的复合调整镀层4;
(3)In和Au层叠的复合调整镀层5,
能够通过该调整镀层与LED元件的外延层粘接。
如上构成LED用的金属基板,因此作为中心的核心基板(芯材)为Cu和W的合金(CuW,Cu为5~20%(剩余为W))。该CuW合金材料通过在W的烧结体熔浸Cu板而制造。此外,没有直接附加粘接剂,但能够通过调整镀层3、4、5与LED元件的外延层7粘接。
此外,核心基板1为CuW,虽然脆、但有硬度(参照表1),因此是在外延接合工序中难以翘曲的材料,能够使调整镀层3、4、5不变形而稳定地保持在其上。并且,该调整镀层3、4、5是适于调整的软质,由此将CuW的硬度缓和到具有适于LED元件的粘接的柔软性的程度。此外,具有高亮度、高散热的金属特性,适于搭载LED元件。
如上所述,根据本发明,该LED用的金属基板将耐高温、热膨胀系数小、在真空中也极为稳定的CuW作为核心基板,在其至少一面形成有CuW的硬度的调整镀层,从而改善了硬度高、形态没有柔软性的CuW的材质,容易正确无误地外延接合LED元件,因此不需要熟练就能够适当地搭载LED元件,且能有效地发挥高亮度、高散热的特性。
附图说明
图1是在使用状态下表示本发明的一个实施例的LED用基板的截面说明图。
图2是表示另一实施例的基板的截面说明图。
图3是表示又一实施例的基板的截面说明图。
图4是表示又一实施例的基板的截面说明图。
图5是表示又一实施例的基板的截面说明图。
图6是表示又一实施例的基板的截面说明图。
图7是表示又一实施例的基板的截面说明图。
图8是表示又一实施例的基板的截面说明图。
图9是表示又一实施例的基板的截面说明图。
具体实施方式
在本发明中,调整镀层3、4、5是软化核心基板1的“CuW”的硬度、若变形则也对其进行调整的层,有如下三种。
(1)AuSn合金的调整镀层3
(2)Au和Sn层叠的复合调整镀层4
此时,在接合时Au和Sn熔融而成为AuSn。
(3)In和Au层叠的复合调整镀层5
此时,In的熔点低至156.4℃,因此具有能够降低接合温度的优点。
此外,在(2)、(3)的情况下,为镀层层叠的复合镀层4、5,因此也存在高亮度的Au镀层10为外表面的情况(参照图4、图5、图8、图9)。
关于LED用的金属基板P的使用,对于LED元件的安装,经由粘接剂6将其外延层7和调整镀层3、4、5接合,而作为该粘接剂6,在调整镀层3、4可适当地使用AuSn合金,在Au、In层叠镀层5可适当地使用Au。
实施例1
图1表示一个实施例,该LED用的金属基板P中,核心基板1以铜和钨的合金即CuW为芯材,在其两面隔着Ni(或Ni-P合金)的基底层2、2而形成抑制硬度的软质的调整镀层3、3,从而具有两面AuSn合金镀层的多层结构。
图1表示使用状态,在上表面经由AuSn的粘接剂6安装LED元件,将自蓝宝石剥离的外延层7与调整镀层3接合。此外,在下表面同样地经由粘接剂6将封装基板8与AuSn的合金调整镀层3接合。另外,AuSn的合金比例为80:20。
实施例2
图2表示仅在上方实施的“单面AuSn”型,在CuW的核心基板1的两面隔着基底层2、2形成Au镀层9、9,在上表面,在其上形成AuSn的合金调整镀层3。另外,在其上通过外延层接合LED元件,下表面为Au镀层9,在此接合封装基板(省略图示)。
实施例3
图3表示“双面AuSn”型,与类似例子的上述图2的实施例不同,在下方的Au镀层9上施加AuSn的合金镀层,上下两面为与Au重叠的AuSn的合金调整镀层3、3,成为进一步缓和了CuW的硬度的构造。
实施例4
图4为“单面AuSn层叠”型,在核心基板1的两面形成Au镀层9、9,在上部,在该镀层9上形成以Au、Sn为上下镀层而层叠的复合调整镀层4,在此外表面为其中的Au镀层10,在下表面露出上述Au镀层9。
实施例5
图5表示图4的类似例子,在上下均在Au镀层9、9上形成以Au、Sn为上下镀层而层叠的复合调整镀层4、4,成为上下对称的多层结构。
实施例6
图6表示“单面In”型,在核心基板1的两面形成Au镀层9、9,仅在上方形成In、Au镀层层叠而成的复合调整镀层5,下表面为单独的Au镀层9。
实施例7
图7是与图6类似的“双面In”型,在上下表面形成In和Au的上下镀层层叠而成的复合调整镀层5、5,成为上下对称的多层结构。
实施例8
图8是“单面In”型,在核心基板1的两面形成Au的镀层9、9,在上表面,在其上形成In和Au的上下镀层层叠而成的复合调整镀层5,外表面为作为复合的一方的Au镀层10。
实施例9
图9是与图8的情况类似的“双面In”型,在下表面,也在Au镀层9上形成In和Au的上下镀层层叠而成的复合调整镀层5,在多层结构中,两外表面均为复合一方的Au镀层10、10,形成为高亮度、高软度。
符号说明
P  LED用的金属基板
1  基底层
3  AuSn的合金调整镀层
4  Au和Sn层叠的复合调整镀层
5  In和Au层叠的复合调整镀层
7  外延层
9  Au镀层
10 复合调整镀层中的Au镀层

Claims (3)

1.一种LED用的金属基板,其特征在于,
在CuW合金的核心基板上隔着Ni或Ni-P合金的基底镀层而形成用于改善CuW的硬度的调整镀层,该调整镀层为如下三种调整镀层的任一种:
(1)AuSn的合金调整镀层;
(2)Au和Sn层叠的复合调整镀层;
(3)In和Au层叠的复合调整镀层,
能够通过该调整镀层与LED元件的外延层粘接。
2.根据权利要求1所述的LED用的金属基板,其特征在于,与LED元件的外延层粘接的搭载面为复合调整镀层中的Au镀层。
3.根据权利要求1或2所述的LED用的金属基板,其特征在于,复合调整镀层之下为Au镀层。
CN201310241767.9A 2013-06-18 2013-06-18 Led用的金属基板 Pending CN104241496A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310241767.9A CN104241496A (zh) 2013-06-18 2013-06-18 Led用的金属基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310241767.9A CN104241496A (zh) 2013-06-18 2013-06-18 Led用的金属基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104241496A true CN104241496A (zh) 2014-12-24

Family

ID=52229218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310241767.9A Pending CN104241496A (zh) 2013-06-18 2013-06-18 Led用的金属基板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104241496A (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1750284A (zh) * 2004-09-14 2006-03-22 斯坦雷电气株式会社 半导体元件及其制造方法和电子部件单元
CN101182642A (zh) * 2007-12-18 2008-05-21 长春理工大学 一种电镀结合真空镀膜制备Au-Sn合金焊料的方法
CN102779913A (zh) * 2012-08-14 2012-11-14 天津三安光电有限公司 超高亮度发光二极管及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1750284A (zh) * 2004-09-14 2006-03-22 斯坦雷电气株式会社 半导体元件及其制造方法和电子部件单元
CN101182642A (zh) * 2007-12-18 2008-05-21 长春理工大学 一种电镀结合真空镀膜制备Au-Sn合金焊料的方法
CN102779913A (zh) * 2012-08-14 2012-11-14 天津三安光电有限公司 超高亮度发光二极管及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9984951B2 (en) Sintered multilayer heat sinks for microelectronic packages and methods for the production thereof
TW201531188A (zh) 接合體及功率模組用基板
CN100423217C (zh) 元件接合用基板、元件接合基板及其制造方法
CN108857133B (zh) 安装构造体
JP2009252897A (ja) 接合体の製造方法及び接合体の製造装置
US10141199B2 (en) Selecting a substrate to be soldered to a carrier
CN105834541A (zh) 一种低温连接高温使用Cu/Sn/Cu钎焊界面的制备方法及结构
JP6775848B2 (ja) 放熱板材
KR20180103097A (ko) 회로 캐리어를 제조하는 방법, 회로 캐리어, 반도체 모듈을 제조하는 방법, 및 반도체 모듈
TW202017116A (zh) 封裝、封裝製造方法、附接合材之蓋體及附接合材之蓋體的製造方法
JP2014192272A (ja) Led用のメタル基板
KR102709152B1 (ko) 세라믹 기판 제조 방법
CN104241496A (zh) Led用的金属基板
JP5522786B2 (ja) 半導体搭載用放熱基板の製造方法
JP6020496B2 (ja) 接合構造体およびその製造方法
TWI471069B (zh) Led用的金屬基板
JP3210268U (ja) Led用のメタル基板
KR20190124494A (ko) 그래핀을 이용한 금속 방열판 및 제조방법
JP2012109288A (ja) Led用ウエハ
JP6636465B2 (ja) 過渡液相相互拡散により2つの部材を永久接合するためのプロセス
TW201240165A (en) Flip-chip packaging structure of light emitting diode and a method of manufacturing the same
CN102569545A (zh) 发光二极管圆片接合方法、芯片制造方法及圆片接合结构
TW201212172A (en) Semiconductor structure having a metal ring
JP5927567B2 (ja) 半導体素子の接合構造体と製造方法
KR20140086373A (ko) Led용 웨이퍼 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20141224

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication