CN104213170A - 高阶高密度电路板镀铜方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及高阶高密度电路板镀铜方法,它包括以下步骤:S1、配制镀液:所述每升镀液中所含各组分的含量为:硫酸:180g~240g;硫酸铜:70g~80g;余量为去离子水,混合,搅拌均匀,并置于镀槽中备用;S2、镀前处理:S21、去毛刺;S22、去钻污;S23、去除清洗液;S24、烘干;S3、镀铜:将待镀电路板放入镀槽中,控制镀槽内温度在20℃~30℃之间,电镀电流为1.2A/dm2~3A/dm2之间,电镀时间为20min~30min,取出,烘干,进入下一步工序。本发明的优点在于:工艺简单、成本低和电镀合格率高,通过调整镀液配方和对应的工艺参数使得电路板镀铜合格率大幅度提高。
Description
技术领域
本发明涉及电路板的镀铜工艺,特别是高阶高密度电路板镀铜方法。
背景技术
高阶高密度电路板中使用的聚酰亚胺、聚酯等基材,都是绝缘性能好的高分子材料,要使其表面成为导体,化学镀是应用广泛的技术之一。导体化(金属化)的孔洞是不同层间线路连接的通道,优质的孔金属化质量是产品电气性能的基本保证。经过多年的研究与开发,化学镀技术已经相当成熟(无论是化学镀铜、化学镀镍、还是化学镀金属合金),掌握了影响化学镀质量的基本因素,即镀层与基材的化学特性、与之对应的化学镀液配方和工艺控制参数等。由于高阶高密度电路板使用了如聚酰亚胺薄膜这类材料,同时又是在微孔中进行化学镀,因此必须调整化学镀的工艺参数,才有可能获得优质的镀层。
目前所有的电子仪器线路的设计与连接多是以印刷电路板为基础的,随着电子工业的科技进步,印制板向多层化、密集化的方向发展,其孔径必然不断的减小,特别是高密度互连线路板(HDI板)孔径已达到0.1mm以下,微孔内镀液更加困难,使微孔的金属化质量受到影响,造成产品合格率始终只能保持在85%左右,而无法有更进一步的提升,影响生产企业的经济效益。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种工艺简单、成本低和电镀合格率高的高阶高密度电路板镀铜方法,通过调整镀液配方和对应的工艺参数使得电路板镀铜合格率大幅度提高。
本发明的目的通过以下技术方案来实现:高阶高密度电路板镀铜方法,它包括以下步骤:
S1、配制镀液:所述每升镀液中所含各组分的含量为:硫酸:180g~240g;硫酸铜:70g~80g;余量为去离子水,混合,搅拌均匀,并置于镀槽中备用;
S2、镀前处理:
S21、去毛刺:将待镀电路板上的毛刺清除干净;
S22、去钻污:将待镀电路板板面放入超声波清洗机内的清洗液中清洗,清洗时间为5min~20min;
S23、去除清洗液:用去离子水冲洗电路板3min~5min;
S24、烘干:将待镀电路板放入烘干机内,温度设置在60℃~80℃,烘烤5min~10min,取出;
S3、镀铜:将待镀电路板放入镀槽中,控制镀槽内温度在20℃~30℃之间,电镀电流为1.2A/dm2~3A/dm2之间,电镀时间为20min~30min,取出,烘干,进入下一步工序。
所述的步骤S1中所述的镀液中还添加有3ml~5ml铜光剂。
所述的步骤S22中超声波清洗机内的每升清洗液的各组分含量为:350ml~500mlPI调整剂和35g~45g添加剂,且将清洗液加热至40℃~47℃,保持恒温。
所述的步骤S3镀铜过程中还包括补充铜光剂,添加速度为100ml/KAH~150ml/KAH。
本发明具有以下优点:本发明所述工艺队操作人员素质水平要求较低,工艺简单,成本低,镀铜的合格率由原来的86%提高到96%,比原来提高了10%,使得镀铜工艺在保证了合格率的前提下,降低了生产成本,这为企业生产节约了成本,创造了较好的经济效益。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步的描述,但本发明的保护范围不局限于以下所述。
【实施例1】:
高阶高密度电路板镀铜方法,它包括以下步骤:
S1、配制镀液:所述每升镀液中所含各组分的含量为:硫酸:180g;硫酸铜:80g;余量为去离子水,混合,搅拌均匀,并置于镀槽中备用;
S2、镀前处理:
S21、去毛刺:将待镀电路板上的毛刺清除干净;
S22、去钻污:将待镀电路板板面放入超声波清洗机内的清洗液中清洗,清洗时间为5min;
S23、去除清洗液:用去离子水冲洗电路板5min;
S24、烘干:将待镀电路板放入烘干机内,温度设置在80℃,烘烤5min,取出;
S3、镀铜:将待镀电路板放入镀槽中,控制镀槽内温度为30℃,电镀电流为1.2A/dm2,电镀时间为30min,取出,烘干,进入下一步工序。
所述的步骤S1中所述的镀液中还添加有5ml铜光剂。
所述的步骤S22中超声波清洗机内的每升清洗液的各组分含量为:500mlPI调整剂和35g添加剂,且将清洗液加热至47℃,保持恒温。
所述的步骤S3镀铜过程中还包括补充铜光剂,添加速度为100ml/KAH。
【实施例2】:
高阶高密度电路板镀铜方法,它包括以下步骤:
S1、配制镀液:所述每升镀液中所含各组分的含量为:硫酸:210g;硫酸铜:75g;余量为去离子水,混合,搅拌均匀,并置于镀槽中备用;
S2、镀前处理:
S21、去毛刺:将待镀电路板上的毛刺清除干净;
S22、去钻污:将待镀电路板板面放入超声波清洗机内的清洗液中清洗,清洗时间为5min~20min;
S23、去除清洗液:用去离子水冲洗电路板4min;
S24、烘干:将待镀电路板放入烘干机内,温度设置在70℃,烘烤8min,取出;
S3、镀铜:将待镀电路板放入镀槽中,控制镀槽内温度在25℃,电镀电流为2.1A/dm2,电镀时间为25min,取出,烘干,进入下一步工序。
所述的步骤S1中所述的镀液中还添加有4ml铜光剂。
所述的步骤S22中超声波清洗机内的每升清洗液的各组分含量为:420mlPI调整剂和40g添加剂,且将清洗液加热至44℃,保持恒温。
所述的步骤S3镀铜过程中还包括补充铜光剂,添加速度为120ml/KAH。
【实施例3】:
高阶高密度电路板镀铜方法,它包括以下步骤:
S1、配制镀液:所述每升镀液中所含各组分的含量为:硫酸:220g;硫酸铜:72g;余量为去离子水,混合,搅拌均匀,并置于镀槽中备用;
S2、镀前处理:
S21、去毛刺:将待镀电路板上的毛刺清除干净;
S22、去钻污:将待镀电路板板面放入超声波清洗机内的清洗液中清洗,清洗时间为13min;
S23、去除清洗液:用去离子水冲洗电路板4min;
S24、烘干:将待镀电路板放入烘干机内,温度设置在70℃,烘烤8min,取出;
S3、镀铜:将待镀电路板放入镀槽中,控制镀槽内温度在26℃,电镀电流为2A/dm2之间,电镀时间为26min,取出,烘干,进入下一步工序。
所述的步骤S1中所述的镀液中还添加有4ml铜光剂。
所述的步骤S22中超声波清洗机内的每升清洗液的各组分含量为:430mlPI调整剂和40g添加剂,且将清洗液加热至43℃,保持恒温。
所述的步骤S3镀铜过程中还包括补充铜光剂,添加速度为130ml/KAH。
【实施例4】:
高阶高密度电路板镀铜方法,它包括以下步骤:
S1、配制镀液:所述每升镀液中所含各组分的含量为:硫酸:240g;硫酸铜:70g;余量为去离子水,混合,搅拌均匀,并置于镀槽中备用;
S2、镀前处理:
S21、去毛刺:将待镀电路板上的毛刺清除干净;
S22、去钻污:将待镀电路板板面放入超声波清洗机内的清洗液中清洗,清洗时间为20min;
S23、去除清洗液:用去离子水冲洗电路板3min;
S24、烘干:将待镀电路板放入烘干机内,温度设置在60℃,烘烤10min,取出;
S3、镀铜:将待镀电路板放入镀槽中,控制镀槽内温度在20℃,电镀电流为3A/dm2,电镀时间为20min,取出,烘干,进入下一步工序。
所述的步骤S1中所述的镀液中还添加有3ml铜光剂。
所述的步骤S22中超声波清洗机内的每升清洗液的各组分含量为:350ml调整剂和45g添加剂,且将清洗液加热至40℃,保持恒温。
所述的步骤S3镀铜过程中还包括补充铜光剂,添加速度为150ml/KAH。
根据上述各实施例做背光等级实验,检测结果如下表所示:
由于背光级数越大表明其沉铜质量越好,目前,已经将研究获得的化学镀铜的最佳溶液组成和工艺参数应用于实际生产中,产品的合格率由原来的86%提高到96%,比原来提高了10%,这为企业生产节约了成本,创造了较好的经济效益。
Claims (4)
1.高阶高密度电路板镀铜方法,其特征在于:它包括以下步骤:
S1、配制镀液:所述每升镀液中所含各组分的含量为:硫酸:180g~240g;硫酸铜:70g~80g;余量为去离子水,混合,搅拌均匀,并置于镀槽中备用;
S2、镀前处理:
S21、去毛刺:将待镀电路板上的毛刺清除干净;
S22、去钻污:将待镀电路板板面放入超声波清洗机内的清洗液中清洗,清洗时间为5min~20min;
S23、去除清洗液:用去离子水冲洗电路板3min~5min;
S24、烘干:将待镀电路板放入烘干机内,温度设置在60℃~80℃,烘烤5min~10min,取出;
S3、镀铜:将待镀电路板放入镀槽中,控制镀槽内温度在20℃~30℃之间,电镀电流为1.2A/dm2~3A/dm2之间,电镀时间为20min~30min,取出,烘干,进入下一步工序。
2.根据权利要求1所述的高阶高密度电路板镀铜方法,其特征在于:所述的步骤S1中所述的镀液中还添加有3ml~5ml铜光剂。
3.根据权利要求1所述的高阶高密度电路板镀铜方法,其特征在于:所述的步骤S22中超声波清洗机内的每升清洗液的各组分含量为:350ml~500mlPI调整剂和35g~45g添加剂,且将清洗液加热至40℃~47℃,保持恒温。
4.根据权利要求1所述的高阶高密度电路板镀铜方法,其特征在于:所述的步骤S3镀铜过程中还包括补充铜光剂,添加速度为100 ml/KAH~150ml/KAH。
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