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CN103824600B - 存储器测试方法及装置 - Google Patents

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Abstract

一种存储器测试方法及装置，所述方法包括：以字节为单位依次对存储器内每个扇区内的各个字节进行测试，直至遍历所述存储器内所需测试的所有扇区；在所述对各个字节进行测试后，分别判断所述各个字节测试是否通过；若所述存储器内某一字节测试通过，则下一步对该字节的后一个字节进行测试；若所述存储器内某一字节测试未通过，则下一步对该字节所在扇区的后一个扇区的第一个字节进行测试；对所述存储器内测试未通过的扇区进行修复。本发明在以扇区为单位进行修复的情况下，当测试发现扇区内存在某个字节测试未通过时，不再对该扇区内剩余的字节进行测试，测试指针直接跳到下一个扇区的第一个字节，从而避免了不必要的冗余测试，提高了测试效率。

Description

存储器测试方法及装置
技术领域
本发明涉及存储器技术领域，特别是涉及一种存储器测试方法及装置。
背景技术
存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。存储器根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。
存储器经制造完成后，在出厂前需要先对其质量进行测试，该测试工作可以通过多种方式来完成，例如可以直接测试、用嵌入式CPU进行测试或采用内建自测试技术（MBIST）等。
在测试过程中若发现存储器存在质量问题，测试未通过时，例如数据无法写入/读取，或存储的数据丢失等等，需要对存在质量问题的存储器进行修复。
一个存储器可以包括多个扇区（Sector），例如可以是几百或几千个等。每个扇区可以分别包括512个字节（Byte），当然，也可以是1024字节、256字节或其他适当的字节数。
当发现某个存储器存在质量问题时，只需要对存储器内存在问题的部分进行修复即可，而不必涉及整个存储器。通常情况下，可以以扇区为单位对存在问题的存储器进行修复，即：当某个扇区内存在某一字节测试未通过，则对该扇区进行修复。当然，也不排除以字节或以整个存储器为单位进行修复的可能。
现有技术在对存储器的质量进行测试时，以扇区为序，并在每个扇区中依次对每一个字节进行测试。
发明人发现：在以扇区为单位对存储器进行修复的情况下，当发现扇区内存在某个字节测试未通过（fail）时，已经足以得出“该扇区需要进行修复”的结论，此时，没有必要再对该扇区内剩余的字节进行测试。
由此可见，现有技术中对存储器进行测试的方法存在一定的冗余（redundancy）测试，导致测试效率较低。因此，在以扇区为单位对存储器进行修复的情况下，如何避免冗余测试，提高测试效率，是一个亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明解决的是现有技术中存储器测试方法存在一定的冗余测试，测试效率较低的技术问题。
为了解决上述问题，本发明实施例提供一种存储器测试方法，所述存储器包括多个扇区，所述每个扇区分别包括多个字节，所述测试方法包括：
以字节为单位依次对存储器内每个扇区内的各个字节进行测试，直至遍历所述存储器内所需测试的所有扇区；
在所述对各个字节进行测试后，分别判断所述各个字节测试是否通过；
若所述存储器内某一字节测试通过，则下一步对该字节的后一个字节进行测试；
若所述存储器内某一字节测试未通过，则下一步对该字节所在扇区的后一个扇区的第一个字节进行测试；
对所述存储器内测试未通过的扇区进行修复，所述测试未通过的扇区具体是：若某一扇区内包括测试未通过的字节，则该扇区为测试未通过的扇区。
可选的，所述以字节为单位依次对存储器内每个扇区内的各个字节进行测试具体是：以字节为单位，在所述存储器内以扇区为序，在每个扇区内以字节为序对存储器内每个扇区内的各个字节进行测试。
可选的，所述所需测试的所有扇区为：所述存储器内的所有扇区或所述存储器内nvr阵列中的所有扇区。
可选的，所述存储器测试方法采用内建自测试技术对所述存储器进行测试。
为了解决上述问题，本发明实施例还提供一种存储器测试装置，包括：测试模块、判断模块和修复模块，其中：
所述测试模块，用于以字节为单位依次对存储器内每个扇区内的各个字节进行测试，直至遍历所述存储器内所需测试的所有扇区；
所述判断模块，用于在所述对各个字节进行测试后，分别判断所述各个字节测试是否通过；
所述测试模块，还用于在所述判断模块执行操作之后，若所述存储器内某一字节测试通过，则下一步对该字节的后一个字节进行测试，若所述存储器内某一字节测试未通过，则下一步对该字节所在扇区的后一个扇区的第一个字节进行测试；
修复模块，用于对所述存储器内测试未通过的扇区进行修复，所述测试未通过的扇区具体是：若某一扇区内包括测试未通过的字节，则该扇区为测试未通过的扇区。
可选的，所述以字节为单位依次对存储器内每个扇区内的各个字节进行测试具体是：以字节为单位，在所述存储器内以扇区为序，在每个扇区内以字节为序对存储器内每个扇区内的各个字节进行测试。
可选的，所述所需测试的所有扇区为：所述存储器内的所有扇区或所述存储器内nvr阵列中的所有扇区。
可选的，所述存储器测试装置采用内建自测试技术对所述存储器进行测试。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
在以扇区为单位进行修复的情况下，当测试发现扇区内存在某个字节测试未通过时，不再对该扇区内剩余的字节进行测试，测试指针直接跳到下一个扇区的第一个字节，从而避免了不必要的冗余测试，提高了测试效率。
附图说明
图1是本发明实施例中对存储器进行测试示意图；
图2是本发明实施例一中存储器测试方法流程图；
图3是本发明实施例二中存储器测试装置结构框图。
具体实施方式
正如背景技术部分所分析的，现有技术中存储器测试方法存在一定的冗余测试，导致测试效率较低。
为此，本发明提供了一种存储器测试方法，在以扇区为单位进行修复的情况下，当测试发现扇区内存在某个字节测试未通过时，不再对该扇区内剩余的字节进行测试，测试指针直接跳到下一个扇区的第一个字节，从而避免了不必要的冗余测试，提高了测试效率。
如图1所示，在对存储器进行测试时，计算机101连接烧录器102，烧录器102连接待测的存储器103。操作者通过计算机101来控制烧录器102，从而实现对存储器103的写入、擦除、读取等操作。可以理解的是，每次测试不限于单个存储器103，所述计算机101可以同时控制多个烧录器102，同时对多个存储器103进行相关操作。此外，可以通过程序来取代操作者，从而实现测试的自动化。
为使本领域技术人员更好地理解和实现本发明，以下参照附图，通过具体实施例进行详细说明。
实施例一
参照图2所示的存储器测试方法流程图，以下通过具体步骤进行详细说明：
S201，以字节为单位依次对存储器内每个扇区内的各个字节进行测试。
如背景技术部分所述，一个存储器可以包括多个扇区。每个扇区可以分别包括多个字节。本实施例中以容量为132K的快闪存储器为例，该存储器内包括246个扇区，其中，每个扇区包括512字节。
该步骤可以以多种可选的方式实施。例如，可以在整个存储器内以扇区为序，在每个扇区内，再以字节为序进行测试。例如，也可以对存储器内所有字节进行统一编号，从而实现完全以字节为序进行测试。
上述测试顺序的设定可以通过软件的方式来实现。例如通过计算机执行用于测试的测试程序。
所述存储器内可以包括存储有扇区地址（Sector Address）的扇区地址寄存器，所述测试程序包括对测试指针的运算，所述测试指针指向扇区地址寄存器内某一扇区地址，可以通过对所述测试指针的控制，实现对测试顺序的控制。
以字节为单位依次对存储器内每个扇区内的各个字节进行测试，直至遍历所述存储器内所需测试的所有扇区。
遍历所述存储器内所需测试的所有扇区后，测试结束。所需测试的扇区可以由操作者在测试程序中设置。例如可以设置为对存储器内的全部扇区进行测试，当然，也可以仅仅只对部分扇区进行测试，例如，存储器可以包括用于测试的nvr阵列和供用户实际使用的main阵列，在具体实施中，可以设置只对nvr阵列进行测试。
S202，分别判断所述各个字节测试是否通过。
在所述对各个字节进行测试后，分别判断所述各个字节测试是否通过。
判断所述各个字节测试是否通过的标准，可以是判断所述各个字节是否能够正常执行写入、擦除、读取等指令，以及存储的数据是否存在丢失等。
所述存储器测试方法可以是对存储器进行直接测试，也可以是采用嵌入式CPU进行测试，或是采用内建自测试技术进行测试等，本实施所提供的方案在上述各种测试方法中均可以适用。
以内建自测试为例，可以在内建自测试的第一探查步骤（CP1）中对存储器执行写入、擦除、读取等指令，经烘烤步骤（BAKE）后，在第二探查步骤（CP2）中读取存储器内的数据，并与第一探查步骤中写入的数据进行比对，当比对结果显示两者相同时，测试通过（pass），反之则测试未通过（fail）。
S203，若所述存储器内某一字节测试通过，则下一步对该字节的后一个字节进行测试。
当该字节为其所在扇区内的最后一个字节时，下一步可以对该字节所在扇区的后一个扇区的第一个字节进行测试。
在具体实施中，可以在测试程序中设置计数器，对扇区内测试的进程进行统计。每完成一个字节的测试后，测试指针指向该字节的后一个字节，同时计数器加1。将该计数器的值与该扇区所包含的总字节数进行比较，例如本实施例中每个扇区包含512个字节，因此可以将该计数器的值与512进行比较。当该计数器的值小于512时，则下一步对该扇区内该字节的后一个字节进行测试；当该计数器的值等于512时，则下一步对该字节所在扇区的后一个扇区的第一个字节进行测试。
S204，若所述存储器内某一字节测试未通过，则下一步对该字节所在扇区的后一个扇区的第一个字节进行测试。
正如背景技术部分所分析的，在以扇区为单位对存储器进行修复的情况下，当发现扇区内存在某个字节测试未通过时，已经足以得出“该扇区需要进行修复”的结论，此时，没有必要再对该扇区内剩余的字节进行测试。
在具体实施中，可以设置测试指针指向该字节所在扇区的后一个扇区的第一个字节，并将计数器重置为0。
例如，假定每个扇区包含512个字节，若第100个扇区内第200个字节测试未通过，则跳过该扇区内剩余的312个字节，下一步对第101个扇区内的第1个字节进行测试。
在步骤S203和步骤S204之后，均可以判断是否已经遍历所述存储器内所需测试的所有扇区，若已经遍历，则测试结束，反之则依据步骤S203和步骤S204继续进行下一步测试。
S205，对所述存储器内测试未通过的扇区进行修复。
所述测试未通过的扇区具体可以是：若某一扇区内包括测试未通过的字节，则该扇区为测试未通过的扇区。
也就是说，只要某一扇区内存在一个或一个以上测试未通过的字节，则无论该扇区中是否包含测试通过的扇区，该扇区均为测试未通过的扇区。
可以理解的是，所述存储器不限于特定种类的存储器，其存储介质既可以是半导体，也可以是磁性材料，在具体实施中，可以是半导体快闪存储器（Flash Memory）。
通过上述方案可以看出，在以扇区为单位进行修复的情况下，当测试发现扇区内存在某个字节测试未通过时，不再对该扇区内剩余的字节进行测试，测试指针直接跳到下一个扇区的第一个字节，从而避免了不必要的冗余测试，提高了测试效率。
实施例二
参照图3所示的存储器测试装置结构框图，所述装置包括：测试模块301、判断模块302和修复模块303，其中：
所述测试模块301，用于以字节为单位依次对存储器内每个扇区内的各个字节进行测试，直至遍历所述存储器内所需测试的所有扇区；
所述判断模块302，用于在所述对各个字节进行测试后，分别判断所述各个字节测试是否通过；
所述测试模块301，还用于在所述判断模块302执行操作之后，若所述存储器内某一字节测试通过，则下一步对该字节的后一个字节进行测试，若所述存储器内某一字节测试未通过，则下一步对该字节所在扇区的后一个扇区的第一个字节进行测试；
修复模块303，用于对所述存储器内测试未通过的扇区进行修复，所述测试未通过的扇区具体是：若某一扇区内包括测试未通过的字节，则该扇区为测试未通过的扇区。
本实施例中，在以扇区为单位进行修复的情况下，当测试发现扇区内存在某个字节测试未通过时，不再对该扇区内剩余的字节进行测试，测试指针直接跳到下一个扇区的第一个字节，从而避免了不必要的冗余测试，提高了测试效率。
在具体实施中，所述以字节为单位依次对存储器内每个扇区内的各个字节进行测试具体可以是：以字节为单位，在所述存储器内以扇区为序，在每个扇区内以字节为序对存储器内每个扇区内的各个字节进行测试。
所述所需测试的所有扇区可以是：所述存储器内的所有扇区或所述存储器内nvr阵列中的所有扇区。
所述存储器测试方法可以采用内建自测试技术对所述存储器进行测试。
本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储介质中，存储介质可以包括：ROM、RAM、磁盘或光盘等。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种存储器测试方法，所述存储器包括多个扇区，每个所述扇区分别包括多个字节，其特征在于，所述测试方法包括：
以字节为单位依次对存储器内每个扇区内的各个字节进行测试，直至遍历所述存储器内所需测试的所有扇区；
在所述对各个字节进行测试后，分别判断所述各个字节测试是否通过；
若所述存储器内某一字节测试通过，则下一步对该字节的后一个字节进行测试；
若所述存储器内某一字节测试未通过，则下一步对该字节所在扇区的后一个扇区的第一个字节进行测试；
对所述存储器内测试未通过的扇区进行修复，所述测试未通过的扇区具体是：若某一扇区内包括测试未通过的字节，则该扇区为测试未通过的扇区。
2.如权利要求1所述的存储器测试方法，其特征在于，所述以字节为单位依次对存储器内每个扇区内的各个字节进行测试具体是：以字节为单位，在所述存储器内以扇区为序，在每个扇区内以字节为序对存储器内每个扇区内的各个字节进行测试。
3.如权利要求1所述的存储器测试方法，其特征在于，所述所需测试的所有扇区为：所述存储器内的所有扇区。
4.如权利要求1所述的存储器测试方法，其特征在于，所述所需测试的所有扇区为：所述存储器内nvr阵列中的所有扇区。
5.如权利要求1所述的存储器测试方法，其特征在于，所述存储器测试方法采用内建自测试技术对所述存储器进行测试。
6.一种存储器测试装置，包括：测试模块、判断模块和修复模块，其中：
所述测试模块，用于以字节为单位依次对存储器内每个扇区内的各个字节进行测试，直至遍历所述存储器内所需测试的所有扇区；
所述判断模块，用于在所述对各个字节进行测试后，分别判断所述各个字节测试是否通过；
所述测试模块，还用于在所述判断模块执行操作之后，若所述存储器内某一字节测试通过，则下一步对该字节的后一个字节进行测试，若所述存储器内某一字节测试未通过，则下一步对该字节所在扇区的后一个扇区的第一个字节进行测试；
修复模块，用于对所述存储器内测试未通过的扇区进行修复，所述测试未通过的扇区具体是：若某一扇区内包括测试未通过的字节，则该扇区为测试未通过的扇区。
7.如权利要求6所述的存储器测试装置，其特征在于，所述以字节为单位依次对存储器内每个扇区内的各个字节进行测试具体是：以字节为单位，在所述存储器内以扇区为序，在每个扇区内以字节为序对存储器内每个扇区内的各个字节进行测试。
8.如权利要求6所述的存储器测试装置，其特征在于，所述所需测试的所有扇区为：所述存储器内的所有扇区。
9.如权利要求6所述的存储器测试装置，其特征在于，所述所需测试的所有扇区为：所述存储器内nvr阵列中的所有扇区。
10.如权利要求6所述的存储器测试装置，其特征在于，所述存储器测试装置采用内建自测试技术对所述存储器进行测试。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105761760B (zh) * 2016-02-16 2019-01-04 上海华虹宏力半导体制造有限公司 实现冗余功能存储器芯片测试的方法
CN109448774B (zh) * 2018-10-15 2021-03-19 上海华虹宏力半导体制造有限公司 快闪存储器干扰存储区位置的判定方法
CN111145826B (zh) * 2018-11-05 2021-08-31 珠海格力电器股份有限公司 一种存储器内建自测试方法、电路及计算机存储介质
CN111312328B (zh) * 2020-03-24 2023-10-20 上海华虹宏力半导体制造有限公司 嵌入式闪存的测试方法、测试设备和嵌入式闪存芯片

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1227950A (zh) * 1998-03-02 1999-09-08 Lg电子株式会社 在记录介质上建立缺陷处理信息的方法及其装置和介质
CN1274890A (zh) * 1999-05-24 2000-11-29 英业达股份有限公司 笔记本型计算机大容量软盘驱动器的测试方法
US6163871A (en) * 1998-05-29 2000-12-19 Adaptec, Inc. RAM based error correction code encoder and syndrome generator with programmable interleaving degrees
CN101140802A (zh) * 2006-09-04 2008-03-12 三星电子株式会社 相变随机访问存储器与相关操作方法
CN101310343A (zh) * 2005-11-14 2008-11-19 三菱电机株式会社 存储器诊断装置
CN101772757A (zh) * 2007-08-21 2010-07-07 汤姆逊许可公司 用于修复受损硬盘文件系统的方法和系统
CN101944386A (zh) * 2009-07-03 2011-01-12 群联电子股份有限公司 识别闪速存储器中错误数据的控制电路及存储系统与方法
CN102737722A (zh) * 2012-07-26 2012-10-17 上海宏力半导体制造有限公司 一种内建自测系统的自检修补法
CN103064640A (zh) * 2012-12-31 2013-04-24 苏州国芯科技有限公司 应用于nandflash存储设备的快速读写方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0319081D0 (en) * 2003-08-14 2003-09-17 Ibm Method and apparatus for writing data to a disk
US7151694B2 (en) * 2004-06-14 2006-12-19 Macronix International Co., Ltd. Integrated circuit memory with fast page mode verify

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1227950A (zh) * 1998-03-02 1999-09-08 Lg电子株式会社 在记录介质上建立缺陷处理信息的方法及其装置和介质
US6163871A (en) * 1998-05-29 2000-12-19 Adaptec, Inc. RAM based error correction code encoder and syndrome generator with programmable interleaving degrees
CN1274890A (zh) * 1999-05-24 2000-11-29 英业达股份有限公司 笔记本型计算机大容量软盘驱动器的测试方法
CN101310343A (zh) * 2005-11-14 2008-11-19 三菱电机株式会社 存储器诊断装置
CN101140802A (zh) * 2006-09-04 2008-03-12 三星电子株式会社 相变随机访问存储器与相关操作方法
CN101772757A (zh) * 2007-08-21 2010-07-07 汤姆逊许可公司 用于修复受损硬盘文件系统的方法和系统
CN101944386A (zh) * 2009-07-03 2011-01-12 群联电子股份有限公司 识别闪速存储器中错误数据的控制电路及存储系统与方法
CN102737722A (zh) * 2012-07-26 2012-10-17 上海宏力半导体制造有限公司 一种内建自测系统的自检修补法
CN103064640A (zh) * 2012-12-31 2013-04-24 苏州国芯科技有限公司 应用于nandflash存储设备的快速读写方法

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US20150255174A1 (en) 2015-09-10
US9257201B2 (en) 2016-02-09
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