[go: up one dir, main page]

CN103663344B - 包括多材料填充物的改进型硅通孔 - Google Patents

包括多材料填充物的改进型硅通孔 Download PDF

Info

Publication number
CN103663344B
CN103663344B CN201310415336.XA CN201310415336A CN103663344B CN 103663344 B CN103663344 B CN 103663344B CN 201310415336 A CN201310415336 A CN 201310415336A CN 103663344 B CN103663344 B CN 103663344B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
trench
filler
opening
top opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310415336.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN103663344A (zh
Inventor
戴维·L·马克斯
B·伯坎肖
J·布雷泽克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Sirui Technology Co ltd
Original Assignee
Fairchild Semiconductor Suzhou Co Ltd
Fairchild Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fairchild Semiconductor Suzhou Co Ltd, Fairchild Semiconductor Corp filed Critical Fairchild Semiconductor Suzhou Co Ltd
Priority to CN201710032445.1A priority Critical patent/CN107098309B/zh
Publication of CN103663344A publication Critical patent/CN103663344A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103663344B publication Critical patent/CN103663344B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0035—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS
    • B81B7/0041—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS maintaining a controlled atmosphere with techniques not provided for in B81B7/0038
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/007—Interconnections between the MEMS and external electrical signals
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/18—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration in two or more dimensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
    • H10D1/692—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
    • H10D1/692—Electrodes
    • H10D1/711—Electrodes having non-planar surfaces, e.g. formed by texturisation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/50—Devices controlled by mechanical forces, e.g. pressure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0235—Accelerometers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0242—Gyroscopes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0264—Pressure sensors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0136—Comb structures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/03—Static structures
    • B81B2203/0315—Cavities
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/09—Packages
    • B81B2207/091—Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
    • B81B2207/094—Feed-through, via
    • B81B2207/096—Feed-through, via through the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

本申请涉及一种包括多材料填充物的改进型硅通孔。一种装置包括：衬底，其具有设置在所述衬底内的至少一个孔，其中，所述衬底包括：沟槽，其具有大体上成梯形的横截面，所述沟槽贯穿所述衬底在所述衬底的下表面和所述衬底的上表面之间延伸，其中，所述沟槽的顶部通向顶部开口，并且所述沟槽的底部通向底部开口，所述顶部开口比所述底部开口要大。所述装置可以包括：口状体，其围绕所述顶部开口并且在所述上表面和所述顶部开口之间延伸，其中，所述上表面的口状体开口比所述沟槽的所述顶部开口要大，其中，所述孔包括：电介质层，其设置在沟槽的内表面上。所述装置包括：填充物，其设置在所述沟槽内，所述电介质层夹在所述填充物和所述衬底之间。

Description

包括多材料填充物的改进型硅通孔
技术领域
概括地说，本申请涉及一种硅通孔（TSV），并且尤其涉及一种包括多材料填充物的改进型TSV。
背景技术
小型半导体器件（例如，电容器）被广泛地用于电子设备（例如，个人电子设备）中。这些器件可以被用作压力换能器。例如，这些器件可以被用作麦克风，例如用于记录或播放声音。这些器件可以被用作运动检测器，起到加速度计和/或陀螺仪的作用。其他用途是可能的。随着对个人电子设备的市场需求的增加，制造商寻求通过减小器件的尺寸和降低器件的成本来获利，从而他们可能创造出改进的个人电子设备。
美国专利号7,539,003提供了在所有关键的应力点上具有单晶硅的电容式传感器。正如图1A中所示的，绝缘沟槽由沟槽和再填充物（refill）形成，所述再填充物形成用于驱动、传感和防护的电绝缘的导电硅电极。压力端口与电线焊垫相对，以便于封装。还描述了测量平面内加速度和平面外加速度的双轴加速度计。通过复制该加速度计并且相对于其平面外轴旋转90度来提供平面内第三轴。
正如图1A中所示的，美国专利号7,539,003中的方法之一依赖于使用不期望的单材料电介质沟槽100结构所形成的器件。该沟槽贯穿半导体101并且具有两个触点102。如图所示，该沟槽难以制造，至少因为它难以沉积填充物。
发明内容
除了其他方面以外，本申请还讨论了一种装置，该装置包括：衬底，其具有设置在所述衬底内的至少一个孔，其中，所述衬底包括：沟槽，其具有大体上成梯形的横截面，所述沟槽贯穿所述衬底在所述衬底的下表面和所述衬底的上表面之间延伸，其中，所述沟槽的顶部通向顶部开口，并且所述沟槽的底部通向底部开口，所述顶部开口比所述底部开口要大。所述装置可以包括：口状体，其围绕所述顶部开口并且在所述上表面和所述顶部开口之间延伸，其中，所述上表面内的口状体开口比所述沟槽的所述顶部开口要大，其中，所述孔包括：电介质层，其设置在沟槽的内表面上。所述装置包括：填充物，其设置在所述沟槽内，所述电介质层夹在所述填充物和所述衬底之间。
一种在半导体衬底内形成至少一个孔的方法，该方法包括：形成具有大体上成梯形的横截面的沟槽，包括形成贯穿所述衬底在所述衬底的下表面和所述衬底的上表面之间的所述沟槽，所述沟槽通向所述上表面的顶部开口和所述下表面的底部开口，所述顶部开口比所述底部开口要大；形成在所述上表面和所述顶部开口之间延伸的口状体，所述上表面的口状体开口比所述沟槽的所述顶部开口要大；在沟槽的内表面上形成电介质层；以及使用填充物来填充所述沟槽，所述电介质层夹在所述填充物和所述衬底之间。
这部分旨在提供对本专利申请的主题的概述。这部分并非旨在提供本发明的排他性的或详尽的说明。本文包括了详细的描述，以提供关于本专利申请的进一步信息。
附图说明
在附图中（这些附图不一定是按照比例绘制的），相同的数字能够描述不同视图中的相似部件。具有不同字母后缀的相同数字能够表示相似部件的不同示例。附图通过示例而非限制的方式概括地示例了本申请中讨论的各个实施例。
图1A示出了根据现有技术的具有单材料沟槽的一器件的横截面侧视图。
图1B示出了根据一个示例的具有悬垂部分（overhang）和空隙的一器件的横截面侧视图。
图2示出了根据一个示例的具有期望属性的孔的横截面侧视图。
图3示出了根据一个示例的具有曲线凹槽的孔的横截面侧视图。
图4是根据一个示例的具有大体上为直线凹槽的孔的横截面侧视图。
图5示出了根据各个示例的空隙的数个不同视图。
图6示出了根据一个示例的具有多材料沟槽的一器件的横截面侧视图。
图7A示出了根据一个示例的具有限定周界的多材料沟槽的一器件的横截面侧视图。在图7B中描绘了该周界。
图7B是沿线7A--7A截取的横截面。
图8A示出了根据一个示例的具有由器件层覆盖的限定周界的多材料沟槽的一器件的横截面侧视图。
图8B示出了根据一个示例的具有由器件层覆盖的限定周界的多材料沟槽的一器件的横截面侧视图，显示了电容效应。
图9示出了根据一个示例的具有由限定交错手指的器件层覆盖的限定周界的多材料沟槽的一器件的横截面侧视图。
图10示出了根据一个示例的具有压力换能器和运动传感器（陀螺仪、加速度计、磁力计等）或麦克风的一器件的横截面侧视图。
图11示出了根据一个示例的具有设置在器件层内的腔的一器件的横截面侧视图。
图12示出了根据一个示例的具有多个孔衬底的一器件的横截面侧视图。
图13示出了根据一个示例的具有位于器件层上方的帽状物的一器件的横截面侧视图。
图14示出了根据一个示例的具有覆盖器件层的多个器件部分的帽状物的一器件的横截面侧视图。
图15示出了根据一个示例的具有多材料沟槽的一器件的横截面侧视图。
图16示出了根据一个示例的具有多材料沟槽的一器件的横截面侧视图。
图17示出了根据一个示例的由一示例半导体的迭代视图所示出的过程。
图18示出了根据一个示例的包括熔融粘合的过程。
图19示出了根据一个示例的配置成测量运动的一可选半导体器件的横截面侧视图。
具体实施方式
本主题解决了现有技术的缺点。美国专利号7,539,003中概述的一种方法能够导致图1B中示出的结构。该示例示出了不期望的悬垂部分（overhang）104和不期望的空隙（void）106，正如由从美国专利号7,539,003的第四栏开始讨论的过程所产生的一样。根据该方法，使用期望长宽比（例如，30：1）的深反应离子蚀刻（DRIE）获得期望厚度（例如，150μm）的硅通孔（TSV）晶圆会导致一个不期望厚度（5μm厚）的电介质沟槽，该TSV晶圆包括设置在电介质材料110（例如，氧化物）内部的材料108（例如，导电材料），该电介质沟槽在未形成空隙106的情况下难以填充。
典型的电介质沟槽可以包括二氧化硅，在这样的深沟槽中形成这样的厚氧化物是困难的，至少因为它有助于空隙106的形成，空隙106会减小形成从器件顶部到器件底部的气密密封的可能性。这种方法还会在硅衬底内造成显著的应力，该应力尤其在具有高密度的这种深孔的器件内，会影响器件的完整性，使晶圆易于破裂。悬垂部分104至少通过在期望程度上阻止对半导体101内的腔的填充，有助于空隙的形成。
除了其他方面以外，本主题还提供了硅通孔，所述硅通孔能够在高温晶圆粘合下存活，高温晶圆粘合包括在高于1000摄氏度下进行的熔融粘合，相比现有技术，具有改良的可制造性。本主题通过使用双材料沟槽替代单材料沟槽在某些情况下减小了上述方法的影响，其中，第二种材料具有更好的填充能力，并且可以形成具有较少空隙或没有空隙的孔，这能够改善密封（例如，气密密封）。某些示例提供了一种用于在没有空隙（即，一个或多个空隙）的情况下能实现更容易的沟槽填充的改进型沟槽。与单一材料的方法相比，这些示例为单晶硅提供了更加匹配的热膨胀系数（TCE）。这种方法可以减少晶圆弯曲的情况，从而提高晶圆的完整性。
图2示出了根据一个示例的具有期望属性的一孔的横截面侧视图。在该示例中，半导体101（例如，硅半导体、单晶硅（SCS）半导体）具有形成在其中的孔（例如，硅通孔）。在衬底101中可以具有部分地或全部地贯穿该衬底101设置的沟槽280。填充物203和电介质204可以气密地密封到衬底。填充物203可以在硅的上表面282下方凹进。凹进的电介质可以减少该电介质与可邻近上表面282设置的部件之间接触的情况。电介质204和填充物203的组合能够提供因成形而产生的应力，所述应力相互抵消以减少衬底101的变形。
图3示出了根据一个示例的具有曲线凹槽（flute）的一孔的横截面侧视图。在该示例中，凹槽或口状体304可以围绕顶部开口383，并且可以从上表面282和顶部开口延伸到衬底。该口状体可以形成单调递减的孔横截面宽度的一部分。口状体304可以比沟槽的顶部开口383大。口状体蚀刻可以是大体上各向同性的或高度锥形的（例如，高度锥形的DRIE）。形成口状体可以包括等离子蚀刻、二氟化氙蚀刻或湿法蚀刻口状体中的至少一种。口状体可以使一个人能够底切（undercut）设置在上表面282上的掩模材料，这能够去除悬垂部分或悬垂部分104。此外，口状体304可以减少或消除沟槽208内较深处的喷出（blowout）。
孔可以是大体上无空隙的，意味着填充物203与电介质204相符，并且以单块形式延伸出电介质204所限定出的腔。
填充物203可以包括半导体与电介质的组合和多晶硅中的至少一种。多晶硅可以包括未掺杂的超正形细微粒多晶硅。填充物203可以包括热氧化物。填充物203可以包括正硅酸四乙酯（TEOS）和另一低温氧化物中的至少一种。
长度与宽度的长宽比的范围可以从15：1到50：1。深度的范围可以从0μm到一个或多个毫米。一个示例限定了约30：1的长宽比，深度在10和200μm之间。对材料之间的应力进行补偿以产生接近于零的弯曲。在某些示例中，多晶硅被用于填充物203，填充物203设置在硅上生长出的氧化物的内部。可以形成一个孔（即，170μm深的孔），并且该孔的顶部可以包括2μm的热氧化物和约8μm宽的多晶硅，该孔的底部可以包括2μm的氧化物和4μm宽的多晶硅。
图4是根据一个示例的具有大体为直线口状体的孔的横截面侧视图。在该示例中，直线口状体404通向上表面282，并且尺寸被设置为比沟槽280的顶部开口383要大。在填充物403的顶部处可以形成小型悬臂式的悬垂部分402。正如本文中所讨论的（例如，参见图17），这可以是蚀刻工艺的副产品，通过蚀刻工艺，去除电介质和/或填充物以使表面282下方的电介质凹进。虽然图4和图5中示出的口状体形成了与沟槽280的剩余部分具有不同斜率的锥形物，但是正如图2中所示的，示例可以在被填充的孔的一部分和所述剩余部分之间包括平滑过渡。其他的结构是可能的，因此口状体比沟槽更宽并且消除了悬垂部分。
图5示出了根据各个示例的空隙的不同视图。接缝（seam）或空隙可以不合期望地降低待气密密封的器件的能力。进一步地，接缝或空隙可以例如通过将施加到器件上的应力集中在某一位置（例如，接缝）处来降低该器件的机械稳定性。此外，接缝或空隙可以例如产生贮存仓，该贮存仓使欲被去除的材料被嵌于其中，从而造成加工难度。这些贮存的材料随后可能在后续加工步骤的过程中或在应用中被释放，并且可能对器件的性能产生不期望的影响。
A和B中公开的示例示出了一空隙，该空隙小到足够允许充分的密封和结构完整性，包括刚度。在视图A中，空隙504可以聚集材料，这是不期望的。如果空隙504能够被减小成一个小于填充物502的长度的小接缝，则可以获得期望的性能。
在视图B中，514中的空隙516可以降低结构完整性。例如，填充物可以破开。这样的结构可能对器件性能产生不利的影响。然而，如果空隙516被保持在低于能够在特定应力下造成破裂的尺寸，则可以获得期望的性能。小于填充物514深度的20%的并且是独立的故而不朝表面或底部敞开的空隙，能够提供可接受的性能。然而，这样的空隙会导致与控制该空隙尺寸的难度相关的制造问题。
在视图C中，描绘了设置在填充物506中的大的、开放接缝508。该接缝可以留住加工材料（例如，光刻胶）。这样的接缝可以影响气密性和大批量（at volume）加工晶圆的能力。一个或多个清洗工艺可以被用于抽取出这种材料，从而得到期望的器件。
在视图D中，描述了填充物518内的大的、独立的空隙或接缝520，该空隙或接缝520可以导致机械不稳定性并且降低气密性。此外，控制空隙或接缝的尺寸是困难的。
在视图E中，填充物510内的薄的接缝512跨越一长度（例如，孔的整个长度）。这样的接缝可以提供从孔顶部向孔底部泄露的路径，该接缝例如通过在器件内提供应力立管，能够负面地影响气密性和机械稳定性。在某些示例中，孔可以到达衬底之外。
在视图F中，空隙522被设置在填充物524内的靠下位置。如果使用孔暴露（reveal）工艺，则靠近于孔底部的大的接缝会导致器件故障。这些接缝可能在孔暴露工艺中被打开，从而使加工困难并且引来污染。如果不使用孔暴露工艺，则能够产生具有可接受的性能的器件，但是精确控制可能是困难的。
图6示出了根据一个示例的具有多材料沟槽的器件的横截面侧视图。该器件有利于避免在多材料硅孔形成过程中形成空隙。正如所示例的，沟槽280可以限定大体上成梯形的横截面。沟槽280能够在衬底280的下表面681和该衬底的上表面282之间延伸贯穿衬底101。沟槽280的顶部可以朝向（open to）顶部开口383。沟槽280的底部可以朝向底部开口684。与底部开口684相比，顶部开口383在面积上可以更大。底部开口和顶部开口中的一者或二者可以横跨小于30μm，并且它们之间的距离可以从5μm到500μm。这样的尺寸设置可以改善在没有空隙的情况下在电介质204内设置填充物203的能力。
电介质204（例如，一层）可以被设置在沟槽280的内表面上。填充物203可以被设置在该沟槽内，该电介质层夹在该填充物和衬底之间。该结构可以提供气密密封。密封可以利用衬底的上表面和衬底的下表面之间的一个大气层的最小压力差来抵抗泄露。这种密封可以提供与形成到腔的边界相配的孔，该腔相对于装置的周围环境在真空下被密封。
图7A示出了根据一个示例的具有限定周界的多材料沟槽的器件的横截面侧视图。在图7B中描绘了该周界，图7B是沿线7A--7A截取的横截面。沟槽可以是限定一电路的沟槽。该沟槽可以限定衬底101内的一电路，该衬底的内部部分位于该电路内，外部部分围绕该电路。该内部部分可以与该外部部分电介质隔离。该沟槽的横截面可以从顶部开口383到底部开口684逐渐变窄。
腔706可以设置在硅101内。该腔的深度可以在0.001μm和1000μm之间。顶孔和口状体可以被设置在该腔内。腔边缘到孔的间隔可以大于或等于5μm。
图8A-B示出了根据一个示例的具有由器件层覆盖的限定周界的多材料沟槽的器件的横截面侧视图。帽状物或第二衬底807可以被粘合到第一衬底101。第二衬底807可以由单晶硅形成。粘合可以包括熔融粘合。熔融粘合可以包括疏水性粘合和亲水性粘合中的至少一种。粘合可以包括共熔粘合、粘结粘合或阳极粘合。第二衬底的厚度可以在2μm和1000μm之间。第二衬底的厚度可以在2μm和1000μm之间。
填充物203的沟槽限定衬底101内的一电路，该衬底的内部部分809位于该电路内，外部部分810围绕该电路。通过使用气密密封粘合到第一衬底的第二衬底807，以及被密封到第一衬底101的包括填充物203的每个孔，可以将腔706密封（气密密封）以与器件的环境大气隔开。
腔706覆盖填充物203的腔沟槽的全部或一部分。第二衬底807相对于第一衬底101的运动可以改变腔706内的流体的压力。可以监视该流体的特性（例如，该流体的电容或电阻）。这种监视可以产生一信号，该信号表示第二衬底807相对于第一衬底101的运动，例如指示压力的变化。这种压力变化可以指示许多事物，包括附近声压波发生器产生导致第二衬底807相对于第一衬底101运动的声音能量。还可以指示高度。因此，第二衬底807可以提供平面外传感电容器809。真空在形成过程中被施加到腔706内，使得该腔在使用中保持在真空下。在各个示例中，可以通过监视平行板彼此的运动（例如，通过使用触点102、102a来监视第二衬底807相对于第一衬底101的运动）来监视电容信号。
用于传送该信号的一电极由粘合到导电衬底101的第一触点102形成，器件衬底807通过该导电衬底101连接到第一触点102，第一触点102耦合到外部部分，另一电极可以由第二触点102a形成，第二触点102a耦合到导电第一衬底101的内部部分。
图9示出了根据一个示例的具有由限定交错手指的器件层覆盖的限定周界的多材料沟槽的一器件的横截面侧视图。第二衬底807可以包括平面内运动传感器，例如运动传感电容器。国际专利申请PCT/US2011/052061中公开了平面内运动传感电容器的一示例，该国际专利申请PCT/US2011/052061具有2010年9月18日的优先权日，具有一个共同受让人，并且以引用方式全部地合并在本文中。除了本申请中的其他方面以外，图2和图11中公开了一种平面内运动传感电容器。
填充物203的沟槽可以限定衬底101内的一电路，该衬底的内部部分位于该电路内，外部部分围绕该电路。第二衬底807的悬臂式部分911粘合到该内部部分，形成一电极。该悬臂式电极可以包括一梳状电极，该梳状电极被成型为例如通过属于每个梳状电极的交错手指与第二衬底807的剩余部分的梳状电极相间交错。其他结构包括但不局限于平行板、平行梁、间隙紧密的相间交错的手指、盟友场（friend-field）电容器及其组合。例如通过改变内部电极板和外部电极板之间的距离，内部部分的运动913（例如，悬臂式电极911的运动）可以提供平面外传感电容器。
用于传送该信号的一电极由粘合到导电衬底101的第一触点102形成，器件衬底807通过该导电衬底101连接到第一触点102，第一触点102耦合到外部部分，另一电极可以由第二触点102a形成，第二触点102a耦合到导电第一衬底101的内部部分。
图10示出了根据一个示例的具有压力换能器和运动传感器的一器件的横截面侧视图。在该示例中，第一腔1015被配置成传感第二衬底807的大体形状的平面之外的运动。第二腔1014形成为第二衬底807的一部分，并且可以被配置成传感第二衬底807的大体形状的平面内的运动。第一腔和第二腔可以由第一衬底101和第二衬底807的相同部分来限定。可以在第一衬底内形成一个或多个腔1014、1015。一个或多个腔1014、1015可以包含一个或两个孔沟槽203、203a。一个或多个腔可以是被选择性地蚀刻在半导体衬底101的顶部的一腔的一部分。
图11示出了根据一个示例的具有设置在器件层内的腔的一器件的横截面侧视图。可以在第二衬底807内形成一个或两个腔1115、1114。一腔可以包括第一衬底和第二衬底的部分，但是腔厚度会影响灵敏度，因此控制该腔的厚度是重要的。如果腔被设置在所述衬底中的一个衬底内，至少由于降低了层叠误差，则更容易控制腔的厚度。此外，如图10中所示，在衬底101内设置腔由于不需要对齐的粘合（熔融、阳极、黏结剂、共熔合金或其他方面）而使得制造更容易。
图12示出了根据一个示例的具有多个孔衬底的一器件的横截面侧视图。第三衬底101a具有至少一个孔，所述至少一个孔包含可以被设置在第三衬底101内的填充物203沟槽。该结构将第二衬底807夹在两个硅衬底101、101a（例如，类似地形成的衬底）之间。触点203-203c可以被互连到电子设备，以传输由第二衬底相对于第一衬底101和第三衬底101a的运动产生的信号。该结构可以至少通过提供两个能够被监视以确定运动特性的信号，来改变器件的灵敏度。
图13示出了根据一个示例的具有位于器件层上方的帽状物的一器件的横截面侧视图。帽状物1316可以通过支撑该帽状物的至少一个支撑结构被粘合1317到器件层。该帽状物可以使用硅熔融工艺、导电金属工艺、基于玻璃的工艺或基于黏结剂的工艺中的至少一种来粘合到器件层。该帽状物可以被用于形成腔1318。该帽状物可以提供气密密封以密封腔1318内流体（例如气体）。示例可以包括将器件层粘合到衬底，并且将帽状物粘合到该器件层，通过该帽状物、器件层和衬底限定一气密密封的室，当该衬底、帽状物和器件层中的其中一个能够被激发时，在该室内，相比于该帽状物和该衬底中的任何一者，器件室的一部分可以更低的频率自由振动。第二衬底807相对于该帽状物和第一衬底中的一个或两个的运动可以向触点102、102a提供信号信息，所述信号信息可以通过电子设备来监视。该帽状物可以提供一盖来保护第二衬底807。
图14示出了根据一个示例的具有对器件层的多个器件部分进行覆盖的帽状物的一器件的横截面侧视图。帽状物1418可以包括一支撑结构1419，该支撑结构1419可以包括一个或多个结构（例如，柱）。粘合可以包括使用与该帽状物和器件层之间的粘合剂相同的粘合剂将所述柱粘合到该帽状物和器件层。该支撑结构1419可以减少帽状物1418相对于第二衬底807的运动。这种减少可以例如通过减少帽状物1418运动向第二衬底807运动的转换，来降低传输到触点102、102a的信号噪声。进一步地，设置在帽状物和器件层之间的多个结构阻止了帽状物在二次成型（overmolding）过程中的弯曲。
这些支撑结构可以形成多个腔，每个腔可在不同的压力和厄米性（hermiticity）水平下密封，每个腔覆盖第二衬底807的一器件部分。腔可以覆盖加速度传感器。腔可以覆盖环境压力传感器。腔可以覆盖陀螺仪。这些器件中的一部分或全部可以由相同的第一衬底101和第二衬底807形成。
图15示出了根据一个示例的具有多材料沟槽的一器件的横截面侧视图。这些腔中的至少一个可以涂覆有导体1519（例如，金属），并且形成低阻电极和静电防护。因此，例如当结合另一触点102a的监视来配对监视触点1520时，帽状物1316相对于第二衬底807的运动可以向触点1520提供信号信息。帽状物的腔被设置在第二衬底807的与粘合到第一衬底101的侧相对的侧上。
图16示出了根据一个示例的具有多材料沟槽的一器件的横截面侧视图。该示例将支撑结构1621与包含导体的腔相结合，因此第二衬底807的一部分或器件层可以向例如耦合至帽状物1418的一导体发送信号。
图17示出了根据一个示例的由一示例半导体的迭代视图所示出的过程。
在A处，提供了一晶圆1722（例如，一双侧抛光的晶圆）。该晶圆可以由单晶硅<100>形成。该晶圆可以是主晶圆（prime wafer）。该晶圆可以具有10-20mΩ·cm的电阻率。该晶圆可以由P型硼或N型磷形成。该晶圆可以具有小于或等于20A的粗糙度。该晶圆可以具有小于3μm的总厚度变化。该晶圆可以具有大于200μm的铸造标准厚度。
该晶圆可以经受熔炉预清洗。该晶圆可以经受氟化氢（HF）浸渍。HF浸渍之后可以紧接着RCA清洗。可以检查表面以检测SC1清洗是否使晶圆的表面不期望地变粗糙了。
在B处，可以例如通过湿法工艺热氧化晶圆，生长出1μm±0.2μm的氧化物层1724。该氧化物可以保护未划线（non-scribe）的表面。
在C处，可以沉积光刻胶（PR），并且可以使用光刻胶使对准特征1726暴露，例如在晶圆的划线侧上。该特征可以被用于提供对准，以减少粘合步骤之后晶圆边缘的悬垂部分的情况。这样的悬垂部分可以导致边缘芯片（edge chip）和报废晶圆。可以在划线侧（SS）上对氧化物应用RIE蚀刻。该蚀刻可以在硅上，例如约1μm处停止。在SS上的硅的RIE蚀刻可以是0.5μm±0.1μm。
在D处，可以例如通过完全地去除氧化物来剥去氧化物。可以使用氟化氢（HF）浸渍。可以施加PR。可以暴露孔沟槽1728。可以对硅应用DRIE蚀刻，例如以提供连续锥形的轮廓。可以避免在氧化物硬模下的爆裂和唇（lip）。可以创造小于500纳米的DRIE扇贝（scallop）。如果在氧化物硬模下保持硅唇，则可以使用两级DRIE，包括浅的各向同性蚀刻和主DRIE。
在E处，可以去除聚合物，并且可以使用预熔炉清洗来清洗晶圆。它可能对从孔沟槽长时间地去除PR和使用长久的清洗是有用的。可以使用SRD来充分地干燥晶圆。可以使用适当的SRD周期长度来去除已经被困在孔内的小水滴。如果水滴保持在晶圆表面上，则它们可以在衬垫氧化期间氧化并且创造出小的表面突起。
在F处，可以例如通过湿法工艺热氧化1730晶圆，生长出2μm±0.2μm的氧化物层1724。可能的氧化物厚度范围从0.5μm到3.0μm。
在G处，例如在3.25μm±0.4μm厚处，可以使用低压化学气相沉积（LPCVD）来沉积多晶硅1732。沉积1732可以包括从约575摄氏度到约585摄氏度的温度下的正形的、未掺杂的、细微粒多晶硅沉积。沉积厚度可以是足够到完全地填充孔沟槽。
在H处，可以使用化学机械抛光（CMP）来从硅的全部或一部分去除多晶硅，例如以暴露硅通孔的顶部部分1734。去除可以针对未划线侧（NSS）。
在I处，可以使用化学机械抛光（CMP）来从硅的全部或一部分去除多晶硅。去除可以针对划线侧（SS）。去除可以在氧化物层1738上停止。
在J处，可以在NSS上（例如在4μm±0.5μm处）进行多晶硅的DRIE蚀刻。可以使用各向同性蚀刻。可以在上表面下方使填充物凹进。可以使用表面光度仪（profilometer）来测量深度。
在K处，可以在SS上（例如在4μm±0.5μm处）进行多晶硅的DRIE蚀刻。可以使用各向同性蚀刻。蚀刻可以从对准特征1742去除纵梁（stringer）。
在L处，可以使用O2晶圆清洗来清洗晶圆，例如以去除有机聚合物。可以进行例如2μm±0.2μm的湿法氧化物蚀刻，例如以去除表面氧化物。蚀刻可以使氧化物在多晶硅表面的下方凹进约1μm。蚀刻可以在晶圆上表面的下方去除约4μm的氧化物，从而限定凹进1740。可以如此限定凹进1744。
在M处，可以沉积PR，并且可以在NSS上暴露电极间隙1748。可以对NSS上的硅进行例如2μm±0.2μm的RIE或DRIE蚀刻。可以剥去PR，并且可以使用表面光度仪来验证间隙厚度。它可能对从孔沟槽长时间地去除PR和使用长久的清洗是有用的。可以使用SRD来充分地干燥晶圆。可以使用适当的SRD周期长度来去除已经被困在孔内的小水滴。如果水滴保持在晶圆表面上，则它们可以在衬垫氧化期间氧化并且创造出小的表面突起。
从晶圆表面去除表面状况（topography）（粒子、多晶硅、氧化物等）可能是有利的，例如以确保器件功能不会干扰这种表面状况。
图18示出了根据一个示例的包括熔融粘合的过程。
在A处，提供了一晶圆1850（例如，一双侧抛光的晶圆）。该晶圆可以由具有<100>的定向的单晶硅形成。该晶圆可以是主晶圆。该晶圆可以具有10-20mΩ-cm的电阻率。该晶圆可以由P型硼形成。该晶圆可以具有小于或等于20A的粗糙度。该晶圆可以具有小于3μm的总厚度变化。该晶圆可以具有大于200μm的铸造标准厚度。
可以对器件和孔晶圆中的一者或两者运用预熔融粘合激活。可以使用硫酸，然后使用SC1RCA清洗，并且使用HF结束。
在B处，层可以是严格对准的。可以例如在至少1100℃的温度（在某些示例中使用高于1200℃的温度）下进行熔融粘合退火和氧化。可以创造出约1μm±0.1μm的氧化物1852的厚度。可以使用SAM（扫描式声波显微镜）和晶圆级红外线（IR）来监视粘合完整性。
在C处，顶部衬底可以接地，并且CMP可以被应用于NSS。器件层1854的厚度可以是60μm±2μm。
如上所述，在某些步骤过程中，从晶圆表面去除表面状况（颗粒、多晶硅、氧化物等）可能是有利的，例如以确保器件功能不会干扰这种表面状况。
图19示出了根据一个示例的配置成测量运动的一可选半导体器件的横截面侧视图。在该示例中，第一衬底101包括贯穿该第一衬底101形成的孔，一器件层1962粘合到第一衬底101。该器件层1962包括两个配置成向触点1960提供信号的平面内传感器1972、1974。在该示例中，传感器之间的差动运动产生表示该差动运动的信号。因此，这些传感器可以具有不同质量和/或不同数量或总面积的电极。导体1968被施加到帽状物1966上，该帽状物1966覆盖这些传感器以创造密封的腔。导体1968可以形成一触点的一部分，以提供差动信号信息。盖1956覆盖触点1960和电介质层1958的一部分。在一示例中，通过将硅101的部分上方的电介质层蚀刻掉来构造触点1960，以用于传导信号。
补充注释
本主题可以通过举几个示例的方式来进行说明。示例1可包括如下主题（例如，系统、装置、方法、有形机器可读介质等），该主题可包括电隔离设置在衬底内的孔，该衬底可以在该孔的顶部和该孔的底部之间提供气密密封的方式被创造。可选地，该示例可在一段很长时间内保持10毫托的真空。
在示例2中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例1的任何部分或任何部分的组合相结合以包括：通过深反应离子蚀刻（DRIE）出沟槽而形成孔，这些孔可以以电介质为内衬，并且可被填充材料，从而几乎或完全无空隙。
在示例3中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例1至2中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，填充物包括多晶硅或半导体和电介质。在一些示例中，填充物不只是包括电介质。
在示例4中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例2至3中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，填充物包括热氧化物。
在示例5中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例2至4中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，填充物包括正硅酸四乙酯（TEOS）或其他低温氧化物。
在示例6中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例1至5中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，多晶硅可以是未掺杂的580摄氏度LPCVD多晶硅（例如，超正形细微粒多晶硅）。
在示例7中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例2至6中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，使得DRIE沟槽的横截面可以是锥形。
在示例8中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例7的任何部分或任何部分的组合相结合，使得DRIE沟槽具有扩宽的口状体或由SCS（单晶硅）形成的“口状体”。
在示例9中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例8的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，“口状体”可以通过各向同性蚀刻（例如，等离子体、XeF2、湿法蚀刻等及其组合）或者高度锥形DRIE蚀刻来形成。
在示例10中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例1至9中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，沟槽的顶部和底部临界尺寸（CD）可以小于30μm，并且蚀刻的深度可以为5μm至500μm。
在示例11中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例2至10中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，电介质可以在衬底表面下方凹进。
在示例12中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例2至11中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，填充物可以在衬底表面下方凹进。
在示例13中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例2至12中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，沟槽形成一个或多个回路。
在示例14中，一系统或装置可包括电介质隔离并且气密密封衬底内的一个或多个孔，选择性地在衬底表面内蚀刻出一腔，该腔包围所述一个或多个孔的至少一部分。
在示例15中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例14的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，腔的深度可以在0.001μm至1000μm之间。
在示例16中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例14至15中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，可以首先创造出一个或多个孔，紧接着创造出腔。
在示例17中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例14至16中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，可以首先创造出腔，紧接着创造出一个或多个孔。
在示例18中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例14至17中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，孔可以完全地被包含在腔内。
在示例19中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例14至19中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，腔边缘到孔的间距可以不小于5μm。
在示例20中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例1至13中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，可以与示例14至19中的任何一个或多个示例相结合。
示例21可包括主题（例如，一系统、装置、方法、有形机器可读介质等），该主题可包括电隔离并且气密密封衬底（“孔衬底”）内的孔，选择性地在衬底表面和粘合到孔衬底的第二衬底（“器件衬底”）中的一者或两者内蚀刻出腔。
在示例22中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例21的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，所述衬底中的一个或多个衬底可以由单晶硅（SCS）形成。
在示例23中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例21至22中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，粘合中的至少一种包括（疏水性、亲水性等）熔融粘合。
在示例24中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例21至23中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，至少一种粘合包括共熔粘合、阳极粘合或粘结粘合。
在示例25中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例21至24中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，器件衬底的厚度可以在2μm至1000μm之间。
在示例26中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例21至25中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，其中，器件衬底的厚度可以在2μm至1000μm之间。
在示例27中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例2至19中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，可以可选地与示例21至26中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合。
示例28可包括主题（例如，一系统、装置、方法、有形机器可读介质等），该主题可包括平面外（例如，竖直移动）传感电容器，其中，一电极可以由粘合至导电晶圆的触点形成，器件衬底通过导电晶圆连接至该触点，该触点耦合到TSV沟槽内部的TSV衬底，并且另一电极可以由耦合到TSV沟槽外部的TSV衬底的一触点来形成，其中，触点1和触点2可以使用权利要求1至27中的任一项所述的孔来进行隔离。
在示例29中可包括主题（例如，一系统、装置、方法、有形机器可读介质等），该主题可包括平面内（例如，水平移动）传感电容器（例如，包括梳齿的电容器），其中，一电极可以由粘合至导电晶圆的触点形成，器件衬底通过导电晶圆连接至该触点，该触点耦合到TSV沟槽内部的TSV衬底，并且另一电极可以由耦合到TSV沟槽外部的TSV衬底的触点来形成，其中，触点1和触点2可以使用权利要求1至27中的任一项所述的孔来进行隔离。
在示例30中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例1至29中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，包括使用以上权利要求中的任一项所限定的TSV在同一器件衬底上制造的平面内传感电容器和平面外传感电容器。
在示例31中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例1至20中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，但是具有在器件层上制造的间隙。
在示例32中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例1至31中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，但是在器件层的另一侧上具有TSV。
在示例33中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例1至32中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，但是在器件层的两侧上具有TSV。
在示例34中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例1至33中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，但是具有粘合到在器件衬底的另一侧上的帽状物。
在示例35中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例1至34中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，帽状物使用硅熔融工艺粘合。
在示例36中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例1至35中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，帽状物使用导电金属工艺粘合。
在示例37中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例1至36中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，帽状物使用基于玻璃的工艺粘合。
在示例38中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例1至37中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，帽状物使用基于粘结剂的工艺粘合。
在示例39中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例1至38中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，但是帽状物具有柱形式的一个或多个帽状物支撑结构，所述帽状物支撑结构中的任一个帽状物支撑结构可以减小帽状物在塑料二次成型过程中的弯曲，其中，柱和器件层之间的粘合剂可以与帽状物和器件层之间的相同。
在示例40中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例1至39中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，但是，其中，一个或多个帽状物支撑结构形成腔，每个腔在不同的压力和/或不同水平的厄米性下是密封的，以最优化不同器件（例如在环境压力下密封的加速度传感器和在真空下密封的陀螺仪）的性能。
在示例41中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例1至40中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，但是，帽状物具有至少一个涂覆有金属的腔，以形成低电阻率电极和静电防护。
在示例42中，一系统或装置可包括或者可以可选地与示例1至41中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，填充物由两种或更多种材料组成。
这些非限制性的示例中的每一个示例可独立存在，或者可以各种排列的形式进行组合或者与其他示例中的一个或多个示例相结合。
上述详细说明书参照了附图，附图构成了所述详细说明书的一部分。附图以举例说明的方式显示了可实施本发明的具体实施例。这些实施例在本文中也被称作“示例”。这些示例可包括除了所示或所描述的元件以外的元件。然而，本发明人还设想到了其中仅提供所示或所描述的那些元件的示例。此外，本发明人还设想到了使用所示或所描述的那些元件的任意组合或排列的示例（或其一个或多个方面），针对本文所示的或所描述的具体示例（或其一个或多个方面），或针对本文所示的或所描述的其他示例（或其一个或多个方面）。
如果本发明与任何通过引用的方式并入的文件之间存在用途差异，则以本发明的用途为准。
在本文中，与专利文件通常使用的一样，术语“一”或“某一”表示包括一个或多个，但其他情况或在使用“至少一个”或“一个或多个”时应除外。在本文中，除非另外指明，否则使用术语“或”指无排他性的或者，使得“A或B”包括：“A但不是B”、“B但不是A”以及“A和B”。在本文中，术语“包含”和“在其中”等同于各个术语“包括”和“其中”的通俗英语。同样，在本文中，术语“包含”和“包括”是开放性的，即，系统、设备、物品、成分、公式或步骤包括除了权利要求中这种术语之后所列出的那些部件以外的部件的，依然视为落在该条权利要求的范围之内。而且，在所附的权利要求中，术语“第一”、“第二”和“第三”等仅仅用作标签，并非对对象有数量要求。
本文所述的方法示例至少部分可以是机器或计算机执行的。一些示例可包括计算机可读介质或机器可读介质，计算机可读介质或机器可读介质被编码有可操作为将电子装置配置成执行如上述示例中所述方法的指令。这些方法的实现可包括代码，例如微代码，汇编语言代码，高级语言代码等。这种代码可包括用于执行各种方法的计算机可读指令。所述代码可构成计算机程序产品的部分。此外，在一个示例中，所述代码可例如在执行期间或其他时间被有形地存储在一个或多个易失、非暂时或非易失性有形计算机可读介质上。这些有形计算机可读介质的示例包括但不限于硬盘、移动磁盘、移动光盘（例如，压缩光盘和数字视频光盘）、磁带、存储卡或棒、随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）等。
上述说明的作用在于解说而非限制。例如，上述示例（或示例的一个或多个方面）可结合使用。本领域普通技术人员可以在理解上面的描述的基础上使用其他实施例。遵照37C.F.R.§1.72（b）的规定提供摘要，允许读者快速确定本技术公开的性质。提交本摘要时要理解的是该摘要不用于解释或限制权利要求的范围或意义。同样，在上面的具体实施方式中，各种特征可归类成将本公开合理化。这不应理解成未要求的公开特征对任何权利要求必不可少。相反，发明的主题可在于的特征少于特定公开的实施例的所有特征。因此，所附的权利要求据此并入具体实施方式中，并且可设想到这些实施例可以在各种组合或排列中彼此结合。应参看所附的权利要求，以及这些权利要求所享有的等同物的所有范围，来确定本申请的范围。

Claims (9)

1.一种装置，包括：
第一衬底，其具有设置在所述第一衬底内的至少一个孔，其中，所述第一衬底包括：
沟槽，其具有大体上成梯形的横截面，所述沟槽贯穿所述第一衬底在所述第一衬底的下表面和所述第一衬底的上表面之间延伸，其中，所述沟槽的顶部通向顶部开口，并且所述沟槽的底部通向底部开口，所述顶部开口比所述底部开口要大；以及
口状体，其围绕所述顶部开口并且在所述上表面和所述顶部开口之间延伸，其中，所述上表面内的口状体开口比所述沟槽的所述顶部开口要大，并且所述口状体形成锥形物，所述锥形物的斜率与所述沟槽的斜率不同，以及
第二衬底，其被粘合到所述第一衬底；
其中，所述孔包括：
电介质层，其设置在沟槽的内表面上；以及
填充物，其设置在所述沟槽内，所述电介质层夹在所述填充物和所述第一衬底之间；
其中，所述沟槽限定所述第一衬底内的一电路，所述第一衬底的内部部分位于所述电路内，外部部分围绕所述电路；
其中，所述第二衬底包括传感电容器，其中，一个电极由粘合到所述第一衬底的第一触点形成并通过所述第一衬底连接到所述第二衬底，所述第一触点耦合到所述外部部分，另一电极由第二触点形成，所述第二触点耦合到所述内部部分。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一衬底由单晶硅形成。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述填充物和所述电介质气密地密封到所述第一衬底。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述沟槽的横截面从所述顶部开口到所述底部开口逐渐变窄。
5.根据权利要1所述的装置，其中，所述内部部分与所述外部部分电介质相隔离。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电介质在第一衬底表面的下方凹进，
其中，填充物包括以下至少一种：
半导体与电介质的组合；以及
多晶硅，并且
其中，填充物在所述上表面的下方凹进。
7.一种在半导体衬底内形成至少一个孔的方法，包括：
形成具有大体上成梯形的横截面的沟槽，包括形成贯穿第一衬底在所述第一衬底的下表面和所述第一衬底的上表面之间的所述沟槽，所述沟槽通向所述上表面的顶部开口和所述下表面的底部开口，所述顶部开口比所述底部开口要大；
形成在所述上表面和所述顶部开口之间延伸的口状体，所述上表面中的口状体开口比所述沟槽的所述顶部开口要大，并且所述口状体形成锥形物，所述锥形物的斜率与所述沟槽的斜率不同；
在沟槽的内表面上形成电介质层；以及
使用填充物来填充所述沟槽，所述电介质层夹在所述填充物和所述第一衬底之间；
形成粘合到所述第一衬底的第二衬底；
其中，所述沟槽限定所述第一衬底内的一电路，所述第一衬底的内部部分位于所述电路内，外部部分围绕所述电路；
其中，所述第二衬底包括传感电容器，其中，一个电极由粘合到所述第一衬底的第一触点形成并通过所述第一衬底连接到所述第二衬底，所述第一触点耦合到所述外部部分，另一电极由第二触点形成，所述第二触点耦合到所述内部部分。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述沟槽包括深反应离子蚀刻(DRIE)出的沟槽，
其中，使用填充物来填充所述沟槽包括：使用多晶硅来填充所述沟槽。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，形成口状体包括：进行高度锥形深反应离子蚀刻(DRIE)以蚀刻出所述口状体。
CN201310415336.XA 2012-09-12 2013-09-12 包括多材料填充物的改进型硅通孔 Active CN103663344B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710032445.1A CN107098309B (zh) 2012-09-12 2013-09-12 包括多材料填充物的改进型硅通孔

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261700186P 2012-09-12 2012-09-12
US61/700,186 2012-09-12

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710032445.1A Division CN107098309B (zh) 2012-09-12 2013-09-12 包括多材料填充物的改进型硅通孔

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103663344A CN103663344A (zh) 2014-03-26
CN103663344B true CN103663344B (zh) 2017-02-15

Family

ID=50153420

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710032445.1A Active CN107098309B (zh) 2012-09-12 2013-09-12 包括多材料填充物的改进型硅通孔
CN201320565239.4U Expired - Lifetime CN203683082U (zh) 2012-09-12 2013-09-12 具有孔的半导体装置
CN201310415336.XA Active CN103663344B (zh) 2012-09-12 2013-09-12 包括多材料填充物的改进型硅通孔

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710032445.1A Active CN107098309B (zh) 2012-09-12 2013-09-12 包括多材料填充物的改进型硅通孔
CN201320565239.4U Expired - Lifetime CN203683082U (zh) 2012-09-12 2013-09-12 具有孔的半导体装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9425328B2 (zh)
KR (1) KR102132372B1 (zh)
CN (3) CN107098309B (zh)
DE (1) DE102013014881B4 (zh)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8710599B2 (en) 2009-08-04 2014-04-29 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined devices and fabricating the same
US9278845B2 (en) 2010-09-18 2016-03-08 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis gyroscope Z-axis electrode structure
CN103221333B (zh) 2010-09-18 2017-05-31 快捷半导体公司 多晶片mems封装
CN103221331B (zh) 2010-09-18 2016-02-03 快捷半导体公司 用于微机电系统的密封封装
US9352961B2 (en) 2010-09-18 2016-05-31 Fairchild Semiconductor Corporation Flexure bearing to reduce quadrature for resonating micromachined devices
EP2616772B1 (en) 2010-09-18 2016-06-22 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 3-axis gyroscope with single drive
US9278846B2 (en) 2010-09-18 2016-03-08 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 6-axis inertial sensor
WO2012040245A2 (en) 2010-09-20 2012-03-29 Fairchild Semiconductor Corporation Through silicon via with reduced shunt capacitance
EP2619536B1 (en) 2010-09-20 2016-11-02 Fairchild Semiconductor Corporation Microelectromechanical pressure sensor including reference capacitor
US9062972B2 (en) 2012-01-31 2015-06-23 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis accelerometer electrode structure
US8978475B2 (en) 2012-02-01 2015-03-17 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS proof mass with split z-axis portions
US9488693B2 (en) 2012-04-04 2016-11-08 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS accelerometer with ASICS integrated capacitors
EP2647952B1 (en) 2012-04-05 2017-11-15 Fairchild Semiconductor Corporation Mems device automatic-gain control loop for mechanical amplitude drive
EP2648334B1 (en) 2012-04-05 2020-06-10 Fairchild Semiconductor Corporation Mems device front-end charge amplifier
EP2647955B8 (en) 2012-04-05 2018-12-19 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS device quadrature phase shift cancellation
US9069006B2 (en) 2012-04-05 2015-06-30 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS gyroscope with ASICs integrated capacitors
US9094027B2 (en) 2012-04-12 2015-07-28 Fairchild Semiconductor Corporation Micro-electro-mechanical-system (MEMS) driver
US9625272B2 (en) 2012-04-12 2017-04-18 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS quadrature cancellation and signal demodulation
DE102013014881B4 (de) 2012-09-12 2023-05-04 Fairchild Semiconductor Corporation Verbesserte Silizium-Durchkontaktierung mit einer Füllung aus mehreren Materialien
US9764946B2 (en) * 2013-10-24 2017-09-19 Analog Devices, Inc. MEMs device with outgassing shield
CN104523231B (zh) * 2014-12-24 2017-07-21 上海集成电路研发中心有限公司 柔性压力传感件、传感器及其制造方法
US10315915B2 (en) * 2015-07-02 2019-06-11 Kionix, Inc. Electronic systems with through-substrate interconnects and MEMS device
JP2017053742A (ja) * 2015-09-10 2017-03-16 セイコーエプソン株式会社 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器、および移動体
US9567208B1 (en) * 2015-11-06 2017-02-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
US11097942B2 (en) * 2016-10-26 2021-08-24 Analog Devices, Inc. Through silicon via (TSV) formation in integrated circuits
WO2018148510A1 (en) 2017-02-09 2018-08-16 Nextinput, Inc. Integrated piezoresistive and piezoelectric fusion force sensor
EP3580539A4 (en) * 2017-02-09 2020-11-25 Nextinput, Inc. INTEGRATED DIGITAL FORCE SENSORS AND ASSOCIATED MANUFACTURING PROCESSES
US11243126B2 (en) 2017-07-27 2022-02-08 Nextinput, Inc. Wafer bonded piezoresistive and piezoelectric force sensor and related methods of manufacture
WO2019079420A1 (en) 2017-10-17 2019-04-25 Nextinput, Inc. SHIFT TEMPERATURE COEFFICIENT COMPENSATION FOR FORCE SENSOR AND STRAIN GAUGE
WO2019099821A1 (en) 2017-11-16 2019-05-23 Nextinput, Inc. Force attenuator for force sensor
KR102042818B1 (ko) 2018-03-30 2019-11-08 한국과학기술원 실리콘 전기접속 기판 및 그 제조방법
US11365117B2 (en) 2019-12-23 2022-06-21 Industrial Technology Research Institute MEMS device and manufacturing method of the same
US11939212B2 (en) 2019-12-23 2024-03-26 Industrial Technology Research Institute MEMS device, manufacturing method of the same, and integrated MEMS module using the same
CN112289740B (zh) * 2020-10-28 2023-08-11 上海华力集成电路制造有限公司 通孔的制造方法
CN114400286B (zh) * 2022-01-14 2023-04-07 成都海威华芯科技有限公司 一种高可靠性通孔电容和制作方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1068444A (zh) * 1991-07-08 1993-01-27 三星电子株式会社 半导体器件及其制造方法
CN1198587A (zh) * 1997-04-18 1998-11-11 日本电气株式会社 用以覆盖半导体器件上的孔的改进基层结构及其形成方法
CN1221210A (zh) * 1997-03-27 1999-06-30 西门子公司 制作具有可变侧壁型面的通孔的方法
CN101257000A (zh) * 2007-02-27 2008-09-03 国际商业机器公司 包括通孔的结构及其制造方法
CN101916754A (zh) * 2010-06-29 2010-12-15 香港应用科技研究院有限公司 通孔和通孔形成方法以及通孔填充方法
CN102337541A (zh) * 2011-09-23 2012-02-01 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种制作锥形穿硅通孔时采用的刻蚀方法
CN102364671A (zh) * 2011-11-03 2012-02-29 中国科学院微电子研究所 制造硅通孔的方法
CN203683082U (zh) * 2012-09-12 2014-07-02 快捷半导体(苏州)有限公司 具有孔的半导体装置

Family Cites Families (337)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3231729A (en) 1961-03-31 1966-01-25 Systems Inc Comp Dynamic storage analog computer
US4511848A (en) 1983-06-15 1985-04-16 Watson Industries, Inc. Synchronous AM demodulator with quadrature signal cancellation
US5354695A (en) 1992-04-08 1994-10-11 Leedy Glenn J Membrane dielectric isolation IC fabrication
US4896156A (en) 1988-10-03 1990-01-23 General Electric Company Switched-capacitance coupling networks for differential-input amplifiers, not requiring balanced input signals
JPH0547920A (ja) * 1991-08-20 1993-02-26 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
DE4142101A1 (de) 1991-11-28 1993-06-03 Lueder Ernst Prof Dr Ing Druckmessanordnung mit hoher linearitaet
DE69206770T2 (de) 1991-12-19 1996-07-11 Motorola Inc Dreiachsiger Beschleunigungsmesser
US5491604A (en) 1992-12-11 1996-02-13 The Regents Of The University Of California Q-controlled microresonators and tunable electronic filters using such resonators
FR2700003B1 (fr) 1992-12-28 1995-02-10 Commissariat Energie Atomique Procédé de fabrication d'un capteur de pression utilisant la technologie silicium sur isolant et capteur obtenu.
JP2569293B2 (ja) 1993-07-24 1997-01-08 エンドレス ウント ハウザー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー 高い線形性を有する容量圧力センサ
US5426970A (en) 1993-08-02 1995-06-27 New Sd, Inc. Rotation rate sensor with built in test circuit
US5703292A (en) 1994-03-28 1997-12-30 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Sensor having an off-frequency drive scheme and a sense bias generator utilizing tuned circuits
US5481914A (en) 1994-03-28 1996-01-09 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Electronics for coriolis force and other sensors
US5765046A (en) 1994-08-31 1998-06-09 Nikon Corporation Piezoelectric vibration angular velocity meter and camera using the same
JPH0989927A (ja) 1995-09-28 1997-04-04 Zexel Corp 多軸加速度センサ
SE9500729L (sv) 1995-02-27 1996-08-28 Gert Andersson Anordning för mätning av vinkelhastighet i enkristallint material samt förfarande för framställning av sådan
US5656778A (en) 1995-04-24 1997-08-12 Kearfott Guidance And Navigation Corporation Micromachined acceleration and coriolis sensor
US5659195A (en) 1995-06-08 1997-08-19 The Regents Of The University Of California CMOS integrated microsensor with a precision measurement circuit
US5760465A (en) 1996-02-01 1998-06-02 International Business Machines Corporation Electronic package with strain relief means
JP3125675B2 (ja) 1996-03-29 2001-01-22 三菱電機株式会社 容量型センサインターフェース回路
JPH09318649A (ja) 1996-05-30 1997-12-12 Texas Instr Japan Ltd 複合センサ
US5992233A (en) 1996-05-31 1999-11-30 The Regents Of The University Of California Micromachined Z-axis vibratory rate gyroscope
JPH10239347A (ja) 1997-02-28 1998-09-11 Japan Aviation Electron Ind Ltd 運動センサ
CN1206110A (zh) 1997-07-14 1999-01-27 利顿系统有限公司 惯性传感器的信号处理系统
US6480178B1 (en) 1997-08-05 2002-11-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Amplifier circuit and liquid-crystal display unit using the same
JP3753209B2 (ja) 1997-08-27 2006-03-08 アイシン精機株式会社 角速度センサ
JPH11352143A (ja) 1998-04-06 1999-12-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 加速度センサ
US6253612B1 (en) 1998-06-05 2001-07-03 Integrated Micro Instruments, Inc. Generation of mechanical oscillation applicable to vibratory rate gyroscopes
JP3882972B2 (ja) 1998-06-18 2007-02-21 アイシン精機株式会社 角速度センサ
JP3882973B2 (ja) 1998-06-22 2007-02-21 アイシン精機株式会社 角速度センサ
JP2000046560A (ja) 1998-07-31 2000-02-18 Aisin Seiki Co Ltd 角速度センサ
US6236096B1 (en) 1998-10-06 2001-05-22 National Science Council Of Republic Of China Structure of a three-electrode capacitive pressure sensor
US6351996B1 (en) 1998-11-12 2002-03-05 Maxim Integrated Products, Inc. Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors
JP3363862B2 (ja) 1999-01-22 2003-01-08 キヤノン株式会社 ジャイロ、それを備えたカメラ、レンズ及び自動車
DE19910415B4 (de) 1999-03-10 2010-12-09 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Abstimmen eines ersten Oszillators mit einem zweiten Oszillator
DE60041472D1 (de) 1999-05-28 2009-03-19 Alps Electric Co Ltd Anregungsvorrichtung eines piezoelektrischen Vibrators
US7051590B1 (en) 1999-06-15 2006-05-30 Analog Devices Imi, Inc. Structure for attenuation or cancellation of quadrature error
US6516651B1 (en) 1999-07-22 2003-02-11 Analog Devices, Inc. Coriolis effect transducer
US6522762B1 (en) 1999-09-07 2003-02-18 Microtronic A/S Silicon-based sensor system
US6230566B1 (en) 1999-10-01 2001-05-15 The Regents Of The University Of California Micromachined low frequency rocking accelerometer with capacitive pickoff
US6301965B1 (en) 1999-12-14 2001-10-16 Sandia Corporation Microelectromechanical accelerometer with resonance-cancelling control circuit including an idle state
IT1314296B1 (it) 1999-12-21 2002-12-09 St Microelectronics Srl Struttura resistiva integrata su un substrato semiconduttore
US6629448B1 (en) 2000-02-25 2003-10-07 Seagate Technology Llc In-situ testing of a MEMS accelerometer in a disc storage system
US6370937B2 (en) 2000-03-17 2002-04-16 Microsensors, Inc. Method of canceling quadrature error in an angular rate sensor
JP4729801B2 (ja) 2000-03-17 2011-07-20 アイシン精機株式会社 振動子駆動装置及び振動子駆動装置を備えた角速度センサ
US6390905B1 (en) 2000-03-31 2002-05-21 Speedfam-Ipec Corporation Workpiece carrier with adjustable pressure zones and barriers
WO2001075455A2 (en) 2000-04-04 2001-10-11 Rosemount Aerospace Inc. Three axis accelerometer
US6366468B1 (en) 2000-04-28 2002-04-02 Hewlett-Packard Company Self-aligned common carrier
US6214644B1 (en) 2000-06-30 2001-04-10 Amkor Technology, Inc. Flip-chip micromachine package fabrication method
US7523537B1 (en) 2000-07-13 2009-04-28 Custom Sensors & Technologies, Inc. Method of manufacturing a tuning fork with reduced quadrature errror and symmetrical mass balancing
US6988408B2 (en) 2000-07-13 2006-01-24 Dong-Il Cho Surface/bulk micromachined single-crystalline silicon micro-gyroscope
WO2002012116A2 (en) 2000-08-03 2002-02-14 Analog Devices, Inc. Bonded wafer optical mems process
US6553835B1 (en) 2000-09-15 2003-04-29 Bei Technologies, Inc. Inertial rate sensor and method with improved clocking
US6501282B1 (en) 2000-09-29 2002-12-31 Rockwell Automation Technologies, Inc. Highly sensitive capacitance comparison circuit
US7166910B2 (en) 2000-11-28 2007-01-23 Knowles Electronics Llc Miniature silicon condenser microphone
DE10059775C2 (de) 2000-12-01 2003-11-27 Hahn Schickard Ges Verfahren und Vorrichtung zur Verarbeitung von analogen Ausgangssignalen von kapazitiven Sensoren
CA2430741A1 (en) 2000-12-11 2002-06-20 Rad H. Dabbaj Electrostatic device
FR2819064B1 (fr) 2000-12-29 2003-04-04 St Microelectronics Sa Regulateur de tension a stabilite amelioree
WO2002087083A1 (en) 2001-04-18 2002-10-31 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Digital method and system for determining the instantaneous phase and amplitude of a vibratory accelerometer and other sensors
SG106612A1 (en) 2001-05-29 2004-10-29 Sony Electronics Singapore Pte A force sensing device
US6504385B2 (en) 2001-05-31 2003-01-07 Hewlett-Pakcard Company Three-axis motion sensor
US6513380B2 (en) 2001-06-19 2003-02-04 Microsensors, Inc. MEMS sensor with single central anchor and motion-limiting connection geometry
US6683692B2 (en) 2001-06-21 2004-01-27 Honeywell International Dither system for motion sensors
US20030033850A1 (en) 2001-08-09 2003-02-20 Challoner A. Dorian Cloverleaf microgyroscope with electrostatic alignment and tuning
US6937479B2 (en) 2001-08-21 2005-08-30 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Sensor isolation system
US6598475B2 (en) 2001-09-20 2003-07-29 Honeywell International Inc. Micromechanical inertial sensor having increased pickoff resonance damping
JP4392246B2 (ja) 2002-02-06 2009-12-24 アナログ・デバイスズ・インク マイクロ加工されたジャイロスコープ
US6714070B1 (en) 2002-02-07 2004-03-30 Bei Technologies, Inc. Differential charge amplifier with built-in testing for rotation rate sensor
US6785117B2 (en) 2002-03-15 2004-08-31 Denso Corporation Capacitive device
US6725719B2 (en) 2002-04-17 2004-04-27 Milli Sensor Systems And Actuators, Inc. MEMS-integrated inertial measurement units on a common substrate
US6854315B2 (en) 2002-04-22 2005-02-15 Northrop Grumman Corporation Quadrature compensation technique for vibrating gyroscopes
US7217588B2 (en) 2005-01-05 2007-05-15 Sharp Laboratories Of America, Inc. Integrated MEMS packaging
US7307293B2 (en) 2002-04-29 2007-12-11 Silicon Pipe, Inc. Direct-connect integrated circuit signaling system for bypassing intra-substrate printed circuit signal paths
US6701786B2 (en) 2002-04-29 2004-03-09 L-3 Communications Corporation Closed loop analog gyro rate sensor
US6992399B2 (en) 2002-05-24 2006-01-31 Northrop Grumman Corporation Die connected with integrated circuit component for electrical signal passing therebetween
US6915215B2 (en) 2002-06-25 2005-07-05 The Boeing Company Integrated low power digital gyro control electronics
US6781231B2 (en) 2002-09-10 2004-08-24 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with environmental and interference shield
US6737742B2 (en) 2002-09-11 2004-05-18 International Business Machines Corporation Stacked package for integrated circuits
US7477529B2 (en) 2002-11-01 2009-01-13 Honeywell International Inc. High-voltage power supply
US7187735B2 (en) 2003-01-28 2007-03-06 Raytheon Company Mixed technology MEMS/SiGe BiCMOS digitalized analog front end with direct RF sampling
DE602004004513T2 (de) 2003-02-11 2007-11-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren zur herstellung einer elektronischen vorrichtung und elektronische vorrichtung
WO2004077073A1 (en) 2003-02-24 2004-09-10 University Of Florida Integrated monolithic tri-axial micromachined accelerometer
JP4336946B2 (ja) 2003-03-20 2009-09-30 セイコーエプソン株式会社 回転角速度の測定方法および装置
US7119511B2 (en) 2003-04-11 2006-10-10 International Business Machines Corporation Servo system for a two-dimensional micro-electromechanical system (MEMS)-based scanner and method therefor
DE10317159B4 (de) 2003-04-14 2007-10-11 Litef Gmbh Verfahren zur Kompensation eines Nullpunktfehlers in einem Corioliskreisel
US6848304B2 (en) 2003-04-28 2005-02-01 Analog Devices, Inc. Six degree-of-freedom micro-machined multi-sensor
US7005193B2 (en) 2003-04-29 2006-02-28 Motorola, Inc. Method of adding mass to MEMS structures
JP4123044B2 (ja) 2003-05-13 2008-07-23 ソニー株式会社 マイクロマシンおよびその製造方法
JP2005024310A (ja) 2003-06-30 2005-01-27 Kyocera Kinseki Corp 慣性センサ
US6845670B1 (en) 2003-07-08 2005-01-25 Freescale Semiconductor, Inc. Single proof mass, 3 axis MEMS transducer
GB0322236D0 (en) 2003-09-23 2003-10-22 Qinetiq Ltd Resonant magnetometer device
JP2005123591A (ja) 2003-09-25 2005-05-12 Rohm Co Ltd 半導体装置及びこれを実装した電子機器
JP4433747B2 (ja) 2003-09-29 2010-03-17 株式会社村田製作所 角速度検出装置
JP4645013B2 (ja) 2003-10-03 2011-03-09 パナソニック株式会社 加速度センサ及びそれを用いた複合センサ
JP2007516746A (ja) 2003-12-11 2007-06-28 プロテウス バイオメディカル インコーポレイテッド 移植可能な圧力センサ
US6936918B2 (en) 2003-12-15 2005-08-30 Analog Devices, Inc. MEMS device with conductive path through substrate
DE10360962B4 (de) 2003-12-23 2007-05-31 Litef Gmbh Verfahren zur Quadraturbias-Kompensation in einem Corioliskreisel sowie dafür geeigneter Corioliskreisel
US7173402B2 (en) 2004-02-25 2007-02-06 O2 Micro, Inc. Low dropout voltage regulator
EP1720794A2 (en) 2004-03-01 2006-11-15 Tessera, Inc. Packaged acoustic and electromagnetic transducer chips
US6912082B1 (en) 2004-03-11 2005-06-28 Palo Alto Research Center Incorporated Integrated driver electronics for MEMS device using high voltage thin film transistors
JP3875240B2 (ja) 2004-03-31 2007-01-31 株式会社東芝 電子部品の製造方法
TWI255341B (en) 2004-06-10 2006-05-21 Chung Shan Inst Of Science Miniature accelerator
JP4412477B2 (ja) 2004-06-11 2010-02-10 株式会社デンソー 振動型角速度センサ
CN100368772C (zh) 2004-06-29 2008-02-13 东南大学 电容式微陀螺敏感信号的双路谐波提取方法及提取装置
CN100368773C (zh) 2004-06-29 2008-02-13 东南大学 电容式微陀螺敏感信号的单路谐波提取方法及提取装置
US7301212B1 (en) 2004-07-30 2007-11-27 National Semiconductor Corporation MEMS microphone
EP1624285B1 (en) 2004-08-03 2014-07-23 STMicroelectronics Srl Resonant micro-electro-mechanical system and gyroscope
US7266349B2 (en) 2004-08-06 2007-09-04 Broadcom Corporation Multi-mode crystal oscillator
US7929714B2 (en) 2004-08-11 2011-04-19 Qualcomm Incorporated Integrated audio codec with silicon audio transducer
US7421898B2 (en) 2004-08-16 2008-09-09 The Regents Of The University Of California Torsional nonresonant z-axis micromachined gyroscope with non-resonant actuation to measure the angular rotation of an object
US7170187B2 (en) 2004-08-31 2007-01-30 International Business Machines Corporation Low stress conductive polymer bump
CN101044684B (zh) 2004-09-17 2012-11-14 美国亚德诺半导体公司 使用斩波稳定的多位连续时间前端∑-△adc
JP4353087B2 (ja) 2004-12-01 2009-10-28 株式会社デンソー 回転振動型角速度センサ
JP4969822B2 (ja) 2004-12-06 2012-07-04 株式会社デンソー センサ装置
US7358151B2 (en) 2004-12-21 2008-04-15 Sony Corporation Microelectromechanical system microphone fabrication including signal processing circuitry on common substrate
US20060169041A1 (en) 2005-02-02 2006-08-03 Madni Asad M Combined gyroscope and 2-axis accelerometer
DE102005008512B4 (de) 2005-02-24 2016-06-23 Epcos Ag Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon
US20060207327A1 (en) 2005-03-16 2006-09-21 Zarabadi Seyed R Linear accelerometer
US7442570B2 (en) 2005-03-18 2008-10-28 Invensence Inc. Method of fabrication of a AL/GE bonding in a wafer packaging environment and a product produced therefrom
US7231824B2 (en) 2005-03-22 2007-06-19 Honeywell International Inc. Use of electrodes to cancel lift effects in inertial sensors
US7213458B2 (en) 2005-03-22 2007-05-08 Honeywell International Inc. Quadrature reduction in MEMS gyro devices using quad steering voltages
JP4453587B2 (ja) 2005-03-24 2010-04-21 株式会社デンソー 加速度センサ
EP1715580B1 (en) 2005-03-31 2018-11-28 STMicroelectronics Srl Device for controlling the resonance frequency of a MEMS resonator
US7885423B2 (en) 2005-04-25 2011-02-08 Analog Devices, Inc. Support apparatus for microphone diaphragm
US20070071268A1 (en) 2005-08-16 2007-03-29 Analog Devices, Inc. Packaged microphone with electrically coupled lid
US7449355B2 (en) * 2005-04-27 2008-11-11 Robert Bosch Gmbh Anti-stiction technique for electromechanical systems and electromechanical device employing same
CA2607916A1 (en) 2005-05-18 2006-11-23 Kolo Technologies, Inc. Micro-electro-mechanical transducers
US7832271B2 (en) 2005-05-24 2010-11-16 Japan Aerospace Exploration Agency Gyroscope
WO2006130828A2 (en) 2005-06-02 2006-12-07 Georgia Tech Research Corporation System and method for sensing capacitance change of a capacitive sensor
CN101213461B (zh) 2005-06-03 2013-01-02 辛纳普蒂克斯公司 使用sigma-delta测量技术检测电容的方法和系统
US7240552B2 (en) 2005-06-06 2007-07-10 Bei Technologies, Inc. Torsional rate sensor with momentum balance and mode decoupling
JP5028751B2 (ja) 2005-06-09 2012-09-19 ソニー株式会社 行動認識装置
JP2007024864A (ja) 2005-06-16 2007-02-01 Mitsubishi Electric Corp 振動ジャイロ
FI119299B (fi) 2005-06-17 2008-09-30 Vti Technologies Oy Menetelmä kapasitiivisen kiihtyvyysanturin valmistamiseksi ja kapasitiivinen kiihtyvyysanturi
EP1907133A4 (en) 2005-06-17 2012-05-09 Kolo Technologies Inc MICROELECTROMECHANICAL TRANSDUCER HAVING AN ISOLATION EXTENSION
US7202552B2 (en) 2005-07-15 2007-04-10 Silicon Matrix Pte. Ltd. MEMS package using flexible substrates, and method thereof
JP4740678B2 (ja) 2005-07-27 2011-08-03 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置
US7565839B2 (en) 2005-08-08 2009-07-28 Northrop Grumman Guidance And Electronics Company, Inc. Bias and quadrature reduction in class II coriolis vibratory gyros
US20100155863A1 (en) 2005-08-11 2010-06-24 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Method for manufacturing a microelectronic package comprising a silicon mems microphone
US20070220973A1 (en) 2005-08-12 2007-09-27 Cenk Acar Multi-axis micromachined accelerometer and rate sensor
US7284430B2 (en) 2005-08-15 2007-10-23 The Regents Of The University Of California Robust micromachined gyroscopes with two degrees of freedom sense-mode oscillator
US20070040231A1 (en) 2005-08-16 2007-02-22 Harney Kieran P Partially etched leadframe packages having different top and bottom topologies
US7932182B2 (en) 2005-08-19 2011-04-26 Honeywell International Inc. Creating novel structures using deep trenching of oriented silicon substrates
US8130979B2 (en) 2005-08-23 2012-03-06 Analog Devices, Inc. Noise mitigating microphone system and method
US7622782B2 (en) 2005-08-24 2009-11-24 General Electric Company Pressure sensors and methods of making the same
KR20080051180A (ko) 2005-09-23 2008-06-10 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지 칩 안테나 상 ㎜-파 완전 집적 위상 어레이 수신기 및송신기
DE602006005698D1 (de) 2005-10-14 2009-04-23 Nxp Bv Abstimmbare mems-anordnung
CA2626678A1 (en) 2005-10-18 2007-04-26 Tursiop Technologies, Llc Method and apparatus for high-gain magnetic resonance imaging
US7679364B2 (en) 2005-10-18 2010-03-16 Tursiop Technologies Llc Method and apparatus for high-gain magnetic resonance imaging
JP2007114078A (ja) 2005-10-21 2007-05-10 Sony Corp Ｍｅｍｓセンサの駆動装置およびその駆動方法、並びにｍｅｍｓを用いたアクティブセンサ
US7258011B2 (en) 2005-11-21 2007-08-21 Invensense Inc. Multiple axis accelerometer
US20070114643A1 (en) 2005-11-22 2007-05-24 Honeywell International Inc. Mems flip-chip packaging
US7539003B2 (en) 2005-12-01 2009-05-26 Lv Sensors, Inc. Capacitive micro-electro-mechanical sensors with single crystal silicon electrodes
US7518493B2 (en) 2005-12-01 2009-04-14 Lv Sensors, Inc. Integrated tire pressure sensor system
EP1793497B1 (en) 2005-12-02 2011-04-27 STMicroelectronics Srl Device and method for reading a capacitive sensor, in particular of a micro-electromechanical type
US8113050B2 (en) 2006-01-25 2012-02-14 The Regents Of The University Of California Robust six degree-of-freedom micromachined gyroscope with anti-phase drive scheme and method of operation of the same
US7290435B2 (en) 2006-02-06 2007-11-06 Invensense Inc. Method and apparatus for electronic cancellation of quadrature error
GB2435544B (en) 2006-02-24 2008-11-19 Oligon Ltd Mems device
US7436054B2 (en) 2006-03-03 2008-10-14 Silicon Matrix, Pte. Ltd. MEMS microphone with a stacked PCB package and method of producing the same
CN100451547C (zh) 2006-03-09 2009-01-14 上海交通大学 双定子电磁悬浮转子微转动陀螺
US7589390B2 (en) 2006-03-10 2009-09-15 Teledyne Technologies, Incorporated Shielded through-via
EP1832841B1 (en) 2006-03-10 2015-12-30 STMicroelectronics Srl Microelectromechanical integrated sensor structure with rotary driving motion
US8087295B2 (en) 2006-03-13 2012-01-03 Yishay Sensors Ltd. Dual-axis resonator gyroscope
FR2898683B1 (fr) 2006-03-14 2008-05-23 Commissariat Energie Atomique Accelerometre triaxial a membrane
GB0605576D0 (en) 2006-03-20 2006-04-26 Oligon Ltd MEMS device
JP2007292499A (ja) 2006-04-21 2007-11-08 Sony Corp モーションセンサ及びその製造方法
US7726188B2 (en) 2006-04-24 2010-06-01 Millisensor Systems + Actuators Scale factor measurement for mems gyroscopes and accelerometers
US7561277B2 (en) 2006-05-19 2009-07-14 New Jersey Institute Of Technology MEMS fiber optic microphone
JP4310325B2 (ja) 2006-05-24 2009-08-05 日立金属株式会社 角速度センサ
US7444869B2 (en) 2006-06-29 2008-11-04 Honeywell International Inc. Force rebalancing and parametric amplification of MEMS inertial sensors
US7454967B2 (en) 2006-07-10 2008-11-25 Lv Sensors, Inc. Signal conditioning methods and circuits for a capacitive sensing integrated tire pressure sensor
WO2008014249A2 (en) 2006-07-24 2008-01-31 Sanofi-Aventis Improved preparations of 2 -substituted pyrrolo [2, 3-b] pyrazine ( 4, 7 -diazaindole ) compounds
TWI301823B (en) 2006-08-29 2008-10-11 Ind Tech Res Inst Package structure and packaging method of mems microphone
JP5294228B2 (ja) 2006-09-27 2013-09-18 シチズンホールディングス株式会社 物理量センサ
US8000789B2 (en) 2006-09-28 2011-08-16 Medtronic, Inc. Capacitive interface circuit for low power sensor system
KR100831405B1 (ko) 2006-10-02 2008-05-21 (주) 파이오닉스 웨이퍼 본딩 패키징 방법
US7675162B2 (en) 2006-10-03 2010-03-09 Innovative Micro Technology Interconnect structure using through wafer vias and method of fabrication
US20080083958A1 (en) 2006-10-05 2008-04-10 Wen-Chieh Wei Micro-electromechanical system package
DE102006048381A1 (de) 2006-10-12 2008-04-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Sensor zur Erfassung von Beschleunigungen
US7461552B2 (en) 2006-10-23 2008-12-09 Custom Sensors & Technologies, Inc. Dual axis rate sensor
JP2008114394A (ja) 2006-11-01 2008-05-22 Taiyo Toryo Kk 木質材料の下地処理方法、木質材料の下地処理剤及び木質材料
US7982570B2 (en) 2006-11-07 2011-07-19 General Electric Company High performance low volume inductor and method of making same
CN1948906B (zh) 2006-11-10 2011-03-23 北京大学 一种电容式全解耦水平轴微机械陀螺
WO2008059757A1 (fr) 2006-11-14 2008-05-22 Panasonic Corporation Capteur
US7403756B1 (en) 2006-11-22 2008-07-22 Rockwell Collins, Inc. Highly-integrated MEMS-based miniaturized transceiver
US8026771B2 (en) 2006-11-27 2011-09-27 Seiko Epson Corporation Driver device, physical quantity measuring device, and electronic instrument
TWI315295B (en) 2006-12-29 2009-10-01 Advanced Semiconductor Eng Mems microphone module and method thereof
US7550828B2 (en) 2007-01-03 2009-06-23 Stats Chippac, Inc. Leadframe package for MEMS microphone assembly
US8250921B2 (en) 2007-07-06 2012-08-28 Invensense, Inc. Integrated motion processing unit (MPU) with MEMS inertial sensing and embedded digital electronics
US8047075B2 (en) 2007-06-21 2011-11-01 Invensense, Inc. Vertically integrated 3-axis MEMS accelerometer with electronics
WO2008087578A2 (en) 2007-01-17 2008-07-24 Nxp B.V. A system-in-package with through substrate via holes
JP4924370B2 (ja) 2007-01-26 2012-04-25 パナソニック株式会社 Σδ型ａｄ変換器およびそれを用いた角速度センサ
CN101239697B (zh) 2007-02-06 2013-02-13 万长风 垂直集成微电子机械结构、实现方法及其系统
US7950281B2 (en) 2007-02-28 2011-05-31 Infineon Technologies Ag Sensor and method for sensing linear acceleration and angular velocity
US7544531B1 (en) 2007-03-13 2009-06-09 Sitime Inc. Ground strap for suppressing stiction during MEMS fabrication
JP2008256438A (ja) 2007-04-03 2008-10-23 Sony Corp 慣性センサ及び電気・電子機器
US20080251866A1 (en) 2007-04-10 2008-10-16 Honeywell International Inc. Low-stress hermetic die attach
CN101038299A (zh) 2007-04-21 2007-09-19 中北大学 基于单质量块的单轴集成惯性测量器件
US8006557B2 (en) 2007-05-16 2011-08-30 Intellisense Software Corporation Multi-axis sensor
CN100526800C (zh) 2007-05-31 2009-08-12 上海交通大学 挠性静电补偿式线圈加矩流体微陀螺仪
CN101316462B (zh) 2007-06-01 2012-11-28 财团法人工业技术研究院 微机电系统麦克风封装体及其封装组件
US8049326B2 (en) 2007-06-07 2011-11-01 The Regents Of The University Of Michigan Environment-resistant module, micropackage and methods of manufacturing same
CN101067555B (zh) 2007-06-08 2010-11-10 北京航空航天大学 力平衡式谐振微机械陀螺
CA2624400A1 (en) 2007-06-21 2008-12-21 Jds Uniphase Corporation Mems device with an angular vertical comb actuator
US8061201B2 (en) 2007-07-13 2011-11-22 Georgia Tech Research Corporation Readout method and electronic bandwidth control for a silicon in-plane tuning fork gyroscope
DE102007035806B4 (de) 2007-07-31 2011-03-17 Sensordynamics Ag Mikromechanischer Drehratensensor
TWI333933B (en) 2007-08-17 2010-12-01 Advanced Semiconductor Eng Microelectromechanical-system package and method for manufacturing the same
US20090175477A1 (en) 2007-08-20 2009-07-09 Yamaha Corporation Vibration transducer
JP5045616B2 (ja) 2007-08-30 2012-10-10 株式会社デンソー 容量式物理量検出装置
US8042396B2 (en) 2007-09-11 2011-10-25 Stmicroelectronics S.R.L. Microelectromechanical sensor with improved mechanical decoupling of sensing and driving modes
US7786738B2 (en) 2007-09-19 2010-08-31 Robert Bosch Gmbh Cancelling low frequency errors in MEMS systems
WO2009038736A2 (en) 2007-09-19 2009-03-26 Georgia Tech Research Corporation Single-resonator dual-frequency lateral-extension mode piezoelectric oscillators, and operating methods thereof
GB0720412D0 (en) 2007-10-18 2007-11-28 Melexis Nv Combined mems accelerometer and gyroscope
US7677099B2 (en) 2007-11-05 2010-03-16 Invensense Inc. Integrated microelectromechanical systems (MEMS) vibrating mass Z-axis rate sensor
JP5487546B2 (ja) 2008-02-18 2014-05-07 パナソニック株式会社 角速度センサ
JP4508230B2 (ja) 2007-11-21 2010-07-21 ソニー株式会社 慣性センサ及びその検出装置
CN101459866B (zh) 2007-12-14 2016-02-03 财团法人工业技术研究院 微机电麦克风模块与制作方法
US7830003B2 (en) 2007-12-27 2010-11-09 Honeywell International, Inc. Mechanical isolation for MEMS devices
CN101217263B (zh) 2008-01-17 2010-12-15 埃派克森微电子有限公司 放大器直流失调电压的补偿方法与装置
US20090183570A1 (en) 2008-01-18 2009-07-23 Custom Sensors & Technologies, Inc. Micromachined cross-differential dual-axis accelerometer
US20090194829A1 (en) 2008-01-31 2009-08-06 Shine Chung MEMS Packaging Including Integrated Circuit Dies
JP2009186213A (ja) 2008-02-04 2009-08-20 Denso Corp ジャイロセンサユニット
JP5365173B2 (ja) 2008-02-29 2013-12-11 セイコーエプソン株式会社 物理量測定装置および電子機器
CN101270988B (zh) 2008-03-14 2011-11-30 江苏英特神斯科技有限公司 多轴惯性传感器及测量多轴平动和转动加速度的方法
US7984648B2 (en) 2008-04-10 2011-07-26 Honeywell International Inc. Systems and methods for acceleration and rotational determination from an in-plane and out-of-plane MEMS device
DE102008002748A1 (de) 2008-06-27 2009-12-31 Sensordynamics Ag Mikro-Gyroskop
TW201004857A (en) 2008-07-23 2010-02-01 Ind Tech Res Inst A packaging structure and method for integration of microelectronics and MEMS devices by 3D stacking
JP2010025898A (ja) 2008-07-24 2010-02-04 Yamaha Corp Ｍｅｍｓセンサ
DE102008040855B4 (de) 2008-07-30 2022-05-25 Robert Bosch Gmbh Dreiachsiger Beschleunigungssensor
CN101638211A (zh) 2008-08-01 2010-02-03 财团法人工业技术研究院 整合型立体堆叠封装结构及其制造方法
DE102008040970A1 (de) * 2008-08-04 2010-02-11 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Vorrichtung mit Kavernen mit unterschiedlichem atmosphärischen Innendruck
US8450817B2 (en) 2008-08-14 2013-05-28 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with strain relief bridge
US8193596B2 (en) 2008-09-03 2012-06-05 Solid State System Co., Ltd. Micro-electro-mechanical systems (MEMS) package
CN101666813B (zh) 2008-09-05 2011-12-21 财团法人工业技术研究院 电容式多轴加速度计
TWI374268B (en) 2008-09-05 2012-10-11 Ind Tech Res Inst Multi-axis capacitive accelerometer
US7851925B2 (en) 2008-09-19 2010-12-14 Infineon Technologies Ag Wafer level packaged MEMS integrated circuit
JP2010078500A (ja) 2008-09-26 2010-04-08 Toshiba Corp 慣性センサ
US8499629B2 (en) 2008-10-10 2013-08-06 Honeywell International Inc. Mounting system for torsional suspension of a MEMS device
EP2177875A3 (en) 2008-10-14 2013-04-24 Watson Industries, Inc. A Vibrating Structural Gyroscope with Quadrature Control
US7859352B2 (en) 2008-10-15 2010-12-28 Honeywell International Inc. Systems and methods to overcome DC offsets in amplifiers used to start resonant micro-electro mechanical systems
JP5654471B2 (ja) * 2008-10-15 2015-01-14 オー・アー・セー・マイクロテック・アクチボラゲット ビア配線を作るための方法
US7965067B2 (en) 2008-10-31 2011-06-21 Texas Instruments Incorporated Dynamic compensation for a pre-regulated charge pump
WO2010051560A1 (en) 2008-11-03 2010-05-06 Georgia Tech Research Corporation Vibratory gyroscope utilizing a frequency-based measurement and providing a frequency output
JP2010118556A (ja) 2008-11-13 2010-05-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体装置および半導体装置の製造方法
TW201020548A (en) 2008-11-18 2010-06-01 Ind Tech Res Inst Multi-axis capacitive accelerometer
US8205498B2 (en) 2008-11-18 2012-06-26 Industrial Technology Research Institute Multi-axis capacitive accelerometer
DE102008044053B4 (de) 2008-11-25 2022-07-14 Robert Bosch Gmbh Quadraturkompensation für einen Drehratensensor
IT1391972B1 (it) 2008-11-26 2012-02-02 St Microelectronics Rousset Giroscopio microelettromeccanico con movimento di azionamento rotatorio e migliorate caratteristiche elettriche
GB2466785B (en) 2008-12-30 2011-06-08 Wolfson Microelectronics Plc Apparatus and method for testing a capacitive transducer and/or associated electronic circuitry
US7817075B2 (en) 2009-02-03 2010-10-19 Windtop Technology Corp. Apparatus for converting MEMS inductive capacitance
JP2010185714A (ja) 2009-02-10 2010-08-26 Panasonic Corp 物理量センサシステム、物理量センサ装置
JP2010190766A (ja) 2009-02-19 2010-09-02 Seiko Epson Corp 発振駆動装置、物理量測定装置及び電子機器
TWI391663B (zh) 2009-02-25 2013-04-01 Nat Univ Tsing Hua 加速度計
US7775119B1 (en) 2009-03-03 2010-08-17 S3C, Inc. Media-compatible electrically isolated pressure sensor for high temperature applications
US8256290B2 (en) 2009-03-17 2012-09-04 Minyao Mao Tri-axis angular rate sensor
EP2416772A1 (en) 2009-04-06 2012-02-15 PTC Therapeutics, Inc. Combinations of a hcv inhibitor such as bicyclic pyrrole derivatives and a therapeutic agent
CN101858928B (zh) 2009-04-10 2012-09-05 利顺精密科技股份有限公司 微电机系统电容式三轴加速度器
US8156805B2 (en) 2009-04-15 2012-04-17 Freescale Semiconductor, Inc. MEMS inertial sensor with frequency control and method
EP2252077B1 (en) 2009-05-11 2012-07-11 STMicroelectronics Srl Assembly of a capacitive acoustic transducer of the microelectromechanical type and package thereof
US8151641B2 (en) 2009-05-21 2012-04-10 Analog Devices, Inc. Mode-matching apparatus and method for micromachined inertial sensors
CN101561275B (zh) 2009-05-27 2012-01-04 上海交通大学 利用电磁和电荷弛豫工作的悬浮转子微陀螺
IT1394898B1 (it) 2009-06-03 2012-07-20 St Microelectronics Rousset Giroscopio microelettromeccanico con attuazione a controllo di posizione e metodo per il controllo di un giroscopio microelettromeccanico
IT1394627B1 (it) 2009-06-05 2012-07-05 St Microelectronics Rousset Filtro passabanda a condensatori commutati di tipo tempo-discreto, in particolare per la cancellazione dell'offset e di rumore a bassa frequenza di stadi a condensatori commutati
US8661871B2 (en) 2009-07-31 2014-03-04 Stmicroelectronics S.R.L. Method for testing a microelectromechanical device, microelectromechanical device
US8266961B2 (en) 2009-08-04 2012-09-18 Analog Devices, Inc. Inertial sensors with reduced sensitivity to quadrature errors and micromachining inaccuracies
US8710599B2 (en) 2009-08-04 2014-04-29 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined devices and fabricating the same
KR101700124B1 (ko) 2009-08-04 2017-02-13 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 미세가공된 관성 센서 장치들
CN101634662B (zh) 2009-08-07 2011-01-26 北京大学 微加速度计及其制备方法
US8456173B2 (en) 2009-09-30 2013-06-04 Tektronix, Inc. Signal acquisition system having probe cable termination in a signal processing instrument
US9435647B2 (en) 2009-10-13 2016-09-06 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Angular velocity sensor
US8549915B2 (en) 2009-10-23 2013-10-08 The Regents Of The University Of California Micromachined gyroscopes with 2-DOF sense modes allowing interchangeable robust and precision operation
US8421168B2 (en) 2009-11-17 2013-04-16 Fairchild Semiconductor Corporation Microelectromechanical systems microphone packaging systems
JP2011112455A (ja) 2009-11-25 2011-06-09 Seiko Epson Corp Ｍｅｍｓセンサー及びその製造方法並びに電子機器
JP5115618B2 (ja) * 2009-12-17 2013-01-09 株式会社デンソー 半導体装置
EP2336717B1 (en) 2009-12-21 2012-09-19 STMicroelectronics Srl Microelectromechanical device having an oscillating mass, and method for controlling a microelectromechanical device having an oscillating mass
US8578775B2 (en) 2010-02-08 2013-11-12 Freescale Semiconductor, Inc. Generation, injection and use of pilot tones for gyro system characterization
US8004354B1 (en) 2010-02-12 2011-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Automatic level control
GB201003539D0 (en) 2010-03-03 2010-04-21 Silicon Sensing Systems Ltd Sensor
US9377483B2 (en) 2010-03-17 2016-06-28 Continental Teves Ag & Co. Ohg Method for the decoupled control of the quadrature and the resonance frequency of a micro-mechanical gyroscope
US20110234312A1 (en) 2010-03-24 2011-09-29 Texas Instruments Incorporated Amplifier with improved stability
CN101813480B (zh) 2010-04-20 2012-02-15 浙江大学 一种具有电调谐功能的微机械梳状栅电容陀螺
US9021880B2 (en) 2010-04-30 2015-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Micromachined piezoelectric three-axis gyroscope and stacked lateral overlap transducer (slot) based three-axis accelerometer
GB201008195D0 (en) 2010-05-17 2010-06-30 Silicon Sensing Systems Ltd Sensor
US8378756B2 (en) 2010-05-18 2013-02-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Drive loop for MEMS oscillator
CN201688848U (zh) 2010-05-28 2010-12-29 南京理工大学 双质量振动式硅微机械陀螺仪接口电路
DE102010029760B4 (de) 2010-06-07 2019-02-21 Robert Bosch Gmbh Bauelement mit einer Durchkontaktierung und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2011259293A (ja) 2010-06-10 2011-12-22 Alps Electric Co Ltd デジタルフィルタ
US8338939B2 (en) * 2010-07-12 2012-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. TSV formation processes using TSV-last approach
US8508290B2 (en) 2010-09-14 2013-08-13 Ayman Elsayed Interface for MEMS inertial sensors
US9278846B2 (en) * 2010-09-18 2016-03-08 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 6-axis inertial sensor
CN103221331B (zh) 2010-09-18 2016-02-03 快捷半导体公司 用于微机电系统的密封封装
US9278845B2 (en) 2010-09-18 2016-03-08 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis gyroscope Z-axis electrode structure
US9352961B2 (en) 2010-09-18 2016-05-31 Fairchild Semiconductor Corporation Flexure bearing to reduce quadrature for resonating micromachined devices
EP2616772B1 (en) * 2010-09-18 2016-06-22 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 3-axis gyroscope with single drive
CN103221333B (zh) 2010-09-18 2017-05-31 快捷半导体公司 多晶片mems封装
EP2619536B1 (en) 2010-09-20 2016-11-02 Fairchild Semiconductor Corporation Microelectromechanical pressure sensor including reference capacitor
WO2012040245A2 (en) 2010-09-20 2012-03-29 Fairchild Semiconductor Corporation Through silicon via with reduced shunt capacitance
CN103210278B (zh) 2010-09-20 2015-09-09 快捷半导体公司 模式匹配电路、方法和系统
US9003882B1 (en) 2010-11-03 2015-04-14 Georgia Tech Research Corporation Vibratory tuning fork based six-degrees of freedom inertial measurement MEMS device
US9171964B2 (en) * 2010-11-23 2015-10-27 Honeywell International Inc. Systems and methods for a three-layer chip-scale MEMS device
CN102156201B (zh) 2010-11-30 2013-01-30 电子科技大学 一种基于soi工艺及微组装技术的三轴电容式微加速度计
CN103348252B (zh) 2010-12-07 2016-01-20 佐治亚科技研究公司 模式匹配型单一质量块双轴陀螺仪及制造方法
CN102109345B (zh) 2010-12-13 2012-12-12 谢元平 微机械陀螺数字信号处理方法与装置
EP2466257A1 (en) 2010-12-15 2012-06-20 SensoNor Technologies AS Method for matching the natural frequencies of the drive and sense oscillators in a vibrating coriolis gyroscope
US8569861B2 (en) 2010-12-22 2013-10-29 Analog Devices, Inc. Vertically integrated systems
US9503771B2 (en) 2011-02-04 2016-11-22 Qualcomm Incorporated Low latency wireless display for graphics
US8598675B2 (en) * 2011-02-10 2013-12-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Isolation structure profile for gap filling
EP2527788A1 (en) 2011-05-26 2012-11-28 Maxim Integrated Products, Inc. Quadrature error compensation
US9540230B2 (en) * 2011-06-27 2017-01-10 Invensense, Inc. Methods for CMOS-MEMS integrated devices with multiple sealed cavities maintained at various pressures
US8824706B2 (en) 2011-08-30 2014-09-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Piezoelectric microphone fabricated on glass
KR20130037462A (ko) 2011-10-06 2013-04-16 주식회사 포스코 몰드 보호 유닛 및 이를 구비하는 연속 주조 장치
US8991247B2 (en) 2011-10-21 2015-03-31 The Regents Of The University Of California High range digital angular rate sensor based on frequency modulation
US8884710B2 (en) 2011-10-25 2014-11-11 Invensense, Inc. Gyroscope with phase and duty-cycle locked loop
CN102344114B (zh) * 2011-11-04 2014-03-12 西北工业大学 一种深沟道隔离槽的制备方法
WO2013070545A1 (en) * 2011-11-07 2013-05-16 Landy Toth Metabolic and cardiopulmonary monitor
US9062972B2 (en) 2012-01-31 2015-06-23 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis accelerometer electrode structure
CN104220840B (zh) 2012-02-01 2016-06-01 快捷半导体公司 具有中心悬吊件和环架结构的微机电系统(mems)多轴陀螺仪
US8978475B2 (en) 2012-02-01 2015-03-17 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS proof mass with split z-axis portions
US8754694B2 (en) 2012-04-03 2014-06-17 Fairchild Semiconductor Corporation Accurate ninety-degree phase shifter
CN203301454U (zh) 2012-04-03 2013-11-20 快捷半导体(苏州)有限公司 电子电路
US8742964B2 (en) 2012-04-04 2014-06-03 Fairchild Semiconductor Corporation Noise reduction method with chopping for a merged MEMS accelerometer sensor
KR102045784B1 (ko) 2012-04-04 2019-11-18 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 병합된 미세 전자기계 가속도계 센서에 대한 초핑을 이용하는 노이즈 감소 방법
KR102034604B1 (ko) 2012-04-04 2019-10-21 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 Ａｓｉｃ 집적 캐패시터를 구비한 미소 기전 시스템 가속도계의 자가 테스트
US9488693B2 (en) 2012-04-04 2016-11-08 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS accelerometer with ASICS integrated capacitors
EP2647955B8 (en) 2012-04-05 2018-12-19 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS device quadrature phase shift cancellation
KR20130113386A (ko) 2012-04-05 2013-10-15 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 Ａｓｉｃ 집적 캐패시터를 구비한 미소 기전 시스템 자이로스코프의 자가 테스트
EP2647952B1 (en) 2012-04-05 2017-11-15 Fairchild Semiconductor Corporation Mems device automatic-gain control loop for mechanical amplitude drive
EP2648334B1 (en) 2012-04-05 2020-06-10 Fairchild Semiconductor Corporation Mems device front-end charge amplifier
US9069006B2 (en) 2012-04-05 2015-06-30 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS gyroscope with ASICs integrated capacitors
US9625272B2 (en) 2012-04-12 2017-04-18 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS quadrature cancellation and signal demodulation
US9094027B2 (en) 2012-04-12 2015-07-28 Fairchild Semiconductor Corporation Micro-electro-mechanical-system (MEMS) driver
CN104919275B (zh) 2012-12-12 2018-01-26 加利福尼亚大学董事会 频率读出陀螺仪
ITTO20130013A1 (it) 2013-01-09 2014-07-10 St Microelectronics Srl Giroscopio microelettromeccanico con compensazione di componenti di segnale di quadratura e metodo di controllo di un giroscopio microelettromeccanico
KR101462772B1 (ko) 2013-04-12 2014-11-20 삼성전기주식회사 직각 위상 에러 제거수단을 갖는 자가발진 회로 및 그를 이용한 직각 위상 에러 제거방법
US9360319B2 (en) 2013-09-05 2016-06-07 Freescale Semiconductor, Inc. Multiple sense axis MEMS gyroscope having a single drive mode
US9404747B2 (en) 2013-10-30 2016-08-02 Stmicroelectroncs S.R.L. Microelectromechanical gyroscope with compensation of quadrature error drift
US9835647B2 (en) 2014-03-18 2017-12-05 Fairchild Semiconductor Corporation Apparatus and method for extending analog front end sense range of a high-Q MEMS sensor

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1068444A (zh) * 1991-07-08 1993-01-27 三星电子株式会社 半导体器件及其制造方法
CN1221210A (zh) * 1997-03-27 1999-06-30 西门子公司 制作具有可变侧壁型面的通孔的方法
CN1198587A (zh) * 1997-04-18 1998-11-11 日本电气株式会社 用以覆盖半导体器件上的孔的改进基层结构及其形成方法
CN101257000A (zh) * 2007-02-27 2008-09-03 国际商业机器公司 包括通孔的结构及其制造方法
CN101916754A (zh) * 2010-06-29 2010-12-15 香港应用科技研究院有限公司 通孔和通孔形成方法以及通孔填充方法
CN102337541A (zh) * 2011-09-23 2012-02-01 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种制作锥形穿硅通孔时采用的刻蚀方法
CN102364671A (zh) * 2011-11-03 2012-02-29 中国科学院微电子研究所 制造硅通孔的方法
CN203683082U (zh) * 2012-09-12 2014-07-02 快捷半导体(苏州)有限公司 具有孔的半导体装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN203683082U (zh) 2014-07-02
CN107098309B (zh) 2019-03-22
CN103663344A (zh) 2014-03-26
US20140070339A1 (en) 2014-03-13
US9802814B2 (en) 2017-10-31
CN107098309A (zh) 2017-08-29
KR102132372B1 (ko) 2020-07-09
DE102013014881A1 (de) 2014-03-13
KR20140034713A (ko) 2014-03-20
DE102013014881B4 (de) 2023-05-04
US20160332868A1 (en) 2016-11-17
US9425328B2 (en) 2016-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103663344B (zh) 包括多材料填充物的改进型硅通孔
CN106794981B (zh) 用于电容式压力传感器的悬置膜
CN103221795B (zh) 包括参考电容器的微机电压力传感器
US8921952B2 (en) Microelectromechanical system devices having crack resistant membrane structures and methods for the fabrication thereof
CN101449347A (zh) 具有单晶硅电极的电容性微机电传感器
TWI552945B (zh) 具多重電極的微機電裝置及其製作方法
TW201322366A (zh) 感測器製程
CN111684252B (zh) 具有悬浮膜并在锚边缘具有圆角的电容式压力传感器和其他器件
US9926187B2 (en) Microelectromechanical system devices having crack resistant membrane structures and methods for the fabrication thereof
CN102442634B (zh) 通过形成牺牲结构而提供半导体结构的方法
TWI829795B (zh) 製造具多層膜片的半導體傳感器裝置之方法及具多層膜片的半導體傳感器裝置
TW201811660A (zh) 用於製造具有裸露的壓力感測裝置的微機械構件之方法及微機械構件
US8405202B2 (en) MEMS packaging scheme using dielectric fence
US11915924B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11024795B2 (en) Reducing parasitic capacities in a microelectronic device
JP2006145320A (ja) 半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20180530

Address after: Arizona, USA

Patentee after: Fairchild Semiconductor Corp.

Address before: 215021 Sutong Road, Suzhou Industrial Park, Suzhou, Jiangsu 1

Co-patentee before: Fairchild Semiconductor Corp.

Patentee before: Fairchild Semiconductor (Suzhou) Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20190726

Address after: Floor 1, Building 2, 235 Chengbei Road, Jiading District, Shanghai

Patentee after: QST Corp.

Address before: Arizona, USA

Patentee before: Fairchild Semiconductor Corp.

CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: Room 307, 3rd floor, 1328 Dingxi Road, Changning District, Shanghai 200050

Patentee after: Shanghai Sirui Technology Co.,Ltd.

Address before: 1st floor, building 2, No. 235, Chengbei Road

Patentee before: QST Corp.

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: Improved silicon via with multi material fillers

Granted publication date: 20170215

Pledgee: Xuhui Sub branch of Bank of Shanghai Co.,Ltd.

Pledgor: Shanghai Sirui Technology Co.,Ltd.

Registration number: Y2024310001122