CN103562436B - 镀敷工艺用底涂层、布线板用层叠板及其制造方法、多层布线板及其制造方法 - Google Patents
镀敷工艺用底涂层、布线板用层叠板及其制造方法、多层布线板及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103562436B CN103562436B CN201280026695.XA CN201280026695A CN103562436B CN 103562436 B CN103562436 B CN 103562436B CN 201280026695 A CN201280026695 A CN 201280026695A CN 103562436 B CN103562436 B CN 103562436B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plating process
- undercoat
- shikishima plating
- supporting mass
- shikishima
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 186
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 168
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000011120 plywood Substances 0.000 title claims 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 50
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 33
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 21
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 59
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 42
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 42
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 41
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 22
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 14
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 11
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 11
- 239000005060 rubber Substances 0.000 claims description 11
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 11
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 9
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 8
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims description 6
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 claims description 5
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 5
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 5
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 5
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 2
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000012764 mineral filler Substances 0.000 claims 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 4
- 239000005030 aluminium foil Substances 0.000 claims 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 abstract description 21
- 238000013329 compounding Methods 0.000 abstract description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 158
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 37
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 37
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 15
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 14
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 11
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 8
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 6
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 6
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 5
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- CDOWNLMZVKJRSC-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyterephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(O)=C1 CDOWNLMZVKJRSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MNUOZFHYBCRUOD-UHFFFAOYSA-N hydroxyphthalic acid Natural products OC(=O)C1=CC=CC(O)=C1C(O)=O MNUOZFHYBCRUOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 2
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 2
- FHBXQJDYHHJCIF-UHFFFAOYSA-N (2,3-diaminophenyl)-phenylmethanone Chemical compound NC1=CC=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1N FHBXQJDYHHJCIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNVDSIHMUVXBGB-UHFFFAOYSA-N (4,5-diamino-2,3-dimethylphenyl)-phenylmethanone Chemical compound NC1=C(N)C(C)=C(C)C(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1 DNVDSIHMUVXBGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDYDBBBQYLFRJE-UHFFFAOYSA-N (diaminomethylideneamino)urea Chemical compound NC(=N)NNC(N)=O DDYDBBBQYLFRJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRMDXTVKVHKWEK-UHFFFAOYSA-N 1,2-diaminoanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(N)C(N)=CC=C3C(=O)C2=C1 LRMDXTVKVHKWEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUFPHBVGCFYCNW-UHFFFAOYSA-N 1-naphthylamine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=CC=CC2=C1 RUFPHBVGCFYCNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCAXITAPTVOLGL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diaminophenol Chemical compound NC1=CC=CC(O)=C1N PCAXITAPTVOLGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLSHRJUBRUKAN-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxyterephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(O)=C1O OHLSHRJUBRUKAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVDSMYGTJDFNHN-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trimethylbenzene-1,3-diamine Chemical group CC1=CC(C)=C(N)C(C)=C1N ZVDSMYGTJDFNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTLMQCNHFVYECA-UHFFFAOYSA-N 2-(2-carboxybenzoyl)benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O OTLMQCNHFVYECA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDUPKZTWQYDOGC-UHFFFAOYSA-N 2-(2-carboxyphenyl)sulfanylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1SC1=CC=CC=C1C(O)=O BDUPKZTWQYDOGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKGDIYDBPVBXBW-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-carboxyphenyl)methyl]benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1CC1=CC=CC=C1C(O)=O NKGDIYDBPVBXBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVDGHGISNBRCAO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyisophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1O WVDGHGISNBRCAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPGHPHFQNQIZME-UHFFFAOYSA-N 2-n-ethylethane-1,1,2-triamine Chemical compound CCNCC(N)N SPGHPHFQNQIZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHQULXYNBKWNDF-UHFFFAOYSA-N 3,4-dimethylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=C(N)C(N)=C1C MHQULXYNBKWNDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOCXBXZBNOYTLQ-UHFFFAOYSA-N 3-nitrobenzene-1,2-diamine Chemical compound NC1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1N IOCXBXZBNOYTLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSSYVKMJJLDTKZ-UHFFFAOYSA-N 3-phenylphthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1C(O)=O HSSYVKMJJLDTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZGVIIXFGJCRDR-UHFFFAOYSA-N 4,6-dihydroxybenzene-1,3-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(O)C=C1O MZGVIIXFGJCRDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQLZOGWNQQEFHR-UHFFFAOYSA-N 6-diazocyclohexa-2,4-diene-1,2-diamine Chemical compound NC1C(N)=CC=CC1=[N+]=[N-] VQLZOGWNQQEFHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USSHTWOXWQEPPI-UHFFFAOYSA-N 6-sulfonylcyclohexa-2,4-diene-1-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1C=CC=CC1=S(=O)=O USSHTWOXWQEPPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKKKJNPBIGQNEJ-UHFFFAOYSA-N 9h-fluorene-1,9-diamine Chemical compound C1=CC(N)=C2C(N)C3=CC=CC=C3C2=C1 SKKKJNPBIGQNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BASXRCSIIKAUPQ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl-6-propan-2-ylidenecyclohexa-2,4-dien-1-amine Chemical compound C(C)(C)=C1C(C=CC=C1)NC1=CC=CC=C1 BASXRCSIIKAUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRPFKCZNMMVNBU-UHFFFAOYSA-N NC=1C(=C(C=CC=1OC)C1=CC=C(C=C1)OC)N Chemical group NC=1C(=C(C=CC=1OC)C1=CC=C(C=C1)OC)N MRPFKCZNMMVNBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002666 PdCl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical group C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N cadaverine Chemical compound NCCCCCN VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- YMHQVDAATAEZLO-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,1-diamine Chemical compound NC1(N)CCCCC1 YMHQVDAATAEZLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SC1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000011087 fumaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- IZKZIDXHCDIZKY-UHFFFAOYSA-N heptane-1,1-diamine Chemical compound CCCCCCC(N)N IZKZIDXHCDIZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 229940042795 hydrazides for tuberculosis treatment Drugs 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- RTWNYYOXLSILQN-UHFFFAOYSA-N methanediamine Chemical compound NCN RTWNYYOXLSILQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIYVHBGGAOATLY-UHFFFAOYSA-N methylmalonic acid Chemical compound OC(=O)C(C)C(O)=O ZIYVHBGGAOATLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- GBSPKADFRFXHDG-UHFFFAOYSA-N n,n'-diethoxy-n,n'-bis(2-ethoxyphenyl)methanediamine Chemical compound C=1C=CC=C(OCC)C=1N(OCC)CN(OCC)C1=CC=CC=C1OCC GBSPKADFRFXHDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXVJJVFHQYITAA-UHFFFAOYSA-N n,n'-diethoxy-n,n'-diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1N(OCC)CN(OCC)C1=CC=CC=C1 HXVJJVFHQYITAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOLFIDSFKZJSNJ-UHFFFAOYSA-N n,n'-diethyl-n,n'-bis(2-ethylphenyl)methanediamine Chemical compound C=1C=CC=C(CC)C=1N(CC)CN(CC)C1=CC=CC=C1CC VOLFIDSFKZJSNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KONWVMMCOJSEKH-UHFFFAOYSA-N n,n'-diethyl-n,n'-diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1N(CC)CN(CC)C1=CC=CC=C1 KONWVMMCOJSEKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEZHRYCQPTUHEG-UHFFFAOYSA-N n,n'-dimethoxy-n,n'-bis(2-methoxyphenyl)methanediamine Chemical compound C=1C=CC=C(OC)C=1N(OC)CN(OC)C1=CC=CC=C1OC OEZHRYCQPTUHEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDSUOSFAJQYSSU-UHFFFAOYSA-N n,n'-dimethoxy-n,n'-diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1N(OC)CN(OC)C1=CC=CC=C1 DDSUOSFAJQYSSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHHZKPZEXQPTAO-UHFFFAOYSA-N n,n'-dimethyl-n,n'-bis(2-methylphenyl)methanediamine Chemical compound C=1C=CC=C(C)C=1N(C)CN(C)C1=CC=CC=C1C IHHZKPZEXQPTAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDGDTQNXQVDKOW-UHFFFAOYSA-N n-(1-aminopropan-2-yl)hydroxylamine Chemical compound NCC(C)NO RDGDTQNXQVDKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYTZHLUVELPASH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 KYTZHLUVELPASH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010680 novolac-type phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- DYFXGORUJGZJCA-UHFFFAOYSA-N phenylmethanediamine Chemical compound NC(N)C1=CC=CC=C1 DYFXGORUJGZJCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical compound OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- XNYADZUHUHIGRZ-UHFFFAOYSA-N propane-1,1,3-triamine Chemical compound NCCC(N)N XNYADZUHUHIGRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N propylenediamine Chemical compound CC(N)CN AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N putrescine Chemical compound NCCCCN KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- JIYNFFGKZCOPKN-UHFFFAOYSA-N sbb061129 Chemical compound O=C1OC(=O)C2C1C1C=C(C)C2C1 JIYNFFGKZCOPKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D163/00—Coating compositions based on epoxy resins; Coating compositions based on derivatives of epoxy resins
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/0366—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement reinforced, e.g. by fibres, fabrics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/002—Priming paints
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
- C23C18/1653—Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1803—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces
- C23C18/1824—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by chemical pretreatment
- C23C18/1837—Multistep pretreatment
- C23C18/1844—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/06—Wires; Strips; Foils
- C25D7/0614—Strips or foils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/007—Manufacture or processing of a substrate for a printed circuit board supported by a temporary or sacrificial carrier
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
- Y10T156/1002—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with permanent bending or reshaping or surface deformation of self sustaining lamina
- Y10T156/1043—Subsequent to assembly
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
本发明提供一种镀敷工艺用底涂层、具有该底涂层的布线板用层叠板及其制造方法、以及具有该底涂层的多层布线板及其制造方法,上述镀敷工艺用底涂层利用底涂层用树脂组合物来形成,上述底涂层用树脂组合物含有多官能型环氧树脂(A)、环氧树脂固化剂(B)、及具有既定结构单元的含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂(C),并且相对于(A)成分及(B)成分的合计量100质量份,(C)成分的配合比例为5质量份以上且小于25质量份。
Description
技术领域
本发明涉及一种镀敷工艺用底涂层(primer layer for plating process)、具有该底涂层的布线板用层叠板及其制造方法、以及具有该底涂层的多层布线板及其制造方法。
背景技术
多层布线板通常是通过如下方法来制造。即,首先于在单面或两面上形成有内层电路的绝缘基板上,将在玻璃布中含浸环氧树脂并调整为半固化状态而成的材料(预浸料)与铜箔一起重叠,再进行热压,由此进行层叠一体化。随后,利用钻孔(drill)开出层间连接用的被称为通孔(through hole)的孔。对通孔内壁及铜箔表面进行非电解镀敷,根据需要进一步进行电镀,使作为电路导体的镀敷层达到必要的厚度。然后,将不需要的铜去除,由此制造多层布线板。
近年来,电子设备的小型化、轻量化、多功能化愈加进步,与之相伴地,LSI(大规模集成电路)或芯片零件等的高集成化逐渐发展。而且,其形态也朝着多针脚(pin)化、小型化急速变化。因此,在多层布线板中,为了提高电子零件的安装密度,正在进行微细布线化的开发。对于布线的微细化,为了提高铜箔与树脂之间的粘接性而进行粗化处理,但此时有效的是减小铜箔的粗糙度。其原因在于:通过减小铜箔的粗糙度,容易去除不需要的铜箔。因此,对于由粗化处理所得的粗糙度小的低糙度(1ow profile)铜箔或未实施粗化处理的未粗化铜箔而言,为了确保与树脂的粘接力,而使用导入了底涂树脂的带底涂剂的未粗化铜箔,由此来进行应对(参照专利文献1)。
然而,该对策中,将要去除的铜箔较厚,故不足以实现进一步的微细布线化。
因此,为了应对该微细布线化的要求,多使用增层(build up)方式的多层布线板,该增层方式的多层布线板中代替预浸料而将不含玻璃布的绝缘树脂用作绝缘层,仅在必要部分以通道孔(via hole)连接并形成布线层。该增层方式的多层布线板在轻量化或小型化的方面也是有用的。
这样的增层方式的多层布线板例如通过如下方法而制造:将绝缘树脂膜层压于内层电路板上,通过加热使其固化后,通过激光加工而形成通道孔,再通过碱性高锰酸处理等进行粗化处理及糙化(smearing)处理。随后,进行非电解镀铜,形成可与第二电路进行层间连接的通道孔(参照专利文献2~4)。
这里,专利文献2~4中所述那样的增层方式的多层布线板中主要使用的电路形成方法为半加成(semi-additive)法。该方法是在非电解镀铜后,仅对必要部分通过电镀铜而形成电路,随后将位于不需要的部分的非电解镀铜层去除。该方法由于要去除的非电解镀铜层薄,因此与以往相比较对微细布线化也是有利的,是目前微细布线形成方法的主流。在该方法中,现状是树脂与非电解镀铜之间的粘接力通过树脂表面的粗糙度(投矛效应(anchor effect))来确保,其表面粗糙度以Ra计,大至0.5μm以上。
在多层布线板中,伴随着近年来的半导体封装的小型化、高密度化,进一步要求电路的微细化。在这样的状况下,利用将表面粗化所得的较大的粗化形状(投矛效应)来确保与非电解镀铜的粘接力的以往方法中,有时厚度为10μm以下的微细电路会产生短路(short)不良或开路(open)不良。因此,无法以优良的良品率制造多层布线板。另一方面,若减小粗化形状,则与非电解镀铜的粘接力会降低,发生线剥离等不良。因此,需要以平滑的表面表现出与非电解镀铜的高粘接力的布线板材料。
另外,为了确保非电解镀铜与树脂的良好粘接性,还提出了含有非电解镀铜催化剂的粘接层与绝缘树脂层的两层结构的绝缘膜(参照专利文献5)。然而,该方案并非以使表面的粗化形状平滑为目的,作为可应对近年来的布线微细化的半导体封装用基板并不充分满足要求。
另一方面,伴随着电子零件的薄型化,所使用的布线板的厚度也逐渐变薄。其结果是,在代替预浸料而将不含玻璃布的绝缘树脂用作绝缘层的情况下,有时安装时的翘曲变大,导致连接可靠性下降。因此,含有玻璃布的预浸料再次被重新审视,但还存在必须通过加成法进行高密度布线等若干需解决的技术问题。
在这样的状况下,提出了以下技术:在布线板用层叠板上,不依存于投矛效应而设置用于提高与非电解镀铜的粘接力的胶粘辅助层(参照专利文献6)。然而,由于是在固化了的层叠板上涂布粘接剂而形成粘接层,因此若考虑到粘接层与层叠板的界面的粘接性,则必须将粘接层的厚度设定为10μm~50μm,不适于薄型化。
另外,专利文献7中提出了一种增层方式用的绝缘材料,其使用了将环氧树脂、固化剂、含酚性羟基的聚酰胺作为必需成分的环氧树脂组合物。然而,使用该材料制作的增层基板在进行90°弯折的剥离试验的情况下,绝缘材料与铜的粘接性不足。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第3949676号公报
专利文献2:日本专利第3290296号公报
专利文献3:日本专利第3654851号公报
专利文献4:日本专利第3785749号公报
专利文献5:日本专利特开平1-99288号公报
专利文献6:日本专利特开2001-123137号公报
专利文献7:日本专利特开2001-233945号公报
发明内容
所欲解决的技术问题
如上所述,伴随着半导体封装的小型化及布线的高密度化,要求电路的微细化。在这样的状况下,利用将层叠板、绝缘层表面粗化所得的较大的粗化形状(投矛效应)来确保与非电解镀铜的粘接力的方法中,若形成厚度为10μm以下的微细电路,则会产生短路不良或开路不良,无法以优异的良品率进行制造。另一方面,若减小粗化形状,则与非电解镀铜的粘接力下降,发生线剥离等不良。
根据以上情况,本发明的目的在于提供一种对非电解镀铜表现出高粘接性,能应对半导体封装的布线高密度化的镀敷工艺用底涂层、具有该底涂层的布线板用层叠板及其制造方法、以及具有该底涂层的多层布线板及其制造方法。
解决技术问题的手段
本发明人等为了解决上述课题而进行了研究,结果发现,使用含有既定量的含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂的树脂组合物形成的镀敷工艺用底涂层,对非电解镀铜表现出高粘接性,可应对半导体封装的布线高密度化,从而想到了本发明。即,本发明如下。
[1].一种镀敷工艺用底涂层,其是利用底涂层用树脂组合物形成的,所述底涂层用树脂组合物含有多官能型环氧树脂(A)、环氧树脂固化剂(B)及含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂(C),所述含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂(C)含有下述式(i)、式(ii)及式(iii)所示的结构单元,
相对于多官能型环氧树脂(A)及环氧树脂固化剂(B)的合计量100质量份,所述底涂层用树脂组合物中的含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂(C)的配合比例为5质量份以上且小于25质量份;
式中,a、b、c、x、y及z分别为平均聚合度,且表示a=2~10、b=0~3、c=3~30、相对于x=1而y+z=2~300的整数,进而相对于y=1而z≥20;R、R′及R″分别独立地为来源于芳香族二胺或脂肪族二胺的二价基团,多个R″′分别独立地为来源于芳香族二羧酸、脂肪族二羧酸或两末端具有羧基的低聚物的二价基团。
[2].根据[1]所述的镀敷工艺用底涂层,其厚度为1μm~10μm。
[3].根据[1]或[2]所述的镀敷工艺用底涂层,其中,所述底涂层用树脂组合物中所含的多官能型环氧树脂(A)含有具有联苯结构的芳烷基型环氧树脂。
[4].根据[1]~[3]中的任一项所述的镀敷工艺用底涂层,其中,所述底涂层用树脂组合物含有平均一次粒径为100nm以下的无机填料(D)。
[5].根据[4]所述的镀敷工艺用底涂层,其中,所述无机填料(D)为热解法二氧化硅。
[6].根据[4]或[5]所述的镀敷工艺用底涂层,其中,对所述无机填料(D)实施了表面处理。
[7].根据[1]~[6]中的任一项所述的镀敷工艺用底涂层,其中,粗化处理后的镀敷工艺用底涂层的表面粗糙度Ra为0.4μm以下。
[8].一种带有镀敷工艺用底涂层的布线板用层叠板,其通过以下方法获得:将在支承体膜上形成有[1]~[7]中的任一项所述的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以所述镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料的两面上,再在外侧重叠端面板并进行压制成型,成型后将所述支承体膜去除。
[9].一种带有镀敷工艺用底涂层的布线板用层叠板的制造方法,将在支承体膜上形成有[1]~[7]中的任一项所述的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以所述镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料的两面上,再在外侧重叠端面板并进行压制成型,成型后将所述支承体膜去除。
[10].一种带有镀敷工艺用底涂层的布线板用层叠板,其通过以下方法获得:在支承体膜上形成有[1]~[7]中的任一项所述的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以所述镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料的两面上,通过使用了耐热性橡胶片的层压机进行加热及加压,从而进行层叠,层叠后加热使其固化,再将支承体膜去除。
[11].一种带有镀敷工艺用底涂层的布线板用层叠板的制造方法,将在支承体膜上形成有[1]~[7]中的任一项所述的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以所述镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料的两面上,通过使用了耐热性橡胶片的层压机进行加热及加压,从而进行层叠,层叠后加热使其固化,再将支承体膜去除。
[12].一种带有镀敷工艺用底涂层的多层布线板,其通过以下方法获得:将在支承体膜上形成有[1]~[7]项中任一所述的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以所述镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料上,再将其重叠于进行了电路加工的布线板的两面上,再在外侧重叠端面板并进行压制成型,成型后将支承体膜去除。
[13].一种带有镀敷工艺用底涂层的多层布线板的制造方法,将在支承体膜上形成有[1]~[7]中的任一项所述的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以所述镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料上,再将其重叠于进行了电路加工的布线板的两面上,再在外侧重叠端面板并进行压制成型,成型后将支承体膜去除,再依次实施粗化处理、非电解镀敷处理及电镀处理。
[14].一种带有镀敷工艺用底涂层的多层布线板,其通过以下方法获得:将在支承体膜上形成有[1]~[7]中的任一项所述的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以所述镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料上,再将其重叠于进行了电路加工的布线板的两面上,通过使用了耐热性橡胶片的层压机进行加热及加压,从而进行层叠,层叠后加热使其固化,将支承体去除,再依次实施粗化处理、非电解镀敷处理及电镀处理。
[15].一种带有镀敷工艺用底涂层的多层布线板的制造方法,将在支承体膜上形成有[1]~[7]中的任一项所述的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以所述镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料上,再将其重叠于进行了电路加工的布线板的两面上,通过使用了耐热性橡胶片的层压机进行加热及加压,从而进行层叠,层叠后加热使其固化,将支承体去除,再依次实施粗化处理、非电解镀敷处理及电镀处理。
发明效果
根据本发明,可提供对非电解镀铜表现出高粘接性,且可应对半导体封装的布线高密度化的镀敷工艺用底涂层、具有该底涂层的布线板用层叠板及其制造方法、以及具有该底涂层的多层布线板及其制造方法。
另外,也可发挥能应对无铅化的高焊料耐热性。
具体实施方式
[镀敷工艺用底涂层]
本发明的镀敷工艺用底涂层利用底涂层用树脂组合物形成,上述底涂层用树脂组合物是含有多官能型环氧树脂(A)(以下有时称为“(A)成分”)、环氧树脂固化剂(B)(以下有时称为“(B)成分”)、及含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂(C)(以下有时称为“(C)成分”)而成,上述含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂(C)具有下述式(i)、式(ii)及式(iii)所示的结构单元。
式中,a、b、c、x、y及z分别为平均聚合度,且表示a=2~10、b=0~3、c=3~30、相对于x=1,y+z=2~300((y+z)/x)的整数,进而相对于y=1,z≥20(z/y)。R、R′及R″分别独立地为来源于芳香族二胺或脂肪族二胺的二价基团,多个R″′分别独立地为来源于芳香族二羧酸、脂肪族二羧酸或两末端具有羧基的低聚物的二价基团。
此外,R、R′、R″及R″′具体而言是来源于后述的二胺原料及二羧酸原料。
另外,含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂(C)的重量平均分子量优选为60,000~250,000,更优选为80,000~200,000。
这里,本发明的镀敷工艺用底涂层在成为布线板用层叠板、多层布线板的层的一部分之前,在支承体上、预浸料上等以半固化状态(所谓的B阶状态)存在。另外,在本发明中,所谓“镀敷工艺用”,是指用来在所形成的镀敷工艺用底涂层的表面设置镀敷层(优选为非电解镀铜层)的用途。
以下,对成分(A)~成分(C)加以说明。
<(C)成分>
在底涂层用树脂组合物中,相对于(A)成分及(B)成分的合计量100质量份,(C)的配合比例为5质量份以上且小于25质量份。通过以该比例来配合,能够既维持良好耐热性的状态又可获得与镀敷铜的良好的粘接强度。
关于可获得这样的效果的理由,虽然未必明确,但可认为是如下理由。
即,作为(C)成分的含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂可与环氧树脂反应,因此可既维持环氧树脂的良好耐热性的状态又能使树脂强韧化。进而,由于大量含有与铜的粘接性高的酰胺基,因此可获得与镀敷铜的高粘接力。
另外,含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂含有与环氧树脂的相容性良好的酚性羟基、及与环氧树脂不相容的聚丁二烯,因此在相对于(A)成分及(B)成分的合计量100质量份而其配合比例为5质量份以上且小于25质量份时,可形成微细的海岛结构。通过该海岛结构的形成,在粗化处理时利用海层与岛层的粗化量不同,能够在粗化处理时形成致密的形状。该形状虽然微细但均匀,因此表现出由投矛效果所引起的较高的物理性粘接力,与镀敷铜的粘接性明显提高。
在(C)成分的配合比例小于5质量份的情况下,海岛结构的区域尺寸变大,因此粗化处理后的Ra变大。另外,树脂的强韧性低,进而无法获得致密的粗化形状,与镀敷铜的粘接力降低。
另一方面,在(C)成分的配合比例为25质量份以上时,虽然与铜的粘接性高的酰胺基的比例增加,但由于海岛结构的区域尺寸变得过小等,因此由投矛效果产生的粘接力降低,结果与非电解镀敷铜的粘接力降低。另外,耐热性降低,或粗化工序时对化学药液的耐性也降低。
考虑获得与镀敷铜的更良好的粘接性,相对于(A)成分及(B)成分的合计量100质量份,(C)的配合比例优选为8质量份以上且小于25质量份,更优选为10质量份以上且小于25质量份,进一步优选10质量份以上且小于20质量份。
此外,对于含酚性羟基的聚酰胺树脂、含酚性羟基的丙烯腈-丁二烯改性聚酰胺树脂而言,其与含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂相比较,与环氧树脂的相容性更好,因此以无法确认到海岛结构的程度过于致密,难以在粗化处理后形成微细的形状,无法发挥含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂那样的与镀敷铜的粘接力。
另外,若导入腈基则吸湿率变高,吸湿时的绝缘性也降低。作为与B阶的预浸料的粘接性,由于底涂层与预浸料可反应,因此能够确保牢固的粘接。然而,在预浸料中的树脂大量迁移至底涂层中时,有可能无法控制底涂树脂中的海岛结构的区域尺寸、或使底涂层与铜的密合性恶化,因此必须如后所述那样对底涂层的B阶状态进行控制。
作为(C)成分的含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂例如是通过以下方式合成:在N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)等有机溶剂中,使二胺与含酚性羟基的二羧酸、不含酚性羟基的二羧酸、两末端具有羧基的聚丁二烯,在作为催化剂的亚磷酸酯及吡啶衍生物的存在下,使羧基与氨基进行缩聚。
在本发明中,作为用于制造含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺的二胺(二胺原料)可为芳香族二胺也可为脂肪族二胺。
作为芳香族二胺的具体例,可列举:二氨基苯、二氨基甲苯、二氨基苯酚、二氨基二甲基苯、二氨基均三甲苯、二氨基硝基苯、二氨基重氮苯、二氨基萘、二氨基联苯、二氨基二甲氧基联苯、二氨基二苯基醚、二氨基二甲基二苯基醚、亚甲基二胺、亚甲基双(二甲基苯胺)、亚甲基双(甲氧基苯胺)、亚甲基双(二甲氧基苯胺)、亚甲基双(乙基苯胺)、亚甲基双(二乙基苯胺)、亚甲基双(乙氧基苯胺)、亚甲基双(二乙氧基苯胺)、异亚丙基二苯胺、二氨基二苯甲酮、二氨基二甲基二苯甲酮、二氨基蒽醌、二氨基二苯基硫醚、二氨基二甲基二苯基硫醚、二氨基二苯基砜、二氨基二苯基亚砜、二氨基芴等。
作为脂肪族二胺的具体例可列举:乙二胺、丙二胺、羟基丙二胺、丁二胺、庚二胺、己二胺、二氨基二乙基胺、二氨基丙基胺、环戊二胺、环己二胺、氮杂戊二胺、三氮杂十一烷二胺等。这些芳香族及脂肪族二胺可仅使用一种,也可混合两种以上。
在本发明中,作为用于制造含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺的含酚性羟基的二羧酸,可列举:羟基间苯二甲酸、羟基邻苯二甲酸、羟基对苯二甲酸、二羟基间苯二甲酸、二羟基对苯二甲酸等,但不限定于这些化合物。
在本发明中,作为用于制造含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺的不含酚性羟基的二羧酸(二羧酸原料),可为芳香族二羧酸,也可为脂肪族二羧酸,也可为两末端具有羧基的低聚物。作为芳香族二羧酸的具体例可列举:邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、联苯二甲酸、亚甲基二苯甲酸、硫代二苯甲酸、羰基二苯甲酸、磺酰基苯甲酸、萘二羧酸等。
作为脂肪族二羧酸可列举:草酸、丙二酸、甲基丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、马来酸、富马酸、苹果酸、酒石酸、(甲基)丙烯酰氧基琥珀酸、二(甲基)丙烯酰氧基琥珀酸、(甲基)丙烯酰氧基苹果酸、(甲基)丙烯酰胺琥珀酸或(甲基)丙烯酰胺苹果酸等。
两末端具有羧基的聚丁二烯的数均分子量优选为200~10000、更优选的是数均分子量为500~5000的低聚物。
作为含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂(C)的市售品,可列举日本化药株式会社制造的BPAM-155。
<(A)成分>
作为(A)成分的多官能型环氧树脂,是指分子中具有2个以上的环氧基的环氧树脂,可列举苯酚酚醛(novolac)型环氧树脂或甲酚酚醛型环氧树脂、芳烷基型环氧树脂等。其中,作为多官能型环氧树脂,优选含有芳烷基酚醛型环氧树脂,或芳烷基酚醛型环氧树脂。
芳烷基酚醛型环氧树脂优选为具有联苯结构的芳烷基酚醛型环氧树脂。所谓具有联苯结构的酚醛型环氧树脂,是指分子中含有联苯衍生物的芳香环的芳烷基酚醛型的环氧树脂,例如可列举下述式(1)(式中,p表示1~5)所示的环氧树脂。
上述式(1)所示的环氧树脂可组合使用多种。
此外,作为该树脂的市售品可列举日本化药株式会社制造的NC-3000(p为1.7的式(1)的环氧树脂)、NC-3000-H(p为2.8的式(1)的环氧树脂)。
关于(A)多官能环氧树脂的配合量,以底涂层用树脂组合物中的比例计优选为20质量%~80质量%,更优选为40质量%~70质量%。通过使(A)成分的配合量为20质量%~80质量%,可使与电路导体的粘接强度及焊料耐热性达到良好的状态。
<(B)成分>
作为(B)成分的环氧树脂固化剂可使用各种酚树脂类、酸酐类、胺类、酰肼类等。作为酚树脂类,可使用线型酚醛型酚树脂、甲阶酚醛型酚树脂等。作为酸酐类,可使用邻苯二甲酸酐、二苯甲酮四羧酸二酐、甲基纳迪克酸等。作为胺类可使用双氰胺、二氨基二苯基甲烷、胍基脲等。为了提高可靠性,优选线型酚醛型酚树脂。
环氧树脂固化剂的配合量优选为相对于环氧基为0.5当量~1.5当量。通过使环氧树脂固化剂相对于环氧基而为0.5当量~1.5当量,可防止与外层铜的粘接性降低,且还能防止Tg(玻璃化转变温度)、绝缘性降低。
另外,除了固化剂以外,根据需要可使用反应促进剂。作为反应促进剂可使用作为潜在性热固化剂的各种咪唑类或BF3胺络合物。从底涂层用树脂组合物的保存稳定性或B阶状(半固化状)的底涂层用树脂组合物的操作性及焊料耐热性的观点出发,优选为2-苯基咪唑或2-乙基-4-甲基咪唑,其配合量优选为相对于环氧树脂的配合量而为0.1质量%~5.0质量%。
底涂层用树脂组合物中也可含有平均一次粒径为100nm以下的无机填料(D)(以下有时称为“(D)成分”)。通过含有(D)成分,除了耐热性以外还可提高激光加工性。以下,对(D)成分进行说明。
<(D)成分>
作为(D)成分的无机填料,可列举:二氧化硅、氧化铝、硫酸钡、滑石、粘土、云母粉、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、氧化镁、氮化硼、硼酸铝、钛酸钡、钛酸锶、钛酸钙、钛酸铋、氧化钛、锆酸钡、锆酸钙等。其中,优选为热解法二氧化硅。
从在层间绝缘层上形成微细布线的观点出发,无机填料优选比表面积为20m2/g以上。另外,从减小镀敷工艺中的粗化处理后的表面形状的观点出发,平均一次粒径优选为100nm以下。
此外,此处所谓“平均一次粒径”,并非凝聚粒子的平均直径,即并非二次粒径,而是指并未凝聚的单体状态的平均粒径。该一次平均粒径例如可通过激光衍射式粒度分布计进行测定而求出。
进而,对于无机填料而言,为了提高耐湿性优选利用硅烷偶联剂等表面处理剂进行表面处理,且为了提高分散性,优选进行疏水性化处理。
作为(D)成分的含量,优选在底涂层用树脂组合物中为10质量%以下。若配合量为10质量%以下,则可维持粗化处理后的良好的表面形状,能防止镀敷特性及层间的绝缘可靠性降低。
作为平均一次粒径为100nm以下的无机填料的市售品,有日本AEROSIL株式会社制造的AEROSIL R972(商品名)及AEROSIL R202、扶桑化学公司制造的PL-1(商品名,比表面积为181m2/g)及PL-7(商品名,比表面积为36m2/g)等。
如上所述的无机填料可仅为一种,也可并用两种以上。
另外,对于这些无机填料而言,为了提高分散性,也可通过捏合机、球磨机、珠磨机、三辊磨机、纳米粉碎机等已知的混炼、分散方法来供于使用。
本发明的底涂层用树脂组合物是将上文已述的(A)~(C)的必需成分配合而得,此外可适当配合(D)成分、通常的树脂组合物中使用的触变性赋予剂、表面活性剂、偶联剂等各种添加剂。将这些成分充分搅拌后,静置直至泡消失为止,可获得底涂层用树脂组合物。
从操作性的观点出发,本发明的底涂层用树脂组合物优选为在溶剂中混合并稀释或分散而调整为清漆的形态。该溶剂可使用甲乙酮、二甲苯、甲苯、丙酮、乙二醇单乙醚、环己酮、乙基乙氧基丙酸酯、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮等。这些溶剂可以是单独一种或混合体系。
溶剂相对于底涂层用树脂组合物的比例,根据底涂层用树脂组合物的涂膜形成设备而适当调整即可,优选以除溶剂外的树脂组合物的固体成分在清漆中成为8质量%~40质量%的方式调节溶剂的使用量。
本发明的镀敷工艺用底涂层通过以下方式获得:将底涂层用树脂组合物(或含有其的清漆)涂布于支承体膜或预浸料上,在100℃~230℃下干燥1分钟~10分钟左右。
作为所使用的支承体膜,优选为未经粗化的未粗化铜箔或表面粗糙度(Ra)为0.4μm以下的低粗化铜箔、以将底涂树脂涂布于光泽面上为前提的一般铜箔、聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚苯硫醚膜、特氟龙(注册商标)膜、聚酰亚胺膜及铝箔等。另外,为了使与底涂树脂的剥离变容易,这些支承体膜也可使用表面经脱模处理的材料。
这里,本发明的镀敷工艺用底涂层在与B阶的预浸料等反应的情况下,重要的是控制其固化度。固化度是利用由差示扫描热量计测定的反应率来测定的。具体而言,镀敷工艺用底涂层的反应率必须为50%~99%。通过设定为50%以上,可防止在层叠、固化过程中粘接辅助层与预浸料混合。通过设定为99%以下,可防止与预浸料的界面的粘接力降低、与镀敷铜的粘接力降低。
作为预浸料,只要是布线板用则并无特别限制。例如是将多官能环氧树脂、环氧树脂固化剂、固化促进剂、溶剂及根据需要的无机填料混合,使其含浸于层叠板用玻璃布并加以干燥而获得。作为市售品,可列举日立化成工业(株)制造的GEA-67N或GEA-679F、GEA-679GT等。
另外,在将本发明的镀敷工艺用底涂层应用于如下所述的布线板用层叠板或多层布线板的情况下,对其表面实施粗化处理。该粗化处理后的底涂层的表面粗糙度(Ra)优选为0.4μm以下,更优选为0.3μm以下。通过使表面粗糙度(Ra)为0.4μm以下,可充分应对半导体封装的高密度化。
此外,粗化处理的条件可应用后文中说明的粗化处理条件。
[带有镀敷工艺用底涂层的布线板用层叠板及其制造方法、以及带有镀敷工艺用底涂层的多层布线板及其制造方法]
本发明的第1带有镀敷工艺用底涂层的布线板用层叠板通过以下方式制造:将在支承体膜上形成有本发明的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料的两面上,再在外侧重叠端面板并进行压制成型,成型后将上述支承体膜去除。
另外,本发明的第2带有工艺用底涂层的布线板用层叠板通过以下方式制造:将在支承体膜上形成有本发明的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料的两面上,通过使用了耐热性橡胶片的层压机进行加热及加压,从而进行层叠,层叠后加热使其固化,再将支承体膜去除。
在本发明中,压制成型的加热温度优选设定为150℃~240℃。加压时的压力优选设定为1.0MPa~4.0MPa。另外,使用了耐热性橡胶片的层压机的加热温度优选设定为80℃~150℃。加压时的压力优选设定为0.3MPa~20MPa。
本发明的第1带有镀敷工艺用底涂层的多层布线板是通过如下方法制造的:将在支承体膜上形成有本发明的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料上,将其重叠于进行了电路加工的布线板的两面上,再在外侧重叠端面板并进行压制成型,成型后将支承体膜去除,再依次实施粗化处理、非电解镀敷处理、抗蚀剂形成及电镀处理等,由此进行电路加工。
本发明的第2带有镀敷工艺用底涂层的多层布线板是通过如下方法制造的:将在支承体膜上形成有本发明的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料上,将其重叠于进行了电路加工的布线板的两面上,通过使用了耐热性橡胶片的层压机进行加热及加压,从而进行层叠,层叠后加热使其固化,将支承体去除,再依次实施粗化处理、非电解镀敷处理、抗蚀剂(resist)形成及电镀处理等,由此进行电路加工。
进行了电路加工的布线板(内层电路板)例如为表面上形成有第一电路层(内层布线)的内层基板,作为内层基板,可使用通常的布线板中使用的公知的层叠板,例如玻璃布-环氧树脂、纸-酚树脂、纸-环氧树脂、玻璃布/玻璃纸-环氧树脂等,并无特别限制。另外,也可使用含浸有双马来酰亚胺-三嗪树脂的BT基板,进而也可使用将聚酰亚胺膜用作基材的聚酰亚胺膜基板等。
关于用来形成电路的方法,除了使用上述镀敷工艺形成电路的半加成法以外,可使用减成法(subtractive)或加成法等公知的布线板的制造方法,上述减成法利用使用铜箔作为载体,将载体铜箔与绝缘基板贴合而成的覆铜层叠板,将铜箔的不需要的部分蚀刻去除,上述加成法在绝缘基板的必要部位通过非电解镀敷形成电路。
根据需要对电路层的表面进行表面处理从而成为适于粘接性的状态,但其方法也无特别限制。
例如可使用通过次氯酸钠的碱性水溶液在电路层1的表面形成氧化铜的针状结晶,将所形成的氧化铜的针状结晶浸渍于二甲基胺硼烷水溶液中进行还原等公知的制造方法。
在本发明的层叠板或多层布线板的镀敷工艺用底涂层上利用镀敷法进行电路加工的情况下,首先进行粗化处理。作为这时的粗化液可使用铬/硫酸粗化液、碱性高锰酸粗化液、氟化钠/铬/硫酸粗化液、硼氟酸粗化液等氧化性粗化液。作为粗化处理,例如首先将作为溶胀液的二乙二醇单丁醚与NaOH的水溶液升温至70℃,将层叠板或多层布线板浸渍处理5分钟。接着,将作为粗化液的KMnO与NaOH的水溶液升温至80℃并浸渍处理10分钟。然后,在中和液例如氯化锡(SnCl2)的盐酸水溶液中在室温下浸渍处理5分钟进行中和。
粗化处理后,进行使钯附着的镀敷催化剂赋予处理。镀敷催化剂处理通过浸渍于氯化钯系的镀敷催化剂液中来进行。然后,进行非电解镀敷处理,该非电解镀敷处理是浸渍于非电解镀敷液中,于镀敷工艺用底涂层的整个表面上析出厚度为0.3μm~1.5μm的非电解镀敷层(导体层)。
接下来,形成镀敷抗蚀剂后,进行电镀处理,在所需部位形成所需厚度的电路。非电解镀敷处理中使用的非电解镀敷液可使用公知的非电解镀敷液,并无特别限制。镀敷抗蚀剂也可使用公知的镀敷抗蚀剂,并无特别限制。另外,电镀处理也可使用公知的方法,并无特别限制。这些镀敷物优选为镀铜。进而,可将不需要部位的非电解镀敷层蚀刻去除从而形成外层电路。
以下,可进一步反复进行同样的工序而制造层数多的多层布线板。
实施例
接下来,通过实例对本发明进行具体说明,但本发明的范围不限定于这些实例。
[镀敷工艺用底涂层用树脂清漆的制备]
(制备例1)
在作为(C)成分的含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺(日本化药公司制造,商品名:BPAM-155)0.75g中配合N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)6.75g后,添加作为(A)成分的联苯芳烷基型环氧树脂(日本化药公司制造,商品名:NC-3000H)10g、作为(B)成分的甲酚酚醛型酚树脂(DIC公司制造,商品名:KA-1165)4.1g,再添加作为固化促进剂的2-苯基咪唑(四国化成工业公司制造,商品名:2PZ)0.1g后,利用包含DMAc及甲乙酮的混合溶剂进行稀释,获得镀敷工艺用底涂层用树脂清漆A(固体成分浓度为约25质量%)。
(制备例2)
在作为(C)成分的含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺(日本化药公司制造,商品名:BPAM-155)1.5g中配合N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)13.5g后,添加作为(A)成分的联苯芳烷基型环氧树脂(日本化药公司制造,商品名:NC-3000H)10g、作为(B)成分的酚醛型酚树脂(DIC公司制造,商品名:TD-2090)3.6g、作为固化促进剂的2-苯基咪唑(四国化成工业公司制造,商品名:2PZ)0.1g、热解法二氧化硅(日本AEROSIL公司制造,商品名:R972)0.9g后,利用包含DMAc及甲乙酮的混合溶剂稀释(固体成分浓度为约25质量%)。随后,使用分散机(纳米粉碎机(Nanomizer),商品名,吉田机械兴业株式会社制造),获得均匀的镀敷工艺用底涂层用树脂清漆B。
(制备例3)
使作为(B)成分的环氧树脂固化剂为双酚A酚醛树脂(三菱化学公司制造,商品名:YLH129),且设定为下述表1的配方,除此以外,与制备例2同样地获得镀敷工艺用底涂层用树脂清漆C(固体成分浓度为约25质量%)。
(制备例4、6)
使作为(B)成分的环氧树脂固化剂为甲酚酚醛树脂(KA1165),且设定为下述表1的配方,除此以外,与制备例2同样地获得镀敷工艺用底涂层用树脂清漆D、镀敷工艺用底涂层用树脂清漆F(固体成分浓度均为约25质量%)。
(制备例5)
使作为(B)成分的环氧树脂固化剂为苯酚酚醛树脂(TD-2090),且设定为下述表1的配方,除此以外,与制备例2同样地获得镀敷工艺用底涂层用树脂清漆E(固体成分浓度为约25质量%)。
(制备例7)
代替作为(C)成分的含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺而使用含酚性羟基的聚丁二烯-丙烯腈改性聚酰胺(日本化药公司制造,商品名BPAM-01),且设定为下述表1的配方,除此以外,与制备例2同样地获得镀敷工艺用底涂层用树脂清漆G(固体成分浓度为约25质量%)。
表1
单位为质量份
(实施例1)
分别使用棒涂机,将制备例1中获得的树脂清漆以干燥后成为5μm的方式涂布于厚度为18μm的电解铜箔(F0-WS-18,低糙度铜箔,占河电气工业公司制造)的M面(粗化处理面,表面粗糙度(Ra):0.2μm)上,在180℃下干燥10分钟,形成镀敷工艺用底涂层。
将布线板用预浸料(日立化成工业(株)制造,商品名:GEA-679F,0.10mm厚)重叠4片,在其上下以铜箔成为外侧的方式重叠镀敷工艺用底涂层,进而重叠端面板及缓冲纸,使用压制机以3.0MPa在180℃下加热固化1小时。冷却后,剥离铜箔,获得带有镀敷工艺用底涂层的层叠板。
为了对该带有镀敷工艺用底涂层的层叠板进行化学粗化,调制二乙二醇单丁醚为200ml/L、NaOH为5g/L的水溶液作为溶胀液,升温至70℃并浸渍处理5分钟。接下来,调制KMnO4为60g/L、NaOH为40g/L的水溶液作为粗化液,升温至80℃并浸渍处理10分钟。然后,在中和液(SnCl2为30g/L,HCl为300ml/L)的水溶液中于室温下浸渍处理5分钟而进行中和。
为了在带有镀敷工艺用底涂层的层叠板上形成电路层,首先在含有PdCl2的非电解镀敷用催化剂即HS-202B(日立化成工业株式会社制造)中在室温下浸渍处理10分钟,进行水洗,在非电解镀铜用的镀敷液CUST-201(日立化成工业株式会社制造)中于室温下浸渍15分钟,进而进行硫酸铜电解镀敷。随后,在180℃下进行60分钟退火,形成厚度为35μm的导体层。
接下来,为了将镀敷导体的不需要部位蚀刻去除,首先利用#600的抛光辊研磨将铜表面的氧化被膜去除后,形成抗蚀剂,继而进行蚀刻,随后将抗蚀剂去除,进行电路形成,制作带有镀敷工艺用底涂层的多层布线板。
(实施例2~4和比较例1~3)
使用制备例2~制备例7中获得的树脂清漆B~树脂清漆G,除此以外,与实例1同样地制作带有镀敷工艺用底涂层的层叠板及带有镀敷工艺用底涂层的多层布线板。
(实施例5)
代替实例2的电解铜箔而使用了经脱模处理的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜(Lintec公司制造PET-38X)(实例2的M面成为PET膜的脱模处理面),除此以外,与实例2同样地制作带有镀敷工艺用底涂层的层叠板及带有镀敷工艺用底涂层的多层布线板。
对于以如上方式制作的多层布线板,根据下述方法实施与外层电路的粘接强度、镀敷工艺用底涂层的表面粗糙度、288℃焊料耐热性试验。将其结果示于表1中。
[与外层电路的粘接强度]
在各实例及比较例中获得的多层布线板的电路层的一部分中,通过铜的蚀刻处理而形成宽度为10mm、长度为100mm的部分,将其一端在电路层/树脂界面剥开并以夹具夹住,在垂直方向上以约50mm/min的拉伸速度于室温中剥离,测定此时的负荷。
[绝缘树脂的表面粗糙度]
在各实例及比较例中获得的多层布线板的电路层的一部分中通过对铜进行蚀刻处理而获得绝缘树脂表面,对该绝缘树脂表面使用菱化系统公司制造的MicromapMN5000型测定表面粗糙度Ra。
[288℃焊料耐热性]
将各实例及比较例中制作的多层布线板切断为25mm见方,使其漂浮在经调整为288℃±2℃的焊料浴中,确定直至产生鼓起为止的时间。
表2
项目 | 单位 | 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | 实施例4 | 实施例5 |
清漆种类 | A | B | C | D | B | |
粘接强度 | kN/m | 0.74 | 0.82 | 0.89 | 0.94 | 0.81 |
Ra | μm | 0.35 | 0.28 | 0.24 | 0.20 | 0.26 |
焊料耐热性 | s | >600 | >600 | >600 | >600 | >600 |
表3
项目 | 单位 | 比较例1 | 比较例2 | 比较例3 |
清漆种类 | E | F | G | |
粘接强度 | kN/m | 剥落 | 0.97 | 0.44 |
Ra | μm | 0.41 | 0.18 | 0.16 |
焊料耐热性 | s | - | 280 | 180 |
Claims (33)
1.一种镀敷工艺用底涂层,其是利用底涂层用树脂组合物形成的,所述底涂层用树脂组合物含有多官能型环氧树脂(A)、环氧树脂固化剂(B)及含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂(C),所述含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂(C)含有下述式(i)、式(ii)及式(iii)所示的结构单元,
相对于多官能型环氧树脂(A)及环氧树脂固化剂(B)的合计量100质量份,所述底涂层用树脂组合物中的含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂(C)的配合比例为5质量份以上且小于25质量份;
式中,a、b、c、x、y及z分别为平均聚合度,且表示a=2~10、b=0~3、c=3~30、相对于x=1而y+z=2~300的整数,进而相对于y=1而z≥20;R、R'及R"分别独立地为来源于芳香族二胺或脂肪族二胺的二价基团,多个R”'分别独立地为来源于芳香族二羧酸、脂肪族二羧酸或两末端具有羧基的低聚物的二价基团。
2.根据权利要求1所述的镀敷工艺用底涂层,其中,含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂(C)的重量平均分子量为60,000~250,000。
3.根据权利要求1所述的镀敷工艺用底涂层,其中,含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂(C)的重量平均分子量为80,000~200,000。
4.根据权利要求1所述的镀敷工艺用底涂层,其中,底涂层用树脂组合中的含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂(C)的配合比例,相对于多官能型环氧树脂(A)及环氧树脂固化剂(B)的合计量100质量份,为8质量份以上且小于25质量份。
5.根据权利要求1所述的镀敷工艺用底涂层,其中,底涂层用树脂组合中的含酚性羟基的聚丁二烯改性聚酰胺树脂(C)的配合比例,相对于多官能型环氧树脂(A)及环氧树脂固化剂(B)的合计量100质量份,为10质量份以上且小于20质量份。
6.根据权利要求1所述的镀敷工艺用底涂层,其中,多官能型环氧树脂(A)的配合量,在底涂层用树脂组合物中的比例为20质量%~80质量%。
7.根据权利要求1所述的镀敷工艺用底涂层,其中,多官能型环氧树脂(A)的配合量,在底涂层用树脂组合物中的比例为40质量%~70质量%。
8.根据权利要求1所述的镀敷工艺用底涂层,其中,环氧树脂固化剂(B)为线型酚醛型酚树脂。
9.根据权利要求1所述的镀敷工艺用底涂层,其中,环氧树脂固化剂(B)的配合量相对于环氧基为0.5当量~1.5当量。
10.根据权利要求1所述的镀敷工艺用底涂层,其厚度为1~10μm。
11.根据权利要求1所述的镀敷工艺用底涂层,其中,所述底涂层用树脂组合物中所含的多官能型环氧树脂(A)含有具有联苯结构的芳烷基型环氧树脂。
12.根据权利要求1~11中的任一项所述的镀敷工艺用底涂层,其中,所述底涂层用树脂组合物含有平均一次粒径为100nm以下的无机填料(D)。
13.根据权利要求12所述的镀敷工艺用底涂层,其中,所述无机填料(D)的配合量在底涂层用树脂组合物中为10质量%以下。
14.根据权利要求12所述的镀敷工艺用底涂层,其中,所述无机填料(D)为热解法二氧化硅。
15.根据权利要求12所述的镀敷工艺用底涂层,其中,对所述无机填料(D)实施了表面处理。
16.根据权利要求1~11中的任一项所述的镀敷工艺用底涂层,其中,其为经粗化处理的镀敷工艺用底涂层,粗化处理后的表面粗糙度Ra为0.4μm以下。
17.根据权利要求12所述的镀敷工艺用底涂层,其中,其为经粗化处理的镀敷工艺用底涂层,粗化处理后的表面粗糙度Ra为0.4μm以下。
18.一种带底涂层的支承体膜,其是在支承体膜上形成权利要求1~17中任一项所述的镀敷工艺用底涂层而成的。
19.根据权利要求18所述的带底涂层的支承体膜,所述支承体膜为选自铜箔、聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚苯硫醚膜、聚酰亚胺膜及铝箔中的至少1种。
20.一种布线板用层叠板,其具有权利要求1~17中任一项所述的镀敷工艺用底涂层。
21.权利要求1~17中任一项所述的镀敷工艺用底涂层作为布线板用层叠板的应用,所述布线板用层叠板具有权利要求1~17中任一项所述的镀敷工艺用底涂层。
22.权利要求1~17中任一项所述的镀敷工艺用底涂层在布线板用层叠板的制造中的应用,所述布线板用层叠板具有权利要求1~17中任一项所述的镀敷工艺用底涂层。
23.一种多层布线板,其具有权利要求1~17中任一项所述的镀敷工艺用底涂层。
24.权利要求1~17中任一项所述的镀敷工艺用底涂层作为多层布线板的应用,所述多层布线板具有权利要求1~17中任一项所述的镀敷工艺用底涂层。
25.权利要求1~17中任一项所述的镀敷工艺用底涂层在多层布线板的制造中的应用,所述多层布线板具有权利要求1~17中任一项所述的镀敷工艺用底涂层。
26.一种带有镀敷工艺用底涂层的布线板用层叠板,其通过以下方法获得:将在支承体膜上形成有权利要求1~17中的任一项所述的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以所述镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料的两面上,再在外侧重叠端面板并进行压制成型,成型后将所述支承体膜去除。
27.一种带有镀敷工艺用底涂层的布线板用层叠板的制造方法,将在支承体膜上形成有权利要求1~17中的任一项所述的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以所述镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料的两面上,再在外侧重叠端面板并进行压制成型,成型后将所述支承体膜去除。
28.一种带有镀敷工艺用底涂层的布线板用层叠板,其通过以下方法获得:将在支承体膜上形成有权利要求1~17中的任一项所述的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以所述镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料的两面上,通过使用了耐热性橡胶片的层压机进行加热及加压,从而进行层叠,层叠后加热使其固化,再将支承体膜去除。
29.一种带有镀敷工艺用底涂层的布线板用层叠板的制造方法,将在支承体膜上形成有权利要求1~17中的任一项所述的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以所述镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料的两面上,通过使用了耐热性橡胶片的层压机进行加热及加压,从而进行层叠,层叠后加热使其固化,再将支承体膜去除。
30.一种带有镀敷工艺用底涂层的多层布线板,其通过以下方法获得:将在支承体膜上形成有权利要求1~17项中的任一所述的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以所述镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料上,再将其重叠于进行了电路加工的布线板的两面上,进而在外侧重叠端面板并进行压制成型,成型后将支承体膜去除。
31.一种带有镀敷工艺用底涂层的多层布线板的制造方法,将在支承体膜上形成有权利要求1~17中的任一项所述的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以所述镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料上,再将其重叠于进行了电路加工的布线板的两面上,进而在外侧重叠端面板并进行压制成型,成型后将支承体膜去除,再依次实施粗化处理、非电解镀敷处理及电镀处理。
32.一种带有镀敷工艺用底涂层的多层布线板,其通过以下方法获得:将在支承体膜上形成有权利要求1~17中的任一项所述的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以所述镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料上,再将其重叠于进行了电路加工的布线板的两面上,通过使用了耐热性橡胶片的层压机进行加热及加压,从而进行层叠,层叠后加热使其固化,将支承体去除,再依次实施粗化处理、非电解镀敷处理及电镀处理。
33.一种带有镀敷工艺用底涂层的多层布线板的制造方法,将在支承体膜上形成有权利要求1~17中的任一项所述的镀敷工艺用底涂层的带有底涂层的支承体膜,以所述镀敷工艺用底涂层成为内侧的方式重叠于布线板用预浸料上,再将其重叠于进行了电路加工的布线板的两面上,通过使用了耐热性橡胶片的层压机进行加热及加压,从而进行层叠,层叠后加热使其固化,将支承体去除,再依次实施粗化处理、非电解镀敷处理及电镀处理。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011-122794 | 2011-05-31 | ||
JP2011122794 | 2011-05-31 | ||
PCT/JP2012/063790 WO2012165439A1 (ja) | 2011-05-31 | 2012-05-29 | めっきプロセス用プライマー層、配線板用積層板及びその製造方法、多層配線板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103562436A CN103562436A (zh) | 2014-02-05 |
CN103562436B true CN103562436B (zh) | 2015-10-14 |
Family
ID=47259293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201280026695.XA Active CN103562436B (zh) | 2011-05-31 | 2012-05-29 | 镀敷工艺用底涂层、布线板用层叠板及其制造方法、多层布线板及其制造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140151091A1 (zh) |
EP (1) | EP2716793B1 (zh) |
JP (2) | JP5212578B1 (zh) |
KR (1) | KR101730218B1 (zh) |
CN (1) | CN103562436B (zh) |
TW (1) | TWI528873B (zh) |
WO (1) | WO2012165439A1 (zh) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014120687A (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Hitachi Chemical Co Ltd | 積層板、多層積層板、プリント配線板、多層プリント配線板及び積層板の製造方法 |
JP6269506B2 (ja) * | 2012-12-18 | 2018-01-31 | 日立化成株式会社 | 積層体、積層板、プリント配線板、積層体の製造方法、及び積層板の製造方法 |
JP2014185330A (ja) * | 2013-02-20 | 2014-10-02 | Hitachi Chemical Co Ltd | 樹脂組成物、めっきプロセス用プライマー層、支持体付きめっきプロセス用プライマー層、硬化後めっきプロセス用プライマー層、配線板用積層板、配線板用積層板の製造方法、多層配線板、及び多層配線板の製造方法 |
JP6459182B2 (ja) * | 2013-02-20 | 2019-01-30 | 日立化成株式会社 | 樹脂組成物、めっきプロセス用プライマー層、支持体付きめっきプロセス用プライマー層、硬化後めっきプロセス用プライマー層、配線板用積層板、配線板用積層板の製造方法、多層配線板、及び多層配線板の製造方法 |
JP6295708B2 (ja) * | 2013-02-20 | 2018-03-20 | 日立化成株式会社 | 樹脂組成物、めっきプロセス用プライマー層、支持体付きめっきプロセス用プライマー層、硬化後めっきプロセス用プライマー層、配線板用積層板、配線板用積層板の製造方法、多層配線板、及び多層配線板の製造方法 |
KR102343177B1 (ko) * | 2013-12-09 | 2021-12-23 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 접착층 부착 이형 폴리이미드 필름, 접착층 부착 이형 폴리이미드 필름이 부착된 적층판, 적층판, 접착층 부착 이형 폴리이미드 필름이 부착된 단층 또는 다층 배선판, 및 다층 배선판의 제조 방법 |
WO2016114030A1 (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-21 | 日立化成株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、層間絶縁用樹脂フィルム、複合フィルム、プリント配線板及びその製造方法 |
KR20170117394A (ko) * | 2015-02-16 | 2017-10-23 | 인텔 코포레이션 | 마이크로전자 빌드-업 층들 및 그 형성 방법들 |
KR20170025021A (ko) * | 2015-08-27 | 2017-03-08 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조용 수지 부착 동박 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법 |
CN107278053A (zh) * | 2016-04-08 | 2017-10-20 | 东莞市斯坦得电子材料有限公司 | 用于印制线路板导通孔金属化前导通孔壁环氧树脂的膨松软化工艺 |
JP6386157B1 (ja) * | 2017-12-19 | 2018-09-05 | 日本ペイント・インダストリアルコ−ティングス株式会社 | プライマー組成物、プライマー塗膜及びその形成方法、並びに塗膜の形成方法 |
TWI655263B (zh) | 2017-12-27 | 2019-04-01 | 台燿科技股份有限公司 | 黏著劑組合物及其應用 |
JP2019157027A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 日立化成株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、層間絶縁用樹脂フィルム、複合フィルム、プリント配線板及びその製造方法 |
JP7533439B2 (ja) * | 2019-02-21 | 2024-08-14 | 株式会社レゾナック | 硬化性樹脂組成物及び電子部品装置 |
WO2021106330A1 (ja) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | 昭和電工株式会社 | 複合積層体及び接合体 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1439038A (zh) * | 2000-06-28 | 2003-08-27 | 日本化药株式会社 | 环氧树脂组合物和用其得到的固化制品 |
CN101432134A (zh) * | 2006-04-25 | 2009-05-13 | 日立化成工业株式会社 | 带粘接层的导体箔、贴有导体的层叠板、印制线路板及多层线路板 |
CN101883470A (zh) * | 2004-06-23 | 2010-11-10 | 日立化成工业株式会社 | 印制电路板用预浸料片以及贴有金属箔的叠层板 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2579960B2 (ja) | 1987-10-13 | 1997-02-12 | 日立化成工業株式会社 | 多層印刷配線板の製造法 |
JP3290296B2 (ja) | 1994-05-13 | 2002-06-10 | 太陽インキ製造株式会社 | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
JP3785749B2 (ja) | 1997-04-17 | 2006-06-14 | 味の素株式会社 | エポキシ樹脂組成物並びに該組成物を用いた多層プリント配線板の製造法 |
JP4556261B2 (ja) | 1999-10-27 | 2010-10-06 | 日立化成工業株式会社 | アディティブ法プリント配線板用接着剤 |
JP2001233945A (ja) | 2000-02-24 | 2001-08-28 | Nippon Kayaku Co Ltd | 無電解メッキ可能な高耐熱性エポキシ樹脂組成物、それを用いたビルドアップ用絶縁材料並びにビルドアップ基板 |
JP3654851B2 (ja) | 2001-05-11 | 2005-06-02 | 太陽インキ製造株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物並びに該組成物を用いた多層プリント配線板及びその製造方法 |
KR100970105B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2010-07-20 | 아지노모토 가부시키가이샤 | 회로 기판의 적층방법 및 절연층의 형성방법, 다층 프린트배선판 및 이의 제조방법 및 다층 프린트 배선판용 접착필름 |
JP4725704B2 (ja) | 2003-05-27 | 2011-07-13 | 味の素株式会社 | 多層プリント配線板の層間絶縁用樹脂組成物、接着フィルム及びプリプレグ |
JP3949676B2 (ja) | 2003-07-22 | 2007-07-25 | 三井金属鉱業株式会社 | 極薄接着剤層付銅箔及びその極薄接着剤層付銅箔の製造方法 |
JP2009155354A (ja) | 2006-03-30 | 2009-07-16 | Ajinomoto Co Inc | 絶縁層用樹脂組成物 |
US20070231581A1 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Pui-Yan Lin | Epoxy with low coefficient of thermal expansion |
CN101573397A (zh) * | 2006-12-13 | 2009-11-04 | 日本化药株式会社 | 聚酰胺树脂、使用该树脂的环氧树脂组成物以及其用途 |
MY149431A (en) * | 2008-03-26 | 2013-08-30 | Sumitomo Bakelite Co | Resin sheet with copper foil, multilayer printed wiring board, method for manufacturing multilayer printed wiring board and semiconductor device |
WO2010024391A1 (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-04 | 積水化学工業株式会社 | 積層体及び積層体の製造方法 |
WO2010050472A1 (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-06 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物、樹脂シート、プリプレグ、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置 |
JP5482083B2 (ja) * | 2009-10-14 | 2014-04-23 | 日立化成株式会社 | 配線板用積層板及びその製造方法、プライマー層用樹脂フィルム、多層配線板及びその製造方法 |
-
2012
- 2012-05-29 KR KR1020137034286A patent/KR101730218B1/ko active Active
- 2012-05-29 EP EP12792865.3A patent/EP2716793B1/en active Active
- 2012-05-29 WO PCT/JP2012/063790 patent/WO2012165439A1/ja active Application Filing
- 2012-05-29 CN CN201280026695.XA patent/CN103562436B/zh active Active
- 2012-05-29 JP JP2012540626A patent/JP5212578B1/ja active Active
- 2012-05-29 US US14/123,140 patent/US20140151091A1/en not_active Abandoned
- 2012-05-30 TW TW101119351A patent/TWI528873B/zh active
-
2013
- 2013-02-12 JP JP2013024220A patent/JP5942876B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1439038A (zh) * | 2000-06-28 | 2003-08-27 | 日本化药株式会社 | 环氧树脂组合物和用其得到的固化制品 |
CN101883470A (zh) * | 2004-06-23 | 2010-11-10 | 日立化成工业株式会社 | 印制电路板用预浸料片以及贴有金属箔的叠层板 |
CN101432134A (zh) * | 2006-04-25 | 2009-05-13 | 日立化成工业株式会社 | 带粘接层的导体箔、贴有导体的层叠板、印制线路板及多层线路板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201309113A (zh) | 2013-02-16 |
EP2716793A4 (en) | 2015-05-20 |
JP2013163812A (ja) | 2013-08-22 |
EP2716793B1 (en) | 2019-04-10 |
WO2012165439A1 (ja) | 2012-12-06 |
US20140151091A1 (en) | 2014-06-05 |
JP5212578B1 (ja) | 2013-06-19 |
JPWO2012165439A1 (ja) | 2015-02-23 |
CN103562436A (zh) | 2014-02-05 |
JP5942876B2 (ja) | 2016-06-29 |
EP2716793A1 (en) | 2014-04-09 |
TWI528873B (zh) | 2016-04-01 |
KR20140043906A (ko) | 2014-04-11 |
KR101730218B1 (ko) | 2017-04-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103562436B (zh) | 镀敷工艺用底涂层、布线板用层叠板及其制造方法、多层布线板及其制造方法 | |
CN107109055B (zh) | 热固性树脂组合物、层间绝缘用树脂膜、复合膜、印刷布线板及其制造方法 | |
JP5482083B2 (ja) | 配線板用積層板及びその製造方法、プライマー層用樹脂フィルム、多層配線板及びその製造方法 | |
JP2015047795A (ja) | キャリア付銅箔、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板、及びプリント配線板の製造方法 | |
JP5716522B2 (ja) | 接着補助層用樹脂組成物 | |
TWI650235B (zh) | 附有黏著層的聚醯亞胺脫模薄膜、配置了附有黏著層的聚醯亞胺脫模薄膜之積層板、積層板、配置了附有黏著層的聚醯亞胺脫模薄膜之單層或多層線路板、以及多層線路板的製造方法 | |
JP2009188163A (ja) | 多層プリント配線板用支持体付き絶縁フィルム、多層プリント配線板およびその製造方法 | |
JP6291742B2 (ja) | 樹脂組成物、めっきプロセス用接着補助層、支持体付きめっきプロセス用接着補助層、配線板用積層板、配線板用積層板の製造方法、多層配線板、及び多層配線板の製造方法 | |
JP2015024515A (ja) | キャリア付銅箔及びそれを用いた銅張積層板 | |
JP2014185330A (ja) | 樹脂組成物、めっきプロセス用プライマー層、支持体付きめっきプロセス用プライマー層、硬化後めっきプロセス用プライマー層、配線板用積層板、配線板用積層板の製造方法、多層配線板、及び多層配線板の製造方法 | |
JP6295708B2 (ja) | 樹脂組成物、めっきプロセス用プライマー層、支持体付きめっきプロセス用プライマー層、硬化後めっきプロセス用プライマー層、配線板用積層板、配線板用積層板の製造方法、多層配線板、及び多層配線板の製造方法 | |
US20120305291A1 (en) | Primer layer for plating process, laminate for wiring board and method for manufacture thereof, multilayer wiring board and method for manufacture thereof | |
JP5803404B2 (ja) | めっきプロセス用プライマー層、めっきプロセス用プライマー層付き積層板及びその製造方法、めっきプロセス用プライマー層付き多層配線板及びその製造方法 | |
JP6269506B2 (ja) | 積層体、積層板、プリント配線板、積層体の製造方法、及び積層板の製造方法 | |
JP2009272533A (ja) | 多層プリント配線板用支持体付き絶縁フィルム、多層プリント配線板およびその製造方法 | |
JP6459182B2 (ja) | 樹脂組成物、めっきプロセス用プライマー層、支持体付きめっきプロセス用プライマー層、硬化後めっきプロセス用プライマー層、配線板用積層板、配線板用積層板の製造方法、多層配線板、及び多層配線板の製造方法 | |
JP6699148B2 (ja) | 積層体及びその製造方法、並びに、プリント配線板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Tokyo, Japan Patentee after: Showa electrical materials Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Patentee before: HITACHI CHEMICAL Co.,Ltd. Address after: Tokyo, Japan Patentee after: Lishennoco Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Patentee before: Showa electrical materials Co.,Ltd. |