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CN103403839A - 用于制造薄膜半导体本体的方法和薄膜半导体本体 - Google Patents

用于制造薄膜半导体本体的方法和薄膜半导体本体 Download PDF

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CN103403839A CN2012800113244A CN201280011324A CN103403839A CN 103403839 A CN103403839 A CN 103403839A CN 2012800113244 A CN2012800113244 A CN 2012800113244A CN 201280011324 A CN201280011324 A CN 201280011324A CN 103403839 A CN103403839 A CN 103403839A
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Abstract

本发明提出一种用于制造薄膜半导体本体的方法，所述方法具有下述步骤：提供生长衬底（1）；将具有漏斗形的和/或倒棱锥形的凹部（4）的半导体层（3）外延地生长到生长衬底（1）上；用半导体材料（6）填充凹部（4），使得产生棱锥形的耦合输出结构（13）；将具有有源层（8）的半导体层序列（7）施加到耦合输出结构（13）上，所述有源层适合于产生电磁辐射；将载体（11）施加到半导体层序列（7）上，以及至少将具有漏斗形和/或倒棱锥形的凹部（4）的半导体层（3）剥离，使得棱锥形的耦合输出结构（13）作为突出部（14）构成在薄膜半导体本体的辐射出射面（12）上。此外，提出一种薄膜半导体本体。

Description

用于制造薄膜半导体本体的方法和薄膜半导体本体
技术领域
提出一种用于制造薄膜半导体本体的方法和一种薄膜半导体本体。
背景技术
发射辐射的半导体本体例如在参考文献DE102005056604A1和DE102005013580A1中说明。然而，所述半导体本体不是薄膜半导体本体。
发明内容
本发明的目的是，提出一种用于制造在其辐射出射面上具有良好限定的耦合输出结构的薄膜半导体本体的方法。此外，应提出一种相应的薄膜半导体本体。
所述目的通过具有权利要求1的步骤的方法以及通过具有权利要求14的特征的薄膜半导体本体来实现。该方法的和薄膜半导体本体的有利的实施形式以及改进形式分别在从属权利要求中说明。
用于制造薄膜半导体本体的方法尤其包括下述步骤：
-提供生长衬底；
-将具有漏斗形的和/或倒棱锥形的凹部的半导体层外延地生长到生长衬底上；
-用半导体材料填充凹部，使得产生棱锥形的耦合输出结构；
-将具有有源层的半导体层序列施加到耦合输出结构上，所述有源层适合于产生电磁辐射；
-将载体施加到半导体层序列上，以及
-至少将具有漏斗形和/或倒棱锥形的凹部的半导体层剥离，使得棱锥形的耦合输出结构作为突出部构成在薄膜半导体本体的辐射出射面上。
在所述方法中，借助于外延生长工艺产生的倒棱锥形或漏斗形的凹部用作用于构成耦合输出结构的矩阵。通过外延生长工艺产生的倒棱锥形或漏斗形的凹部尤其是V形缺陷或V形坑。
尤其优选地，凹部和相应地之后的突出部具有带有优选有规则地构成的六边形作为底面的直棱锥形的或直截锥形的形状。
在此，耦合输出结构的制造有利地借助于外延法实现，由此在制造过程期间以受控制的形式预设耦合输出结构的形状。以该方式和方法尤其能够产生可良好复现的并且限定的耦合输出结构。
在本文中，术语“在......上”不必意味着两个元件以直接相互接触的方式设置。相反，可能的是，在两个元件——例如层——之间设置有其他的元件。
在本文中，半导体本体表示为是薄膜半导体本体，所述薄膜半导体本体通常具有带有有源的产生辐射的层的外延生长的半导体层序列，其中移除或打薄生长衬底，使得所述生长衬底本身不再足以机械地稳定薄膜半导体本体。因此，薄膜半导体本体的半导体层序列优选设置在载体上，所述载体机械地稳定半导体本体并且特别优选不同于用于半导体本体的半导体层序列的生长衬底。
此外，在载体和产生辐射的半导体层序列之间优选设置有反射层，所述反射层具有任务的是：使有源层的辐射转向薄膜半导体本体的辐射出射面。此外，半导体层序列优选具有二十微米或更小的厚度、尤其在五微米范围中的厚度。
薄膜半导体本体的基本原理例如在文献I.Schnitzer等的Appl.Phys.Lett.63,16,1993年10月18日，2174-2176页中描述，其公开内容就此而言通过参引结合于此。
生长衬底例如能够包含下述材料中的一种或由下述材料中的一种构成：蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓。
根据方法的一个实施形式，在将具有漏斗形的和/或倒棱锥形的凹部的半导体层剥离之前在单独的方法步骤中移除生长衬底。
根据方法的另一实施形式，在具有漏斗形的和/或倒棱锥形的凹部的层外延生长期间，温度具有小于或等于850℃的值。
优选地，凹部的填充和/或半导体层序列的施加同样借助于外延生长工艺实现。特别优选地，两个步骤，即凹部的填充和半导体层序列的施加都借助于外延生长工艺来进行。方法的所述实施形式提供的优点是，薄膜半导体本体的制造主要或完全借助于外延工艺来进行。由此，有利地简化薄膜半导体本体的制造。
特别优选地，在填充凹部时实现尽可能平的表面。
特别优选地，至少构成耦合输出结构的大部分，使得相邻的突出部的底面相互接触。根据一个实施形式，相邻的突出部的至少10%的、优选相邻的突出部的80%的、特别优选相邻的突出部的90%的底面相互接触。
根据方法的一个实施形式，耦合输出结构具有直径为100nm和10μm之间的底面、其中包括边界值，且具有直径优选为0.5μm和1.5μm之间的底面。
耦合输出结构的高度优选具有在100nm和10μm之间的值，其中包括边界值，且特别优选具有在0.5μm和1.5μm之间的值。
根据方法的另一实施形式，将用于在薄膜半导体本体的半导体材料和围绕的介质、通常为空气之间的折射率匹配的另一材料施加到耦合输出结构上。用于折射率匹配的材料优选具有在1和2.3之间的折射率，其中包括边界值。用于折射率匹配的材料例如能够是高折射的玻璃或是硅。
例如，耦合输出结构能够由氮化物化合物半导体材料构成。氮化物化合物半导体材料是包含氮的化合物半导体材料，例如InxAlyGa1-x-yN的体系中的材料，其中0≤x≤1、0≤y≤1和x+y≤1。
根据方法的另一实施形式，将停止层施加到凹部上，所述停止层设为，在借助于刻蚀工艺剥离具有凹部的半导体层时至少延缓所述刻蚀工艺。优选地，停止层适合于将刻蚀率延缓到原始值的1/5、特别优选地延缓到原始值的1/20。特别优选地，停止层以直接接触的方式施加到凹部上。例如能够借助于外延工艺来沉积停止层。作为刻蚀工艺例如能够使用干法刻蚀工艺。在此，具有凹部的半导体层优选具有氮化镓或由氮化镓构成，而停止层例如包含氮化铝镓或由氮化铝镓构成。
在通过刻蚀工艺移除具有凹部的半导体层之后，能够通过另一单独的方法步骤移除停止层。例如能够借助于通常非选择性的溅射法来移除基于氮化铝镓的停止层。
优选地，在所述实施形式中，在干法刻蚀工艺之前借助于单独的方法步骤来移除生长衬底。如果生长衬底例如具有蓝宝石，那么在干法刻蚀工艺之前优选借助于激光剥离工艺来移除所述生长衬底。如果生长衬底例如具有硅，那么在干法刻蚀工艺之前能够借助于刻蚀来移除所述生长衬底。
根据方法的另一实施形式，在生长衬底和凹部之间施加由牺牲层，所述牺牲层适合于借助于激光剥离工艺来移除。优选地，牺牲层以直接接触的方式施加到凹部上。例如也能够借助于外延工艺来沉积牺牲层。借助于牺牲层，能够通过激光剥离工艺来移除具有凹部的半导体层。能够借助于激光剥离工艺来移除的牺牲层例如具有氮化铟镓或由氮化铟镓构成。
适合于从辐射出射面发射电磁辐射的薄膜半导体本体尤其包括：
-具有有源层的半导体层序列，所述有源层适合于产生电磁辐射，和
-外延构成的棱锥形的耦合输出结构，所述耦合输出结构设置在辐射出射面上。
耦合输出结构设为，用于提高从薄膜半导体本体中在有源层中产生的电磁辐射的耦合输出。
在这点上要注意的是，上文中结合方法描述的特征同样能够在薄膜半导体本体本身中构成。此外，结合薄膜半导体本体公开的特征也能够与方法组合地应用。
本发明的其他有利的实施形式和改进形式从下面结合附图所描述的实施例中得出。
附图说明
图1A至1I示出在根据一个实施例的不同的方法阶段期间的薄膜半导体本体的示意剖面图。
图1I示出根据一个实施例的薄膜半导体本体的示意剖面图。
图2A和2B示出在根据另一实施例的不同的方法阶段中的薄膜半导体本体的示意剖面图。
图3示例地示出具有漏斗形的和/或倒棱锥形的凹部的半导体层的扫描电子显微照片。
相同的、同类的或起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图和在附图中示出的元件相互间的大小关系不能够视为是合乎比例的。相反，为了更好的可视性和/或为了更好的理解能够夸大地示出个别的元件、尤其层厚度。
具体实施方式
在根据附图1A至1I的实施例的方法中，在第一步骤中提供生长衬底1（图1A）。生长衬底1例如能够包含蓝宝石、硅、氮化镓或碳化硅或能够由这些材料中的一种构成。
在下一步骤中，将生长层2外延地施加到生长衬底1上（图1B）。在本文中，生长层2由氮化镓构成。
在下一步骤中，将缓冲层3外延地施加到生长层2上，所述缓冲层在本文中同样由氮化镓构成。在外延地施加缓冲层3时，设定生长条件，使得构成具有带有有规则六边形作为底面的倒直棱锥形的形状的凹部4（图1C）。为此，在本文中，在外延沉积期间温度为850℃。
在下一方法步骤中，连续的停止层5以直接接触的方式施加到凹部4上（图1D）。在此，凹部4的形状传递到停止层5中，也就是说停止层5也具有倒棱锥形的凹部4。
然后，借助于外延法用半导体材料6、在本文中用n掺杂的氮化镓材料来填充凹部4并且使所述凹部4平坦化，使得产生平的表面（图1E）。
具有有源层8的半导体层序列7外延生长到平坦的表面上，其中有源层8适合于产生电磁辐射（图1F）。
在本文中，半导体层序列7构成为LED结构。半导体层序列7包括n掺杂的半导体层9。n掺杂的半导体层9以直接接触的方式施加到已填充的凹部4的平坦的表面上并且包括氮化镓单层。在n掺杂的半导体层9上设置有有源层8，所述有源层适合于产生电磁辐射。有源层8具有交替的氮化镓单层和氮化铟镓单层。在有源层8上还设置有p掺杂的半导体层10。p掺杂的半导体层10具有氮化镓单层和氮化铝镓单层。
此外在半导体层序列7上设置有载体11，所述载体借助于粘贴、焊接或直接结合（Bond）来施加到半导体层序列7上。
如图1G示意示出，现在借助于激光剥离工艺来移除生长衬底1。
在下一步骤中，将残留的氮化镓材料3剥离至停止层5，例如通过化学辅助的干法刻蚀工艺（图1H）。在此，停止层5适合于至少延缓刻蚀工艺。在此，停止层5优选具有氮化铝镓或由所述材料构成。在下一步骤中，例如能够借助于选择性的溅射步骤来移除停止层5（图1I）。
如果生长衬底1由不同于蓝宝石的材料构成、例如由硅构成，那么不需要用于移除生长衬底1的激光剥离工艺。例如能够通过刻蚀来移除硅衬底。
如在图1I中示意示出，制成的薄膜半导体本体具有带有有源层8的半导体层序列7，所述有源层适合于产生电磁辐射。通过不同于生长衬底1的载体11机械地稳定外延生长的半导体层序列7。薄膜半导体本体的辐射出射面12具有外延生长的、由突出部14构成的耦合输出结构13，其中突出部14具有带有六边形底面的直棱锥形的形状。棱锥形的突出部14在本实施例中由氮化镓材料构成。
在根据图2A和2B的实施例的方法中，不同于根据图1A至1E的实施例，使用选择性的激光剥离工艺，以便露出薄膜半导体本体的辐射出射面12。
根据图2A的实施例的方法阶段基本上相应于根据图1F的方法阶段。
不同于图1F的方法阶段，以直接接触的方式将连续的牺牲层15施加到凹部4上，所述牺牲层适合于选择性地吸收激光的光。凹部4同样构成在牺牲层15中。牺牲层15例如具有氮化铟镓或由氮化铟镓构成。通过由激光剥离工艺来选择性地移除牺牲层15露出耦合输出结构13，并且半导体层序列7借助于有源的、产生辐射的层8分开（图2A）。以该方式和方法产生如在图2B中所示出的并且已经借助于图1I详细描述的完成的薄膜半导体本体。
此外，可能的是，将用于折射率匹配的另一材料施加到薄膜半导体本体的辐射出射面12上。所述材料例如能够是高折射率的玻璃或硅。
如图3的具有外延生长的漏斗形的和/或棱锥形的凹部4的半导体层的示例的扫描电子显微照片所示，凹部4构成为，使得直接相邻的凹部4的边缘相互接触。凹部4具有直径为100nm和10μm之间的开口，其中包括边界值。凹部4的深度同样位于100nm和10μm之间，其中包括边界值。
本专利申请要求德国专利申请DE102011012928.6的优先权，其公开内容通过参引并入本文。
本发明不通过根据实施例进行的描述而限制于此。相反，本发明包括每个新的特征以及特征的任意组合，这尤其是包括在权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者该组合本身并未在权利要求或者实施例中明确说明时也如此。

Claims (14)

1.一种用于制造薄膜半导体本体的方法，所述方法具有下述步骤：
-提供生长衬底（1），
-将具有漏斗形的和/或倒棱锥形的凹部（4）的半导体层（3）外延地生长到所述生长衬底（1）上，
-用半导体材料（6）填充所述凹部（4），使得产生棱锥形的耦合输出结构（13），
-将具有有源层（8）的半导体层序列（7）施加到所述耦合输出结构（13）上，所述有源层适合于产生电磁辐射，
-将载体（11）施加到所述半导体层序列（7）上，以及
-至少将具有漏斗形和/或倒棱锥形的所述凹部（4）的所述半导体层（3）剥离，使得所述棱锥形的耦合输出结构（13）作为突出部（14）构成在所述薄膜半导体本体的辐射出射面（12）上。
2.根据上一项权利要求所述的方法，其中在具有漏斗形的和/或倒棱锥形的所述凹部（4）的所述半导体层（3）外延生长期间，温度小于或等于850℃。
3.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述凹部（4）的填充和/或所述半导体层序列（7）的施加借助于外延生长工艺进行。
4.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中相邻的突出部（14）的底面相互接触。
5.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述突出部（14）具有直径为100nm和10μm之间的底面，其中包括边界值。
6.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中将用于在所述薄膜半导体本体的半导体材料和围绕的介质之间的折射率匹配的另一材料施加到所述耦合输出结构（13）上。
7.根据上一项权利要求所述的方法，其中用于折射率匹配的材料的折射率位于1和2.3之间，其中包括边界值。
8.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述耦合输出结构（13）由氮化物化合物半导体材料构成。
9.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中将停止层（5）施加到所述凹部（4）上，所述停止层设为，在借助于刻蚀工艺剥离具有所述凹部（4）的所述半导体层（3）时延缓所述刻蚀工艺。
10.根据上一项权利要求所述的方法，其中
-所述凹部（4）形成在包括氮化镓的半导体层（3）中，
-所述停止层（5）包括氮化铝镓，以及
-借助于干法刻蚀工艺移除具有所述凹部（4）的所述半导体层（3）。
11.根据上一项权利要求所述的方法，其中所述生长衬底（1）具有蓝宝石，并且借助于激光剥离工艺移除所述生长衬底。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述生长衬底（1）具有硅，并且借助于刻蚀移除所述生长衬底（1）。
13.根据权利要求1至8中的任一项所述的方法，其中在所述生长衬底（1）和所述耦合输出结构（13）之间施加牺牲层（15），所述牺牲层适合于借助于激光剥离工艺来移除。
14.一种薄膜半导体本体，所述薄膜半导体本体适合于从辐射出射面（12）发射电磁辐射，所述薄膜半导体本体具有：
-具有有源区（8）的半导体层序列（7），所述有源区适合于产生电磁辐射，和
-外延形成的棱锥形的耦合输出结构（13），所述耦合输出结构设置在所述辐射出射面上。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109290874A (zh) * 2017-07-25 2019-02-01 北京通美晶体技术有限公司 背面有橄榄形凹坑的磷化铟晶片、制法及所用腐蚀液
CN110412082A (zh) * 2019-06-20 2019-11-05 黄辉 一种半导体多孔晶体薄膜传感器及制备方法
CN111540816A (zh) * 2020-03-18 2020-08-14 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Led外延结构、led芯片及外延结构的制备方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015077779A1 (en) 2013-11-25 2015-05-28 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Laser liftoff of epitaxial thin film structures
KR102259259B1 (ko) 2014-10-14 2021-06-02 삼성전자주식회사 가변 저항 메모리 장치의 제조 방법
DE102015107661B4 (de) * 2015-05-15 2021-03-18 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Nitridverbindungshalbleiter-Bauelements
DE102017106888A1 (de) 2017-03-30 2018-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtdiodenchips und Leuchtdiodenchip
WO2018180765A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 日本電気株式会社 テクスチャ構造の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1423842A (zh) * 1999-12-03 2003-06-11 美商克立光学公司 藉由内部及外部光学组件之使用而加强发光二极管中的光放出
US20040113167A1 (en) * 2002-09-30 2004-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electromagnetic radiation emitting semiconductor chip and procedure for its production
CN101490859A (zh) * 2006-07-10 2009-07-22 卢森特技术有限公司 发光晶体结构
US20090206354A1 (en) * 2008-02-20 2009-08-20 Hitachi Cable, Ltd. Semiconductor light-emitting device
US20100059781A1 (en) * 2008-09-08 2010-03-11 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing same
CN101765924A (zh) * 2007-07-27 2010-06-30 Lg伊诺特有限公司 半导体发光器件和制造该半导体发光器件的方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0738194A (ja) * 1993-07-20 1995-02-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ及びその製造方法
DE19640594B4 (de) * 1996-10-01 2016-08-04 Osram Gmbh Bauelement
WO2002065556A1 (en) * 2001-02-15 2002-08-22 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor light emitting element and production therefor
TWI237402B (en) 2004-03-24 2005-08-01 Epistar Corp High luminant device
US7018859B2 (en) * 2004-06-28 2006-03-28 Epistar Corporation Method of fabricating AlGaInP light-emitting diode and structure thereof
US7161188B2 (en) * 2004-06-28 2007-01-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for fabricating semiconductor light emitting element
US7256483B2 (en) * 2004-10-28 2007-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package-integrated thin film LED
DE102005056604A1 (de) 2005-09-28 2007-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
US20090053845A1 (en) * 2005-11-14 2009-02-26 Palo Alto Research Center Incorporated Method For Controlling The Structure And Surface Qualities Of A Thin Film And Product Produced Thereby
US7692203B2 (en) * 2006-10-20 2010-04-06 Hitachi Cable, Ltd. Semiconductor light emitting device
WO2008060601A2 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 The Regents Of The University Of California High efficiency, white, single or multi-color light emitting diodes (leds) by index matching structures
US7977695B2 (en) * 2007-09-21 2011-07-12 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
KR101469979B1 (ko) * 2008-03-24 2014-12-05 엘지이노텍 주식회사 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법
JP2010114337A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Hitachi Cable Ltd 発光素子
US8288195B2 (en) * 2008-11-13 2012-10-16 Solexel, Inc. Method for fabricating a three-dimensional thin-film semiconductor substrate from a template
JP5297991B2 (ja) * 2009-12-11 2013-09-25 株式会社日立製作所 有機発光ダイオード及びこれを用いた光源装置
JP2011129718A (ja) * 2009-12-17 2011-06-30 Showa Denko Kk 基板、テンプレート基板、半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子を用いた照明装置および電子機器
DE102009060750B4 (de) * 2009-12-30 2025-04-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
KR101039988B1 (ko) * 2010-03-09 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
DE112011103543T5 (de) * 2010-10-22 2013-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierendes Element, lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
JP5521981B2 (ja) * 2010-11-08 2014-06-18 豊田合成株式会社 半導体発光素子の製造方法
US8154034B1 (en) * 2010-11-23 2012-04-10 Invenlux Limited Method for fabricating vertical light emitting devices and substrate assembly for the same
US8148252B1 (en) * 2011-03-02 2012-04-03 S.O.I. Tec Silicon On Insulator Technologies Methods of forming III/V semiconductor materials, and semiconductor structures formed using such methods

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1423842A (zh) * 1999-12-03 2003-06-11 美商克立光学公司 藉由内部及外部光学组件之使用而加强发光二极管中的光放出
US20040113167A1 (en) * 2002-09-30 2004-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electromagnetic radiation emitting semiconductor chip and procedure for its production
CN101490859A (zh) * 2006-07-10 2009-07-22 卢森特技术有限公司 发光晶体结构
CN101765924A (zh) * 2007-07-27 2010-06-30 Lg伊诺特有限公司 半导体发光器件和制造该半导体发光器件的方法
US20090206354A1 (en) * 2008-02-20 2009-08-20 Hitachi Cable, Ltd. Semiconductor light-emitting device
US20100059781A1 (en) * 2008-09-08 2010-03-11 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109290874A (zh) * 2017-07-25 2019-02-01 北京通美晶体技术有限公司 背面有橄榄形凹坑的磷化铟晶片、制法及所用腐蚀液
US11376703B2 (en) 2017-07-25 2022-07-05 Beijing Tongmei Xtal Technology Co., Ltd. Indium phosphide (InP) wafer having pits of olive-shape on the back side, method and etching solution for manufacturing the same
CN110412082A (zh) * 2019-06-20 2019-11-05 黄辉 一种半导体多孔晶体薄膜传感器及制备方法
CN111540816A (zh) * 2020-03-18 2020-08-14 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Led外延结构、led芯片及外延结构的制备方法

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Publication number Publication date
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