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CN103050060A - 显示装置 - Google Patents

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CN103050060A
CN103050060A CN2012100933813A CN201210093381A CN103050060A CN 103050060 A CN103050060 A CN 103050060A CN 2012100933813 A CN2012100933813 A CN 2012100933813A CN 201210093381 A CN201210093381 A CN 201210093381A CN 103050060 A CN103050060 A CN 103050060A
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CN
China
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electrostatic
display device
static
display
test element
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朴容焕
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Abstract

根据本发明一实施例的显示装置包括：具有显示图像的多个显示像素的显示部；以及具有在所述显示部的周边形成的多个虚拟像素的虚拟部；所述虚拟像素内部可以形成有静电测试元件组。从而，根据本发明一实施例的显示装置通过在显示部的周边所形成的虚拟像素内部形成静电测试元件组，使得静电测试元件组的静电晶体管的变化能够表示显示部内的晶体管的变化，从而可以加强监测工序中发生的静电。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置，尤其涉及显示图像的显示装置。
背景技术
为了确认制造显示装置的各个工序的实施结果是否达到较佳的状态，需要测量各个工序结果物的厚度、电阻、浓度、受污染的程度、临界值及器件的电学特性等，但是由于在测量过程中会使器件受损，因此对于工序特性而言，有时不能以实际基板为对象进行监测。
这种情况下，在形成有器件的基板的特定部分或者在另外的空白(blank)区域形成称做测试元件组(Test Element Group，简称为TEG)的图案并且相同地实施在形成有实际器件的基板实施的工序之后，测量测试元件组以评价相应的工序。
为了监测在显示装置的制造工序中发生的静电，在显示装置的周边区域形成包括晶体管的测试元件组并测量晶体管，从而由晶体管的变化监测静电。
但是，测试元件组内部的晶体管是独立形态的晶体管，其不能表示从整体上连接的、显示区域内部的多个晶体管。因此，即使测试元件组内部的晶体管因静电发生劣化，显示区域内部的晶体管也可以正常驱动，从而存在下述的缺点，即测试元件组内部的晶体管不能表示显示区域内部的晶体管。
如上所述，由于测试元件组内部的晶体管是独立结构，因此不能监测在柔性显示装置的保护膜装卸工序、膜划线(scribing)工序、激光剥离(Laser Lift Off，简称为LLO)工序以及模组(module)工序等中发生的静电。
发明内容
本发明的目的在于提供能够对工序中所发生的静电加强监测的显示装置。
根据本发明一实施例的显示装置包括：包括显示图像的多个显示像素的显示部；以及包括在所述显示部的周边形成的多个虚拟像素的虚拟部；所述虚拟像素内部可以形成有静电测试元件组。
所述静电测试元件组可以包括多个静电晶体管。
所述多个静电晶体管的静电源电极可以通过源连接部而互相连接。
所述多个静电晶体管的静电漏电极可以通过漏连接部而互相连接。
所述静电晶体管包括：与静电栅电极连接的静电栅焊盘；与所述静电源电极连接的静电源焊盘；以及与所述静电漏电极连接的静电漏焊盘；所述静电栅焊盘、静电源焊盘以及静电漏焊盘可以设置在相同的线上。
所述显示装置还可以包括围绕所述静电晶体管的单一护环。
所述单一护环的宽度可以为40μm至200μm。
所述单一护环可以由与所述静电栅电极或者所述静电漏电极相同的物质形成。
所述显示装置还可以包括围绕所述静电测试元件组的总护环。
所述总护环的宽度可以为40μm至200μm。
所述总护环可以由与所述静电栅电极或者所述静电漏电极相同的物质形成。
所述多个静电测试元件组可以与所述显示部的四个角落部相邻而成。
所述多个静电测试元件组可以沿着所述显示部的边缘形成。
根据本发明一实施例的显示装置通过在显示部的周边所形成的虚拟像素内部形成静电测试元件组，使得静电测试元件组的静电晶体管的变化能够表示显示部内的晶体管的变化，从而可以加强监测工序中发生的静电。
另外，由此通过正确地监测由静电引起的显示装置的不良，可以改善工序。
附图说明
图1是根据本发明第一实施例的显示装置的平面图；
图2是图1的A部分的放大图；
图3是在图2的虚拟像素上形成的静电测试元件组的平面图；
图4是沿着图3的IV-IV线截取的截面图；
图5是根据本发明第二实施例的显示装置的静电测试元件组的平面图；
图6是沿着图5的VI-VI线截取的截面图；
图7是显示单一护环(guard ring)的宽度小的显示装置在静电发生之前和之后静电晶体管的阈值电压变化的图表；
图8是显示单一护环的宽度小的显示装置在静电发生之前和之后静电晶体管的亚阈值斜率(Sub threshold Slope，简称为S.S)变化的图表；
图9是显示根据本发明第二实施例的显示装置在静电发生之前和之后静电晶体管的阈值电压变化的图表；
图10是显示根据本发明第二实施例的显示装置在静电发生之前和之后静电晶体管的亚阈值斜率(Sub threshold Slope，简称为S.S)变化的图表；
图11是根据本发明第三实施例的显示装置的平面图。
附图标记说明
1：总护环；            2：单一护环；
30：静电栅焊盘；       50：静电源焊盘；
60：静电漏焊盘；       73：源连接部；
75：漏连接部；         130：静电半导体层；
150：静电栅电极；      173：静电源电极；
175：静电漏电极；      400：静电测试元件组；
410：静电晶体管。
具体实施方式
下面，参考附图说明本发明的实施例，使得本发明所属技术领域的技术人员能够简单地实施本发明。本发明能够以多种不同的形态实施，而并不限于在此说明的实施例。
图1是根据本发明第一实施例的显示装置的平面图，图2是图1的A部分的放大图。
如图1所示，根据本发明第一实施例的显示装置100包括：显示基板110；覆盖显示基板110的密封部件210；以及设置在显示基板110和密封部件210之间的密封剂(sealant)350。
密封剂350是沿着密封部件210的边缘设置的，密封剂350使显示基板110与密封部件210互相贴合密封。下面，将被密封剂350围绕的、显示基板110和密封部件210之间的内部空间称为显示区域DA。另外，在显示区域DA形成有多个显示像素，从而显示图像。
密封部件210以相比显示基板110更小的尺寸形成。另外，未被密封部件210覆盖的显示基板110的一侧边缘可以设置(mount)有驱动电路芯片550。
显示基板110的边缘形成有将驱动电路芯片550和形成在被密封剂350密封的空间内部的器件电连接的多个导电排线510。从而，导电排线510和密封剂350是部分重叠的。
如图1和图2所示，密封剂350内部的显示区域DA包括：具有显示图像的多个显示像素191的显示部S；以及具有在显示部S的周边形成的多个虚拟像素192的虚拟部P。
显示像素191显示图像，虚拟像素192用于相对提高显示部S的可视性、修复显示像素或者防止因在制造工序中发生的周边部的不良所引起的显示不均匀性。
在这种虚拟像素192的内部形成有用于监测在显示装置的制造工序中发生的静电的静电测试元件组400。这种静电测试元件组400可以形成在显示部S的四个角落部。具体而言，静电测试元件组400可以形成于与显示部S中的四个角落部的显示部S相邻的虚拟部P的虚拟像素192上。如上所述，通过在与发生静电并易于汇聚的角落部相邻的虚拟像素192上形成静电测试元件组400，可以正确地监测由显示装置的静电引起的影响。
图3是在图2的虚拟像素上形成的静电测试元件组的平面图，图4是沿着图3的IV-IV线截取的截面图。
如图3所示，静电测试元件组400包括多个静电晶体管410。多个静电晶体管410形成为预定的行列。
一个静电晶体管410包括：静电半导体层130；与静电半导体层130部分重叠并且传输栅信号的静电栅电极150；以及各自与静电半导体层130的源区域133及漏区域135连接的静电源电极173及静电漏电极175。通过静电源电极173传输数据信号。
另外，静电晶体管410包括：与静电栅电极150连接的静电栅焊盘30；与静电源电极173连接的静电源焊盘50；以及与静电漏电极175连接的静电漏焊盘60。静电栅焊盘30、静电源焊盘50以及静电漏焊盘60较宽，使得能够与输入外部信号的探针(probe)接触。
从而，向静电栅焊盘30输入栅信号，此时通过测量经过静电源焊盘50及静电漏焊盘60的数据信号，可以测量由静电引起的静电晶体管410的变化。
如上所述，静电晶体管410形成在虚拟像素192的内部而非密封剂350外部的周边区域，从而可以正确地测量显示像素191的静电变化。
此时，一个静电晶体管410的静电源电极173通过源连接部73与相邻的静电晶体管410的静电源电极173连接，一个静电晶体管410的静电漏电极175通过漏连接部75与相邻的静电晶体管410的静电漏电极175连接。从而，多个静电晶体管410的静电源电极173都是互相连接的，并且静电漏电极175也都是互相连接的。
如上所述，与连接有晶体管的所有显示像素191相同，虚拟像素192也通过源连接部73和漏连接部75而互相连接，因此可以测量与显示像素的静电变化相同的静电变化。
在本实施例中，虽然形成有源连接部73和漏连接部75，但是还可以仅形成有源连接部73或者漏连接部75。
下面，参考图4详细地说明静电晶体管410的层状结构。
如图4所示，虚拟部P的基板111上形成有缓冲层120。并且，缓冲层120上形成有静电半导体层130，静电半导体层130和缓冲层上形成有栅绝缘膜140。并且，栅绝缘膜140上形成有静电栅电极150，静电栅电极150和栅绝缘膜140上形成有层间绝缘膜160。层间绝缘膜160上形成有静电源电极173及静电漏电极175，静电半导体层130的源区域133及漏区域135通过在层间绝缘膜160和栅绝缘膜140形成的开口部分别与静电源电极173及静电漏电极175连接。静电源电极173及静电漏电极175上形成有保护膜180。
另外，形成有总护环1，其中，总护环1围绕包括多个静电晶体管410的静电测试元件组400。总护环1围绕所有的多个静电晶体管410，并且可以由与静电栅电极150或者静电漏电极175相同的物质形成。另外，总护环1可以形成在与静电栅电极150或者静电漏电极175相同的层。从而，发生静电时，总护环1与静电晶体管410一起吸收静电，从而可以减少被静电晶体管410吸收的静电量，由此可以防止静电晶体管410发生劣化。
虽然在上述的第一实施例中形成有围绕静电测试元件组的总护环1，但是还可以形成有围绕一个静电晶体管的单一护环2。
下面，参考图5和图6说明本发明的第二实施例。
图5是根据本发明第二实施例的显示装置的静电测试元件组的平面图，图6是沿着图5的VI-VI线截取的截面图。
如图5和图6所示，根据本发明第二实施例的显示装置的静电晶体管410包括：静电半导体层130；与静电半导体层130部分重叠并且传榆栅信号的静电栅电极150；以及各自与静电半导体层130的源区域133及漏区域135连接的静电源电极173及静电漏电极175。这种静电晶体管410包括：与静电栅电极150连接的静电栅焊盘30；与静电源电极173连接的静电源焊盘50；以及与静电漏电极175连接的静电漏焊盘60。静电栅焊盘30、静电源焊盘50以及静电漏焊盘60较宽，使得能够与输入外部信号的探针(probe)接触。静电栅焊盘30、静电源焊盘50以及静电漏焊盘60设置在相同的线上。
形成有围绕一个静电晶体管410的单一护环2。单一护环2可以由与静电栅电极150或者静电漏电极175相同的物质形成。并且，单一护环2可以形成在与静电栅电极150或者静电漏电极175相同的层。
这种单一护环2在发生静电时与静电晶体管410一起吸收静电，从而可以减少被静电晶体管410吸收的静电量，由此可以防止静电晶体管410发生劣化。
单一护环2的宽度d可以在40μm至200μm。当单一护环2的宽度小于40μm时，单一护环2所吸收的静电量少，因此静电晶体管410容易发生劣化。另外，当单一护环2的宽度大于200μm时，单一护环2在虚拟部P所占的面积增加，从而会发生阴影区(dead space)增加的问题。
图7是显示单一护环的宽度小的显示装置在静电发生之前和之后静电晶体管的阈值电压Vth变化的图表，图8是显示单一护环的宽度小的显示装置在静电发生之前和之后静电晶体管的亚阈值斜率(Subthreshold Slope，简称为S.S)变化的图表，图9是显示根据本发明第二实施例的显示装置在静电发生之前和之后静电晶体管的阈值电压变化的图表，图10是显示根据本发明第二实施例的显示装置在静电发生之前和之后静电晶体管的亚阈值斜率(Sub threshold Slope，简称为S.S)变化的图表。
图7至图10是显示基于从基板分离显示装置的晶体管时发生的静电所引起的静电的、静电晶体管的特性变化的图表。
如图7和图8所示，单一护环2的宽度在40μm以下的情况下，若源电压与漏电压之差、即Vds为0.1V、5.1V、10.1V时，可知阈值电压和亚阈值斜率(Sub threshold Slope，S.S)在静电发生之前和之后有较大的变化。从而，静电晶体管410容易发生劣化。
但是，如图9和图10所示，本发明的实施例中单一护环2的宽度为40μm至200μm，可知阈值电压和亚阈值斜率(Sub threshold Slope，简称为S.S)在静电发生之前和之后没有变化。从而在根据本发明第二实施例的显示装置中，单一护环2在静电发生时吸收静电，从而静电晶体管410不发生劣化。
另外，虽然在上述的第一实施例中示出了多个静电测试元件组形成在显示部的四个角落部的情况，但是多个静电测试元件组还可以沿着显示部的边缘形成。
下面，参考图11说明本发明的第三实施例。
图11是根据本发明第三实施例的显示装置的平面图。
如图11所示，在根据本发明第三实施例的显示装置中，密封剂350内部的显示区域DA包括：具有显示图像的多个显示像素191的显示部S；以及具有在显示部S的周边形成的多个虚拟像素192的虚拟部P。
多个静电测试元件组400沿着显示部S的边缘形成在虚拟部P。静电测试元件组400形成在虚拟部P的虚拟像素192内部。如上所述，通过形成多个静电测试元件组400，从而可以正确地监测静电对显示装置产生的影响。
以上，对本发明的优选实施例进行了说明，但是本发明并不限于此，在不脱离权利要求书与发明内容以及附图的范围的情况下能够有多种变形，并且经变形的实施例依然属于本发明的保护范围内。

Claims (13)

1.一种显示装置，包括：
显示部，包括显示图像的多个显示像素；以及
虚拟部，包括形成在所述显示部的周边的多个虚拟像素；
在所述虚拟像素内部形成有静电测试元件组。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述静电测试元件组包括多个静电晶体管。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述多个静电晶体管的静电源电极是通过源连接部而互相连接的。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述多个静电晶体管的静电漏电极是通过漏连接部而互相连接的。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述静电晶体管包括：
静电栅焊盘，连接至静电栅电极；
静电源焊盘，连接至所述静电源电极；以及
静电漏焊盘，连接至所述静电漏电极；
所述静电栅焊盘、静电源焊盘以及静电漏焊盘设置在相同的线上。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，还包括：
单一护环，围绕所述静电晶体管。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述单一护环的宽度为40μm至200μm。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述单一护环由与所述静电栅电极或者所述静电漏电极相同的物质形成。
9.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，还包括：
总护环，围绕所述静电测试元件组。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述总护环的宽度为40μm至200μm。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，
所述总护环由与所述静电栅电极或者所述静电漏电极相同的物质形成。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
多个所述静电测试元件组与所述显示部的四个角落部相邻地形成。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
多个所述静电测试元件组沿着所述显示部的边缘形成。
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