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CN102667597A - 有源矩阵基板和显示装置 - Google Patents

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CN102667597A CN2010800552613A CN201080055261A CN102667597A CN 102667597 A CN102667597 A CN 102667597A CN 2010800552613 A CN2010800552613 A CN 2010800552613A CN 201080055261 A CN201080055261 A CN 201080055261A CN 102667597 A CN102667597 A CN 102667597A
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Abstract

本发明提供能抑制像素电极间的信号电压的偏差的有源矩阵基板。本发明的有源矩阵基板在绝缘基板上具备：多个像素电极，其配置为矩阵状；以及源极配线，其与在行方向上相邻的两个像素电极的双方重叠配置，在列方向上延伸，上述像素电极和上述源极配线隔着绝缘膜分别形成于不同的层，上述源极配线具有主线部和从上述主线部的两侧分别引伸设置的延出部，上述延出部包含透明导电材料。

Description

有源矩阵基板和显示装置
技术区域
本发明涉及有源矩阵基板和显示装置。更具体地说，涉及适合用作构成进行极性反转驱动的显示装置的基板的有源矩阵基板和具备上述有源矩阵基板的显示装置。
背景技术
近年来经常使用的电视机、个人计算机、便携电话等的显示装置通常是以玻璃等基板为基底制成的，在该基板上配置电路元件、控制元件等来完成显示装置。
在这些显示装置中，为了进行高精细的显示，设法在显示区域中将多个栅极配线设置在行方向上，将多个源极配线设置在列方向上，对每个像素设置具有透光性的像素电极和控制像素电极与各配线之间的电导通的开关元件来单独控制像素。
例如，液晶显示装置具有夹着液晶层的一对基板，使该一对基板中的一方为具有上述配线等的基板，由此能够对每个像素控制液晶层内的液晶分子的倾斜，能够实现高精细的液晶显示(例如，参照专利文献1。)。此外，也将使用薄膜晶体管(TFT：Thin FilmTransistor)等有源元件作为开关元件、以矩阵状配置有像素电极的基板称为有源矩阵基板。
构成像素电极的材料优选使用具有透光性的ITO(Indium TinOxide：铟锡氧化物)等金属氧化物，构成栅极配线、源极配线和具备TFT的电极的材料优选使用铝(Al)、铜(Cu)等电阻率小的金属，或者也优选使用铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)等金属。像素电极和各配线能够在使用溅射法等将这些材料层叠在基板上后，通过使用光刻法来图案化为所需形状而形成(例如，参照专利文献2。)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开昭61-137924号公报
专利文献2：特开2001-125134号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的发明人对经常用于显示装置的有源矩阵基板的构成进行种种研究时，着眼于如下方面：在如上述那样设置有各种配线和像素电极的有源矩阵基板中，当将源极配线和像素电极隔着绝缘膜分别设置于不同的层时，在像素电极和源极配线之间会形成一定量的静电电容(下面也称为耦合电容。)，有时该耦合电容会引起显示质量的恶化。
图43和图44是示出在像素电极和源极配线之间形成耦合电容的区域的平面示意图。图43示出未发生源极配线和像素电极的位置偏离的情况，图44示出发生源极配线和像素电极的位置偏离的情况。如图43所示，在像素电极311形成为矩阵状的情况下，通常源极配线313配置于各像素电极311的间隙。另外，同时将源极配线313和像素电极311隔着绝缘膜设置于不同的层，由此与将它们配置于相同的层的情况相比，能扩大像素电极311的面积，能够使开口率提高，因此通常在源极配线313和像素电极311之间设置绝缘膜。在这种情况下，源极配线313和像素电极311会部分重叠，因此在重叠的区域中会产生耦合电容。此外，耦合电容的大小与它们重叠的面积成比例。
可是，由于形成源极配线313的层和形成像素电极311的层不同，实际上源极配线313和像素电极311的位置偏离会导致形成如图44所示源极配线313的中心线和相邻的像素电极311的间隙的中心线偏离的配置构成。
这样的位置偏离，例如在相邻的像素电极311间使用极性不同的驱动方式的情况下可能产生如下缺陷。对像素电极311的信号电压通过源极配线313来施加，因此在使施加于像素电极311的电压的极性在相邻的像素间不同的情况下，相互相邻的源极配线313会提供极性相互不同的信号电压。这样的话，每1个像素电极311(+)或者像素电极311(-)就与极性相互不同的2个源极配线313(+)和源极配线313(-)分别重叠，与上述2个源极配线313(+)和源极配线313(-)分别形成耦合电容。这时，如果位置偏离导致像素电极311(+)或者像素电极311(-)与上述2个源极配线313(+)和源极配线313(-)各自重叠的面积相互不同，与像素电极311之间形成的耦合电容的大小就会按每个像素电极311而不同。并且，由于该影响，各像素电极311所保持的信号电压的大小也会在像素电极311间不同，因而在每个像素中产生亮度不均，引起显示质量的恶化。
本发明是鉴于上述现状而完成的，目的在于提供能抑制像素电极间的信号电压的偏差的有源矩阵基板和能够抑制像素电极间的信号电压的偏差导致的显示质量的恶化并且不使开口率下降就能减少内部反射的显示装置。
用于解决问题的方案
本发明的发明人着眼于如下方面：扩大源极配线和像素电极的重叠面积，由此将相对于一个源极配线的重叠的像素电极的面积调整为在相邻的像素电极间不会大不相同，从而能够抑制各像素电极保持的信号电压的偏差。
另一方面，本发明的发明人着眼于如下情形：当将源极配线的面积扩大至与像素电极重叠的区域时，源极配线具有遮光性从而导致像素的开口率下降，在应用于显示装置时，外光会在源极配线的表面反射，例如在显示画面内发生由外光导致的来自内部的反射引起的荧光灯等的映入，有时会使显示质量下降。此外，根据本发明的发明人的研究，这种内部反射导致的影响在对显示装置的显示画面进行了粘贴低反射膜等低反射处理时特别显著地显现。
另外，可以考虑使用ITO等具有透光性的金属氧化物来形成源极配线的整体，但是这样的话，ITO的电阻率会过高，因而无法对所有的像素电极施加充分的信号电压。
因此，本发明的发明人进行了锐意研究，发现：对源极配线设置从其两侧引伸出一定宽度的源极配线的延出部，并且在该延出部中使用具有透光性的导电材料，由此可以不使开口率下降，且能够抑制在相邻的像素间形成的耦合电容产生差异。从而本发明的发明人想到能够很好地解决上述问题，达成了本发明。
即，本发明是一种有源矩阵基板，在绝缘基板上具备：多个像素电极，其配置为矩阵状；以及源极配线，其与在行方向上相邻的两个像素电极的双方重叠配置，在列方向上延伸，上述像素电极和上述源极配线隔着绝缘膜分别形成于不同的层，上述源极配线具有主线部和从上述主线部的两侧分别引伸设置的延出部，上述延出部包含透明导电材料。
本发明的有源矩阵基板在绝缘基板上具备：多个像素电极，其配置为矩阵状；以及源极配线，其与在行方向上相邻的两个像素电极的双方重叠配置，在列方向上延伸。源极配线是能够对像素电极提供信号电压的配线，像素电极按照从源极配线提供的信号电压的大小而带电。
上述像素电极和上述源极配线隔着绝缘膜分别形成于不同的层。由此，与将像素电极和源极配线配置于同一层的情况相比，能够扩大像素电极的面积，能够使开口率提高。并且，在将像素电极扩大至与源极配线的一部分重叠的区域时，在源极配线和像素电极之间会形成一定量的耦合电容。此外，在本发明中，与一个像素电极重叠的区域对应于一个像素。
上述源极配线具有主线部和从上述主线部的两侧分别引伸设置的延出部，上述延出部包含透明导电材料。源极配线的主线部是在源极配线整体中主要发挥从源极驱动器等供给源对像素电极提供信号电压的作用的部位。源极配线的延出部是主要发挥调整相邻的像素电极的耦合电容的大小的作用的部位，由此能够抑制各像素电极的信号电压的偏差。上述延出部包含透明导电材料，因此能防止源极配线导致的遮光，并且也可以减少在源极配线的表面反射的光。
作为本发明的有源矩阵基板的构成，只要是必须形成上述构成要素即可，对其它的构成要素没有特别限制。下面具体说明本发明的有源矩阵基板的优选方式。
优选在上述行方向上相邻的两个像素电极的电位极性相互不同。由此，在将本发明的有源矩阵基板应用于显示装置时，能够防止在显示中产生闪烁、残影等，并且能够抑制在各像素电极中耦合电容产生偏差，能够抑制发生亮度不均。
优选上述主线部包括：包含上述透明导电材料的层和包含电阻率比上述透明导电材料低的导电材料的层的叠层。当由用于源极配线的延出部的透明导电材料来形成源极配线的主线部的整体时，源极配线的整体的电阻会变得过大，有可能使信号电压的传递速度下降。因此，使电阻率比用于延出部的透明导电材料低的电极重合，由此能够高效地抑制源极配线整体的电阻的增加。更优选包含上述透明导电材料的层是形成于与包含电阻率比上述透明导电材料低的导电材料的层相比靠绝缘基板侧的方式，由此，能够使光刻法中的制造工序高效化。
上述电阻率比透明导电材料低的导电材料优选铝或者铜。在使用铝的情况下，优选在包含铝构成的层和包含上述透明导电性材料的层之间插入包含铬、钛、钽或者钼的材料的层。由此，能够预防接触电位差导致的腐蚀。另外，与铝、铜相比，钛和钽的反射率低，因此优选在包含铝或者铜的层的上部(与绝缘基板侧相反的一侧)还配置这些层。
优选上述源极配线与上述像素电极间通过薄膜晶体管和从上述薄膜晶体管引出的漏极配线连接，上述漏极配线包含上述透明导电材料。在上述源极配线和上述像素电极之间设置薄膜晶体管，由此能够控制像素电极的信号电压的导通和截止。薄膜晶体管能够通过漏极配线与像素电极连接，但是对于该漏极配线也使用上述源极配线的延出部所用的透明导电材料来形成，由此能够得到漏极配线导致的遮光部的减少和漏极配线的表面的反射减少的效果。
本发明还是具备上述有源矩阵基板的显示装置。根据本发明的有源矩阵基板，能够抑制像素电极间的信号电压的偏差导致的显示质量的恶化，并且不使开口率下降就能够减少内部反射。
在上述显示装置中，优选在构成显示面的构件的最表面具有防反射膜。另外，优选上述显示装置具有前面板和粘贴于上述前面板的一面或者两面上的防反射膜。而且，优选粘贴有上述防反射膜的面的反射率在可见光范围内为0.5％以下。本发明的有源矩阵基板在应用于显示装置时能够抑制显示装置的内部反射，因此特别适用于将能够防止表面反射的防反射膜粘贴于构成该显示装置的显示面的构件的最表面的显示装置，并且在具有前面板的情况下特别适用于在前面板的一面或者两面上粘贴有防反射膜的显示装置。
上述前面板的一个例子可以举出例如在游戏机、便携电话、笔记本型的个人计算机等的面板的前方保护显示面板的保护板。
上述防反射膜的优选例可以举出：(1)通过光的干涉使反射光减少的LR(Low Reflection：低反射)膜或者AR(Anti Reflection：抗反射)膜，(2)在表面上具有相邻凸部的顶点间的宽度为可见光波长以下的多个凸部的蛾眼膜。此外，通过上述(2)的蛾眼膜，能够大致可靠地将构成显示面的构件的最表面的反射率降至0.5％以下。
本发明的发明人在上述防反射膜中实际制作了蛾眼膜，将其设置于构成显示装置的面板的面上来验证其效果时，抑制了在面板或者前面板的表面反射的光(表面反射)，由此发现至今未被注意的面板内部的结构导致的反射(内部反射)会妨碍视认性的提高。
面板的内部反射是用于面板的内部结构的材料堆积为层状导致在各层间产生界面，隔着该界面不同的层具有折射率差而发生的。其中控制显示驱动的配线即金属配线导致的反射的影响大。这样的金属配线可以举出用于源极配线、漏极配线、辅助电容配线(CS配线)等的部位，对于背光源光等来自内部侧的光能够用作黑矩阵。然而，这样的金属配线也能够从面板表面侧(外界侧)直接观察，因此当光在这些金属配线的表面反射时，该反射光会原样出射至外界，对显示给予直接影响。另外，使用了铝(Al)的材料经常用作金属配线的材料，因而反射率高，对内部反射贡献大。
对此，本发明的显示装置对从外界能够直接观察的金属配线使用透明的材料，可以抑制光在金属配线的表面的反射，并且使像素透射率提高。通过透明电极化，折射率界面依然保留，但是与金属配线的表面反射相比反射量减少，因此作为整体可以减少反射光。
当显示装置内的构件导致的外光的反射(内部反射)增加，本来用作显示光的光(例如，从液晶显示装置的背光源出射的光)和由外光反射而成的光混合时，本来应该使用的显示光会被显著阻碍。例如，在明亮的房间中当显示装置的周围有成为光源、2次光源的白墙等时，它们会映入显示装置的显示画面，显示装置的显示画面中映现的图像变得难以看到。特别是，如果显示装置显示的是黑色，映入的东西会看得更清楚，无法识别为黑色显示。这样的话，显示画面内的对比度会极度下降，因此如果不防止这样的映入，就无法在周围明亮的环境下提高对比度。
另外，如上所述，在完成粘贴防反射膜等用来抑制表面反射的处理的情况下，内部反射的影响会特别显著地显现。因此，在抑制显示装置的表面反射时抑制内部反射的影响是特别有效的，能够实现抑制了对比度下降的高质量的显示。
发明效果
根据本发明的有源矩阵基板，能够抑制像素电极间的信号电压的偏差。另外，根据本发明的显示装置，能够抑制像素电极间的信号电压的偏差，并且不使开口率下降就能够抑制内部反射，因此能够得到高质量的显示。
附图说明
图1是示出实施方式1的有源矩阵基板的像素构成的平面示意图。
图2是实施方式1的有源矩阵基板的源极配线的放大示意图。
图3是沿着图2的A-B线的截面示意图。
图4是示出实施方式1的显示装置的像素电极所具有的极性的平面示意图。
图5是示出实施方式1的源极配线的主线部和耦合部的制造流程的截面示意图，示出形成了栅极绝缘膜的阶段。
图6是示出实施方式1的源极配线的主线部和耦合部的制造流程的截面示意图，示出形成了ITO层、Ti层和Al层的阶段。
图7是示出实施方式1的源极配线的主线部和耦合部的制造流程的截面示意图，示出进行了曝光的阶段。
图8是示出实施方式1的源极配线的主线部和耦合部的制造流程的截面示意图，示出进行了显影的阶段。
图9是示出实施方式1的源极配线的主线部和耦合部的制造流程的截面示意图，示出进行了蚀刻的阶段。
图10是示出实施方式1的源极配线的主线部和耦合部的制造流程的截面示意图，示出除去了部分抗蚀剂的阶段。
图11是示出实施方式1的源极配线的主线部和耦合部的制造流程的截面示意图，示出形成了源极配线的耦合部的阶段。
图12是示出实施方式1的源极配线的主线部和耦合部的制造流程的截面示意图，示出形成了源极配线的主线部的阶段。
图13是示出实施方式1的源极配线的主线部和耦合部的制造流程的截面示意图，示出形成了像素电极的阶段。
图14是示出实施方式1的变形例的截面示意图。
图15是示出实施方式1的显示装置的各层的截面示意图。
图16是示出实施方式1的有源矩阵基板的制造流程的平面示意图，示出形成了栅极配线和CS配线的阶段。
图17是示出实施方式1的有源矩阵基板的制造流程的平面示意图，示出形成了SiNx层、a-Si层和n+Si层的阶段。
图18是示出实施方式1的有源矩阵基板的制造流程的平面示意图，示出形成了半导体层的阶段。
图19是示出实施方式1的有源矩阵基板的制造流程的平面示意图，示出形成了成为透明导电层和源极配线的金属层而且涂敷了抗蚀剂的阶段。
图20是示出实施方式1的有源矩阵基板的制造流程的平面示意图，示出进行曝光和显影后对成为透明导电层和源极配线的金属层的一部分进行了蚀刻的阶段。
图21是示出实施方式1的有源矩阵基板的制造流程的平面示意图，示出除去了部分抗蚀剂的阶段。
图22是示出实施方式1的有源矩阵基板的制造流程的平面示意图，示出形成了源极配线的阶段。
图23是示出实施方式1的有源矩阵基板的制造流程的平面示意图，示出涂敷了丙烯酸系抗蚀剂的阶段。
图24是示出实施方式1的有源矩阵基板的制造流程的平面示意图，示出进行了曝光和显影的阶段。
图25是示出实施方式1的有源矩阵基板的制造流程的平面示意图，示出形成了ITO层的阶段。
图26是示出实施方式1的有源矩阵基板的制造流程的平面示意图，示出形成了像素电极的阶段。
图27是参考方式1的有源矩阵基板的源极配线的放大示意图。
图28是参考方式1的有源矩阵基板的光学显微镜照片。
图29是实施方式2的有源矩阵基板的源极配线的放大示意图。
图30是沿着图29的C-D线的截面示意图。
图31是实施方式3的有源矩阵基板的源极配线的放大示意图。
图32是沿着图31的E-F线的截面示意图。
图33是示出防反射膜被配置在保护板上的实施方式4的显示装置的截面示意图，示出使用了光干涉膜的情况。
图34是示出防反射膜被配置在保护板上的实施方式4的显示装置的截面示意图，示出使用了蛾眼膜的情况。
图35是示出LR膜、AR膜等光干涉膜实现低反射的原理的示意图。
图36是示出蛾眼膜实现低反射的原理的示意图，示出蛾眼膜的截面结构。
图37是示出蛾眼膜实现低反射的原理的示意图，示出入射至蛾眼膜的光所感知的折射率。
图38是将实施方式4的显示装置所具有的蛾眼膜的表面放大的立体图，示出凸部的单位结构为圆锥状的时候。
图39是将实施方式4的显示装置所具有的蛾眼膜的表面放大的立体图，示出凸部的单位结构为四棱锥状的时候。
图40是将实施方式4的显示装置所具有的蛾眼膜的表面放大的立体图，示出凸部的单位结构为从顶点到底点的倾斜是带有圆形的圆顶(铃)状的时候。
图41是将实施方式4的显示装置所具有的蛾眼膜的表面放大的立体图，示出凸部的单位结构为从顶点到底点的倾斜是陡峭的针状的时候。
图42是比较AR膜、LR膜和蛾眼膜的各自的反射光谱的图。
图43是示出在像素电极和源极配线之间形成耦合电容的区域的平面示意图，示出未发生源极配线和像素电极的位置偏离的情况。
图44是示出在像素电极和源极配线之间形成耦合电容的区域的平面示意图，示出发生了源极配线和像素电极的位置偏离的情况。
具体实施方式
下面列举实施方式进一步具体说明本发明，但本发明不限于这些实施方式。
实施方式1
实施方式1是应用了本发明的有源矩阵基板的本发明的显示装置的一个例子。实施方式1的显示装置具备液晶显示面板，该液晶显示面板具有一对基板和被该一对基板夹着的液晶层，该一对基板包括具备像素电极、TFT等的有源矩阵基板和具备彩色滤光片、黑矩阵等的彩色滤光片基板。
在实施方式1中，有源矩阵基板具有玻璃基板(绝缘基板)作为基底，在玻璃基板上矩阵状排列有多个像素电极11，能够对每个像素电极11进行液晶的驱动控制。
图1是示出实施方式1的有源矩阵基板的像素构成的平面示意图。在实施方式1的有源矩阵基板中，区别于配置有像素电极11的层，分别隔着绝缘膜设置有配置栅极配线12、源极配线13、漏极配线15、保持电容配线(CS配线)17等各种配线的层。此外，该各种配线不需要全部设置于各自不同的层，例如，能够使用同一材料将栅极配线12和CS配线17形成于同一层或者使用同一材料将源极配线13和漏极配线15形成于同一层，由此，可以谋求制造效率的提高。
如图1所示，栅极配线12在像素电极11的行方向上延伸配置，与在列方向上相邻的2个像素电极11的间隙重叠。源极配线13在列方向上延伸配置，隔着绝缘膜与栅极配线12交叉配置。在栅极配线12和源极配线13的交点附近配置有作为像素驱动用的开关元件的TFT19。利用TFT19，能够根据从栅极配线12送来的栅极电压的定时来控制对像素电极11施加从源极配线13送来的信号电压的定时。此外，在实施方式1中，在每一个由栅极配线和源极配线包围的区域中配置有两个像素电极11，采用能够利用一个栅极配线12来控制隔着上述栅极配线12位于两侧的像素电极11的双方的所谓多像素驱动方式。
TFT19是三端子型的场效应晶体管，具有栅极电极、源极电极和漏极电极3个电极。栅极电极与栅极配线12连接，源极电极与源极配线13连接。另外，从TFT19的漏极电极向子像素的中央引出漏极配线15。并且，在与位于像素的中央部分的漏极配线15重叠的绝缘膜中设置有接触孔16，漏极配线15与像素电极11通过该接触孔16电连接。
在实施方式1中，在栅极配线12的行间，CS配线17在行方向上延伸配置。CS配线17在像素的中央部隔着绝缘膜与漏极配线15重叠配置，在其与漏极配线15之间能够形成一定量的保持电容。栅极配线12、CS配线17等各种配线可以举出例如层叠了包含铝(Al)、铜(Cu)的层与在它们的下面和上面包含氮化钽(TaN)、氮化钛(TiN)、钼(Mo)等的层的结构。另外，在源极配线13的主线部中使用同样的导电材料，但是在源极配线13的耦合部和漏极配线15中，不是这样的具有遮光性的导电材料，而是使用具有透明性的导电材料。
在实施方式1中，源极配线13具有弯曲点，以该弯曲点为边界形成横断部，横断部形成为横穿在行方向上相邻的2个像素电极11的间隙。如此，源极配线13的主线部作为整体具有锯齿形状。由此1个源极配线13与相邻的2个像素电极11分别重叠配置。据此，与源极配线13为直线状的情况相比，以更宽的面积重叠于像素电极11，因此即使是在产生对准偏离的情况下，也能够抑制在像素电极11与源极配线13之间形成的耦合电容在各像素电极11间有偏差。另外，在实施方式1中，耦合部由具有透明性的ITO形成，因此能够减少因源极配线存在于可以直接观察的位置导致的内部反射的发生。
图2是实施方式1的有源矩阵基板的源极配线的放大示意图。源极配线13具有在列方向上延伸的主线部13A和从主线部13A的两侧分别引伸出一定面积设置的耦合部(延出部)13B。耦合部13B在横穿在行方向上相邻的像素电极11的间隙的源极配线的主线部13A的左方和右方分别设置有一个。左方的耦合部13B的面积和右方的耦合部13B的面积实质上是相同的。耦合部13B均具有像素电极11的长边的大致一半的长度，耦合部13B的形状均具有矩形。在图2中图示了耦合部为矩形，但没有特别限制，只要能够充分得到本发明的效果，就能够适当变更。
图2中的灰色部分示出形成黑矩阵21的区域。在实施方式1中，黑矩阵21以与像素电极11的间隙重叠的方式形成于彩色滤光片基板(相对基板)。由此，能够抑制因发生位于像素电极11的间隙附近的液晶分子的取向的紊乱(disclination：向错)而导致的漏光，能够提高对比度。黑矩阵21只要是具有遮光性的材料即可，可以包含绝缘材料，也可以包含导电材料。
源极配线13的耦合部(延出部)13B的材料可以举出具有透光性的ITO、IZO(Indium Zinc Oxide：铟锌氧化物)、AZO(AluminumZinc Oxide：锌铝氧化物)等金属氧化物，在制造加工的容易度方面更优选ITO。它们具有透光性，因此能够抑制在使用通常的金属构件的情况下发生的外光反射。在使用以上述的铝为主材料的金属材料来形成源极配线13的耦合部13B的情况下，外光会在源极配线13的表面上反射，例如，产生荧光灯的显示画面内的映入，使显示质量下降。也可以考虑使用黑矩阵21覆盖源极配线13来防止反射，但是开口率会减少。另一方面，在由ITO等具有透光性的金属氧化物来形成源极配线13的整体的情况下，电阻会增大，导致无法对所有的像素电极施加充分的信号电压，会发生显示不良。
因此，在实施方式1中，除具有透光性的金属氧化物以外，还使用上述的铝(Al)、铜(Cu)等电阻率小的金属或者铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)等金属材料来形成主线部13A，仅使用上述的金属氧化物来形成耦合部13B，由此，可以对各像素电极11施加均等大小的信号电压，并且能够进行开口率的提高和内部反射的抑制。
图3是沿着图2的A-B线的截面示意图。如图3所示，在实施方式1中有源矩阵基板在玻璃基板(绝缘基板)10上具有源极配线13和像素电极11。并且，在相对基板的覆盖各像素电极11的边缘部分的位置配置有黑矩阵21。
在实施方式1的源极配线13中，主线部是自玻璃基板10侧起按ITO层13a、钛(Ti)层13b和铝(Al)层13c的顺序层叠构成的，耦合部仅由ITO层13a构成。Ti层13b作为用来使Al层13c和ITO层13a不直接相接而插入的金属是优选的金属，也发挥使它们紧贴的功能。当ITO层13a和Al层13c直接相接时，接触电动势会导致Al层容易腐蚀，因此优选配置Ti层13b作为中间层。
根据实施方式1的配置构成，特别是在相邻的像素电极11具有不同极性的情况下是有利的。在配置为彼此相邻的2个像素电极11的极性相互不同的情况下且像素电极11和源极配线13重叠的面积在各像素电极11间大不相同的情况下，与源极配线13之间形成的耦合电容的大小会在各像素电极11间不同，像素电极11保持的电压产生差异。然而，通过设置上述的耦合部，能使像素电极11和源极配线13重叠的面积容易在像素电极11间大致相同，因此能缩小像素电极11间的电压的差异来抑制亮度不均的发生，能够保证各像素的显示质量。
图4是示出实施方式1的显示装置的像素电极具有的极性的平面示意图。在实施方式1中像素电极的驱动方式是点反转驱动方式。点反转驱动是对排列在行方向和列方向上的各像素电极施加相反极性的信号的驱动方式。因而，实施方式1的像素电极如图4所示在行方向和列方向上均按+、-、+、-的顺序极性不同地配置。这样的极性能够使用与栅极配线连接的栅极驱动器和与源极配线连接的源极驱动器来变换。通过点反转驱动，能够有效抑制闪烁的发生。
根据实施方式1的构成，即使是在相邻的像素电极11具有不同极性的情况下也能保证显示质量，因此可以抑制闪烁的发生，并且防止由于像素电极11间的亮度在彼此相邻时不同而导致的亮度不均，且防止在像素电极11彼此的空隙间发生的漏光来使对比度提高，能够得到高质量的显示。
下面对源极配线的主线部和耦合部的制造方法使用截面图进行说明。图5～13是示出实施方式1的源极配线的主线部和耦合部的制造流程的截面示意图，各图分别示出各个制造阶段。此外，在此省略TFT基板的栅极配线、半导体形成部，从源极配线的形成进行说明。
首先，如图5所示，准备在表面上形成有栅极绝缘膜51的玻璃基板10。在此，栅极配线形成、半导体形成已经结束，在图5中省略了。接着，如图6所示，在栅极绝缘膜51上依次使用溅射法形成ITO层13a、Ti层13b和Al层13c。接着，如图7所示，在表面整体上涂敷加工用的抗蚀剂32，然后通过掩模41进行曝光。这时，将掩模41配置为使遮光部41a位于与形成源极配线13的主线部的区域重叠的位置，半色调部41b位于与形成源极配线13的耦合部的区域重叠的位置，透光部41c位于与不形成源极配线的区域重叠的位置。此外，在本制造方法中使用正型抗蚀剂作为抗蚀剂32。
掩模41的半色调部41b能够通过例如精细地形成多个狭缝、使用灰色色调(颜色变淡)来形成，由此能够使光的透射量减少来调节曝光量。
接着，如图8所示，进行显影，保留必要部分的抗蚀剂32，并且除去剩余的抗蚀剂32。抗蚀剂32的厚度可以按照上述的曝光工序中的曝光量来调节，因此通过掩模41的半色调部曝光的部位与由于掩模41的遮光部41a而未被曝光的部位相比，显影后的抗蚀剂32的厚度更薄。作为曝光量，优选掩模41的半色调部41b与掩模41的透光部41c相比调节为大致一半。
接着，如图9所示，进行蚀刻，除去位于栅极绝缘膜51上的层即ITO层13a、Ti层13b和Al层13c。在Ti层13b和Al层13c的蚀刻中使用氯系气体，在ITO层13a的蚀刻中使用草酸，由此能够分别除去。此外，根据含氯气体的种类，ITO层13a也可以一并蚀刻
接着，如图10所示，进行氧灰化(oxygen ashing)，对抗蚀剂32进行回蚀，除去抗蚀剂32直到通过半色调部41b曝光的部位全部被除去为止。
接着，如图11所示，进行使用氯系气体的干式蚀刻，仅除去Ti层13b和Al层13c，进行蚀刻直到ITO层13a(源极配线的耦合部)的表面露出为止。另外，在使用氯系气体的蚀刻中ITO层13a受损或者无法取得与Ti层13b的选择比的情况下，可以变更为氟系气体来蚀刻Ti层13b。
接着，如图12所示，剥离抗蚀剂32或者进行氧灰化，由此进行蚀刻直到Al层13c(源极配线的主线部)的表面露出为止。
接着，如图13所示，在源极配线上形成钝化膜52后，在钝化膜52上形成层间绝缘膜53。栅极绝缘膜51的材料可以举出例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)，钝化膜52的材料可以举出例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)，层间绝缘膜53的材料可以举出例如丙烯酸树脂。并且，以ITO为材料形成像素电极11。
这样，就能完成包含耦合部13B和主线部13A的源极配线13，上述耦合部13B仅由具有透光性的导电材料形成，上述主线部13A由电阻率比该具有透光性的导电材料低、具有遮光性的导电材料形成。
作为配线整体的电阻值有电阻率低的部分，因此与仅由ITO形成的情况相比，能够实现低电阻。另一方面，ITO不仅使光通过，还可以没有问题地有助于耦合电容的形成，因此能够获得形成耦合电容的量的面积。
如图14所示，作为实施方式1的变形例，也可以使用以ITO层13a为源极配线的主线部的最上层的方式而形成的构成。在这种情况下，优选源极配线的主线部是按Ti层13b、Al层13c、Ti层13b和ITO层13a的顺序自玻璃基板10侧起将它们层叠而构成的。图14是示出实施方式1的变形例的截面示意图。
在上述的变形例中，层叠Ti层13b、Al层13c和Ti层13b，进行一次图案化工序，然后需要形成ITO层13a，因此与连续溅射ITO层、Ti层和Al层然后使用半色调掩模对整体进行一次图案化的实施方式1的方法相比，会增加ITO层的图案化的形成所需的量的制造工序，但是作为耦合电容的形成和内部反射的减少，能够取得与实施方式1同样的效果。
图15是示出根据实施方式1的显示装置的制造方法制作的各层的截面示意图，并记载有各自的折射率。
如图15所示，在实施方式1中液晶显示面板自背面侧起向着观察面侧按顺序层叠并具备如下各层：偏振板(折射率n＝1.5)、玻璃基板(折射率n＝1.5)、栅极绝缘膜(SiNx：折射率n＝2.0)、钝化膜(SiNx：折射率n＝2.0)、ITO层(折射率n＝1.9)以及Al层、层间绝缘膜(丙烯酸树脂：折射率n＝1.5)、ITO层(折射率n＝1.9)、液晶层(折射率n＝1.5)，ITO层(折射率n＝1.9)、彩色滤光片(CF)树脂(折射率n＝1.5)、玻璃基板(折射率n＝1.5)、偏振板(折射率n＝1.5)。
在实施方式1中，源极配线的耦合部和像素电极形成于ITO层，在源极配线的耦合部和像素电极之间具有以丙烯酸树脂为材料的层间绝缘膜，上述丙烯酸树脂具有与ITO层的折射率(n＝1.9)不同的折射率(n＝1.5)。因此，与以SiNx为材料的钝化膜(折射率n＝2.0)和以丙烯酸树脂为材料的层间绝缘膜(折射率n＝1.5)直接相接的以往的情况不同，在实施方式1中，在它们的层间隔着具有它们之间的折射率的ITO层(折射率n＝1.9)，因此与钝化膜和层间绝缘膜直接相接的情况相比折射率的变化缓和了。因而，实施方式1是更不易发生反射的方式。
具体地说，与在折射率为1.5的层和折射率为2.0的层之间的界面上发生的反射是R＝(2.0-1.5)2/(2.0+1.5)2＝2.0％相比，在折射率为1.5的层和折射率为1.9的层之间的界面上发生的反射是R＝(1.9-1.5)2/(1.9+1.5)2＝1.4％，在折射率为1.9的层和折射率为2.0的层之间的界面上发生的反射是R＝(2.0-1.9)2/(2.0+1.9)2＝0.00066％，因此在整体上可以得到的反射率的减少效果。此外，反射率的测定能够使用例如分光测色计CMI-2002(柯尼卡美能达公司制)。
下面对实施方式1的有源矩阵基板的制造方法是使用平面图进行说明。图16～26是示出实施方式1的有源矩阵基板的制造流程的平面示意图，各图示出各个制造阶段。
首先，准备玻璃基板，在玻璃基板上使用溅射法连续形成Ti层、Al层和Ti层。接着，涂敷抗蚀剂，实施预焙，调节掩模的遮光部的位置使得形成栅极配线和CS配线的区域被遮光，曝光抗蚀剂，进行显影。然后，进行干式蚀刻，削去Ti层、Al层和Ti层的叠层的一部分，按抗蚀剂图案进行配线图案化。其后，剥离抗蚀剂，如图16所示，形成栅极配线12和CS配线17的图案。
接着，如图17所示，在包含栅极配线12上和CS配线17上的整体上依次层叠形成成为栅极绝缘膜的材料的SiNx层、成为半导体层的材料的a-Si(非晶硅)层和n+Si(氮掺杂硅)层31。SiNx层、a-Si层和n+Si层31能够使用例如CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法形成。
接着，在n+Si层上涂敷抗蚀剂，调节掩模的位置使得形成TFT的半导体层的区域被遮光，曝光抗蚀剂，进行显影。然后，进行干式蚀刻，如图18所示，削去a-Si层和n+Si层31的叠层的一部分，按抗蚀剂图案使a-Si层和n+Si层部分残存，形成半导体层18。
接着，使用溅射法连续形成ITO层、Ti层和Al层，再如图19所示，在整体上涂敷抗蚀剂32。
接着，对抗蚀剂32实施预焙，调节掩模使得掩模的遮光部位于与形成源极配线的主线部的区域重叠的位置、半色调部位于与形成源极配线的耦合部的区域和形成漏极配线的区域重叠的位置，然后进行曝光和显影。由此，能够较低地形成与源极配线的耦合部和与漏极配线重叠的区域的抗蚀剂的膜厚。
对抗蚀剂32照射一定量的光的部位会由于显影液而发生溶解，因此在已进行曝光的部位和已进行曝光但未充分进行曝光的区域中，会由显影处理引起抗蚀剂的溶解，分开形成为残存抗蚀剂的区域、残存抗蚀剂但膜厚更薄的区域和不残存抗蚀剂的区域。
接着，进行用来除去层叠的金属配线的一部分的工序。首先，如图20所示，对包含ITO层、Ti层和Al层的叠层的源极配线和成为漏极配线的金属层的一部分进行蚀刻。接着，进行氧灰化，如图21所示，除去抗蚀剂直到进行了半曝光的抗蚀剂32消失为止。进行了半曝光的区域是残存抗蚀剂但膜厚更薄的区域，因此即使进行了半曝光的抗蚀剂消失，在已进行曝光的区域中，抗蚀剂32还会残存。由此，露出Al层13c的表面。
接着，如图22所示，对进行了半曝光的区域中的金属配线进行蚀刻到ITO层13a的表面露出为止。通过进行使用氯系气体的干式蚀刻，蚀刻能够除去Ti层和Al层。此外，在使用氯系气体的蚀刻中，也有对ITO层13a造成损坏或连ITO层13a也被蚀刻的事情。因此，需要适当换成氟系的蚀刻气体或使用含氟的氯系气体等来调整ITO层13a和Ti层13b的选择比。这是由于ITO不易受到氟系气体的损坏。而且，继续用氟系气体对在半导体元件的源极、漏极间残留的n+硅层进行蚀刻。由此，露出ITO层13a的表面，形成源极配线的耦合部。并且在最后，剥离抗蚀剂，使Al层13c的表面露出，由此完成源极配线。
接着，在整个面形成钝化膜(SiNx)，然后如图23所示，涂敷成为层间绝缘膜的材料的丙烯酸系抗蚀剂33，将掩模的透光部配置在形成连接像素电极和漏极配线的接触孔的区域，进行曝光和显影。由此，如图24所示，能够在层间绝缘膜内形成接触孔16。这时，利用后焙导致的抗蚀剂的收缩使接触孔16的内壁面带有锥形(角度)。由此，能够防止形成于接触孔16的内壁面上的ITO层产生台阶。接着，通过干式蚀刻除去露出于接触孔的钝化膜，再使用湿法蚀刻除去通过接触孔16露出表面的Al层，使Ti层露出，形成层间绝缘膜53。Al比Ti反射率高，因而由此能够进一步减少内部反射。
接着，如图25所示，对包含层间绝缘膜53和通过接触孔16露出表面的Ti层的整体使用溅射法形成ITO层34。
接着，如图26所示，使用光刻法将ITO层34图案化为所需形状，由此能够形成像素电极11。此外，在图26中，为便于说明，仅图示2个像素的量的像素电极11。
参考方式1
参考方式1是将未使用透明材料而形成源极配线的耦合部的有源矩阵基板应用于显示装置的一个例子。参考方式1的显示装置具备一对基板和具有被该一对基板夹着的液晶层，该一对基板包含具备像素电极、TFT等的有源矩阵基板和具备彩色滤光片、黑矩阵等的彩色滤光片基板。
图27是参考方式1的有源矩阵基板的源极配线的放大示意图。源极配线13整体上具有锯齿形状。源极配线13具有弯曲点，以该弯曲点为边界形成横断部，横断部形成为横穿在行方向上相邻的2个像素电极11的间隙。由此，1条源极配线13与相邻的2个像素电极11分别重叠配置。与源极配线为直线状的情况相比，在参考方式1中，源极配线13以更宽的面积重叠于像素电极11，因此即使是在产生对准偏离的情况下，也能够抑制在像素电极11与源极配线13之间形成的耦合电容在各像素电极间有偏差。
然而，在参考方式1中，源极配线13和漏极配线15均由铝(Al)等具有反射性的导电材料形成。另外，源极配线13和漏极配线15未用黑矩阵覆盖地存在于显示区域，因此光会在源极配线13和漏极配线15的表面反射而成为内部反射的主要原因，有可能招致显示质量的下降。
图28是参考方式1的有源矩阵基板的光学显微镜照片。图28的发白色光的部分是发生内部反射的区域，可以知道源极配线、漏极配线和CS配线是成为内部反射的主要原因的区域。在图28中，每个由栅极配线和源极配线包围的区域对应着不同颜色的彩色滤光片，在3个区域中从左边起表示红色、绿色和蓝色。
实施方式2
实施方式2是应用了本发明的有源矩阵基板的本发明的显示装置的一个例子。在实施方式2的显示装置中，除源极配线不是锯齿状而是直线状、耦合部的长度更大以及除去了主线部的中央部分以外，与实施方式1的显示装置是同样的。
图29是实施方式2的有源矩阵基板的源极配线的放大示意图。源极配线13具有除去了主线部的中央部分的直线状的主线部13A和从主线部13A的两侧分别引伸出一定面积设置的延出部(耦合部)13B。耦合部13B在源极配线13的左侧和右侧分别设置有一个。耦合部13B均具有与像素电极11的长边大致相同的长度，左侧的耦合部13B的面积和右侧的耦合部13B的面积实质上是相同的。耦合部13B的形状分别具有矩形。
根据实施方式2，能够比实施方式1进一步缩小相邻的像素电极彼此的间隔，另外也能够更窄地形成黑矩阵的宽度，因此能够提高开口率。另外，耦合部13B相对于源极配线13整体的面积比例比实施方式1大，因此能够进一步减少耦合电容的误差。
图30是沿着图29的C-D线的截面示意图。如图30所示，在实施方式2中，有源矩阵基板在玻璃基板10上具有源极配线13和像素电极11。并且，在相对基板的覆盖各像素电极11的边缘部分的位置上配置有黑矩阵21。
源极配线13的主线部包含ITO层13a、Ti层13b和Al层13c的叠层，耦合部仅由ITO层13a构成。另外，主线部的正中具有被挖通的结构。
实施方式3
实施方式3是应用了本发明的有源矩阵基板的本发明的显示装置的一个例子。在实施方式3的显示装置中，除源极配线不是锯齿状而是直线状和从源极配线延伸出的耦合部的形状以外，与实施方式1的显示装置是同样的。
图31是实施方式3的有源矩阵基板的源极配线的放大示意图。源极配线13具有直线状的主线部13A和从主线部13A的两侧分别引伸出一定面积设置的延出部(耦合部)13B。耦合部13B在源极配线13的左侧和右侧分别各设置有一个。左侧的耦合部13B的面积和右侧的耦合部13B的面积实质上是相同的。
耦合部13B在俯视基板时具有コ字型(把手型)的形状，在从源极配线的主线部延伸的起点部位，在行方向上引伸出一定长度，并进一步在列方向上引伸而形成。在主线部和耦合部之间形成有一定面积的空间。
根据这样的形状，即使是在相邻的像素电极彼此之间设置比源极配线宽度更大的间隔的情况下，也能够利用耦合部来进行耦合电容的平衡的调节，因此可以对各像素电极施加均等大小的信号电压，并且能够提高开口率和抑制内部反射。
此外，在实施方式3中，在开口率方面虽然不及实施方式1和2，但是从均等的耦合电容的形成和内部反射的抑制的观点出发，能够得到与实施方式1和2同样的效果。
图32是沿着图31的E-F线的截面示意图。如图32所示，在实施方式2中，有源矩阵基板在玻璃基板10上具有源极配线13和像素电极11。并且，在相对基板的覆盖各像素电极11的边缘部分的位置配置有黑矩阵21。
源极配线13的主线部包括ITO层13a、Ti层13b和Al层13c的叠层，耦合部仅由ITO层13a构成。
实施方式4
实施方式4是应用了本发明的有源矩阵基板的本发明的显示装置的一个例子。在实施方式4的显示装置中，除在液晶显示面板的前方具有保护板(前面板)、在保护板上粘贴有防反射膜以外，与实施方式1的液晶显示装置是同样的。根据实施方式4的显示装置，在构成显示面的构件的最表面配置有防反射膜，因此可以减少光在保护板的表面上的反射(表面反射)，并且也能够减少液晶显示面板的内部结构导致的反射(内部反射)。
图33和图34是示出防反射膜配置于保护板上的实施方式4的显示装置的截面示意图。图33示出使用利用光的干涉使反射光减少的膜(例如，AR膜或者LR膜)(下面也称为光干涉膜。)的情况，图34示出使用在表面具有相邻的凸部的顶点间的宽度为可见光波长以下的多个凸部的膜(下面也称为蛾眼膜。)的情况。
如图33和图34所示，实施方式4的显示装置隔着空气层63具有液晶显示面板61和用于保护液晶显示面板61的保护板62。保护板62包括基材62和配置于基材62a上的光干涉膜62b或者蛾眼膜102c。基材62a的材料可以举出例如玻璃、丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂。此外，在图33和图34中示出仅在保护板62a的一侧设置防反射膜的方式，但是这些防反射膜也可以设置于保护板62a的与显示面板61相对的一侧的表面和显示面板61的外界侧的表面的两个面上，在各表面上的反射被分别抑制，因此反射率会进一步下降，显示质量会提高。此外，也可以在保护板62a的前后使用不同种类的防反射膜。
光干涉膜62b是使在光干涉膜的外界侧的表面反射的光的相位与在显示面板侧的表面反射的光的相位相反，使其分别干涉而相互抵消来抑制反射的防反射膜。另外，在光干涉膜62b具有多层结构的情况下，除了在上述各表面反射的光以外，也可以将在多层结构的各界面即光干涉膜内反射的光用作干涉的材料。
LR膜是包含单层或者2、3层程度的数层的膜，反射率是1～2％。LR膜的层构成简单，因此可以通过湿法涂层来形成。
AR膜一般通过干式成膜法来形成，具有4～7层程度的多层结构，反射率是0.2～4％。AR膜难以提高成膜的工艺速度，生产性低，因此不适合大型用途，但外光的映入的抑制效果良好，因此适合用于在野外等明亮的外光下使用的移动设备等。
图35是示出LR膜、AR膜等光干涉膜实现低反射的原理的示意图。如图35所示，光干涉膜62b在基材62a上配置使用。这时，入射到光干涉膜62b的光70分离为在光干涉膜62b的外界侧的表面反射的成分70a和在基材侧的表面反射的成分70b。在光干涉膜62b中，在外界侧的表面反射的成分70a的相位和在基材侧的表面反射的成分70b的相位被设计为正好偏离N-1/2(N为1以上的整数)波长。由此，在外界侧的表面反射的成分70a和在基材侧的表面反射的成分70b成为相反相位，通过干涉两个光会相互抵消，因此可以减少反射率。
图36和图37是示出蛾眼膜实现低反射的原理的示意图。图36示出蛾眼膜的截面结构，图37示出入射到蛾眼膜的光所感知的折射率。在光从某介质向不同的介质行进时，会在这些介质的界面折射、透射和反射。折射等的程度取决于光行进的介质的折射率，例如，空气则具有约1.0的折射率、树脂则具有约1.5的折射率。在实施方式1中，形成于蛾眼膜的表面的凹凸结构的单位结构作为整体看是锥状，即，具有向着顶端方向宽度逐渐变小的形状。因而，如图37所示，能认为在位于空气层和蛾眼膜的界面的凸部(X-Y间)，折射率从作为空气的折射率的约1.0连续地逐渐变大直到作为膜构成材料的折射率(树脂则为约1.5)。光反射的量依赖于介质间的折射率差，因此通过这样使光的折射界面近似于几乎不存在，光的大部分会穿过蛾眼膜中，在膜表面的反射率会大大减少。
即，蛾眼膜使在基材的外界侧的表面和基材的表面的边界的折射率的变化近似于连续，使光与折射率界面无关地几乎全部透射，由此减少反射率。具体地说，通过蛾眼膜能够使反射率减少到大约0.2％。
蛾眼膜62c在表面上具有相邻的凸部的顶点间的宽度(间距)为可见光波长以下的多个凸部。蛾眼膜62c的材料可以举如例如能进行光纳米压印、热纳米压印的在一定条件下示出固化性的树脂，特别是，优选能实行进行精密的图案化的光纳米压印的丙烯酸酯树脂、甲基丙烯酸酯树脂等光固化性树脂。
详述蛾眼膜62c的每一个凸部的形状。图38～41是将实施方式4的显示装置具有的蛾眼膜的表面放大的立体图。图38示出凸部的单位结构为圆锥状的时候，图39示出凸部的单位结构为四棱锥状的时候，图40示出凸部的单位结构为从顶点到底点的倾斜是带有圆形的圆顶(铃)状的时候，图41示出凸部的单位结构为从顶点到底点的倾斜是陡峭的针状的时候。如图38～41所示，在蛾眼结构中，凸部的顶部是顶点t，各凸部彼此相接的点是底点b。如图38～41所示，构成蛾眼结构的凸部的相邻的顶点间的宽度w由将自凸部的顶点t起分别作垂线到同一平面上时的二点间的距离来表示。另外，从蛾眼结构的顶点到底点的高度h由从凸部的顶点t到位于底点b的平面作垂线时的距离来表示。即，每一个凸部的高宽比由高度除以间距(顶点间的距离)的h/w来表示。
在蛾眼膜62c中，相邻的凸部的顶点间的宽度w是380nm以下，优选300nm以下，更优选200nm以下。另外，高度h是100～600nm，优选200nm～400nm。此外，在图38～41中，凸部的单位结构例示了圆锥、四棱锥、圆顶(铃)型、针状型的形状，但是在实施方式1中，只要蛾眼结构是形成有顶点和底点且将间距控制为可见光波长以下的凹凸结构即可，其单位结构没有特别限制。另外，例如锥体的斜面也可以具有带有阶梯状的台阶的形状。
说明蛾眼膜62c的制作方法的一个例子。首先，准备10cm见方的玻璃基板，将作为金属模具的材料的铝(Al)通过溅射法以膜厚1.0μm形成在玻璃基板上。接着，使铝阳极氧化，紧接着重复进行蚀刻的工序，由此形成具有相邻凹部的底点间的距离为可见光波长以下的长度的多个微小的凹部的阳极氧化层。具体地说，通过按顺序进行阳极氧化、蚀刻、阳极氧化、蚀刻、阳极氧化、蚀刻、阳极氧化、蚀刻和阳极氧化的流程(阳极氧化5次、蚀刻4次)来制作凹部的模具。通过这样的阳极氧化和蚀刻的重复工序，所形成的微小的凹部的形状是向金属模具的内部越来越细的形状(锥形形状)。
阳极氧化的条件为例如草酸为0.6wt％、液温为5℃、80V的施加电压、阳极氧化时间为25秒。通过调节阳极氧化时间，形成的凹部的大小会发生不同。蚀刻的条件为例如磷酸为1mol/l、液温为30℃、25分钟。
在通过上述制造工序制作的凹部的深度各自不同的各金属模具的表面上，滴注2P(光聚合)树脂溶液，一边注意不混入气泡，一边利用辊子将TAC膜粘合在由2P树脂溶液形成的2P树脂层上。接着，对2P树脂层照射2J/cm2的紫外(UV)光使2P树脂层固化，其后，进行固化而成的2P树脂膜和TAC膜的复合膜的剥离。
根据这样的方法，能够制作例如金属模具的凹部的深度是387nm、凹部的间距是180nm的金属模具和凸部的高度是219nm、高宽比是1.22、凸部间的间距分别是180nm的蛾眼膜62c。此外，这样的形状和大小的轮廓能够使用SEM(Scanning ElectronMicroscope；扫描型电子显微镜)测定。
图42是比较AR膜、LR膜和蛾眼膜的各自的反射光谱的图。如图42所示，根据蛾眼膜，对每个波长成分均能够充分得到0.5％以下的反射率，因此特别优选。
上面对实施方式1～4进行了说明，但只要具有本发明的有源矩阵基板或者本发明的显示装置的特征，就能够适当组合这些实施方式1～4的一部分或者全部，能够得到各自的优点。
此外，本申请以2009年12月8日申请的日本国专利申请2009-278781号为基底，主张基于巴黎公约以及进入国的法规的优先权。该申请的全部内容作为参照被编入本申请中。
附图标记说明
11、111、311：像素电极
12、112：栅极配线
13、113、313：源极配线
13a：ITO层
13b：Ti层
13c：Al层
13A：主线部
13B：耦合部
15、115：漏极配线
16、116：接触孔
17、117：CS配线
18：半导体层
19、119：TFT
21：黑矩阵
31：n+Si层
32：抗蚀剂
33：丙烯酸系抗蚀剂
34：ITO层
41：掩模
41a：遮光部
41b：半色调部
41c：透光部
51：栅极绝缘膜
52：钝化膜
53：层间绝缘膜
61：液晶显示面板
62：保护板
62a：基材
62b：光干涉膜
62c：蛾眼膜
63：空气层

Claims (11)

1.一种有源矩阵基板，其特征在于：
上述有源矩阵基板在绝缘基板上具备：多个像素电极，其配置为矩阵状；以及源极配线，其与在行方向上相邻的两个像素电极的双方重叠配置，在列方向上延伸，
该像素电极和该源极配线隔着绝缘膜分别形成于不同的层，
该源极配线具有主线部和从该主线部的两侧分别引伸设置的延出部，
该延出部包含透明导电材料。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在上述行方向上相邻的两个像素电极的电位极性相互不同。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述主线部包括：包含上述透明导电材料的层和包含电阻率比上述透明导电材料低的导电材料的层的叠层。
4.根据权利要求3所述的有源矩阵基板，其特征在于：
包含上述透明导电材料的层形成于与包含电阻率比上述透明导电材料低的导电材料的层相比靠上述绝缘基板侧。
5.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述源极配线与上述像素电极间通过薄膜晶体管和从该薄膜晶体管引出的漏极配线连接，
该漏极配线包含透明导电材料。
6.一种显示装置，其特征在于：
具备根据权利要求1至5中的任一项所述的有源矩阵基板。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于：
上述显示装置在构成显示面的构件的最表面具有防反射膜。
8.根据权利要求6或7所述的显示装置，其特征在于：
上述显示装置具有前面板和粘贴于该前面板的一面或者两面上的防反射膜。
9.根据权利要求7或8所述的显示装置，其特征在于：
粘贴有上述防反射膜的面的反射率在可见光范围内为0.5％以下。
10.根据权利要求7至9中的任一项所述的显示装置，其特征在于：
上述防反射膜是通过光的干涉使反射光减少的膜。
11.根据权利要求7至9中的任一项所述的显示装置，其特征在于：
上述防反射膜是在表面具有相邻的凸部的顶点间的宽度为可见光波长以下的多个凸部的膜。
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