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CN102629018B - 彩膜基板、tft阵列基板及其制造方法和液晶显示面板 - Google Patents

彩膜基板、tft阵列基板及其制造方法和液晶显示面板 Download PDF

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CN102629018B CN201110369001.XA CN201110369001A CN102629018B CN 102629018 B CN102629018 B CN 102629018B CN 201110369001 A CN201110369001 A CN 201110369001A CN 102629018 B CN102629018 B CN 102629018B
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Abstract

本发明公开了一种彩膜基板、TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示面板，涉及液晶显示器制造领域，以解决一整块显示面板上不同尺寸的单元显示面板所需盒厚不同的问题。其中彩膜基板的制造方法，包括：在形成有黑矩阵和彩色滤光片的基板上涂布公共电极层；利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板对所述公共电极层进行构图工艺处理，得到对应彩膜基板不同尺寸单元彩膜基板的厚度不同的公共电极层。本发明用于液晶显示面板制造。

Description

彩膜基板、TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示面板
技术领域
本发明涉及液晶显示器，尤其涉及一种彩膜基板、TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示面板。
背景技术
TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，薄膜场效应晶体管液晶显示器)液晶显示面板包括对盒成型的TFT阵列基板和彩膜基板，该TFT阵列基板和彩膜基板之间填充有液晶层。通常，一整块的显示面板上分布有多个尺寸的单元显示面板，在完成对盒工艺后，再分割整块显示板，得到各个尺寸的单元显示面板。
不同尺寸的单元显示面板所需的液晶盒厚是不同的，但当它们制造在一整块显示面板上时，由于整块TFT阵列基板和彩膜基板的厚度固定，因此对盒成型的盒厚往往是相同的，这就会影响一部分尺寸的单元显示面板的显示性能。
发明内容
本发明提供一种彩膜基板、TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示面板，以解决一整块显示面板上不同尺寸的单元显示面板所需盒厚不同的问题。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一方面，提供一种彩膜基板的制造方法，包括：
在形成有黑矩阵和彩色滤光片的基板上涂布公共电极层；
利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板对所述公共电极层进行构图工艺处理，得到对应彩膜基板不同尺寸单元彩膜基板的厚度不同的公共电极层。
一方面，提供一种彩膜基板，包括尺寸不同的单元彩膜基板，每个单元彩膜基板包括公共电极层，不同尺寸的单元彩膜基板的公共电极层的厚度不同。
一方面，一种TFT阵列基板的制造方法，包括：
在形成有栅线、栅电极、栅绝缘层、半导体有源层、数据线、源电极、漏电极和保护层的基板上涂布像素电极层；
利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板对所述像素电极层进行构图工艺处理，得到对应TFT阵列基板不同尺寸单元阵列基板的厚度不同的像素电极层。
一方面，提供一种TFT阵列基板，包括尺寸不同的单元阵列基板，每个单元阵列基板包括像素电极层，不同尺寸的单元阵列基板的像素电极层的厚度不同。
一方面，提供一种液晶显示面板，包括对盒成型的彩膜基板和TFT阵列基板，以及位于所述彩膜基板和TFT阵列基板之间的液晶层，所述彩膜基板包括尺寸不同的单元彩膜基板，每个单元彩膜基板包括公共电极层，不同尺寸的单元彩膜基板的公共电极层的厚度不同。
一方面，提供一种液晶显示面板，包括对盒成型的彩膜基板和TFT阵列基板，以及位于所述彩膜基板和TFT阵列基板之间的液晶层，所述TFT阵列基板包括尺寸不同的单元阵列基板，每个单元阵列基板包括像素电极层，不同尺寸的单元阵列基板的像素电极层的厚度不同。
本发明提供的彩膜基板、TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示面板，利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板，通过一次构图工艺得到厚度不同的彩膜基板公共电极层或TFT阵列基板像素电极层，使得在对盒工艺中能够得到不同盒厚的单元显示面板，解决了现有技术中整块显示板上的不同尺寸单元显示面板所需盒厚不同的问题，保证了各尺寸单元显示面板的显示性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有的整块液晶显示面板的平面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的彩膜基板制造方法流程示意图；
图3为本发明实施例提供的彩膜基板制造方法过程中的基板结构示意图一；
图4为本发明实施例提供的彩膜基板制造方法过程中的基板结构示意图二；
图5为本发明实施例提供的彩膜基板制造方法过程中的基板结构示意图三；
图6为本发明实施例提供的彩膜基板制造方法过程中的基板结构示意图四；
图7为本发明实施例提供的彩膜基板制造方法过程中的基板结构示意图五；
图8为本发明实施例提供的彩膜基板制造方法过程中的基板结构示意图六；
图9为本发明实施例提供的彩膜基板制造方法过程中的基板结构示意图七；
图10为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法流程示意图；
图11为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图一；
图12为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图二；
图13为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图三；
图14为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图四；
图15为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图五；
图16为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图六；
图17为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图七；
图18为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图八；
图19为本发明实施例提供的液晶显示面板的结构示意图；
图20为本发明另一实施例提供的液晶显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为现有的整块液晶显示面板的平面结构示意图，如图所示，整块液晶显示面板上有尺寸不同的第一尺寸单元液晶显示面板1和第二尺寸单元液晶显示面板2。
下面通过图2～图9对本发明实施例提供的彩膜基板的制造方法进行说明。如图2所示，其步骤包括：
S201、在形成有黑矩阵和彩色滤光片的基板上涂布公共电极层。
示例性的，如图3所示，在形成有黑矩阵和彩色滤光片21的基板20上，可以采用磁控溅射或热蒸发的方法沉积ITO(IndiumTinOxides，铟锡金属氧化物)公共电极层22。
S202、利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板对公共电极层进行构图工艺处理，得到对应彩膜基板不同尺寸单元彩膜基板的厚度不同的公共电极层。
首先，如图4所示，在公共电极层22上涂布光刻胶23。
接着，如图5所示，利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板24对光刻胶23进行曝光。如图6所示，显影后形成光刻胶完全保留区域231、光刻胶半保留区域232和光刻胶完全去除区域(图5中未表示)；其中，光刻胶完全保留区域231对应第一尺寸单元彩膜基板区域A，光刻胶半保留区域232对应第二尺寸单元彩膜基板区域B。
之后，利用刻蚀工艺去除掉光刻胶完全去除区域的公共电极层。
接着，如图7所示，利用等离子体灰化工艺去除掉光刻胶半保留区域232的光刻胶。
然后，如图8所示，利用刻蚀工艺刻蚀掉第二尺寸单元彩膜基板区域B的一定厚度的公共电极层22。
最后，如图9所示，剥离掉光刻胶完全保留区域232的光刻胶。
本发明实施例提供的彩膜基板制造方法，利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板，通过一次构图工艺得到厚度不同的彩膜基板公共电极层，使得在对盒工艺中能够得到不同盒厚的单元显示面板，解决了现有技术中整块显示板上的不同尺寸单元显示面板所需盒厚不同的问题，保证了各尺寸单元显示面板的显示性能。
本发明实施例提供的彩膜基板，如图9所示，包括尺寸不同的第一尺寸单元彩膜基板A和第二尺寸单元彩膜基板B，每个单元彩膜基板包括公共电极层22，并且，不同尺寸的单元彩膜基板的公共电极层22的厚度不同，在图9中第一尺寸单元彩膜基板A的公共电极层22的厚度厚于第二尺寸单元彩膜基板B的公共电极层22的厚度。
这样，厚度不同的彩膜基板公共电极层可以在对盒工艺中能够得到不同盒厚的单元显示面板，因此解决了现有技术中整块显示板上的不同尺寸单元显示面板所需盒厚不同的问题，保证了各尺寸单元显示面板的显示性能。
下面通过图10～图18对本发明实施例提供的TFT阵列基板的制造方法进行说明。如图10所示，该方法包括：
S1001、在形成有栅线、栅电极31、栅绝缘层32、半导体有源层33、数据线、源电极34、漏电极35和保护层36的基板30上涂布像素电极层37，如图11所示。
S1002、利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板对像素电极层进行构图工艺处理，得到对应TFT阵列基板不同尺寸单元阵列基板的厚度不同的像素电极层。
示例性的，如图12所示在所述像素电极层37上涂布光刻胶38。
接着，如图13所示利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板39对光刻胶进行曝光。
之后，如图14所示，显影后形成光刻胶完全保留区域381、光刻胶半保留区域382和光刻胶完全去除区域；其中，光刻胶完全保留区域381对应TFT阵列基板第一尺寸单元阵列基板C的像素电极区域，光刻胶半保留区域382对应TFT阵列基板第二尺寸单元阵列基板D的像素电极区域，光刻胶完全去除区域对应TFT区域等其他除像素电极区域之外的区域。
接着，如图15所示，利用刻蚀工艺去除掉光刻胶完全去除区域的像素电极层。
然后，如图16所示，利用等离子体灰化工艺去除掉光刻胶半保留区域的光刻胶。
之后，如图17所示，利用刻蚀工艺刻蚀掉第二尺寸单元阵列基板D的像素电极区域一定厚度的像素电极层37。
最后，如图18所示，剥离掉光刻胶完全保留区域的光刻胶。
本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法，利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板，通过一次构图工艺得到厚度不同的TFT阵列基板像素电极层，使得在对盒工艺中能够得到不同盒厚的单元显示面板，解决了现有技术中整块显示板上的不同尺寸单元显示面板所需盒厚不同的问题，保证了各尺寸单元显示面板的显示性能。
本发明实施例提供的TFT阵列基板，如图18所示，包括尺寸不同的第一尺寸单元阵列基板C和第二尺寸单元阵列基板D，每个单元阵列基板包括像素电极层37，并且，不同尺寸的单元基板的像素电极层37的厚度不同，在图18中第一尺寸单元阵列基板C的像素电极层37的厚度厚于第二尺寸单元阵列基板D的像素电极层37的厚度。
这样，厚度不同的TFT阵列基板像素电极层可以在对盒工艺中能够得到不同盒厚的单元显示面板，因此解决了现有技术中整块显示板上的不同尺寸单元显示面板所需盒厚不同的问题，保证了各尺寸单元显示面板的显示性能。
本发明实施例提供的液晶显示面板，如图19所示，包括对盒成型的彩膜基板40和TFT阵列基板50，以及位于彩膜基板40和TFT阵列基板50之间的液晶层60，该彩膜基板包括第一尺寸单元彩膜基板A和第二尺寸单元彩膜基板B，每个单元彩膜基板包括公共电极层22，不同尺寸的单元彩膜基板的公共电极层22的厚度不同。
这样，图19中A区域的单元液晶显示面板的盒厚明显厚于B区域的单元液晶显示面板的盒厚，因此，一整块彩膜基板和一整块TFT阵列基板对盒后，可以得到不同盒厚的单元显示面板，因此解决了现有技术中整块显示板上的不同尺寸单元显示面板所需盒厚不同的问题，保证了各尺寸单元显示面板的显示性能。
本发明另一实施例提供的液晶显示面板，如图20所示，包括对盒成型的彩膜基板40和TFT阵列基板50，以及位于彩膜基板40和TFT阵列基板50之间的液晶层60，该TFT阵列基板50包括第一尺寸单元阵列基板C和第二尺寸单元阵列基板D，每个单元阵列基板包括像素电极层37，不同尺寸的单元基板的像素电极37层的厚度不同。
这样，图20中C区域的单元液晶显示面板的盒厚明显厚于D区域的单元液晶显示面板的盒厚，因此，一整块彩膜基板和一整块TFT阵列基板对盒后，可以得到不同盒厚的单元显示面板，因此解决了现有技术中整块显示板上的不同尺寸单元显示面板所需盒厚不同的问题，保证了各尺寸单元显示面板的显示性能。
需要说明的是，本发明各个实施例中的公共电极层或像素电极层的厚度可以根据经验以及不同尺寸单元液晶显示面板的光学、电学特定进行选择。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (2)

1.一种彩膜基板的制造方法，其特征在于，包括：
在形成有黑矩阵和彩色滤光片的基板上涂布公共电极层；
在公共电极层上涂布光刻胶；
利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全保留区域对应彩膜基板第一尺寸单元彩膜基板区域，所述光刻胶半保留区域对应彩膜基板第二尺寸单元彩膜基板区域；
利用刻蚀工艺去除掉所述光刻胶完全去除区域的公共电极层；
利用等离子体灰化工艺去除掉所述光刻胶半保留区域的光刻胶；
利用刻蚀工艺刻蚀掉所述第二尺寸单元彩膜基板的一定厚度的公共电极层；
剥离掉所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。
2.一种TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在形成有栅线、栅电极、栅绝缘层、半导体有源层、数据线、源电极、漏电极和保护层的基板上涂布像素电极层；
在所述像素电极层上涂布光刻胶；
利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全保留区域对应TFT阵列基板第一尺寸单元阵列基板的像素电极区域，所述光刻胶半保留区域对应TFT阵列基板第二尺寸单元阵列基板的像素电极区域；
利用刻蚀工艺去除掉所述光刻胶完全去除区域的像素电极层；
利用等离子体灰化工艺去除掉所述光刻胶半保留区域的光刻胶；
利用刻蚀工艺刻蚀掉所述第二尺寸单元阵列基板的像素电极区域一定厚度的像素电极层；
剥离掉所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。
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